JP3924806B2 - 反射防止膜 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、紫外光に対して極めて低い反射率を示す様な反射防止膜に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体素子の集積度を増すために、半導体製造用縮小投影露光装置(ステッパー)の高解像力化の要求が高まっている。このステッパーによるフォトリソグラフィーの解像度を上げる一つの方法として、光源波長の短波長化が挙げられる。最近では、水銀ランプより短波長域の光を発振でき、かつ高出力なエキシマレーザーを光源としたステッパーの実用化が始まっている。このステッパーの光学系において、レンズ等の光学素子の表面反射による光量損失やフレア・ゴースト等を低減するために反射防止膜を形成する必要がある。また、光源であるエキシマレーザーにはKrFエキシマレーザー(λ=248.4nm)やArFエキシマレーザー(λ=193.4nm)等があるが、これらの光に対して吸収の大きい膜物質や耐レーザー性の低い膜物質によって光学薄膜を構成した場合、吸収による光量損失,吸収発熱による基板面変化や膜破壊等を起こしやすくなる。このため使用する膜物質としては低吸収・高耐レーザー性を有しているものが望ましい。前記エキシマレーザー波長にて使用できる膜物質は主にフッ化マグネシウム(MgF2)のようなフッ素化合物や一部の酸化物であるが、種類が限られている。また、同様に使用される基板も蛍石などのフッ素化合物結晶や石英ガラス等に限られている。従来の反射防止膜の例として図8のような構成のものが知られている。これは基板11上に高屈折率層13,低屈折率層14を順次積層させた2層の構成となっている。2層構成の反射防止膜における反射防止条件は、基板の屈折率をns、媒質の屈折率をn0、低屈折率層の屈折率をn1、高屈折率層の屈折率をn2としたとき、
ns/n0≦(n2/n1)2
であることが知られている。設計中心波長λ0=193.4nmにおいて、基板11を石英ガラス(n=1.56)、高屈折率層13をフッ化ランタン(LaF3,n=1.69)、低屈折率層14をフッ化マグネシウム(MgF2,n=1.42)とした場合、前記反射防止条件に当てはめると、
1.56/1>(1.69/1.42)2≒1.42
となり、反射防止条件を満たさない事がわかる。前記のような基板および膜物質を使用した従来の2層反射防止膜でλ=193.4nmにおいて、反射率が最も低くなるのは、
基板 石英ガラス
第1層 LaF3 0.25λ0
第2層 MgF2 0.25λ0
Air
の膜厚構成の場合である。
【0003】
図9に入射角θ=0°における反射特性、図10にλ=193.4nmにおける入射角度特性、図11にλ=193.4nmにおける光学アドミタンス図を示す。図9の反射特性から従来の2層反射防止膜はλ=193.4nmにおいて残存反射が約0.2%であることがわかる。この従来の2層反射防止膜を例えば50枚のレンズからなる光学系に用いた場合、100面の2層反射防止膜を光が透過することとなり、この残存反射により約20%(1-(1-0.002)100=0.18)近い光量が透過することができず、露光効率の低下につながることとなる。
【0004】
さらに、フレア・ゴースト等の原因ともなり、露光精度の低下を引き起こすこととなる。このような残存反射を低減するには図11の光学アドミタンス図において、アドミタンスの軌跡の終点を媒質すなわち空気の屈折率を示す点(1,0)に近づける必要がある。そのためには前記反射防止条件を満たすような物質として、
より低い屈折率の基板
より高い屈折率の高屈折率物質
より低い屈折率の低屈折率物質
を使用する事が考えられる。ところが前述したように使用できる基板および膜物質の種類が限られているため、従来の2層構成では若干の残存反射は避けられないものであった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
紫外光に対する従来の2層反射防止膜は基板および膜物質の制約のために若干の残存反射があった。これは透過光量の低減やフレア・ゴースト等の原因となり、露光効率および露光精度の低下を引き起こすという問題があった。本発明はこの残存反射を極めて低くする事で、例えば半導体製造用ステッパーに用いる光学素子に対して反射防止効果の優れた反射防止膜を提供する事を目的としている。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明は第一に「少なくとも、波長150〜300nmの波長範囲内の任意の設計基準波長λ0に対し、前記波長の光を透過する基板上に基板側から光学的膜厚が0.05λ0〜0.15λ0の低屈折率層、光学的膜厚が0.2λ0〜0.35λ0の高屈折率層、光学的膜厚が0.2λ0〜0.3λ0の低屈折率層を順次積層してなる反射防止膜(請求項1)を提供する。
