CN102592938B - 离子迁移管信号提取电路、方法以及离子迁移探测器 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例涉及一种离子迁移管信号提取电路、方法以及离子迁移探测器，涉及物质检测技术领域，解决了现有技术存在法拉第盘上脉动电压的引出电路的设计以及制造难度比较大的技术问题。该离子迁移管信号提取电路，包括隔直通交模块，隔直通交模块用于去除由信号引入端从法拉第盘上引出的电压中的直流电压，并将由信号引入端从法拉第盘上引出的电压中的脉动电压从信号引出端输出。该离子迁移探测器，包括本发明提供的离子迁移管信号提取电路。该离子迁移管信号提取方法，包括：引出离子迁移管内的法拉第盘上的电压；去除由从法拉第盘上引出的电压中的直流电压，将从法拉第盘上引出的电压中的脉动电压输出。本发明用于引出法拉第盘上的脉动电压。
Description
技术领域
本发明涉及物质检测技术领域，具体涉及一种离子迁移管信号提取电路、离子迁移管信号提取方法以及设置该离子迁移管信号提取电路并应用该离子迁移管信号提取方法的离子迁移探测器。
背景技术
使用各种新技术检测未知物质的类型与种类具有很大的实用价值，例如在目前的安检市场上，采用离子迁移技术可以检测出危险品(如爆炸物、毒品)，进而避免危险品流入公共场所。
目前，采用离子迁移技术检测危险品的离子迁移探测器(或称离子迁移谱仪)，根据其检测的离子极性的不同，分为检测正离子的正模式离子迁移探测器，检测负离子的负模式离子迁移探测器。上述离子迁移探测器的检测覆盖范围受到了正、负离子模式的限制。但是，由于大部分的分子都具有特定的电亲和性，也有少量的分子能同时产生正、负两种离子。为了拓展离子迁移技术的检测范围，发展出了分别带有正负迁移区的双模式离子迁移探测器(或称双极性IMS)。这种离子迁移探测器体积庞大、检测物覆盖面大、分辨能力高，在市场上主要以台式机的形式出现，其价格较单模式更加昂贵。
现有的双模式离子迁移探测器主要由离子源、正离子门、负离子门、两个漂移管(TOF)以及两个法拉第盘构成，最简单的构成方式是两个漂移管位于离子源的两侧，由于正负迁移区的电场方向相同，因此一般情况下离子源的电位为地电位(零电位)。脉冲电压的幅度是由到达法拉第盘的离子团的电量决定的，一般反映出收集到的离子数量，所以可以通过分析脉动电压的变化规律判断出物质的具体类型。为保证法拉第盘与离子源之间具有足够的电场强度，法拉第盘处于几千伏(通常为3000V左右)的高电位上，连接于法拉第盘后方的脉动电压(通常为几毫伏)的引出电路及脉动电压的放大电路、模数转换电路等都悬浮在几千伏的高电位上。
现有技术中一般使用变压器将上千伏的高压变为0电位，即将后方放大整形电路悬浮在上千伏的高压，在通过隔离器件将放大后的脉冲电信号引出来。由于几千伏的高电压对电子器件的抗高压能力要求非常高，所以变压器所能选择的电子器件的范围比较窄，而且变压器内的电路以及与其电连接的外围引出电路也比较复杂，导致法拉第盘上脉动电压的引出电路的设计以及制造难度比较大，进而为脉动电压信号的数字化以及后继处理都带来了困难。
发明内容
本发明的目的是提出一种离子迁移管信号提取电路、一种设置该离子迁移管信号提取电路的离子迁移探测器以及一种离子迁移管信号提取方法。解决了现有技术中存在的法拉第盘上脉动电压的引出电路的设计以及制造难度比较大的技术问题。
为实现上述目的，本发明所提供的离子迁移管信号提取电路，包括设置有信号引入端以及信号引出端的隔直通交模块，其中：
