JPH10160915A - エキシマレーザー用ミラー - Google Patents

エキシマレーザー用ミラー

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JPH10160915A
JPH10160915A JP8321421A JP32142196A JPH10160915A JP H10160915 A JPH10160915 A JP H10160915A JP 8321421 A JP8321421 A JP 8321421A JP 32142196 A JP32142196 A JP 32142196A JP H10160915 A JPH10160915 A JP H10160915A
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 λ=160〜300nmの任意の波長域において広帯
域で高反射率を示し、かつ広い入射角度に対して高反射
率を示す、密着性、耐レーザー性の良好なエキシマレー
ザー用ミラーを提供する。 【解決手段】 少なくとも、基板上に、金属膜、高屈折
率層及び低屈折率層からなる交互層を順次積層してな
り、前記交互層の膜構成が基板側からH1(L1H1a1
1 3/H2(L2H2a2/…/La-1 3/Hn(LnHnan
あり、かつ光学的膜厚の関係が、X1>X2>・・・>X
n、Y1>Y2>・・・>Ynー1であることを特徴とする。
但し、H1、H2・・・Hnは各高屈折率層群、L1、L2
・・・Lnは各低屈折率層群、L1’L2’・・・Ln-1
は各接合層、a1、a2、・・・anは交互層の繰り返
し係数、X1、X2・・・Xnは群内の各層の光学的膜
厚、Y1、Y2・・・Ynー1は各接合層の光学的膜厚。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、紫外領域において
広帯域、高反射率であって、角度依存性の少ない反射率
特性を示すエキシマレーザー用ミラーに関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】従来のエキシマレーザー用ミラーとして
は、以下の構造のものが知られている。 第1の例とし
て、図7に示すような構造のものが知られている。これ
は合成石英ガラス等の基板11上に、金属Al膜13を成膜
し、その上に金属Al膜の酸化等の劣化を防ぐ保護膜とし
て誘電体膜15をコートした構造となっている。図8にこ
の反射膜の分光反射特性を示し、図9に波長λ=193.4nm
のレーザー光に対する入射角度特性を示す。この金属ミ
ラーは、λ=193.4nmでは入射角がθ=0〜40°程度まで一
様な反射率を示すが、最大でも90%程度の反射率でしか
ない。また、金属Al膜はエキシマレーザー光を吸収しや
すいため、耐エキシマレーザー性が低いという問題があ
った。
【0003】第2の例として、図10に示すような構造
のものが知られている。これは、ガラス等の基板11上に
光学的膜厚がそれぞれλ/4(λ:設計中心波長)の高屈
折率誘電体と低屈折率誘電体の交互層を40〜50層程度積
層させた構造14となっている。 このエキシマレーザー
用の誘電体多層ミラーは、設計中心波長を変化させるこ
とによって、λ=160〜300nmの範囲で95%以上の反射帯域
を任意に設定できる。図11はこのエキシマレーザー用
ミラーの分光反射特性を示し、図12は波長λ=193.4nm
のレーザー光に対する入射角度特性を示す。このエキシ
マレーザー用ミラーは95%以上の高反射を示すが、その
高反射帯波長域が約20nmと狭く、レーザー波長λ=193.4
nmにおける角度特性も、入射角度がθ=20°より大きく
なると反射率が大きく低下してしまうという問題があっ
た。このためこのミラーは広い波長帯域や入射角度幅で
の使用には適さないものであった。
【0004】そこで、高反射帯域および入射角度幅を広
げるために考えられた、第3の例として、図13に示す
ような構造のものが知られている。これは、ガラス等の
基板11上に中心波長の異なる2種の上記誘電体多層ミラ
ー14、14'を順次積層させた構造となっている。図14
はこのエキシマレーザー用ミラーの分光反射特性を示
し、図15は波長λ=193.4nmのレーザー光に対する入射
角度特性を示す。このエキシマレーザー用ミラーは185n
