JPH09329702A - 反射防止膜 - Google Patents
反射防止膜Info
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体製造用ステッパーに用いる光学素子に
対して反射防止効果の優れた反射防止膜を提供する。 【解決手段】少なくとも、波長１５０〜３００ｎｍの波
長範囲内の任意の設計基準波長λ0に対し、前記波長の
光を透過する基板上に基板側から光学的膜厚が０．０５
λ0〜０．１５λ0の低屈折率層、光学的膜厚が０．２λ
0〜０．３５λ0の高屈折率層、光学的膜厚が０。２λ0
〜０。３λ0の低屈折率層を順次積層してなる反射防止
膜。
対して反射防止効果の優れた反射防止膜を提供する。 【解決手段】少なくとも、波長１５０〜３００ｎｍの波
長範囲内の任意の設計基準波長λ0に対し、前記波長の
光を透過する基板上に基板側から光学的膜厚が０．０５
λ0〜０．１５λ0の低屈折率層、光学的膜厚が０．２λ
0〜０．３５λ0の高屈折率層、光学的膜厚が０。２λ0
〜０。３λ0の低屈折率層を順次積層してなる反射防止
膜。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、紫外光に対して極
めて低い反射率を示す様な反射防止膜に関するものであ
る。
めて低い反射率を示す様な反射防止膜に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子の集積度を増すため
に、半導体製造用縮小投影露光装置（ステッパー）の高
解像力化の要求が高まっている。このステッパーによる
フォトリソグラフィーの解像度を上げる一つの方法とし
て、光源波長の短波長化が挙げられる。最近では、水銀
ランプより短波長域の光を発振でき、かつ高出力なエキ
シマレーザーを光源としたステッパーの実用化が始まっ
ている。このステッパーの光学系において、レンズ等の
光学素子の表面反射による光量損失やフレア・ゴースト
等を低減するために反射防止膜を形成する必要がある。
また、光源であるエキシマレーザーにはKrFエキシマレ
ーザー（λ=248.4nm）やArFエキシマレーザー（λ=193.
4nm）等があるが、これらの光に対して吸収の大きい膜
物質や耐レーザー性の低い膜物質によって光学薄膜を構
成した場合、吸収による光量損失，吸収発熱による基板
面変化や膜破壊等を起こしやすくなる。このため使用す
る膜物質としては低吸収・高耐レーザー性を有している
ものが望ましい。前記エキシマレーザー波長にて使用で
きる膜物質は主にフッ化マグネシウム（MgF2）のような
フッ素化合物や一部の酸化物であるが、種類が限られて
いる。また、同様に使用される基板も蛍石などのフッ素
化合物結晶や石英ガラス等に限られている。従来の反射
防止膜の例として図８のような構成のものが知られてい
る。これは基板11上に高屈折率層13，低屈折率層14を順
次積層させた２層の構成となっている。２層構成の反射
防止膜における反射防止条件は、基板の屈折率をns、媒
質の屈折率をn0、低屈折率層の屈折率をn1、高屈折率層
の屈折率をn2としたとき、 ns/n0≦(n2/n1)2 であることが知られている。設計中心波長λ0=193.4nm
において、基板11を石英ガラス(n=1.56)、高屈折率層13
をフッ化ランタン(LaF3,n=1.69)、低屈折率層14をフッ
化マグネシウム(MgF2,n=1.42)とした場合、前記反射防
止条件に当てはめると、 1.56/1＞(1.69/1.42)2≒1.42 となり、反射防止条件を満たさない事がわかる。前記の
ような基板および膜物質を使用した従来の２層反射防止
膜でλ=193.4nmにおいて、反射率が最も低くなるのは、 基板 石英ガラス 第１層 LaF3 0.25λ0 第２層 MgF2 0.25λ0 Air の膜厚構成の場合である。
に、半導体製造用縮小投影露光装置（ステッパー）の高
解像力化の要求が高まっている。このステッパーによる
フォトリソグラフィーの解像度を上げる一つの方法とし
て、光源波長の短波長化が挙げられる。最近では、水銀
ランプより短波長域の光を発振でき、かつ高出力なエキ
シマレーザーを光源としたステッパーの実用化が始まっ
ている。このステッパーの光学系において、レンズ等の
光学素子の表面反射による光量損失やフレア・ゴースト
等を低減するために反射防止膜を形成する必要がある。
また、光源であるエキシマレーザーにはKrFエキシマレ
ーザー（λ=248.4nm）やArFエキシマレーザー（λ=193.
