DE102005041938A1

DE102005041938A1 - Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage

Info

Publication number: DE102005041938A1
Application number: DE102005041938A
Authority: DE
Inventors: Vladimir Kamenov; Daniel KRÄHMER; Toralf Gruner
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2005-09-03
Filing date: 2005-09-03
Publication date: 2007-03-08
Also published as: US20170322343A1; US20080297754A1; JP2009507366A; US9733395B2; US20110222043A1; KR20080039469A; WO2007025783A3; WO2007025783A2; US20140320955A1

Abstract

Eine mikrolithographische Projetionsbelichtungsanlage enthält ein optisches Element (36), das zur Verringerung oder Erhöhung des Reflexionsvermögens eine Antireflex-Beschichtung (32) bzw. eine Reflex-Beschichtung trägt. Erfindungsgemäß ist die Antireflex-Beschichtung derart ausgelegt, daß über einen Einfallswinkelbereich von 70 DEG hinweg sich die Transmissionskoeffizienten der Antireflex-Beschichtung für zueinander orthogonale Polarisationszustände (42p, 42s) um nicht mehr als 1% voneinander unterscheiden. Entsprechendes gilt für den Reflexionskoeffizienten der Reflex-Beschichtung. Zur Korrektur von Fehlern, die durch größere Winkelabhängigkeiten des mittleren Transmissions- oder Reflexionskoeffizienten und der Wirkung auf die Phase verursacht sind, enthält die Projektionsbelichtungsanlage Mittel (50) zur Homogenisierung einer Intensitätsverteilung, die vorzugsweise in oder in der Nähe einer Feld- oder Pupillenebene angeordnet sind.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG
1. Gebiet der Erfindung
Die Erfindung betrifft mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlagen, wie sie zur Herstellung hochintegrierter elektrischer Schaltkreise und anderer mikrostrukturierter Bauelemente verwendet werden. Die Erfindung betrifft insbesondere Projektionsbelichtungsanlagen mit optischen Elementen, die zur Erhöhung oder Verringerung des Reflexionsvermögens beschichtet sind.

Integrierte elektrische Schaltkreise und andere mikrostrukturierte Bauelemente werden üblicherweise hergestellt, indem auf ein geeignetes Substrat, bei dem es sich beispielsweise um einen Silizium-Wafer handeln kann, mehrere strukturierte Schichten aufgebracht werden. Zur Strukturierung der Schichten werden diese zunächst mit einem Photolack bedeckt, der für Licht eines bestimmten Wellenlängenbereiches, z.B. Licht im tiefen ultravioletten Spektralbereich (DUV, deep ultraviolet), empfindlich ist. Anschließend wird der so beschichtete Wafer in einer Projektionsbelichtungsanlage belichtet. Dabei wird eine Maske, die ein Muster aus Strukturen enthält, von einem Beleuchtungssystem beleuchtet und mit Hilfe eines Projektionsobjektivs auf den Photolack abgebildet. Da der Abbildungsmaßstab dabei im allgemeinen kleiner als eins ist, werden derartige Projektionsobjektive häufig auch als Reduktionsobjektive bezeichnet.

Nach dem Entwickeln des Photolacks wird der Wafer einem Ätzprozeß unterzogen, wodurch die Schicht entsprechend dem Muster auf der Maske strukturiert wird. Der noch verbliebene Photolack wird dann von den verbleibenden Teilen der Schicht entfernt. Dieser Prozeß wird so oft wiederholt, bis alle Schichten auf dem Wafer aufgebracht sind.

Die in Projektionsbelichtungsanlagen eingesetzten Spiegel weisen im allgemeinen eine aus mehreren Einzelschichten aufgebaute Reflex-Beschichtung auf, deren Reflexionskoeffizient häufig über 90% liegt. Linsen und andere refraktive optische Elemente werden hingegen mit Antireflex-Beschichtungen versehen, um und Lichtverluste und Abbildungsfehler durch unerwünschte Doppelreflexionen an den Grenzflächen der refraktiven optischen Elemente zu verringern.

