JP6898304B2 - 減衰装置及び方法 - Google Patents

減衰装置及び方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6898304B2
JP6898304B2 JP2018506434A JP2018506434A JP6898304B2 JP 6898304 B2 JP6898304 B2 JP 6898304B2 JP 2018506434 A JP2018506434 A JP 2018506434A JP 2018506434 A JP2018506434 A JP 2018506434A JP 6898304 B2 JP6898304 B2 JP 6898304B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
grid
radiation
attenuator
reflected
euv
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018506434A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2018534598A (ja
Inventor
ニーンフイス，ハン−クワン
フリース，ゴッセ，チャールズ デ
フリース，ゴッセ，チャールズ デ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Netherlands BV
Original Assignee
ASML Netherlands BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Netherlands BV filed Critical ASML Netherlands BV
Publication of JP2018534598A publication Critical patent/JP2018534598A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6898304B2 publication Critical patent/JP6898304B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/02—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the intensity of light
    • G02B26/023—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the intensity of light comprising movable attenuating elements, e.g. neutral density filters
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70025—Production of exposure light, i.e. light sources by lasers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/7015—Details of optical elements
    • G03F7/70158—Diffractive optical elements
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70525—Controlling normal operating mode, e.g. matching different apparatus, remote control or prediction of failure
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
  • Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

関連出願の相互参照
[0001] 本出願は、２０１５年９月３日に出願されたＥＰ１５１８３６８１．４の優先権を主張し、参照により全体が本明細書に取り入れられる。
[0002] 本発明は、減衰装置に関し、排他的ではないが、特に、リソグラフィシステム内で使用するために自由電子レーザによって生成されたレーザＥＵＶ放射ビームを減衰するのに適している。
[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に適用するように構築された機械である。リソグラフィ装置は例えば集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。リソグラフィ装置は例えば基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）の層にパターニングデバイス（例えばマスク）からのパターンを投影することができる。