【0008】
また、本発明は第に「前記低屈折率層がフッ化マグネシウム(MgF2),フッ化アルミニウム(AlF3),フッ化ナトリウム(NaF),フッ化リチウム(LiF),フッ化カルシウム(CaF2),フッ化バリウム(BaF2),フッ化ストロンチウム(SrF2),クリオライト(Na3AlF6),チオライト(Na5Al3F14)又はこれらの混合物質等から選ばれる物質からなり、前記高屈折率層がフッ化ネオジウム(NdF3),フッ化ランタン(LaF3),フッ化ガドリニウム(GdF3),フッ化ディスプロシウム(DyF3),酸化アルミニウム(Al2O3),フッ化鉛(PbF2),フッ化イットリウム(YF3)又はこれらの混合物質等から選ばれる物質からなることを特徴とする請求項1又は2記載の反射防止膜(請求項)」を提供する。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態としての反射防止膜を図面を参照しながら説明する。
図1には、第1の実施形態の反射防止膜が示されている。
本発明にかかる反射防止膜は、基板11上に低屈折率層12,高屈折率層13,低屈折率層14を順次積層した構成である。
【0010】
低屈折率層とは、使用される基板の屈折率よりも低いものを指し、ここでは、フッ化マグネシウム(MgF2),フッ化アルミニウム(AlF3),フッ化ナトリウム(NaF),フッ化リチウム(LiF),フッ化カルシウム(CaF2),フッ化バリウム(BaF2),フッ化ストロンチウム(SrF2),クリオライト(Na3AlF6),チオライト(Na5Al3F14)又はこれらの混合物質等を使用する事ができる。
【0011】
低屈折率層12と低屈折率層14は、それぞれ同種の低屈折率物質を使用しても、異なる低屈折率物質を使用しても所望の反射防止効果を得る事が出来る。また、高屈折率層とは、使用される基板の屈折率よりも高いものを指し、ここでは、フッ化ネオジウム(NdF3),フッ化ランタン(LaF3),フッ化ガドリニウム(GdF3),フッ化ディスプロシウム(DyF3),酸化アルミニウム(Al2O3),フッ化鉛(PbF2),フッ化イットリウム(YF3)又はこれらの混合物質等を使用する事ができる。
【0012】
これらの膜は公知の真空蒸着法,スパッタリング法,イオンプレーティング法などにより基板11上に形成される。
形成される膜12,13,14は、例えば以下に示すような膜構成が挙げられる。
基板 石英ガラス
第1層 MgF2 0.10λ0
第2層 LaF3 0.30λ0
第3層 MgF2 0.25λ0
Air
λ0は設計中心波長で、150〜300nmの範囲で任意に設定できるが、ここではλ0=193.4nmに設定してある。
【0013】
図2は第1の実施形態の反射防止膜のθ=0°の分光反射特性、図3はλ=193.4nmにおける入射角度特性、図4はλ=193.4nmにおける光学アドミタンス図である。
図2の反射特性からλ=193.4nmにおいて反射率がほぼ0であることがわかる。本発明にかかる膜構成により反射率がほぼ0にすることができた理由を図4の光学アドミタンス図を用いて説明する。高屈折率層13のアドミタンスの軌跡がほぼ(2.01,0)で終わっている。これは基板と基板上に形成された低屈折率層12および高屈折率層13全体が、屈折率n=2.01の基板とみなせることを示している。
【0014】
従って、本発明にかかる膜構成は屈折率n=2.01の基板上に低屈折率層14が単層形成されているのと同様である。
ここで基板の屈折率をns、単層の低屈折率層の屈折率をn1、媒質の屈折率をn0としたときの単層膜の反射防止条件は、
ns・n0=n12
であるので、この反射防止条件にns=2.01,n0=1,n1=1.42をそれぞれ代入すると、
2.01×1≒(1.42)2
となり、ほぼ反射防止条件を満たしている。このために良好な反射防止効果が得られたと考えられる。
【0015】
反射率が極めて低い事により本発明の反射防止膜をたとえばステッパーの光学系、特に投影レンズに使用した場合、残存反射による光量損失やフレア・ゴースト等が生じにくい。そのため、優れた露光効率および露光精度が得られる事が期待できる。
図5には、第2の実施形態の反射防止膜が示されている。
