JP6339658B2 - 可変透過フィルタを有する対物系を含むマイクロリソグラフィ装置 - Google Patents

可変透過フィルタを有する対物系を含むマイクロリソグラフィ装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6339658B2
JP6339658B2 JP2016504497A JP2016504497A JP6339658B2 JP 6339658 B2 JP6339658 B2 JP 6339658B2 JP 2016504497 A JP2016504497 A JP 2016504497A JP 2016504497 A JP2016504497 A JP 2016504497A JP 6339658 B2 JP6339658 B2 JP 6339658B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
light
transmission filter
ozone
projection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016504497A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2016518619A (ja
JP2016518619A5 (ja
Inventor
ホルガー ウォルター
ホルガー ウォルター
アレクサンダー ウォルフ
アレクサンダー ウォルフ
Original Assignee
カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー filed Critical カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー
Publication of JP2016518619A publication Critical patent/JP2016518619A/ja
Publication of JP2016518619A5 publication Critical patent/JP2016518619A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6339658B2 publication Critical patent/JP6339658B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70091Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/58Optics for apodization or superresolution; Optical synthetic aperture systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70258Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
    • G03F7/70266Adaptive optics, e.g. deformable optical elements for wavefront control, e.g. for aberration adjustment or correction
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70308Optical correction elements, filters or phase plates for manipulating imaging light, e.g. intensity, wavelength, polarisation, phase or image shift