所述信号引入端与离子迁移管内的法拉第盘电连接；
所述隔直通交模块用于去除由所述信号引入端从所述法拉第盘上引出的电压中的直流电压，并将由所述信号引入端从所述法拉第盘上引出的电压中的脉动电压从所述信号引出端输出。
优选地，所述隔直通交模块包括至少两个电容，所述电容之间互相串联或并联，所述信号引入端与所述电容的正极或负极其中之一电连接，所述信号引出端与所述电容的正极或负极其中另一电连接。
优选地，至少两个所述电容互相串联，每个所述电容的容值为5nf～20nf。
本发明实施例提供的离子迁移探测器，包括离子迁移管；
上述本发明实施例提供的离子迁移管信号提取电路，所述离子迁移管信号提取电路内的所述信号引入端与所述离子迁移管内的法拉第盘电连接；
脉动电压处理电路，所述脉动电压处理电路与所述信号引出端电连接，所述脉动电压处理电路用于将所述信号引出端输出的所述脉动电压进行放大整形和/或模数转换。
优选地，所述离子迁移管内还设置有外屏蔽罩以及内屏蔽罩，其中：
所述法拉第盘包括位置相反的第一侧以及第二侧，所述第一侧用于接收离子；
所述外屏蔽罩罩设于所述法拉第盘外，且所述外屏蔽罩内凹的部分与所述法拉第盘的第二侧位置相对；
所述法拉第盘通过连接芯线与第一同轴电缆的内芯电连接；
所述内屏蔽罩位于所述外屏蔽罩内，所述内屏蔽罩的内凹的部分与所述法拉第盘的第二侧位置相对且罩设于所述连接芯线之外；
所述第一同轴电缆的内芯分别与所述信号引入端以及所述离子迁移管的第一电源端并联电连接；
所述第一同轴电缆的第一外导体的两端分别与所述外屏蔽罩以及所述离子迁移管的第二电源端电连接；
所述第一同轴电缆的第二外导体的两端分别与所述内屏蔽罩以及所述第一电源端电连接。
优选地，所述离子迁移管的第一电源端与所述第一同轴电缆的内芯之间还串联有至少一个电阻。
优选地，所述离子迁移管的第一电源端与所述第一同轴电缆的内芯、所述第一同轴电缆的第二外导体之间还与至少一个滤波电容的其中一极电连接，每个所述滤波电容的其中另一极接地。
优选地，所述离子迁移管的第一电源端以及第二电源端分别通过两芯线缆的两条芯线与不同的高压电源电连接，所述两芯线缆的外皮屏蔽层接地。
优选地，所述电阻的阻值为400MΩ～600MΩ。
优选地，所述信号引出端与第二同轴电缆电连接，且从所述信号引出端输出的所述脉动电压从所述第二同轴电缆的内芯输出，所述第二同轴电缆的外导体接地。
优选地，所述第一同轴电缆以及所述第二同轴电缆均为三同轴电缆，所述第一外导体为三同轴电缆的外皮屏蔽层，所述第二外导体为三同轴电缆的内皮信号层。
优选地，所述离子迁移管信号提取电路设置于电路板上，且其与所述电路板均灌封于灌封胶内，所述灌封胶之外还覆盖有接地的金属屏蔽罩。
优选地，所述离子迁移探测器为具有正负离子迁移区的双模式离子迁移探测器。
本发明实施例提供的离子迁移管信号提取方法，包括以下步骤：
引出离子迁移管内的法拉第盘上的电压；
去除由从所述法拉第盘上引出的电压中的直流电压，将从所述法拉第盘上引出的电压中的脉动电压输出。
上述本发明实施例所提供的任一技术方案，至少能产生如下技术效果：
