TWI607287B - 用於光微影光罩之光電子發射圖譜系統及用於極紫外線反射鏡之光電子發射圖譜系統、用於評估一或多個光微影光罩上之汙染的方法及用於評估一或多個極紫外線反射鏡上之汙染之方法 - Google Patents
用於光微影光罩之光電子發射圖譜系統及用於極紫外線反射鏡之光電子發射圖譜系統、用於評估一或多個光微影光罩上之汙染的方法及用於評估一或多個極紫外線反射鏡上之汙染之方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI607287B TWI607287B TW102118480A TW102118480A TWI607287B TW I607287 B TWI607287 B TW I607287B TW 102118480 A TW102118480 A TW 102118480A TW 102118480 A TW102118480 A TW 102118480A TW I607287 B TWI607287 B TW I607287B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- photoelectron
- reticle
- mirror
- voltage
- photodetector
- Prior art date
Links
- 238000011109 contamination Methods 0.000 title claims description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 24
- 238000013507 mapping Methods 0.000 title claims description 12
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 title claims 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 55
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 29
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 22
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 17
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 11
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims description 7
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 11
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 8
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 5
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 4
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 4
- 238000005011 time of flight secondary ion mass spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 238000002042 time-of-flight secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000002405 diagnostic procedure Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 2
- 238000013480 data collection Methods 0.000 description 2
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 2
- 238000001941 electron spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000004993 emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000001493 electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000009304 pastoral farming Methods 0.000 description 1
- 238000002047 photoemission electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
- G03F1/86—Inspecting by charged particle beam [CPB]
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
- G06T7/0004—Industrial image inspection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
- G01N2223/60—Specific applications or type of materials
- G01N2223/611—Specific applications or type of materials patterned objects; electronic devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
- G01N2223/60—Specific applications or type of materials
- G01N2223/652—Specific applications or type of materials impurities, foreign matter, trace amounts
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/227—Measuring photoelectric effect, e.g. photoelectron emission microscopy [PEEM]
- G01N23/2273—Measuring photoelectron spectrum, e.g. electron spectroscopy for chemical analysis [ESCA] or X-ray photoelectron spectroscopy [XPS]
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Pathology (AREA)
- Immunology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
本專利主張於2012年5月25日提出申請之第61/651,863號美國臨時專利申請案及2012年5月25日提出申請之第61/651,876號美國臨時專利申請案之優先權，該兩個美國臨時專利申請案皆以全文引用之方式併入。
本發明係關於表面污染偵測。更特定而言，本發明係關於用於EUV(極紫外線)技術中之反射鏡或光罩上之表面污染之光發射偵測。
