DE102008040613A1 - Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage - Google Patents

Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage Download PDF

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, mit wenigstens einem Schichtsystem (120, 200), welches zumindest einseitig von einer Linse oder einem Spiegel begrenzt wird, wobei das Schichtsystem (120, 200) ein aus mehreren Schichten aufgebautes Interferenzschichtsystem ist und wenigstens eine flüssige oder gasförmige Schichtlage (123, 220) aufweist, deren maximale Dicke maximal 1 Mikrometer (µm) beträgt, und einem Manipulator (105) zur Manipulation des Dickenprofils dieser Schichtlage (123, 220).

Description

  • Die Erfindung betrifft ein optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage.
  • Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise oder LCD's, angewendet. Der Mikrolithographieprozess wird in einer sogenannten Projektionsbelichtungsanlage durchgeführt, welche eine Beleuchtungseinrichtung und ein Projektionsobjektiv aufweist. Das Bild einer mittels der Beleuchtungseinrichtung beleuchteten Maske (= Retikel) wird mittels des Projektionsobjektivs auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (z. B. Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionsobjektivs angeordnetes Substrat (z. B. einen Siliziumwafer) projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen.
  • Sowohl in der Beleuchtungseinrichtung als auch im Projektionsobjektiv tritt das Problem auf, dass eine gewünschte Intensitätsverteilung und/oder ein zunächst eingestellter Polarisationszustand in unerwünschter Weise verändert wird. Zu den verantwortlichen Einflüssen gehören insbesondere zeitlich veränderliche Doppelbrechungseffekte wie die sogenannte polarisationsinduzierte Doppelbrechung (PDB), eine Kompaktierung in nichtkristallinem Material (z. B. Quarzglas) optischer Komponenten, Degradationen und thermische Effekte sowie eine in antireflektierenden oder hochreflektierenden Schichten auf den optischen Komponenten vorhandene Doppelbrechung infolge Formdoppelbrechung oder aufgrund unterschiedlicher Fresnel-Reflexion und -Transmission für orthogonale Polarisationszustände.
  • Sowohl für die Beleuchtungseinrichtung als auch für das Projektionsobjektiv sind diverse Ansätze entwickelt worden, um die Intensitätsverteilung und/oder den Polarisationszustand gezielt zu beeinflussen bzw. vorhandene Störungen zu kompensieren.
  • Beispielsweise ist es aus WO 2007/017089 A1 bekannt, in einem Projektionsobjektiv einen Manipulator zur Reduzierung nicht rotationssymmetrischer Abbildungsfehler anzuordnen, welcher eine Linse, ein weiteres optisches Element und einen zwischen diesem optischen Element und der Linse angeordneten Zwischenraum aufweist, wobei der Zwischenraum mit einer Flüssigkeit gefüllt werden kann. Mittels eines ausschließlich auf die Linse wirkenden Aktuators kann eine nicht rotationssymmetrische Deformation der Linse erzielt werden.
  • Aus WO 2005/119369 A1 ist es bekannt, in einem Projektionsobjektiv ein auf einem Substrat eines optischen Bauteils ausgebildetes Interferenzschichtsystem vorzusehen, welches eine relativ große räumliche Modulation des Reflexionsgrades und/oder des Transmissionsgrades über den optisch nutzbaren Querschnitt des optischen Bauteils aufweist, wobei diese Modulation an die räumliche Transmissionsverteilung der übrigen Bauteile des Projektionsobjektivs zur Reduzierung räumlicher Intensitätsschwankungen angepasst wird.
  • Aus WO 98/14804 ist ein elektrisch abstimmbares bzw. ansteuerbares optisches Interferometer-Filter bekannt.
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage bereitzustellen, welches eine vergleichsweise flexible und schnelle Einflussnahme auf die Intensitätsverteilung und/oder den Polarisationszustand ermöglicht.
  • Ein erfindungsgemäßes optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage weist wenigstens ein Schichtsystem auf, welches zumindest einseitig von einer Linse oder einem Spiegel begrenzt wird, wobei das Schichtsystem ein aus mehreren Schichten aufgebautes Interferenzschichtsystem ist und wenigstens eine flüssige oder gasförmige Schichtlage aufweist, deren maximale Dicke maximal 1 Mikrometer (μm) beträgt, und einen Manipulator zur Manipulation des Dickenprofils dieser Schichtlage.
  • Die erfindungsgemäß erzielte Wirkung des Schichtsystems mit einer flüssigen oder gasförmigen Schichtlage mit maximaler Dicke von maximal 1 Mikrometer (μm) ist zu unterscheiden von der gemäß dem Stand der Technik (z. B. bei einer Flüssiglinse) erzielten Wirkung eines refraktiven optischen Elements. Während im letzteren Falle die den Strahlweg beeinflussende, von der Form der refraktiven Linse abhängige Brechkraft geändert wird, wird bei dem erfindungsgemäßen Konzept der Strahlweg als solches in erster Näherung nicht beeinflusst, sondern es kann – in grundsätzlich anderer Wirkungsweise – eine Beeinflussung z. B. der Phasenaufspaltung durch Interferenzeffekte erfolgen, welche zwischen den Teilwellen der im Schichtsystem mehrfach teilreflektierten Lichtanteile auftreten.
  • Mit anderen Worten wird erfindungsgemäß – im Unterschied etwa zu einer Flüssiglinse mit einer Flüssigkeitslage von typischerweise wenigen Millimetern – nicht Einfluss auf die Richtung einzelner ebener Wellen (bzw. Strahlen) genommen, sondern es wird im Wesentlichen nur die Phasenlage der einzelnen ebenen Wellen manipuliert. Hingegen spielen die erfindungsgemäß ausgenutzten Interferenzeffekte bei einer herkömmlichen Flüssiglinse mit einer Flüssigkeitslage von typischerweise wenigen Millimetern wegen der begrenzten Kohärenzlänge des Lichtes keine Rolle mehr, da die erfindungsgemäß ausgenutzten Interferenzeffekte und damit eine Phasenbeeinflussung nur in dem vorliegend gewählten wellenlängennahen Dickenbereich auftreten.
  • An den Grenzen zu der erfindungsgemäß vorgesehenen flüssigen oder gasförmigen Schichtlage finden partielle Reflexionen statt, wobei durch die stattfindende Überlagerung der hierbei auftretenden Teilwellen letztlich der Effekt des Schichtsystems bestimmt wird. Dabei wird ausgenutzt, dass die Wirkung des Schichtstapels als Interferenzphänomen besonders empfindlich von den Dicken der einzelnen Lagen abhängt. Das erfindungsgemäße Konzept der Bereitstellung einer flüssigen oder gasförmigen Schichtlage beinhaltet nun im Falle der Anwendung auf ein Vielfachschichtsystem mit einer Mehrzahl von Teillagen, die Dicke einer dieser Teillagen in ihrem Dickenverlauf zu modulieren, wodurch die Interferenzeigenschaften geändert werden.
  • Grundsätzlich kann mittels des erfindungsgemäßen Schichtsystems für jede der beiden Größen Intensität I und Phase ϕ sowohl der gemittelte Wert ((Is + Ip/2) bzw. (ϕs + ϕp)/2)) als auch die Aufspaltung der Intensität (Is – Ip, „Diattenuation") bzw. der Phase (ϕs – ϕp) beeinflusst werden.