Bei der Auslegung der Beschichtungen versucht man im allgemeinen, über einen großen Einfallswinkelbereich hinweg bei Reflexbeschichtungen konstant hohe Reflexionskoeffizienten und bei Antireflex-Beschichtungen hohe Transmissionskoeffizienten zu erzielen. Die Koeffizienten sollen zudem möglichst unabhängig vom Polarisationszustand des auftreffenden Lichts sein.

Es hat sich allerdings gezeigt, daß es häufig, und zwar insbesondere aus technologischen oder ökonomischen Gründen, sehr schwierig oder sogar unmöglich ist, Beschichtungen mit derartigen Eigenschaften zu entwerfen und herzustellen. Als Folge davon müssen entweder Abstriche bei den optischen Eigenschaften der Projektionsbelichtungsanlage gemacht werden oder sehr hohe Preise in Kauf genommen werden.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

Aufgabe der Erfindung ist es deswegen, eine Projektionsbelichtungsanlage mit optischen Elementen anzugeben, deren (Anti-)Reflex-Beschichtungen einerseits kostengünstig sind und die andererseits die Abbildungseigenschaften des Projektionsobjektivs nicht nennenswert beeinträchtigen.

Bezüglich der Antireflex-Beschichtungen wird diese Aufgabe durch eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage mit einem optischen Element gelöst, das zur Verringerung des Reflexionsvermögens eine Antireflex-Beschichtung trägt. Diese ist derart ausgelegt, daß über einen Einfallswinkel im Bereich von 70° hinweg sich die Transmissionskoeffizienten der Antireflex-Beschichtung für zueinander orthogonale Polarisationszustände um nicht mehr als 1% voneinander unterscheiden. Ferner weist die Projektionsbelichtungsanlage Mittel zur Homogenisierung einer Intensitätsverteilung auf, die vorzugsweise in oder in der Nähe einer Feld- oder Pupillenebene angeordnet sind.

Entsprechendes gilt für Reflexionskoeffizienten von Reflex-Beschichtungen.

Die Mittel zur Homogenisierung der Intensitätsverteilung sorgen dafür, daß größere Winkelabhängigkeiten des Transmissionskoeffizienten bzw. des Reflexionskoeffizienten, wie sie bei der polarisationsoptischen Optimierung auftreten können, sich nicht in untolerierbarer Weise auf die Abbildungseigenschaften auswirken.

Alternativ hierzu können die Beschichtungen auch derart ausgelegt sein, daß die geringen Unterschiede des Transmissions- bzw. Reflexionskoeffizienten für orthogonale Polarisationszustände nicht bei einer einzelnen Beschichtung erzielt wird, sondern bei der Gesamtwirkung mehrerer oder sogar aller Beschichtungen, die in der Projektionsbelichtungsanlage enthalten sind. Die Einzeloptimierung wird auf diese Weise durch eine Gesamtoptimierung ersetzt. Auch hier sorgen die Mittel zur Homogenisierung der Intensitätsverteilung dafür, daß größere Winkelabhängigkeiten des Transmissionskoeffizienten bzw. des Reflexionskoeffizienten sich nicht in untolerierbarer Weise auf die Abbildungseigenschaften auswirken.

Bei den Mitteln zur Homogenisierung der Intensitätsverteilung kann es sich um Graufilter handeln, wie diese an sich im Stand der Technik bekannt sind.

Größere Phasenfehler, die durch die Beschichtungen verursacht werden, können durch Mittel zur Korrektur von Phasenfehlern, z.B. an sich bekannte Manipulatoren oder lokale nicht rotationssymmetrische Oberflächendeformationen, korrigiert werden.