Stokowski等人的第4,998,019號美國專利闡述各種導電材料(例如，半導體表面、金屬或金屬矽化物)之表面上之污染物偵測，該美國專利如同完全陳述於本文中一般以引用方式併入。圖1及圖2繪示使用UV光源(15、35)、聚焦光學器件(17、37)及電極組(41)來自該測試表面拾取光發射之一光污染偵測方案之一實例。正偏壓供應器(43、50)及電極組(49)針對伴隨間隙尺寸之電容性改變提供校正。運算放大器(45、52)、差動處理(55)及一機械掃描方法(13)允許涵蓋測試表面上之所有點。
第4,998,019號美國專利中所揭示之光污染偵測方案意欲供在電
極接近於測試表面延續以最小化電子附著及敏感度損失(主要由於O2存在)之情況下在高達大氣壓力之壓力下使用。亦可藉由將諸如He、Ne、Ar、Kr、Xe或N2之氣體引入至選用電屏蔽(59)中來最小化電子附著及敏感度損失。所揭示之方案可對藉由100Å之污染層厚度之一增長而減小達高達四至六個數量級之光電電流係極敏感的。所揭示之方案係一獨立測試，然而，該獨立測試需要一專用UV光源及電極接近於測試表面之定位以便維持敏感度。電極之接近定位可干擾主EUV光束路徑且可需要第二電極組來補償電容間隙相關改變，此增加系統之設計複雜度。
隨後已開發使用光電發射偵測之污染偵測之數種技術以用於EUV微影(EUVL)。此等技術不僅可用以監視污染及輻射通量且亦用以維持系統光學對準、控制EUVL曝光位準及調節清潔程序。可在第2002/0190642號、第2007/0008517號及第2009/0059196號美國專利申請公開案；及第6,710,351號、第6,545,272號、第6,842,500號、第7,060,993號及第7,928,412號美國專利中找到此等技術之實例，所有該等專利如同完全陳述於本文中一般以引用方式併入。此等技術之某些問題包含侵害性特徵，諸如需要具有表面觸點之經電隔離及經偏壓之EUVL反射鏡或採用構建至ML(多層)反射鏡之結構中之偵測器。其他問題包含：其中所配置偵測器與目標成預定義角度之空間殼體之約束、由於使用非指定電流計來監視光電電流所致之未知/非指定敏感度、藉由使用在反射鏡正上方之呈環形式之電極來監視光電電流所需之結構及支撐、藉由將氣體引入至EUV真空系統中以沿著EUV路徑原位發射光電子所需之氣體供應及調節及/或具有非指定偵測器及耦合輻射或光電子之未識別構件。
亦已使用諸多其他技術來偵測表面污染物，包含(但不限於)其他形式之光發射能譜術(例如，角析光發射能譜術(ARPES))、X射線光
電子能譜術(XPS)、飛行時間二次離子質譜儀(TOF-SIMS)及歐傑(Auger)電子能譜術(AES)。此等技術能夠在極低位準下偵測表面污染物。然而，此等技術可係成本高的、具有衝突空間殼體問題、具有一大佔用面積、致使表面損壞及/或難以整合至EUV光罩檢測系統中。由於表面污染偵測系統中之諸多偵測系統不能夠容易地裝配至EUV光罩檢測系統之空間殼體中而出現衝突空間殼體問題。另外，驅動、源、控制及其他輔助設備可需要顯著額外佔用面積。
在特定實施例中，用於光微影光罩之一光電子發射圖譜系統包含一光罩缺陷檢測台、用於光罩檢測之一光電子源(例如，一EUV光源)及定位於光電子源與光罩缺陷檢測台之間的一光束路徑外部之一光電子偵測器。光電子偵測器可在耦合至光罩缺陷檢測台之一光罩(例如，一EUV光微影光罩)之檢測期間偵測當來自光電子源之光照射在該光罩上時自該光罩之一表面發射之光電子。可在使用期間以低於圍繞光電子偵測器之一區之一電壓給光罩之表面加偏壓。在某些實施例中，光纖用以引入來自光電子源之光之發射與藉由光電子偵測器的光電子之偵測之間的一時間延遲。光電子偵測器可偵測自光罩表面發射之光電子之強度及電子能譜兩者。系統可評估光罩之表面處之光電子劑量及污染兩者。
在特定實施例中，一種用於評估一或多個光微影光罩上之污染之方法包含將一光微影光罩提供至一光罩缺陷檢測台及將一檢測光束自一光電子源提供至光罩。可使用一光電子偵測器來收集自光罩之一表面發射之光電子。可藉由使檢測光束照射在光罩之表面上形成光電子。光電子偵測器定位於光電子源與光罩缺陷檢測台之間的檢測光束之一路徑外部。可評估光電子之一或多個性質以提供光罩之表面之一光電子發射圖譜。
在特定實施例中，用於極紫外線(EUV)反射鏡之一光電子發射圖譜系統包含一EUV反射鏡、一EUV光電子源及定位至反射鏡之側之一光電子偵測器。光電子偵測器可偵測當來自光電子源之光照射在反射鏡上時自反射鏡之一表面發射之光電子。可以低於圍繞光電子偵測器之一區之一電壓給反射鏡之表面加偏壓。光纖可用以引入來自光電子源之光之發射與藉由光電子偵測器的光電子之偵測之間的一時間延遲。在某些實施例中，光電子偵測器包含一閃爍體、一光管及一光電倍增管。閃爍體可在使用期間具有大於反射鏡之表面處之一電壓之一電壓以使光電子朝向閃爍體加速。
在特定實施例中，一種用於評估一或多個極紫外線(EUV)反射鏡上之污染之方法包含將一EUV光束自一光電子源提供至一EUV反射鏡及使用一光電子偵測器收集自反射鏡之一表面發射之光電子。可藉由使EUV光束照射在反射鏡之表面上形成光電子。光電子偵測器可定位至反射鏡之側。可評估光電子之一或多個性質以提供反射鏡之表面之一光電子發射圖譜。在某些實施例中，評估自光罩表面發射之光電子之強度及電子能譜兩者。在某些實施例中，使用光電子之所評估性質來評估反射鏡上之輻射劑量及污染。
13‧‧‧機械掃描方法
15‧‧‧紫外線光源
17‧‧‧聚焦光學器件
35‧‧‧紫外線光源
37‧‧‧聚焦光學器件
41‧‧‧電極組
43‧‧‧正偏壓供應器
45‧‧‧運算放大器
49‧‧‧電極組
50‧‧‧正偏壓供應器
52‧‧‧運算放大器
55‧‧‧差動處理
59‧‧‧選用電遮罩
100‧‧‧光電子發射圖譜系統/系統
102‧‧‧光罩缺陷檢測載台
104‧‧‧偵測器
106‧‧‧光電子源
108‧‧‧光罩
110‧‧‧極紫外線光束
112‧‧‧光電子
114‧‧‧電壓/偏壓電壓
116‧‧‧電壓
200‧‧‧光電子發射圖譜系統/系統
202‧‧‧反射鏡
204‧‧‧偵測器
204’‧‧‧偵測器
206‧‧‧光電子源
210‧‧‧極紫外線光束
212‧‧‧光電子
214‧‧‧電壓/偏壓電壓
216‧‧‧電壓
250‧‧‧偏壓電極
252‧‧‧閃爍體
254‧‧‧光管
256‧‧‧光電倍增管
258‧‧‧電壓
當與隨附圖式一起閱讀時將藉由參考根據本發明之目前較佳但還是說明性實施例之以下詳細說明將更全面地瞭解本發明之方法及設備之特徵及優點，其中：圖1及圖2繪示一光污染偵測方案之一先前技術實例。
圖3繪示一光電子發射圖譜系統之一實施例之一示意圖。
圖4繪示一光電子發射圖譜系統之另一實施例之一示意圖。
圖5繪示一埃弗哈特-索恩利(Everhart-Thornley)型偵測器之一實施例之一示意圖。
儘管易於對本發明做出各種修改及替代形式，但其特定實施例以實例方式展示於圖式中且將在本文中予以詳細闡述。圖式可能未按比例繪製。應理解，圖式及對其之詳細說明並不意欲將本發明限制於所揭示之特定形式，而是相反地，本發明欲涵蓋歸屬於如由隨附申請專利範圍所定義之本發明之精神及範疇內的所有修改、等效物及替代物。
在本專利之上下文中，術語「耦合」意指一或多個物件或組件之間之一直接連接或一間接連接(例如，一或多個介入連接)。片語「直接連接」意指物件或組件之間之一直接連接，使得物件或組件彼此直接連接，使物件或組件以一「使用點」方式操作。
圖3繪示光電子發射圖譜系統100之一實施例之一示意圖。系統100可用以提供一測試表面(例如，一EUV光微影光罩)上之光電子發射之一圖譜。系統100可定位於一真空室(例如，一EUV室)中。光電子發射圖譜可用作EUV光罩上之表面性質改變及/或經測劑輻射之一指示符。表面性質改變可由(舉例而言)可導致光電子良率改變之污染所引起。在特定實施例中，系統100在EUV光罩檢測期間提供即時(例如，原位)光電子發射圖譜。在某些實施例中，系統100在一單獨診斷程序期間提供光電子發射圖譜。