m〜220nmの波長範囲で95%以上の反射特性を示し、レー
ザー波長λ=193.4nmにおいても入射角度が約40°まで高
反射の特性を示す。しかし層数が80〜100層と多いため
に、吸収・散乱が大きくなるという問題や膜応力が増大
し、膜にクラックが入りやすいという問題があった。こ
れらの吸収・散乱や膜応力の増大は耐レーザー性を低下
させることも予想されている。さらに、層数が多いため
に製造コストが高いという問題もあった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の技
術においては、λ=160〜300nmの任意の波長域において
広帯域高反射率であり、かつ広い入射角度に対して高反
射率を示し、密着性、耐レーザー性の良好なエキシマレ
ーザー用ミラーを製造するのは困難であった。
【0006】本発明はこのような従来の問題点に対して
なされたもので、λ=160〜300nmの任意の波長域におい
て広帯域で高反射率であり、かつ広い入射角度に対して
高反射率を示し、密着性、耐レーザー性の良好なエキシ
マレーザー用ミラーを提供することを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、第一に「少な
くとも、基板上に、金属膜、高屈折率層及び低屈折率層
からなる交互層を順次積層してなるエキシマレーザー用
ミラーであって、前記交互層の膜構成が基板側から
【0008】
【数2】
【0009】であり、かつ光学的膜厚の関係が X1>X2>・・・>Xn1>Y2>・・・>Ynー1 であることを特徴とするエキシマレーザー用ミラー。但
し、H1、H2・・・Hnは第1群、第2群・・・第n群
の高屈折率層、L1、L2・・・Lnは第1群、第2群・
・・第n群の低屈折率層、L1’L2’・・・Ln-1’は
第1、第2・・・第n−1の接合層(低屈折率層)、a
1、a2、・・・anは交互層の繰り返し係数、X1
2・・・Xnは第1群、第2群・・・第n群内の各層の
光学的膜厚(同一群内の各層の光学的膜厚は同一であ
る)Y1、Y2・・・Yn-1は第1接合層、第2接合層・
・・第n−1接合層の光学的膜厚(請求項1)」を提供
する。
【0010】第1群〜第n群の各群の総称を薄膜群とい
う。基板から離れるにしたがって、各群内の各層の光学
的膜厚が減少する(同一群内では同一)。同様に、基板
から離れるにしたがって、各接合層の光学的膜厚が減少
する。これにより、基板に近い薄膜群ほど反射領域のよ
り長波長の光を反射し、入射媒質に近い薄膜群ほどより
短波長の光を反射する。
【0011】また、本発明は第二に「前記高屈折率層の
材料が、フッ化ネオジウム(NdF 3),フッ化ランタン
(LaF3),フッ化ガドリニウム(GdF3),フッ化デ
ィスプロシウム(DyF3),酸化アルミニウム(Al2
3),フッ化鉛(PbF2)およびこれらの混合物質又
は化合物の群より選ばれた1つ以上の成分であり、前記
低屈折率層の材料が、フッ化マグネシウム(MgF2),
フッ化アルミニウム(AlF3),フッ化ナトリウム(N
aF),フッ化リチウム(LiF),フッ化カルシウム
(CaF2),フッ化バリウム(BaF2),フッ化ストロ
ンチウム(SrF2),クリオライト(Na3AlF6),
チオライト(Na5Al314)およびこれらの混合物質
又は化合物の群より選ばれた1つ以上の成分であること
を特徴とする請求項1記載のエキシマレーザー用ミラー
(請求項2)」を提供する。
【0012】また、本発明は第三に「さらに前記基板と
前記金属膜の間に中間層を挿入してなることを特徴とす
る請求項1又は2記載のエキシマレーザー用ミラー(請
求項3)」を提供する。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る実施形態とし
てのエキシマレーザー用ミラーを図面を参照しながら説
明する。図1は本発明にかかる第1の実施形態のエキシ
マレーザー用ミラーの概略断面図である。
【0014】本発明にかかる第1の実施形態のエキシマ
レーザー用ミラーは、基板11上に、金属Al膜13、高屈折
率層および低屈折率層の交互層を以下の構成にて順次積
層させた構成である。
【0015】
【数3】
【0016】であり、光学的膜厚の関係がX1>X2
ある。但し、H1、H2は第1群16、第2群18の高屈折率
