JPH06347603A - ２波長反射防止膜 - Google Patents
２波長反射防止膜Info
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- JPH06347603A JPH06347603A JP5156252A JP15625293A JPH06347603A JP H06347603 A JPH06347603 A JP H06347603A JP 5156252 A JP5156252 A JP 5156252A JP 15625293 A JP15625293 A JP 15625293A JP H06347603 A JPH06347603 A JP H06347603A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ２波長反射防止膜の紫外光に対する反射防止
特性を広域化し、吸収を低減する。 【構成】 基板の表面に４層の薄膜からなり、各薄膜が
基板の表面から遠い順に低屈折率物質、高屈折率物質、
低屈折率物質および中間屈折率物質で作られており、か
つ、それぞれ０．２λ0 ないし０．４λ0 、０．０４λ
0 ないし０．１５λ0 、０．４λ0 ないし０．６λ0 お
よび０．４λ0 ないし０．６λ0 の光学膜厚を有する多
層膜を設ける。紫外光に対する反射防止特性を大幅に広
域化できるうえに、吸収の大きい高屈折率物質の薄膜が
薄いために吸収の少ない２波長反射防止膜を得ることが
できる。
特性を広域化し、吸収を低減する。 【構成】 基板の表面に４層の薄膜からなり、各薄膜が
基板の表面から遠い順に低屈折率物質、高屈折率物質、
低屈折率物質および中間屈折率物質で作られており、か
つ、それぞれ０．２λ0 ないし０．４λ0 、０．０４λ
0 ないし０．１５λ0 、０．４λ0 ないし０．６λ0 お
よび０．４λ0 ないし０．６λ0 の光学膜厚を有する多
層膜を設ける。紫外光に対する反射防止特性を大幅に広
域化できるうえに、吸収の大きい高屈折率物質の薄膜が
薄いために吸収の少ない２波長反射防止膜を得ることが
できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体露光装置等にお
いて波長６００ｎｍないし７００ｎｍの可視光と波長２
００ｎｍないし３００ｎｍの紫外光の２つの光を用いる
光学系のレンズやミラーのための２波長反射防止膜に関
するものである。
いて波長６００ｎｍないし７００ｎｍの可視光と波長２
００ｎｍないし３００ｎｍの紫外光の２つの光を用いる
光学系のレンズやミラーのための２波長反射防止膜に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体露光装置の解像力を高める
ために、ｇ線やｉ線等の光より波長の短い光、例えば、
ＫｒＦエキシマレーザから発生される波長２４８ｎｍの
紫外光を用いたものが開発されている。また、半導体露
光装置のレチクルやマスクとウエハの位置合わせ（アラ
イメント）には可視光を用いるのが一般的であり、レチ
クルやウエハのアライメントマークを高精度で検出でき
る可視光であって、しかもフォトレジストに対して感光
しない光、例えば、Ｈｅ−Ｎｅレーザから発生される波
長６３２．８ｎｍの可視光が用いられる。従って、半導
体露光装置の光学系のレンズやミラー等の表面に設けら
れる反射防止膜は、前述の可視光と紫外光のそれぞれの
波長領域で所望の反射防止特性を有するものでなければ
ならず、いわゆる２波長反射防止膜として、２層あるい
は３層の１／４波長膜からなる多層反射防止膜や、前記
２層あるいは３層の１／４波長膜のうちの少くとも１層
を等価膜にすることで広域化を行った４層あるいは５層
の多層反射防止膜（特開昭６３−１１３５０１号公報お
よび特開平２−１２７６０１号公報参照）が開発されて