4nm）等があるが、これらの光に対して吸収の大きい膜
物質や耐レーザー性の低い膜物質によって光学薄膜を構
成した場合、吸収による光量損失，吸収発熱による基板
面変化や膜破壊等を起こしやすくなる。このため使用す
る膜物質としては低吸収・高耐レーザー性を有している
ものが望ましい。前記エキシマレーザー波長にて使用で
きる膜物質は主にフッ化マグネシウム（MgF2）のような
フッ素化合物や一部の酸化物であるが、種類が限られて
いる。また、同様に使用される基板も蛍石などのフッ素
化合物結晶や石英ガラス等に限られている。従来の反射
防止膜の例として図８のような構成のものが知られてい
る。これは基板11上に高屈折率層13，低屈折率層14を順
次積層させた２層の構成となっている。２層構成の反射
防止膜における反射防止条件は、基板の屈折率をns、媒
質の屈折率をn0、低屈折率層の屈折率をn1、高屈折率層
の屈折率をn2としたとき、 ns/n0≦(n2/n1)2 であることが知られている。設計中心波長λ0=193.4nm
において、基板11を石英ガラス(n=1.56)、高屈折率層13
をフッ化ランタン(LaF3,n=1.69)、低屈折率層14をフッ
化マグネシウム(MgF2,n=1.42)とした場合、前記反射防
止条件に当てはめると、 1.56/1＞(1.69/1.42)2≒1.42 となり、反射防止条件を満たさない事がわかる。前記の
ような基板および膜物質を使用した従来の２層反射防止
膜でλ=193.4nmにおいて、反射率が最も低くなるのは、 基板 石英ガラス 第１層 LaF3 0.25λ0 第２層 MgF2 0.25λ0 Air の膜厚構成の場合である。
【０００３】図９に入射角θ=0°における反射特性、図
１０にλ=193.4nmにおける入射角度特性、図１１にλ=1
93.4nmにおける光学アドミタンス図を示す。図９の反射
特性から従来の２層反射防止膜はλ=193.4nmにおいて残
存反射が約0.2%であることがわかる。この従来の２層反
射防止膜を例えば50枚のレンズからなる光学系に用いた
場合、100面の２層反射防止膜を光が透過することとな
り、この残存反射により約20%（1-(1-0.002)100=0.18）
近い光量が透過することができず、露光効率の低下につ
ながることとなる。
１０にλ=193.4nmにおける入射角度特性、図１１にλ=1
93.4nmにおける光学アドミタンス図を示す。図９の反射
特性から従来の２層反射防止膜はλ=193.4nmにおいて残
存反射が約0.2%であることがわかる。この従来の２層反
射防止膜を例えば50枚のレンズからなる光学系に用いた
場合、100面の２層反射防止膜を光が透過することとな
り、この残存反射により約20%（1-(1-0.002)100=0.18）
近い光量が透過することができず、露光効率の低下につ
ながることとなる。
【０００４】さらに、フレア・ゴースト等の原因ともな
り、露光精度の低下を引き起こすこととなる。このよう
な残存反射を低減するには図１１の光学アドミタンス図
において、アドミタンスの軌跡の終点を媒質すなわち空
気の屈折率を示す点（1,0）に近づける必要がある。そ
のためには前記反射防止条件を満たすような物質とし
て、 より低い屈折率の基板 より高い屈折率の高屈折率物質 より低い屈折率の低屈折率物質 を使用する事が考えられる。ところが前述したように使
用できる基板および膜物質の種類が限られているため、
従来の２層構成では若干の残存反射は避けられないもの
であった。
り、露光精度の低下を引き起こすこととなる。このよう
な残存反射を低減するには図１１の光学アドミタンス図
において、アドミタンスの軌跡の終点を媒質すなわち空
気の屈折率を示す点（1,0）に近づける必要がある。そ
のためには前記反射防止条件を満たすような物質とし
て、 より低い屈折率の基板 より高い屈折率の高屈折率物質 より低い屈折率の低屈折率物質 を使用する事が考えられる。ところが前述したように使
用できる基板および膜物質の種類が限られているため、
従来の２層構成では若干の残存反射は避けられないもの
であった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】紫外光に対する従来の
