JP2003142395A

JP2003142395A - 温度制御流体供給装置、及びその装置を備える露光装置と半導体デバイス製造方法

Info

Publication number: JP2003142395A
Application number: JP2001342842A
Authority: JP
Inventors: Takehiro Murakami; 雄大村上
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2001-11-08
Filing date: 2001-11-08
Publication date: 2003-05-16

Abstract

(57)【要約】【課題】温度制御されたパージガスの供給中の周囲環
境の変動により受ける影響を最小限に抑え、かつ、温度
制御され所望の熱交換作用を実現するためのパージガス
の供給、排気、及び循環システムを提供する。【解決手段】温度制御対象へ温度制御流体を供給する
流体供給配管３０と、該温度制御流体と熱交換する熱交
換流体を供給する恒温水供給配管３１とを有し、該恒温
水供給配管３１及び流体供給配管３０が少なくとも部分
的に互いに密着する密着手段を備え、流体供給配管３０
及び恒温水供給配管３１を外側から覆う断熱部としての
断熱材３３を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体集積
回路、液晶表示素子等を製造するためのフォトリソグラ
フィ工程中でマスクに描かれたパターンを感光基板上に
転写するステッパなどに適した温度制御流体供給装置及
び該流体供給装置を備える露光装置等に関し、特に酸素
の存在する雰囲気中における光エネルギの吸収性の高い
波長帯を有する露光光を用いる場合に有効である。

【０００２】

【従来の技術】例えば半導体デバイスを製造する際に使
用されるステッパ等の投影露光装置においては、半導体
デバイスの集積度向上及び微細化に対応するため、特に
解像度を高めることが要求されている。その解像度は、
ほぼ、露光光の波長に反比例し、開口数に比例すること
が知られている。そのため、露光波長は短波長化の傾向
にあり、また、高開口数化に対しては、球面レンズ径の
大口径化、ひいては投影露光装置の投影光学系の大型化
が予想されていた。

【０００３】まず、露光光の短波長化に伴い、投影露光
装置の光源は、水銀ランプの可視域のｇ線（波長４３６
ｎｍ）から紫外域のｉ線（波長３６５ｎｍ）へと変遷
し、最近では希ガス−ハライドエキシマであるＫｒＦエ
キシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）に移行してきてい
る。現在は、真空紫外域（ＶＬ「Ｖ」の波長を有する同
じく希ガスーハライドエキシマのＡｒＦエキシマレーザ
光（波長１９３ｎｍ）を光源とした露光装置が開発さ
れ、更に、希ガスエキシマのＦ₂ レーザ光（波長１５７
ｎｍ）、更には同Ａｒ₂ レーザ光（波長１２６ｎｍ）、
同Ｎｅ₂ レーザ光（波長７１ｎｍ）の光源としての採用
が検討されている。また、波長１ｎｍ程度のＸ線等の採
用も検討されている。

【０００４】しかし、ＡｒＦエキシマレーザ光程度以下
の波長域、即ち、波長約２００ｎｍ程度以下の真空紫外
域の光では、空気中の酸素による吸収が起こってオゾン
が発生する。生成するオゾンや空気中に存在する酸素
は、波長が約４００ｎｍ以下の光を吸収する能力が高
く、光の透過率を減少させる。例えば、オゾンには、波
長２２０〜３２０ｎｍの光に対して観測されるハートレ
イ（Ｈａｒｔｌｅｙ）吸収帯が光吸収帯として存在す
る。吸収係数は波長２５４ｎｍで約１３４ｃｍ^-1とオゾ
ンの吸収帯の中では一番光吸収が強く、これは１ａｔｍ
（１．０１３×１０⁵Ｐａ）において、０．０８ｍｍの
厚さで入射光の９０％を吸収する。この性質は、オゾン
の存在を検知する手法として工業的に実用化されてい
る。また、波長３００〜３７４ｎｍにかけては、フッゲ
ンス（Ｈｕｇｇｅｎｓ）吸収帯が存在し、短波長側で
は、前述のハートレイ吸収帯に重なり、オゾンの光吸収
帯の中では、ハートレイ吸収帯に次いで強い吸収を示
す。また、酸素には、波長２４０ｎｍ以下の光に対して
光吸収帯が存在する。波長２０５〜２４０ｎｍの光に対
しては、ヘルツベルグ（Ｈｅｒｚ−Ｂｅｒｇ）吸収帯
が、波長１７５ｎｍ〜２０３ｎｍの光に対してはシュー
マンルンゲ（Ｓｃｈｕｍａｎｎ−Ｒｕｎｇｅ）吸収帯
が、さらに波長１２６〜１７５ｎｍの光に対しては、シ
ューマンルンゲ連続吸収帯がそれぞれ光吸収帯として存
在する。これらの場合には、酸素から一時的に、反応性
の強い活性酸素を生成し、また、オゾンをも生成する。
投影露光装置の露光用照明光光路上の雰囲気中に酸素、
または、オゾンが存在する場合、これらの光吸収作用が
発生することとなり、露光用照明光が光吸収され、光の
透過率が低下し、露光に必要な光量が得られなくなると
いう問題が生ずる。

【０００５】更に、Ｆ₂ レーザ程度以下の波長域では、
極短い光路上で使用する場合には露光に支障ないが、長
い光軸上で使用する場合には窒素でも吸収帯が存在し、
露光に必要な光量が得られなくなる。

【０００６】次に、大気中の微量な不純物は、露光光に
基づく光化学反応により活性化し、レンズ部材に不透明
な物質を生成することが知られている。例えば、ＫｒＦ
エキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）のような遠紫外（Ｄ
ＵＶ）域以下の波長を有する光を露光用照明光として用
いる場合には、露光用照明光が大気中の不純物を光化学
反応によって活性化し、それらの活性化した不純物が光
学系に付着し、いわゆる、『曇り』物質として、レンズ
をはじめとした投影光学系内の光学素子等の部材に付着
し、この『曇り』物質による露光光の散乱や吸収を生じ
せしめ、光学系の性能（透過率など）を著しく低下させ
る。

【０００７】このように、遠紫外域以下の波長を有する
光による光化学反応によって活性化する物質としては、
アンモニアや硫黄酸化物、さらにはシロキサンなどが挙
げられ、一般的にこれらの物質は、クリーンルーム雰囲
気に存在し、投影露光装置内に侵入する。また、通常の
大気下の雰囲気中においては、これらの物質を除去する
ことは困難であり、また、露光装置設置環境の全雰囲気
に対して、フィルタリングを行い、これらの物質を除去
することは、コスト的な面においても実用上、好ましく
ない。したがって、このような遠紫外域以下の光源を照
明光とする投影露光装置では、光源からの照明光を効率
的に使用し、曇り物質の付着を防止するためにも、照明
光の光路を照明光に対し不活性なガスで置換する必要が
ある。

