JP5478773B2 - 光学系、露光装置、及び波面補正方法 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 145
- 238000012937 correction Methods 0.000 title claims description 69
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 94
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 15
- 238000004088 simulation Methods 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 128
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 27
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 26
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 24
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 18
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 16
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 16
- 230000008859 change Effects 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000005056 compaction Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241001270131 Agaricus moelleri Species 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 238000013404 process transfer Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
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- G03F7/70891—Temperature
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
- G03F7/70266—Adaptive optics, e.g. deformable optical elements for wavefront control, e.g. for aberration adjustment or correction
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
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Description
ΔOPL=dn/dt・ΔT・d
dn/dTが大きい程、望ましい光路長差ΔOPLを生成するのに必要な温度変化ΔTは小さくなる。
1.投影露光装置の一般的な設計
図1は、投影光ビームを生成する照明系12を含む投影露光装置10の非常に簡略化した斜視図である。照明系12は、微細構造18を含むマスク16上で視野14を照明する。この実施形態では、照明視野14は、矩形の形状を有する。しかし、照明視野14の他の形状、例えば、リングセグメントも考えられている。
図2は、図1に示す波面補正デバイス26の簡略化した斜視図である。波面補正デバイス26は、第1の放出口ユニット30と、第1の放出口ユニット30に関連付けられた第1の吸引ユニット32と、第2の放出口ユニット34と、第2の放出口ユニット34に関連付けられた第2の吸引ユニット36とを含む。第1及び第2の放出口ユニット30、34は、信号線38及び40それぞれを通じて制御ユニット42に接続される。
以下では、波面補正デバイス26の機能を図5から図8を参照して説明する。
1.高い空間分解能及び柔軟性
図1から図9に示す第1の実施形態の以上の説明では、Z方向に沿って互いに前後に配置された放出口開口44の各対は、同じ温度を有する気体流48、50を生成する。従って、図6及び図9に示す格子状の温度分布は、2つの次元のみを有する。しかし、Z方向に沿って互いに前後に配置された放出口開口44の対が、異なる温度を有する気体流48、50を生成することができるように第1及び第2の放出口ユニット30、34が制御される場合には、3次元温度格子を生成することができる。例えば、図6及び図9に示す温度分布が互いに重ね合わせられる場合には、気体流の2つの独立した層48、50だけでは得ることができない総温度分布がもたらされることになる。
気体流48、50の間の温度差に基づいて、浮力により、気体流48、50が、Z方向に沿って上下に若干移動する傾向を有することになるか、又は更に層流性を失うことになるという結果がもたらされる可能性がある。更に、他の平行な気体流によって完全には囲まれず、雰囲気気体又は異なる流動方向を有する気体流と接触する気体流では、層流性を維持することが困難である可能性がある。これらの悪影響を回避するために、気体流の層を薄い透過平行平面板又は他の固体光学要素によって分離することができる。
これまでに説明した実施形態では、放出口開口44から流出する流体は気体であった。図12及び図13に示すように、流体流の層を互いから分離する板又は他の光学要素が存在する場合には、気体流を液体流で置換するように考えることができる。
これまでに説明した実施形態では、2つの異なる流体流方向しか存在しない。2つの方向だけでは、限られた数の温度分布しか得ることができない。より多くの数の異なる温度分布を生成することができるために、異なる方向に沿って流体流を生成する2つよりも多い放出口ユニットを使用することができる。
図18は、波面補正デバイス26が、波面変形検出システム90に接続される実施形態による投影露光装置10の略斜視図である。波面変形検出システム90は、投影露光装置10内で、感光層22を支持する基板24が通常配置される位置に配置される。波面変形検出システム90は、オペレータが、通常の投影作動が中断される時間中に投影対物系20に関する波面測定を実施することを可能にする。そのような波面変形検出システム90は、それ自体、当業技術で公知なので、それに対しては、より詳細には説明しない。
Claims (14)
- マイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系(20)であって、
a)放出口開口(44)から流出する流体流(48,50)が、装置(10)の作動中に投影光が伝播する空間に流入するように配置された複数の流体放出口開口(44)と、
b)前記流体流(48,50)の温度を各流体流に対して個々に設定することができる温度コントローラ(60)と、
を含む波面補正デバイス(26)、
を含み、
前記温度コントローラ(60)は、全体として捉えた前記流体流(48,50)が光学系(20)の熱収支に影響を及ぼさないように該流体流(48,50)の前記温度を設定するように構成されることを特徴とする光学系。 - 前記放出口開口(44)は、前記流体流(48,50)が互いに交わらないように配置されることを特徴とする請求項1に記載の光学系。
- 前記放出口開口(22)は、前記流体流(48,50)が、光学系(20)の光軸(48)に対して少なくとも実質的に垂直に前記放出口開口(44)から流出するように配置されることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の光学系。
- 光学系(20)が、複数の光学要素を含み、
前記放出口開口(44)は、前記流体流(48,50)が前記光学要素のうちのいずれにも衝突しないように該光学要素に対して配置される、
ことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の光学系。 - 光学系が、複数の光学要素を含み、
前記放出口開口(44)は、少なくとも一部の流体流が前記光学要素のうちの1つの面上に衝突し、それによって該面上に層状流体流を生成するように該光学要素に対して配置される、
ことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の光学系。 - 2つの隣接流体流(48,50)を分離するように前記空間に配置された少なくとも1つの透明光学要素(78)を含むことを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の光学系。
- 前記流体をそれが前記空間を横断した後で吸い出すように構成された吸引ユニット(32,36)を含むことを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の光学系。
- 前記波面補正デバイス(26)は、流体供給ユニット(64)と、一方の端部で該流体供給ユニット(64)に接続され、かつ前記放出口開口(44)にある他方の端部で終端する複数のチャンネル(56)とを含むことを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の光学系。
- 前記温度コントローラは、前記チャンネル(56)を形成するチャンネル壁(58)の外側に配置された放熱部材(60)を含むことを特徴とする請求項8に記載の光学系。
- 前記放出口開口(44)は、少なくとも2つの流体流(48,50)が非平行であるように配置されることを特徴とする請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の光学系。
- 前記放出口開口(44)は、光学系(20)の光軸(28)に沿って離間した平面に配置されることを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の光学系。
- 前記流体流(48,50)は、各平面に対して異なる方向を有することを特徴とする請求項11に記載の光学系。
- マイクロリソグラフィ投影露光装置であって、
a)請求項1から請求項12のいずれか1項に記載の光学系(20)と、
b)波面変形を検出するように構成され、かつ温度コントローラ(60)に接続された波面変形検出システム(90)と、
を含み、
c)前記温度コントローラ(60)は、前記波面変形検出システム(90)によって検出される前記波面変形に基づいて流体流(48,50)の温度を制御するように構成される、
ことを特徴とする装置。 - マイクロリソグラフィ投影露光装置(10)の光学系における光学波面変形を補正する方法であって、
a)装置(10)の作動中に投影光が伝播する空間を通して複数の流体流(48,50)を案内する段階と、
b)好ましくは、波面変形検出システムにより、シミュレーション又はルックアップテーブルにより決定された波面変形が低減されるように、前記流体流(48,50)の温度を個々に制御する段階と、
c)全体として捉えた前記流体流(48,50)が前記光学系の熱収支に影響を及ぼさないように該流体流(48,50)の前記温度を設定する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/EP2010/001900 WO2011116792A1 (en) | 2010-03-26 | 2010-03-26 | Optical system, exposure apparatus, and waverfront correction method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013524492A JP2013524492A (ja) | 2013-06-17 |
JP5478773B2 true JP5478773B2 (ja) | 2014-04-23 |
Family
ID=43244804
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013501632A Active JP5478773B2 (ja) | 2010-03-26 | 2010-03-26 | 光学系、露光装置、及び波面補正方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9081310B2 (ja) |
JP (1) | JP5478773B2 (ja) |
WO (1) | WO2011116792A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160111153A (ko) | 2015-03-16 | 2016-09-26 | 삼성전기주식회사 | 인덕터 및 인덕터의 제조 방법 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101693950B1 (ko) | 2011-09-29 | 2017-01-06 | 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 | 마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 투영 대물 렌즈 |
WO2013113336A1 (en) | 2012-02-04 | 2013-08-08 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method of operating a microlithographic projection exposure apparatus and projection objective of such an apparatus |
WO2013156041A1 (en) | 2012-04-18 | 2013-10-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | A microlithographic apparatus and a method of changing an optical wavefront in an objective of such an apparatus |
WO2014117791A1 (en) | 2013-02-01 | 2014-08-07 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Microlithographic projection exposure apparatus and method of operating same |
NL2012291A (en) * | 2013-02-20 | 2014-08-21 | Asml Netherlands Bv | Gas flow optimization in reticle stage environment. |
JP6339658B2 (ja) * | 2013-03-28 | 2018-06-06 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 可変透過フィルタを有する対物系を含むマイクロリソグラフィ装置 |
WO2015018424A1 (en) * | 2013-08-06 | 2015-02-12 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Microlithographic projection exposure apparatus and method of correcting an aberration in such an apparatus |
JP6282742B2 (ja) | 2013-09-09 | 2018-02-21 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置及びそのような装置における光学波面変形を補正する方法 |