いる。最近では、半導体露光装置の高Ｎａ化や露光領域
の拡大に伴って光学系のレンズやミラーに対する露光光
の入射角が増大する傾向にあるため、斜入射でも反射率
が上昇しないようにより広い波長領域において所定の反
射防止特性を有する２波長反射防止膜の開発、すなわ
ち、２波長反射防止膜の反射防止特性の広域化が望まれ
る。
ために、ｇ線やｉ線等の光より波長の短い光、例えば、
ＫｒＦエキシマレーザから発生される波長２４８ｎｍの
紫外光を用いたものが開発されている。また、半導体露
光装置のレチクルやマスクとウエハの位置合わせ（アラ
イメント）には可視光を用いるのが一般的であり、レチ
クルやウエハのアライメントマークを高精度で検出でき
る可視光であって、しかもフォトレジストに対して感光
しない光、例えば、Ｈｅ−Ｎｅレーザから発生される波
長６３２．８ｎｍの可視光が用いられる。従って、半導
体露光装置の光学系のレンズやミラー等の表面に設けら
れる反射防止膜は、前述の可視光と紫外光のそれぞれの
波長領域で所望の反射防止特性を有するものでなければ
ならず、いわゆる２波長反射防止膜として、２層あるい
は３層の１／４波長膜からなる多層反射防止膜や、前記
２層あるいは３層の１／４波長膜のうちの少くとも１層
を等価膜にすることで広域化を行った４層あるいは５層
の多層反射防止膜（特開昭６３−１１３５０１号公報お
よび特開平２−１２７６０１号公報参照）が開発されて
いる。最近では、半導体露光装置の高Ｎａ化や露光領域
の拡大に伴って光学系のレンズやミラーに対する露光光
の入射角が増大する傾向にあるため、斜入射でも反射率
が上昇しないようにより広い波長領域において所定の反
射防止特性を有する２波長反射防止膜の開発、すなわ
ち、２波長反射防止膜の反射防止特性の広域化が望まれ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の技術によれば、露光光である紫外光に対する反射防止
特性が極めて狭い波長領域に限られており、斜入射の場
合に反射率が著しく上昇するおそれがあるため、半導体
露光装置の高Ｎａ化や露光領域の拡大に充分対応できな
い。また、２波長反射防止膜の一部を構成する高屈折率
物質が、例えば、Ｙ2 Ｏ3 のように極めて高い屈折率を
もつ材料であるときは紫外光域の光に対する２波長反射
防止膜の吸収が増大してトラブルを発生する。すなわ
ち、これらの高屈折率物質は、３００ｎｍ以下の波長領
域、すなわち、紫外光域の光に対して吸収率が高いため
に、従来例のように光学膜厚が０．５λ0 と比較的厚い
場合には、露光光のエネルギーを多量に吸収し、その結
果、光学系のレンズやミラーの温度が上昇して光学性能
の変動を招くおそれがある。
の技術によれば、露光光である紫外光に対する反射防止
特性が極めて狭い波長領域に限られており、斜入射の場
合に反射率が著しく上昇するおそれがあるため、半導体
露光装置の高Ｎａ化や露光領域の拡大に充分対応できな
い。また、２波長反射防止膜の一部を構成する高屈折率
物質が、例えば、Ｙ2 Ｏ3 のように極めて高い屈折率を
もつ材料であるときは紫外光域の光に対する２波長反射
防止膜の吸収が増大してトラブルを発生する。すなわ
ち、これらの高屈折率物質は、３００ｎｍ以下の波長領
域、すなわち、紫外光域の光に対して吸収率が高いため
に、従来例のように光学膜厚が０．５λ0 と比較的厚い
場合には、露光光のエネルギーを多量に吸収し、その結
果、光学系のレンズやミラーの温度が上昇して光学性能
の変動を招くおそれがある。
【０００４】本発明は、上記従来の技術の有する問題点
に鑑みてなされたものであり、紫外光域の波長の光に対
する反射防止特性を大幅に広域化できるうえに極めて吸
収の少ない良質の２波長反射防止膜を提供することを目
的とするものである。
に鑑みてなされたものであり、紫外光域の波長の光に対
する反射防止特性を大幅に広域化できるうえに極めて吸