Description

本発明は、一般的にマイクロリソグラフィの分野に関し、特に、投影露光装置又はマスク検査装置に使用される対物系に関する。本発明は、特に、そのような対物系内の投影光路における光照射分布を補正するか又はより一般的には変化させることに関する。
マイクロリソグラフィ(フォトリソグラフィ又は簡単にリソグラフィとも呼ばれる)は、集積回路、液晶ディスプレイ、及び他の微細構造化デバイスの製作のための技術である。マイクロリソグラフィの工程は、エッチングの工程との連携で基板、例えば、シリコンウェーハ上に形成された薄膜積層体内に特徴部をパターン化するのに使用される。製作の各層では、最初に、ウェーハが、深紫外(DUV)光、真空紫外(VUV)光、又は極紫外(EUV)光のような放射線に敏感な材料であるフォトレジストで被覆される。次いで、フォトレジストをその上に有するウェーハは、投影露光装置内でマスクを通して投影光に露光される。マスクは、フォトレジスト上に投影される回路パターンを含む。露光後に、フォトレジストが現像され、マスク内に含まれる回路パターンに対応する像が生成される。この後、エッチング工程が、回路パターンをウェーハ上の薄膜積層体内に転写する。最後に、フォトレジストが除去される。異なるマスクを使用するこの工程の繰り返しは、多層微細構造化構成要素をもたらす。
投影露光装置は、典型的に、照明系と、マスクを位置合わせするためのマスク位置合わせ台と、投影対物系と、フォトレジストで被覆されたウェーハを位置合わせするためのウェーハ位置合わせ台とを含む。照明系は、例えば、矩形スリット又は幅狭リングセグメントの形状を有することができるマスク上の視野を照明する。
現在の投影露光装置では、2つの異なるタイプの装置の間で区別を付けることができる。一方のタイプでは、ウェーハ上の各ターゲット部分は、マスクパターン全体をターゲット部分の上に一回で露光することによって照射され、そのような装置は、一般的にウェーハステッパと呼ばれる。一般的にステップアンドスキャン装置又は簡単にスキャナと呼ばれる他方のタイプの装置では、各ターゲット部分は、マスクパターンを投影光ビームの下で与えられた基準方向に次第に走査し、同時にこの方向と平行又は逆平行に基板を同期して走査することによって照射される。ウェーハの速度とマスクの速度の比は、投影レンズの倍率βに等しい。倍率に対する典型的な値は、β=±1/4である。
用語「マスク」(又はレチクル)は、広義にパターン化手段と解釈されるものとする。一般的に使用されるマスクは、不透明、透過性、又は反射性のパターンを含み、例えば、バイナリタイプ、交互位相シフトタイプ、減衰位相シフトタイプ、又は様々な混成マスクタイプのものである場合がある。
投影露光装置の開発において不可欠な目的の1つは、ウェーハ上に益々小さい寸法を有する構造をリソグラフィによって生成することができることである。小さい構造は、一般的に、そのような装置を用いて製造される微細構造化構成要素の性能に対して好ましい効果を有する高い集積密度をもたらす。更に、単一ウェーハ上により多くのデバイスを製造することができる程、生産工程のスループットはより高い。
生成することができる構造のサイズは、主として、使用されている投影対物系の分解能に依存する。投影対物系の分解能は、投影光の波長に反比例するので、分解能を高める1つの手法は、益々短い波長を有する投影光を使用することである。現在使用されている最も短い波長は、248nm、193nm、又は157nmであり、従って、深紫外又は真空紫外のスペクトル範囲にある。一方、約13nmの波長を有するEUV光を使用する装置も市場で入手可能である。将来の装置は、時に6.9nm程度まで短い波長を有するEUV光を使用することになる。
非常に高い分解能を有する投影対物系では、収差(すなわち、像誤差)の補正が益々重要になってきている。他の重要な問題は、対物系の視野及び瞳平面における望ましくない照射変動である。
像平面内の望ましくない照射変動は、CD変化、すなわち、臨界寸法の変化に直接的に変換される。瞳平面内の照射変動は、把握することがより困難である。複素瞳透過関数の振幅部分は、対物系の角度透過特性を表し、それに対して瞳透過関数の位相部分は、その収差を定める。
数学的には、結像は、2つのフーリエ変換により、すなわち、物体平面から瞳平面へ及び瞳平面から像平面へのものによって表すことができる。第2のフーリエ変換の前に、複素瞳透過分布に結像系の光学伝達関数(OTF)を乗算しなければならない。OTFは、収差を表す位相項Wと、角度照射分布が対物系による影響をどのように受けるかを表す振幅項Aとに分割することができる。一般的に、両方の項は、瞳座標(すなわち、視野レベルでの光線方向)及び視野座標の関数である。これは、光線の振幅が、一般的にこの光線が視野内で入射する位置に依存し、同じく光線の方向にも依存することを表している。類似の考察が位相にも適用される。
振幅分布を表す項Aが瞳座標内で奇対称性を有する場合に、それは、非テレセントリック性の対物系をもたらすことになる。テレセントリック性という表現は、視野平面内の点から射出するか又は点に収束する光束の平均方向を表している。非テレセントリック性の対物系では、オーバーレイが、像平面上の与えられた点に一方の側から他方の側よりも多い光が到達するのでフォーカスの関数になり、その結果、ウェーハが像平面に対して上方又は下方に移動される場合に(すなわち、露光像をデフォーカスする)、像は、実質的に水平に移動する。
振幅分布を表す項Aが、像平面上の与えられた点に到達する光照射が対称であるような偶対称性を有する場合に、これは、構造密度(ピッチ)及び向きの関数として最適露光照射量に影響を及ぼし、異なるピッチの線は、異なる露光照射量を同じサイズで印刷することを必要とする。
瞳平面内での照射分布の望ましくない変動に関連付けられた悪影響を排除するために、アポディゼーションが使用される。本明細書では、用語アポディゼーションは、フィルタを使用することによるOTFの振幅項Aの修正を一般的に表す上で使用する。当業技術では、対物系内で回折リングのエネルギを抑制するための瞳平面内での透過率の光学フィルタリングを表す上で用語アポディゼーションが使用される場合がある。
通常、瞳平面には理想照射分布があり、アポディゼーションフィルタは、実照射分布をそれが少なくともある程度理想照射分布に近づくように補正するのに使用される。しかし、この意味での補正を必要としない場合がある。例えば、非理想照射分布アポディゼーションによって引き起こされる悪影響を他の対策によって排除することができるように照射分布を変化させることが可能である場合がある。そのような対策は、取りわけ、照明系によって生成される角度光分布の修正、又は対物系内に含まれるレンズの変位又はウェーハの変位を含む。
実照射分布が変化しない場合に、固定の空間フィルタ機能、すなわち、修正することができない減衰率分布を有するアポディゼーションフィルタを使用するだけで通常は十分である。しかし、マイクロリソグラフィ投影露光装置では、多くの場合に実照射分布は少なくともある程度まで変化し、従って、アポディゼーションフィルタのフィルタ機能を変化させることができることが望ましい。
US 5,444,336は、異なる灰色フィルタを対物系の瞳平面に挿入することができるマイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物系を開示している。しかし、異なるフィルタ機能の個数は、余儀なく制限されている。
US 2006/0092396は、個々にプログラム可能な要素、例えば、LCDセルのアレイによって形成された可変アポディゼーションフィルタが対物系の瞳平面に配置されたマイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物系を開示している。アレイの要素を個々に制御することにより、アポディゼーションフィルタの減衰率分布を変化させることができる。この公知の手法の1つの欠点は、各要素によって生成される減衰率を微調節することが困難である点である。
US 2010/0134891 A1は、マイクロリソグラフィ投影露光装置の対物系のための別の可変アポディゼーションフィルタを開示している。ここでは、ミラーの反射係数を局所的に変化させるために、曲面ミラー面上に塗布された反射コーティングが離調される。類似の手法は、US 7,791,711 B2にも記載されている。しかし、この手法を用いると、離調を完全に逆転させることができることを保証することが困難である。
WO 2011/116792 A1は、出口開口から射出する複数の流体流れが投影露光装置の作動中に投影光が通って伝播する空間に入射する波面補正デバイスを開示している。温度制御ユニットが、各流体流れに対して流体流れ温度を個々に設定する。流体の屈折率は、その温度に依存するので、これは、3次元屈折率分布を生成することを可能にする。後者は、屈折率分布に関連付けられた光路長差が波面変形を補正するように決定される。
US 5,444,336 US 2006/0092396 US 2010/0134891 A1 US 7,791,711 B2 WO 2011/116792 A1