【0016】
本発明にかかる反射防止膜は、第1の実施形態の反射防止膜において、基板11と低屈折率層12の間に光学的膜厚0.5λ0の整数倍の低屈折率層15を設けた構成で、例えば以下に示す膜構成が挙げられる。
基板 石英ガラス
第1層 Na3AlF6 1.0λ0
第2層 MgF2 0.10λ0
第3層 LaF3 0.30λ0
第4層 MgF2 0.25λ0
Air
光学的膜厚0.5λ0の整数倍の低屈折率層15は、前記した低屈折率層12,14で使用することができる物質と同様の物質が使用できる。
【0017】
光学的膜厚0.5λ0の整数倍の低屈折率層15、低屈折率層12,14は、それぞれ同種の低屈折率物質を使用しても、異なる低屈折率物質を使用しても所望の反射防止効果を得る事が出来る。図6は第1層としてクリオライト(Na3AlF6)を使用した第2の実施形態の反射防止膜のθ=0°の分光反射特性であり、図7はλ=193.4nmにおける入射角度特性である。
【0018】
図6の反射特性からλ=193.4nmにおいて反射率がほぼ0であり、かつ広帯域化されていることがわかる。
図7と図10の入射角度特性を比較すると、従来の2層反射防止膜では、反射率≦0.5%の入射角度範囲がθ=約±30°だったのに対して、第2の実施形態の反射防止膜では入射角度θ=約±45°まで入射角度特性が向上している。従って、曲率の小さいレンズ等に形成した場合においてもレンズ表面全体で良好な反射防止効果を有することができる。
【0019】
また、第1層目に光学的膜厚0.5λ0の整数倍の低屈折率層14を設けることによって耐レーザー性を高めることができる。
【0020】
【発明の効果】
以上説明したとおり、本発明にかかる反射防止膜の第1の実施形態は、λ=150〜300nmの波長範囲内の任意のある波長にて表面反射を極めて低く(ほぼ反射率0)
する事ができる。
【0021】
また、発明にかかる反射防止膜の第2の実施形態は、λ=150〜300nmの波長範囲内の任意のある波長にて表面反射を極めて低く(ほぼ反射率0)、広帯域化することができ、入射角度特性が良好であり、耐レーザー性を向上することができる。
本発明の反射防止膜を紫外光およびエキシマレーザーを使用して作動する装置の光学素子に用いれば、優れた反射防止効果によりさらなる高性能が期待できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明における第1の実施形態の反射防止膜の断面図である。
【図2】本発明における第1の実施形態の入射角θ=0°における反射特性図である。
【図3】本発明における第1の実施形態のλ=193.4nmにおける入射角度特性図である。
【図4】本発明における第1の実施形態のλ=193.4nmにおける光学アドミタンス図である。
【図5】本発明における第2の実施形態の反射防止膜の断面図である。
【図6】本発明における第2の実施形態の入射角θ=0°における反射特性図である。
【図7】本発明における第2の実施形態のλ=193.4nmにおける入射角度特性図である。
【図8】従来の例としての2層構成の反射防止膜の断面図である。
【図9】従来の例としての2層構成の反射防止膜の入射角θ=0°における反射特性図である。
【図10】従来の例としての2層構成の反射防止膜のλ=193.4nmにおける入射角度特性図である。
【図11】従来の例としての2層構成の反射防止膜のλ=193.4nmにおける光学アドミタンス図である。
【符号の説明】
11・・・基板
12、14、15・・・低屈折率層
13・・・高屈折率層

Claims (2)

  1. 少なくとも、波長150〜300nmの波長範囲内の任意の設計基準波長λ0に対し、前記波長の光を透過する基板上に基板側から光学的膜厚が0.05λ0〜0.15λ0の低屈折率層、光学的膜厚が0.2λ0〜0.35λ0の高屈折率層、光学的膜厚が0.2λ0〜0.3λ0の低屈折率層を順次積層してなる反射防止膜。
  2. 前記低屈折率層がフッ化マグネシウム(MgF2),フッ化アルミニウム(AlF3),フッ化ナトリウム(NaF),フッ化リチウム(LiF),フッ化カルシウム(CaF2),フッ化バリウム(BaF2),フッ化ストロンチウム(SrF2),クリオライト(Na3AlF6),チオライト(Na5Al3F14)又はこれらの混合物質等から選ばれる物質からなり、前記高屈折率層がフッ化ネオジウム(NdF3),フッ化ランタン(LaF3),フッ化ガドリニウム(GdF3),フッ化ディスプロシウム(DyF3),酸化アルミニウム(Al2O3),フッ化鉛(PbF2),フッ化イットリウム(YF3)又はこれらの混合物質等から選ばれる物質からなることを特徴とする請求項1記載の反射防止膜。