在特定實施例中，系統100包含光罩缺陷檢測台102、偵測器104及光電子源106。光罩108可耦合至光罩缺陷檢測台102。光罩108可(舉例而言)係一EUV光微影光罩或其他光微影光罩。在特定實施例中，光罩缺陷檢測台102及光電子源106係一光化EUV光罩缺陷檢測系統的部分。舉例而言，可使用由光電子源106提供之EUV在光罩缺陷檢測台102處對光罩108進行缺陷檢測。在某些實施例中，光罩缺陷檢測台102耦合至用於自光罩缺陷檢測台傳送或輸送光罩/將光罩傳送或
輸送至光罩缺陷檢測台的其他系統。
在特定實施例中，光電子源106係一EUV光源。舉例而言，光電子源106可提供波長介於約5nm與約124nm之間(EUV波長範圍)的光。來自光電子源106之EUV光束110可用於光罩108之缺陷檢測。
在特定實施例中，偵測器104定位於光罩缺陷檢測台102之側處(例如，在來自光電子源106之EUV之路徑或系統100中之光學空間殼體外)。偵測器104可係一光電子偵測器。舉例而言，偵測器104可用以在曝露於來自光電子源106之EUV光束110期間偵測自光罩108射出之光電子。偵測器104可係能夠在系統100中所需之敏感度及頻寬限制下偵測光電子之任何光電子偵測器。適合於用作偵測器104之偵測器之實例包含(但不限於)：一閃爍體光管-PMT(光電倍增管)組合偵測器、一閃爍體-APD(雪崩光電二極體)偵測器、一電子倍增偵測器、一MCP(微通道板)偵測器或一偏壓電極偵測器。在某些實施例中，可代替一PMT或線性APD陣列而使用基於單個光子APD陣列之多像素光子計數(MCCP)裝置。
在曝露於來自光電子源106之EUV光束110期間，來自EUV光束110之光子吸收於光罩108之表面中且形成自光罩表面發射之光電子112。光電子112之良率可取決於與來自EUV光束110之EUV光子相互作用的光罩108之表面之特定材料之結合能。光電子良率將基於光罩108之表面上之污染而變化。舉例而言，光電子良率可基於光罩108之表面上之碳沈積或氧化而變化。因此，使用偵測器104偵測光電子良率可提供關於光罩108之表面污染位準或其他表面性質改變之資訊。
在特定實施例中，偵測器104在EUV曝露期間(例如，在用以檢測光罩之EUV曝露期間)偵測(例如，收集)自光罩108(例如，光罩之表面)發射之光電子112。所收集之光電子可經分析及評估以提供光罩108之表面之一光電子發射圖譜。EUV光束110可在光罩表面之掃描期
間在光罩108之表面上具有一有限光斑大小。在某些實施例中，EUV光束110以一串列方式掃描光罩108之表面(如由圖3中之箭頭所展示)。在特定實施例中，偵測器104評估如相關於輻射劑量、污染位準及污染種類的光電子112之強度及電子能譜兩者。因此，可使用系統100評估光罩108之表面處之EUV劑量及污染兩者(例如，光電子發射圖譜包含關於光罩之表面處之EUV劑量及污染兩者之資料)。
在特定實施例中，光罩108之表面處之電壓114經加偏壓而低於偵測器104之區中之電壓116。低於電壓116之偏壓電壓114可增加偵測器104中之電子收集效率。在某些實施例中，給光罩108處之電壓114相對於電壓116之一負電位。提供負電位可抑制光電子返回至光罩108。
在EUV光束110完成光罩108上之一所選區域之一掃描之後，可記錄在偵測器104處所偵測到之光電子112之一信號歷史日誌。信號歷史日誌可提供在掃描之時間點處光罩108之表面之一光電子發射(能力)圖譜。光電子發射圖譜之空間解析度可受EUV光束110之大小限制。舉例而言，若光罩上之EUV光束110之光斑大小係約0.5mm×0.5mm，則光電子發射圖譜可具有一相當空間解析度。在某些實施例中，在其中光罩108之一表面性質改變之一時間間隔期間形成光電子發射圖譜。若此一改變發生，則光電子發射能力圖譜可展示(例如，顯露)表面性質改變。
在特定實施例中，若偵測器104係一閃爍體光管-PMT(光電倍增管)組合偵測器或一閃爍體-APD(雪崩光電二極體)偵測器，則在偵測器104中使用光纖來引入來自源之脈衝發射與偵測器104處之資料收集之間的一時間延遲。可將光纖放置於其中由光電子產生可見光之閃爍體與PMT或APD偵測器之間。引入時間延遲可暫時分離偵測器104處之來自光電子源106之電磁雜訊與由來自光罩之光電子產生之光學信
號，因此增加偵測器104處之信號雜訊比。
在某些實施例中，系統100包含定位於偵測器104處或其附近之一或多個加速電極。可以正電位給加速電極加偏壓以朝向偵測器104吸引電子。在某些實施例中，系統100包含用於子貼片光發射電子顯微術(PEEM)之一或多個成像電極及一或多個偵測器。
在特定實施例中，系統100包含一或多個電子強度及能譜分析器。分析器可放置於光電子收集(偵測)路徑中或其附近。分析器可用以評估光電子112之電子強度及能譜兩者。分析光電子112之電子強度及能譜兩者可用以提供對光罩108上之劑量及污染兩者之評估。能譜分析器可基於(舉例而言)磁場感應電子軌跡彎曲、飛行時間或停止電位鑑別。在某些實施例中，出於緊湊性、簡單性及低成本之目的，分析器基於濾波。濾波可係放置於定位於一CCD攝影機或APD陣列之頂部上之一極薄閃爍體之前面之吸收體之不同厚度之一馬賽克。因此，可藉助類似於表面上之污染物之歐傑能譜之一單個偵測器陣列評估累積電子能譜。
系統100可提供用於藉助EUV光罩檢測之光罩污染原位(例如，即時)偵測之一系統。偵測器104允許在EUV光罩檢測光束之照射期間對自光罩108之表面發射之光電子之原位偵測。因此，不需要次級輻射源來產生光電子供偵測器104偵測。光電子112之偵測可係非侵害性的，此乃因不存在偵測器104對EUV光束110之路徑或光學空間之干擾。使用偵測器104偵測光電子112可提供用於偵測光罩表面上之污染物之微量濃度之一敏感方法。在特定實施例中，藉助來自EUV光束110之每一脈衝產生約為109之一光電子良率。此一良率應為使用偵測器104之高敏感度偵測提供足夠光電子信號位準。
使用EUV光束110產生光電子112不對光罩108提供表面或局部化損害。因此，不同於(舉例而言)TOF-SIMS，系統100提供用於評估表
面污染之一非破壞性系統。由於系統100可整合至一現有光罩檢測系統中，因此系統100提供用於偵測及表徵光罩表面上之污染之一低成本實施方案。
在某些實施例中，系統100用以為光罩(例如，工具光罩)提供一獨立診斷程序。舉例而言，系統100可用於獨立於任何光罩檢測執行之診斷程序。在某些實施例中，系統100用以偵測在一光罩之頂部附近使用之一表膜上之污染。表膜可係在光罩之頂部附近施加以阻擋粒子降落至光罩上之一薄膜。當使用表膜時，系統100可用以偵測表膜上之污染。然而，表膜之使用可停用或抑制對光罩上之污染之偵測。
圖4繪示光電子發射圖譜系統200之一實施例之一示意圖。系統200可用以提供反射鏡表面(例如，用於EUV技術中之反射鏡)上之光電子發射之一圖譜。系統200可定位於一真空室(例如，一EUV室)中。光電子發射圖譜可用作EUV反射鏡上之表面性質改變及/或所吸收輻射劑量之一指示符。表面性質改變可在EUV微影或檢測操作期間由(舉例而言)由於反射鏡之表面上之碳沈積或氧化及/或集塵問題所致之污染引起。系統200可提供對來自與諸如(但不限於)輻射劑量及污染物厚度之因子相關之反射鏡之總光電良率之評估。系統200可提供對來自與諸如(但不限於)污染物種類之因子相關之反射鏡之光電子能量之評估。
在特定實施例中，系統200包含反射鏡202、偵測器204及光電子源206。反射鏡202可放置或固持在適當位置中以供使用此項技術中已知之技術之測試。反射鏡202可係用於EUV技術中之一反射鏡。舉例而言，反射鏡202可係包含具有或不具有一Ru遮罩層之Mo/Si多層之一法向入射反射鏡或反射鏡202可係具有Ru塗層之一掠射角入射反射鏡。
在特定實施例中，光電子源206係一EUV光源。舉例而言，光電
子源206可提供處於介於約10nm與約124nm之間(EUV波長範圍)的波長之光。來自光電子源206之EUV光束210可照射反射鏡202(入射於反射鏡202上)。