【０００８】そこで、ＫｒＦエキシマレーザの波長より
も短い波長域（２４８ｎｍ程度）以下であって、ＡｒＦ
エキシマレーザの波長（１９３ｎｍ）程度までの波長域
を使用する場合には、その露光用照明光光路の大部分を
窒素や、ヘリウムなどの不活性ガスにて、また、Ｆ₂ レ
ーザの波長程度（１５７ｎｍ）以下の波長域の光を使用
する場合には、窒素と異なる別の気体（不活性ガス等）
で置換するか、または真空にする必要がある。しかし、
照明光光路上を真空に保つには、かなりの経費を要す
る。

【０００９】一方、高い開口数を実現し、広い露光域を
確保するアプローチとして、投影光学系内に数枚の非球
面加工された面を有する非球面部材を球面部材の間に挿
入する技術が導入されている。この場合、高い開口数を
実現するとともに、物像間距離を短くすることができ、
レンズ径の小型化と、レンズ枚数の削減が可能となり、
投影光学系をそれほど大きくせず、上記半導体デバイス
の集積化と、微細化に対応することが可能である。

【００１０】現在開発されている露光装置の中で、波長
２００ｎｍ以下の真空紫外域の波長を有する光を露光用
照明光として採用している露光装置において、石英や螢
石は上記非球面部材の硝材として適用されうる。螢石
は、石英に比べ熱伝導率が高く、熱膨張しやすい。露光
に際しては、照射エネルギの高い照明光で照射されるた
め、照射エネルギのレンズ部材等による熱吸収が発生
し、従って、投影光学系内のレンズやその周辺の雰囲気
の状態（温度、湿度、及び気圧等）の変化により、非球
面部材の前後の雰囲気の屈折率の変化による補正困難な
ディストーション等の収差が発生するなど、結像特性に
影響を及ぼす。球面レンズの場合は、シュミレーション
等により収差がかなり正確に予測可能なため、例えば球
面レンズ位置の微動等により一定の結像特性を維持しう
る制御が可能である。非球面部材として螢石を使用する
場合は、露光光の狭帯化を実施し、色消しの負担を小さ
くすることによりレンズ枚数を削減する方法が採られて
いるが、今後、露光用照明光の短波長化が進むに従い、
非球面部材の使用枚数も増加する傾向にある。

【００１１】また、照明条件の違いや、照明しようとす
るパターンの違いによる投影光学系内での照明光光路の
違い、投影光学系内での硝材の種類の違いによる透過率
の差等により、投影光学系内での温度分布が発生する。
これに伴い、結像特性の変動が生じ、初期状態を維持で
きなくなる。

【００１２】このような熱膨張しやすい硝材を非球面部
材に使用することにより収差が発生する場合や（照明条
件の違いや異なる硝材間での温度分布の生ずる場合は、
露光環境の不安定な状態を排除するために、従来より所
望のレンズ空間、または露光用照明光光路上に、露光波
長に対し光吸収がなく、温度調整された、熱交換特性が
良好な流体を流すことにより、投影光学系内のレンズ部
材の温度変化を吸収し、また、レンズ部材周辺の雰囲気
の状態を一定に保ち、結像特性の安定化を図れる。さら
に一層の廃熱処理・温調技術に対する高い要望もあり、
より安定した高い熱交換特性を有する制御流体の供給及
び供給方法の開発が必要である。

【００１３】上述した件に関し、高い熱伝導特性を有
し、光吸収が生ぜず、レンズ部材の曇り現象が発生する
ことのない雰囲気を投影光学系内に実現するためには、
例えば、不活性ガスには、ヘリウムを投影光学系内の所
望の空間へ供給する方法がある。ヘリウムガスは、他の
不活性ガス（例えば、窒素）に比べ、熱伝導率が５倍以
上あり、不活性ガスの中では良好な熱伝導特性をもつガ
スであるといえる。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、熱伝導特性が
良好である流体は、反面、流体供給・排出環境の変動に
よる影響を受けやすい。例えば、不活性ガスを供給する
配管長を長くすると、供給配管を介して外乱から受ける
影響を受けやすくなる。また、供給配管を、供給先であ
る投影露光装置内の周辺環境とは比較的異なる箇所に設
置するだけでも、その通過する時間と、距離に応じて、
配管を介しての外乱の影響を受けやすくなる。これらの
ケ―スで不活性ガスを供給する際には、何らかの不活性
ガス配管、または不活性ガスに対し、外乱の影響を受け
ないような外乱からの不伝熱処置を施す必要がある。

【００１５】そこで、本発明の目的は、温度制御された
パージガスの供給中の周囲環境の変動により受ける影響
を最小限に抑え、かつ、温度制御され所望の熱交換作用
を実現するための上記パージガスの供給、排気、及び循
環システムを確立した温度制御流体供給装置、及びその
装置を備える露光装置等を提供することにある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明に係る温度制御流
体供給装置は、上記課題を解決すべくなされたものであ
り、温度制御対象へ温度制御流体を供給する流体供給配
管と、該温度制御流体と熱交換する熱交換流体を供給す
る熱交換流体供給配管とを有し、該熱交換流体供給配管
及び前記流体供給配管が少なくとも部分的に互いに密着
する密着手段を備えることを特徴とする。前記流体供給
配管及び熱交換流体供給配管を外側から覆う断熱部を有
することが好ましい。前記流体供給配管の供給側の少な
くとも一部分が、恒温に慣らされた物体表面、該表面の
近傍及び恒温に慣らされた媒体中のいずれかに配置され
ることが好ましい。

【００１７】また、本発明は、照明光により照明された
所定の原版上のパターンを投影光学系を介して露光基板
上に転写する露光装置において、前記投影光学系の少な
くとも一部が外気との通気に対して略密閉される容器に
包囲され、該容器内に光学部材が存在し、温度制御対象
が、前記容器内、前記光学部材、及び該光学部材の支持
部材に囲まれた空間のいずれかの少なくとも一部分であ
り、前記のいずれかの温度制御流体供給装置を備えるこ
とを特徴としてもよい。

【００１８】また、本発明に係る露光装置は、照明光に
より照明された所定の原版上のパターンを投影光学系を
介して露光基板上に転写し、前記投影光学系内の前記照
明光光路上の少なくとも一部、または、光学部材、及び
その周辺部材の存在する空間の少なくとも一空間に、前
記照明光の波長に対し光吸収帯が存在しない、温度制御
された温度制御流体を、前記流体の供給配管等の供給経
路外から受ける温度変動に対する影響を抑制する流体供
給手段によって供給することを特徴とするものであって
もよい。