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHUNGEN
Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung eines Ausführungsbeispiels anhand der Zeichnungen. Darin zeigen:
1 einen Meridionalschnitt durch eine erfindungsgemäße Projektionsbelichtungsanlage;
2 eine vergrößerte Schnittdarstellung (nicht maßstäblich) einer Linse mit einer Antireflex-Beschichtung.
BESCHREIBUNG BEVORZUGTER AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
Die 1 zeigt einen Meridionalschnitt durch eine insgesamt mit 10 bezeichnete mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage in stark schematisierter und nicht maßstäblicher Darstellung. Die Projektionsbelichtungsanlage 10 weist ein Beleuchtungssystem 12 mit einer Lichtquelle 14 zur Erzeugung eine Projektionslichtbündels 13 auf. Die Lichtquelle 14, bei der es sich z.B. um einen Excimer-Laser handeln kann, erzeugt kurzwelliges Projektionslicht. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel beträgt die Wellenlänge des Projektionslichts 193 nm. Die Verwendung anderer Wellenlängen, z.B. 157 nm oder 248 nm, sind ebenfalls möglich.
Das Beleuchtungssystem 12 enthält ferner eine mit 16 angedeutete Beleuchtungsoptik mit einem Depolarisator 17 und einer Feldblende 18. Die Beleuchtungsoptik 16 formt das von der Lichtquelle 14 erzeugte Projektionslichtbündel in der gewünschten Weise um und ermöglicht die Einstellung unterschiedlicher Beleuchtungswinkelverteilungen. Zu diesem Zweck kann die Beleuchtungseinrichtung beispielsweise austauschbare diffraktive optische Elemente und/oder Mikrolinsen-Arrays enthalten. Da derartige Beleuchtungsoptiken im Stand der Technik bekannt sind, siehe z.B. US 6 285 443 A , kann auf die Erläuterung weiterer Einzelheiten hierzu verzichtet werden.
Ein Objektiv 19 des Beleuchtungssystems 12 bildet die Feldblende 18 scharf auf eine nachgeordnete Objektebene eines Projektionsobjektivs 20 ab.
Das Projektionsobjektiv 20 enthält eine Vielzahl von Linsen und anderen optischen Elementen, von denen der Übersichtlichkeit halber in der 1 lediglich einige beispielhaft angedeutet und mit L1 bis L6 bezeichnet sind. Daneben kann das Projektionsobjektiv 20 auch andere optische Elemente, z.B. abbildende oder der Faltung des Strahlengangs dienende Spiegel oder Filterelemente, enthalten. Bei extrem kurzen Wellenlängen, z.B. 13 nm, enthält das Projektionsobjektiv 20 ausschließlich Spiegel als Abbildungselemente, da für diese kurzen Wellenlängen keine ausreichend transparenten Linsenmaterialien zur Verfügung stehen.
Das Projektionsobjektiv 20 dient dazu, eine in einer Objektebene 22 des Projektionsobjektivs 20 anordenbare und von dem Projektionslichtbündel 13 beleuchtete Maske 24 verkleinert auf eine lichtempfindliche Schicht 26 abzubilden, bei der es sich z.B. um einen Photolack handeln kann. Die Schicht 26 befindet sich in einer Bildebene 28 des Projektionsobjektivs 20 und ist auf einen Träger 29, z.B. einen Silizium-Wafer, aufgebracht.