在特定實施例中，偵測器204定位於反射鏡202之側處(例如，在來自光電子源206之EUV光束210之路徑或系統200中之光學空間殼體外)。偵測器204可係一光電子偵測器。舉例而言，偵測器204可用以在曝露於來自光電子源206之EUV光束210期間偵測自反射鏡202射出之光電子。偵測器204可係能夠在系統200中所需之敏感度及頻寬限制下偵測光電子之任何光電子偵測器。適合於用作偵測器204之偵測器之實例包含(但不限於)：一閃爍體光管-PMT組合偵測器(圖5中所展示)、一閃爍體-APD偵測器、一電子倍增偵測器、一MCP偵測器或一偏壓電極偵測器。在某些實施例中，可代替一PMT或線性APD陣列使用基於單個光子APD陣列之多像素光子計數(MCCP)裝置。
在曝露於來自光電子源206之EUV光束210期間，來自EUV光束210之光子吸收於反射鏡202之表面中且形成自反射鏡表面發射之光電子212。光電子212之良率可取決於與來自EUV光束210之EUV光子相互作用之反射鏡202之表面之特定材料之結合能。光電子良率將基於反射鏡202之表面上之污染而變化。舉例而言，光電子良率可基於反射鏡202之表面上之碳沈積或氧化而變化。因此，使用偵測器204偵測光電子良率可提供關於反射鏡202之表面污染位準或其他表面性質改變之資訊。
在特定實施例中，偵測器204在EUV曝露期間偵測(例如，收集)自反射鏡202(例如，反射鏡之表面)發射之光電子212。所收集之光電子可經分析及評估以提供反射鏡202之表面之一光電子發射圖譜。EUV光束210可在掃描反射鏡表面期間在反射鏡202之表面上具有一有限光斑大小。在某些實施例中，EUV光束210以一串列方式掃描反射
鏡202之表面。在特定實施例中，偵測器204評估如與輻射劑量、污染位準及污染種類相關之光電子212之強度及電子能譜兩者。因此，可使用系統200評估反射鏡202之表面處之EUV劑量及污染兩者(例如，光電子發射圖譜包含關於反射鏡之表面處之EUV劑量及污染兩者之資料)。
在特定實施例中，反射鏡202之表面處之電壓214經加偏壓而低於偵測器204之區中之電壓216。低於電壓216之偏壓電壓214可增加偵測器204中之電子收集效率。用以增加電子收集效率的對電壓之加偏壓可在系統200中提供高偵測率及高污染敏感度。在特定實施例中，偵測器204放置於遠離抑制對光電子源之機械干擾的光電子源206之一所選距離處。可在所選距離處放置偵測器204，只要電壓216相比於電壓214足夠大以仍然將電子吸引至偵測器前表面以供收集及/或放大即可。
在EUV光束210完成反射鏡202上之一所選區域之一掃描之後，可記錄在偵測器204處所偵測到之光電子212之一信號的歷史日誌。信號歷史日誌可提供在掃描之時間點處反射鏡202之表面之一光電子發射(能力)圖譜。光電子發射圖譜之空間解析度可受EUV光束210之大小限制，如上文針對EUV光束110所闡述。在某些實施例中，在其中反射鏡202之一表面性質改變之一時間間隔期間形成光電子發射圖譜。若此一改變發生，則光電子發射能力圖譜可展示表面性質改變。
在特定實施例中，偵測器204係一埃弗哈特-索恩利型偵測器(例如，一類型之閃爍體光管-PMT組合偵測器)。圖5繪示一埃弗哈特-索恩利型偵測器204’之一實施例之一示意圖。偵測器204’包含在閃爍體252之前面的偏壓電極250，閃爍體252緊接著光管254及光電倍增管(PMT)256。為了收集光電子212，偏壓電極250處之電壓216需要充分大於反射鏡202處之電壓214(圖4中所展示)，以將光電子吸引至閃爍
體252之區域。另外，閃爍體252處之電壓258需要大於電壓216，以使光電子加速至具有足夠能量以在閃爍體上形成電子。PMT 256可放大電子信號以提供一所期望之信號位準。
可能使用其他偵測器來提供類似於偵測器204’之功能。舉例而言，偵測器204之另一實施例可包含耦合至路由至一雪崩光電二極體(APD)之一光纖電纜之一Marketech型極薄晶圓閃爍體。可遠端(例如，在EUV室外部)安裝APD。光纖電纜(或系統200中所使用之任何其他光纖)可用以引入來自光電子源206之脈衝發射與偵測器204處之資料收集之間之一時間延遲。引入時間延遲可暫時分離偵測器處之來自光電子源206的電磁雜訊與由來自反射鏡之光電子產生的光學信號，因此增加偵測器204處之信號雜訊比。
在特定實施例中，系統200包含一或多個電子強度及能譜分析器。可將分析器放置於光電子收集(偵測)路徑中或附近。分析器可用以評估光電子212之電子強度及能譜兩者。分析光電子212之電子強度及能譜兩者可用以提供對反射鏡202上之劑量及污染兩者的評估。能譜分析器可基於(舉例而言)磁場感應電子軌跡彎曲、飛行時間或停止電位鑑別。在某些實施例中，出於緊湊性、簡單性及低成本之目的，分析器係基於濾波。濾波可係放置於定位在一CCD攝影機或APD陣列之頂部上之一極薄閃爍體之前面之吸收體的不同厚度的馬賽克。因此，可藉助類似於表面上之污染物之歐傑能譜之一單個偵測器陣列來評估累積電子能譜。
系統200可提供針對EUV光罩檢測及微影系統中所使用之反射鏡之原位(例如，即時)污染偵測之一系統。偵測器204允許在EUV光束210之照射期間對自反射鏡202之表面發射之光電子之原位偵測。因此，不需要次級輻射源來產生光電子供偵測器204偵測，此乃因輻射源係EUV系統中之一常用輻射源。光電子212之偵測可係非侵害性
的，此乃因不存在由偵測器204對EUV光束210之路徑或光學空間之干擾。使用偵測器204偵測光電子212可提供用於偵測光罩表面上之污染物之微量濃度之一敏感方法。
使用EUV光束210產生光電子212不對反射鏡202提供表面或局部化損害。因此，不同於(舉例而言)TOF-SIMS，系統200提供用於評估表面污染之一非破壞性系統。由於系統200可整合至一現有光罩檢測或微影系統中，因此系統200提供用於偵測及表徵EUV反射鏡表面上之污染之一低佔用面積、低成本實施方案。在某些實施例中，系統200用以為EUV反射鏡提供一獨立診斷程序。舉例而言，系統200可用於獨立於任何光罩檢測或微影系統執行之診斷程序。
應理解，本發明不限於當然可變化之所闡述特定系統。亦應理解，本文中所使用之術語目的僅在於闡述特定實施例且並非意欲為限制性。如此說明書中所使用，除非本內容另外明確指示，否則單數形式「一(a)」、「一(an)」及「該(the)」包含複數個指示物。因此，舉例而言，對「一源」之提及包含兩個或兩個以上源之一組合且對「一污染物」之提及包含污染物之混合物。
鑒於此說明，熟習此項技術者將明瞭本發明之各種態樣之其他修改及替代實施例。因此，此說明應解釋為僅係說明性的，且目的在於教示熟習此項技術者實施本發明之一般方式。應理解，本文中所展示及闡述之本發明之形式應視為目前較佳實施例。如熟習此項技術者在受益於本發明之此說明之後皆將明瞭，若干元件及材料可替代本文中所圖解說明及闡述之彼等元件及材料，可顛倒部件及程序且可獨立地利用本發明之特定特徵。可在不背離如以下申請專利範圍中所闡述之本發明之精神及範疇之情況下對本文中所闡述之元素做出改變。
204’‧‧‧偵測器
212‧‧‧光電子
216‧‧‧電壓
250‧‧‧偏壓電極
252‧‧‧閃爍體
254‧‧‧光管
256‧‧‧光電倍增管
258‧‧‧電壓
Claims (18)
- 一種用於光微影光罩之光電子發射圖譜系統，其包括：一光罩缺陷檢測台；一光電子源，用於光罩檢測；一光電子偵測器，其定位於該光電子源與該光罩缺陷檢測台之間之一光束路徑外部，該光電子偵測器包含一閃爍體，其中該光電子偵測器經組態以在耦合至該光罩缺陷檢測台之一光罩之檢測期間偵測當來自該光電子源之光照射在該光罩上時自該光罩之一表面發射的光電子，且其中該光電子偵測器經組態以評估自該光罩之該表面發射之該等光電子之電子強度及電子能譜兩者，該光電子偵測器包含一處理器，其經組態以使用該等光電子之經評估電子強度及電子能譜以評估該光罩上的輻射劑量、污染位準及污染種類；及一偏壓電極，其定位於該光罩與該閃爍體之間；其中在使用期間，該光罩之該表面係經偏壓於一第一電壓且該偏壓電極係經偏壓於一第二電壓，其中該第二電壓係一正電位，且其中該第一電壓相對於該第二電壓具有一負電位。
- 如請求項1之系統，其中該光電子偵測器經定位距離該光電子源一位置處以抑制該光電子偵測器對該光電子源造成之機械干擾。