２層反射防止膜は基板および膜物質の制約のために若干
の残存反射があった。これは透過光量の低減やフレア・
ゴースト等の原因となり、露光効率および露光精度の低
下を引き起こすという問題があった。本発明はこの残存
反射を極めて低くする事で、例えば半導体製造用ステッ
パーに用いる光学素子に対して反射防止効果の優れた反
射防止膜を提供する事を目的としている。
２層反射防止膜は基板および膜物質の制約のために若干
の残存反射があった。これは透過光量の低減やフレア・
ゴースト等の原因となり、露光効率および露光精度の低
下を引き起こすという問題があった。本発明はこの残存
反射を極めて低くする事で、例えば半導体製造用ステッ
パーに用いる光学素子に対して反射防止効果の優れた反
射防止膜を提供する事を目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は第一に「少なく
とも、波長１５０〜３００ｎｍの波長範囲内の任意の設
計基準波長λ0に対し、前記波長の光を透過する基板上
に基板側から光学的膜厚が０．０５λ0〜０．１５λ0の
低屈折率層、光学的膜厚が０．２λ0〜０．３５λ0の高
屈折率層、光学的膜厚が０．２λ0〜０．３λ0の低屈折
率層を順次積層してなる反射防止膜（請求項１）を提供
する。
とも、波長１５０〜３００ｎｍの波長範囲内の任意の設
計基準波長λ0に対し、前記波長の光を透過する基板上
に基板側から光学的膜厚が０．０５λ0〜０．１５λ0の
低屈折率層、光学的膜厚が０．２λ0〜０．３５λ0の高
屈折率層、光学的膜厚が０．２λ0〜０．３λ0の低屈折
率層を順次積層してなる反射防止膜（請求項１）を提供
する。
【０００７】また、本発明は第二に「少なくとも、波長
１５０〜３００ｎｍの波長範囲内の任意の設計基準波長
λ0に対し、前記波長の光を透過する基板上に基板側か
ら光学的膜厚が約０．５λ0の整数倍の低屈折率層、光
学的膜厚が０．０５λ0〜０．１５λ0の低屈折率層、光
学的膜厚が０．２λ0〜０．３５λ0の高屈折率層、光学
的膜厚が０．２λ0〜０．３λ0の低屈折率層を順次積層
してなる反射防止膜（請求項２）」を提供する。
１５０〜３００ｎｍの波長範囲内の任意の設計基準波長
λ0に対し、前記波長の光を透過する基板上に基板側か
ら光学的膜厚が約０．５λ0の整数倍の低屈折率層、光
学的膜厚が０．０５λ0〜０．１５λ0の低屈折率層、光
学的膜厚が０．２λ0〜０．３５λ0の高屈折率層、光学
的膜厚が０．２λ0〜０．３λ0の低屈折率層を順次積層
してなる反射防止膜（請求項２）」を提供する。
【０００８】また、本発明は第三に「前記低屈折率層が
フッ化マグネシウム（MgF2），フッ化アルミニウム（Al
F3），フッ化ナトリウム（NaF），フッ化リチウム（Li
F），フッ化カルシウム（CaF2），フッ化バリウム（BaF
2），フッ化ストロンチウム（SrF2），クリオライト（N
a3AlF6），チオライト（Na5Al3F14）又はこれらの混合
物質等から選ばれる物質からなり、前記高屈折率層がフ
ッ化ネオジウム（NdF3），フッ化ランタン（LaF3），フ
ッ化ガドリニウム（GdF3），フッ化ディスプロシウム
（DyF3），酸化アルミニウム（Al2O3），フッ化鉛（PbF
2），フッ化イットリウム（YF3）又はこれらの混合物質
等から選ばれる物質からなることを特徴とする請求項１
又は２記載の反射防止膜（請求項３）」を提供する。
フッ化マグネシウム（MgF2），フッ化アルミニウム（Al
F3），フッ化ナトリウム（NaF），フッ化リチウム（Li
F），フッ化カルシウム（CaF2），フッ化バリウム（BaF
2），フッ化ストロンチウム（SrF2），クリオライト（N
a3AlF6），チオライト（Na5Al3F14）又はこれらの混合
物質等から選ばれる物質からなり、前記高屈折率層がフ
ッ化ネオジウム（NdF3），フッ化ランタン（LaF3），フ
ッ化ガドリニウム（GdF3），フッ化ディスプロシウム
（DyF3），酸化アルミニウム（Al2O3），フッ化鉛（PbF
2），フッ化イットリウム（YF3）又はこれらの混合物質
等から選ばれる物質からなることを特徴とする請求項１
又は２記載の反射防止膜（請求項３）」を提供する。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態としての
