DE102009045096A1

DE102009045096A1 - Beleuchtungssystem mit einer Spiegelanordnung aus zwei Spiegeln

Info

Publication number: DE102009045096A1
Application number: DE200910045096
Authority: DE
Inventors: Stig Bieling
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2009-09-29
Filing date: 2009-09-29
Publication date: 2010-10-07

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage zur Ausleuchtung eines Objektfeldes in einer Objektebene mit Beleuchtungsstrahlung mit einer Apertur größer als 0.05. Das Beleuchtungssystem umfasst dabei einen ersten Spiegel und einen zweiten Spiegel, die beide unter streifenden Einfall betrieben werden. Die beiden Spiegel sind dabei derart angeordnet, dass während des Betriebs der Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage ein erster Strahl unter einem Einfallswinkel auf den ersten Spiegel trifft, der größer ist als ein Einfallswinkel eer erste Strahl unter einem Einfallswinkel auf den zweiten Spiegel trifft, der kleiner ist als der Einfallswinkel des zweiten Strahls auf den zweiten Spiegel. Dies führt zu einer zumindest teilweisen Kompensation der von den Spiegeln verursachten Apodisierung der Strahlbündel.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage zur Ausleuchtung eines Objektfeldes in einer Objektebene mit einer Beleuchtungsstrahlung und eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage umfassend ein solches Beleuchtungssystem.
Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlagen dienen zur Herstellung von mikrostrukturierten Bauelementen mittels eines photolithographischen Verfahrens. Dabei wird eine strukturtragende Maske, das sogenannte Retikel, mit Hilfe eines Beleuchtungssystems beleuchtet und mit Hilfe einer Projektionsoptik auf eine photosensitive Schicht abgebildet. Die Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlagen umfasst dabei eine Lichtquelleneinheit, die eine Strahlung mit einer geeigneten Wellenlänge zur Verfügung stellt, und ein Beleuchtungssystem mit verschiedene Komponenten, die dazu dienen am Ort der strukturtragenden Maske eine gleichmäßige Ausleuchtung mit einer vorbestimmten Winkelverteilung zur Verfügung zu stellen. Die so ausgeleuchtete strukturtragende Maske wird mit Hilfe der Projektionsoptik auf eine photosensitive Schicht abgebildet. Dabei wird die minimale Strukturbreite, die mit Hilfe einer solchen Projektionsoptik abgebildet werden kann, unter anderem durch die Wellenlänge des verwendeten Abbildungslichtes bestimmt. Je kleiner die Wellenlänge des Abbildungslichtes ist, desto kleinere Strukturen können mit Hilfe der Projektionsoptik abgebildet werden. Aus diesem Grund wird ein Abbildungslicht mit einer Wellenlänge im Bereich des extremen Ultraviolett (EUV), d. h. im Bereich von 5 nm–15 nm, verwendet. Bei Verwendung von Abbildungslicht mit dieser Wellenlänge werden im Wesentlichen reflektive optische Elemente (Spiegel) verwendet. Hierbei kommen üblicherweise zwei Sorten von Spiegeln zum Einsatz, zum einen Spiegel, die unter senkrechtem Einfall betrieben werden, d. h. Spiegel, bei denen die Strahlung unter einem Winkel zwischen 0° und 45° einfällt, und zum anderen Spiegel, die unter streifendem Einfall betrieben werden, d. h. Spiegel bei denen die Strahlung unter einem Einfallswinkel zwischen 45° und 90° auf den Spiegel trifft. Aufgabe eines Beleuchtungssystems ist es an der strukturtragenden Maske eine gleichmäßige Ausleuchtung mit einer vorbestimmten Winkelverteilung zur Verfügung zu stellen. Um eine hohe Auflösung bei der Abbildung der strukturtragenden Maske zu erzielen, wird in der Projektionsoptik Strahlung mit einer hohen numerischen Apertur verwendet. Bei solchen Projektionsoptiken kann daher auch Beleuchtungsstrahlung verwendet werden, die unter einer hohen Apertur auf die strukturtragende Maske trifft. Bei einem Beleuchtungssystem, das dies gewährleistet, kann es Spiegel geben, auf die die Beleuchtungsstrahlung mit sehr unterschiedlichen Winkeln trifft. Da jedoch die Reflektivität eines Spiegels insbesondere für Strahlung einer Wellenlänge im Bereich 5–15 nm stark vom Einfallswinkel der Strahlung auf den Spiegeln abhängt, führt eine solche Variation des Einfallswinkels über den Spiegel zu einer ungleichmäßigen Reflektion des Strahlbündels. Dies führt dazu, dass an der strukturtragenden Maske die Intensität der einfallenden Strahlung je nach Einfallswinkel unterschiedlich sein kann. Da dies jedoch die Güte der Abbildung der strukturtragenden Maske negativ beeinflusst, muss diese Intensitätsvariation über den Einfallswinkel so weit wie möglich reduziert werden.
Es ist demnach Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Beleuchtungssystem zur Verfügung zu stellen, dass eine über den Winkel gleichmäßige Intensitätsverteilung an der strukturtragenden Maske zur Verfügung zu stellt.
Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtunganlage zur Ausleuchtung eines Objektfeldes in einer Objektebene mit Beleuchtungsstrahlung umfassend einen ersten Spiegel und einen zweiten Spiegel, von denen mindestens einer ein Planspiegel ist und die beide unter streifendem Einfall betrieben werden. Die Apertur der Beleuchtungsstrahlung am Objektfeld ist dabei größer als 0.05. Die beiden Spiegel sind dabei derart angeordnet, dass während des Betriebs der Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage ein erster Strahl unter einem Einfallswinkel auf den ersten Spiegel trifft, der größer ist als der Einfallswinkels eines zweiten Strahls auf den ersten Spiegel, und der erste Strahl unter einem Einfallswinkel auf den zweiten Spiegel trifft, der kleiner ist als der Einfallswinkel des zweiten Strahls auf den zweiten Spiegel. Auf diese Weise kann erreicht werden, dass die sich die Wirkungen der Spiegel auf die Intensität des Strahlbündels zumindest teilweise kompensieren.