[0004] 基板上にパターンを投影するためにリソグラフィ装置によって使用される放射の波長は、その基板上に形成可能なフィーチャの最小サイズを決定する。５〜２０ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射であるＥＵＶ放射を使用するリソグラフィ装置を使用して、従来のリソグラフィ装置（例えば１９３ｎｍの波長を有する電磁放射を使用することができる）より小さいフィーチャを基板上に形成することができる。
[0005] ＥＵＶリソグラフィのスループットを増加するために出力を増したＥＵＶ放射源を生成することが望ましい。しかしながら、いくつかのＥＵＶ放射源を使用すると、基板において効果的に使用できるものを超える出力で放射を発生する可能性がある。従って、基板において効果的に使用できるＥＵＶ放射を生成することも望ましい。
[0006] 本発明の少なくとも１つの実施形態の目的は、上記で特定された諸問題の少なくとも１つを未然に防ぐか又は緩和することである。
[0007] 本明細書に記載されている第１の態様により、放射、例えばリソグラフィプロセスで使用される放射の強度を調整するための装置が提供される。この装置は、放射ビームを受け取り、放射ビームの少なくとも一部分を第１の反射放射ビームの形で第１の方向に誘導するための格子を含む。この装置は、反射放射ビームの強度を変更するために格子の配向を調整するように配置された１つ以上の第１のアクチュエータを更に含む。
[0008] このようにして、格子の配向に対する調整によって放射ビームを減衰することができ、ミラーなどのその他の光学コンポーネントの代わりに格子を使用することにより、冷却要件に関して並びに放射ビームの強度の変化をもたらすのに必要な調整の大きさに関して特に効率的な減衰が可能になる。放射ビームはＥＵＶ放射を含むことができる。
[0009] １つ以上の第１のアクチュエータは、放射ビームと格子の表面との間のグレージング角（ｇｒａｚｉｎｇ ａｎｇｌｅ）を調整するために格子を回転させるように動作可能にすることができる。いくつかの実施形態では、格子は特に低振幅の調整のみを必要とする可能性がある。従って、アクチュエータは、１度未満の角度により格子を移動させて調整するように動作可能にすることができる。
[00010] １つ以上の第１のアクチュエータは、格子の１つ以上の溝と第１の放射ビームの入射面との間の角度を変更するために格子の表面に対する垂線の周りで格子を回転させるように動作可能にすることができる。
[00011] 格子は、少なくとも１つの回折放射ビームを第１の方向から遠くへ誘導するように動作可能にすることができる。例えば，この装置は、１つ以上の回折放射ビームを受け取り、その中に出力を放散させるように配置された１つ以上のビームダンプを含むことができる。
[00012] この装置は、反射放射ビームを受け取り、反射放射ビームの少なくとも一部分を第２の反射放射ビームで第２の方向に誘導するように動作可能な反射光学部品（ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ ｏｐｔｉｃ）を更に含むことができる。この装置は、第２の反射放射ビームの強度を変更するために反射光学部品の配向を調整するように配置された１つ以上の第２のアクチュエータを更に含むことができる。反射光学部品はミラーである場合もあれば、第２の格子である場合もある。その他の実施形態では、反射光学部品は、第３の放射ビームを受け取り、第３の放射ビームの少なくとも一部分を格子に向かって誘導するように動作可能にすることができる。例えば、格子によって受け取られた第１の放射ビームは反射光学部品から反射された第３の放射ビームの一部分を含むことができる。
[00013] １つ以上の第２のアクチュエータは、放射ビームと反射光学部品の表面との間のグレージング角を調整するために反射光学部品を回転させるように動作可能にすることができる。１つ以上の第２のアクチュエータは、１度未満の角度により反射光学部品を回転させるように動作可能にすることができる。反射光学部品が格子である場合、１つ以上の第２のアクチュエータは、反射光学部品の１つ以上の溝と第２の反射放射ビームの入射面との間の角度を変更するために反射光学部品の表面に対する垂線の周りで反射光学部品を回転させるように動作可能にすることができる。
[00014] 反射光学部品は、例えば１つ以上のビームダンプに向かって、１つ以上の回折放射ビームを第２方向から遠くへ誘導するように動作可能にすることができる。
[00015] １つ以上の第１のアクチュエータは、減衰放射ビームが減衰装置から固定した位置及び方向に誘導されるように格子を並進させるように動作可能にすることができる。１つ以上の第２のアクチュエータは、減衰放射ビームが減衰装置から固定した位置及び方向に誘導されるように反射光学部品を並進させるように動作可能にすることができる。