Die in dem Beleuchtungssystem 12 und dem Projektionsobjektiv 20 enthaltenen Linsen sind mit einer Antireflex-Beschichtung versehen. Die Antireflex-Beschichtung hat die Aufgabe, den Anteil des Lichts, der an den Grenzflächen der Linsen reflektiert wird und dadurch für die Projektion verloren geht oder zu Doppelreflexen führt, zu verringern. Die Beschichtungen enthalten in der Regel eine Vielzahl von dünnen Einzelschichten, deren Brechzahlen und Dicken so gewählt sind, daß für die Wellenlänge des Projektionslichts 13 die gewünschten Eigenschaften erzielt werden.
Bei diesen Eigenschaften handelt es sich bei Antireflex-Beschichtungen vor allem um ein sehr hohes Transmissionsvermögen von mehr als 98%. Ein solch hohes Transmissionsvermögen soll für einen großen Einfallswinkelbereich erzielt werden. Insbesondere bei sehr hochaperturigen Projektionsobjektiven 20 können Einfallswinkel auftreten, die bis zu 70°, im Einzelfall auch mehr, betragen. Hängt das Transmissionsvermögen zu stark vom Einfallswinkel ab, so führt dies bei pupillennahen Beschichtungen zu feldabhängigen Strukturbreitenschwankungen und bei feldnahen Beschichtungen zu winkelabhängigen Strukturbreitenschwankungen.
Daneben erwartet man von den auf den Linsen aufgebrachten Antireflex-Belichtungen, daß sie diese optischen Eigenschaften unabhängig vom Polarisationszustand des auftreffenden Projektionslichts 13 haben. Variiert bei einer Antireflex-Beschichtung das Transmissionsvermögen für orthogonale Polarisationszustände zu stark, so kann diese Polarisationsabhängigkeit zu unerwünschten Abbildungsfeh lern führen. Dies hängt damit zusammen, daß trotz Verwendung eines Depolarisators 17 im Beleuchtungssystem 16 das Projektionslicht 13 beim Durchtritt durch das Projektionsobjektiv 20 nicht vollständig depolarisiert bleibt. Ursache hierfür können z.B. intrinsisch oder spannungsdoppelbrechende Linsenmaterialien, polarisierende Maskenstrukturen sowie die hier in Rede stehenden Polarisationsabhängigkeiten bei Antireflex- und Reflex-Beschichtungen sein.
Ist eine Antireflex-Beschichtung in der Nähe einer Feldebene angeordnet, so führt die Polarisationsabhängigkeit ihres Transmissionsvermögens zu über das Bildfeld schwankenden Intensitäten, wenn das Projektionslicht über das Feld hinweg eine variierende Polarisationsvorzugsrichtung hat. Solche Intensitätsschwankungen in einer Feldebene machen sich am Bauelement als unerwünschte feldabhängige Strukturbreitenschwankungen bemerkbar. Ist eine Antireflex-Beschichtung mit polarisationsabhängigem Transmissionsvermögen hingegen pupillennah angeordnet, so kann eine bereits vorhandene Winkelabhängigkeit des Polarisationszustands ebenfalls zu unerwünschten Strukturbreitenschwankungen führen.
Aus diesem Grunde versucht man bei der Entwicklung einer Antireflex-Beschichtung, die Differenz des Transmissionskoeffizienten ΔT für orthogonale Polarisationszustände kleiner als 1% zu halten.
(Anti-)Reflex-Beschichtungen von Linsen und Spiegeln können ferner dazu führen, daß sich die Phase des die Beschichtungen durchtretenden Lichts in Abhängigkeit vom Polarisationszustand ändert. Die Beschichtung wird auf diese Weise optisch doppelbrechend, was sich ungünstig auf die Abbildungsqualität in der Bildebene auswirkt. Deswegen sollte die zulässige Phasendifferenz Δφ zwischen orthogonalen Polarisationszuständen kleiner als 1/10 der Wellenlänge λ des Projektionslichts 13 betragen.