  • Dabei kann sich die herbeigeführte Dickenänderung der flüssigen Schichtlage je nach den konkreten Gegebenheiten, d. h. dem Aufbau des Schichtsystems sowie dessen Anordnung innerhalb des optischen Systems, entweder auf die Phase oder auch auf die Intensität mit größerer Empfindlichkeit auswirken. Insbesondere kann das Schichtdesign bei dem erfindungsgemäßen Schichtsystem so gewählt werden, dass gezielt eine der obigen vier Größen (z. B. die Phasenaufspaltung) beeinflusst wird, wobei die übrigen Größen zumindest weitgehend unverändert bleiben.
  • Insbesondere kann das erfindungsgemäße Schichtsystem – bei Beeinflussung der gemittelten Intensität – als variabler Graufilter z. B. im Projektionsobjektiv eingesetzt werden, dessen Eigenschaften auf vergleichsweise kleiner Zeitskala manipulierbar sind.
  • Gemäß einer Ausführungsform wird das Schichtsystem zumindest einseitig von einer Linse begrenzt. Insbesondere kann das Schichtsystem zwischen zwei Linsen angeordnet sein, wobei wenigstens eine dieser zwei Linsen aktiv deformierbar ist. Der Manipulator kann hierbei beispielsweise eine Anordnung von am Rand einer benachbart zum Schichtsystem bzw. der flüssigen oder gasförmigen Schichtlage angeordneten Linse vorgesehenen Aktuatoren aufweisen.
  • Gemäß einer Ausführungsform wird das Schichtsystem zumindest einseitig von einem Spiegel begrenzt, wobei der Manipulator eine auf einer nicht optisch wirksamen Fläche des Spiegels (z. B. der „Rückseite" eines Konkavspiegels) vorgesehene Anordnung von Aktuatoren aufweist.
  • Mittels des erfindungsgemäßen Konzeptes kann eine gezielte Verstimmung des Schichtsystems zur Korrektur einer im optischen System (z. B. Projektionsobjektiv) anderenorts vorhandenen Störung der gewünschten Intensitätsverteilung vorgenommen werden, indem durch gezielte Deformierung der deformierbaren Schichtlage die Reflexion bzw. die Wirkung in Transmission – je nach Anordnung des Schichtsystems auf einem Spiegel oder einer refraktiven Linse – ortsaufgelöst manipuliert wird, bis die gewünschte Korrekturwirkung erreicht ist.
  • Des Weiteren kann eine gegebenenfalls unerwünscht erfolgende Phasenänderung durch anderenorts im optischen System angeordnete Phasenmanipulatoren behoben werden, so dass die Intensitätsbe einflussung als alleiniger Nettoeffekt verbleibt. Ebenso kann eine gegebenenfalls unerwünscht erfolgende Polarisationsaufspaltung ebenfalls durch geeignete Manipulatoren anderenorts im optischen System ausgeglichen werden.
  • Eine Phasenaufspaltung kann mit dem erfindungsgemäßen, die deformierbare Schichtlage enthaltenen Schichtsystem auch als gewünschter Effekt eingestellt werden, um etwa eine anderenorts im optischen System vorhandene Störung der Polarisationsverteilung (z. B. infolge fassungsbedingter Spannungsbrechung etc.) auszugleichen. Die Beeinflussung der vorstehend beschriebenen Aufspaltungsgrößen (d. h. Transmissions- bzw. Phasenaufspaltung) stellt einen besonders vorteilhaften Einsatz der Erfindung dar, da diese grundsätzlich mit anderen Mitteln relativ schwierig zu erzielen ist.
  • Gemäß einer Ausführungsform beträgt die maximale Dicke der flüssigen oder gasförmigen Schichtlage maximal die Hälfte einer Arbeitswellenlänge (λ) des optischen Systems. Typische Arbeitswellenlängen in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage betragen weniger als 250 nm, beispielsweise etwa 193 nm oder etwa 157 nm. Dabei wird ausgenutzt, dass sich in dem Dickenbereich von Null bis λ/2 grundsätzlich der gesamte Wirkungsbereich durch Einstellung einer Phase im Bereich von 0°–180° abdecken lässt, der sich auch mit etwas dickeren Schichtsystemen (etwa einer Schicht mit einer Dicke von 3λ/2) abdecken lässt.
  • Die maximale Dicke der flüssigen oder gasförmigen Schichtlage kann insbesondere im Bereich von 10 bis 100 nm, weiter insbesondere im Bereich von 30 bis 100 nm, weiter insbesondere im Bereich von 50 bis 100 nm liegen.
  • Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform weist das Schichtsystem eine alternierende Abfolge aus Schichten aus einem ersten Schichtmaterial und einem zweiten Schichtmaterial auf, wobei das erste Schichtmaterial bei einer Arbeitwellenlänge des optischen Systems eine Brechzahl kleiner als die Brechzahl von Quarzglas (SiO2) und das zweite Schichtmaterial bei der Arbeitwellenlänge eine Brechzahl größer als die Brechzahl von Quarzglas (SiO2) aufweist. Dabei können erfindungsgemäß insbesondere Schichtmaterialien zum Einsatz kommen, welche zwar ansonsten eher unüblich sind, jedoch die erfindungsgemäß erforderliche deformierbare Schichtlage bzw. die gewünschte Deformierbarkeit bereitstellen, z. B. Wasser mit n = 1.44 bei λ = 193 nm oder auch ein geeignetes Gel. Ebenfalls in einer flüssigen Schichtlage verwendbar sind z. B. die in US 2006/0221456 A1 genannten Immersionsflüssigkeiten H2SO4, H3PO4 sowie deren wässrige Lösungen (mit Brechzahlen n im Bereich von 1.5–1.8 bei λ = 193 nm und ggf. mit Substitution von Deuterium), oder Cyclohexan (mit einer Brechzahl n = 1.556 bei λ = 193 nm).
  • Dabei kann im Rahmen der – als solches in herkömmlicher Weise durchführbaren – Schichtoptimierung vorgegeben werden, dass die jeweils gewünschten Schichtlagen inkl. der besagten deformierbaren flüssigen oder gasförmigen Schichtlage im Schichtsystem enthalten sind.
  • Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform kann in dem Schichtsystem als erste (Aufwachs)-Schichtlage eine Schichtlage mit besonders günstigen Aufwachs- bzw. Haftbedingungen vorgesehen werden. Des Weiteren kann vorteilhaft als äußerste, oberste Schichtlage des Schichtstapels eine Schutzschicht mit besonders guter Schutzwirkung gegenüber Umwelteinflüssen gewählt werden.
  • Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform kann im Betrieb des optischen Systems eine Strömbewegung in der flüssigen oder gasförmigen Schichtlage herbeigeführt bzw. aufrechterhalten werden, wodurch einer unerwünschte Erwärmung des jeweils angrenzenden optischen Elementes (Linse oder Spiegel) entgegengewirkt werden kann.
  • Das erfindungsgemäße Konzept lässt sich gleichermaßen sowohl in der Beleuchtungseinrichtung als auch im Projektionsobjektiv realisieren.
  • Die Erfindung betrifft ferner ein optisches Element, ein Verfahren zum Modifizieren der Abbildungseigenschaften in einem optischen System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, ein Verfahren zur mikrolithographischen Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente sowie ein mikrostrukturiertes Bauelement.
  • Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind der Beschreibung sowie den Unteransprüchen zu entnehmen.
  • Die Erfindung wird nachstehend anhand von in den beigefügten Abbildungen dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert.
  • Es zeigen:
  • 1 eine schematische Darstellung des Aufbaus eines erfindungsgemäßen Schichtsystems gemäß einer ersten Ausführungsform;
  • 2 eine schematische Darstellung des Aufbaus eines erfindungsgemäßen Schichtsystems gemäß einer weiteren Ausführungsform;
  • 3 eine schematische Darstellung des Aufbaus einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage;
  • 4–5 konkrete Beispiele vollständiger, katadioptrischer Projektionsobjektive im Meridional-Gesamtschnitt, in welchen ein erfindungsgemäßes Schichtsystem realisierbar ist;
  • 6a–b für ein konkretes Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Schichtsystems die berechnete Inzidenzwinkelabhängigkeit der Reflexion (6a) bzw. der Reflexionsaufspaltung (6b) für unterschiedliche Dickenreduzierungen einer flüssigen Schichtlage; und
  • 7 ein Diagramm zum Vergleich der Reflexionsgrade sowie Reflexionsaufspaltung, welche in unterschiedlichen Schichtsystemen mit einer Wasserschicht bzw. mit einer Luftschicht erreichbar sind.
  • 1 zeigt eine schematische Darstellung des Aufbaus eines erfindungsgemäßen Schichtsystems gemäß einer ersten Ausführungsform.
  • In dieser Ausführungsform wird das erfindungsgemäße Konzept auf einem Konkavspiegel 110 realisiert, wobei auf der Rückseite des Spiegels bzw. dessen Substrats einzelne Aktuatoren 105a, 105b, 105c, ... angeordnet sind, welche unabhängig voneinander betätigbar sind.
  • In 1 folgen ausgehend von dem Konkavspiegel 110 in Richtung nach links einzelne Schichtlagen 121 bis 126 eines Schichtsystems 120, wobei die Schichtlage 123 hier die erfindungsgemäße flüssige Schichtlage 123 bildet. Die an diese flüssige Schichtlage 123 angrenzenden Schichtlagen 122 bzw. 124 können erforderlichenfalls zusätzlich an der Grenzfläche mit einer Membran oder auch mit einer Glasplatte geringer Dicke überzogen sein.
  • Selbstverständlich ist die Erfindung nicht auf einen Konkavspiegel beschränkt, so dass stattdessen auch ein Planspiegel für die Anordnung der Schichtlagen an diesem Planspiegel verwendet werden kann. Entsprechende geeignete Planspiegel stehen sowohl in der Beleuchtungseinrichtung als auch in diversen Designs von Projektionsobjektiven, beispielsweise bei dem unter Bezugnahme auf 5 noch detaillierter beschriebenen RCR-Design, zur Verfügung.
  • Die Aktuatoren 105a, 105b, 105c, ... bilden in ihrer Gesamtheit somit einen Manipulator zur Manipulation des Dickenprofils der flüssigen Schichtlage 123 und können beispielsweise als Piezoelemente und/oder Lorentzmotoren ausgebildet sein.
  • Wie in 1 lediglich schematisch und stark übertrieben dargestellt, wird beispielsweise an der Position des Doppelpfeils P durch Drücken des entsprechenden Manipulators Flüssigkeit aus der flüssigen Schichtlage 123 verdrängt, so dass die flüssige Schichtlage 123 dort dünner wird und die Schichtwirkung des Schichtsystems 120 an dieser Stelle beeinflusst wird. Die auf der dem Konkavspiegel 110 abgewandten Seite der flüssigen Schichtlage 123 angeordneten Schichtlagen 124 und 125 bleiben dabei idealerweise in ihrer Geometrie unverändert.
  • Selbstverständlich ist die Darstellung des Schichtsystems 120 in 1 nicht maßstäblich und stark übertrieben, wobei insbesondere auch eine größere Anzahl oder eine kleinere Anzahl von Schichten vorgesehen sein kann. Typischerweise weist das Schichtsystem eine alternierende Abfolge aus Schichten aus einem ersten Schichtmaterial und Schichten aus einem zweiten Schichtmaterial auf, wobei das erste Schichtmaterial bei einer Arbeitwellenlänge des optischen Systems eine Brechzahl kleiner als die Brechzahl von Quarzglas (SiO2) und das zweite Schichtmaterial bei der Arbeitwellenlänge eine Brechzahl größer als die Brechzahl von Quarzglas (SiO2) aufweist.
  • Geeignete Schichtmaterialien der „niedrigbrechenden" Schichtlagen sind beispielsweise Chiolith (Brechzahl n = 1.38 bei λ = 193 nm) und Magnesiumfluorid (MgF2, n(193 nm) = 1.42). Geeignete Schichtmaterialien der „höher brechenden" Schichtlagen sind beispielsweise Saphir (Al2O3, n(193 nm) = 1.81) und Lanthanfluorid (LaF3, n(193 nm) = 1.70).
  • Ein konkretes Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Schichtsystems ist in Tabelle 1 angegeben. Tabelle 1:
    Schicht Nr. Dicke (nm) Material Brechzahl (193 nm) Absorptionskoeffizient (k)
    1 70.0 Aluminium (Al) 0.1127 2.20286
    2 19.3 Chiolith (Na5Al3F14) 1.384 0.00037
    3 84.0 Wasser (H2O) 1.44 0
    4 14.9 Aluminiumoxid (Al2O3) 1.811 0.0026
    5 43.0 Chiolith (Na5Al3F14) 1.384 0.00037
    6 25.1 Aluminiumoxid (Al2O3) 1.811 0.0026
  • In 6 ist für das o. g. Schichtsystem und bei Variation der Dicke der flüssigen Schichtlage aus Wasser die berechnete Inzidenzwinkelabhängigkeit der Reflexion (6a) und der Reflexionsaufspaltung (6b) dargestellt. Dabei wurde die Dicke der flüssigen Schichtlage gegenüber den nominellen Ausgangswert von 84.0 nm gemäß Tabelle 1 schrittweise reduziert, wobei in 6 für die einzelnen Kurven jeweils die Dickenreduzierung gegenüber diesem Ausgangswert angegeben ist (d. h. es erfolgte eine Dickenreduzierung um 0 nm, 14 nm, 24 nm, 34 nm, 44 nm und 54 nm). Es zeigt sich eine empfindliche Abhängigkeit der Kurven von der Dicke der Flüssigkeitsschicht, welche somit je nach dem gewünschten Effekt geeignet gewählt werden kann.