WO2015036002A1 (en) | 2013-09-14 | 2015-03-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method of operating a microlithographic projection apparatus |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61100929A (ja) * | 1984-10-23 | 1986-05-19 | Canon Inc | 投影型半導体露光装置 |
US6020950A (en) * | 1992-02-24 | 2000-02-01 | Nikon Corporation | Exposure method and projection exposure apparatus |
US5995263A (en) | 1993-11-12 | 1999-11-30 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
JPH0845827A (ja) * | 1994-07-28 | 1996-02-16 | Canon Inc | 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 |
JP3552351B2 (ja) * | 1995-08-07 | 2004-08-11 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
US5883704A (en) * | 1995-08-07 | 1999-03-16 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus wherein focusing of the apparatus is changed by controlling the temperature of a lens element of the projection optical system |
KR0166852B1 (ko) * | 1996-05-21 | 1999-01-15 | 문정환 | 반도체 노광 공정용 축소 투영 렌즈의 디스토션 보정 장치 |
EP0823662A2 (en) | 1996-08-07 | 1998-02-11 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
JPH10214782A (ja) | 1996-11-29 | 1998-08-11 | Nikon Corp | 露光装置 |
DE19827603A1 (de) | 1998-06-20 | 1999-12-23 | Zeiss Carl Fa | Optisches System, insbesondere Projektions-Belichtungsanlage der Mikrolithographie |
JP2000019165A (ja) | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Shimadzu Corp | ガスクロマトグラフ装置 |
DE19963587B4 (de) | 1999-12-29 | 2007-10-04 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektions-Belichtungsanlage |
EP1115019A3 (en) | 1999-12-29 | 2004-07-28 | Carl Zeiss | Projection exposure lens with aspheric elements |
DE10000191B8 (de) | 2000-01-05 | 2005-10-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektbelichtungsanlage der Mikrolithographie |
DE10140208C2 (de) | 2001-08-16 | 2003-11-06 | Zeiss Carl | Optische Anordnung |
EP1483626A2 (de) | 2002-03-01 | 2004-12-08 | Carl Zeiss SMT AG | Refraktives projektionsobjektiv |
JP3944008B2 (ja) * | 2002-06-28 | 2007-07-11 | キヤノン株式会社 | 反射ミラー装置及び露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4608876B2 (ja) * | 2002-12-10 | 2011-01-12 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP1524558A1 (en) * | 2003-10-15 | 2005-04-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101288187B1 (ko) | 2004-01-14 | 2013-07-19 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 반사굴절식 투영 대물렌즈 |
JP2005317626A (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-10 | Seiko Epson Corp | 投影光学系の調整方法、露光装置 |
JP3977377B2 (ja) * | 2005-03-04 | 2007-09-19 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JP2007027438A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置、およびデバイスの製造方法 |
JP5069232B2 (ja) | 2005-07-25 | 2012-11-07 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物レンズ |
DE102006045075A1 (de) | 2006-09-21 | 2008-04-03 | Carl Zeiss Smt Ag | Steuerbares optisches Element |
-
2010
- 2010-03-26 JP JP2013501632A patent/JP5478773B2/ja active Active
- 2010-03-26 WO PCT/EP2010/001900 patent/WO2011116792A1/en active Application Filing
-
2012
- 2012-09-06 US US13/604,941 patent/US9081310B2/en active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160111153A (ko) | 2015-03-16 | 2016-09-26 | 삼성전기주식회사 | 인덕터 및 인덕터의 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013524492A (ja) | 2013-06-17 |
US9081310B2 (en) | 2015-07-14 |
WO2011116792A1 (en) | 2011-09-29 |
US20130016331A1 (en) | 2013-01-17 |
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Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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