層、L1、L2は第1群16、第2群18の低屈折率層、
1’は第1接合層17(低屈折率層)、a1、a2は交
互層の繰り返し係数、X1、X2は第1群16、第2群18内
の各層の光学的膜厚(同一群内の各層の光学的膜厚は同
一である)。
【0017】薄膜群16、18中の高屈折率層であるH1
びH2は同じ材料を用いても良いし、異なる材料を用い
ても良い。また、薄膜群16、18中の低屈折率層であるL
1及びL2についても同様である。さらに、接合層17であ
るL1’、薄膜群中16、18の低屈折率層であるL1及びL
2は同じ低屈折率材料を用いても良いし、異なる材料を
用いても良い。
【0018】図4は、本発明にかかる第2の実施形態の
エキシマレーザー用ミラーの概略断面図である。本発明
にかかる第2の実施形態のエキシマレーザー用ミラー
は、基板11上に、金属Al膜13、高屈折率層および低屈折
率層の交互層を以下の構成にて順次積層させた構成であ
る。
【0019】
【数4】
【0020】であり、光学的膜厚の関係が X1>X2>X31>Y2 但し、H1、H2、H3は第1群16、第2群18、第3群20
の高屈折率層、L1、L2、L3は第1群16、第2群18、
第3群20の低屈折率層、L1’L2’は第1接合層17(低
屈折率層)、第2接合層19(低屈折率層)、a1、a
2、a3は交互層の繰り返し係数、X1、X2、X3は第
1群16、第2群18、第3群20内の各層の光学的膜厚(同
一群内の各層の光学的膜厚は同一である)、Y1、Y2
第1接合層17、第2接合層19の光学的膜厚。
【0021】薄膜群16、18、20中の高屈折率層であるH
1、H2及びH3は同じ材料を用いても良いし、異なる材
料を用いても良い。また、薄膜群16、18、20中の低屈折
率層であるL1、L2及びL3についても同様である。さ
らに、接合層17、19であるL1’、L2’、薄膜群16、1
8、20中の低屈折率層であるL1、L2及びL3は同じ低屈
折率材料を用いても良いし、異なる材料を用いても良
い。
【0022】基板11としては、合成石英ガラスなどの各
種ガラスや結晶材料である蛍石、フッ化マグネシウム等
を使用することができる。金属膜13はAlが用いられ、
膜厚は1000Å以上あれば問題ない。高屈折率層の材
料としては、フッ化ネオジウム(NdF3),フッ化ラン
タン(LaF3),フッ化ガドリニウム(GdF3),フッ
化ディスプロシウム(DyF3),酸化アルミニウム(A
23),フッ化鉛(PbF2)およびこれらの混合物質
又は化合物等の群より選ばれた1つ以上の成分が挙げら
れ、低屈折率層の材料としては、フッ化マグネシウム
(MgF2),フッ化アルミニウム(AlF3),フッ化ナ
トリウム(NaF),フッ化リチウム(LiF),フッ化
カルシウム(CaF2),フッ化バリウム(BaF2),フ
ッ化ストロンチウム(SrF2),クリオライト(Na3
AlF6),チオライト(Na5Al314)およびこれら
の混合物質又は化合物等の群より選ばれた1つ以上の成
分が挙げられる。
【0023】基板11と金属膜13の密着性を向上させるた
めに基板11と金属膜13との間に中間層を設けても良い。
中間層の材料として、クロム(Cr)等の金属膜、一酸
化シリコン(SiO)等の誘電体膜が使用することがで
きる。本発明にかかるエキシマレーザー用ミラーは、金
属膜上に誘電体多層膜が形成されているので、金属膜に
到達するエキシマレーザーの光量は、誘電体多層膜の反
射等により低減され、それに伴って金属膜のダメージが
低減される。また、一般的に、誘電体多層膜は、金属膜
に比べ耐レーザー性が優れているので、これらのことよ
り本発明にかかるエキシマレーザー用ミラーは、従来の
金属反射ミラーよりも優れた耐レーザー性が期待でき
る。さらに、光学特性を大きく損なわない膜厚であり、
かつ耐レーザー性に優れた材料のλ/2の低屈折率層を
最上層に成膜する事により耐レーザー性の向上を図るこ
とが出来る。
【0024】
【実施例】
[実施例1]図1には、実施例1のエキシマレーザー用
ミラーが示されている。精密に研磨された合成石英ガラ
ス(Quartz)基板11上に、金属Al膜13、高屈折率層とし
てフッ化ランタン(LaF3)、低屈折率層としてフッ化マグ
ネシウム(MgF2)を順次積層し、以下の膜構成にて成膜し
た。