由于本发明实施例中将离子迁移管内的法拉第盘上的电压引出法拉第盘之后，是通过去除由从法拉第盘上引出的电压中的直流电压，并将从法拉第盘上引出的电压中的脉动电压输出的方法最终引出脉动电压的，这样引出脉动电压的过程中，无需对法拉第盘上几千伏的电压进行变压处理，所以也无需使用内部电路以及外围电路复杂的变压器，同时，要达到去除直流电压引出脉动电压的目的，使用隔直通交(或称隔直走交、走交隔直)模块或其他具有隔直通交功能的电路便可以实现，由于去除直流电压相对于承受、变换法拉第盘上几千伏的电压的难度要简单很多，所以隔直通交模块的内部电路或其他具有隔直通交功能的电路内部结构上也会更为简单，无论是设计以及制造难度均比较小，进而也使得脉动电压信号的数字化以及后继处理更为容易，所以解决了现有技术存在法拉第盘上脉动电压的引出电路的设计以及制造难度比较大的技术问题。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1为本发明实施例提供的离子迁移管信号提取电路的内部组成部分之间的连接关系的示意图；
图2为本发明实施例提供的离子迁移探测器内的离子迁移管与离子迁移管信号提取电路以及其他外围电路之间连接关系的示意图；
图3为本发明实施例提供的离子迁移探测器内的离子迁移管与第一同轴电缆之间的连接关系的示意图；
图4为本发明实施例提供的离子迁移管信号提取电路的内部组成部分的优选实施方式与外围其他电子器件之间的连接关系的示意图；
图5为本发明实施例提供的离子迁移管信号提取方法的内部流程的示意图。
具体实施方式
下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
本发明实施例提供了一种结构简单、成本低廉的离子迁移管信号提取电路、设置该离子迁移管信号提取电路的离子迁移探测器以及该离子迁移管信号提取电路所使用的离子迁移管信号提取方法。
如图1所示，本发明实施例提供的离子迁移管信号提取电路包括设置有信号引入端In以及信号引出端Out的隔直通交模块1。
信号引入端In与如图2或如图3所示离子迁移管2内的法拉第盘21电连接。
隔直通交模块1用于去除由信号引入端In从法拉第盘21上引出的电压中的直流电压，并将由信号引入端In从法拉第盘21上引出的电压中的脉动电压从信号引出端Out输出。
由于本发明实施例中将如图2或图3所示离子迁移管2内的法拉第盘21上的电压引出法拉第盘21之后，是通过去除由从法拉第盘21上引出的电压中的直流电压，并将从法拉第盘21上引出的电压中的脉动电压输出的方法最终引出脉动电压的，这样引出脉动电压的过程中，无需对法拉第盘21上几千伏的电压进行变压处理，所以也无需使用内部电路以及外围电路复杂的变压器，同时，要达到去除直流电压引出脉动电压的目的，使用隔直通交(或称隔直走交、走交隔直)模块或其他具有隔直通交功能的电路便可以实现，由于去除直流电压相对于承受、变换法拉第盘21上几千伏的电压的难度要简单很多，所以隔直通交模块1的内部电路或其他具有隔直通交功能的电路内部结构上也会更为简单，无论是设计以及制造难度均比较小，所以使用过程中出现故障的概率也较低，进而也使得脉动电压信号的数字化以及后继处理更为容易，所以解决了现有技术存在法拉第盘上脉动电压的引出电路的设计以及制造难度比较大的技术问题。
如图4所示，图4中隔直通交模块1采用虚线框表示，隔直通交模块1可以为单独的一个电子器件也可以为由多个电子器件构成的电路。本实施例中隔直通交模块1包括至少两个电容，电容之间互相串联或并联，信号引入端In与电容的正极或负极其中之一电连接，信号引出端Out与电容的正极或负极其中另一电连接。