本発明の目的は、マイクロリソグラフィ装置の対物系の投影光路及び特に瞳平面における光照射分布を可変的に修正するように構成された透過フィルタを含むマイクロリソグラフィ装置を提供することである。透過フィルタは、透過率を完全に可逆で非常に柔軟で局所的に分解された方式で細かく変化させることができるべきである。
対物系内の投影光路における光照射分布を変化させる方法を提供することも本発明の目的である。本方法は、透過率を完全に可逆で非常に柔軟で局所的に分解された方式で細かく変化させることができることを保証すべきである。
本発明により、装置に関して上述した目的は、投影光路における光照射分布を可変的に修正するように構成された透過フィルタを含む対物系を含むマイクロリソグラフィ装置、特にマイクロリソグラフィ投影露光装置によって達成される。透過フィルタは、マイクロリソグラフィ装置の作動中に投影光が通って伝播する空間を通過するガス流れを放出するように構成された複数のガス出口開口を含む。透過フィルタは、更に、各ガス流れに対してガス流れ内のオゾン分子の数密度を個々に変化させるように構成された制御ユニットを含む。
本発明は、オゾンが紫外スペクトル範囲の光に対して比較的高い吸収係数を有するという認識に基づいている。実際に、本発明者は、紫外線に対して同じく高い吸収係数を有するいかなる他のガスも思い当たらない。従って、投影光が通過するガス流れ内のオゾン分子の数密度を慎重に制御することにより、投影光をほぼあらゆる任意の程度まで減衰することができる。
真空紫外(VUV)スペクトル範囲の投影波長、特に193nmでは、吸収係数は、特定のガス流れに沿って少なくとも実質的に一定である。これは、オゾン分子の数密度が、VUV光との相互作用にも関わらずそれ程変化しないことによる。より具体的には、オゾン(O3)は、VUV光の照射下で分子酸素(O2)と励起された酸素ラジカル(O1D)とに解離する。後者は、分子酸素(O2)又は分子窒素(N2)のような他の分子と衝突すると基底状態(O3P)に緩和し、かつ分子酸素(O2)と再結合して再度オゾン(O3)を形成する。
ガス流れ内のオゾン分子の数密度を変化させる異なる手法が存在する。最も簡単な場合に、パージガス流れに給送されるオゾン分子の個数が変更される。しかし、オゾンのようなガスの数密度は、その分圧に直接に関連するので、オゾンの数密度を変化させるのに、少なくとも原理的には分圧の変化を使用することができる(直接的又は温度変化を通して間接的のいずれかで)。
一般的に、層状ガス流れを保証するためには、後者は、互いに交わってはならない。ガス流れが層状であり、かつ投影光路と交わる直線に沿って伝播すると仮定すると、透過フィルタの透過率分布は、従って、オゾン分子の数密度を調節することによって設定することができる一定の透過率を各々が有する複数のストライプの重ね合わせによって与えられる。
そのようなストライプの重ね合わせによってあらゆる任意の透過率分布を構成することができるわけではない。利用可能な透過率分布の範囲は、出口開口の個数だけではなく、これらの開口の相対配置にも依存する。例えば、出口開口の群を対物系の光軸に沿って離間した平行平面に配置することができる。層状ガス流れを保証するためには、特定の平面内の全てのガス流れが互いに平行に延びなければならない。可能な透過率分布の範囲を拡大するために、ガス流れは、各平面に関して異なる方向に沿って延びることができる。例えば、2つの平面の場合に、一方の平面内のガス流れの方向は、他方の平面内のガス流れの方向から90°だけ異なることができる。3つの平面の場合に、方向は、60°だけ異なることができ、4つの平面の場合に、方向は、45°だけ異なることができ、以降同様に続く。一般的に、出口開口の個数が十分に多い場合に、透過フィルタの準連続的な透過率分布を達成することができる。
アポディゼーション目的では、透過フィルタは、対物系の瞳平面内又はその直近に配置しなければならない。特に、少なくとも1つのガス流れは、瞳平面を通って延びなければならず、(適応可能な場合に)平行平面内のガス流れは、瞳平面の直近に配置された平面を通って延びなければならない。
ガス流れが、対物系の光軸に対して少なくとも実質的に垂直な方向に沿って延びる場合に、これは、高い対称性を保証し、かつ望ましくない角度依存フィルタ効果を低減する。
透過フィルタは、2つの隣接するガス流れを分離するように空間内に配置された少なくとも1つの透明光学要素を含むことができる。そのような透明光学要素は、そうでなければ隣接するガス流れが接触することになると考えられる透過フィルタの部分における乱流を阻止するのを助ける。
特に出口開口の群が平行平面に配置される場合に、少なくとも1つの透明光学要素は、透明薄膜を含む平行平坦面を有する板とすることができる。少なくとも1つの板は、それが2つの平面を互いから分離するように対物系の光軸と垂直に配置することができる。複数のそのような板が設けられる場合に、それらは、隣接する板の対が透過フィルタの作動中に平行ガス流れが通って延びる隙間を定める積層体を形成することができる。
(同じく)ガス流れの横接触を回避すべきである場合に、光軸と平行に延びる薄板を設けることができる。光軸と垂直に延びる板との組合せで、薄板は、次に、各ガス流れに対して例えば矩形断面を有するチャネルを定める。それによってガス流れ中の望ましくない乱流の危険性が低減する。
一実施形態において、制御ユニットは、ガス出口開口に接続したガス供給ユニットを含む。ガス供給ユニットは、可変オゾン数密度を用いてガス流れを生成するように構成される。
原理的には、他のガスが不在の状態でオゾンのみがガス出口開口から流出することができる。しかし、これは、吸収がないことが望ましい場合に透過フィルタ内で真空を維持しなければならないことを必要とするであろう。
上述の理由から、本発明の一実施形態において、各ガス流れは、好ましくは、低い反応性を有するガスであるが、同時に投影光に対して完全に透明であり、従って、透過フィルタによって生成される減衰に寄与しないパージガスを含む。例えば、分子窒素(N2)がこの目的に適するが、異なるガスから構成される混合物も考えられている。
ガス流れの屈折率は、その圧力に依存する。パージガスの数密度が変更されないままに留まる一方、ガス流れ中のオゾンの数密度が変更された場合に、必然的に圧力変動がもたらされ、従って、ガス流れ中の屈折率の変動ももたらされる。これは、それが対物系の結像品質を劣化させるという理由で一般的に望ましくないので、制御ユニットは、オゾンの数密度が変更された場合に、各ガス流れに対して全体圧力が変化せず、又は少なくとも0.5%を上回って変化せず、好ましくは、0.1%を上回って変化しないようにパージガスの原子又は分子の数密度を各ガス流れに対して個々に変化させるように構成することができる。言い換えれば、分圧の和が一定に保たれるように、パージガスの分圧は、オゾンの分圧のあらゆる変化を補償するように変更される。この場合に、ガス流れの屈折率も変化しない。
パージガスと比較したオゾンのモル屈折率の差と、オゾンによる投影光の吸収に起因する局所温度増大とによって引き起こされる屈折率変化を補正するために、パージガスの分圧の制御式変動を使用することができる。
別の実施形態において、ガス供給ユニットは、パージガス容器と、一端でパージガス容器に接続され、ガス出口開口のうちの1つにおける反対端で終わるチャネルと、オゾン容器と、制御弁とを含む。制御弁は、チャネルを通って案内されるパージガス中にオゾン容器から取られたオゾン分子を単位時間毎に可変個数だけ給送し、それによってチャネルが入って終わるガス出口開口から流出するガス流れ内のオゾン分子の数密度を変化させるように構成される。これは、制御弁が可動構成要素を含む唯一のデバイスである非常に単純な構成をもたらす。
オゾン容器を設ける代わりに、ガス供給ユニットは、分子酸素を含むガスを収容するガス容器と、一端でガス容器に接続され、ガス出口開口のうちの1つにおける反対端で終わるチャネルとを含むことができる。更に、ガス供給ユニットは、240nmよりも短く、好ましくは、180nmよりも短く、より好ましくは、160nmよりも短い中心波長を有する反応光を生成するように構成された光源を含む。反応光は、ガス中に含まれる分子酸素の少なくとも一部分が原子酸素に解離し、かつこれらの原子酸素が次に分子酸素と再結合してオゾンを形成するようにチャネル内で案内されるガス上に向けられる。ガス上に向けられる反応光の照射を変化させることにより、次に、ガス流れ内のオゾン分子の数密度を変化させることができる。この実施形態において、オゾンは、地球の大気中で発生するのと類似の化学反応を用いてマイクロリソグラフィ装置内で生成される。
投影光が十分に短い中心波長を有する場合に、この投影光は、反応光として使用することができる。例えば、投影光ビームから投影光の一部分が分離され(例えば、ビームスプリッタを用いて)、ミラー又は他の光学要素を通じて透過フィルタに向けて誘導され、上述したように透過フィルタにおいて分子酸素を解離させる。これに代えて、投影光ビームは、透過フィルタを通過するときに、それ自体が透過フィルタ内にオゾンを生成する。しかし、この場合に、各ガス流れ内のオゾン分子の数密度は、制御することが困難であるような不均一なものである可能性がある。更に、オゾン分子の数密度は、投影光の照射が最も高い場所で最も高い可能性もある。一般的なアポディゼーションフィルタでは、多くの場合にこれは望ましくない。