  • Die Erfindung ist hinsichtlich der in ihrem Dickenprofil manipulierbaren („durchstimmbaren") Schichtlage nicht auf ein flüssiges Medium wie etwa Wasser beschränkt, sondern es kann stattdessen auch ein gasförmiges Medium zum Einsatz kommen, wie z. B. Luft oder ein anderes Gas, wobei es sich bei diesem Gas im Falle der Anwendung der Erfindung in einem Projektionsobjektiv insbesondere auch um ein in dem Projektionsobjektiv verwendetes Spülgas (z. B. ein chemisch inertes Gas wie Stickstoff (N2), Argon (Ar), Helium (He) oder Mischungen hiervon) handeln kann. Die Verwendung eines gasförmigen Mediums wie Luft anstelle eines flüssigen Mediums kann vor allem hinsichtlich der Lebensdauer der angrenzenden optischen Komponenten bzw. Schichtlagen vorteilhaft sein. Ausführungsbeispiele für Schichtsysteme mit einer solchen gasförmigen Schichtlage sind im Folgenden in Tabelle 2 und 3 angegeben, bei denen jeweils anstelle einer Wasserschicht eine Luftschicht vorgesehen ist. Tabelle 2 (= Beispiel L1 in Fig. 7):
    Schicht Nr. Dicke (nm) Material Brechzahl (193 nm) Absorptionskoeffizient (k)
    1 70.0 Aluminium (Al) 0.1127 2.20286
    2 24.4 Chiolith (Na5Al3F14) 1.384 0.00037
    3 25.8 Aluminiumoxid (Al2O3) 1.811 0.0026
    4 40.8 Chiolith (Na5Al3F14) 1.384 0.00037
    5 25.8 Aluminiumoxid (Al2O3) 1.811 0.0026
    6 60.3 Luft 1 0
    7 24.8 Aluminiumoxid (Al2O3) 1.811 0.0026
    8 39.5 Chiolith (Na5Al3F14) 1.384 0.00037
    9 23.1 Aluminiumoxid (Al2O3) 1.811 0.0026
    10 44.5 Chiolith (Na5Al3F14) 1.384 0.00037
    Tabelle 3 (= Beispiel L2 in Fig. 7):
    Schicht Nr. Dicke (nm) Material Brechzahl (193 nm) Absorptionskoeffizient (k)
    1 70.0 Aluminium (Al) 0.1127 2.20286
    2 25.5 Chiolith (Na5Al3F14) 1.384 0.00037
    3 25.5 Aluminiumoxid (Al2O3) 1.811 0.0026
    4 39.9 Chiolith (Na5Al3F14) 1.384 0.00037
    5 24.8 Aluminiumoxid (Al2O3) 1.811 0.0026
    6 51.1 Luft 1 0
  • Das die Schichtlage aus Luft enthaltende Schichtsystem gemäß Tabelle 2 lässt sich so realisieren, dass die Schichtlagen Nr. 1–5 übereinander auf einem Quarzsubstrat aufgedampft werden, die Schichtlagen 7–10 analog auf einem anderen Quarzsubstrat aufge dampft werden, und dann die beiden so gebildeten Teil-Schichtsysteme in dem Abstand entsprechend der auszubildenden Luftschicht zueinander angeordnet werden. Bei dem Schichtsystem gemäß Tabelle 3 grenzt, im Unterschied zu dem Beispiel von Tabelle 2, die „durchstimmbare" Luftschicht direkt an ein Quarzsubstrat an, so dass – anders als bei dem Beispiel von Tabelle 2 – nur ein Substrat beschichtet werden muss.
  • Selbstverständlich ist die Erfindung nicht auf Quarz oder Quarzglas als an das erfindungsgemäße Schichtsystem angrenzendes Material beschränkt, so dass stattdessen auch andere geeignete Linsenmaterialien wie z. B. Kalziumfluorid (CaF2), Granate, insbesondere Lutetiumaluminiumgranat (Lu3Al5O12) und Yttriumaluminiumgranat (Y3Al5O12), oder Spinell, insbesondere Magnesiumspinell (MgAl2O4) als an das erfindungsgemäße Schichtsystem angrenzende Materialien vorgesehen sein können.
  • Bei den nachfolgenden Schichtsystemen gemäß Tabelle 4 und 5 handelt es sich um weitere Ausführungsbeispiele von Schichtsystemen mit einer Flüssigkeitsschicht aus Wasser, welche ansonsten jeweils einen zu Tabelle 2 bzw. 3 analogen Aufbau aufweisen. Wie aus 7 ersichtlich ist, lassen sich bei Verwendung von Luft anstelle von Wasser höhere Werte des Reflexionsgrades erreichen, was auf die im Falle von Luft größere Brechzahldifferenz zur angrenzenden Schichtlage zurückgeführt werden kann. Ebenfalls in 7 dargestellt (und auf der rechten vertikalen Achse in 7 aufgetragen) ist der Wert (Rs – Rp)/(Rs + Rp) für die Schichtsysteme von Tabelle 2–5. Tabelle 4 (= Beispiel W1 in Fig. 7):
    Schicht Nr. Dicke (nm) Material Brechzahl (193 nm) Absorptionskoeffizient (k)
    1 70.0 Aluminium (Al) 0.1127 2.20286
    2 25.6 Chiolith (Na5Al3F14) 1.384 0.00037
    3 25.5 Aluminiumoxid (Al2O3) 1.811 0.0026
    4 39.7 Chiolith (Na5Al3F14) 1.384 0.00037
    5 24.8 Aluminiumoxid (Al2O3) 1.811 0.0026
    6 41.5 Wasser (H2O) 1.44 0
    7 22.6 Aluminiumoxid (Al2O3) 1.811 0.0026
    8 42.7 Chiolith (Na5Al3F14) 1.384 0.00037
    9 23.0 Aluminiumoxid (Al2O3) 1.811 0.0026
    10 32.1 Chiolith (Na5Al3F14) 1.384 0.00037
    Tabelle 5 (= Beispiel W2 in Fig. 7):
    Schicht Nr. Dicke (nm) Material Brechzahl (193 nm) Absorptionskoeffizient (k)
    1 70.0 Aluminium (Al) 0.1127 2.20286
    2 25.6 Chiolith (Na5Al3F14) 1.384 0.00037
    3 25.4 Aluminiumoxid (Al2O3) 1.811 0.0026
    4 39.9 Chiolith (Na5Al3F14) 1.384 0.00037
    5 24.6 Aluminiumoxid (Al2O3) 1.811 0.0026
    6 34.5 Wasser (H2O) 1.44 0
  • 2 zeigt eine schematische Darstellung des Aufbaus eines erfindungsgemäßen Schichtsystems gemäß einer weiteren Ausführungs form, wobei auch diese Darstellung nicht maßstäblich und hinsichtlich stark übertrieben ist.
  • Gemäß 2 sind ein sogenanntes bidirektionales aktives Linsenelement (= „BALE") 210, eine erfindungsgemäße Schichtlage 220 oder ein Interferenzschichtsystem mit einer erfindungsgemäßen flüssigen oder gasförmigen Schichtlage und eine weitere, unabhängig von dem Linsenelement 210 gefassten Linse 230 bündig aneinander liegend angeordnet. Das bidirektionale aktive Linsenelement 210 wird ortsaufgelöst über randseitig angeordnete Aktuatoren in grundsätzlich bekannter Weise in seiner Dicke manipuliert, wodurch wiederum eine gezielte Manipulation der Dickenverteilung der Schichtlage 220 erzielt wird. In einer alternativen Ausgestaltung kann die Schichtlage 220 auch zwischen zwei jeweils in ihren Dicken manipulierbaren Linsenelementen angeordnet sein.
  • Selbstverständlich ist die Erfindung nicht auf gekrümmte Linsenflächen beschränkt, so dass stattdessen auch Planplatten für die Anordnung der erfindungsgemäßen Schichtlage verwendet werden können.
  • 3 zeigt in lediglich schematischer Darstellung den prinzipiellen Aufbau einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. Dabei lässt sich das erfindungsgemäße Konzept gleichermaßen sowohl in der Beleuchtungseinrichtung als auch im Projektionsobjektiv realisieren.