反射防止膜を図面を参照しながら説明する。図１には、
第１の実施形態の反射防止膜が示されている。本発明に
かかる反射防止膜は、基板11上に低屈折率層12，高屈折
率層13，低屈折率層14を順次積層した構成である。
反射防止膜を図面を参照しながら説明する。図１には、
第１の実施形態の反射防止膜が示されている。本発明に
かかる反射防止膜は、基板11上に低屈折率層12，高屈折
率層13，低屈折率層14を順次積層した構成である。
【００１０】低屈折率層とは、使用される基板の屈折率
よりも低いものを指し、ここでは、フッ化マグネシウム
（MgF2），フッ化アルミニウム（AlF3），フッ化ナトリ
ウム（NaF），フッ化リチウム（LiF），フッ化カルシウ
ム（CaF2），フッ化バリウム（BaF2），フッ化ストロン
チウム（SrF2），クリオライト（Na3AlF6），チオライ
ト（Na5Al3F14）又はこれらの混合物質等を使用する事
ができる。
よりも低いものを指し、ここでは、フッ化マグネシウム
（MgF2），フッ化アルミニウム（AlF3），フッ化ナトリ
ウム（NaF），フッ化リチウム（LiF），フッ化カルシウ
ム（CaF2），フッ化バリウム（BaF2），フッ化ストロン
チウム（SrF2），クリオライト（Na3AlF6），チオライ
ト（Na5Al3F14）又はこれらの混合物質等を使用する事
ができる。
【００１１】低屈折率層12と低屈折率層14は、それぞれ
同種の低屈折率物質を使用しても、異なる低屈折率物質
を使用しても所望の反射防止効果を得る事が出来る。ま
た、高屈折率層とは、使用される基板の屈折率よりも高
いものを指し、ここでは、フッ化ネオジウム（NdF3），
フッ化ランタン（LaF3），フッ化ガドリニウム（Gd
F3），フッ化ディスプロシウム（DyF3），酸化アルミニ
ウム（Al2O3），フッ化鉛（PbF2），フッ化イットリウ
ム（YF3）又はこれらの混合物質等を使用する事ができ
る。
同種の低屈折率物質を使用しても、異なる低屈折率物質
を使用しても所望の反射防止効果を得る事が出来る。ま
た、高屈折率層とは、使用される基板の屈折率よりも高
いものを指し、ここでは、フッ化ネオジウム（NdF3），
フッ化ランタン（LaF3），フッ化ガドリニウム（Gd
F3），フッ化ディスプロシウム（DyF3），酸化アルミニ
ウム（Al2O3），フッ化鉛（PbF2），フッ化イットリウ
ム（YF3）又はこれらの混合物質等を使用する事ができ
る。
【００１２】これらの膜は公知の真空蒸着法，スパッタ
リング法，イオンプレーティング法などにより基板11上
に形成される。形成される膜12,13,14は、例えば以下に
示すような膜構成が挙げられる。 基板 石英ガラス 第１層 MgF2 ０．１０λ0 第２層 LaF3 ０．３０λ0 第３層 MgF2 ０．２５λ0 Air λ0は設計中心波長で、150〜300nmの範囲で任意に設定
できるが、ここではλ0=193.4nmに設定してある。
リング法，イオンプレーティング法などにより基板11上
に形成される。形成される膜12,13,14は、例えば以下に
示すような膜構成が挙げられる。 基板 石英ガラス 第１層 MgF2 ０．１０λ0 第２層 LaF3 ０．３０λ0 第３層 MgF2 ０．２５λ0 Air λ0は設計中心波長で、150〜300nmの範囲で任意に設定
できるが、ここではλ0=193.4nmに設定してある。
【００１３】図２は第１の実施形態の反射防止膜のθ=0
°の分光反射特性、図３はλ=193.4nmにおける入射角度
特性、図４はλ=193.4nmにおける光学アドミタンス図で
ある。図２の反射特性からλ=193.4nmにおいて反射率が
ほぼ０であることがわかる。本発明にかかる膜構成によ
り反射率がほぼ０にすることができた理由を図４の光学
アドミタンス図を用いて説明する。高屈折率層13のアド
ミタンスの軌跡がほぼ（2.01,0）で終わっている。これ
は基板と基板上に形成された低屈折率層12および高屈折
率層13全体が、屈折率n=2.01の基板とみなせることを示
している。
°の分光反射特性、図３はλ=193.4nmにおける入射角度
特性、図４はλ=193.4nmにおける光学アドミタンス図で