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Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3624082B2 (ja) * 1997-11-13 2005-02-23 キヤノン株式会社 反射防止膜及びその製造方法
US6243203B1 (en) * 1998-04-24 2001-06-05 U.S. Philips Corporation Optical system with anti-reflection coating
US6280848B1 (en) * 1998-10-06 2001-08-28 Minolta Co., Ltd. Antireflection coating
EP0994368A3 (en) * 1998-10-13 2000-05-03 Nikon Corporation Anti-reflective films, optical elements and reduction-projection exposure apparatus utilizing same
DE10080898T1 (de) * 1999-03-29 2001-06-28 Nikon Corp Mehrschicht-Antireflexionsfilm, optisches Element und Reduktionsprojektionsbelichtungsapparat
EP1227344A4 (en) * 1999-11-05 2005-08-31 Asahi Glass Co Ltd ANTI-REFLECTION BASE FOR UV AND VACUUM UV AREAS
JP2002055207A (ja) * 2000-05-29 2002-02-20 Konica Corp 光学部品および光学装置
DE10101017A1 (de) 2001-01-05 2002-07-11 Zeiss Carl Reflexionsminderungsbeschichtung für Ultraviolettlicht
US6771583B2 (en) * 2001-01-19 2004-08-03 Konica Corporation Optical component
EP1249717A3 (en) * 2001-04-10 2005-05-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Antireflection coating and optical element using the same
JPWO2003009015A1 (ja) * 2001-07-18 2004-11-11 株式会社ニコン フッ化ランタン膜を備えた光学素子
EP1598681A3 (de) 2004-05-17 2006-03-01 Carl Zeiss SMT AG Optische Komponente mit gekrümmter Oberfläche und Mehrlagenbeschichtung
JP4447393B2 (ja) * 2004-07-23 2010-04-07 Hoya株式会社 光学多層膜付きガラス部材、及び該ガラス部材を用いた光学素子
DE102005041938A1 (de) * 2005-09-03 2007-03-08 Carl Zeiss Smt Ag Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
US7929115B2 (en) * 2007-06-01 2011-04-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection objective and projection exposure apparatus for microlithography
NL1036469A1 (nl) * 2008-02-27 2009-08-31 Asml Netherlands Bv Optical element, lithographic apparatus including such an optical element, device manufacturing method, and device manufactured thereby.