収の少ない良質の２波長反射防止膜を提供することを目
的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明の２波長反射防止膜は、基体の表面に積層さ
れた４層の薄膜からなる多層膜を有し、前記４層の薄膜
のうちで、前記基体の表面から遠い順に第１層の薄膜が
低屈折率物質、第２層の薄膜が高屈折率物質、第３層の
薄膜が低屈折率物質、第４層の薄膜が中間屈折率物質で
それぞれ作られており、前記第１層の薄膜の光学膜厚Ｄ
1 と、前記第２層の薄膜の光学膜厚Ｄ2と、前記第３層
の薄膜の光学膜厚Ｄ3 と、前記第４層の薄膜の光学膜厚
Ｄ4 がそれぞれ以下の範囲にあることを特徴とする。
めに本発明の２波長反射防止膜は、基体の表面に積層さ
れた４層の薄膜からなる多層膜を有し、前記４層の薄膜
のうちで、前記基体の表面から遠い順に第１層の薄膜が
低屈折率物質、第２層の薄膜が高屈折率物質、第３層の
薄膜が低屈折率物質、第４層の薄膜が中間屈折率物質で
それぞれ作られており、前記第１層の薄膜の光学膜厚Ｄ
1 と、前記第２層の薄膜の光学膜厚Ｄ2と、前記第３層
の薄膜の光学膜厚Ｄ3 と、前記第４層の薄膜の光学膜厚
Ｄ4 がそれぞれ以下の範囲にあることを特徴とする。
【０００６】０．２λ0 ≦Ｄ1 ≦０．４λ0 ０．０４λ0 ≦Ｄ2 ≦０．１５λ0 ０．４λ0 ≦Ｄ3 ≦０．６λ0 ０．４λ0 ≦Ｄ4 ≦０．６λ0 ここで、λ0 ：設計波長
【０００７】
【作用】中間屈折率物質とは、波長２４８ｎｍの光に対
する屈折率が１．５５ないし１．９０であるＡｌ2 Ｏ
3 、ＣａＦ2 、ＮｄＦ3 、ＹＦ2 等およびこれらの混合
物をいう。高屈折率物質とは前記波長の光に対する屈折
率が１．９０以上のＹ2 Ｏ3 、ＨｆＯ2 等およびこれら
の混合物をいう。また、低屈折率物質とは、前記波長の
光に対する屈折率が１．５５以下であるＭｇＦ2 、Ｓｉ
Ｏ2 、ＢａＦ2 、ＬｉＦ、ＳｉＦ2 、ＡｌＦ3 、ＮａＦ
等およびこれらの混合物をいう。これらの材料から所定
の屈折率を有するものを選定し、前記範囲の光学膜厚を
有する４層反射防止膜を設計すれば、紫外光に対する反
射防止特性を大幅に広域化した２波長反射防止膜を得る
ことができる。また、紫外光に対する吸収の大きい高屈
折率物質の薄膜が極めて薄いために、紫外光の吸収を大
幅に低減できる。
する屈折率が１．５５ないし１．９０であるＡｌ2 Ｏ
3 、ＣａＦ2 、ＮｄＦ3 、ＹＦ2 等およびこれらの混合
物をいう。高屈折率物質とは前記波長の光に対する屈折
率が１．９０以上のＹ2 Ｏ3 、ＨｆＯ2 等およびこれら
の混合物をいう。また、低屈折率物質とは、前記波長の
光に対する屈折率が１．５５以下であるＭｇＦ2 、Ｓｉ
Ｏ2 、ＢａＦ2 、ＬｉＦ、ＳｉＦ2 、ＡｌＦ3 、ＮａＦ
等およびこれらの混合物をいう。これらの材料から所定
の屈折率を有するものを選定し、前記範囲の光学膜厚を
有する４層反射防止膜を設計すれば、紫外光に対する反
射防止特性を大幅に広域化した２波長反射防止膜を得る
ことができる。また、紫外光に対する吸収の大きい高屈
折率物質の薄膜が極めて薄いために、紫外光の吸収を大
幅に低減できる。
【０００８】
【実施例】本発明の実施例を説明する。
【０００９】第１実施例 波長２４８ｎｍの光に対する屈折率１．５１を有する基
体である合成石英の基板の表面に、該表面から遠い順に
低屈折率物質であるＭｇＦ2 の第１層の薄膜、高屈折率
物質であるＹ2 Ｏ3 の第２層の薄膜、低屈折率物質であ
るＳｉＯ2 の第３層の薄膜および中間屈折率物質である
Ａｌ2 Ｏ3 の第４層の薄膜からなる設計波長λ0 ＝２４
８ｎｍの多層膜を設ける。各層の薄膜は公知の真空蒸着
法によって成膜され、その材料、屈折率、光学膜厚、成
膜時の成膜速度および成膜室の酸素分圧は表１の通りで
ある。
体である合成石英の基板の表面に、該表面から遠い順に