【0025】 Quartz /Al(1000Å) /LaF3(0.29λ)[MgF2(0.29λ)/LaF3(0.29λ)]4 /MgF2(0.27λ) /LaF3(0.22λ)[MgF2(0.22λ)/LaF3(0.22λ)]4 /Air これらの膜は真空蒸着法、スパッタリング法などの従来
技術により形成される。
【0026】図2は、実施例1のエキシマレーザー用ミ
ラーにおけるθ=0°の分光反射特性である。この分光反
射特性からλ=190〜220nmの約30nmの反射帯域におい
て、95%以上の反射率を有することがわかる。図3は、
実施例1のエキシマレーザー用ミラーの波長λ=193.4nm
のレーザー光に対する入射角度特性を示す。これから入
射角度がθ=0〜50°の範囲では、反射率のS偏光および
P偏光成分のいずれも95%以上維持できていることがわ
かる。このような入射角度特性を示すため、本発明のエ
キシマレーザー用ミラーを光線入射角がθ=0〜50°の反
射光学系に使用した場合、光量の損失が少なく、入射角
による光量ムラが小さくなることが期待できるため、例
えばエキシマレーザーを光源に用いた半導体製造装置
(ステッパー)の光学素子に適用すれば、優れた露光精
度で効率よく処理することが期待できる。 [実施例2]実施例2のエキシマレーザー用ミラーは、
図4に示す膜構成の基板11と金属膜13との間に中間層を
挿入した構成である。
【0027】精密に研磨された蛍石(CaF2)基板11上
に、金属Al膜13、高屈折率層としてフッ化ネオジウム
(NdF3)、低屈折率層としてクリオライト(Na3AlF6
を順次積層し、以下の膜構成にて成膜した。ここでCaF2
基板と金属Al膜とは密着力が弱いので、中間層(M)と
してCrを挿入して密着性向上を図っている。
【0028】 CaF2 /Cr /Al(1000Å) /NdF3(0.33λ)[Na3AlF6(0.33λ)/NdF3(0.33λ)]2 /Na3AlF6(0.24λ) /NdF3(0.30λ)[Na3AlF6(0.30λ)/NdF3(0.30λ)]2 /Na3AlF6(0.18λ) /NdF3(0.22λ)[Na3AlF6(0.22λ)/NdF3(0.22λ)]2 /Air これらの膜は真空蒸着法、スパッタリング法などの従来
技術により形成される。
【0029】図5は、実施例2のエキシマレーザー用ミ
ラーにおける入射角θ=45°の分光反射特性である。こ
の分光反射特性からP偏光成分に関しては約25nmの幅
(λ=188nm〜213nm)で、S偏光成分に関しては約40nm
の幅(λ=180nm〜220nm)で95%以上の反射率を有し、
λ=185nm〜215nmの約30nmの反射帯域において、95%以
上の反射率を有することがわかる。図6は、実施例2の
エキシマレーザー用ミラーの波長λ=193.4nmのレーザー
光に対する入射角度特性を示す。これから入射角度がθ
=30〜60°の範囲では、反射率のS偏光およびP偏光成
分のいずれも95%以上維持できていることがわかる。こ
のような入射角度特性を示すため、本発明のエキシマレ
ーザー用ミラーを光線入射角がθ=30〜60°であるよう
な光線を折り曲げて使用する反射光学系に使用した場
合、光量の損失が少なく、入射角による光量ムラが小さ
くなることが期待できるため、実施例1同様にエキシマ
レーザーを光源に用いた半導体製造装置(ステッパー)
の光学素子に適用すれば、優れた露光精度で効率よく処
理することが期待できる。
【0030】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明のエキシマレ
ーザー用ミラーは、λ=185〜220nmの任意の約30nmの反
射帯域において、95%以上の反射率を有し、λ=193.4nm
において、広い入射角度に対して、S偏光およびP偏光
成分いずれも95%以上の反射率を維持することができ
る。
【0031】また、基板と金属Al膜の間に誘電体膜又は
金属膜を形成することにより、基板と金属Al膜との密着
性を高め、膜の剥離を起きにくくすることができる。本
発明のエキシマレーザー用ミラーを紫外光およびエキシ
マーレーザーを使用して作動する装置の光学素子として
使用すれば、さらなる高性能化が期待できる。また、基
板が凹面鏡などのような曲率を持ったものでも同様の効
果が得られるため、従来レンズのみ使用されてきた光学
系に応用すれば、高性能化およびレンズ枚数の減少とい