- 如請求項1之系統，進一步包括定位於該光電子源與該光電子偵測器之間的光纖，其中該等光纖係在使用期間用以引入來自該光電子源之光之發射與藉由該光電子偵測器之光電子之偵測之間之一時間延遲。
- 如請求項1之系統，其中該系統經組態以評估該光罩之該表面處 之光電子劑量及污染中之至少一者。
- 如請求項1之系統，其中該光電子源提供波長介於約5nm與約124nm之間的光。
- 如請求項1之系統，進一步包括一能譜分析器，其放置於該光電子偵測器之一光電子收集路徑中，其中該能譜分析器係經組態以評估自該光罩之該表面發射之該等光電子之電子強度及電子能譜兩者。
- 一種用於評估一或多個光微影光罩上之污染的方法，其包括：將光微影光罩提供至一光罩缺陷檢測台；將一檢測光束自一光電子源提供至該光罩；使用該檢測光束檢測該光罩；使用一光電子偵測器收集自該光罩之一表面發射之光電子，其中藉由使該檢測光束照射在該光罩之該表面上來形成該等光電子，且其中該光電子偵測器定位於該光電子源與該光罩缺陷檢測台之間的一光學路徑外部，該光學路徑係用於該光罩之檢測；及以一第一電壓給該光罩之該表面加偏壓；以一第二電壓給位於該光罩與該光電子偵測器之一閃爍體之間的一偏壓電極加偏壓，其中該第二電壓係一正電位且該第一電壓相對於該第二電壓具有一負電位；評估自該光罩之該表面發射之該等經收集光電子之電子強度及電子能譜兩者；及使用該光電子偵測器之一處理器從該等經評估之電子強度及電子能譜評估該光罩上的輻射劑量、污染位準及污染種類。
- 如請求項7之方法，其中該光電子偵測器經定位距離該光電子源一位置處以抑制該光電子偵測器對該光電子源造成之機械干擾。
- 如請求項7之方法，進一步包括：引入來自該光電子源之該檢測光束之發射與藉由該光電子偵測器之該等光電子之收集之間之一時間延遲。
- 如請求項7之方法，其中該檢測光束係波長介於約5nm與約124nm之間之一檢測光束。
- 一種用於極紫外線(EUV)反射鏡之光電子發射圖譜系統，其包括：一反射鏡，其供在介於約5nm與約124nm之間的波長下使用；一EUV光電子源，其提供波長介於約5nm與約124nm之間的光；一光電子偵測器，其定位至該反射鏡之側，該光電子偵測器包含一閃爍體，其中該光電子偵測器經組態以當來自該光電子源之光照射在該反射鏡上時偵測自該反射鏡之一表面發射的光電子，且其中該光電子偵測器經組態以評估自該反射鏡之該表面發射之該等光電子之電子強度及電子能譜兩者，該光電子偵測器包含一處理器，其經組態以使用該等光電子之經評估電子強度及電子能譜以評估該反射鏡上的輻射劑量、污染位準及污染種類；及一偏壓電極，其定位於該反射鏡與該閃爍體之間；其中在使用期間，該反射鏡之該表面係經偏壓於一第一電壓且該偏壓電極係經偏壓於一第二電壓，其中該第二電壓係一正電位，且其中該第一電壓相對於該第二電壓具有一負電位。
- 如請求項11之系統，進一步包括在使用期間用以引入來自該光電子源之光之發射與藉由該光電子偵測器之光電子之偵測之間之一時間延遲的光纖。
- 如請求項11之系統，其中該閃爍體在使用期間具有一電壓，其大於該偏壓電極之電壓，以使光電子朝向該閃爍體加速。
- 如請求項11之系統，其中該光電子源用於光罩檢測或光罩光微影。
- 如請求項11之系統，進一步包括一能譜分析器，其放置於該光電子偵測器之一光電子收集路徑中，其中該能譜分析器係經組態以評估自該反射鏡之該表面發射之該等光電子之電子強度及電子能譜兩者。
- 一種用於評估一或多個極紫外線(EUV)反射鏡上之污染之方法，其包括：將一EUV光束自提供波長介於約5nm與約124nm之間之光之一光電子源提供至一EUV反射鏡；使用該EUV光束檢測該反射鏡；使用一光電子偵測器收集自該反射鏡之一表面發射的光電子，其中藉由使該EUV光束照射在該反射鏡之該表面上來形成該等光電子，其中該光電子偵測器係定位至該反射鏡之側，且其中該光電子偵測器定位於該光電子源與該反射鏡之間的一光學路徑外部，該光學路徑係用於該反射鏡之檢測；以一第一電壓給該反射鏡之該表面加偏壓；以一第二電壓給位於該反射鏡與該光電子偵測器之一閃爍體之間的一偏壓電極加偏壓，其中該第二電壓係一正電位且該第一電壓相對於該第二電壓具有一負電位；評估自該反射鏡之該表面發射之該等經收集光電子之電子強度及電子能譜兩者；及使用該光電子偵測器之一處理器從該等經評估之電子強度及電子能譜評估該反射鏡上的輻射劑量、污染位準及污染種類。
- 如請求項16之方法，進一步包括：引入來自該光電子源之檢測光束之發射與藉由該光電子偵測器之該等光電子之收集之間之一時間延遲。
- 如請求項16之方法，進一步包括：提供一偏壓電壓以加速該等光電子朝向該光電子偵測器。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201261651876P | 2012-05-25 | 2012-05-25 | |
| US201261651863P | 2012-05-25 | 2012-05-25 | |
| US13/898,705 US9453801B2 (en) | 2012-05-25 | 2013-05-21 | Photoemission monitoring of EUV mirror and mask surface contamination in actinic EUV systems |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201403251A TW201403251A (zh) | 2014-01-16 |
| TWI607287B true TWI607287B (zh) | 2017-12-01 |
Family
ID=49620860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW102118480A TWI607287B (zh) | 2012-05-25 | 2013-05-24 | 用於光微影光罩之光電子發射圖譜系統及用於極紫外線反射鏡之光電子發射圖譜系統、用於評估一或多個光微影光罩上之汙染的方法及用於評估一或多個極紫外線反射鏡上之汙染之方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9453801B2 (zh) |
| TW (1) | TWI607287B (zh) |
| WO (1) | WO2013177477A1 (zh) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5676419B2 (ja) * | 2011-11-24 | 2015-02-25 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法およびその装置 |
| CN103686861B (zh) | 2012-09-06 | 2017-06-13 | 华为技术有限公司 | 设备间d2d通信中传输参考信号的方法和装置 |
| US20140158894A1 (en) * | 2012-12-12 | 2014-06-12 | Kla-Tencor Corporation | Method and device using photoelectrons for in-situ beam power and stability monitoring in euv systems |
| US9389180B2 (en) | 2013-02-15 | 2016-07-12 | Kla-Tencor Corporation | Methods and apparatus for use with extreme ultraviolet light having contamination protection |
| WO2019159334A1 (ja) | 2018-02-16 | 2019-08-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査装置 |