低屈折率物質であるＭｇＦ2 の第１層の薄膜、高屈折率
物質であるＹ2 Ｏ3 の第２層の薄膜、低屈折率物質であ
るＳｉＯ2 の第３層の薄膜および中間屈折率物質である
Ａｌ2 Ｏ3 の第４層の薄膜からなる設計波長λ0 ＝２４
８ｎｍの多層膜を設ける。各層の薄膜は公知の真空蒸着
法によって成膜され、その材料、屈折率、光学膜厚、成
膜時の成膜速度および成膜室の酸素分圧は表１の通りで
ある。
【００１０】
【表１】 本実施例は、ＫｒＦエキシマレーザを光源とする波長２
４８ｎｍのレーザ光と、Ｈｅ−Ｎｅレーザを光源とする
波長６３２．８ｎｍのレーザ光に対して反射防止特性を
有する２波長反射防止膜として設計されたものであり、
第１ないし第４層はそれぞれ公知の真空蒸着法によって
成膜され、特に、高屈折率物質の第２層の成膜は、高周
波励起によって電界を付与して行われ、その成膜速度は
１ｎｍ／秒以下に制御された。また、中間屈折率物質の
第４層の成膜も、成膜速度を１ｎｍ／秒以下に制御して
行われた。
４８ｎｍのレーザ光と、Ｈｅ−Ｎｅレーザを光源とする
波長６３２．８ｎｍのレーザ光に対して反射防止特性を
有する２波長反射防止膜として設計されたものであり、
第１ないし第４層はそれぞれ公知の真空蒸着法によって
成膜され、特に、高屈折率物質の第２層の成膜は、高周
波励起によって電界を付与して行われ、その成膜速度は
１ｎｍ／秒以下に制御された。また、中間屈折率物質の
第４層の成膜も、成膜速度を１ｎｍ／秒以下に制御して
行われた。
【００１１】高屈折率物質の第２層の膜厚は従来の２波
長反射防止膜がほぼ０．５λ0 であるのに比べて極めて
小さいために、その材料がＹ2 Ｏ3 のように紫外光を吸
収しやすい性質を有するものであっても実際に吸収する
エネルギー量はわずかであり、加えて前述のように、成
膜中に高周波励起による電界を付与し、かつ、成膜速度
を１ｎｍ／秒以下に制御することでより一層吸収率を低
下させることができる。さらに、前述のように中間屈折
率物質の第４層の成膜速度を１ｎｍ／秒以下に制御する
ことで第４層の吸収率も大幅に低下させることができ
る。その結果、本実施例の２波長反射防止膜は、紫外光
の吸収量を大幅に低減し、光学系のレンズやミラーの温
度上昇を招くおそれはない。
長反射防止膜がほぼ０．５λ0 であるのに比べて極めて
小さいために、その材料がＹ2 Ｏ3 のように紫外光を吸
収しやすい性質を有するものであっても実際に吸収する
エネルギー量はわずかであり、加えて前述のように、成
膜中に高周波励起による電界を付与し、かつ、成膜速度
を１ｎｍ／秒以下に制御することでより一層吸収率を低
下させることができる。さらに、前述のように中間屈折
率物質の第４層の成膜速度を１ｎｍ／秒以下に制御する
ことで第４層の吸収率も大幅に低下させることができ
る。その結果、本実施例の２波長反射防止膜は、紫外光
の吸収量を大幅に低減し、光学系のレンズやミラーの温
度上昇を招くおそれはない。
【００１２】図１の曲線Ｒ0 は、本実施例の２波長反射
防止膜に入射角０°で入射する光に対する分光反射率を
示すもので、この図から本実施例の２波長反射防止膜
は、ＫｒＦエキシマレーザの光の波長２４８ｎｍ（設計
波長）とＨｅ−Ｎｅレーザのレーザ光の波長６３２．８
ｎｍをそれぞれ含む比較的広い２つの波長領域において
極めて良好な反射防止特性を有することが解る。
防止膜に入射角０°で入射する光に対する分光反射率を
示すもので、この図から本実施例の２波長反射防止膜
は、ＫｒＦエキシマレーザの光の波長２４８ｎｍ（設計
波長）とＨｅ−Ｎｅレーザのレーザ光の波長６３２．８
ｎｍをそれぞれ含む比較的広い２つの波長領域において
極めて良好な反射防止特性を有することが解る。
【００１３】また、図１の曲線Ｒ1 は本実施例の２波長
反射防止膜に入射角４０°で入射する光に対する分光反
射率を示すもので、このように入射角が変化することで