[00016] 例えば、１つ以上のアクチュエータは、格子及び反射光学部品のうちのいずれか一方又は両方を放射ビームの伝搬の方向に並進させるように動作可能にすることができる。このようにして、減衰装置を出る減衰放射ビームは固定した位置及び方向を有することができる。
[00017] ミラーは、第１の反射放射ビームが格子の所定の範囲の配向のすべてについて反射光学部品の反射面に入射するように、第１の放射ビームの伝搬の方向に広がりを有することができる。
[00018] この装置は、格子の配向を調整するために１つ以上の第１のアクチュエータを制御するように配置されたコントローラを更に含むことができる。コントローラは、センサから放射強度の指示を受け取り、指示の受け取りに応答して１つ以上の第１のアクチュエータを制御するように配置することができる。例えば、放射強度の指示は、リソグラフィ装置におけるウェーハの露光中に受け取ることができる。放射強度の指示は、強度値を含む場合もあれば、「より大きい（ｇｒｅａｔｅｒ）」又は「より小さい（ｌｅｓｓｅｒ）」などの相対指示を含む場合もある。
[00019] 他の態様により、第１の放射ビームを生成するように動作可能な放射源と、メイン放射ビーム（ｍａｉｎ ｒａｄｉａｔｉｏｎ ｂｅａｍ）の少なくとも一部分を含む第１の放射ビームを受け取るように配置された第１の態様による減衰装置と、減衰装置から減衰放射ビームを受け取るように配置されている少なくとも１つのリソグラフィ装置とを含む、リソグラフィシステムが提供される。
[00020] このリソグラフィシステムは、メイン放射ビームを受け取り、少なくとも１つの分岐放射ビーム（ｂｒａｎｃｈ ｒａｄｉａｔｉｏｎ ｂｅａｍ）を出力するように配置された放射ビームスプリッティング装置（ｒａｄｉａｔｉｏｎ ｂｅａｍ ｓｐｌｉｔｔｉｎｇ ａｐｐａｒａｔｕｓ）を更に含むことができる。第１の放射ビームは、少なくとも１つの分岐放射ビームの少なくとも一部分を含むことができる。
[00021] 放射ビームスプリッティング装置は、複数の分岐放射ビームを出力するように配置することができる。このリソグラフィシステムは、複数の分岐放射ビームのそれぞれについてそれぞれの減衰装置を含むことができ、それぞれの減衰装置は複数の分岐放射ビームのそれぞれ１つを受け取るように配置される。
[00022] 放射源は１つ以上の自由電子レーザを含むことができる。
[00023] 少なくとも１つのリソグラフィ装置は１つ以上のマスク点検装置（ｍａｓｋ ｉｎｓｐｅｃｔｉｏｎ ａｐｐａｒａｔｕｓ）を含むことができる。
[00024] 本発明の諸態様は、適切なハードウェア及び／又はソフトウェアによることを含む、任意の都合の良いやり方で実現できることは認識されるであろう。代替的に、本発明の諸実施形態を実現するためにプログラマブルデバイスをプログラムすることができる。従って、本発明は、本発明の諸態様を実現するための適切なコンピュータプログラムも提供する。このようなコンピュータプログラムは、有形の担体メディア（ｃａｒｒｉｅｒ ｍｅｄｉａ）（例えば、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭなど）及び通信信号などの無形の担体メディアを含む、適切な担体メディア上に担持することができる。
[00025] 本発明の１つ以上の態様は、本明細書に記載されている任意の１つ以上の他の態様及び／又は上記又は以下の説明に記載されている任意の１つ以上の特徴と組み合わせることができる。
[00026] 次に、添付の概略図面に関連して、一例としてのみ、本発明の諸実施形態について説明する。
本発明の一実施形態による減衰装置を含むリソグラフィシステムを描写している。 図１のリソグラフィシステムの一部を形成するリソグラフィ装置を描写している。 調整可能なミラーを使用する、提案された動的アテニュエータ（ｄｙｎａｍｉｃ ａｔｔｅｎｕａｔｏｒ）の概略図である。 ガス充填チャンバを使用する、提案された静的アテニュエータ（ｓｔａｔｉｃ ａｔｔｅｎｕａｔｏｒ）の概略図である。 複数のアテニュエータを含む減衰装置の概略図である。 複数の反射格子を含むアテニュエータの概略図である。 複数の反射格子を含むアテニュエータの概略図である。 可能な格子の概略図である。 可能な格子の概略図である。 それぞれの格子構成について入射角によるゼロ次反射率（ｚｅｒｏ−ｏｒｄｅｒ ｒｅｆｌｅｃｔａｎｃｅ）の変化を描写するグラフである。 それぞれの格子構成について入射角によるゼロ次反射率の変化を描写するグラフである。 単一格子を含むアテニュエータの概略的な図である。 単一格子を含むアテニュエータの概略的な図である。 アジマス角（ａｚｉｍｕｔｈａｌ ａｎｇｌｅ）によるゼロ次反射率の変化を描写するグラフである。 格子及びミラーを含むアテニュエータの概略図である。
