JP2015194789A - レーザシステム用の設計作製フッ化物被覆素子 - Google Patents
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Abstract
Description
(1) 193nmでは97%を超える反射率を得ることが難しい、
(2) その反射率は環境に敏感である、
(3) フッ化物膜の多孔質構造は汚染を含み、193nmでの吸収をもたらす、
(4) レーザ耐久性が低い。
本発明はこれらの問題を、ミラーブランク(基体)を被覆するために用いられる、高屈折率材料および低屈折率材料の周期またはその積層体の間に非晶質シリカ(SiO2)層を挿入することにより克服する。一般に、本発明は、フッ化物積層体中に周期的に挿入されたPIAD平滑化SiO2層の使用、および最上層、表層または最終層としてのSiO2の使用に関する。本発明は、より詳しくは、
(1) 不均一なフッ化物膜構造体の成長をなくすための非晶質SiO2層の挿入、
(2) 非晶質SiO2層の表面を平滑にするためのPIADの使用、
(3) 平滑化されたSiO2表面上のフッ化物膜の連続的成長、および
(4) 約10-5だけフッ化物曝露表面積を減少させ、それゆえ、設計作製フッ化物ミラーを封止するための、表層としての緻密な平滑化SiO2の使用、
に関する。
標準的なフッ化物ミラーは、多層のフッ化物材料、特に、高屈折率材料および低屈折率材料の交互の層を含む。フッ化物膜成長機構を、例としてGdF3単層を用いて調査した。その結果は、その層が不均一構造であり、粗い表面であることを示している。図1は、CaF2(111)上に成長したGdF3膜の屈折率(193nmでの)深さプロファイルを示している。屈折率は膜の充填密度に比例している。一般に、GdF3膜について、高屈折率は緻密な膜に由来し、一方で、低屈折率は多孔質の膜構造に対応する。図1から分かるように、GdF3膜の形成の始めに、緻密な薄層が基体上に形成されて、1.738の屈折率が生じる。膜厚が増加するにつれ、円柱状の多結晶質微小構造の成長機構により、結晶粒の間に間隙が生じるであろう。その結果、層厚が蓄積するにつれて、膜密度が減少する。膜の成長の終わりに、屈折率はさらに1.62まで低下し、これは、15.8%の平均気孔率に相当する。1.35の屈折率は、図1における3.5nmの表面粗さの層を表す。高屈折率フッ化物材料は1.65から1.75の範囲の屈折率nを有し、低屈折率フッ化物材料は1.35から1.45の範囲の屈折率を有する。
[2] 標準的なフッ化物ミラーの表面および界面
我々の実験結果に基づいて、標準的なフッ化物ミラーの表面粗さRmは、式(1)により表すことができる:
1. 速い増加領域(6周期まで)、
2. 遅い増領域(16周期を超えて)、および
3. 速い増加から遅い増加への移行領域。
[3] エネルギーを用いた蒸着により平滑化された非晶質SiO 2
本発明によれば、非晶質であるが緻密で滑らかなSiO2膜が、エネルギーを用いた蒸着によりフッ化物積層体中に挿入される。緻密で滑らかなSiO2膜は、PIAD、IADおよびIBSにより蒸着できる。ここで、PIAD蒸着SiO2が例として用いられる。図8Aは、SiO2基体上のPIAD平滑化SiO2膜のAFM画像である。被覆していない基体の表面粗さは0.35nmである。200nmのSiO2膜を蒸着した後、その表面粗さは0.29nmまで減少した。その結果は、平滑化されたSiO2膜は、被覆されていない基体の粗さを減少させることを示している。図8Bは、被覆された基体の表面の平滑性を改善、すなわち、減少させるためにどのようにSiO2膜を使用できるかを示している。本発明によれば、フッ化物膜をプラズマイオン直接衝撃から保護し、フッ化物膜の蓄積した粗い構造を伸ばすために、少なくとも1つのPIAD蒸着SiO2層が標準的なフッ化物ミラー中に挿入された。フッ化物積層体は、平滑化されたSiO2膜層上に連続して蒸着できる。好ましい実施の形態において、最終層はSiO2膜層である。図8Bにおいて、表面粗さは、SiO2膜を施した後に、0.29nmである。SiO2膜を施す前は、表面粗さは0.35nmであった。
[4] 表面と界面が設計作製されたフッ化物ミラー
表面と界面が設計作製されたフッ化物ミラーは、式(3)により表すことができる:
[5] 表面/界面が設計作製されたフッ化物強化酸化物ミラー
本発明は、別の実施の形態において、フッ化物強化積層体が、式(4):
[6] 表面/界面が設計作製されたフッ化物強化アルミニウムミラー
本発明は、別の実施の形態において、フッ化物強化積層体が、式(6):
・ Hは、任意の高屈折率フッ化物材料、例えば、GdF3、LaF3、および当該技術分野において公知の他の高屈折率金属フッ化物材料であって差し支えない。
・ Lは、任意の低屈折率フッ化物材料、例えば、AlF3、MgF2、CaF2および当該技術分野において公知の他の低屈折率金属フッ化物材料であって差し支えない。
・ SiO2系層は、SiO2または改質SiO2、例えば、FドープトSiO2、NドープトSiO2、およびAl2O3ドープトSiO2であってよい。
・ 本発明を実施するのに使用できるエネルギーを用いた平滑化技法は、PIAD(プラズマイオン支援蒸着)、IAD(イオン支援蒸着)、IBS(イオンビームスパッタリング)、および酸化物材料の蒸着に有用である当該技術分野において公知の同様のエネルギーを用いた技法であってよい。
・ 式(3)〜(7)におけるHおよびLの層の順序を変えても差し支えない。例えば、式(3)における順序を、
・ 式(4)〜(7)も同様に変えてもよい。