  • Die mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage weist eine Beleuchtungseinrichtung 301 und ein Projektionsobjektiv 302 auf. Die Beleuchtungseinrichtung 301 dient zur Beleuchtung einer Struktur tragenden Maske (Retikel) 303 mit Licht von einer Lichtquelleneinheit 304, welche beispielsweise einen ArF-Laser für eine Arbeitswellenlänge von 193 nm sowie eine ein paralleles Lichtbündel erzeugende Strahlformungsoptik umfasst. Das parallele Lichtbüschel der Lichtquelleneinheit 304 trifft zunächst auf ein diffraktives optisches Element 305 (auch als „pupil defining element" bezeichnet), welches über eine durch die jeweilige beugende Oberflächenstruktur definierte Winkelabstrahlcharakteristik in einer Pupillenebene P1 eine gewünschte Intensitätsverteilung (z. B. Dipol- oder Quadrupolverteilung) erzeugt. In Licht ausbreitungsrichtung nach dem diffraktiven optischen Element 305 befindet sich eine optische Einheit 306, welche ein ein paralleles Lichtbündel mit variablem Durchmesser erzeugendes Zoom-Objektiv sowie ein Axikon aufweist. Mittels des Zoom-Objektives in Verbindung mit dem vorgeschalteten diffraktiven optischen Element 305 werden in der Pupillenebene P1 je nach Zoom-Stellung und Position der Axikon-Elemente unterschiedliche Beleuchtungskonfigurationen erzeugt. Die optische Einheit 306 umfasst im dargestellten Beispiel ferner einen Umlenkspiegel 307. In Lichtausbreitungsrichtung nach der Pupillenebene P1 befindet sich im Strahlengang eine Lichtmischeinrichtung 308, welche z. B. in für sich bekannter Weise eine zur Erzielung einer Lichtmischung geeignete Anordnung aus mikrooptischen Elementen aufweisen kann. Auf die Lichtmischeinrichtung 308 folgt im Lichtausbreitungsrichtung eine Linsengruppe 309, hinter welcher sich eine Feldebene F1 mit einem Retikel-Maskierungssystem (REMA) befindet, welches durch ein in Lichtausbreitungsrichtung nachfolgendes RE-MA-Objektiv 310 auf die Struktur tragende, in der Feldebene F2 angeordnete Maske (Retikel) 303 abgebildet wird und dadurch den ausgeleuchteten Bereich auf dem Retikel begrenzt. Die Struktur tragende Maske 303 wird mit dem Projektionsobjektiv 302, welches im dargestellten Beispiel zwei Pupillenebenen PP1 und PP2 aufweist, auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht versehenes Substrat 311 bzw. einen Wafer abgebildet.
  • In der Beleuchtungseinrichtung 301 und/oder dem Projektionsobjektiv 302 können eine oder mehrere erfindungsgemäße Schichtsysteme, z. B. jeweils in Nähe einer Pupillenebene und/oder einer Feldebene der Beleuchtungseinrichtung 301 und/oder des Projektionsobjektivs 302, eingesetzt sein. Je nach dem gewünschten Effekt kann das erfindungsgemäße Schichtsystem sowohl feldnah, pupillennah als auch intermediär eingesetzt werden. So ist etwa im Falle der vorzunehmenden Korrektur einer Störung der Intensitäts- und/oder Polarisationsverteilung die Korrekturwirkung des Schichtsystems in der Regel umso besser, je besser die betreffende Positionierung des als Korrekturelement eingesetzten Schichtsystems in seiner feld-, pupillennahen oder intermediären Anordnung (also etwa hinsichtlich des Subaperturverhältnisses) mit der entsprechenden Lokalisierung der zu korrigierenden Störung übereinstimmt. Idealerweise kann die Anordnung des Schichtsystems in Abhängigkeit von dem zu erwartendem Ort des zu korrigierenden Fehlers bereits im Design des optischen Systems berücksichtigt werden.
  • Gemäß 4 ist ein konkretes Projektionsobjektiv 400 im Meridionalschnitt dargestellt. Die Designdaten dieses Projektionsobjektivs 400 sind in Tabelle 6 aufgeführt. Dabei ist in Spalte 1 die Nummer der jeweiligen brechenden oder in anderer Weise ausgezeichneten optischen Fläche, in Spalte 2 der Radius dieser Fläche (in mm), in Spalte 3 ggf. ein Hinweis auf eine an dieser Fläche vorhandene Asphäre, in Spalte 4 der als Dicke bezeichnete Abstand dieser Fläche zur nachfolgenden Fläche (in mm), in Spalte 5 das auf die jeweilige Fläche folgende Material und in Spalte 6 der optisch nutzbare freie Halbdurchmesser (in mm) der optischen Komponente angegeben.
  • Die asphärischen Konstanten ergeben sich aus Tabelle 7. Die in 4 mit dicken Punkten gekennzeichneten und in Tabelle 6 und 7 spezifizierten Flächen sind asphärisch gekrümmt, wobei die Krümmung dieser Flächen durch die nachfolgende Asphärenformel gegeben ist:
    Figure 00190001
  • Dabei sind P die Pfeilhöhe der betreffenden Fläche parallel zur optischen Achse, h der radiale Abstand von der optischen Achse, r der Krümmungsradius der betreffenden Fläche, cc die (in Tabelle 7 mit K bezeichnete) konische Konstante und C1, C2, ... die in Tabelle 7 aufgeführten Asphärenkonstanten.
  • Gemäß 4 weist das Projektionsobjektiv 400 in einem katadioptrischen Aufbau ein erstes optisches Teilsystem 410, ein zweites optisches Teilsystem 420 und ein drittes optisches Teilsystem 430 auf. Dabei ist unter einem „Teilsystem" stets eine solche Anordnung optischer Elemente zu verstehen, durch die ein reales Objekt in ein reales Bild oder Zwischenbild abgebildet wird. Mit anderen Worten umfasst jedes Teilsystem, ausgehend von einer bestimmten Objekt- oder Zwischenbildebene, stets sämtliche optischen Elemente bis zum nächsten realen Bild oder Zwischenbild.
  • Das erste optische Teilsystem 410 umfasst eine Anordnung von refraktiven Linsen 411–417 und bildet die Objektebene "OP" in ein erstes Zwischenbild IMI1 ab, dessen ungefähre Lage in 4 durch einen Pfeil angedeutet ist. Dieses erste Zwischenbild IMI1 wird durch das zweite optische Teilsystem 420 in ein zweites Zwischenbild IMI2 abgebildet, dessen ungefähre Lage in 4 ebenfalls durch einen Pfeil angedeutet ist. Das zweite optische Teilsystem 420 umfasst einen ersten Konkavspiegel 421 und einen zweiten Konkavspiegel 422, welche jeweils in zur optischen Achse senkrechter Richtung so „abgeschnitten" sind, dass eine Licht ausbreitung jeweils von den reflektierenden Flächen der Konkavspiegel 421, 422 bis hin zur Bildebene „IP" erfolgen kann. Das zweite Zwischenbild IMI2 wird durch das dritte optische Teilsystem 430 in die Bildebene IP abgebildet. Das dritte optische Teilsystem 430 umfasst eine Anordnung von refraktiven Linsen 431–443.