ある。図２の反射特性からλ=193.4nmにおいて反射率が
ほぼ０であることがわかる。本発明にかかる膜構成によ
り反射率がほぼ０にすることができた理由を図４の光学
アドミタンス図を用いて説明する。高屈折率層13のアド
ミタンスの軌跡がほぼ（2.01,0）で終わっている。これ
は基板と基板上に形成された低屈折率層12および高屈折
率層13全体が、屈折率n=2.01の基板とみなせることを示
している。
【００１４】従って、本発明にかかる膜構成は屈折率n=
2.01の基板上に低屈折率層14が単層形成されているのと
同様である。ここで基板の屈折率をns、単層の低屈折率
層の屈折率をn1、媒質の屈折率をn0としたときの単層膜
の反射防止条件は、 ns・n0=n12 であるので、この反射防止条件にns=2.01,n0=1,n1=1.42
をそれぞれ代入すると、 2.01×1≒(1.42)2 となり、ほぼ反射防止条件を満たしている。このために
良好な反射防止効果が得られたと考えられる。
2.01の基板上に低屈折率層14が単層形成されているのと
同様である。ここで基板の屈折率をns、単層の低屈折率
層の屈折率をn1、媒質の屈折率をn0としたときの単層膜
の反射防止条件は、 ns・n0=n12 であるので、この反射防止条件にns=2.01,n0=1,n1=1.42
をそれぞれ代入すると、 2.01×1≒(1.42)2 となり、ほぼ反射防止条件を満たしている。このために
良好な反射防止効果が得られたと考えられる。
【００１５】反射率が極めて低い事により本発明の反射
防止膜をたとえばステッパーの光学系、特に投影レンズ
に使用した場合、残存反射による光量損失やフレア・ゴ
ースト等が生じにくい。そのため、優れた露光効率およ
び露光精度が得られる事が期待できる。図５には、第２
の実施形態の反射防止膜が示されている。
防止膜をたとえばステッパーの光学系、特に投影レンズ
に使用した場合、残存反射による光量損失やフレア・ゴ
ースト等が生じにくい。そのため、優れた露光効率およ
び露光精度が得られる事が期待できる。図５には、第２
の実施形態の反射防止膜が示されている。
【００１６】本発明にかかる反射防止膜は、第１の実施
形態の反射防止膜において、基板11と低屈折率層12の間
に光学的膜厚0.5λ0の整数倍の低屈折率層15を設けた構
成で、例えば以下に示す膜構成が挙げられる。 基板 石英ガラス 第１層 Na3AlF6 １．０λ0 第２層 MgF2 ０．１０λ0 第３層 LaF3 ０．３０λ0 第４層 MgF2 ０．２５λ0 Air 光学的膜厚0.5λ0の整数倍の低屈折率層15は、前記した
低屈折率層12，14で使用することができる物質と同様の
物質が使用できる。
形態の反射防止膜において、基板11と低屈折率層12の間
に光学的膜厚0.5λ0の整数倍の低屈折率層15を設けた構
成で、例えば以下に示す膜構成が挙げられる。 基板 石英ガラス 第１層 Na3AlF6 １．０λ0 第２層 MgF2 ０．１０λ0 第３層 LaF3 ０．３０λ0 第４層 MgF2 ０．２５λ0 Air 光学的膜厚0.5λ0の整数倍の低屈折率層15は、前記した
低屈折率層12，14で使用することができる物質と同様の
物質が使用できる。
【００１７】光学的膜厚0.5λ0の整数倍の低屈折率層1
5、低屈折率層12，14は、それぞれ同種の低屈折率物質
を使用しても、異なる低屈折率物質を使用しても所望の
反射防止効果を得る事が出来る。図６は第１層としてク
リオライト（Na3AlF6）を使用した第２の実施形態の反
射防止膜のθ=0°の分光反射特性であり、図７はλ=19
3.4nmにおける入射角度特性である。
5、低屈折率層12，14は、それぞれ同種の低屈折率物質
を使用しても、異なる低屈折率物質を使用しても所望の
反射防止効果を得る事が出来る。図６は第１層としてク
リオライト（Na3AlF6）を使用した第２の実施形態の反
射防止膜のθ=0°の分光反射特性であり、図７はλ=19
3.4nmにおける入射角度特性である。
【００１８】図６の反射特性からλ=193.4nmにおいて反
射率がほぼ０であり、かつ広帯域化されていることがわ
かる。図７と図１０の入射角度特性を比較すると、従来
の２層反射防止膜では、反射率≦0.5%の入射角度範囲が