本实施例中电容优选为无极性电容，电容具有良好的隔直通交性能，而且成本低廉。多个电容互相串联时，每个电容上所承受的电压较低，有利于延长单个电容的寿命，进而提高电路的可靠性。多个电容并联时，即使选用容量较小的电容也可以保证整个如图4所示隔直通交模块1的容量总和满足要求。
本实施例中至少两个电容互相串联，优选为如图4所示两个电容即C1、C2互相串联，每个电容的容值为5nf～20nf，优选为10nf。
串联电容太多时，会增加电路的复杂性以及成本，而电容太少时，单个电容上分担的电压太大，实践证明：两个5nf～20nf的电容串联能可靠地去除3000V左右的高压。当然，每个电容的容值并不限于上述公开的范围，其可以根据如图3所示法拉第盘21上电压的大小来决定。
如图2所示，本发明实施例提供的离子迁移探测器包括如图3所示离子迁移管2。
在上述本发明实施例提供的如图1所示离子迁移管信号提取电路中，如图1所示的离子迁移管信号提取电路内的信号引入端In与如图3所示的离子迁移管2内的法拉第盘21电连接；
如图2所示脉动电压处理电路3与信号引出端Out电连接，脉动电压处理电路3用于将信号引出端Out输出的脉动电压进行放大和/或模数转换。
由于脉动电压通常只有几毫伏，所以脉动电压处理电路3内的脉动信号放大电路对其进行放大之后，脉动电压的波动曲线会更容易观察，根据放大后的脉动电压值的波动曲线与预先存储的不同类型的物质所对应脉动电压值的波动曲线比对，便可以判断出物质的类型。
脉动电压处理电路3内的数模转换电路用于将脉动电压的波动曲线从模拟量转换为数字量，这样，更容易采用信息处理能力较高的计算机设备进行显示与比对。
预先存储的脉动电压值的波动曲线可以在检测物质之前预先检测并记录下来。本实施例中脉动电压处理电路3可以直接使用现有的脉动电压处理电路。
如图3所示，本实施例中离子迁移管2内还设置有外屏蔽罩22以及内屏蔽罩23。
法拉第盘21包括位置相反的第一侧211以及第二侧212，第一侧211用于接收离子。
外屏蔽罩22罩设于法拉第盘21外，且外屏蔽罩22内凹的部分与法拉第盘21的第二侧212位置相对。
法拉第盘21通过连接芯线24与第一同轴电缆41的内芯410电连接。
内屏蔽罩23位于外屏蔽罩22内，内屏蔽罩23的内凹的部分与法拉第盘21的第二侧212位置相对且罩设于连接芯线24之外。
第一同轴电缆41的内芯410分别与信号引入端In以及离子迁移管2的如图4所示第一电源端51并联电连接。
第一同轴电缆41的第一外导体411的两端分别与外屏蔽罩22以及离子迁移管2的如图4所示第二电源端52电连接。
第一同轴电缆41的第二外导体412的两端分别与内屏蔽罩23以及第一电源端51电连接。
如图3所示，连接芯线24可以为第一同轴电缆41的内芯410的一部分，为也可以为单独的一根导线，优选为第一同轴电缆41的内芯410延长、弯折而得到。
第一电源端51为法拉第盘21以及内屏蔽罩23供应高压电(高压电电压优选为3000V)，法拉第盘21以及内屏蔽罩23两者是等电位的，第二电源端52为外屏蔽罩22供应高压电(高压电电压优选为2970V)。
外屏蔽罩22可以避免离子迁移管2外的电场或干扰信号干扰法拉第盘21与离子源之间的电场，从而保证检测的准确性。
由于法拉第盘21与离子迁移管2内的离子源之间的电场是逐级递减(对于正模式离子迁移管而言)或递增(对于负模式离子迁移管而言)的，所以外屏蔽罩22与法拉第盘21之间存在大约70V至100V的压差，两者之间会产生电力线，内屏蔽罩23可以隔断外屏蔽罩22与法拉第盘21之间的电力线，进而避免在使用离子迁移探测器检测物质时，连接芯线24在颤动状态下会切割隔断外屏蔽罩22与法拉第盘21之间的电力线而产生噪声。