  • Ein erfindungsgemäßes Schichtsystem kann bei dem Projektionsobjektiv 400 von 4 beispielsweise auf einem der Konkavspiegel 421 oder 422 oder auch auf beiden Konkavspiegeln 421 und 422 etwa mit dem in 1 dargestellten Aufbau angeordnet sein.
  • 5 zeigt ein weiteres konkretes, vollständiges Projektionsobjektiv 500 im Meridionalschnitt, welches in WO 2004/019128 A2 (siehe dort 19 und Tabelle 9, 10) offenbart ist. Das Projektionsobjektiv 500 umfasst ein erstes refraktives Teilsystem 510, ein zweites katadioptrisches Teilsystem 530 und ein drittes refraktives Teilsystem 540 und wird daher auch als „RCR-System" bezeichnet. Das erste refraktive Teilsystem 510 umfasst refraktive Linsen 511 bis 520, nach denen im Strahlengang ein erstes Zwischenbild IMI1 erzeugt wird. Das zweite Teilsystem 530 umfasst einen Doppelfaltspiegel mit zwei in einem Winkel zueinander angeordneten Spiegelflächen 531 und 532, wobei von dem ersten Teilsystem 510 eintreffendes Licht zunächst an der Spiegelfläche 531 in Richtung zu Linsen 533 und 534 und einem nachfolgenden Konkavspiegel 535 reflektiert wird. Der Konkavspiegel 535 ermöglicht in für sich bekannter Weise eine effektive Kompensation der durch die Teilsysteme 510 und 540 erzeugten Bildfeldkrümmung. Das an dem Konkavspiegel 535 reflektierte Licht wird nach erneuter Durchquerung der Linsen 534 und 533 an der zweiten Spiegelfläche 532 des Doppelfaltspiegels reflektiert, so dass die optische Achse OA im Ergebnis zweimal um 90° gefaltet wird. Das zweite Teilsystem 530 erzeugt ein zweites Zwischenbild IMI2, und das von diesem ausgehende Licht trifft auf das dritte, refraktive Teilsystem 540, welches refraktive Linsen 541 bis 555 umfasst. Durch das dritte, refraktive Teilsystem 540 wird das zweite Zwischenbild IMI2 auf die Bildebene IP abgebildet.
  • Ein erfindungsgemäßes Schichtsystem kann bei dem Projektionsobjektiv 500 von 5 beispielsweise auf dem Konkavspiegel 535 und/oder auf der bzw. den planen Spiegelfläche(n) 531 und/oder 532, wiederum z. B. mit dem in 1 dargestellten Aufbau, angeordnet sein. Tabelle 6 (DESIGNDATEN zu Fig. 4):
    Fläche Radius Asphäre Dicke Material Halbdurchmesser
    1 0.000000 –0.011620 LV193975 75.462
    2 585.070331 AS 17.118596 SIO2V 76.447
    3 –766.901651 0.890161 HEV19397 78.252
    4 145.560665 45.675278 SIO2V 85.645
    5 2818.543789 AS 40.269525 HEV19397 83.237
    6 469.396236 29.972759 SIO2V 75.894
    7 –193.297708 AS 21.997025 HEV19397 73.717
    8 222.509238 27.666963 SIO2V 57.818
    9 –274.231957 31.483375 HEV19397 52.595
    10 0.000000 10.117766 SIO2V 44.115
    11 0.000000 15.361487 HEV19397 47.050
    12 26971.109897 AS 14.803554 SIO2V 54.127
    13 –562.070426 45.416373 HEV19397 58.058
    14 –510.104298 AS 35.926312 SIO2V 76.585
    15 –118.683707 36.432152 HEV19397 80.636
    16 0.000000 199.241665 HEV19397 86.561
    17 –181.080772 AS –199.241665 REFL 147.684
    18 153.434246 AS 199.241665 REFL 102.596
    19 0.000000 36.432584 HEV19397 105.850
    20 408.244008 54.279598 SIO2V 118.053
    21 –296.362521 34.669451 HEV19397 118.398
    22 –1378.452784 22.782283 SIO2V 106.566
    23 –533.252331 AS 0.892985 HEV19397 105.292
    24 247.380841 9.992727 SIO2V 92.481
    25 103.088603 45.957039 HEV19397 80.536
    26 –1832.351074 9.992069 SIO2V 80.563
    27 151.452362 28.883857 HEV19397 81.238
    28 693.739003 11.559320 SIO2V 86.714
    29 303.301679 15.104783 HEV19397 91.779
    30 1016.426625 30.905849 SIO2V 95.900
    31 –258.080954 AS 10.647394 HEV19397 99.790
    32 –1386.614747 AS 24.903261 SIO2V 108.140
    33 –305.810572 14.249112 HEV19397 112.465
    34 –11755.656826 AS 32.472684 SIO2V 124.075
    35 –359.229865 16.650084 HEV19397 126.831
    36 1581.896158 51.095339 SIO2V 135.151
    37 –290.829022 –5.686977 HEV19397 136.116
    38 0.000000 0.000000 HEV19397 131.224
    39 0.000000 28.354383 HEV19397 131.224
    40 524.037274 AS 45.835992 SIO2V 130.144
    41 –348.286331 0.878010 HEV19397 129.553
    42 184.730622 45.614622 SIO2V 108.838
    43 2501.302312 AS 0.854125 HEV19397 103.388
    44 89.832394 38.416586 SIO2V 73.676
    45 209.429378 0.697559 HEV19397 63.921
    46 83.525032 37.916651 CAF2V193 50.040
    47 0.000000 0.300000 SIO2V 21.480
    48 0.000000 0.000000 SIO2V 21.116
    49 0.000000 3.000000 H2OV1936 21.116
    50 0.000000 0.000000 AIR 16.500
    Tabelle 7 (ASPÄRISCHE KONSTANTEN zu Fig. 4):
    2 5 7 12 14
    K 0 0 0 0 0
    C1 –5.72E-02 –4.71E-02 1.75E-01 –8.29E-02 –4.35E-02
    C2 –2.97E-07 7.04E-06 –1.17E-05 –1.87E-07 1.59E-06
    C3 1.03E-12 1.09E-10 1.34E-09 –7.04E-10 –6.81E-11
    C4 2.76E-14 –2.90E-14 –5.44E-14 6.65E-14 5.03E-15
    C5 –1.51E-18 –1.55E-21 –1.82E-18 –1.33E-17 –1.68E-23
    C6 –1.04E-24 5.61E-23 2.56E-22 2.46E-21 –2.36E-23
    C7 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00
    C8 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00
    C9 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00
    17 18 23 31 32
    K –197.849 –204.054 0 0 0
    C1 –2.94E-02 5.77E-02 –7.06E-02 3.41E-02 –4.85E-02
    C2 2.63E-07 –5.00E-07 4.11E-06 4.07E-08 9.88E-07
    C3 –6.11E-12 2.67E-11 –1.18E-10 8.10E-11 7.37E-11
    C4 1.11E-16 –5.69E-16 2.92E-15 –4.34E-15 –6.56E-15
    C5 –2.01E-21 1.89E-20 –3.23E-20 7.59E-19 6.53E-19
    C6 2.08E-26 –1.49E-25 2.18E-25 –3.41E-23 –2.88E-23
    C7 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00
    C8 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00
    C9 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00
    34 40 43
    K 0 0 0
    Cl 1.59E-02 –4.10E-02 –3.89E-02
    C2 –1.51E-06 3.04E-07 4.76E-06
    C3 6.62E-13 5.71E-11 –2.23E-10
    C4 1.72E-15 –1.72E-15 8.89E-15
    C5 –9.36E-20 –9.60E-22 –2.41E-19
    C6 2.36E-24 3.81E-25 3.43E-24
    C7 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00
    C8 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00
    C9 0.000000e+00 0.000000e+00 0.000000e+00
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - WO 2007/017089 A1 [0005]
    • - WO 2005/119369 A1 [0006]
    • - WO 98/14804 [0007]
    • - US 2006/0221456 A1 [0023]
    • - WO 2004/019128 A2 [0064]

Claims (22)

  1. Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, mit – wenigstens einem Schichtsystem (120, 200), welches zumindest einseitig von einer Linse oder einem Spiegel begrenzt wird; – wobei das Schichtsystem (120, 200) ein aus mehreren Schichten aufgebautes Interferenzschichtsystem ist und wenigstens eine flüssige oder gasförmige Schichtlage (123, 220) aufweist, deren maximale Dicke maximal 1 Mikrometer (μm) beträgt; und – einem Manipulator (105) zur Manipulation des Dickenprofils dieser Schichtlage (123, 220).