【００１９】また、本発明は、前記露光装置において、
前記容器内の前記温度制御流体の供給入口温度、あるい
は前記投影光学系内の前記照明光光軸上、もしくは前記
照明光光軸付近の雰囲気温度、または前記光学部材の表
面温度に基づいて、該温度制御流体を温度制御する温度
制御手段を備えたことを特徴としてもよい。

【００２０】また、本発明は、前記いずれかの露光装置
において、前記容器内の前記温度制御流体の供給入口温
度、あるいは前記投影光学系内の前記照明光光軸上、も
しくは前記照明光光軸付近の雰囲気温度、または前記光
学部材の表面温度に基づいて、前記物体表面、あるいは
前記媒質を温度制御し、前記流体供給配管を介し、前記
温度制御流体を温度制御することを特徴としてもよい。

【００２１】また、本発明は、前記いずれかの露光装置
において、恒温に慣らされる物体表面または該表面の近
傍、あるいは該物体により恒温に慣らされた媒質中に、
前記流体供給配管の排気側の少なくとも一部分が配置さ
れ、該流体供給配管を流れる前記温度制御流体の、前記
温度制御手段に対する熱交換負荷を軽減することを特徴
としてもよい。

【００２２】また、本発明は、前記いずれかの露光装置
において、恒温に慣らされる物体表面または該表面の近
傍、あるいは該物体により恒温に慣らされた媒質中に、
前記流体供給配管の排気側の少なくとも一部分が配置さ
れ、該流体供給配管を流れる前記温度制御流体の、制御
基準を満たすときには前記温度制御手段を介さず、前記
容器内に該温度制御流体が供給されることを特徴として
もよい。

【００２３】また、本発明は、前記いずれかの露光装置
において、前記流体供給配管の、前記物体表面、または
前記物体近傍、あるいは前記媒質中に配置される少なく
とも一部分と、該物体表面、あるいは該媒質が、熱伝導
特性の良好な物質を含む媒体で構成することを特徴とし
てもよい。

【００２４】また、本発明は、前記いずれかの露光装置
において、前記流体供給配管の、少なくとも前記物体表
面、または前記物体近傍、あるいは前記媒質中に配置さ
れない前記流体供給配管の部分を、熱伝導特性の良好で
ない物質を含む媒体で構成するか、または該媒体で覆う
ことを特徴としてもよい。

【００２５】また、本発明は、前記のいずれかの露光装
置において、前記物体表面が、温度調整された熱交換流
体を供給する熱交換流体供給配管の表面であることを特
徴としてもよい。

【００２６】また、本発明は、前記いずれかの露光装置
において、前記媒質が、温度調整され温度制御流体と熱
交換する熱交換流体であることを特徴としてもよい。こ
の場合、前記熱交換流体供給配管が前記投影露光装置に
構成されている既存の温度調整手段に用いられている流
体を供給する配管であってもよく、前記熱交換流体供給
配管が前記投影露光装置の温度制御に関与しない、独立
した流体を供給する配管であってもよい。

【００２７】本発明に係る露光装置は、前記熱交換流体
供給配管により供給される前記熱交換流体が、前記流体
供給配管により供給される前記温度制御流体と同等か、
あるいは前記温度制御流体より大きい比熱を有すること
を特徴としてもよい。

【００２８】本発明では、例えば、雰囲気物性（温度、
湿度、圧力等）がほぼ一定に制御され、熱伝導特性が良
好であり、露光用照明光の透過率を低減させることのな
い、光化学反応により、レンズ部材に対して曇り物質を
発生させない流体を、非球面加工された部分を有する光
学部材、該光学部材の支持部材、及び露光装置の投影光
学系の周囲を略密閉する容器とで囲まれた空間に供給す
る供給経路上で、該流体が受ける温度的外乱を抑制する
ために、恒温に慣らされた物体表面または該表面の近
傍、あるいは恒温に慣らされた媒質中に、該流体供給配
管の供給側の少なくとも一部分を配置することにより、
該光学部材の周辺雰囲気、あるいは該光学部材の温度安
定性を向上させ、屈折率の変動を抑え、結像特性の安定
性を向上させる。

【００２９】また、本発明は、露光装置を用いて行う半
導体デバイス製造方法を、上記課題を解決する手段とし
て提起する。

【００３０】また、本発明は、前記いずれかの露光装置
を含む各種プロセス用の製造装置群を半導体製造工場に
設置する工程と、該製造装置群を用いて複数のプロセス
によって半導体デバイスを製造する工程とを有する半導
体デバイス製造方法にも適用される。前記製造装置群を
ローカルエリアネットワークで接続する工程と、前記ロ
ーカルエリアネットワークと前記半導体製造工場外の外
部ネットワークとの間で、前記製造装置群の少なくとも
１台に関する情報をデータ通信する工程とをさらに有す
ることが望ましい。前記露光装置のベンダもしくはユー
ザが提供するデータベースに前記外部ネットワークを介
してアクセスしてデータ通信によって前記製造装置の保
守情報を得る、もしくは前記半導体製造工場とは別の半
導体製造工場との間で前記外部ネットワークを介してデ
ータ通信して生産管理を行うことが好ましい。

【００３１】また、本発明は、前記いずれかの露光装置
を含む各種プロセス用の製造装置群と、該製造装置群を
接続するローカルエリアネットワークと、該ローカルエ
リアネットワークから工場外の外部ネットワークにアク
セス可能にするゲートウェイを有し、前記製造装置群の
少なくとも１台に関する情報をデータ通信することを可
能にした半導体製造工場であってもよい。

【００３２】また、本発明は、半導体製造工場に設置さ
れた前記いずれかの露光装置の保守方法であって、前記
露光装置のベンダもしくはユーザが、半導体製造工場の
外部ネットワークに接続された保守データベースを提供
する工程と、前記半導体製造工場内から前記外部ネット
ワークを介して前記保守データベースへのアクセスを許
可する工程と、前記保守データベースに蓄積される保守
情報を前記外部ネットワークを介して半導体製造工場側
に送信する工程とを有することを特徴としてもよい。

【００３３】また、本発明は、前記いずれかの露光装置
において、ディスプレイと、ネットワークインタフェー
スと、ネットワーク用ソフトウェアを実行するコンピュ
ータとをさらに有し、露光装置の保守情報をコンピュー
タネットワークを介してデータ通信することを可能にし
たことを特徴としてもよい。前記ネットワーク用ソフト
ウェアは、前記露光装置が設置された工場の外部ネット
ワークに接続され前記露光装置のベンダもしくはユーザ
が提供する保守データベースにアクセスするためのユー
ザインタフェースを前記ディスプレイ上に提供し、前記
外部ネットワークを介して該データベースから情報を得
ることを可能にすることが好ましい。