Diese Aufgabe wird ebenfalls dadurch gelöst, dass das Beleuchtungssystem einen ersten Spiegel mit einer ersten reflektiven Fläche und einen zweiten Spiegel mit einer zweiten reflektiven Fläche umfasst, wobei mindestens einer der Spiegel ein Planspiegel ist und beide Spiegel unter streifendem Einfall betrieben werden, und wobei die beiden Spiegel im Lichtweg zum Objektfeld unmittelbar hintereinander angeordnet sind. Bei dieser Anordnung tritt die zumindest teilweise Kompensation auf, wenn der erste und der zweite Spiegel derart angeordnet sind, dass das Skalarprodukt zwischen einem Normalenvektor an einem Ort der ersten reflektiven Fläche und einem Normalenvektor an einem Ort der zweiten reflektiven Fläche ein positives Vorzeichen hat.
Ebenfalls wird die Aufgabe durch eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtunganlage zur Ausleuchtung eines Objektfeldes in einer Objektebene gelöst mit einem ersten Spiegel und einen zweiten Spiegel, die beide unter streifendem Einfall betrieben werden, und wobei während des Betriebs der Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage ein Lichtbündel zunächst vom ersten Spiegel reflektiert wird, wobei eine erste Apodisierung des Lichtbündels auftritt,
und wobei nachfolgend das Lichtbündel vom zweiten Spiegel reflektiert wird, wobei eine zweite Apodisierung des Lichtbündels auftritt,
und wobei der erste und der zweite Spiegel derart angeordnet sind, dass die erste Apodisierung zumindest teilweise durch die zweite Apodisierung kompensiert wird. Unter Apodisierung (apodization) versteht man die orts- oder winkelabhängige Veränderung der Intensität eines Strahlbündels durch eine optische Komponente. Die Veränderung ist dabei im Regelfall eine Abschwächung.
Demnach verursacht der erste Spiegel eine orts- oder winkelabhängige Abschwächung der Intensität des auftreffenden Lichtbündels. Beim Auftreffen des Lichtbündels auf den zweiten Spiegel ergibt sich eine weitere orts- oder winkelabhängige Abschwächung des Strahlbündels. Eine teilweise Kompensation der beiden Abschwächungen liegt vor, wenn die orts- oder winkelabhängige Intensität des Lichtbündels nach beiden Spiegeln geringere Variationen zeigt als nach dem ersten Spiegel.
Ein weiterer Vorteil der erfindungsgemäßen Spiegelanordnung ist, dass die Apodisierungskompensation unabhängig von dem genauen Verlauf der Reflektivität als Funktion des Einfallswinkels ist. Die Kompensation setzt nur voraus, dass beide Spiegel den gleichen Verlauf der Reflektivität als Funktion des Einfallswinkels zeigen. Eine Änderung des Verlaufs während des Betriebes zum Beispiel durch Kontamination hat keinen Einfluss auf die Kompensation sofern der Effekt der Kontamination an beiden Spiegeln gleich ist. Ebenso verursacht eine schlechte reflektive Beschichtung der Spiegel keine Apodisierung des Strahlbündels, sofern beide Spiegel einen ähnlichen Verlauf der Reflektivität zeigen.
Bei einer Ausführungsform ist das erfindungsgemäße Beleuchtungssystem derart weitergebildet ist, dass sich der Einfallswinkel des Schwerstrahls am ersten Spiegel vom Einfallswinkel des Schwerstrahls am zweiten Spiegel um weniger als 5°, insbesondere um weniger als 1° unterscheidet. Beim Schwerstrahl zum mittleren Feldpunkt handelt es sich um den Strahl, der den Mittelpunkt des Objektfeldes erreicht, und dessen Richtung dort der energetisch gewichteten mittleren Richtung aller auftreffenden Strahlen entspricht. Der Schwerstrahl ist somit als ein mathematischer Strahl zu verstehen. Es ist nicht erforderlich, dass das Beleuchtungssystem derart konfiguriert, dass physikalische Strahlung den Mittelpunkt des Objektfeldes aus der Schwerstrahlrichtung erreicht. Zu jedem anderen Punkt des Objektfeldes kann ebenfalls ein Schwerstrahl entsprechend definiert werden. Dadurch dass sich die Einfallswinkel eines Schwerstrahls auf den beiden Spiegeln nur wenig voneinander unterscheiden, kann eine besonders gute Kompensation der beiden Apodisierungen erreicht werden.
Eine besonders kompakte Bauweise des Beleuchtungssystems ergibt sich, wenn der erste und der zweite Spiegel im Lichtweg zum Objektfeld unmittelbar hintereinander angeordnet sind.
In einer weitergebildeten Form des Beleuchtungssystems ist der zweite Spiegel im Lichtweg zum Objektfeld unmittelbar vor dem Objektfeld angeordnet ist. Dies ermöglicht eine gute Trennung der Strahlengänge vor und nach Reflektion an der strukturtragenden Maske
In einer Ausgestaltung des Beleuchtungssystem umfasst das Beleuchtungssystem des Weiteren mindestens ein reflektives optisches Element, das aus einer Mehrzahl von Facettenelementen aufgebaut ist. Durch Überlagerung der Bilder der Facettenelemente kann eine homogene Ausleuchtung der strukturtragenden Maske erreicht werden.
In einer weitergebildeten Form weist das Beleuchtungssystem ein erstes reflektives optisches Element auf, das aus einer Mehrzahl von ersten Facettenelemente aufgebaut ist, und ein zweites reflektives optisches Element, das aus einer Mehrzahl von zweiten Facettenelementen aufgebaut ist. Dies ermöglicht ein sehr flexibles Beleuchtungssystem, mit dem eine homogene Ausleuchtung der strukturtragenden Maske mit einer besonders gleichmäßigen Winkelverteilung erreicht werden kann. Dabei wird durch die Überlagerung der Bilder der ersten Facettenelemente eine homogene Ausleuchtung der strukturtragenden Maske erreicht und durch geeignete Verkippung der ersten Facettenelemente, so dass Strahlung auf die zweiten Facettenelemente gelenkt wird, kann die Intensitätsverteilung auf dem zweiten reflektiven optischen Element vorgegeben werden. Da die Intensitätsverteilung auf diesem Element zumindest bei einigen Ausführungsformen zur Winkelverteilung der Strahlung an der Maske korrespondiert, kann heraus eine weitgehend homogene Winkelverteilung resultieren.
In einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Beleuchtungssystems ist im Lichtweg von der Lichtquelleneinheit zur Objektebene zwischen dem zweiten reflektiven optischen Element und der Objektebene nur der erste und der zweite Spiegel angeordnet. Ein solches Beleuchtungssystem hat eine hohe Transmission, da es nur sehr wenige optische Komponenten aufweist.
Einer oder beide Spiegel, die unter streifendem Einfall betrieben werden, können auch noch weitere Funktionen innerhalb des Beleuchtungssystems wahrnehmen. So können die Spiegel zusätzlich mit einer konkaven oder konvexen Krümmung versehen sein, um eine abbildende Wirkung zu erzeugen. Dabei können die Spiegel sowohl sphärisch als auch asphärisch sein. Hierdurch kann zum Beispiel eine gute Abbildung der ersten Facettenelemente in die Objektebene gewährleistet werden. Darüber hinaus ermöglicht eine gekrümmte reflektive Fläche eine gezielte Einstellung der Verzeichnung bei der Abbildung der ersten Facettenelemente. Dies ist besonders dann vorteilhaft, wenn die Form der ersten Facettenelemente nicht mit der Form des ausgeleuchteten Objektfeldes übereinstimmt. Das Objektfeld hat üblicherweise eine derartige Bogenform, dass die langen Berandungslinien im Wesentlichen kreisbogenförmig um die optische Achse des Projektionsobjektives verlaufen. Aus diesem Grund wird die Form der ersten Facettenelemente häufig auch bogenförmig gewählt, so dass die bogenförmigen Bilder der ersten Facettenelemente mit dem Objektfeld zusammenfallen. Alternativ können auch rechteckige erste Facettenelemente verwendet werden. Durch Wahl einer asphärischen der Form der reflektiven Flächen der beiden Spiegel kann auch in diesem Fall erreicht werden, dass sich bogenförmige Bilder der ersten Facettenelemente in der Objektebene ergeben. Dies liegt daran, dass gezielt eine Verzeichnung eingeführt wird, die dazu führt, dass bogenförmige Bilder von rechteckigen Facetten entstehen. Zur Einführung einer derartig großen Verzeichnung sind relativ große asphärische Anteile erforderlich.
Der Einsatz von Spiegeln mit kleinen asphärischen Anteilen, bei denen die Oberflächenform von der bestangepassten Sphäre um nicht mehr als 10 μm abweicht, ermöglicht es, die Form der Bilder der ersten Facettenelemente an die Form des Objektfeldes anzupassen und die Intensitätsverteilung der Strahlung am Ort des Objektfeldes durch die Verzeichnung gezielt einzustellen. Hierdurch kann eine gleichmäßigere Ausleuchtung des Objektfeldes erreicht werden. Sind einer oder beide Spiegel mit Aktuatoren zur Veränderung der Form der reflektiven Fläche ausgestattet, so kann die Verzeichnung zusätzlich während des Betriebes angepasst werden.
Ist das Beleuchtungssystem derart weitergebildet, dass die Spiegel zur Reflektion einer Strahlung mit einer Wellenlänge im Bereich von 5–20 nm ausgebildet sind, so kann das Beleuchtungssystem mit Strahlung einer kurzen Wellenlänge betrieben werden, so dass eine besonders hochauflösende Abbildung der strukturtragenden Maske ermöglicht wird.
In einer Ausgestaltung ist die Spiegeloberfläche des ersten und des zweiten Spiegels mit einer Beschichtung versehen. Hier kommen zum Beispiel metallische Schichten in Betracht, die insbesondere die folgende Elemente aufweisen: Ruthenium, Palladium, Platin, Gold. Dies ermöglicht eine besonders gute Reflektivität der Spiegeloberfläche.
Eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage umfassend ein erfindungsgemäßes Beleuchtungssystem hat die Vorteile, die vorstehend mit Bezug auf das Beleuchtungssystem beschrieben sind.
Näher erläutert wird die Erfindung anhand der Zeichnungen.
1 zeigt eine erfindungsgemäße Anordnung aus zwei Spiegeln, die unter streifendem Einfall betrieben werden.
2 zeigt die Reflektivität eines Spiegels nach 1 als Funktion des Einfallswinkels.
3a zeigt schematisch eine Apodisierung des Strahlbündels nach Reflektion an einem der Spiegel nach 1.
3b, 3c und 3d zeigen schematisch die Auswirkungen auf ein Strahlbündel bei Reflektion am ersten und am zweiten Spiegel
4 zeigt eine erste Ausführungsform eines Beleuchtungssystems mit einer Spiegelanordnung nach 1.
5a zeigt schematisch eine Aufsicht auf den ersten facettierten Spiegel im Beleuchtungssystem nach 4.
5b zeigt schematisch eine Aufsicht auf den zweiten facettierten Spiegel nach dem Beleuchtungssystem aus 4.
6 zeigt eine zweite Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Beleuchtungssystems.
Die Bezugszeichen sind so gewählt, dass Objekte die in 1 dargestellt sind, mit einstelligen oder zweistelligen Zahlen versehen wurden. Die in den weiteren Figuren dargestellten Objekte haben Bezugszeichen, die drei oder mehrstellig sind, wobei die letzten beiden Ziffern das Objekt angeben und die voran gestellte Ziffer die Nummer der Figur, auf der das Objekt dargestellt ist. Damit stimmen die Bezugsziffern von gleichen Objekten, die in mehreren Figuren dargestellt sind in den letzten beiden Ziffern überein.