[00027] 図１は、本明細書に記載されている配置例による１つ以上の減衰装置１５ａ〜１５ｎを含むリソグラフィシステムＬＳを示している。リソグラフィシステムＬＳは、放射源ＳＯ及び複数のリソグラフィ装置ＬＡａ〜ＬＡｎを更に含む。放射源ＳＯは、極端紫外線（ＥＵＶ）ＥＵＶ放射ビームＢ（メインＥＵＶ放射ビームと呼ぶ場合もある）を発生するように構成される。メインＥＵＶ放射ビームＢは複数のＥＵＶ放射ビームＢａ〜Ｂｎ（分岐ＥＵＶ放射ビームと呼ぶ場合もある）に分割され、そのそれぞれはＥＵＶ放射ビームスプリッティング装置２０によってリソグラフィ装置ＬＡａ〜ＬＡｎのうちの異なる装置に誘導される。分岐ＥＵＶ放射ビームＢａ〜ＢｈはメインＥＵＶ放射ビームから連続して分割することができ、それぞれの分岐ＥＵＶ放射ビームは直前の分岐ＥＵＶ放射ビームの下流のメインＥＵＶ放射ビームから分割される。該当する場合、分岐ＥＵＶ放射ビームは、例えば、実質的に互いに平行に伝搬することができる。
[00028] 放射源ＳＯ、ＥＵＶ放射ビームスプリッティング装置２０、及びリソグラフィ装置ＬＡａ〜ＬＡｎはいずれも、外部環境から隔離できるように構築し配置することができる。ＥＵＶ放射の吸収を最小限にするために、放射源ＳＯ、ＥＵＶ放射ビームスプリッティング装置２０、及びリソグラフィ装置ＬＡａ〜ＬＡｎの少なくとも一部に真空を提供することができる。リソグラフィシステムＬＳの異なる部分に異なる圧力の真空を提供する（即ち、大気圧未満の異なる圧力に保持する）ことができる。
[00029] 図２を参照すると、リソグラフィ装置ＬＡａがより詳細に示されている。リソグラフィ装置ＬＡａは、照明システムＩＬと、パターニングデバイスＭＡ（例えばマスク）を支持するように構成された支持構造ＭＴと、投影システムＰＳと、基板Ｗを支持するように構成された基板テーブルＷＴとを含む。照明システムＩＬは、パターニングデバイスＭＡに入射する前にそのリソグラフィ装置ＬＡａによって受け取られた分岐ＥＵＶ放射ビームＢａを調節するように構成される。投影システムは、ＥＵＶ放射ビームＢａ’（ここではマスクＭＡによってパターン付与されている）を基板Ｗ上に投影するように構成される。基板Ｗは前に形成されたパターンを含むことができる。該当する場合、リソグラフィ装置ＬＡａはパターン付きＥＵＶ放射ビームＢａ’を基板Ｗ上に前に形成されたパターンと位置合わせする。
[00030] リソグラフィ装置ＬＡａによって受け取られた分岐ＥＵＶ放射ビームＢａは、照明システムＩＬの閉鎖構造の開口部８を通ってＥＵＶ放射ビームスプリッティング装置２０から照明システムＩＬ内に入る。任意選択で、分岐ＥＵＶ放射ビームＢａは、開口部８に又はその付近に中間焦点を形成するように合焦させることができる。
[00031] 照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１を含むことができる。ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１は協力して、所望の断面形状と所望の角分布を有するＥＵＶ放射ビームＢａを提供する。ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１はそれぞれ、独立可動ミラーのアレイを含むことができる。ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１は異なる数の独立可動ミラーを含むことができる。例えば、ファセット瞳ミラーデバイス１１はファセットフィールドミラーデバイス１０の２倍の数のミラーを含むことができる。ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１内のミラーは任意の適切な形状のものにすることができ、例えば、一般にバナナ形にすることができる。ＥＵＶ放射ビームＢａは照明システムＩＬから出て、支持構造ＭＴによって保持されたパターニングデバイスＭＡに入射する。パターニングデバイスＭＡはＥＵＶ放射ビームを反射してパターン付与し、パターン付きＥＵＶ放射ビームＢａ’を形成する。照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１に加えて又はそれらの代わりに、他のミラー又はデバイスを含むことができる。照明システムＩＬは、例えば、独立可動ミラーのアレイを含むことができる。独立可動ミラーは、例えば、差し渡し１ｍｍ未満にすることができる。独立可動ミラーは例えばＭＥＭＳデバイスにすることができる。