Ein hohes mittleres Transmissionsvermögen einerseits sowie eine geringe Polarisationsabhängigkeit des Transmissionsvermögens und der Phase andererseits über einen größeren Einfallswinkelbereich hinweg sind allerdings nicht oder allenfalls mit äußerst großem Aufwand zu realisieren.
Erfindungsgemäß sind die Beschichtungen in der Projektionsbelichtungsanlage 10 deswegen so ausgelegt, daß die Polarisationsabhängigkeit des Transmissionskoeffizienten und der Phase über einen großen Einfallswinkelbereich hinweg gering gehalten wird. Das mittlere Transmissionsvermögen sowie die mittleren Phasen können hingegen über den Einfallswinkelbereich hinweg spürbar variieren. Die damit einhergehenden Störungen der Abbildung werden auf vergleichsweise einfache Weise, z.B. mit Hilfe von Graufiltern oder – im Falle von Phasenfehlern – lokalen rotationsasymmetrischen Oberflächendeformationen korrigiert.
Eine weitgehende Polarisationsunabhängigkeit bedeutet konkret im Falle von Antireflex-Beschichtungen, daß die Transmissionskoeffizienten für zueinander orthogonale Polarisationszustände um nicht mehr als 1% voneinander über einen Einfallswinkelbereich von 70° hinweg voneinander abweichen. Bei Reflex-Beschichtungen bedeutet dies, daß bei demselben Einfallswinkelbereich hinweg die Reflexionskoeffizienten um nicht mehr als 1% voneinander abweichen.
Derartig ausgelegte Schichtsysteme lassen sich mit relativ geringem Aufwand entwickeln und herstellen. Wie man dabei im einzelnen vorgeht, ist in Standardlehrbüchern, z.B. T.W. Baumeister "Optical Coating Technology", entnehmbar.
Die 2 zeigt zur Illustration einen Lichtstrahl 30, der auf eine Antireflex-Beschichtung 32 trifft, die auf eine konkave Fläche 34 einer Linse 36 aufgebracht ist. Die Antireflex-Beschichtung 32 besteht aus einer Vielzahl nicht näher bezeichneter dünner Einzelschichten, deren Brechzahlen und Dicken gemäß den vorstehend erläuterten Kriterien gewählt sind. Es sei angenommen, daß der Lichtstrahl 30 sowohl eine durch Doppelpfeile angedeutete p-polarisierte Komponente 38 als auch eine durch schwarze Kreise 40 angedeutete s-polarisierte Komponente enthält. Der größte Teil des auf die Antireflex-Beschichtung 32 auftreffenden Lichts wird transmittiert, wobei die Transmissionskoeffizienten T_s und T_p für die s-polarisierte Komponente 40 bzw. die p-polarisierte Komponente 38 sich geringfügig unterscheiden. In der 2 ist dieser geringfügige Unterschied dadurch angedeutet, daß der Pfeil 42s für die transmittierte s-polarisierte Komponente 40 etwas länger ist als der Pfeil 42p für die transmittierte p-polarisierte Komponente 38.
Im allgemeinen unterscheidet sich auch das Reflexionsvermögen der Antireflex-Beschichtung 32 je nach dem Polarisationszustand des auftreffenden Lichts, was in der 2 in übertrieben dargestellter Weise bei 44 angedeutet ist.
Das mittlere Transmissionsvermögen 〈T〉 der Antireflex-Beschichtung 32 ist durch die nachfolgende Gleichung (1) gegeben: 〈T〉 = (|T| + |Tp|)/2 (1)
Die Polarisationsabhängigkeit des Transmissionsvermögens wird am besten durch die Differenz der Transmissionskoeffizienten T_s und T_p gemäß der Gleichung (2) ΔT = |Ts| – |Tp| (2)beschrieben. Für die mittlere Phase 〈φ〉 und die Phasendifferenz Δφ gelten die Gleichungen (3) bzw. (4): 〈φ〉 = (agr(Ts) + agr(Tp))/2 (3) Δφ = agr(Ts) – agr(Tp) (4)