  2. Optisches System nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die maximale Dicke der flüssigen oder gasförmigen Schichtlage (123, 220) maximal 500 nm beträgt.
  3. Optisches System nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die maximale Dicke der flüssigen oder gasförmigen Schichtlage (123, 220) maximal die Hälfte einer Arbeitswellenlänge des optischen Systems beträgt.
  4. Optisches System nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die maximale Dicke der flüssigen oder gasförmigen Schichtlage im Bereich von 10 bis 100 nm, bevorzugt im Bereich von 30 bis 100 nm, noch bevorzugter im Bereich von 50 bis 100 nm liegt.
  5. Optisches System nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Manipulation des Dickenprofils der flüssigen oder gasförmigen Schichtlage (123, 220) in Abhän gigkeit von einem in einer vorbestimmten Ebene des optischen Systems aktuell gemessenen Intensitätsverlauf einstellbar ist.
  6. Optisches System nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Manipulation des Dickenprofils der flüssigen oder gasförmigen Schichtlage (123, 220) in Abhängigkeit von einer in einer vorbestimmten Ebene des optischen Systems aktuell gemessenen Polarisationsverteilung einstellbar ist.
  7. Optisches System nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Schichtlage (123, 220) Wasser aufweist.
  8. Optisches System nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Schichtlage (123, 220) Luft, Stickstoff (N2), Argon (Ar), Helium (He) oder Mischungen hiervon aufweist.
  9. Optisches System nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass das Schichtsystem (120) zumindest einseitig von einem Spiegel begrenzt wird und der Manipulator (105) eine auf einer nicht optisch wirksamen Fläche des Spiegels vorgesehene Anordnung von Aktuatoren (105a, 105b, 105c, ...) aufweist.
  10. Optisches System nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass das Schichtsystem (200) zumindest einseitig von einer Linse begrenzt wird und der Manipulator eine Anordnung von am Rand der Linse vorgesehenen Aktuatoren aufweist.
  11. Optisches System nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass das Schichtsystem zwischen zwei Linsen (210, 230) an geordnet ist, wobei wenigstens eine Linse (210) dieser zwei Linsen (210, 230) aktiv deformierbar ist.
  12. Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mittels Variation des Dickenprofils der flüssigen oder gasförmigen Schichtlage (123, 220) für wenigstens eine optisch nutzbare Einfallsrichtung von durch das Schichtsystem hindurchtretendem Licht eine Änderung des Reflexionsvermögens des Schichtsystems (120, 200) von mindestens 0.1%, vorzugsweise wenigstens 1%, einstellbar ist.
  13. Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mittels Variation des Dickenprofils der flüssigen oder gasförmigen Schichtlage (123, 220) für wenigstens eine optisch nutzbare Einfallsrichtung von durch das Schichtsystem (120, 200) hindurchtretendem Licht eine Änderung der Transmissionsaufspaltung des Schichtsystems (120, 200) von mindestens 0.1%, vorzugsweise wenigstens 1%, einstellbar ist.
  14. Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mittels Variation des Dickenprofils der flüssigen oder gasförmigen Schichtlage (123, 220) für wenigstens eine optisch nutzbare Einfallsrichtung von durch das Schichtsystem (120, 200) hindurchtretendem Licht eine Änderung der Doppelbrechung des Schichtsystems (120, 200) von mindestens 0.1°, vorzugsweise wenigstens 1°, einstellbar ist.
  15. Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mittels Variation des Dickenprofils der flüssigen oder gasförmigen Schichtlage (123, 220) für wenigstens eine optisch nutzbare Einfallsrichtung von durch das Schichtsystem (120, 200) hindurchtretendem Licht eine Änderung des Absorptionsvermögens der Schichtlage von mindestens k = 0.001/cm, vorzugsweise wenigstens k = 0.01/cm, einstellbar ist.
  16. Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass im Betrieb des optischen Systems eine Strömbewegung in der flüssigen oder gasförmigen Schichtlage (123, 220) herbeigeführt bzw. aufrechterhalten werden kann.
  17. Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Schichtsystem (120) eine alternierende Abfolge aus Schichten aus einem ersten Schichtmaterial und Schichten aus einem zweiten Schichtmaterial aufweist, wobei das erste Schichtmaterial bei einer Arbeitwellenlänge des optischen Systems eine Brechzahl kleiner als die Brechzahl von Quarzglas (SiO2) und das zweite Schichtmaterial bei der Arbeitwellenlänge eine Brechzahl größer als die Brechzahl von Quarzglas (SiO2) aufweist.
  18. Optisches Element, insbesondere für ein optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das optische Element ein Schichtsystem (120, 200) aufweist, welches zumindest einseitig von einer Linse oder einem Spiegel begrenzt wird, wobei das Schichtsystem (120, 200) ein aus mehreren Schichten aufgebautes Interferenzschichtsystem ist und wenigstens eine flüssige oder gasförmige Schichtlage (123, 220) aufweist, wobei die maximale Dicke dieser Schichtlage (123, 220) maximal 1 Mikrometer (μm) beträgt, und wobei das Dickenprofil der Schichtlage (123, 220) manipulierbar ist.
  19. Verfahren zum Modifizieren der Abbildungseigenschaften in einem optischen System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, wobei das optische System ein Schichtsystem (120, 200) aufweist, welches ein aus mehreren Schichten aufgebautes Interferenzschichtsystem ist und wenigstens eine flüssige oder gasförmige Schichtlage (123, 220) aufweist, wobei die maximale Dicke dieser Schichtlage (123, 220) maximal 1 Mikrometer (μm) beträgt, und wobei das Modifizieren durch Manipulation des Dickenprofils dieser Schichtlage (123, 220) erfolgt.
  20. Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage mit einer Beleuchtungseinrichtung (301) und einem Projektionsobjektiv (302, 400, 400), wobei die Beleuchtungseinrichtung (301) und/oder das Projektionsobjektiv (302, 400, 400) als optisches System nach einem der Ansprüche 1 bis 17 ausgebildet sind oder ein optisches System nach Anspruch 18 aufweisen.