う効果も期待できる。特に、本発明のエキシマレーザー
用ミラーを使用することによって結像された像は、反射
光の偏光成分の差による結像ムラを小さく抑えることが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明にかかる第1の実施の形態及び実施例1
のエキシマレーザー用ミラーの概略断面図である。
【図2】本発明にかかる実施例1のエキシマレーザー用
ミラーの反射特性図である。
【図3】本発明にかかる実施例1のエキシマレーザー用
ミラーのλ=193.4nmでの入射角度特性図である。
【図4】本発明にかかる第2の実施の形態のエキシマレ
ーザー用ミラーの概略断面図である。
【図5】本発明にかかる実施例2のエキシマレーザー用
ミラーの反射特性図である。
【図6】本発明にかかる実施例2のエキシマレーザー用
ミラーのλ=193.4nmでの入射角度特性図である。
【図7】従来の第1の例としてのミラーの概略断面図で
ある。
【図8】従来の第1の例としてのミラーの反射特性図で
ある。
【図9】従来の第1の例としてのミラーのλ=193.4nmで
の入射角度特性図である。
【図10】従来の第2の例としてのエキシマレーザー用
ミラーの概略断面図である。
【図11】従来の第2の例としてのエキシマレーザー用
ミラーの反射特性図である。
【図12】従来の第2の例としてのエキシマレーザー用
ミラーのλ=193.4nmでの入射角度特性図である。
【図13】従来の第3の例としてのエキシマレーザー用
ミラーの概略断面図である。
【図14】従来の第3の例としてのエキシマレーザー用
ミラーの反射特性図である。
【図15】従来の第3の例としてのエキシマレーザー用
ミラーのλ=193.4nmでの入射角度特性図である。
【符号の説明】
11…基板 13…金属Al膜 14、14'…誘電体多層膜 15…保護誘電体膜 16・・・第1群 17・・・第1接合層 18・・・第2群 19・・・第2接合層 20・・・第3群

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも、基板上に、金属膜、高屈折
    率層及び低屈折率層からなる交互層を順次積層してなる
    エキシマレーザー用ミラーであって、前記交互層の膜構
    成が基板側から 【数1】 であり、かつ光学的膜厚の関係が X1>X2>・・・>Xn1>Y2>・・・>Ynー1 であることを特徴とするエキシマレーザー用ミラー。但
    し、H1、H2・・・Hnは第1群、第2群・・・第n群
    の高屈折率層、L1、L2・・・Lnは第1群、第2群・
    ・・第n群の低屈折率層、L1’L2’・・・Ln-1’は
    第1、第2・・・第n−1の接合層(低屈折率層)、a
    1、a2、・・・anは交互層の繰り返し係数、X1
    2・・・Xnは第1群、第2群・・・第n群内の各層の
    光学的膜厚(同一群内の各層の光学的膜厚は同一であ
    る)Y1、Y2・・・Ynー1は第1接合層、第2接合層・
    ・・第n−1接合層の光学的膜厚
  2. 【請求項2】 前記高屈折率層の材料が、フッ化ネオジ
    ウム(NdF3),フッ化ランタン(LaF3),フッ化ガ
    ドリニウム(GdF3),フッ化ディスプロシウム(Dy
    3),酸化アルミニウム(Al23),フッ化鉛(Pb
    2)およびこれらの混合物質又は化合物の群より選ば
    れた1つ以上の成分であり、前記低屈折率層の材料が、
    フッ化マグネシウム(MgF2),フッ化アルミニウム
    (AlF3),フッ化ナトリウム(NaF),フッ化リチ
    ウム(LiF),フッ化カルシウム(CaF2),フッ化
    バリウム(BaF2),フッ化ストロンチウム(Sr
    2),クリオライト(Na3AlF6),チオライト(N
    5Al314)およびこれらの混合物質又は化合物の群
    より選ばれた1つ以上の成分であることを特徴とする請
    求項1記載のエキシマレーザー用ミラー。
  3. 【請求項3】 さらに前記基板と前記金属膜の間に中間
    層を挿入してなることを特徴とする請求項1又は2記載
    のエキシマレーザー用ミラー。
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