マイクロリソグラフィ装置は、対物系の像平面内の角度光分布を測定するように構成された測定系を更に含むことができる。そのような測定系が透過フィルタの制御ユニットに接続される場合に、投影光路における光照射分布は、測定系によって生成された測定信号に応答して変化させることができる。これは、透過フィルタの開ループ制御又は閉ループ制御を実施することを可能にする。
透過フィルタは、ガス流れが空間を通過した後にこれらのガス流れを吸い出すように構成された吸引ユニットを更に含むことができる。これは、ガス流れの層流性をサポートする。
上述の方法に関しては、上述の目的は、対物系内の投影光路における光照射分布を変化させる方法によって達成される。本方法は、以下の段階:a)マイクロリソグラフィ装置の作動中に投影光が通って伝播する空間を通して複数のガス流れを案内する段階と、b)ガス流れ内のオゾン分子の数密度を各ガス流れに対して個々に変化させる段階とを含み、対物系は、マイクロリソグラフィ装置に収容される。
本方法は、対物系の像平面内の角度光分布を測定する更に別の段階と、ターゲット角度光分布からの測定角度光分布のずれが低減されるように、ガス流れ内のオゾン分子の数密度を変化させることによって投影光路における光照射分布を変化させる更に別の段階とを含む。
本方法は、分子酸素を含むガスを240nmよりも短く、好ましくは、180nmよりも短く、より好ましくは、160nmよりも短い中心波長を有する反応光で照射することによってオゾンを生成する段階を更に含むことができる。
主張する本発明の一部を形成しない代替において、ガス流れ中で個々に変更されるのはオゾン分子の数密度ではなく、ナノ粒子の数密度である。粒子は、その最大寸法が100nmよりも小さい場合にナノ粒子と呼ばれる。
そのようなナノ粒子、特に50nmよりも小さく、好ましくは、25nmよりも小さい最大寸法を有するナノ粒子が、マイクロリソグラフィ装置の作動中に投影光が通って伝播する空間を通過するガス流れ中に存在する場合に、投影光の一部分は、散乱又は吸収されることになり、従って、対物系の像平面には到達しない。従って、ガス流れ中のナノ粒子の数密度を個々に変化させることにより、オゾン分子の数密度に関して上述したものと実質的に同じ方式で投影光路内に様々な透過率分布を生成することができる。
ナノ粒子は、好ましくは、無機粒子である。この点に関して、銀、ウォルフラム、二酸化チタン、又は二酸化珪素の粒子が適切である。そのようなナノ粒子は、例えば、蒸発、噴霧、削摩、又はスパーク発生によって生成することができる。
ナノ粒子は、ガス流れを封入する透明光学要素の光学面上に沈着する場合があるので、ある程度の時間の後にこれらの光学要素を入れ替えるか、又は他の手段、例えば、電界又は磁場を用いて、投影光が通って伝播する空間を通してガス流れを案内することが必要である場合がある。
ナノ粒子はまた、特に超音波を用いて液体を分散させることによって生成することができる。そのような粒子は、光学面上に沈着した場合に、いかなる残留物も残さずに蒸発する。
定義
本明細書では、Vが体積であり、Nが与えられた時点で体積V中に含まれるオゾン分子の個数である場合に、比N/Vを表す上で用語「オゾン分子の数密度」を使用する。
本明細書では、いずれかの電磁放射線、特に、可視光、UV光、DUV光、及びVUV光を表す上で用語「光」を使用する。
本明細書では、線によって説明することができる伝播経路を有する光を表す上で用語「光線」を使用する。
本明細書では、複数の光線を表す上で用語「光ビーム」を使用する。光ビームは、通常、その直径にわたって伝播経路に沿って変化する可能性がある照射分布を有する。単一光ビームは、通常は、単一点又は拡張光源に関連付けることができる。
本明細書では、3次元空間内のいずれかの平坦又は湾曲面を表す上で用語「面」を使用する。面は、本体の一部とすることができ、又はそこから完全に分離したものとすることができる。
本明細書では、2つの点又は2つの面の間の結像関係を表す上で用語「光学的に共役」を使用する。結像関係は、ある点から射出する光束が光学的に共役な点に収束することを意味する。
本明細書では、マスク平面に対して光学的に共役な平面を表す上で用語「視野平面」を使用する。
本明細書では、視野平面において同じ角度の下で収束又は発散する全ての光線が同じ点を通過する平面を表す上で用語「瞳平面」を使用する。当業技術では通例であるように、実際には「瞳平面」が数学的な意味で平面ではなく、若干湾曲しており、従って、厳密な意味では瞳面と呼ぶべき場合であっても、用語「瞳平面」を使用する。
本発明の様々な特徴及び利点は、添付図面に関連付けて以下に続く詳細説明を参照することでより容易に理解することができる。
本発明による投影露光装置の略斜視図である。 図1に示す装置を通る略子午断面図である。 第1の実施形態による図1及び図2に示す装置に収容される透過フィルタの略斜視図である。 図3に示す透過フィルタを通る略断面図である。 図3及び図4に示す透過フィルタに収容される第1及び第2のフィルタユニットの異なる透過率分布を組み合わせることにより、透過フィルタの全透過率分布が如何にして得られるかを示すグラフである。 図3及び図4に示す透過フィルタに収容される第1及び第2のフィルタユニットの異なる透過率分布を組み合わせることにより、透過フィルタの全透過率分布が如何にして得られるかを示すグラフである。 図3及び図4に示す透過フィルタに収容される第1及び第2のフィルタユニットの異なる透過率分布を組み合わせることにより、透過フィルタの全透過率分布が如何にして得られるかを示すグラフである。 図3及び図4に示す透過フィルタに収容される第1及び第2のフィルタユニットの異なる透過率分布を組み合わせることにより、透過フィルタの全透過率分布が如何にして得られるかを示すグラフである。 第2の実施形態による透過フィルタを通る略断面図である。 本発明の重要な方法段階を示す流れ図である。
I.投影露光装置の基本構成
図1は、本発明によるマイクロリソグラフィ投影露光装置10の略斜視図である。装置10は、193nmの中心波長を有する投影光を生成する光源LSを収容する照明系12を含む。投影光は、微細特徴部19のパターン18を含むマスク16上の視野14を照明する。この実施形態において、照明視野14は、矩形形状を有する。しかし、他の形状の照明視野14、例えば、リングセグメント、及び同じく他の中心波長、例えば、157nm又は248nmも同様に考えられている。
光軸OAを有し、複数のレンズL1からL4を含む投影対物系20は、照明視野14の範囲のパターン18を基板24によって支持された感光層22、例えば、フォトレジスト上に結像する。シリコンウェーハによって形成することができる基板24は、感光層22の上面が投影対物系20の像平面に厳密に位置するようにウェーハ台(図1には示していない)上に配置される。マスク16は、マスク台(図1には示していない)を用いて投影対物系20の物体平面に配置される。投影対物系20は、|β|<1の倍率βを有するので、照明視野14の範囲のパターン18の縮小像18’が感光層22上に投影される。
投影中に、マスク16及び基板24は、図1に示すY方向に対応する走査方向に沿って移動する。この場合に、照明視野14は、それよりも大きいパターン付き区域を連続して結像することができるように、マスク16にわたって走査を行う。基板24の速度とマスク16の速度の間の比は、投影対物系20の倍率βに等しい。投影対物系20が像を反転させない場合には(β>0)、図1に矢印A1とA2に示すように、マスク16と基板24は、同じ方向に沿って移動する。しかし、本発明は、軸外物体視野及び変形像視野を有する反射屈折投影対物系20と、マスク16及び基板24が投影中に移動しないステッパタイプの装置と共に使用することができる。
図2は、図1に示す装置10を通る略子午断面図である。この断面図には、投影対物系20の物体平面28内でマスク16を支持して移動する26で表記したマスク台、及び投影対物系20の像平面30内で基板24を支持して移動する32で表記したウェーハ台も略示している。
この実施形態において、投影対物系20は、中間像平面34を有する。物体平面28と中間像平面34の間には第1の瞳平面36が位置し、中間像平面34と投影対物系20の像平面30の間には第2の瞳平面38が位置する。図2に示すように、視野平面、すなわち、物体平面28、中間像平面34、及び像平面30のうちのいずれかから同じ角度の下に収束又は発散する全ての光線は、第1及び第2の瞳平面36、38それぞれ内で同じ点を通過する。