In 1 ist eine Anordnung aus zwei Spiegeln 5 und 7 gezeigt, die Teil eines Beleuchtungssystems zur Ausleuchtung eines Objektfeldes 1 in einer Objektebene 3 ist. Die Anordnung umfasst dabei einen ersten Spiegel 5 mit einer ersten reflektiven Fläche 6 und eine zweiten Spiegel 7 mit einer zweiten reflektiven Fläche 8. Die beiden reflektiven Flächen, die im vorliegenden Ausführungsbeispiel plan sind, schließen einen Winkel γ ein. Beide Spiegel 5, 7 werden unter streifendem Einfall betrieben, d. h. der Einfallswinkel der Strahlung zur jeweiligen Flächennormale liegt im Bereich zwischen 45° und 90°. Die Flächennormalen zu den reflektiven Flächen 6 und 8 sind mit den Bezugsziffern 9 am ersten Spiegel und 11 am zweiten Spiegel bezeichnet. Der erste und der zweite Spiegel sind derart angeordnet, dass das Skalarprodukt zwischen dem Normalenvektor 9 an einem Ort der ersten reflektiven Fläche 6 und dem Normalenvektor 11 an einem Ort der zweiten reflektiven Fläche 8 ein positives Vorzeichen hat. Der Winkel zwischen den beiden Normalenvektoren 9 und 11 ist somit betragsmäßig kleiner als 90°. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel zweier planer reflektiven Flächen ist der Winkel γ zwischen den Flächen auch gleich dem Winkel zwischen den Flächennormalen 9 und 11. Der Lichtweg zum Objektfeld 1 ist in der 1 mit Hilfe von drei Strahlendargestellt. Gezeigt ist zum Einen der Schwerstrahl 13 zum Mittelpunkt des Objektfeldes 1. Beim Schwerstrahl 13 handelt es sich um den Strahl, der den Mittelpunkt des Objektfeldes erreicht, und dessen Richtung dort der energetisch gewichteten mittleren Richtung aller an diesem Ort auftreffenden Strahlen entspricht. Der Schwerstrahl ist somit als ein mathematischer Strahl zu verstehen. Es ist nicht erforderlich, dass das Beleuchtungssystem derart konfiguriert ist, dass physikalische Strahlung den Mittelpunkt des Objektfeldes aus der Schwerstrahlrichtung erreicht. Zu jedem anderen Punkt des Objektfeldes kann ebenfalls ein Schwerstrahl entsprechend definiert werden. Die verschiedenen Schwerstrahlen an verschiedenen Punkten können verschiedene Eigenschaften haben. Sie können zum Beispiel alle parallel zueinander verlaufen, man spricht von einem telezentrischen Schwerstrahlverlauf, oder sie können sich in einem Punkt schneiden, man spricht von einem homozentrischen Verlauf. Beim homozentrischen Schwerstrahlverlauf lassen sich weiterhin zwei Fälle unterscheiden. Liegt der Schnittpunkt der Schwerstrahlen im Lichtweg vor der reflektiven Maske, so spricht man von einer negativen Schnittweite. Im anderen Fall von einer positiven Schnittweite. Für die Darstellung der erfindungsgemäßen Spiegelanordnung ist es ausreichend den Verlauf der Beleuchtungsstrahlung für den Mittelpunkt des Objektfeldes zu studieren. Entsprechende Überlegungen können auch für alle anderen Objektfeldpunkte durchgeführt werden. Im Folgenden ist unter Schwerstrahl daher der Schwerstrahl zum Mittelpunkt des Objektfeldes zu verstehen, falls nicht explizit auf andere Objektfeldpunkte verwiesen wird.
Weiterhin dargestellt sind die beiden Aperturrandstrahlen bzw. Komastrahlen 15 und 17 zum Mittelpunkt des Objektfeldes. Der Winkel Θ zwischen den beiden Strahlen 15 und 17 korrespondiert somit zur doppelten Apertur am Objektfeld 1. Der erste Strahl 15 trifft den ersten Spiegel 5 unter einem Winkel α₁ zur ersten Flächennormale 9. Im nachfolgenden Lichtweg trifft dieser Strahl 15 den zweiten Spiegel 7 unter einem Winkel β₁ zur zweiten Flächennormale 11. Entsprechend trifft der zweite Strahl 17 den ersten Spiegel 5 unter einem Winkel α₂ zur ersten Flächennormale 9 und danach den zweiten Spiegel 7 unter einem Winkel β₂ zur zweiten Flächennormale 11. Aus geometrischen Überlegungen ergibt sich, dass die folgenden Winkelbeziehungen gelten: α1 = 180 – β1 – γ und α2 = 180 – β2 – γ
Auch wenn diese Winkelbeziehung am Beispiel der Komastrahlen 15 und 17 hergeleitet wurde, so gilt für jeden Strahl, der den ersten Spiegel unter einem Einfallswinkel α_i trifft und den zweiten Spiegel unter einem Einfallswinkel β_i die entsprechende Beziehung: αi = 180 – βj – γ
So dass βi = 180 – αj – γ
Diese Winkelbeziehung setzt nur voraus, dass die beiden Spiegel 5 und 7 Planspiegel sind und dass die beiden Flächennormalen 9 und 11 beide in der Meridionalebene liegen. Weiterhin gilt diese Beziehung exakt nur für Strahlen die in der Meridionalebene liegen bzw. bei allen anderen Strahlen für die meridionale Komponente der Strahlen, die sich ergibt, wenn man die Strahlen in die Meridionalebene projiziert. Aus den Winkelbeziehungen wird deutlich, dass je größer der Einfallswinkel α auf dem ersten Spiegel 5 ist, desto kleiner ist der Einfallswinkel β auf dem zweiten Spiegel 7, wobei zudem eine lineare Beziehung zwischen den Winkeln α und β vorliegt. Weiterhin erhält man aus der Beziehung, dass sich für zwei Strahlen i und j mit α_i > α_j ergibt, dass β_i < β_j ist, dass also der erste Strahl (i) unter einem Winkel (α_i) auf den ersten Spiegel trifft, der größer ist als ein Einfallswinkel (α_j) eines zweiten Strahls auf den ersten Spiegel und der erste Strahl unter eine Einfallswinkel (β_i) auf den zweiten Spiegel trifft, der kleiner ist als der Einfallswinkel (β_j) des zweiten Strahls auf den zweiten Spiegel.