式(3)〜(7)において光学的厚さを変更することにより、本発明を、他の深紫外線レーザ波長、例えば、157nm、198.5nmなどの200nm未満の波長で動作する200nm未満のレーザシステムに適用することができる。
30 高屈折率層
40 低屈折率層
50 半波長SiO2層
Claims (1)
- 200nm未満のレーザシステムに使用するための素子であって、
基体、
16を超える周期からなるフッ化物コーティング材料であって、各々の周期が、エネルギーを用いない蒸着方法で形成された、少なくとも一層の高屈折率フッ化物材料および少なくとも一層の低屈折率フッ化物材料を含むもの、および
非晶質シリカ、非晶質FドープトSiO2、非晶質NドープトSiO2および非晶質Al2O3ドープトSiO2からなる群より選択される、プラズマイオン支援蒸着(PIAD)、イオン支援蒸着(IAD)またはイオンビームスパッタリング(IBS)により蒸着された緻密で平滑な非晶質SiO2系材料の複数の層であって、当該非晶質SiO2系材料の複数の層の各々が、前記フッ化物コーティング材料の複数の周期の間に挿入されるもの、
を備え、
前記高屈折率フッ化物材料が1.65から1.75の範囲の屈折率を有し、前記低屈折率フッ化物材料が1.35から1.45の範囲の屈折率を有し、
前記フッ化物コーティング材料の各周期の厚さが50nmから90nmの範囲にあり、該コーティング材料の各周期内にある前記高屈折率フッ化物材料の層の厚さが20nmから40nmの範囲にあり、前記コーティング材料の各周期内にある前記低屈折率フッ化物材料の層の厚さが30nmから50nmの範囲にあり、
前記高屈折率フッ化物材料と前記低屈折率フッ化物材料の周期の間に挿入された前記非晶質SiO2系材料の層の厚さが5nmから75nmの範囲にあることを特徴とする素子。
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---|---|---|---|---|
US20090244507A1 (en) * | 2008-03-28 | 2009-10-01 | Nikon Corporation | Optical member, light routing unit, and exposure apparatus |
DE102008042439A1 (de) * | 2008-09-29 | 2010-04-08 | Carl Zeiss Smt Ag | Hochreflektierender dielektrischer Spiegel und Verfahren zu dessen Herstellung, sowie eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einem solchen Spiegel |
US8153241B2 (en) | 2009-02-26 | 2012-04-10 | Corning Incorporated | Wide-angle highly reflective mirrors at 193NM |
DE102009017095A1 (de) * | 2009-04-15 | 2010-10-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Spiegel für den EUV-Wellenlängenbereich, Projektionsobjektiv für die Mikrolithographie mit einem solchen Spiegel und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einem solchen Projektionsobjektiv |
US8369674B2 (en) * | 2009-05-20 | 2013-02-05 | General Electric Company | Optimizing total internal reflection multilayer optics through material selection |
US8335045B2 (en) * | 2010-02-24 | 2012-12-18 | Corning Incorporated | Extending the stability of UV curable adhesives in 193NM laser systems |
DE102010017106A1 (de) | 2010-05-27 | 2011-12-01 | Carl Zeiss Laser Optics Gmbh | Spiegel mit dielektrischer Beschichtung |
US20120307353A1 (en) | 2011-05-31 | 2012-12-06 | Horst Schreiber | DURABLE MgO-MgF2 COMPOSITE FILM FOR INFRARED ANTI-REFLECTION COATINGS |
US9482790B2 (en) * | 2012-05-31 | 2016-11-01 | Corning Incorporated | Silica-modified-fluoride broad angle anti-reflection coatings |
DE102012018483B4 (de) * | 2012-09-19 | 2018-02-01 | Qioptiq Photonics Gmbh & Co. Kg | Nichtpolarisierender Strahlteiler |