当然，本实施例中离子迁移管2的外屏蔽罩22与连接芯线24之间还可以再设置一个乃至多个内屏蔽罩23，外屏蔽罩22之外还可以设置一个乃至多个外屏蔽罩22。外屏蔽罩22以及内屏蔽罩23的数目根据外屏蔽罩22或内离子迁移管2之外干扰信号的密集程度而定，通常设置一个内屏蔽罩23已经足以保证离子迁移管2内不会因为连接芯线24在颤动而产生噪声。
如图3所示，离子迁移管2内设置有与外屏蔽罩22的边沿连为一体的抑制网25，抑制网25位于离子迁移管2内的离子源与法拉第盘21的第一侧211之间。抑制网25与外屏蔽罩22连为一体，所以其上与外屏蔽罩22上均连接有电压值相同的高压，抑制网25可以在离子迁移管2内的离子源与法拉第盘21的第一侧211之间形成逐级递增或递减的电场，有利于离子源产生的离子打在法拉地盘上21。
本实施例中如图3所示离子迁移管2的如图4所示的第一电源端51与第一同轴电缆41的内芯410之间还串联有至少一个电阻，优选为串联两个电阻即电阻R1与电阻R2，每个串联的电阻的阻值为400MΩ～600MΩ，优选为500MΩ。
电阻具有隔交通直(或称隔交走直)的作用，可以避免第一电源端51输出的脉动电压进入法拉第盘21而产生波纹噪声，进而可以保证检测的准确率。
串联多个电阻时，每个电阻分担的电压相对较低，有利于保证电阻的可靠性以及寿命。
如图4所示，本实施例中如图3所示离子迁移管2的第一电源端51与第一同轴电缆41的内芯410、第一同轴电缆41的第二外导体412之间还与至少一个滤波电容的其中一极电连接，滤波电容的其中另一极接地。
第一同轴电缆41的第二外导体412之间优选为并联两个接地的滤波电容即C3、C4，滤波电容C3、C4的容值可以为5nf～20nf，优选为10nf。滤波电容可以有效的将第一电源端51输出的脉动电压接地，从而滤除了由第一电源端51输出的噪声，进一步保证法拉第盘21上高压电压值的稳定性以及检测的准确性。
电阻R1、R2与滤波电容C3、C4两者优选为一起设置于离子迁移管信号提取电路中，也可以仅将电阻R1、R2与滤波电容C3、C4两者其中之一设置于离子迁移管信号提取电路中。
本实施例中如图3所示离子迁移管2如图4所示的第一电源端51以及第二电源端52分别通过两芯线缆6的两条芯线61、62与不同的高压电源V1、V2电连接，两芯线缆6的外皮屏蔽层接地。
第一电源端51以及第二电源端52可以分别通过两芯线缆6的两条芯线61、62接同一高压电源(例如一块电路底板)上不同的两个电压输出端也可以分别接如图4所示不同的两个高压电源V1、V2。
第一电源端51以及第二电源端52使用两芯线缆6的两条芯线61、62传输电能可以避免两条电压不同的电路互相干扰。当然，本实施例中第一电源端51以及第二电源端52可以使用不同的两条普通的电缆与不同的高压电源V1、V2电连接。
如图4所示，本实施例中信号引出端Out与第二同轴电缆42电连接，且从信号引出端Out输出的脉动电压从第二同轴电缆42的内芯输出，第二同轴电缆42的外导体接地。
第二同轴电缆42不仅可以将从信号引出端Out输出的脉动电压引入如图2所示脉动电压处理电路3，而且其外导体可以起到屏蔽作用，避免脉动电压受到外围其他信号的干扰。
本实施例中如图4所示第一同轴电缆41以及第二同轴电缆42均为三同轴电缆，第一外导体411为三同轴电缆的外皮屏蔽层，第二外导体412为三同轴电缆的内皮信号层。