In einer Ausführungsform kann erreicht werden, dass der Einfallswinkel des Schwerstrahls 13 α₀ und β₀ auf beiden Spiegeln gleich groß ist, das heißt α₀ = β₀. Zur besseren Lesbarkeit sind die Winkel α₀ und β₀ in der Figur nicht eingezeichnet. Sie bezeichnen jedoch entsprechend den Winkeln α₁ und β₁ bzw. α₂ und β₂ die Winkel zu den jeweiligen Flächennormalen. Für diesen Schwerstrahl 13 gilt dann, dass die Einfallswinkel α₀ und β₀ die folgende Beziehung erfüllen: α0 = 180 – β0 – γ ⇒ α0 = 90 – γ2
Trifft der Schwerstrahl also unter einem Winkel von 90 – γ2 auf den ersten Spiegel 5, so trifft er auch unter dem gleichen Winkel 90 – γ2 auf den zweiten Spiegel 7.
Für zwei Strahlen, die den Mittelpunkt des Objektfeldes 1 erreichen und in ihrer Richtung in der Meridionalebene symmetrisch um den Schwerstrahl liegen mit einem Winkel von Δ zum Schwerstrahl gilt für die Winkel α₃ und α₄ α1 = α0 – Δ und α2 = α0 + Δ.
Hieraus erhält man mit Hilfe der oben genannten Winkelbeziehung die Winkel β₃ und β₄ auf dem zweiten Spiegel β1 = 180 – α1 – γ = 180 – α0 + Δ – γ = 180 – (90 – γ2 ) + Δ – γ = 90 – γ2 + Δ = α0 + Δ = α2 β2 = 180 – α2 – γ = 180 – α0 – Δ – γ = 180 – (90 – γ2 ) – Δ – γ = 90 – γ2 – Δ = α0 – Δ =α1
Ein Strahl, der unter dem Winkel α₁ auf den ersten Spiegel trifft, erreicht den zweiten Spiegel somit unter einem Winkel β₁, der dem Winkel α₂ entspricht, unter dem der symmetrische Strahl auf den ersten Spiegel trifft. Die beiden Strahlen werden somit unter den gleichen Winkeln reflektiert – nur in unterschiedlicher Reihenfolge. Wird die Intensität eines Strahls nun durch die Reflektion abgeschwächt, so erfahren beide symmetrischen Strahlen die gleiche Abschwächung sofern der erste und der zweite Spiegel den gleichen Einfluss auf reflektierte Strahlung ausüben.
2 zeigt die Reflektivität R(δ) eines mit Ruthenium beschichteten Spiegels als Funktion des Einfallswinkels δ für Einfallswinkel im Bereich zwischen 65° und 90°. Wie man sieht kann der Verlauf der Reflektivität im Bereich von 70–80° im Wesentlichen als linear angenommen werden. Zurückkommend auf 1 kann man sehen, dass je größer die Apertur des Strahlbündels am Mittelpunkt des Objektfeldes ist, desto größer ist auch die Variation des Einfallswinkels über den zweiten und damit auch über den ersten Spiegel. Bei einer Apertur von 0.05 am Mittelpunkt des Objektfeldes ergibt sich eine Variation des Einfallswinkels von +/– ca. 3° und bei einer Apertur von 0.08 am Mittelpunkt des Objektfeldes eine Variation von etwa +/–5°. Bei einem mittleren Einfallswinkel von 75° ergibt sich also, dass Strahlen mit Einfallswinkeln von 70–80° auf die Spiegel treffen.
Wie eingangs erläutert ist eine hohe numerische Apertur der Beleuchtungsstrahlung vorteilhaft, da sie es ermöglicht, zusammen mit einer geeigneten Projektionsoptik eine hohe Auflösung bei der Abbildung der strukturtragenden Maske zu gewährleisten. Je größer jedoch die Apertur der Strahlung am Mittelpunkt des Objektfeldes ist, desto größer ist die Variation des Einfallswinkels über den zweiten Spiegel. Aus 2 wird deutlich, dass sich für diese Strahlen sehr unterschiedliche Reflektivitäten ergeben. So weist der Spiegel für einen Strahl mit einem Einfallswinkel von 70° eine Reflektivität von etwa 0,66 auf und für einen Strahl mit einem Einfallswinkel von 80° eine Reflektivität von etwa 0,84. Damit ergibt sich also eine Apodisierung des reflektierten Strahlbündels. Hätten die auf den zweiten Spiegel 7 auftreffenden Strahlen alle die gleiche Intensität 1, so ergäben sich aufgrund der unterschiedlichen Reflektivität Intensitäten im Bereich zwischen 0,66 und 0,84. Es läge somit ein Intensitätsunterschied zwischen verschiedenen Strahlen von bis zu 10% bezogen auf die mittlere Intensität nach der Reflektion am zweiten Spiegel 7 vor. Diese Intensitätsvariation würde sofort zu einer Intensitätsvariation der Beleuchtungsstrahlung am Objektfeld 1 als Funktion des Einfallswinkels am Objektfeld 1 führen.
3a zeigt schematisch den Verlauf einer solchen Intensitätsvariation über den Querschnitt des Strahlbündels nach der Reflektion am zweiten Spiegel 7. Dabei ist die Intensitätsvariation umso größer, je größer die numerische Apertur am Mittelpunkt des Objektfeldes ist. Bis zu einer gewissen numerischen Apertur kann dieser Effekt vernachlässigt werden. Bei numerischen Aperturen im Bereich von mehr als 0.05 ist jedoch eine geeignete Korrekturmaßnahme wünschenswert, wie zum Beispiel der Einsatz der erfindungsgemäßen Anordnung von Spiegeln, die unter streifenden Einfall betrieben werden.
Mit Hilfe dieser Anordnung kann dieser Effekt der Apodisierung reduziert werden. In Bezug auf 1 wurde erläutert, dass im Spezialfall, das der Einfallswinkel des Schwerstrahls auf beiden Spiegeln gleich ist, Strahlen, die in der Meridionalebene symmetrisch zum Schwerstrahl angeordnet sind, auf den ersten Spiegel mit Einfallswinkeln α₁ und α₂ treffen und auf den zweiten Spiegel mit Einfallswinkeln β₁ und β₂, wobei β₁ = α₂ und β₂ = α₁. Der erste Strahl des symmetrischen Strahlpaares erfährt am ersten Spiegel somit eine Reflektivität R(α₁) und am zweiten Spiegel eine Reflektivität R(β₁). Nach beiden Reflektionen ergibt sich also eine Reduzierung der Intensität des Strahls um den Faktor R(α₁)R(β₁). Entsprechend reduziert sich die Intensität des symmetrischen Strahls um den Faktor R(α₂)R(β₂). Aufgrund der Beziehung β₁ = α₂ und β₂ = α₁ sieht man, dass die Intensität beider Strahlen um den gleichen Faktor R(α₁)R(α₂) reduziert wird. Dies gilt für alle symmetrischen Strahlpaare. Somit kompensiert die Apodisierung des Strahlbündels am zweiten Spiegel die Apodisierung des Strahlbündels am ersten Spiegel.