第1の瞳平面36内には、透過フィルタ42が配置される。透過フィルタ42は、第1の瞳平面36における光照射分布を補正し、又はより一般的には可変的に修正する。透過フィルタ42は、投影対物系20の瞳平面36、38のうちの1つ内におけるその配置に起因して、像平面30に到達することを許した場合にマスク16の像の品質を劣化させることになる投影光の部分を吸収するアポディゼーションフィルタとして使用することができる。
図2には非常に概略的にしか示していない透過フィルタ42は、投影光が通って伝播するガス流れを放出するように構成された複数のガス出口開口44と、ガス流れ46内のオゾン分子の数密度を各ガス流れ46に関して個々に変化させるように構成された制御ユニット48とを含む。この目的に対して、制御ユニット48は、ガス供給ユニット50と、ガス供給ユニット50に接続した計算ユニット52とを含む。更に、計算ユニット52は、装置10の全体系制御器53に接続される。
以下に続く節では、透過フィルタ42の実施形態を図3及び図4を参照してより詳細に説明する。
II.透過フィルタの設計
図3は、正確な縮尺のものではない透過フィルタ42の略斜視図である。透過フィルタ42は、ガス供給ユニット56と吸引ユニット57とを含む第1のフィルタユニット54を含む。これらのユニット内に含まれる構成要素に対しては、図4を参照して後により詳細に説明する。ユニット56、57は、装置10の作動中に投影光PLが通って伝播する実質的に空の空間55によって離間している。
ガス供給ユニット56は、図示の実施形態では円形の断面を有する2列のガス出口開口44に接続される。これらの列は、Y方向に沿って交互方式に配置される。2列のガス出口開口44は、水平ガラス板58によって分離した2つの平行平面に配置される。水平ガラス板58と平行に配置された2つの追加の水平ガラス板60、62と、2つの垂直ガラス板64、66と、ユニット56、57とは、上側空洞68と下側空洞70を共同で定める(図4の断面図も参照されたい)。空洞68、70の高さは、1mm程度の小さいものとすることができる。透過フィルタ42の作動中に、ガス流れ72は、空洞68、70を通って−X方向に沿って伝播する。ガス流れ72は、各空洞68、70の一端に配置されたガス出口開口44によって放出される。
吸引ユニット57は、空洞68、70を横断した後のガス流れ72を吸い出す類似の配置のガス入口開口に接続される。ガス入口開口は、ガス出口開口44の反対側に1対1対応で配置されるが、図3では見ることができない。
透過フィルタ42は、第1のフィルタユニット54と同じ全体設計を有する第2のフィルタユニット154を更に含む。この理由から、第2のフィルタユニット154の構成要素は、第1のフィルタユニット54の対応する構成要素と比較して100だけ増分した参照番号で表記している。
第2のフィルタユニット154は、第1のフィルタユニット54に対して90°だけ回転される。この理由から、一方で第1のフィルタユニット54内のガス流れ72と、他方で第2のフィルタユニット154内のガス流れ172とは、直交方向に沿って延びる。図3では、空洞168、170を横断した後のガス流れ172を吸い出す第2のフィルタユニット154のガス入口開口145のみを見ることができる。
図4は、図3にS−Sに示す断面平面に沿って図3に示す透過フィルタ42を通る断面図である。第2のフィルタユニット154のガス供給ユニット156は、複数のチャネル173を含む。各チャネル173は、その一端でガス出口開口44のうちの1つに流体接続される。反対端では、各チャネル173は、パージガスを含むパージガス容器174とオゾンを含むオゾン容器176とにおいてそれぞれ終わる2つのチャネル区画に分岐する。図示の実施形態において、パージガスとして窒素(N2)が使用される。一般的に、パージガスは、投影光PLに対して無視することができる吸収係数を有するべきである。
オゾン容器176と特定のガス出口開口144に関する分岐点との間のチャネル区画内には、オゾン制御弁178が設けられる。計算ユニット52によって制御されるオゾン制御弁178は、最終的にガス出口開口144に至るチャネル区画内にオゾン容器176から取られたオゾン分子を単位時間毎に可変個数だけ供給するように構成される。このようにして、各ガス出口開口144に対して、そこから流出するガス流れ172内のオゾン分子の数密度は、オゾン制御弁178を用いて細かくかつ個々に調節することができる。
パージガス容器174と特定のガス出口開口144に関する分岐点との間のチャネル区画内には、パージガス制御弁179が設けられる。同じく計算ユニット52によって制御されるパージガス制御弁は、最終的にガス出口開口144に至るチャネル区画内にパージガス容器174から取られたパージガスの原子又は分子を単位時間毎に可変個数だけ供給するように構成される。このようにして、各ガス出口開口144に対して、そこから流出するガス流れ172中のパージガスの原子又は分子の数密度は、パージガス制御弁179を用いて細かくかつ個々に調節することができる。
第1のフィルタユニット54のガス供給ユニット56は同じ構成を有し、従って、ガス流れ72のオゾン分子及びパージガスの原子又は分子の数密度を制御するためのオゾン制御弁78(図には示していない)とパージガス制御弁79(図には示していない)とを含む。
第2のフィルタユニット154の吸引ユニット157は、ガス入口開口145を吸引ポンプ186に接続するチャネル182を含む。吸引ポンプ186は、ガス出口開口144から流出するガスが吸引ユニット180によって吸い出され、空洞168、170を通って延びる複数の層状ガス流れ172を形成するように負の圧力を生成する。オゾン分子の数密度は、各ガス流れ172に関して個々に制御することができるので、空洞168、170内にオゾン分子の不均一数密度を生成することができる。当然ながら、同じことは、第1のフィルタユニット54の空洞68、70内のガス流れ72にも適用される。
以下では、図3及び図4に示す透過フィルタ42の機能に対して図5から図8を参照して説明する。
III.透過フィルタの機能
簡略化の目的で、以下では、第1及び第2のフィルタユニット54、154内の空洞70、170にパージガスのみが流入し、オゾンは全く流入しないと仮定する。従って、透過フィルタ42の透過率は、オゾン制御弁78、178によって制御される他の2つの空洞68及び168内のオゾン分子の数密度によってのみ決定される。
図5は、第1及び第2のフィルタユニット54、154の全てのオゾン制御弁78、178が、単位時間毎に同じ個数のオゾン分子を空洞68、168に供給する場合の透過フィルタ42の透過率分布を示している。次に、空洞68、168内でオゾン分子の均一な数密度が得られる。従って、オゾン分子の数密度に鋭敏に依存する吸収係数は、空洞68、168内の各点で等しい。各空洞68、168が光軸OAに沿って1mmの高さを有し、投影光PLの波長が193nmである場合に、第1のフィルタユニット54内の空洞68を通って延びるガス流れ72中の約1.026・1018分子/cm3のオゾン分子数密度は、透過率を95%に5%だけ低下させることになる。図5では第1のフィルタユニット54の透過率分布TD54を左手側に例示している。
同じことは、第2のフィルタユニット154内の空洞168を通って延びるガス流れ172にも適用される。従って、図5の中心部分に示す透過率分布TD154から明らかなように、第2のフィルタユニット154も、透過率を95%に5%だけ低下させる。
各XY座標において透過率分布TD54、TD154を乗算することにより、第1のフィルタユニット54と第2のフィルタユニット154との組合せ効果が得られる。図5の右手側に示すように、第1及び第2のフィルタユニット54、154内の約1.026・1018分子/cm3のオゾン分子の均一な数密度は、透過フィルタ42全体にわたって90%の均一な透過率分布TD42をもたらす。
図6では、制御弁78a、178の類似の制御を仮定する。しかし、ここでは、一部のオゾン制御弁78、178は、これらの弁に関するガス流れ72がいかなるオゾンも全く含まないように制御される。この場合に、ガス流れに関する透過率は、ほぼ100%である窒素パージガスの透過率に等しい。残りのガス流れは、ここでもまた、透過率を5%だけ低下させる。
第1のフィルタユニット54は、次に、図6の左手側に示し、かつX方向に沿って延びるT=95%を有する2つのストライプ91X、92Xと、第1のストライプ91Xと第2のストライプ92Xとの間で延びるT=100%を有する第3のストライプ93Xとで構成される透過率分布TD54を生成する。
同じく、第2のフィルタユニット154は、次に、図6の中心部分に示し、Y方向に沿って延びるT=95%を有する2つのストライプ91Y、92Yと、第1のストライプ91Yと第2のストライプ92Yとの間で延びるT=100%を有する第3のストライプ93Yとで構成される透過率分布TD154を生成する。
第1のフィルタユニット54と第2のフィルタユニット154との組合せ効果を図6の右手側に例示している。ここで、透過フィルタ42全体の透過率分布TD42がより複雑であることを見ることができる。すなわち、透過率分布TD42は、T=90%を有する4つの区域94と、T=95%を有する4つの区域96と、T=100%を有する中心区域98とを含む。