三同轴电缆优选为采用聚四氟材质的，普通三同轴电缆其的成本远低于现有技术中所使用的高压线缆。本实施例中第一同轴电缆41的第一外导体411与第二外导体412之间的压差优选为70V至100V之间，普通的三同轴电缆能耐压200V，所以此处可以使用普通的三同轴电缆，同时，由于一条三同轴电缆的内芯、外皮屏蔽层以及内皮信号层分别与法拉第盘21、外屏蔽罩22以及内屏蔽罩23电连接可以起到三条高压线缆的作用，而且一条三同轴电缆与法拉第盘21、外屏蔽罩22以及内屏蔽罩23的连接与三条普通的高压线缆与法拉第盘21、外屏蔽罩22以及内屏蔽罩23的连接相比会更为简单，故而还可以降低连接的难度，所以三同轴电缆的使用可以有效的降低本发明离子迁移管信号提取电路的成本。当然，本实施例中第一同轴电缆41以及第二同轴电缆42也可以使用三同轴电缆之外的其他同轴电缆例如四同轴电缆来代替，具体使用时只需将多余的外导体接地即可。
本实施例中离子迁移管信号提取电路设置于电路板上，且其与电路板均灌封于灌封胶内，灌封胶之外还覆盖有如图4所示接地的金属屏蔽罩11。
离子迁移管信号提取电路设置于电路板上不仅方便使用集成电路技术大批量制造，而且电路板的搬运、更换也比较方便。
灌封胶本身具有良好的绝缘性，灌封工艺是将承载有电路的电路板放置于流体状的灌封胶内，待灌封胶固化之后便可以将电路板以及电路板所承载的电路保护起来，使用灌封胶灌封不仅可以确保离子迁移管信号提取电路内各条不相电连接的电路之间彼此良好绝缘，而且可以保证离子迁移管信号提取电路内各条不相电连接的电路的位置比较稳定，增强了电路的耐候性以及寿命，而如图4所示金属屏蔽罩11可以对固化的灌封胶进行良好的电磁屏蔽，避免外部信号对离子迁移管信号提取电路的影响，保证离子迁移管信号提取电路的可靠性以及其所提取的脉动电压的干净。除此之外，金属屏蔽罩11对灌封胶以及灌封胶内的离子迁移管信号提取电路还具有保护作用，进而有利于延长离子迁移管信号提取电路的寿命以及耐侯性。
上述本实施例中各接地的器件可以根据电气性能的需要接相同的地或接不同的地。
本实施例中离子迁移探测器优选为具有正负离子迁移区的双模式离子迁移探测器。
具有正负离子迁移区的双模式离子迁移探测器不仅可以检测正离子还可以检测负离子，功能更为强大，适宜应用本发明所提供的上述技术方案。当然，上述本发明所提供的技术方案也可以利用于仅具有正离子迁移区或负离子迁移区其中之一的单模式离子迁移探测器上。
下面参考图2和图5，描述本发明实施例提供的离子迁移管信号提取方法。
首先，在步骤S1，引出离子迁移管2内的法拉第盘21上的电压。
然后，在步骤S2，去除由从法拉第盘21上引出的电压中的直流电压，将从法拉第盘21上引出的电压中的脉动电压输出。
与上述本发明实施例提供的离子迁移管信号提取电路同理，本发明实施例提供的离子迁移管信号提取方法也可以解决现有技术中法拉第盘上脉动电压的引出电路的设计以及制造难度比较大的技术问题。当然，上述本发明实施例提供的离子迁移管信号提取方法也可以使用如图2所示隔直通交模块1之外的其他电路实现。
最后应当说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其限制；尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细的说明，所属领域的普通技术人员应当理解：依然可以对本发明的具体实施方式进行修改或者对部分技术特征进行等同替换；而不脱离本发明技术方案的精神，其均应涵盖在本发明请求保护的技术方案范围当中。