Die Auswirkungen auf die Strahlbündel sind schematisch in den 3b, 3c und 3d dargestellt. 3b zeigt schematisch ein Strahlenbündel mit einer auf 1 normierten Intensität (schwarz dargestellt). Aufgrund der Reflektion am ersten Spiegel tritt eine Apodisierung auf, die 3c dargestellt ist und einen Intensitätsverlauf von 0.84 bis 0.66 zeigt. Bei der Reflektion am zweiten Spiegel tritt eine weitere Apodisierung auf, die einen umgekehrte Verlauf hat, so dass sich die beiden Apodisierungen gegenseitig kompensieren und sich die Intensität des Strahlbündels wie in 3d mit einer gleichmäßigen Intensität von 0.554 ergibt.
Allerdings ist die Kompensierung nur dann optimal, wenn der Schwerstrahleinfallswinkel auf beiden Spiegeln exakt gleich ist und nur für Strahlen, die in der Meridionalebene liegen. Da alle Strahlen bei einer numerischen Apertur von etwa 0.05 jedoch nur kleine Winkel zur Meriodionalebene aufweisen, kann die Variation des Einfallswinkels und damit der Reflektiviät in der zur Meridionalebene senkrechten Richtung vernachlässigt werden. Sagittale Komastrahlen haben somit in etwa den gleichen Einfallswinkel wie der Schwerstrahl. Eine gute Kompensierung kann immer noch erreicht werden, wenn sich die Einfallswinkel des Schwerstrahls am ersten Spiegel vom Einfallswinkel des Schwerstrahls um weniger als 5°, insbesondere weniger als 1° unterscheidet. Ein weiterer Vorteil dieser Spiegelanordnung ist, dass die Apodisierungskompensation unabhängig von dem genauen Verlauf der Reflektivität als Funktion des Einfallswinkels ist. Die Kompensation setzt nur voraus, dass beide Spiegel den gleichen Verlauf der Reflektivität als Funktion des Einfallswinkels zeigen. Eine Änderung des Verlaufs während des Betriebes zum Beispiel durch Kontamination hat keinen Einfluss auf die Kompensation sofern der Effekt der Kontamination an beiden Spiegeln gleich ist. Ebenso verursacht eine schlechte reflektive Beschichtung der Spiegel keine Apodisierung des Strahlbündels, sofern beide Spiegel einen ähnlichen Verlauf der Reflektivität zeigen. Eine gewisse Apodisierung bleibt jedoch auch bei der erfindungsgemäßen Anordnung zurück. So sieht man, dass in dem beschriebenen Beispiel, bei dem der Schwerstrahl unter 75° auf beide Spiegel fällt und die Komastrahlen unter 70° und 80°, dass sich für die meridionalen Komastrahlen eine Reduzierung der Intensität um den Faktor R(70°)R(80°) ≈ 0.554 ergibt, wohingegen der Schwerstrahl zweimal unter 75° reflektiert wird, so dass dessen Intensität um den Faktor R(75°)R(75°) = 0.75² ≈ 0.563 reduziert wird. Die sagittalen Komastrahlen, die in etwa unter dem gleichen Winkel auf die Spiegel treffen wie der Schwerstrahl tragen demnach eine andere Intensität als die meridionalen Komastrahlen. Die Zahlenwerte zeigen jedoch, dass dieser Unterschied klein ist und bei den meisten Anwendungen vernachlässigt werden kann. Die mit Bezug auf 1 erläuterte Anordnung, bei der der Einfallswinkel des Schwerstrahls auf beiden Spiegeln gleich ist, hat den weiteren Vorteil, dass hierdurch die Transmission des Systems erhöht werden kann im Vergleich zu einem System mit nur einem Spiegel bei gleichem Umlenkwinkel, der unter streifenden Einfall betrieben wird. Unter dem Umlenkwinkel eines Strahls durch eine Spiegelanordnung versteht man den Winkel zwischen dem Strahl vor der Spiegelanordnung und dem Strahl nach der Spiegelanordnung. Eine Umlenkung des Schwerstrahls um einen Winkel α kann erreicht werden, indem man die Strahlen auf einen ebenen Spiegel lenkt mit einem Einfallswinkel des Schwerstrahls von 90–α/2. Alternativ kann der gleiche Umlenkwinkel auch erreicht werden durch die erfindungsgemäße Anordnung aus zwei Spiegeln, wobei der Einfallswinkel des Schwerstrahls auf beiden Spiegeln 90–α/4 beträgt. Jeder der beiden Spiegel lenkt den Schwerstrahl also um α/2 um.
Soll nun eine Umlenkung von 40° erreicht werden, so kann dies entweder durch einen Spiegel erfolgen, bei dem der Einfallswinkel 70° beträgt und die Reflektivität somit 0.66 oder durch zwei Spiegel mit jeweils einem Einfallswinkel von 80° und einer Reflektivität von jeweils 0.84. Die Anordnung aus zwei Spiegeln hat somit eine Transmission von 0.84² ≈ 0.7 und daher eine größere Transmission als die Anordnung aus nur einem Spiegel mit 0.66. Es zeigt sich überraschenderweise, dass durch das Hinzufügen eines zusätzlichen Spiegels eine größere Transmission erreicht werden kann. Dieses Ergebnis ist nicht nur für den Schwerstrahl gültig, sondern gilt auch entsprechend für alle anderen Strahlen und damit für das ganze Strahlbündel.