図7は、その左手側と中心部分とに示すように、少数のガス流れ72、172しかオゾン分子の非ゼロ数密度を持たない場合を示している。第1及び第2のフィルタユニット54、154それぞれの透過率分布TD54、TD154の組合せ効果は、ここでもまた右手側に示している。透過フィルタ42全体の透過率分布TD42は、最小透過率T=85%を有する2つの区域100と、T=90%を有する4つの区域102と、T=95%を有する3つの区域104と、最大透過率T=100%を有する残りの6つの区域106とを含む。
オゾン制御弁78、178を慎重に制御することにより、投影光PLの光路内に様々な透過率分布を生成することができることが以上により認められるであろう。これは、特に、非常に多数、例えば、数百本又は更に数千本のガス流れ72、172内のオゾン分子の数密度を各ガス流れに対して独立して設定することができる場合に適用される。ガス流れ72、172が、異なる平面内で投影光PLが通って伝播する空間55を通る2つだけではなく、3つ又はそれよりも多くの異なる方向に沿って延びる場合に、透過フィルタ42によって生成することができる異なる透過率分布TD42の個数は更に高まる。
一般的に、透過率分布TD42の分解能は、ガス流れ72、172の幅に依存する。この幅は、任意の小さい値まで縮小することができないので、各フィルタユニット54、154は、ガス流れが通過する空洞を1つだけではなく2つ含む。ガス出口開口44、144は、これらの空洞68、70及び168、170内で横方向にオフセットされるので、分解能は実際には2倍高い。これは、空洞68内のガス出口開口44の列が他方の空洞70内の出口開口44の列に対して横方向にオフセットされている図4で最も明確に見ることができる。
図8は、個々に制御可能なガス出口開口44、144の個数が、投影光PLが通って伝播する空間55内でオゾン分子の数密度の準連続的な分布を達成することができる程度まで高められた場合を示している。その結果、図8の右手側に示すように、透過フィルタの透過率分布TD42も準連続的である。この場合に、透過率は、第1のフィルタユニット54の透過率分布TD54内で−Y方向に沿って連続的に増大すると仮定している。第2のフィルタユニット154の透過率分布TD154内では、透過率は、−X方向に沿って連続的に増大する。組合せ透過率分布TD42内では、透過率は、対角方向に沿って増大する。
上記では、ガス流れ72、172のうちの1つにおけるオゾン分子の数密度が変更される場合に、オゾン制御弁78、178のうちの1つのみが作動されると仮定している。しかし、パージガスの原子又は分子の数密度が一定に保たれる場合に、オゾン分子の数密度の変動は、必然的に圧力変化を伴う。そのような圧力変化は、屈折率の変化に変換される。次に、透過率分布TD42の変化には、透過フィルタ42を通過する光学波面の望ましくない位相変化が常に伴うことになる。
そのような位相変化を許容することができない場合に、計算ユニット52内に実施される適切な制御アルゴリズム手法に基づいて、オゾン分子の数密度が変更された場合に各ガス流れに対して全体圧力が変化しないようにパージガス制御弁79、179を作動させることができる。例えば、ガス流れ中でオゾン分子の数密度が増大した場合に、パージガスの原子又は分子の数密度は、全体圧力が実質的に一定に留まるような程度まで同時に低減される。全体圧力が大まかに一定に留まるだけでよい場合に、制御手法は、単純に、制御弁78、178のうちの1つを通る流れがΔだけ増大した場合に同じガス出口開口44、144に関するパージガス制御弁を通る流れが−Δだけ減少し、その逆も同様であることしか必要としない場合がある。
より高度な制御手法は、全体圧力が吸引ユニット57、157内で測定される閉ループ制御を含むことができる。この場合に、ガス流れ72、172中の全体圧力の望ましくない変動に対する他の原因も補償することができる。そのような原因は、オゾン分子による投影光PLの部分吸収の結果であるガス流れ72、172中の温度変化を含む。
IV.透過フィルタの第2の実施形態
図9は、透過フィルタの第2の実施形態を通る図4と類似の断面図である。この実施形態において、透過フィルタ42は、1つだけの空洞68及び単一列のガス出口開口44を有する。
更に、ガス供給ユニット56は、パージガスとオゾンとに対して2つの別個の容器を含まず、パージガス(この場合も前と同じく分子窒素N2)と分子酸素O2との混合物を含む単一ガス混合物容器75だけのみを含む。各ガス出口開口44は、反応チャンバ110を通してガス混合物容器75に流体接続される。反応チャンバ110の壁は、170nmよりも短い波長を有するVUV光に対して透過性を有するフッ化カルシウム(CaF2)で製造された窓112を含む。ガス供給ユニット56は、各反応チャンバ110に対して、157nmの波長を有するVUV光を放出するように構成された光源114を更に含む。以下では反応光と記すことにする光源114の光は、反応チャンバ110に入射するように窓112に向けられる。光源114は、例えば、エキシマレーザ、周波数シフターと組み合わされた固体レーザ、又はガス放電ランプとすることができる。
反応光が、反応チャンバ110を通って案内されるガス混合物上に入射する場合に、ガス混合物中に含まれる分子酸素O2の少なくとも一部分は、励起状態の酸素原子に解離する。励起状態の酸素原子は、それらの励起エネルギの一部をN2分子に転移させた後に、残りの分子酸素O2と再結合してオゾンO3を形成する。この化学反応は、大気のうちの高空領域内でも発生し、VUV光が地球面に到達するのを阻止する。以上により、反応チャンバ110から流出し、最終的にガス出口開口44から流出するガス流れ内のオゾン分子の数密度を反応チャンバ110に入射する反応光の照射を個々に変化させることによって制御することができる。
当然ながら、光源114は、ガス供給ユニット56の内側に配置する必要はなく、あらゆる他の場所に位置付けることができる。更に、全ての反応チャンバ110に対して単一光源のみを用い、光変調器を用いて反応チャンバ110に入射する反応光の量を個々に制御することができる。これに代えて、約180nmまで及び更に240nmの長い波長を有する反応光もこの目的に適している。以上により、少量の投影光PLを照明系12内で分離し、これらの光を反応チャンバ110の窓112上に個々に向ける調節可能光変調器に向けて案内することができるということになる。
V.補正方法
以下では、アポディゼーション目的で透過フィルタ42を如何に使用することができるかを説明する。
第1の段階では、対物系20の像平面30内の角度光分布が決定される。この決定は、測定及び/又はシミュレーションのいずれかによって行うことができる。シミュレーションは、実験データに基づいて実施することができ、測定を実施するために装置10の作動を中断しなくてもよいという利点を有する。一方、測定によって角度光分布を決定する段階は、可能な最も高い精度が望ましい場合に必要であると考えられる。
角度光分布を測定するために、図2に矢印122に示すように、像平面30の像視野の範囲に測定デバイス120が配置される。適切な測定デバイス120は、当業技術でそれ自体公知であり、一般的に、CCDセンサと、像平面30内の角度をCCDセンサ上の位置に変換するフーリエ光学系とを含む。
像平面30内の角度光分布を迅速に正確に決定するために、測定に加えてシミュレーションも使用する混成手法を使用することができる。
次の段階では、シミュレーション及び/又は測定によって決定された角度光分布は、理想角度光分布と比較される。この理想角度光分布は、通常、感光層22上に転写されるパターン18と、対物系20の結像特性と、投影光がマスク16上に入射するときの投影光の角度光分布とに基づいて計算される。理想角度光分布は、感光層22上へのパターン18の最適な結像が提供されるように計算される。この目的に対して、最適化アルゴリズムを使用することができる。
この比較が、一方で測定/シミュレーションによる角度光分布と他方で理想角度光分布との間に許容不能なずれをもたらす場合に、アルゴリズムは、測定/シミュレーションによる角度光分布を理想角度光分布に変換するのに必要とされる透過フィルタ42のターゲット透過率分布を計算する。このアルゴリズムは、対物系22の像平面30内の角度光分布が、透過フィルタ42が配置された瞳平面36内の照射分布に対応するという事実を利用する。
次いで、透過フィルタ42の計算ユニット52は、ターゲット透過率分布が得られるようにガス流れ72、172内のオゾン分子の数密度を制御する。
VI.重要な方法段階
図10は、対物系22内の投影光路における光照射分布を変化させる方法の重要な態様を要約する流れ図である。
第1の段階S1では、複数のガス流れ72、172が、装置10の作動中に投影光PLが通って伝播する空間55を通って案内される。
第2の段階S2では、ガス流れ72、172内のオゾン分子の数密度が、各ガス流れに対して個々に変更される。
42 透過フィルタ
44 ガス出口開口
145 ガス入口開口
178 制御弁
PL 投影光