反射防止特性を有する波長領域がずれても、前記２つの
レーザ光の波長２４８ｎｍと、６３２．８ｎｍは所望の
反射防止特性を有する波長領域内にある。このように、
本実施例の２波長反射防止膜は、斜入射の光に対して著
しく反射率が上昇するおそれがないため、高Ｎａ化や露
光領域の拡大が進んだ半導体露光装置の光学系にも充分
対応できる。
反射防止膜に入射角４０°で入射する光に対する分光反
射率を示すもので、このように入射角が変化することで
反射防止特性を有する波長領域がずれても、前記２つの
レーザ光の波長２４８ｎｍと、６３２．８ｎｍは所望の
反射防止特性を有する波長領域内にある。このように、
本実施例の２波長反射防止膜は、斜入射の光に対して著
しく反射率が上昇するおそれがないため、高Ｎａ化や露
光領域の拡大が進んだ半導体露光装置の光学系にも充分
対応できる。
【００１４】変形例 本実施例と同様の第１ないし第４層の薄膜からなる多層
膜と基板の間に、多層膜の密着性や耐久性を向上させる
ために略０．５λ0 の整数倍の光学膜厚を有する低屈折
率物質であるＳｉＯ2 のアンダーコートを設ける。
膜と基板の間に、多層膜の密着性や耐久性を向上させる
ために略０．５λ0 の整数倍の光学膜厚を有する低屈折
率物質であるＳｉＯ2 のアンダーコートを設ける。
【００１５】表２はこのようなアンダーコートを有する
合計５層の２波長反射防止膜を成膜した場合の各層の材
料、屈折率、光学膜厚、成膜中の成膜速度および酸素分
圧を示す。本変形例の分光反射率や吸収率については本
実施例と同様であるので説明は省略する。
合計５層の２波長反射防止膜を成膜した場合の各層の材
料、屈折率、光学膜厚、成膜中の成膜速度および酸素分
圧を示す。本変形例の分光反射率や吸収率については本
実施例と同様であるので説明は省略する。
【００１６】
【表２】 なお、本実施例の２波長反射防止膜の高屈折率物質には
波長２４８ｎｍの光に対する屈折率が１．９０以上の材
料Ｙ2 Ｏ3 ，ＨｆＯ2 等のなかからＹ2 Ｏ3 を選定し、
また、中間屈折率物質とは波長２４８ｎｍの光に対する
屈折率が１．５５〜１．９０の材料Ａｌ2 Ｏ3 ，ＬａＦ
3 ，ＮｄＦ3 ，ＹＦ3 およびこれらの混合物をいうが、
本実施例はこれらのうちで特に強度の点からＡｌ2 Ｏ3
を選定し、低屈折率物質にはやはり強度の点からＭｇＦ
2 およびＳｉＯ2 を用いているが、これらの外にＢａＦ
2 ，ＬｉＦ，ＳｒＦ2 ，ＡｌＦ3 ，ＮａＦおよびこれら
の混合物を用いることもできる。さらに、高屈折率物質
の第２層の成膜中の基板に高周波励起による電界を付与
して成膜を促進する替わりに、高屈折率物質の蒸発粒子
とともに酸素イオンを基板に照射して成膜を促進するい
わゆるイオンアシスト蒸着法を用いてもよい。低屈折率
物質の第１層および第３層の成膜中に酸素の導入を停止
して酸素分圧をゼロにすると、より一層吸収率を低下さ
せることができる。
波長２４８ｎｍの光に対する屈折率が１．９０以上の材
料Ｙ2 Ｏ3 ，ＨｆＯ2 等のなかからＹ2 Ｏ3 を選定し、
また、中間屈折率物質とは波長２４８ｎｍの光に対する
屈折率が１．５５〜１．９０の材料Ａｌ2 Ｏ3 ，ＬａＦ
3 ，ＮｄＦ3 ，ＹＦ3 およびこれらの混合物をいうが、
本実施例はこれらのうちで特に強度の点からＡｌ2 Ｏ3
を選定し、低屈折率物質にはやはり強度の点からＭｇＦ
2 およびＳｉＯ2 を用いているが、これらの外にＢａＦ
2 ，ＬｉＦ，ＳｒＦ2 ，ＡｌＦ3 ，ＮａＦおよびこれら
の混合物を用いることもできる。さらに、高屈折率物質
の第２層の成膜中の基板に高周波励起による電界を付与
して成膜を促進する替わりに、高屈折率物質の蒸発粒子
とともに酸素イオンを基板に照射して成膜を促進するい
わゆるイオンアシスト蒸着法を用いてもよい。低屈折率
物質の第１層および第３層の成膜中に酸素の導入を停止
して酸素分圧をゼロにすると、より一層吸収率を低下さ