【００３４】

【発明の実施の形態】（温度制御流体供給装置を備えた
露光装置の実施形態）本発明の実施形態に係る温度制御
流体供給装置を備えた露光装置について、図面に基づき
説明する。図１は、本発明の実施形態に係る温度制御流
体供給装置を備えた投影露光装置の構成を模式的に示す
図である。図示の装置は、例えば、ＡｒＦエキシマレー
ザのような短波長レーザ光を射出する光源１を備えてい
る。光源１が射出した光ビームは、反射鏡２，３，４に
て反射し、適当に略記した照明光学系７−２を通して原
版であるレティクル（マスク）５に均一に照射される。
光源１からマスク５に至る経路においては、照明光学系
７−２は容器７−１により外気との通気を概略遮蔽さ
れ、この容器７−１には、流体供給装置（パージ手段）
８からバルブ９，２０、流量計１２ｅ、圧力測定子１０
ｅ及び酸素センサ２１ｃを介して、不活性ガス、例えば
窒素ガスが供給されている。

【００３５】レティクル５はレティクルステージ６に固
定されている。レティクル５を透過した光は、投影光学
系１１を構成する略記した種々の非球面に加工された部
分を持つ部材を含む光学素子を介して、ウエハステージ
１６に載置されたウエハ１５の表面上に到達し、レティ
クル５に描画したパターンを結像する。ここで、投影光
学系１１も容器１４−１により外気との通気を遮蔽さ
れ、この容器１４−１には、流体供給装置８からバルブ
９、酸素センサ２１ａ、分岐した複数の配管のそれぞれ
にある流量計１２ａ〜ｄ及び圧力測定子１０ａ〜ｄを介
して、不活性ガス、例えば窒素ガスが供給されている。

【００３６】また、光源１にＦ₂ レーザを用いる場合、
レティクルステージ６の存在する空間は、容器７−１，
１４−１を満たす不活性ガスとして、窒素ガスとは異な
る不活性ガス、例えば、ヘリウムガスで満たす必要があ
る。この場合、照明光学系７−２と投影光学系１４−２
は、外気の通気に対し密閉しなくてはならない。レティ
クル５が交換される際に、レティクルステージ６の存在
する空間は外気に開放されるため、照明光学系７−２や
投影光学系１１とは独立した、外気との通気を遮蔽する
容器１９で覆う必要がある。または、容器１９の代わり
に、レティクルステージ６の存在する空間が開放される
ときに、容器７−１と容器１４−１を空間的に遮蔽する
遮蔽手段１９−１，１９−２を設けても良い。いずれに
せよ、容器１９には、流体供給装置８からバルブ９，２
０、流量計１２ｆ、圧力測定子１０ｆ及び酸素センサ２
１ｂを介して不活性ガス、例えばヘリウムガスが供給さ
れる。

【００３７】なお、図１において、圧力測定子１０ａ〜
ｆ、流量計１２ａ〜ｆ、温度測定子１３ａ〜ｄ、及び酸
素センサ２１ａ〜ｃは、同一縦直線上に配置されている
ものについて、数字符号を適宜省略して一部アルファベ
ットの小文字符号のみで表してある。

【００３８】上記の供給されうる不活性ガスは、各供給
口付近に設置された温度測定子１３ａ〜ｄ、圧力測定子
１０ａ〜ｆによって温度・気圧を測定し、それら測定値
を温度・気圧測定装置２２へ送り、所望の気体状態を実
現するために、流体供給装置８の内部に配置された不図
示の温度制御手段へ温度測定子１３ａ〜ｄより得られた
制御値を送り、また、流体制御装置８の内部に配置され
た不図示の圧力調整手段へ圧力測定子１０ａ〜ｆより送
られた制御値を送り、バルブ９を制御することにより、
供給ガス管理を行っている。また、供給後、圧力測定子
１０ａ〜ｆの不測の不動作に対応するため、供給ガスの
圧力が等価な少なくとも１個所に圧力調整手段２３を設
け、容器７−１，１４−１，１９における不測の供給圧
上昇時の光学系や部材の破損が生じないように対応され
ている。圧力調整手段２３により回収された気体は、余
剰気体回収装置２４へ回収される。

【００３９】ところで、露光装置内には、様々な装置の
位置・姿勢を測定・制御するために、干渉式測長装置
（以下、干渉計と略記）が存在する。この干渉計光路上
の雰囲気が投影露光装置内に存在する発熱体による発熱
のために、温度分布が発生し、揺らぎ現象が生じ、干渉
計測定精度が損なわれることがある。例えば、干渉計は
測定光の通過する光路の屈折率変動が測長誤差要因とな
る。即ち空気の温度変動などにより空気の屈折率が変化
すると、測長精度が悪化することになる。空気の屈折率
の温度変化に対する変化率はおよそ、−１ｐｐｍ／℃で
ある。この場合、測長距離を３００ｍｍ程度とすると、
空気の屈折率変動に伴う測定誤差は、１℃当り０．３μ
ｍ程度となる。

【００４０】露光装置には発熱する部材が存在し、上記
干渉計測定誤差抑止のため、投影露光空間内の雰囲気
は、不図示のフィルタや、温度制御装置を通過し温度・
湿度が制御された空気が供給されている。

【００４１】上記露光装置内で行われている温度制御に
より、投影露光装置内に存在する部材が恒温に慣らされ
る。例えば、投影光学系を支える定盤の足部側面に流体
供給配管３０を沿わせる等の方法が提案できる。また、
温度制御された露光装置内に供給する空気の通過する供
給口に露光装置内部とは隔離する隔壁を設け、その中を
流体供給配管を配置する方法が提案できる。

【００４２】また、露光装置内部では、上記クリーンエ
アによる温度調整に加え、恒温流体、例えばフッ素系不
活性液体を循環することによる強制冷却が行われてい
る。

【００４３】例えば、ウエハステージ１６は、上記の不
図示の干渉計によりその位置・姿勢が測定され、不図示
の制御装置により位置決め制御されている。ウエハステ
ージ１６は、不図示のリニアモータにより駆動され、駆
動時には発熱があり、干渉計光軸上の雰囲気中に温度分
布を生じさせ、上記測定精度の悪化を招く。発熱に基づ
く昇温を防止するために、恒温水が循環し、熱交換を行
う。ウエハステージ１６へは、流体供給装置２５からバ
ルブ２６、圧力測定子２７ｃ、及び流量計２８ｃを介し
て恒温流体、例えばフッ素系不活性液体が供給されてい
る。