Die in 2 gezeigte Antireflex-Beschichtung 32 ist derart ausgebildet, daß über einen Winkelbereich von 70° hinweg ΔT < 1% und Δφ < 0.1·λ gilt. Das mittlere Transmissionsvermögen 〈T〉 ist über diesen Einfallswinkelbereich jedoch nicht durchweg höher als 98%, so daß es zu den oben genannten feld- und/oder winkelabhängigen Intensitätsschwankungen kommen kann.
Um Intensitätsschwankungen in der Bildebene 28 zu vermeiden, können Graufilter eingesetzt werden, die ebenfalls feldnah zu positionieren sind. Alternativ hierzu ist es möglich, Filterelemente mit winkelabhängigem Transmissionsvermögen pupillennah zu positionieren. Ein solches winkelabhängiges Graufilter ist in der 1 mit 50 angedeutet. Weitere Ausbildungen von Graufiltern, die in diesem Zusammenhang geeignet sind, können der DE 103 29 793 A1 entnommen werden, die der US 2005/0018312 A1 entspricht.
Bei scannenden Projektionsbelichtungsanlagen 10 kommt ferner in Betracht, im Beleuchtungssystem 12 eine Feldblende einzusetzen, die eine Vielzahl einzeln verfahrbarer Blendenelemente umfaßt. Derartige an sich bekannte Feldblenden, wie sie beispielsweise in der EP 0 952 491 A1 beschrieben sind, ermöglichen es, die Strahlungsdosis in der Bildebene 28 in Abhängigkeit von der Längsposition des schlitzförmigen Lichtfeldes zu verändern.
Befindet sich die Antireflex-Beschichtung 32 hingegen in der Nähe einer Pupillenebene, so wird dadurch eine Pupillenapodisierung erzeugt. Solche Pupillenapodisierungen können mit geeignet ausgelegten Antireflex-Schichten in der Nähe einer Pupillenebene korrigiert werden. Eine Verkippung der Pupillenapodisierung, die durch die Zernike-Koeffizienten Z2/Z3 beschrieben werden kann, läßt sich mit einer Spiegelschicht korrigieren.
Stärkere Doppelreflexe, die durch das bestimmten Winkeln niedrigere Transmissionsvermögen 〈T〉 auftreten können, lassen sich mit Streublenden abfangen.
Da auch die mittlere skalare Phase 〈φ〉 bei der Optimierung der Antireflex-Beschichtung nicht im Vordergrund steht, können die durch die Antireflex-Beschichtung 32 entstehenden Phasenfehler zu Abbildungsfehlern führen.
Solche Abbildungsfehler lassen sich mit an sich bekannten Manipulatoren zumindest in gewissen Grenzen korrigieren. Eine besonders gute Korrektur gelingt, wenn Grenzflächen optischer Elemente oder eigens hier vorgesehener Platten lokal und nicht-rotationssymmetrisch deformiert werden. Die Deformationen, die durch Materialauf- oder -abtrag erzeugt werden können, liegen dabei in der Größenordnung von wenigen Nanometern.
Anstatt die einzelnen Antireflex-Beschichtungen jeweils unter dem Gesichtspunkt einer möglichst geringen Polarisationsabhängigkeit zu optimieren, kann auch eine Gesamtoptimierung mehrerer oder aller in dem Projektionsobjektiv 20 und gegebenenfalls in der gesamten Projektionsbelichtungsanlage 10 enthaltener Antireflex-Beschichtungen vorgenommen werden. Die vorstehend genannten Bedingungen lassen sich dann als ΔTgesamt < 1% und Δφgesamt < λ/10beschreiben.
Selbstverständlich gelten die vorstehenden Überlegungen entsprechend auch für Reflex-Beschichtungen, wie sie bei gekrümmten Abbildungsspiegeln oder ebenen Umlenkspiegeln in Projektionsbelichtungsanlagen 10 eingesetzt werden.