せることができる。
【００１７】本実施例において、低屈折率物質の第１
層、高屈折率物質の第２層、低屈折率物質の第３層およ
び中間屈折率物質の第４層の光学膜厚は、それぞれ０．
２λ0ないし０．４λ0 、０．０４λ0 ないし０．１５
λ0 、０．４λ0 ないし０．６λ0 および０．４λ0 な
いし０．６λ0 の範囲で変更することができる。しか
し、各層の光学膜厚をこの範囲外とすると所望の反射防
止特性が得られない。
層、高屈折率物質の第２層、低屈折率物質の第３層およ
び中間屈折率物質の第４層の光学膜厚は、それぞれ０．
２λ0ないし０．４λ0 、０．０４λ0 ないし０．１５
λ0 、０．４λ0 ないし０．６λ0 および０．４λ0 な
いし０．６λ0 の範囲で変更することができる。しか
し、各層の光学膜厚をこの範囲外とすると所望の反射防
止特性が得られない。
【００１８】第２実施例 第１実施例と同様の基体である合成石英の基板の表面
に、該表面から遠い順に低屈折率物質であるＭｇＦ2 の
第１層の薄膜、高屈折率物質であるＨｆＯ2 の第２層の
薄膜、低屈折率物質であるＳｉＯ2 の第３層の薄膜およ
び中間屈折率物質であるＡｌ2 Ｏ3 の第４層の薄膜から
なる設計波長λ0 ＝２４８ｎｍの多層膜を設けた。各層
の屈折率、光学膜厚、成膜時の成膜速度および成膜室の
酸素分圧は表３の通りである。
に、該表面から遠い順に低屈折率物質であるＭｇＦ2 の
第１層の薄膜、高屈折率物質であるＨｆＯ2 の第２層の
薄膜、低屈折率物質であるＳｉＯ2 の第３層の薄膜およ
び中間屈折率物質であるＡｌ2 Ｏ3 の第４層の薄膜から
なる設計波長λ0 ＝２４８ｎｍの多層膜を設けた。各層
の屈折率、光学膜厚、成膜時の成膜速度および成膜室の
酸素分圧は表３の通りである。
【００１９】
【表３】 本実施例の第１ないし第４層は、それぞれ公知の真空蒸
着法によって成膜され、特に、第２層の高屈折率物質に
ＨｆＯ2 を用いるとともに、その成膜を酸素イオンを基
板の表面に照射して促進するいわゆるイオンアシスト法
を用いて行った点以外は第１実施例と同様の成膜条件で
成膜された。
着法によって成膜され、特に、第２層の高屈折率物質に
ＨｆＯ2 を用いるとともに、その成膜を酸素イオンを基
板の表面に照射して促進するいわゆるイオンアシスト法
を用いて行った点以外は第１実施例と同様の成膜条件で
成膜された。
【００２０】図２の曲線Ｒ0 は本実施例の２波長反射防
止膜に入射角０°で入射する光に対する分光反射率を示
すもので、この図から本実施例の２波長反射防止膜は、
第１実施例の２波長反射防止膜と同様に、ＫｒＦエキシ
マレーザのレーザ光の波長２４８ｎｍ（設計波長）とＨ
ｅ−Ｎｅレーザのレーザ光の波長６３２．８ｎｍをそれ
ぞれ含む比較的広い２つの波長領域において極めて良好
な反射防止特性を有することが解る。
止膜に入射角０°で入射する光に対する分光反射率を示
すもので、この図から本実施例の２波長反射防止膜は、
第１実施例の２波長反射防止膜と同様に、ＫｒＦエキシ
マレーザのレーザ光の波長２４８ｎｍ（設計波長）とＨ
ｅ−Ｎｅレーザのレーザ光の波長６３２．８ｎｍをそれ
ぞれ含む比較的広い２つの波長領域において極めて良好
な反射防止特性を有することが解る。
【００２１】また、図２の曲線Ｒ1 は本実施例の２波長
反射防止膜に入射角４０°で入射する光に対する分光反
射率を示すもので、このように入射角が変化しても、前
記２つのレーザ光の波長２４８ｎｍと６３２．８ｎｍは
所望の反射防止特性を有する波長領域に含まれる。従っ
て、第１実施例の２波長反射防止膜と同様に本実施例の
２波長反射防止膜も高Ｎａ化や露光領域の拡大が進んだ
半導体露光装置の光学系に充分対応できる。
反射防止膜に入射角４０°で入射する光に対する分光反
射率を示すもので、このように入射角が変化しても、前
記２つのレーザ光の波長２４８ｎｍと６３２．８ｎｍは