【００４４】上記の供給される恒温流体は、供給経路途
中に設置された温度測定子２９ｃ、圧力測定子２７ｃに
よって温度・流体圧を測定し、それら測定値を温度・圧
力測定装置２２へ送り、所望の恒温流体の状態を実現す
るために、恒温流体供給装置２５へ温度測定子２９より
得られた制御値Ｃｖを送り、また、圧力測定子２７ｃよ
り送られた制御値を基に、不図示の制御装置よりバルブ
２６へ指令値を送り、恒温流体供給管理を行っている。

【００４５】また、レティクルステージ６にも、不図示
の干渉計によりそのレティクルステージ６位置を測定し
ている。レティクルステージ６もステージ駆動等による
発熱により、干渉計光路上の雰囲気に温度分布を生じさ
せるため、温度調整された空気を吹き付けるだけでな
く、強制冷却が行われている。レティクルステージ６に
は、恒温流体供給装置２５からバルブ２６、圧力測定子
２７ｂ、及び流量計２８ｂを介して、例えばフッ素系不
活性液体が供給されている。

【００４６】さらに、近年のパターン微細化に伴い、容
器１４−１へも、強制冷却が行われている。容器１４−
１へは、恒温流体供給装置２５からバルブ２６、圧力測
定子２７ａ、流量計２８ａ及び温度測定子２９ａを介し
て恒温流体、例えばフッ素系不活性液体が供給されてい
る。この場合も、供給経路途中に設置された温度測定子
２９ａ、圧力測定子２７ａによって温度と、流体圧を測
定し、それら測定値を温度・圧力測定装置２２へ送り、
所望の恒温流体の状態を実現するために、恒温流体供給
装置２５へ温度測定子２９ａより得られた制御値Ｃｖを
送り、また、圧力測定子２７ａより送られた制御値をバ
ルブ２６へ送り、恒温水供給管理を行っている。また、
容器１４−１の外側から、強制冷却を行っているが、容
器１４−１の外側を断熱性の高い温調ジャケット１４−
２で覆うことにより、熱交換性を向上させている。

【００４７】不活性ガス、とりわけヘリウムは熱伝導率
が高く、熱交換性が高い。しかし、不活性ガス状態が流
体供給配管３０、例えば熱伝導姓の良好なテフロン（登
録商標）チューブ配管等の供給経路上で受ける影響によ
り、供給先の雰囲気状態も変化する。したがって、本発
明を図１のように適用することにより、その問題を回避
できる。すなわち、流体供給配管３０を上述した強制冷
却を行っている熱交換流体供給配管としての恒温流体供
給配管３１に少なくとも１個所に沿わせて恒温流体との
熱交換を行いつつ、供給することにより、供給経路上に
て受けた温度の影響を恒温流体供給配管３１を介した熱
交換により、所望の気体状態を維持しつつ容器７−１，
１４−１，１９に温調制御流体を供給することが可能で
ある。

【００４８】また、図２のように、熱交換特性を向上さ
せるために、流体供給配管３０の外周に恒温流体供給配
管３１をコイル状に巻き回して密着させ、接触面積を大
きくとることが望ましい。また、恒温流体供給配管３１
に密着させるための拘束は、例えば、流体供給配管３
０、及び恒温流体供給配管３１の外側から、外乱からの
影響を最小限に留める目的で、外側より断熱材３３を巻
いても良い。この場合、流体供給配管３０と、恒温流体
供給配管３１の接する部分は、熱伝導特性の良好な材料
で構成することが望ましい。

【００４９】あるいは、断熱材３３で流体供給配管３０
と、恒温流体供給配管３１の外側を覆う代わりに、断熱
性のある媒体、例えば空気等の気体を挟んで別の配管で
覆う、二重配管構造としても良い。

【００５０】また、流体供給配管３０の、上記熱交換を
行わない部分は、外乱からの影響を最小限に留める目的
で、外側より断熱材３３を巻いても良い。

【００５１】所望の熱交換作用の後、流体は流体供給装
置８に帰還されるが、流体供給配管３０を流れる流体が
恒温流体供給配管３１を流れる流体よりも温度が高けれ
ば、流体供給配管３０の排気側配管３０ａも恒温流体供
給配管３１に沿わせて、流体供給装置８に帰還させても
良い。

【００５２】上記実施形態では、レティクルステージ６
やウエハステージ１６、容器１４−１等の投影露光装置
に既存の物に対する強制冷却に用いる恒温流体供給配管
３１に流体供給配管３０を沿わせ、熱交換を行わせるこ
とにより、外乱を抑制した流体を供給する例を示した
が、恒温流体供給配管３５を別途新たに、投影露光装置
の温度調整に寄与しない流体供給配管を専用に増設し
て、その新たな恒温流体供給配管３５に流体供給配管３
０を沿わせて、熱交換を行わせることにより、外乱を抑
制する流体を供給するようにしてもよい。この場合は、
流体供給配管の供給口近傍に設置された温度測定子１３
より得られる制御値を恒温流体に対して行う温度制御の
制御値に対応させてもよい。また、恒温流体供給配管３
５に供給する流体の供給は、恒温流体供給装置２５とは
独立した恒温流体供給装置１８より供給しても良い。こ
の場合、温度測定子１３より得られる制御値を恒温流体
供給装置１８内に配置された不図示の温度制御装置によ
る恒温流体の温度制御の制御値に対応させてもよい。

【００５３】一方、ヘリウムは、原子量が小さいため、
供給配管の継目の細かい隙間からリークする。なるべ
く、配管継目の数を少なくするのが望ましい。

【００５４】そこで、流体供給経路を、温度制御手段ま
で帰還させない経路をも存在させることにより、循環経
路の短縮化が図れる。例えば、投影光学系近傍に設置し
た、供給流体より比熱容量の大きい物質の表面、あるい
は媒質中に供給経路を介して、間接的に接触、浸責させ
て、熱交換を行い、温度分布や気圧等が供給条件を満た
すならば、温度調整機構を具備した流体供給装置８を介
さずに、供給経路内から再循環させても良い。この場合
は、供給流体の濃度の供給基準を下回った場合は、フィ
ルタを介し、不純物を取り除く操作を途中に加える。

【００５５】チャンバ外の雰囲気温度が投影光学系内の
雰囲気における設定温度より低い場合には、不図示の熱
交換器の負荷を軽減するために、チャンバ内に外気を取
り込む際に、熱交換を行ってもよい。その際に、供給温
度条件を満たす場合には、そのまま流体供給経路に再供
給してもよい。これは、ヘリウムの配管継ぎ目からのリ
ークや、温度調整手段への負荷を軽減し、コストがかか
らず、省エネルギのシステムとしての露光装置を提供可
能とする。