  21. Verfahren zur mikrolithographischen Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente mit folgenden Schritten: – Bereitstellen eines Substrats (311), auf das zumindest teilweise eine Schicht aus einem lichtempfindlichen Material aufgebracht ist; – Bereitstellen einer Maske (303), die abzubildende Strukturen aufweist; – Bereitstellen einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 20; und – Projizieren wenigstens eines Teils der Maske (303) auf einen Bereich der Schicht mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage.
  22. Mikrostrukturiertes Bauelement, das nach einem Verfahren gemäß Anspruch 21 hergestellt ist.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014209160A1 (de) * 2014-05-14 2015-11-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Modul
WO2017092995A1 (de) 2015-12-02 2017-06-08 Zeiss Smt Gmbh Carl Optisches system einer mikrolithographischen projektionsbelichtungsanlage oder einer waferinspektionsanlage
US10025200B2 (en) 2014-05-14 2018-07-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Optimum arrangement of actuator and sensor points on an optical element

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2219077A1 (de) 2009-02-12 2010-08-18 Carl Zeiss SMT AG Projektionsbelichtungsverfahren, Projektionsbelichtungssystem und Projektionsobjektiv
US9298102B2 (en) 2013-03-13 2016-03-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection lens with wavefront manipulator
DE102013204391B3 (de) 2013-03-13 2014-05-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsobjektiv mit Wellenfrontmanipulator
US9651872B2 (en) 2013-03-13 2017-05-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection lens with wavefront manipulator
DE102013205567A1 (de) 2013-03-28 2014-03-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage mit einem variablen Transmissionsfilter
DE102013205568A1 (de) 2013-03-28 2014-03-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage mit einem variablen Transmissionsfilter
JP6339658B2 (ja) * 2013-03-28 2018-06-06 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 可変透過フィルタを有する対物系を含むマイクロリソグラフィ装置
DE102013206528B4 (de) 2013-04-12 2014-11-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Mikrolithographische projektionsbelichtungsanlage mit einem variablen transmissionsfilter
DE102013208129B4 (de) 2013-05-03 2014-11-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage mit einem variablen Transmissionsfilter
WO2015007298A1 (en) 2013-07-17 2015-01-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Microlithographic apparatus and method of varying a light irradiance distribution

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998014804A1 (en) 1996-10-03 1998-04-09 Valtion Teknillinen Tutkimuskeskus Electrically adjustable optical filter
WO2004019128A2 (en) 2002-08-23 2004-03-04 Nikon Corporation Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
WO2005119369A1 (en) 2004-06-04 2005-12-15 Carl Zeiss Smt Ag Projection system with compensation of intensity variatons and compensation element therefor
US20060221456A1 (en) 2003-12-15 2006-10-05 Shafer David R Objectives as a microlithography projection objective with at least one liquid lens
WO2007017089A1 (en) 2005-07-25 2007-02-15 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective of a microlithographic projection exposure apparatus

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4991962A (en) * 1989-01-04 1991-02-12 Kantilal Jain High precision alignment system for microlithography
US4998017A (en) * 1989-05-01 1991-03-05 Ryan Fredrick M Method and arrangement for measuring the optical absorptions of gaseous mixtures
DE4003841A1 (de) 1990-02-08 1991-08-14 Lambda Physik Gmbh Laserresonator
DE4408712C2 (de) * 1994-03-15 1998-01-15 Dornier Gmbh Doppelscheibe aus Glas oder Kunststoff mit steuerbarem Reflexionsgrad
TW358167B (en) * 1996-03-25 1999-05-11 Corning Inc Method of forming a grating in an optical waveguide
US6590710B2 (en) * 2000-02-18 2003-07-08 Yokogawa Electric Corporation Fabry-Perot filter, wavelength-selective infrared detector and infrared gas analyzer using the filter and detector
JP2002174721A (ja) * 2000-12-06 2002-06-21 Yokogawa Electric Corp ファブリペローフィルタ
TW523791B (en) * 2000-09-01 2003-03-11 Semiconductor Energy Lab Method of processing beam, laser irradiation apparatus, and method of manufacturing semiconductor device
JP4166036B2 (ja) * 2002-05-21 2008-10-15 富士通株式会社 透過波長特性可変の光学素子、並びに、それを用いた波長特性可変装置、光増幅器および光伝送システム
DE60319635T2 (de) * 2002-07-09 2009-04-02 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
JP2005106855A (ja) * 2003-09-26 2005-04-21 Olympus Corp 屈曲光学系用レンズ筐体
JP5420821B2 (ja) 2004-01-14 2014-02-19 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 反射屈折投影対物レンズ
US7131740B2 (en) * 2004-03-17 2006-11-07 Olympus Corporation Optical system and optical apparatus provided with the same
JP2006053275A (ja) * 2004-08-10 2006-02-23 Olympus Corp 光学系
JP2006106329A (ja) * 2004-10-05 2006-04-20 Olympus Corp 光学装置
US7782440B2 (en) * 2004-11-18 2010-08-24 Carl Zeiss Smt Ag Projection lens system of a microlithographic projection exposure installation
JP2006309220A (ja) * 2005-04-29 2006-11-09 Carl Zeiss Smt Ag 投影対物レンズ
US20070115415A1 (en) * 2005-11-21 2007-05-24 Arthur Piehl Light absorbers and methods
US7680013B2 (en) * 2005-11-29 2010-03-16 Canon Kabushiki Kaisha Optical information recording and reproducing apparatus
US7518797B2 (en) * 2005-12-02 2009-04-14 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic exposure apparatus
US20070242358A1 (en) * 2006-04-18 2007-10-18 Xerox Corporation Fabry-perot tunable filter

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998014804A1 (en) 1996-10-03 1998-04-09 Valtion Teknillinen Tutkimuskeskus Electrically adjustable optical filter
WO2004019128A2 (en) 2002-08-23 2004-03-04 Nikon Corporation Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
US20060221456A1 (en) 2003-12-15 2006-10-05 Shafer David R Objectives as a microlithography projection objective with at least one liquid lens
WO2005119369A1 (en) 2004-06-04 2005-12-15 Carl Zeiss Smt Ag Projection system with compensation of intensity variatons and compensation element therefor
WO2007017089A1 (en) 2005-07-25 2007-02-15 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective of a microlithographic projection exposure apparatus

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014209160A1 (de) * 2014-05-14 2015-11-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Modul
US10025200B2 (en) 2014-05-14 2018-07-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Optimum arrangement of actuator and sensor points on an optical element
US10108094B2 (en) 2014-05-14 2018-10-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection exposure apparatus with near-field manipulator
WO2017092995A1 (de) 2015-12-02 2017-06-08 Zeiss Smt Gmbh Carl Optisches system einer mikrolithographischen projektionsbelichtungsanlage oder einer waferinspektionsanlage
DE102015223982A1 (de) 2015-12-02 2017-06-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage oder einer Waferinspektionsanlage
US10620542B2 (en) 2015-12-02 2020-04-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system of a microlithographic projection exposure system or of a wafer inspection system

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Publication number Publication date
JP5224218B2 (ja) 2013-07-03
US20100134891A1 (en) 2010-06-03
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WO2009013230A1 (en) 2009-01-29
US8294991B2 (en) 2012-10-23

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