Claims

Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage mit einem optischen Element (36), das zur Verringerung des Reflexionsvermögens eine Antireflex-Beschichtung (32) trägt, dadurch gekennzeichnet, daß die Antireflex-Beschichtung (32) derart ausgelegt ist, daßüber einen Einfallswinkelbereich von 70° hinweg sich die Transmissionskoeffizienten der Antireflex-Beschichtung für zueinander orthogonale Polarisationszustände (42p, 42s) um nicht mehr als 1% voneinander unterscheiden, und daß die Projektionsbelichtungsanlage Mittel (50) zur Homogenisierung einer Intensitätsverteilung aufweist.
Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage mit einem optischen Element, das zur Erhöhung des Reflexionsvermögens eine Reflex-Beschichtung trägt, dadurch gekennzeichnet, daß die Reflex-Beschichtung derart ausgelegt ist, daß über einen Einfallswinkelbereich von 70° hinweg sich die Reflexionskoeffizienten der Beschichtung für zueinander orthogonale Polarisationszustände um nicht mehr als 1% voneinander unterscheiden, und daß die Projektionsbelichtungsanlage Mittel zur Homogenisierung einer Intensitätsverteilung aufweist.
Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage mit mehreren optischen Elementen, die zur Verringerung des Reflexionsvermögens eine Antireflex-Beschichtung tragen, dadurch gekennzeichnet, daß die Antireflex-Beschichtungen derart ausgelegt sind, daß über einen Einfallswinkelbereich von 70° hinweg sich in der Gesamtwirkung die Transmissionskoeffizienten der mehreren Antireflex-Beschichtungen für zueinander orthogonale Polarisationszustände um nicht mehr als 1% voneinander unterscheiden, und daß die Projektionsbelichtungsanlage Mittel zur Homogenisierung einer Intensitätsverteilung aufweist.
Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage mit mehreren optischen Elementen, die zur Erhöhung des Reflexionsvermögens eine Reflex-Beschichtung tragen, dadurch gekennzeichnet, daß die Reflex-Beschichtungen derart ausgelegt sind, daß über einen Einfallswinkelbereich von 70° hinweg sich in der Gesamtwirkung die Reflexionskoeffizienten der mehreren Reflex-Beschichtungen für zueinander orthogonale Polarisationszustände um nicht mehr als 1% voneinander unterscheiden, und daß die Projektionsbelichtungsanlage Mittel zur Homogenisierung einer Intensitätsverteilung aufweist.
Projektionsbelichtungsanlage nach einem der vorhergehenden Ansprüche, daß die Mittel zur Homogenisierung einer Intensitätsverteilung ein Graufilter mit einem lokal variierenden Grauwert umfassen.
Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Graufilter ein transmissives optisches Element mit lokal variierendem Transmissionsgrad ist.
Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 5 vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Graufilter ein reflektives optisches Element mit lokal variierendem Reflexionsgrad ist.
Projektionsbelichtungsanlage nach einem der Ansprüche 5 bis 7, daß das Graufilter die Phasenvertei lung hindurchtretenden Projektionslichts unbeeinflußt läßt.
Projektionsbelichtungsanlage nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Mittel zur Homogenisierung einer Intensitätsverteilung verstellbare Blendenelemente umfassen, die in einem Beleuchtungssystem der Projektionsbelichtungsanlage angeordnet sind.
Projektionsbelichtungsanlage nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Mittel zur Homogenisierung einer Intensitätsverteilung in oder in der Nähe einer Feld- oder Pupillenebene angeordnet sind.
Projektionsbelichtungsanlage nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Beschichtung derart ausgelegt ist, daß die Beschichtung eine Phasendifferenz zwischen orthogonalen Polarisationszuständen erzeugt, die kleiner sind als ein λ/10, wobei λ die Wellenlänge des in der Projektionsbelichtungsanlage verwendeten Projektionslichts ist, und daß die Projektionsbelichtungsanlage Mittel zur Korrektur von Phasenfehlern umfaßt.
Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Mittel lokale und nicht rotationssymmetrische Oberflächendeformationen umfassen.
Projektionsbelichtungsanlage nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Einfallswinkelbereich 80° beträgt.