【００５６】さらに、配管継ぎ目等からのリークに対応
するため、流体供給装置内または供給系外にバッファー
タンク３２を設け、供給流体が減少したときには、屈折
率の変動や結像特性の不安定性を増さぬ様、ひいては露
光装置停止を招かぬ様に、流体を流体供給装置８に供給
する。この場合は、流量計１２，２８から得た測定値よ
り、最低供給量を下回ると予想される値になったとき
に、流体供給装置８にバルブ３４を介して流体、例えば
ヘリウムを供給するようにしても良い。

【００５７】また、上記実施形態では、投影光学系内に
供給される流体をヘリウムとして説明したが、例えば、
ネオン、アルゴン、キセノン、クリプトン、ラドン等の
不活性ガスや、水素を用いても良い。また、露光装置外
大気より光吸収が少ないドライエアや、ｉ線やｇ線を照
明光とした対曇り物質抑制環境を実現する目的で用いら
れるＣＯ₂ ガスに対しても、温度調整装置の熱交換負荷
を低減するためにも有用となることは明らかである。い
ずれの場合でも、これら恒温流体供給配管３１に供給さ
れる流体は、流体供給配管３０に供給される流体に対
し、同等か、あるいは大きい比熱を有する流体であるこ
とが望ましい。

【００５８】上記実施形態では、恒温水にフッ素系不活
性液体を用いた場合を例とし説明したが、例えば純水や
シリコーンオイルとしても良い。

【００５９】上記実施形態では、フレキシブルな熱伝導
特性の良好なフッ素樹脂チューブ配管を基に説明した
が、供給流体の熱交換が行われる箇所の供給配管の材質
としては、熱交換特性の良好な、例えば銅管、アルミニ
ウム管、クロム管、ステンレス鋼管、または鋼管として
も良い。

【００６０】不活性ガスの経路上での温度調整手段に用
いる恒温流体は、供給流体より熱容量の大きい流体なら
ば液体でなく、気体であっても良い。

【００６１】（半導体生産システムの実施形態）次に、
本発明に係る装置を用いた半導体デバイス（ＩＣやＬＳ
Ｉ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘ
ッド、マイクロマシン等）の生産システムの例を説明す
る。これは半導体製造工場に設置された製造装置のトラ
ブル対応や定期メンテナンス、あるいはソフトウェア提
供などの保守サービスを、製造工場外のコンピュータネ
ットワークを利用して行うものである。

【００６２】図３は全体システムをある角度から切り出
して表現したものである。図中、１０１は半導体デバイ
スの製造装置を提供するベンダ（装置供給メーカ）の事
業所である。製造装置の実例としては、半導体製造工場
で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例えば、
前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エッチン
グ装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装置、
平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検査装置
等）を想定している。事業所１０１内には、製造装置の
保守データベースを提供するホスト管理システム１０
８、複数の操作端末コンピュータ１１０、これらを結ん
でイントラネット等を構築するローカルエリアネットワ
ーク（ＬＡＮ）１０９を備える。ホスト管理システム１
０８は、ＬＡＮ１０９を事業所の外部ネットワークであ
るインターネット１０５に接続するためのゲートウェイ
と、外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能を
備える。

【００６３】一方、１０２〜１０４は、製造装置のユー
ザとしての半導体製造メーカの製造工場である。製造工
場１０２〜１０４は、互いに異なるメーカに属する工場
であっても良いし、同一のメーカに属する工場（例え
ば、前工程用の工場、後工程用の工場等）であっても良
い。各工場１０２〜１０４内には、夫々、複数の製造装
置１０６と、それらを結んでイントラネット等を構築す
るローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１１１と、各
製造装置１０６の稼動状況を監視する監視装置としてホ
スト管理システム１０７とが設けられている。各工場１
０２〜１０４に設けられたホスト管理システム１０７
は、各工場内のＬＡＮ１１１を工場の外部ネットワーク
であるインターネット１０５に接続するためのゲートウ
ェイを備える。これにより各工場のＬＡＮ１１１からイ
ンターネット１０５を介してベンダの事業所１０１側の
ホスト管理システム１０８にアクセスが可能となり、ホ
スト管理システム１０８のセキュリティ機能によって限
られたユーザだけにアクセスが許可となっている。具体
的には、インターネット１０５を介して、各製造装置１
０６の稼動状況を示すステータス情報（例えば、トラブ
ルが発生した製造装置の症状）を工場側からベンダ側に
通知する他、その通知に対応する応答情報（例えば、ト
ラブルに対する対処方法を指示する情報、対処用のソフ
トウェアやデータ）や、最新のソフトウェア、ヘルプ情
報などの保守情報をベンダ側から受け取ることができ
る。各工場１０２〜１０４とベンダの事業所１０１との
間のデータ通信および各工場内のＬＡＮ１１１でのデー
タ通信には、インターネットで一般的に使用されている
通信プロトコル（ＴＣＰ／ＩＰ）が使用される。なお、
工場外の外部ネットワークとしてインターネットを利用
する代わりに、第三者からのアクセスができずにセキュ
リティの高い専用線ネットワーク（ＩＳＤＮなど）を利
用することもできる。また、ホスト管理システムはベン
ダが提供するものに限らずユーザがデータベースを構築
して外部ネットワーク上に置き、ユーザの複数の工場か
ら該データベースへのアクセスを許可するようにしても
よい。

【００６４】さて、図４は本実施形態の全体システムを
図３とは別の角度から切り出して表現した概念図であ
る。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユー
ザ工場と、該製造装置のベンダの管理システムとを外部
ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介して
各工場の生産管理や少なくとも１台の製造装置の情報を
データ通信するものであった。これに対し本例は、複数
のベンダの製造装置を備えた工場と、該複数の製造装置
のそれぞれのベンダの管理システムとを工場外の外部ネ
ットワークで接続して、各製造装置の保守情報をデータ
通信するものである。図中、２０１は製造装置ユーザ
（半導体デバイス製造メーカ）の製造工場であり、工場
の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここで
は例として露光装置２０２、レジスト処理装置２０３、
成膜処理装置２０４が導入されている。なお図４では製
造工場２０１は１つだけ描いているが、実際は複数の工
場が同様にネットワーク化されている。工場内の各装置
はＬＡＮ２０６で接続されてイントラネットを構成し、
ホスト管理システム２０５で製造ラインの稼動管理がさ
れている。