Claims (8)
1.一种离子迁移管信号提取电路，其特征在于：包括设置有信号引入端以及信号引出端的隔直通交模块，其中：
所述信号引入端与离子迁移管内的法拉第盘电连接；
所述隔直通交模块用于去除由所述信号引入端从所述法拉第盘上引出的电压中的直流电压，并将由所述信号引入端从所述法拉第盘上引出的电压中的脉动电压从所述信号引出端输出；
所述隔直通交模块包括至少两个电容，所述电容之间互相串联或并联，所述信号引入端与所述电容的正极或负极其中之一电连接，所述信号引出端与所述电容的正极或负极其中另一电连接。
2.根据权利要求1所述的离子迁移管信号提取电路，其特征在于:至少两个所述电容互相串联，每个所述电容的容值为5nf～20nf。
3.一种离子迁移探测器，其特征在于，包括：
离子迁移管；
如权利要求1至2中任何一项所述的离子迁移管信号提取电路，所述离子迁移管信号提取电路内的所述信号引入端与所述离子迁移管内的法拉第盘电连接；
脉动电压处理电路，所述脉动电压处理电路与所述信号引出端电连接，所述脉动电压处理电路用于将所述信号引出端输出的所述脉动电压进行放大和/或模数转换。
4.根据权利要求3所述的离子迁移探测器，其特征在于：所述离子迁移管内还设置有外屏蔽罩以及内屏蔽罩，其中：
所述法拉第盘包括位置相反的第一侧以及第二侧，所述第一侧用于接收离子；
所述外屏蔽罩罩设于所述法拉第盘外，且所述外屏蔽罩内凹的部分与所述法拉第盘的第二侧位置相对；
所述法拉第盘通过连接芯线与第一同轴电缆的内芯电连接；
所述内屏蔽罩位于所述外屏蔽罩内，所述内屏蔽罩的内凹的部分与所述法拉第盘的第二侧位置相对且罩设于所述连接芯线之外；
所述第一同轴电缆的内芯分别与所述信号引入端以及所述离子迁移管的第一电源端并联电连接；
所述第一同轴电缆的第一外导体的两端分别与所述外屏蔽罩以及所述离子迁移管的第二电源端电连接；
所述第一同轴电缆的第二外导体的两端分别与所述内屏蔽罩以及所述第一电源端电连接。
5.根据权利要求4所述的离子迁移探测器，其特征在于：所述离子迁移管的第一电源端与所述第一同轴电缆的内芯之间还串联有至少一个电阻；
和/或，所述离子迁移管的第一电源端与所述第一同轴电缆的内芯、所述第一同轴电缆的第二外导体之间还与至少一个滤波电容的其中一极电连接，每个所述滤波电容的其中另一极接地；
和/或，所述离子迁移管的第一电源端以及第二电源端分别通过两芯线缆的两条芯线与不同的高压电源电连接，所述两芯线缆的外皮屏蔽层接地。
6.根据权利要求5所述的离子迁移探测器，其特征在于：所述电阻的阻值为400MΩ～600MΩ；
和/或，所述信号引出端与第二同轴电缆电连接，且从所述信号引出端输出的所述脉动电压从所述第二同轴电缆的内芯输出，所述第二同轴电缆的外导体接地。
7.根据权利要求6所述的离子迁移探测器，其特征在于：所述第一同轴电缆以及所述第二同轴电缆均为三同轴电缆，所述第一外导体为三同轴电缆的外皮屏蔽层，所述第二外导体为三同轴电缆的内皮信号层。
8.根据权利要求3所述的离子迁移探测器，其特征在于：所述离子迁移管信号提取电路设置于电路板上，且其与所述电路板均灌封于灌封胶内，所述灌封胶之外还覆盖有接地的金属屏蔽罩；
和/或，所述离子迁移探测器为具有正负离子迁移区的双模式离子迁移探测器。
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