4 zeigt eine erste Ausgestaltung eines erfindungsgemäßen Beleuchtungssystems 419. Das Beleuchtungssystem 449 umfasst eine Lichtquelleneinheit 421, ein erstes reflektives optisches Element 423, das eine Mehrzahl von ersten Facettenelementen 425 aufweist und ein zweites reflektives optisches Element 427, das eine Mehrzahl von zweiten Facettenelementen 429 aufweist. Im Lichtweg nach dem zweiten reflektiven optischen Element 427 sind ein erster Teleskopspiegel 430 und ein zweiter Teleskopspiegel 432 angeordnet, die beide unter senkrechtem Einfall betrieben werden. Im Lichtweg nach dem zweiten Teleskopspiegel 432 ist ein erster Spiegel 405 und ein zweiter Spiegel 407 angeordnet, die beide unter streifendem Einfall betrieben werden. Im weiteren Verlauf trifft das Licht auf eine strukturtragende Maske, die am Ort des Objektfeldes 401 in der Objektebene 403 angeordnet ist. Die strukturtragende Maske wird mit Hilfe der Projektionsoptik 431 in die Bildebene 433 abgebildet. Die Projektionsoptik umfasst sechs Spiegel 435, 437, 439, 441, 443 und 445. Alle sechs Spiegel der Projektionsoptik weisen eine reflektive Fläche auf, die entlang einer um die optische Achse 447 rotationssymmetrischen Fläche verläuft. 5a zeigt eine Aufsicht auf das erste reflektive optische Element 523 mit der Mehrzahl von ersten Facettenelementen 525. 5b zeigt eine entsprechende Aufsicht auf das zweite reflektive optische Element 527 mit den zweiten Facettenelementen 529. Die Anzahl der ersten Facettenelemente 525 kann genauso groß oder größer oder kleiner sein als die Anzahl der zweiten Facettenelemente 527. Während des Betriebs der Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage wird das erste reflektive optische Element 423 mit Hilfe der Lichtquelleneinheit 421 ausgeleuchtet. Die Lichtquelleneinheit 421 kann in verschiedenen Ausführungsformen ausgebildet sein. Es kann sich dabei um eine Laserplasmaquelle (LPP) handeln, bei der ein eng begrenztes Quellplasma 422 erzeugt wird, indem ein kleines Materialtröpfchen mit einem hochenergetischen Laser bestrahlt wird. Alternativ kann es sich um eine Entladungsquelle handeln, bei der das Quellplasma 422 mit Hilfe einer Entladung erzeugt wird. In beiden Fällen tritt ein leuchtendes Quellplasma 422 auf, das Strahlung insbesondere im Wellenlängenbereich 5 nm–20 nm emittiert. Diese Strahlung wird mit Hilfe eines Kollektors 420 gesammelt und dem ersten reflektiven optischen Element 423 zugeführt. Dabei haben der Kollektor 420 und die ersten Facettenelemente 425 eine derartige optische Wirkung, dass sich ein Bilder des Quellplasmas an den Orten zumindest eines Teils der Facettenelemente 429 des zweiten reflektiven Elements 427 ergibt. Mit Hilfe der zweiten Facettenelemente 429 und der nachfolgenden Optik, die die Spiegel 431, 433 405 und 407 umfasst, werden die ersten Facettenelemente 423 in die Objektebene überlagernd abgebildet. Die Form des ausgeleuchteten Objektfeldes 401 entspricht daher der äußeren Form der ersten Facettenelemente 425 und ist in derart bogenförmig, dass die langen Berandungslinien im Wesentlichen kreisbogenförmig um die optischen Achse 447 des Projektionsobjektives 431 verlaufen. Die Spiegeleinheit aus dem ersten Spiegel 405 und dem zweiten Spiegel 407, die beide unter streifendem Einfall betrieben werden, ist in diesem Fall einstückig ausgeführt. Die beiden Spiegel sind also als eine Komponente gefertigt. Alternativ können sie auch aus zwei oder mehreren Komponente gefertigt sein und vor Einbau in das Beleuchtungssystem zusammengefügt worden sein. Auf diese Weise kann gewährleistet werden, dass die reflektiven Flächen der beiden Spiegel zueinander hochpräzise justiert sind.
In 6 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Beleuchtungssystems zusammen mit einer geeigneten Projektionsoptik gezeigt. Die Projektionsoptik hat in diesem Beispiel eine negative Schnittweite der Eintrittspupille. Derartige Projektionsoptiken sind bekannt aus der US 20090079952 A1 . Das Beleuchtungssystem umfasst dabei die Lichtquelleneinheit 621 mit dem Quellplasma 622, das erste reflektive optische Element 623 mit ersten Facettenelementen 625, das zweite reflektive optische Element 627 mit zweiten Facettenelementen 629, sowie den ersten Spiegel 605 und den zweiten Spiegel 607 die beide unter streifendem Einfall betrieben werden. Das Beleuchtungssystem 619 und die Projektionsoptik 631 sind derart konfiguriert, dass die von der strukturtragenden Maske am Ort des Objektfeldes 601 reflektierte Strahlung 649 zwischen den beiden Spiegeln 605 und 607 hindurch läuft, bevor sie auf den ersten Spiegel 635 der Projektionsoptik 631 trifft. Daher sind die beiden Spiegel 605 und 607 in dieser Ausführungsform als zwei separate mechanische Bauteile ausgeführt. Alternativ könnten die beiden Spiegel auch als eine gemeinsame Baueinheit, insbesondere einstückig, ausgeführt sein, solange eine entsprechende Öffnung vorhanden ist, damit die Strahlung 649 ungehindert passieren kann.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
Zitierte Patentliteratur

- US 20090079952 A1 [0048]

Claims

Beleuchtungssystem (419, 619) für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtunganlage zur Ausleuchtung eines Objektfeldes (1, 401, 601) in einer Objektebene (3, 403, 603) mit Beleuchtungsstrahlung umfassend einen ersten Spiegel (5, 405, 605) und einen zweiten Spiegel (7, 407, 607), wobei mindestens einer der Spiegel (5, 7, 405, 407, 605, 607) ein Planspiegel ist und beide Spiegel (5, 7, 405, 407, 605, 607) unter streifendem Einfall betrieben werden, und wobei die Apertur der Beleuchtungsstrahlung am Objektfeld (1, 401, 601) größer ist als 0.05, dadurch gekennzeichnet, dass während des Betriebs der Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage ein erster Strahl (15) unter einem Einfallswinkel auf den ersten Spiegel (5, 405, 605) trifft, der größer ist als der Einfallswinkels eines zweiten Strahls (17) auf den ersten Spiegel (5, 405, 605), und der erste Strahl (15) unter einem Einfallswinkel auf den zweiten Spiegel (7, 407, 607) trifft, der kleiner ist als der Einfallswinkel des zweiten Strahls (17) auf den zweiten Spiegel (7, 407, 607).