【００６５】一方、露光装置メーカ２１０、レジスト処
理装置メーカ２２０、成膜装置メーカ２３０などベンダ
（装置供給メーカ）の各事業所には、それぞれ供給した
機器の遠隔保守を行うためのホスト管理システム２１
１，２２１，２３１を備え、これらは上述したように保
守データベースと外部ネットワークのゲートウェイを備
える。ユーザの製造工場内の各装置を管理するホスト管
理システム２０５と、各装置のベンダの管理システム２
１１，２２１，２３１とは、外部ネットワーク２００で
あるインターネットもしくは専用線ネットワークによっ
て接続されている。このシステムにおいて、製造ライン
の一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起きると、
製造ラインの稼動が休止してしまうが、トラブルが起き
た機器のベンダからインターネット２００を介した遠隔
保守を受けることで迅速な対応が可能であり、製造ライ
ンの休止を最小限に抑えることができる。

【００６６】半導体製造工場に設置された各製造装置は
それぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェー
スと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用
ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実行
するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモ
リやハードディスク、あるいはネットワークファイルサ
ーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフト
ウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例え
ば図５に一例を示す様な画面のユーザインタフェースを
ディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理す
るオペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機種
４０１、シリアルナンバー４０２、トラブルの件名４０
３、発生日４０４、緊急度４０５、症状４０６、対処法
４０７、経過４０８等の情報を画面上の入力項目に入力
する。入力された情報はインターネットを介して保守デ
ータベースに送信され、その結果の適切な保守情報が保
守データベースから返信されディスプレイ上に提示され
る。またウェブブラウザが提供するユーザインタフェー
スはさらに図示のごとくハイパーリンク機能４１０〜４
１２を実現し、オペレータは各項目の更に詳細な情報に
アクセスしたり、ベンダが提供するソフトウェアライブ
ラリから製造装置に使用する最新バージョンのソフトウ
ェアを引出したり、工場のオペレータの参考に供する操
作ガイド（ヘルプ情報）を引出したりすることができ
る。ここで、保守データベースが提供する保守情報に
は、上記説明した本発明に関する情報も含まれ、また前
記ソフトウェアライブラリは本発明を実現するための最
新のソフトウェアも提供する。

【００６７】次に上記説明した生産システムを利用した
半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図６は半導
体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。ス
テップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を
行う。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パタ
ーンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３
（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを
製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼
ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラ
フィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次
のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ
４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化す
る工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンデ
ィング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組立
て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作
製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テス
ト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これを出荷（ステップ７）する。前工程と後
工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工場毎
に上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされ
る。また前工程工場と後工程工場との間でも、インター
ネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や装
置保守のための情報がデータ通信される。

【００６８】図７は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ
１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ
１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分
を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチ
ングが済んで不要となったレジストを取り除く。これら
のステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多
重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造機
器は上記説明した遠隔保守システムによって保守がなさ
れているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしトラ
ブルが発生しても迅速な復旧が可能であり、従来に比べ
て半導体デバイスの生産性を向上させることができる。

【００６９】本発明の生産方法を用いることによって、
従来は製造が難しかった大型のデバイスを低コストに製
造することができる。

【００７０】

【発明の効果】本発明は、上記構成により、投影光学系
内部材の温度調整が時間をかけることなくでき、露光中
における投影露光装置の屈折率や結像特性を安定させ、
常時露光可能な状態を実現でき、露光途中における装置
停止を招くことなく、ひいては、半導体製造のスループ
ット向上につながるという効果を奏する。また、ヘリウ
ムガス損失が低下するため、半導体デバイス製造コスト
を削減することができ、新たに、本発明の適用のため
に、冷凍器や、加熱器を増設する必要がなく、低コスト
で露光装置性能を向上させることができ、装置の簡素化
にも貢献できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係る温度制御流体供給
装置を備える露光装置を示す模式図である。