| US10828513B2 (en) * | 2018-08-06 | 2020-11-10 | Integrated Sensors, Llc | Ionizing-radiation beam monitoring system |
| US11027152B1 (en) | 2018-08-06 | 2021-06-08 | Integrated Sensors, Llc | Ionizing-radiation beam monitoring system |
| US11668601B2 (en) * | 2020-02-24 | 2023-06-06 | Kla Corporation | Instrumented substrate apparatus |
| KR20230121844A (ko) | 2020-12-30 | 2023-08-21 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 검사 시스템을 세정하기 위한 장치 및 방법 |
| KR20230145077A (ko) * | 2021-02-17 | 2023-10-17 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 오염물 검출 시스템 및 방법 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04274793A (ja) * | 1991-02-28 | 1992-09-30 | Shimadzu Corp | 放射線検出器 |
| US20020190642A1 (en) * | 2001-06-19 | 2002-12-19 | Berger Kurt W. | Radiation flux monitor for EUV lithography |
| JP2004519101A (ja) * | 2000-11-07 | 2004-06-24 | エイエスエムエル ユーエス， インコーポレイテッド | 屈折率変更により光イメージングの性能を変化させる方法およびシステム |
| US20070139648A1 (en) * | 2005-12-16 | 2007-06-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
| US20100237243A1 (en) * | 2003-04-22 | 2010-09-23 | Ebara Corporation | Testing apparatus using charged particles and device manufacturing method using the testing apparatus |
| TW201219992A (en) * | 2010-08-24 | 2012-05-16 | Asml Netherlands Bv | A lithographic apparatus and device manufacturing method |
Family Cites Families (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4776693A (en) * | 1984-05-11 | 1988-10-11 | Nippon Kogaku K. K. | Foreign substance inspecting system including a calibration standard |
| JPH0648380B2 (ja) * | 1985-06-13 | 1994-06-22 | 株式会社東芝 | マスク検査方法 |
| US4998019A (en) * | 1989-10-03 | 1991-03-05 | Tencor Instruments | Photoemission contaminant detector |
| BE1007851A3 (nl) | 1993-12-03 | 1995-11-07 | Asml Lithography B V | Belichtingseenheid met een voorziening tegen vervuiling van optische componenten en een fotolithografisch apparaat voorzien van een dergelijke belichtingseenheid. |
| JPH10223512A (ja) * | 1997-02-10 | 1998-08-21 | Nikon Corp | 電子ビーム投影露光装置 |
| US6184686B1 (en) | 1998-07-13 | 2001-02-06 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd. | Contamination and residuals inspection system |
| US6317514B1 (en) * | 1998-09-09 | 2001-11-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for inspection of patterned semiconductor wafers |
| JP2000100685A (ja) | 1998-09-17 | 2000-04-07 | Nikon Corp | 露光装置及び該装置を用いた露光方法 |
| JP2000346817A (ja) * | 1999-06-07 | 2000-12-15 | Nikon Corp | 測定装置、照射装置および露光方法 |
| TW563002B (en) | 1999-11-05 | 2003-11-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic projection apparatus, method of manufacturing a device using a lithographic projection apparatus, and device manufactured by the method |
| US6855929B2 (en) * | 2000-12-01 | 2005-02-15 | Ebara Corporation | Apparatus for inspection with electron beam, method for operating same, and method for manufacturing semiconductor device using former |
| US6710351B2 (en) | 2001-09-18 | 2004-03-23 | Euv, Llc | EUV mirror based absolute incident flux detector |
| DE10209493B4 (de) | 2002-03-07 | 2007-03-22 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Vermeidung von Kontamination auf optischen Elementen, Vorrichtung zur Regelung von Kontamination auf optischen Elementen und EUV-Lithographievorrichtung |