US20090244507A1 (en) * 2008-03-28 2009-10-01 Nikon Corporation Optical member, light routing unit, and exposure apparatus
US8126669B2 (en) * 2008-06-09 2012-02-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Optimization and matching of optical systems by use of orientation Zernike polynomials
EP2372404B1 (en) * 2008-10-17 2013-01-16 Carl Zeiss SMT GmbH High transmission, high aperture projection objective and projection exposure apparatus
DE102009037077B3 (de) * 2009-08-13 2011-02-17 Carl Zeiss Smt Ag Katadioptrisches Projektionsobjektiv
WO2012061152A2 (en) * 2010-10-25 2012-05-10 California Institute Of Technology Atomically precise surface engineering for producing imagers
DE102018221189A1 (de) 2018-12-07 2020-06-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Bilden von Nanostrukturen an einer Oberfläche und optisches Element
DE102021201193A1 (de) 2021-02-09 2022-08-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Justage eines optischen Systems, insbesondere für die Mikrolithographie

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3781990A (en) * 1970-06-08 1974-01-01 Philips Corp Dry shaver with selectively engagable short and long hair cutters
US3761160A (en) * 1972-05-31 1973-09-25 Optical Coating Laboratory Inc Wide band anti-reflection coating and article coated therewith
DE2334875C2 (de) * 1972-07-10 1982-03-25 Minolta Camera K.K., Osaka Vierschichtiger Antireflex-Belag für ein optisches Glassubstrat
CH557546A (de) * 1972-10-19 1974-12-31 Balzers Patent Beteilig Ag Aus einer mehrzahl von einfachen oder zusammengesetzen (lambda)/4-schichten bestehender reflexionsvermindernder belag.
US4313647A (en) * 1975-12-23 1982-02-02 Mamiya Koki Kabushiki Kaisha Nonreflective coating
JPS5655901A (en) * 1980-10-09 1981-05-16 Mamiya Koki Kk Antireflection film
JPS57138602A (en) * 1981-02-20 1982-08-27 Minolta Camera Co Ltd Antireflection film
US4387690A (en) * 1981-11-12 1983-06-14 Texas Instruments Incorporated Fuel evaporation device
JPS6177001A (ja) * 1984-09-25 1986-04-19 Canon Inc 光反射防止膜
JPS6177002A (ja) * 1984-09-25 1986-04-19 Canon Inc 光反射防止膜
JPS62111205A (ja) * 1985-11-09 1987-05-22 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 特性変化のない光学薄膜
JPH0685002B2 (ja) * 1986-02-18 1994-10-26 ミノルタ株式会社 プラスチツク光学部品の反射防止膜
JP2638806B2 (ja) * 1987-05-18 1997-08-06 ミノルタ株式会社 反射防止膜
JPH052101A (ja) * 1991-06-26 1993-01-08 Konica Corp 光学部品
JP3213122B2 (ja) * 1993-06-02 2001-10-02 キヤノン株式会社 2波長反射防止膜
JP3232727B2 (ja) * 1992-11-25 2001-11-26 キヤノン株式会社 2波長反射防止膜
US5725959A (en) * 1993-03-18 1998-03-10 Canon Kabushiki Kaisha Antireflection film for plastic optical element
US5661596A (en) * 1994-02-03 1997-08-26 Canon Kabushiki Kaisha Antireflection film and exposure apparatus using the same
JP3466865B2 (ja) * 1996-03-22 2003-11-17 キヤノン株式会社 光学部品及びその製造方法並びに製造装置

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