US9581742B2 (en) | 2012-11-20 | 2017-02-28 | Corning Incorporated | Monolithic, linear glass polarizer and attenuator |
WO2015070254A1 (en) * | 2013-11-11 | 2015-05-14 | General Plasma, Inc. | Multiple layer anti-reflective coating |
DE102013020353A1 (de) * | 2013-12-05 | 2015-06-11 | Jenoptik Optical Systems Gmbh | Polarisationssystem |
US9696467B2 (en) | 2014-01-31 | 2017-07-04 | Corning Incorporated | UV and DUV expanded cold mirrors |
US10295707B2 (en) * | 2014-02-27 | 2019-05-21 | Corning Incorporated | Durability coating for oxide films for metal fluoride optics |
CN104020517A (zh) * | 2014-05-21 | 2014-09-03 | 利达光电股份有限公司 | 一种超硬消反光防水防油薄膜 |
US20170003419A1 (en) * | 2015-06-30 | 2017-01-05 | Supriya Jaiswal | Coatings for extreme ultraviolet and soft x-ray optics |
DE102015218763A1 (de) | 2015-09-29 | 2017-03-30 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Reflektives optisches Element |
WO2018013757A2 (en) | 2016-07-14 | 2018-01-18 | Corning Incorporated | Methods of reducing surface roughness of reflectance coatings for duv mirrors |
US11784452B2 (en) * | 2019-02-25 | 2023-10-10 | Cymer, Llc | Optical element for a deep ultraviolet light source |
CN110441844A (zh) * | 2019-06-24 | 2019-11-12 | 东莞理工学院 | 一种10 kW半导体激光器用高反膜及其制备方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10160915A (ja) * | 1996-12-02 | 1998-06-19 | Nikon Corp | エキシマレーザー用ミラー |
JP2001011602A (ja) * | 1999-04-28 | 2001-01-16 | Nikon Corp | フッ化物薄膜及びその製造方法及び光学薄膜及び光学素子 |
JP2001194526A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-07-19 | Nidek Co Ltd | 多層膜反射ミラー |
JP2002014202A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-18 | Nikon Corp | 光学薄膜、光学素子及び露光装置 |
JP2004085975A (ja) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Japan Aviation Electronics Industry Ltd | 酸化物多層膜光学素子およびその製造方法 |
JP2004260080A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Nikon Corp | 紫外域用反射ミラー及びそれを用いた投影露光装置 |
US20070003208A1 (en) * | 2005-06-30 | 2007-01-04 | Clar Colleen R | Extended lifetime excimer laser optics |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4693933A (en) * | 1983-06-06 | 1987-09-15 | Ovonic Synthetic Materials Company, Inc. | X-ray dispersive and reflective structures and method of making the structures |
US5850309A (en) * | 1996-03-27 | 1998-12-15 | Nikon Corporation | Mirror for high-intensity ultraviolet light beam |
US6295164B1 (en) * | 1998-09-08 | 2001-09-25 | Nikon Corporation | Multi-layered mirror |