[00032] パターニングデバイスＭＡから反射した後、パターン付きＥＵＶ放射ビームＢａ’は投影システムＰＳに入る。投影システムＰＳは、基板テーブルＷＴによって保持された基板ＷにＥＵＶ放射ビームＢａ’を投影するように構成された複数のミラー１３、１４を含む。投影システムＰＳは、ＥＵＶ放射ビームに縮小係数を適用し、パターニングデバイスＭＡ上の対応するフィーチャより小さいフィーチャを有する像を形成することができる。例えば、４という縮小係数を適用することができる。投影システムＰＳは図２では２つのミラー１３、１４を有するが、投影システムは任意の数のミラー（例えば、６つのミラー）を含むことができる。
[00033] 放射源ＳＯは、ＥＵＶ放射のＥＵＶ放射ビームを生成するように選択的に動作可能な１つ以上の自由電子レーザを含むことができる。自由電子レーザは、バンチ化相対論的電子ビームを生成するように動作可能な発生源と、それを通って相対論的電子のバンチが誘導される周期磁場とを含む。周期磁場はアンジュレータによって生成され、中心軸の周りの発振経路を電子に辿らせる。磁気構造によって引き起こされた加速の結果として、電子は自発的に概ね中心軸の方向に電磁放射を放射する。相対論的電子はアンジュレータ内の放射と相互作用する。特定の条件下では、この相互作用により、電子はまとめてバンチ化し、アンジュレータ内の放射の波長で変調されたマイクロバンチになり、中心軸に沿った放射のコヒーレント発光が刺激される。
[00034] 電子が辿る経路は、電子が周期的に中心軸を横断する正弦かつ平面になる場合もあれば、電子が中心軸の周りを回転する螺旋状になる場合もある。発振経路のタイプは、自由電子レーザが放出する放射の偏光に影響する可能性がある。例えば、螺旋経路に沿って電子に伝搬させる自由電子レーザは楕円状又は環状に偏光した放射を放出する可能性があり、これはリソグラフィ装置ＬＡａ〜ＬＡｎによる基板Ｗの露光には好ましい可能性がある。
[00035] 発生源ＳＯが自由電子レーザを含む場合、発生源ＳＯは比較的高出力の放射を出力することができる。例えば、自由電子レーザ源ＳＯは、それぞれおよそ１ｋＷ以上の分岐ＥＵＶ放射ビームＢａ〜Ｂｎを提供するＥＵＶ放射ビームＢを出力することができる。いくつかのリソグラフィ装置の場合、リソグラフィ装置で受け取られる放射の量を低減することが望ましい可能性がある。例えば、リソグラフィ装置の基板は、約５ｍＪ／ｃｍ２の放射ドーズ量を必要とするレジストの層を含む可能性がある。そのリソグラフィ装置で高出力の分岐ＥＵＶ放射ビームを受け取ると、レジストに適切な放射ドーズ量が提供されたことを保証することが困難になる可能性がある。基板の一部分で受け取る放射ドーズ量を低減するための１つのやり方は、基板に入射する放射に対して基板を移動させることである（スキャン）。しかしながら、基板において所望の放射ドーズ量を達成するために十分高いスキャン速度を達成することは困難である可能性がある。
[00036] 本発明の諸実施形態では、分岐ＥＵＶ放射ビームＢａ〜Ｂｎのうちの１つ以上は、それぞれの減衰装置１５ａ〜１５ｎを通って誘導される。それぞれの減衰装置１５ａ〜１５ｎは、それに対応するリソグラフィ装置ＬＡａ〜ＬＡｎの照明システムＩＬに減衰分岐ＥＵＶ放射ビームＡＢａ〜ＡＢｎを提供するためにそれぞれの分岐ＥＵＶ放射ビームＢａ〜Ｂｎの強度を調整するように配置される。
[00037] 回転ミラーの配置を使用する動的アテニュエータを提供することが提案されている。１つの提案されている動的アテニュエータ配置３０は図３に概略的に示されている。配置３０はミラー３１、３２の形の２つの反射光学部品を含む。第２のミラー３２は描写されているｙ方向に第１のミラー３２から分離されている。第１のミラー３１は、減衰装置１５ａに入る分岐ＥＵＶ放射ビームＢａが第１のミラー３１の反射面に入射し、その反射面によって反射されて第２のミラー３２の反射面に向かうように配置される。第２のミラー３２は、減衰ＥＵＶ放射ビームＡＢａをリソグラフィ装置ＬＡａ（図３には図示せず）に向かって誘導するように角度が付けられる。
[00038] ミラー３１、３２はそれぞれ、分岐ＥＵＶ放射ビームＢａとミラー３１、３２との間の入射角を変更するためにｘ軸の周りを回転するように配置される。ミラー３１、３２の回転した位置の例は図３に一点鎖線の輪郭で描写されている。ミラー３１、３２の回転した位置間の分岐ＥＵＶ放射ビームＢａの経路は点線の輪郭で示されている。ミラー３１の回転の角度が分岐ＥＵＶ放射ビームＢａの入射角、従って、その反射角を変更することは認識されるであろう。ミラー３１から反射された分岐ＥＵＶ放射ビームＢａの経路内にミラー３２を位置決めできるようにするために、ミラー３２には、ミラー３２をｚ方向（即ち、分岐ＥＵＶ放射ビームＢａの伝搬の方向）に並進させるための１つ以上のアクチュエータ（図示せず）が設けられる。