【図２】本発明の実施形態に係る流体供給手段を示し
た斜視図である。

【図３】本発明に係る装置を用いた半導体デバイスの
生産システムをある角度から見た概念図である。

【図４】本発明に係る装置を用いた半導体デバイスの
生産システムを別の角度から見た概念図である。

【図５】ユーザインタフェースの具体例である。

【図６】デバイスの製造プロセスのフローを説明する
図である。

【図７】ウエハプロセスを説明する図である。

【符号の説明】

１：光源、２，３，４：反射鏡、５：レティクル（マス
ク）、６：レティクルステージ、７−１：光源から照明
光学系を略密閉する容器、７−２：照明光学系（略
図）、８：流体供給装置、９：バルブ、１０ａ〜ｆ：圧
力測定子、１１：投影光学系（略図）、１２ａ〜ｆ：流
量計、１３ａ〜ｆ：温度測定子、１４：投影光学系を略
密閉する容器、１４−１：投影光学系を略密閉する容
器、１４−２：温調ジャケット、１５：ウエハ、１６：
ウエハステージ、１８：恒温流体供給装置、１９：レテ
ィクル空間を略密閉する容器、１９−１，１９−２：遮
蔽手段、２０：バルブ、２１ａ〜ｃ：酸素センサ、２
２：温度・圧力制御装置、２３ａ，２３ｂ：圧力調整手
段、２４：余剰気体回収装置、２５：恒温水供給装置、
２６：バルブ、２７ａ〜ｃ：圧力測定子、２８ａ〜ｃ：
流量計、２９ａ〜ｃ：温度測定子、３０：流体供給配
管、３１：恒温水供給配管（熱交換流体供給配管）、３
２：バッファータンク、３３：断熱材、３４：バルブ、
３５：恒温流体供給配管。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】温度制御対象へ温度制御流体を供給する
流体供給配管と、該温度制御流体と熱交換する熱交換流
体を供給する熱交換流体供給配管とを有し、該熱交換流
体供給配管及び前記流体供給配管が少なくとも部分的に
互いに密着する密着手段を備えることを特徴とする温度
制御流体供給装置。
【請求項２】前記流体供給配管及び熱交換流体供給配
管を外側から覆う断熱部を有することを特徴とする請求
項１に記載の温度制御流体供給装置。
【請求項３】前記流体供給配管の供給側の少なくとも
一部分が、恒温に慣らされた物体表面、該表面の近傍及
び恒温に慣らされた媒体中のいずれかに配置されること
を特徴とする請求項１または２に記載の温度制御流体供
給装置。
【請求項４】照明光により照明された所定の原版上の
パターンを投影光学系を介して露光基板上に転写する露
光装置において、前記投影光学系の少なくとも一部が外
気との通気に対して略密閉される容器に包囲され、該容
器内に光学部材が存在し、温度制御対象が、前記容器
内、前記光学部材、及び該光学部材の支持部材に囲まれ
た空間のいずれかの少なくとも一部分であり、請求項１
〜３のいずれかに記載の温度制御流体供給装置を備える
ことを特徴とする露光装置。
【請求項５】照明光により照明された所定の原版上の
パターンを投影光学系を介して露光基板上に転写する露
光装置において、前記投影光学系の少なくとも一部が外
気との通気に対して略密閉される容器に包囲され、該容
器内に光学部材が存在し、恒温に慣らされた物体表面、
該表面の近傍及び恒温に慣らされた媒体中にいずれか
に、供給側の少なくとも一部分が配置される流体供給配
管により、前記照明光の波長に対し光吸収帯が存在しな
い温度制御流体が、前記容器、前記光学部材、及び該光
学部材の支持部材に囲まれた空間のいずれかの少なくと
も一部分に前記容器外より供給されることを特徴とする
露光装置。
【請求項６】前記容器内の前記温度制御流体の供給入
口温度、前記投影光学系内の前記照明光光軸上もしくは
該照明光光軸付近の雰囲気温度、及び前記光学部材の表
面温度のいずれかに基づいて、該温度制御流体を温度制
御する温度制御手段を備えたことを特徴とする請求項５
に記載の露光装置。
【請求項７】前記容器内の前記温度制御流体の供給入
口温度、前記投影光学系内の前記照明光光軸上もしくは
該照明光光軸付近の雰囲気温度、及び前記光学部材の表
面温度のいずれかに基づいて、前記物体表面及び前記容
器内の媒質のどちらかを温度制御し、前記流体供給配管
を介し、前記温度制御流体を温度制御することを特徴と
する請求項５または６に記載の露光装置。
【請求項８】恒温に慣らされた物体表面、該表面の近
傍、及び該物体により恒温に慣らされた媒質中のいずれ
かに、前記流体供給配管の排出側の少なくとも一部分が
配置され、該流体供給配管を流れる前記温度制御流体
の、前記温度制御手段に対する熱交換負荷を軽減するこ
とを特徴とする請求項６または７に記載の露光装置。
【請求項９】恒温に慣らされる物体表面、該表面の近
傍、及び該物体により恒温に慣らされた媒質中のいずれ
かに、前記流体供給配管の排出側の少なくとも一部分が
配置され、該流体供給配管を流れる前記温度制御流体
の、制御基準を満たすときには前記温度制御手段を介さ
ず、前記容器内に該温度制御流体が供給されることを特
徴とする請求項６〜８のいずれかに記載の露光装置。
【請求項１０】前記流体供給配管の、前記物体表面、
前記物体近傍、及び前記媒質中のいずれかに配置される
少なくとも一部分と、該物体表面、及び該媒質のどちら
かとが、熱伝導特性の良好な物質を含む媒体で構成され
ることを特徴とする請求項５〜９のいずれかに記載の露
光装置。
【請求項１１】前記物体表面、前記物体近傍、及び前
記媒質中のいずれにも配置されない前記流体供給配管の
少なくとも一部分は、熱伝導特性の良好でない物質を含
む媒体で構成するか、または該媒体で覆うことを特徴と
する請求項５〜１０のいずれかに記載の露光装置。
【請求項１２】前記物体表面が、温度調整され前記温
度制御流体と熱交換する熱交換流体を供給する熱交換流
体供給配管の表面であることを特徴とする請求項５〜１
１のいずれかに記載の露光装置。
【請求項１３】前記媒質が、温度調整され前記温度制
御流体と熱交換する熱交換流体であることを特徴とする
請求項５〜１２のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１４】前記熱交換流体供給配管が、既存の温
度調整手段に用いられている流体を供給する配管である
ことを特徴とする請求項１２に記載の露光装置。
【請求項１５】前記熱交換流体供給配管が、温度制御
に関与しない独立した流体を供給する配管であることを
特徴とする請求項１２に記載の露光装置。
【請求項１６】前記熱交換流体供給配管により供給さ
れる前記熱交換流体が、前記流体供給配管により供給さ
れる前記温度制御流体より小さくない比熱を有すること
を特徴とする請求項１２〜１５に記載の露光装置。
【請求項１７】請求項５〜１６のいずれかに記載の露
光装置を用いて行う半導体デバイス製造方法。
【請求項１８】請求項４〜１６のいずれかに記載の露
光装置を含む各種プロセス用の製造装置群を半導体製造
工場に設置する工程と、該製造装置群を用いて複数のプ
ロセスによって半導体デバイスを製造する工程とを有す
ることを特徴とする半導体デバイス製造方法。
【請求項１９】前記製造装置群をローカルエリアネッ
トワークで接続する工程と、前記ローカルエリアネット
ワークと前記半導体製造工場外の外部ネットワークとの
間で、前記製造装置群の少なくとも１台に関する情報を
データ通信する工程とをさらに有することを特徴とする
請求項１８に記載の半導体デバイス製造方法。
【請求項２０】前記露光装置のベンダもしくはユーザ
が提供するデータベースに前記外部ネットワークを介し
てアクセスしてデータ通信によって前記製造装置の保守
情報を得る、もしくは前記半導体製造工場とは別の半導
体製造工場との間で前記外部ネットワークを介してデー
タ通信して生産管理を行うことを特徴とする請求項１９
に記載の半導体デバイス製造方法。
【請求項２１】請求項４〜１６のいずれかに記載の露
光装置を含む各種プロセス用の製造装置群と、該製造装
置群を接続するローカルエリアネットワークと、該ロー
カルエリアネットワークから工場外の外部ネットワーク
にアクセス可能にするゲートウェイを有し、前記製造装
置群の少なくとも１台に関する情報をデータ通信するこ
とを可能にしたことを特徴とする半導体製造工場。
【請求項２２】半導体製造工場に設置された請求項４
〜１６のいずれかに記載の露光装置の保守方法であっ
て、前記露光装置のベンダもしくはユーザが、半導体製
造工場の外部ネットワークに接続された保守データベー
スを提供する工程と、前記半導体製造工場内から前記外
部ネットワークを介して前記保守データベースへのアク
セスを許可する工程と、前記保守データベースに蓄積さ
れる保守情報を前記外部ネットワークを介して半導体製
造工場側に送信する工程とを有することを特徴とする露
光装置の保守方法。
【請求項２３】請求項４〜１６のいずれかに記載の露
光装置において、ディスプレイと、ネットワークインタ
フェースと、ネットワーク用ソフトウェアを実行するコ
ンピュータとをさらに有し、露光装置の保守情報をコン
ピュータネットワークを介してデータ通信することを可
能にしたことを特徴とする露光装置。
【請求項２４】前記ネットワーク用ソフトウェアは、
前記露光装置が設置された工場の外部ネットワークに接
続され前記露光装置のベンダもしくはユーザが提供する
保守データベースにアクセスするためのユーザインタフ
ェースを前記ディスプレイ上に提供し、前記外部ネット
ワークを介して該データベースから情報を得ることを可
能にすることを特徴とする請求項２３に記載の露光装
置。