DE10080898T1 (de) * | 1999-03-29 | 2001-06-28 | Nikon Corp | Mehrschicht-Antireflexionsfilm, optisches Element und Reduktionsprojektionsbelichtungsapparat |
US7261957B2 (en) * | 2000-03-31 | 2007-08-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Multilayer system with protecting layer system and production method |
WO2003009015A1 (fr) * | 2001-07-18 | 2003-01-30 | Nikon Corporation | Element optique comportant un film de fluorure de lanthane |
DE10309084A1 (de) * | 2003-03-03 | 2004-09-16 | Carl Zeiss Smt Ag | Reflektives optisches Element und EUV-Lithographiegerät |
JP2004309766A (ja) * | 2003-04-07 | 2004-11-04 | Canon Inc | 光学素子、及びその製造方法 |
US8149381B2 (en) * | 2003-08-26 | 2012-04-03 | Nikon Corporation | Optical element and exposure apparatus |
US7460206B2 (en) * | 2003-12-19 | 2008-12-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for immersion lithography |
US7193228B2 (en) * | 2004-03-10 | 2007-03-20 | Cymer, Inc. | EUV light source optical elements |
JP2005345826A (ja) * | 2004-06-03 | 2005-12-15 | Canon Inc | 光学素子、光学装置、成膜方法、成膜装置及びデバイス製造方法 |
US20060262389A1 (en) * | 2005-05-23 | 2006-11-23 | Christoph Zaczek | Reflective optical element for ultraviolet radiation, projection optical system and projection exposure system therewith, and method for forming the same |
-
2008
- 2008-02-25 EP EP08003333A patent/EP1965229A3/en not_active Ceased
- 2008-02-26 US US12/072,427 patent/US7961383B2/en active Active
- 2008-02-28 JP JP2008047585A patent/JP2008287219A/ja active Pending
-
2011
- 2011-05-04 US US13/100,481 patent/US20110206859A1/en not_active Abandoned
-
2015
- 2015-08-14 JP JP2015160114A patent/JP2015194789A/ja active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10160915A (ja) * | 1996-12-02 | 1998-06-19 | Nikon Corp | エキシマレーザー用ミラー |
JP2001011602A (ja) * | 1999-04-28 | 2001-01-16 | Nikon Corp | フッ化物薄膜及びその製造方法及び光学薄膜及び光学素子 |
JP2001194526A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-07-19 | Nidek Co Ltd | 多層膜反射ミラー |
JP2002014202A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-18 | Nikon Corp | 光学薄膜、光学素子及び露光装置 |
JP2004085975A (ja) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Japan Aviation Electronics Industry Ltd | 酸化物多層膜光学素子およびその製造方法 |
JP2004260080A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Nikon Corp | 紫外域用反射ミラー及びそれを用いた投影露光装置 |
US20070003208A1 (en) * | 2005-06-30 | 2007-01-04 | Clar Colleen R | Extended lifetime excimer laser optics |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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