θ=約±30°だったのに対して、第２の実施形態の反射
防止膜では入射角度θ=約±45°まで入射角度特性が向
上している。従って、曲率の小さいレンズ等に形成した
場合においてもレンズ表面全体で良好な反射防止効果を
有することができる。
射率がほぼ０であり、かつ広帯域化されていることがわ
かる。図７と図１０の入射角度特性を比較すると、従来
の２層反射防止膜では、反射率≦0.5%の入射角度範囲が
θ=約±30°だったのに対して、第２の実施形態の反射
防止膜では入射角度θ=約±45°まで入射角度特性が向
上している。従って、曲率の小さいレンズ等に形成した
場合においてもレンズ表面全体で良好な反射防止効果を
有することができる。
【００１９】また、第１層目に光学的膜厚0.5λ0の整数
倍の低屈折率層14を設けることによって耐レーザー性を
高めることができる。
倍の低屈折率層14を設けることによって耐レーザー性を
高めることができる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明にかかる反
射防止膜の第１の実施形態は、λ=150〜300nmの波長範
囲内の任意のある波長にて表面反射を極めて低く（ほぼ
反射率０）する事ができる。
射防止膜の第１の実施形態は、λ=150〜300nmの波長範
囲内の任意のある波長にて表面反射を極めて低く（ほぼ
反射率０）する事ができる。
【００２１】また、発明にかかる反射防止膜の第２の実
施形態は、λ=150〜300nmの波長範囲内の任意のある波
長にて表面反射を極めて低く（ほぼ反射率０）、広帯域
化することができ、入射角度特性が良好であり、耐レー
ザー性を向上することができる。本発明の反射防止膜を
紫外光およびエキシマレーザーを使用して作動する装置
の光学素子に用いれば、優れた反射防止効果によりさら
なる高性能が期待できる。
施形態は、λ=150〜300nmの波長範囲内の任意のある波
長にて表面反射を極めて低く（ほぼ反射率０）、広帯域
化することができ、入射角度特性が良好であり、耐レー
ザー性を向上することができる。本発明の反射防止膜を
紫外光およびエキシマレーザーを使用して作動する装置
の光学素子に用いれば、優れた反射防止効果によりさら
なる高性能が期待できる。
【図１】本発明における第１の実施形態の反射防止膜の
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明における第１の実施形態の入射角θ=0°
における反射特性図である。
における反射特性図である。
【図３】本発明における第１の実施形態のλ=193.4nmに
おける入射角度特性図である。
おける入射角度特性図である。
【図４】本発明における第１の実施形態のλ=193.4nmに
おける光学アドミタンス図である。
おける光学アドミタンス図である。
【図５】本発明における第２の実施形態の反射防止膜の
断面図である。
断面図である。
【図６】本発明における第２の実施形態の入射角θ=0°
における反射特性図である。
における反射特性図である。
【図７】本発明における第２の実施形態のλ=193.4nmに
おける入射角度特性図である。
おける入射角度特性図である。
【図８】従来の例としての２層構成の反射防止膜の断面
図である。
図である。
【図９】従来の例としての２層構成の反射防止膜の入射
角θ=0°における反射特性図である。
角θ=0°における反射特性図である。
【図１０】従来の例としての２層構成の反射防止膜のλ
=193.4nmにおける入射角度特性図である。
=193.4nmにおける入射角度特性図である。
【図１１】従来の例としての２層構成の反射防止膜のλ
=193.4nmにおける光学アドミタンス図である。
=193.4nmにおける光学アドミタンス図である。
１１・・・基板 １２、１４、１５・・・低屈折率層 １３・・・高屈折率層
Claims (3)
- 【請求項１】少なくとも、波長１５０〜３００ｎｍの波
長範囲内の任意の設計基準波長λ0に対し、前記波長の
光を透過する基板上に基板側から光学的膜厚が０．０５
λ0〜０．１５λ0の低屈折率層、光学的膜厚が０．２λ
0〜０．３５λ0の高屈折率層、光学的膜厚が０。２λ0
〜０。３λ0の低屈折率層を順次積層してなる反射防止