| US6847463B2 (en) | 2002-06-05 | 2005-01-25 | Euv, Llc | Method and apparatus for detecting the presence and thickness of carbon and oxide layers on EUV reflective surfaces |
| US20040011381A1 (en) | 2002-07-17 | 2004-01-22 | Klebanoff Leonard E. | Method for removing carbon contamination from optic surfaces |
| US6774990B2 (en) | 2002-08-23 | 2004-08-10 | Intel Corporation | Method to inspect patterns with high resolution photoemission |
| US7107158B2 (en) | 2003-02-03 | 2006-09-12 | Qcept Technologies, Inc. | Inspection system and apparatus |
| SG115621A1 (en) | 2003-02-24 | 2005-10-28 | Asml Netherlands Bv | Method and device for measuring contamination of a surface of a component of a lithographic apparatus |
| US7425703B2 (en) * | 2004-02-20 | 2008-09-16 | Ebara Corporation | Electron beam apparatus, a device manufacturing method using the same apparatus, a pattern evaluation method, a device manufacturing method using the same method, and a resist pattern or processed wafer evaluation method |
| US20070285643A1 (en) | 2004-03-05 | 2007-12-13 | Carl Zeiss Smt Ag | Method For Manufacturing Reflective Optical Element, Reflective Optical Elements, Euv-Lithography Apparatus And Methods For Operating Optical Elements And Euv-Lithography Apparatus, Methods For Determining The Phase Shift, Methods For Determining The Layer Thickness, And Apparatuses For Carrying Out The Methods |
| US7164144B2 (en) | 2004-03-10 | 2007-01-16 | Cymer Inc. | EUV light source |
| US7136142B2 (en) | 2004-05-25 | 2006-11-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus having a gas flushing device |
| US7375791B2 (en) | 2005-06-30 | 2008-05-20 | Asml Holding N.V. | Laminar flow gas curtains for lithographic applications |
| KR100684102B1 (ko) | 2005-06-30 | 2007-02-16 | 삼성전자주식회사 | 결함 검사 방법 및 이를 이용한 결함 검사 장치 |
| US7394083B2 (en) | 2005-07-08 | 2008-07-01 | Cymer, Inc. | Systems and methods for EUV light source metrology |
| JP5403852B2 (ja) | 2005-08-12 | 2014-01-29 | 株式会社荏原製作所 | 検出装置及び検査装置 |
| US7432513B2 (en) | 2005-10-21 | 2008-10-07 | Asml Netherlands B.V. | Gas shower, lithographic apparatus and use of a gas shower |
| US7405417B2 (en) | 2005-12-20 | 2008-07-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus having a monitoring device for detecting contamination |
| JP5058489B2 (ja) | 2006-01-25 | 2012-10-24 | 株式会社荏原製作所 | 試料表面検査装置及び検査方法 |
| EP1901125A1 (en) | 2006-09-14 | 2008-03-19 | Carl Zeiss SMT AG | Optical system for radiation in the EUV-wavelenght range and method for measuring a contamination status of EUV-reflective elements |
| US7629594B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-12-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, and device manufacturing method |
| US7599048B2 (en) | 2007-02-09 | 2009-10-06 | Wafermasters, Inc. | Optical emission spectroscopy process monitoring and material characterization |
| CN101785369A (zh) | 2007-08-23 | 2010-07-21 | Asml荷兰有限公司 | 用于产生极紫外辐射的模块和方法 |
| US7760341B2 (en) | 2007-09-04 | 2010-07-20 | Sematech, Inc. | Systems and methods for in-situ reflectivity degradation monitoring of optical collectors used in extreme ultraviolet (EUV) lithography processes |
| US7900526B2 (en) | 2007-11-30 | 2011-03-08 | Qcept Technologies, Inc. | Defect classification utilizing data from a non-vibrating contact potential difference sensor |
| US8054446B2 (en) | 2008-08-21 | 2011-11-08 | Carl Zeiss Smt Gmbh | EUV lithography apparatus and method for determining the contamination status of an EUV-reflective optical surface |