所望の反射防止特性を有する波長領域に含まれる。従っ
て、第１実施例の２波長反射防止膜と同様に本実施例の
２波長反射防止膜も高Ｎａ化や露光領域の拡大が進んだ
半導体露光装置の光学系に充分対応できる。
【００２２】また、第１実施例と同様に本実施例の第１
ないし第４層からなる多層膜と基板の間に、多層膜の密
着性や耐久性を向上させるために略０．５λ0 の整数倍
の光学膜厚を有するＳｉＯ2 のアンダーコートを設けて
もよい。その他の点は第１実施例と同様であるので説明
は省略する。
ないし第４層からなる多層膜と基板の間に、多層膜の密
着性や耐久性を向上させるために略０．５λ0 の整数倍
の光学膜厚を有するＳｉＯ2 のアンダーコートを設けて
もよい。その他の点は第１実施例と同様であるので説明
は省略する。
【００２３】
【発明の効果】本発明は上述のとおり構成されているの
で、以下に記載するような効果を奏する。
で、以下に記載するような効果を奏する。
【００２４】２波長反射防止膜の紫外光域の波長の光に
対する反射防止特性を大幅に広域化するとともに、吸収
率を大幅に低減できる。その結果、露光装置等におい
て、露光光が斜入射であっても反射率が上昇するおそれ
がないうえに、吸収が少なくて光学系の光学特性を損う
おそれもない良質の２波長反射防止膜を実現できる。
対する反射防止特性を大幅に広域化するとともに、吸収
率を大幅に低減できる。その結果、露光装置等におい
て、露光光が斜入射であっても反射率が上昇するおそれ
がないうえに、吸収が少なくて光学系の光学特性を損う
おそれもない良質の２波長反射防止膜を実現できる。
【図１】第１実施例の２波長反射防止膜の分光反射率を
示すグラフである。
示すグラフである。
【図２】第２実施例の２波長反射防止膜の分光反射率を
示すグラフである。
示すグラフである。
Claims (7)
- 【請求項１】 基体の表面に積層された４層の薄膜から
なる多層膜を有し、前記４層の薄膜のうちで、前記基体
の表面から遠い順に第１層の薄膜が低屈折率物質、第２
層の薄膜が高屈折率物質、第３層の薄膜が低屈折率物
質、第４層の薄膜が中間屈折率物質でそれぞれ作られて
おり、前記第１層の薄膜の光学膜厚Ｄ1と、前記第２層
の薄膜の光学膜厚Ｄ2 と、前記第３層の薄膜の光学膜厚
Ｄ3 と、前記第４層の薄膜の光学膜厚Ｄ4 がそれぞれ以
下の範囲にあることを特徴とする２波長反射防止膜。 ０．２λ0 ≦Ｄ1 ≦０．４λ0 ０．０４λ0 ≦Ｄ2 ≦０．１５λ0 ０．４λ0 ≦Ｄ3 ≦０．６λ0 ０．４λ0 ≦Ｄ4 ≦０．６λ0 ここで、λ0 ：設計波長 - 【請求項２】 低屈折率物質がＭｇＦ2 またはＳｉＯ
2 、高屈折率物質がＹ2 Ｏ3 またはＨｆＯ2 、中間屈折
率物質がＡｌ2 Ｏ3 であることを特徴とする請求項１記
載の２波長反射防止膜。 - 【請求項３】 多層膜と基体の表面の間に０．５λ0 の
整数倍の光学膜厚を有する低屈折率物質のアンダーコー
トが設けられていることを特徴とする請求項１または２
記載の２波長反射防止膜。 - 【請求項４】 高屈折率物質が、高周波励起によって電
界を付与して成膜されたものであることを特徴とする請
求項１ないし３いずれか１項記載の２波長反射防止膜。 - 【請求項５】 高屈折率物質の薄膜が、酸素イオンによ
るイオンアシスト蒸着法によって成膜されたものである
ことを特徴とする請求項１ないし３いずれか１項記載の
２波長反射防止膜。 - 【請求項６】 低屈折率物質の各薄膜が、酸素ガスを導
入することなく成膜されたものであることを特徴とする
請求項１ないし５いずれか１項記載の２波長反射防止
膜。 - 【請求項７】 中間屈折率物質の薄膜および高屈折率物
質の薄膜がそれぞれ１ｎｍ／秒以下の成膜速度で成膜さ
れたものであることを特徴とする請求項１ないし６いず