膜。 - 【請求項２】少なくとも、波長１５０〜３００ｎｍの波
長範囲内の任意の設計基準波長λ0に対し、前記波長の
光を透過する基板上に基板側から光学的膜厚が約０．５
λ0の整数倍の低屈折率層、光学的膜厚が０．０５λ0〜
０．１５λ0の低屈折率層、光学的膜厚が０．２λ0〜
０．３５λ0の高屈折率層、光学的膜厚が０．２λ0〜
０．３λ0の低屈折率層を順次積層してなる反射防止
膜。 - 【請求項３】前記低屈折率層がフッ化マグネシウム（Mg
F2），フッ化アルミニウム（AlF3），フッ化ナトリウム
（NaF），フッ化リチウム（LiF），フッ化カルシウム
（CaF2），フッ化バリウム（BaF2），フッ化ストロンチ
ウム（SrF2），クリオライト（Na3AlF6），チオライト
（Na5Al3F14）又はこれらの混合物質等から選ばれる物
質からなり、前記高屈折率層がフッ化ネオジウム（Nd
F3），フッ化ランタン（LaF3），フッ化ガドリニウム
（GdF3），フッ化ディスプロシウム（DyF3），酸化アル
ミニウム（Al2O3），フッ化鉛（PbF2），フッ化イット
リウム（YF3）又はこれらの混合物質等から選ばれる物
質からなることを特徴とする請求項１又は２記載の反射
防止膜。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP14701996A JP3924806B2 (ja) | 1996-06-10 | 1996-06-10 | 反射防止膜 |
| US08/871,612 US5963365A (en) | 1996-06-10 | 1997-06-10 | three layer anti-reflective coating for optical substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14701996A JP3924806B2 (ja) | 1996-06-10 | 1996-06-10 | 反射防止膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09329702A true JPH09329702A (ja) | 1997-12-22 |
| JP3924806B2 JP3924806B2 (ja) | 2007-06-06 |
Family
ID=15420716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14701996A Expired - Lifetime JP3924806B2 (ja) | 1996-06-10 | 1996-06-10 | 反射防止膜 |
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| JP (1) | JP3924806B2 (ja) |
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| US6280848B1 (en) * | 1998-10-06 | 2001-08-28 | Minolta Co., Ltd. | Antireflection coating |
| WO2001035125A1 (fr) * | 1999-11-05 | 2001-05-17 | Asahi Glass Company, Limited | Base antireflet pour zones d'ultraviolet et d'ultraviolet extreme |
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| EP1598681A3 (de) | 2004-05-17 | 2006-03-01 | Carl Zeiss SMT AG | Optische Komponente mit gekrümmter Oberfläche und Mehrlagenbeschichtung |
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1997
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