Claims (8)

  1. 投影光路における光照射分布を可変的に修正するように構成された透過フィルタを含む対物系を含むマイクロリソグラフィ装置であって、
    前記透過フィルタは、
    a)マイクロリソグラフィ装置の作動中に投影光が通って伝播する空間を通過するガス流れを放出するように構成された複数のガス出口開口、及び
    b)前記ガス流れ内のオゾン分子の数密度を各ガス流れに対して個々に変化させるように構成された制御ユニット、
    を含み、
    前記ガス流れは、パージガスを含み、
    ガス供給ユニットであって、
    c)分子酸素を含むガスを収容するガス容器、
    d)前記ガス容器に一端で接続され、かつ反対側の端では前記ガス出口開口のうちの1つで終わるチャネルと、及び
    e)240nmよりも短い中心波長を有する反応光を生成するように構成された光源であって、該反応光が、前記ガスに含まれる前記分子酸素の少なくとも一部分が原子酸素に解離し、これが次に分子酸素と再結合してオゾンを形成するように前記チャネル内を案内される該ガス上に向けられ、該ガス上に向けられた該反応光の照射を変化させることによって前記ガス流れ内のオゾン分子の前記数密度を変化させることができる前記光源、
    を含むガス供給ユニットを更に含み、
    露光のために生成された投影光の一部がオゾン生成をもたらすために分離される
    ことを特徴とするマイクロリソグラフィ装置。
  2. 前記透過フィルタは、少なくとも実質的に前記対物系の瞳平面に配置されることを特徴とする請求項1に記載のマイクロリソグラフィ装置。
  3. 出口開口の群が、前記対物系の光軸に沿って離間した平行平面に配置されることを特徴とする請求項1から請求項2のいずれか1項に記載のマイクロリソグラフィ装置。
  4. 前記ガス流れは、各平面に関して異なる方向に沿って延びることを特徴とする請求項3に記載のマイクロリソグラフィ装置。
  5. 前記透過フィルタは、2つの隣接するガス流れを分離するように前記空間に配置された少なくとも1つの透明光学要素を含むことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のマイクロリソグラフィ装置。
  6. 前記少なくとも1つの透明光学要素は、平行平坦面を有する板であることを特徴とする請求項5に記載のマイクロリソグラフィ装置。
  7. 前記制御ユニットは、オゾン分子の数密度が変化した場合に各ガス流れに対して全体圧力が0.5%を上回って変化しないように、パージガス原子又は分子の数密度を各ガス流れに対して個々に変化させるように構成されることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載のマイクロリソグラフィ装置。
  8. 前記対物系の像平面における角度光分布を測定するように構成された測定系を含み、
    前記測定系は、前記投影光路における前記光照射分布が、該測定系によって生成された測定信号に応答して可変であるように、前記透過フィルタの前記制御ユニットに接続される、
    ことを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載のマイクロリソグラフィ装置。
JP2016504497A 2013-03-28 2013-03-28 可変透過フィルタを有する対物系を含むマイクロリソグラフィ装置 Active JP6339658B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/EP2013/000952 WO2014154229A1 (en) 2013-03-28 2013-03-28 Microlithographic apparatus and method of varying a light irradiance distribution