| NL2003678A (en) * | 2008-12-17 | 2010-06-21 | Asml Holding Nv | Euv mask inspection system. |
| KR20100078311A (ko) | 2008-12-30 | 2010-07-08 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 웨이퍼의 표면검사장치 |
| JP5330019B2 (ja) | 2009-02-18 | 2013-10-30 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | マスクパターンの検査方法およびマスクパターン検査装置 |
| JP5841710B2 (ja) | 2010-03-17 | 2016-01-13 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
| US20120045855A1 (en) | 2010-08-20 | 2012-02-23 | Beck Markus E | Position-sensitive metrology system |
| CZ2011154A3 (cs) * | 2011-03-23 | 2012-06-06 | Tescan A.S. | Zpusob analýzy materiálu fokusovaným elektronovým svazkem s využitím charakteristického rentgenového zárení a zpetne odražených elektronu a zarízení k jeho provádení |
-
2013
- 2013-05-21 US US13/898,705 patent/US9453801B2/en active Active
- 2013-05-24 TW TW102118480A patent/TWI607287B/zh active
- 2013-05-24 WO PCT/US2013/042548 patent/WO2013177477A1/en active Application Filing
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04274793A (ja) * | 1991-02-28 | 1992-09-30 | Shimadzu Corp | 放射線検出器 |
| JP2004519101A (ja) * | 2000-11-07 | 2004-06-24 | エイエスエムエル ユーエス， インコーポレイテッド | 屈折率変更により光イメージングの性能を変化させる方法およびシステム |
| US20020190642A1 (en) * | 2001-06-19 | 2002-12-19 | Berger Kurt W. | Radiation flux monitor for EUV lithography |
| US20100237243A1 (en) * | 2003-04-22 | 2010-09-23 | Ebara Corporation | Testing apparatus using charged particles and device manufacturing method using the testing apparatus |
| US20070139648A1 (en) * | 2005-12-16 | 2007-06-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
| TW201219992A (en) * | 2010-08-24 | 2012-05-16 | Asml Netherlands Bv | A lithographic apparatus and device manufacturing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201403251A (zh) | 2014-01-16 |
| US9453801B2 (en) | 2016-09-27 |
| US20130313442A1 (en) | 2013-11-28 |
| WO2013177477A1 (en) | 2013-11-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI607287B (zh) | 用於光微影光罩之光電子發射圖譜系統及用於極紫外線反射鏡之光電子發射圖譜系統、用於評估一或多個光微影光罩上之汙染的方法及用於評估一或多個極紫外線反射鏡上之汙染之方法 | |
| KR101370203B1 (ko) | 광원의 요동을 측정하기 위한 시스템을 구비한 ｅｕｖ 조명시스템 | |
| US7245133B2 (en) | Integration of photon emission microscope and focused ion beam | |
| US8513604B2 (en) | Detection device and particle beam device having a detection device | |
| JP3886871B2 (ja) | 検出装置及びデバイス製造方法 | |
| JP2005526269A (ja) | 空間画像を感知するシステム及び方法 | |
| KR101807396B1 (ko) | 펠리클의 검사 장치 및 그 검사 방법 | |
| JP2016518683A (ja) | 光電子増倍管（ｐｍｔ）、イメージセンサ、及びｐｍｔ又はイメージセンサを用いた検査システム | |
| KR102382493B1 (ko) | 펠리클을 통한 포토마스크의 촬상을 위한 방법 및 시스템 | |
| JP2005106815A (ja) | Ｘ線マイクロアナライザーの光学的心合せ | |
| JP6169506B2 (ja) | 試料ホルダ、観察システム、および画像生成方法 | |
| US11322333B2 (en) | Charged particle detection system | |
| TW201142903A (en) | Movable detector for charged particle beam inspection or review | |
| US20070114404A1 (en) | Method and system for detecting hidden defects | |
| TW201637063A (zh) | 檢查裝置 | |
| JP5331673B2 (ja) | 検査方法及び検査装置 | |
| CN110491755A (zh) | 阴极发光光学集线器 | |
| JP2007172886A (ja) | 光電子顕微鏡装置 | |
| JP2021002507A (ja) | 電子線検査装置の二次光学系を評価する方法 | |
| WO2021255886A1 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
| CN218212701U (zh) | 表面颗粒检测系统 | |
| JPH0499929A (ja) | 高感度ラマン分光装置，調整方法，および測定方法 | |
| JP2002141015A (ja) | 基体検査装置及び方法 | |
| KR20230095253A (ko) | Euv 포토 마스크 검사 장치 | |
| KR20100038014A (ko) | 반도체 기판 검사장치 및 그 방법 |