Beleuchtungssystem (419, 619) für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtunganlage zur Ausleuchtung eines Objektfeldes (1, 401, 601) in einer Objektebene (3, 403, 603), umfassend einen ersten Spiegel (5, 405, 605) mit einer ersten reflektiven Fläche (6) und einen zweiten Spiegel (7, 407, 607) mit einer zweiten reflektiven Fläche (8), wobei mindestens einer der Spiegel (5, 7, 405, 407, 605, 607) ein Planspiegel ist und beide Spiegel (5, 7, 405, 407, 605, 607) unter streifendem Einfall betrieben werden, und wobei die beiden Spiegel (5, 7, 405, 407, 605, 607) im Lichtweg zum Objektfeld (1, 401, 601) unmittelbar hintereinander angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Spiegel (5, 405, 605) und der zweite Spiegel (7, 407, 607) derart angeordnet sind, dass das Skalarprodukt zwischen einem Normalenvektor (9) an einem Ort der ersten reflektiven Fläche (6) und einem Normalenvektor (11) an einem Ort der zweiten reflektiven Fläche (8) ein positives Vorzeichen hat.
Beleuchtungssystem (419, 619) für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtunganlage zur Ausleuchtung eines Objektfeldes (1, 401, 601) in einer Objektebene (3, 403, 603), umfassend einen ersten Spiegel (5, 405, 605) und einen zweiten Spiegel (7, 407, 607), die beide unter streifendem Einfall betrieben werden, und wobei während des Betriebs der Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage ein Lichtbündel zunächst vom ersten Spiegel (5, 405, 605) reflektiert wird, wobei eine erste Apodisierung des Lichtbündels auftritt, und wobei nachfolgend das Lichtbündel vom zweiten Spiegel reflektiert (7, 407, 607) wird, wobei eine zweite Apodisierung des Lichtbündels auftritt, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Spiegel (5, 405, 605) und der zweite Spiegel (7, 407, 607) derart angeordnet sind, dass die erste Apodisierung zumindest teilweise durch die zweite Apodisierung kompensiert wird.
Beleuchtungssystem nach einem der Ansprüche 1–3 dadurch gekennzeichnet, dass sich der Einfallswinkel des Schwerstrahls (13) am ersten Spiegel (5, 405, 605) vom Einfallswinkel des Schwerstrahls am zweiten Spiegel (7, 407, 607) um weniger als 5° unterscheidet.
Beleuchtungssystem nach Anspruch 4 dadurch gekennzeichnet, dass sich der Einfallswinkel des Schwerstrahls (13) am ersten Spiegel (5, 405, 605) vom Einfallswinkel des Schwerstrahls (13) am zweiten Spiegel (7, 407, 607) um weniger als 1° unterscheidet.
Beleuchtungssystem nach einem der Ansprüche 1 oder 3 dadurch gekennzeichnet, dass der erste Spiegel (5, 405, 605) und der zweite Spiegel (7, 407, 607) im Lichtweg zum Objektfeld (1, 401, 601) unmittelbar hintereinander angeordnet sind.
Beleuchtungssystem nach einem der Ansprüche 1–6 dadurch gekennzeichnet, dass der zweite Spiegel (7, 407, 607) im Lichtweg zum Objektfeld (1, 401, 601) unmittelbar vor dem Objektfeld (1, 401, 601) angeordnet ist.
Beleuchtungssystem nach einem der Ansprüche 1–7 dadurch gekennzeichnet, dass das Beleuchtungssystem (419, 619) mindestens ein reflektives optisches Element (423, 427, 523, 527, 623, 627) umfasst, das aus einer Mehrzahl von Facettenelementen aufgebaut (425, 429, 525, 529, 625, 629) ist.
Beleuchtungssystem nach einem der Ansprüche 1–7 dadurch gekennzeichnet, dass das Beleuchtungssystem (419, 619) ein erstes reflektives optisches Element (423, 523, 623) umfasst, das aus einer Mehrzahl von ersten Facettenelemente (425, 525, 625) aufgebaut ist, und ein zweites reflektives optisches Element (427, 527, 627), das aus einer Mehrzahl von zweiten Facettenelementen (429, 529, 629) aufgebaut ist.
Beleuchtungssystem nach Anspruch 9 dadurch gekennzeichnet, dass die ersten Facettenelemente (425, 525, 625) sekundäre Bilder eines Quellplasmas (422, 622) an den Orten zumindest einer Untermenge der Mehrzahl der zweiten Facettenelemente (429, 529, 629) erzeugen.
Beleuchtungssystem nach einem der Ansprüche 9–10 dadurch gekennzeichnet, dass die ersten Facettenelemente (425, 525, 625) mit Hilfe der zweiten Facettenelemente (429, 529, 629) und gegebenenfalls weiterer Komponenten (430, 432, 405, 407, 605, 607) in die Objektebene (3, 403, 603) abgebildet werden.
Beleuchtungssystem nach einem der Ansprüche 9–11, dadurch gekennzeichnet, dass im Lichtweg von der Lichtquelleneinheit (421, 621) zur Objektebene (3, 403, 603) zwischen dem zweiten reflektiven optischen Element (427, 527, 627) und der Objektebene (3, 403, 603) nur der erste Spiegel (5, 405, 605) und der zweite Spiegel (7, 407, 607) angeordnet sind.
Beleuchtungssystem nach einem der Ansprüche 1–12, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Spiegel (5, 405, 605) und der zweite Spiegel (7, 407, 607) zur Reflektion einer Strahlung mit einer Wellenlänge aus dem Bereich von 5–20 nm ausgebildet sind.
Beleuchtungssystem nach einem der Ansprüche 1–13, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Spiegel (5, 405, 605) und der zweite Spiegel (7, 407, 607) zusammen eine einstückige Baueinheit bilden.
Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage umfassend ein Beleuchtungssystem. (419, 619) nach einem der Ansprüche 1–14.