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2016518619A JP2016518619A (ja) 2016-06-23
JP2016518619A5 JP2016518619A5 (ja) 2018-02-22
JP6339658B2 true JP6339658B2 (ja) 2018-06-06

Family

ID=48142719

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016504497A Active JP6339658B2 (ja) 2013-03-28 2013-03-28 可変透過フィルタを有する対物系を含むマイクロリソグラフィ装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9720336B2 (ja)
JP (1) JP6339658B2 (ja)
WO (1) WO2014154229A1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015207784A1 (de) * 2015-04-28 2016-11-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Optischer Wellenfrontmanipulator, Projektionsobjektiv mit einem solchen optischen Wellenfrontmanipulator und mikrolithographische Apparatur mit einem solchen Projektionsobjektiv
DE102015207785A1 (de) * 2015-04-28 2016-11-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Optischer Wellenfrontmanipulator, Projektionsobjektiv mit einem solchen optischen Wellenfrontmanipulator und mikrolithografische Apparatur mit einem solchen Projektionsobjektiv
CN109283797B (zh) * 2017-07-21 2021-04-30 上海微电子装备(集团)股份有限公司 物镜保护装置、物镜系统以及光刻设备
US10877378B2 (en) * 2018-09-28 2020-12-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Vessel for extreme ultraviolet radiation source

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0456247B1 (en) 1990-05-10 1995-10-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Apparatus for operating a discharge lamp
BE1007907A3 (nl) * 1993-12-24 1995-11-14 Asm Lithography Bv Lenzenstelsel met in gasgevulde houder aangebrachte lenselementen en fotolithografisch apparaat voorzien van een dergelijk stelsel.
JPH0888164A (ja) * 1994-09-20 1996-04-02 Nikon Corp 投影露光装置
US6268904B1 (en) * 1997-04-23 2001-07-31 Nikon Corporation Optical exposure apparatus and photo-cleaning method
US20020085185A1 (en) * 2000-11-07 2002-07-04 Silicon Valley Group, Inc. Method and system of varying optical imaging performance in the presence of refractive index variations
JP2002373852A (ja) * 2001-06-15 2002-12-26 Canon Inc 露光装置
JP2003142395A (ja) * 2001-11-08 2003-05-16 Canon Inc 温度制御流体供給装置、及びその装置を備える露光装置と半導体デバイス製造方法
DE10220324A1 (de) 2002-04-29 2003-11-13 Zeiss Carl Smt Ag Projektionsverfahren mit Pupillenfilterung und Projektionsobjektiv hierfür
JP2006080108A (ja) * 2004-09-07 2006-03-23 Nikon Corp 露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
US7476491B2 (en) * 2004-09-15 2009-01-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, gas supply system, method for purging, and device manufacturing method and device manufactured thereby
US7423732B2 (en) 2004-11-04 2008-09-09 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing placement of a patterning device at a pupil plane
US7265815B2 (en) * 2005-05-19 2007-09-04 Asml Holding N.V. System and method utilizing an illumination beam adjusting system
JP4701030B2 (ja) * 2005-07-22 2011-06-15 キヤノン株式会社 露光装置、露光パラメータを設定する設定方法、露光方法、デバイス製造方法及びプログラム
JP2007057244A (ja) * 2005-08-22 2007-03-08 Nikon Corp 偏光測定装置、露光装置、および露光方法
WO2007039257A1 (en) * 2005-10-03 2007-04-12 Firma Carl Zeiss Smt Ag Illumination system comprising an otpical filter
JP2008270502A (ja) * 2007-04-19 2008-11-06 Canon Inc 露光装置、露光方法およびデバイス製造方法
JP5224218B2 (ja) * 2007-07-23 2013-07-03 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置の光学システム
US7916269B2 (en) * 2007-07-24 2011-03-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and contamination removal or prevention method
JP2009212313A (ja) * 2008-03-04 2009-09-17 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法
JP5197304B2 (ja) 2008-10-30 2013-05-15 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
JP5478773B2 (ja) 2010-03-26 2014-04-23 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 光学系、露光装置、及び波面補正方法
WO2012123000A1 (en) * 2011-03-15 2012-09-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Method of operating a microlithographic projection exposure apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JP2016518619A (ja) 2016-06-23
US20160004174A1 (en) 2016-01-07
US9720336B2 (en) 2017-08-01
WO2014154229A1 (en) 2014-10-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100554253B1 (ko) 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법, 및 그것에 의해제조된 디바이스
KR100554878B1 (ko) 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및 이것에 의해제조된 디바이스
JP4689693B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
US9372411B2 (en) Projection objective of a microlithographic projection exposure apparatus
JP5108157B2 (ja) リソグラフィ投影装置
JP6420757B2 (ja) マイクロリソグラフィ装置及びそのような装置において光学波面を変更する方法
JP5478773B2 (ja) 光学系、露光装置、及び波面補正方法
US9720336B2 (en) Microlithographic apparatus and method of varying a light irradiance distribution
JP4621705B2 (ja) 調整システムおよび少なくとも1つのオブジェクトを備えるアセンブリ、調整システムならびにリソグラフィ装置および方法
JP4639134B2 (ja) リソグラフィ・システムおよびリソグラフィ・システム内の光路の透過特性を調整するための方法
CN102105837B (zh) 反射镜、光刻设备以及器件制造方法
TW201510674A (zh) 微影設備及改變光輻射分佈的方法
TWI548952B (zh) 微影投影曝光裝置及其操作方法
JP6694518B2 (ja) パターニングデバイス冷却装置
JP2009510792A (ja) リソグラフィ装置及び制御方法
JP4435762B2 (ja) レンズ素子、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
WO2015018424A1 (en) Microlithographic projection exposure apparatus and method of correcting an aberration in such an apparatus
JP2007096293A (ja) 照明ビーム測定
JP6952136B2 (ja) リソグラフィの方法及び装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160916

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160926

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20161226

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20170213

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170327

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170703

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20171003

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20171201

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20171226

A524 Written submission of copy of amendment under article 19 pct

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524

Effective date: 20171226

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180319

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20180418

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180510

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6339658

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250