れか１項記載の２波長反射防止膜。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15625293A JP3213122B2 (ja) | 1993-06-02 | 1993-06-02 | ２波長反射防止膜 |
| US08/156,694 US5532871A (en) | 1992-11-25 | 1993-11-24 | Two-wavelength antireflection film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15625293A JP3213122B2 (ja) | 1993-06-02 | 1993-06-02 | ２波長反射防止膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06347603A true JPH06347603A (ja) | 1994-12-22 |
| JP3213122B2 JP3213122B2 (ja) | 2001-10-02 |
Family
ID=15623724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15625293A Expired - Fee Related JP3213122B2 (ja) | 1992-11-25 | 1993-06-02 | ２波長反射防止膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3213122B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09329702A (ja) * | 1996-06-10 | 1997-12-22 | Nikon Corp | 反射防止膜 |
| JP2004226428A (ja) * | 2003-01-17 | 2004-08-12 | Kogaku Giken:Kk | ２波長反射防止膜及び２波長反射防止膜形成方法 |
| JP2008525861A (ja) * | 2004-12-29 | 2008-07-17 | コーニング インコーポレイテッド | 光学窓及び素子のための反射防止膜 |
| US8619365B2 (en) | 2004-12-29 | 2013-12-31 | Corning Incorporated | Anti-reflective coating for optical windows and elements |
-
1993
- 1993-06-02 JP JP15625293A patent/JP3213122B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09329702A (ja) * | 1996-06-10 | 1997-12-22 | Nikon Corp | 反射防止膜 |
| JP2004226428A (ja) * | 2003-01-17 | 2004-08-12 | Kogaku Giken:Kk | ２波長反射防止膜及び２波長反射防止膜形成方法 |
| JP2008525861A (ja) * | 2004-12-29 | 2008-07-17 | コーニング インコーポレイテッド | 光学窓及び素子のための反射防止膜 |
| US8619365B2 (en) | 2004-12-29 | 2013-12-31 | Corning Incorporated | Anti-reflective coating for optical windows and elements |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3213122B2 (ja) | 2001-10-02 |
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