[00039] ミラー３１、３２のそれぞれの反射率はミラー３１、３２の反射面と分岐ＥＵＶ放射ビームＢａとの間のグレージング角（グレージング角が９０度から入射角を引いたものとして定義される場合）の関数である。例えば、グレージング角が２度の場合、（完全に平らな表面を有するルテニウム（Ｒｕ）コーティングを有するミラーの理論的な事例において）入射放射線の約９７．６％がミラー３１、３２のそれぞれで反射される可能性がある。即ち、２度の角度が付けられると、ミラー３１、３２のうちの１つによって反射された放射は、そのミラーに入射した放射の強度と比較して２．４％だけ低減される。このため、ミラー３１、３２の両方が２度のグレージング角で配置されると、減衰分岐ＥＵＶ放射ビームＡＢａの強度はミラー３１、３２による反射によって約４．８％だけ低減される。
[00040] グレージング角が１０度の場合、入射放射線の約８８％がミラー３１、３２のそれぞれで反射される可能性がある。即ち、グレージング角が１０度である時、反射放射線の強度は入射放射線より約１２％小さい。このため、ミラー３１、３２の両方が１０度のグレージング角で配置されると、減衰分岐放射ビームＡＢａの強度はミラー３１、３２による反射によって約２４％だけ低減される。
[00041] 上記の説明から、約１〜１０度の間で入射角を調整するためにミラー３１、３２を回転させることにより、分岐ＥＵＶ放射ビームＢａの減衰を約２％〜２０％の間で変更することができることは認識されるであろう。動的アテニュエータ３０は、発生源ＳＯから出力される電力の不要な変動を補償するために減衰の急速調整（このため「動的」と表示）を提供するよう要求される可能性がある。例えば、約１０ｍｓの応答時間を備えた動的アテニュエータを提供することが提案されている。
[00042] また、動的アテニュエータ３０などの動的アテニュエータ（比較的速い応答時間を有するもの）と１つ以上の追加のアテニュエータを組み合わせることも提案されている。例えば、約１０％〜１００％の可変透過率を備えた「静的」アテニュエータを提供することが提案されている。静的アテニュエータに関する提案の１つはガス充填チャンバの形を取る。「静的アテニュエータ」という用語により、本明細書では、「静的アテニュエータ」によって提供される減衰を調整するために必要な時間は高速である必要はないことを意味する。例えば、「静的」アテニュエータは数分程度の応答時間を有することができる。
[00043] 図４は、図３に関連して上述した第１の減衰装置と組み合わせて又はその代替として提供できる第２の減衰装置４０の一例を概略的に描写している。減衰装置４０は、チャンバ４２を規定するハウジング４１を含む。ハウジング４０は任意の形状のチャンバ４１を規定することができる。例えば、ハウジング４１は概ね管状にすることができる。チャンバ４２は、第１の端部では第１のウィンドウ４３によって、対向する第２の端部では第２のウィンドウ４４によって閉鎖される。制御された量のガスがチャンバ４２内に入れるようにするためにインレット４５が設けられる。また、制御された流量のガスがチャンバ４２から出られるようにするために、バルブ４６を設けることもできる。チャンバ４２内の圧力を監視するために圧力モニタ４７が設けられる。圧力モニタ４７は任意の形の圧力モニタにすることができる。固定され封鎖されたガス媒体ではなくガスフローを提供することにより、ガスによって吸収されたエネルギを除去することができる。減衰装置４０が大きい減衰率（１０分の１など）を提供する場合、このように除去されるエネルギの量は相当なものになる可能性がある。
[00044] インレット４５はチャンバ４２内へのＥＵＶ吸収ガスの導入を可能にする。チャンバ４２内に導入される特定のガスが所望のレベルのＥＵＶ吸収次第で選択できることは認識されるであろう。しかしながら、一例として、水素、ヘリウム、及び／又はアルゴンなどのガスが適切である可能性がある。ウィンドウ４３、４４は、ＥＵＶ放射に関する高い透過率を提供するように構築され、他の波長の電磁放射に対して高い吸収度を提供するように構築することもできる。例えば、ウィンドウは、一般にスペクトル純度フィルタと呼ばれるものを含むことができ、このフィルタはＥＵＶ波長の外側の放射をフィルタで除去するが、ＥＵＶ放射の透過を可能にするものである。このようなスペクトル純度フィルタは、当業者にとって明白になるような任意の適切なやり方で構築することができる。例えば、ウィンドウ４３、４４はモリブデン（Ｍｏ）及びケイ化ジルコニウム（ＺｒＳｉ）から構築することができる。Ｍｏ／ＺｒＳｉの積み重ねはケイ化モリブデン（ＭｏＳｉ）によって一方の側又は両側でキャップすることができる。代替例では、ウィンドウ４３、４４はポリシリコン（ｐＳｉ）から形成することができる。ポリシリコンフィルムの一方の側又は両側は窒化ケイ素（ＳｉＮ）層でキャップすることができる。その他の材料、例えばグラフェンはウィンドウ４３、４４で使用するのに適している可能性がある。ウィンドウ４３、４４の厚さはチャンバ４２内で望まれる最高圧力次第で選択することができ、その圧力自体も所望の減衰次第で選択することができる。
[00045] 分岐ＥＵＶ放射ビームＢａは第１のウィンドウ４３を通って第２の減衰装置４０に入り、第２のウィンドウ４４を通って減衰装置４０から出る前にチャンバ４２内の流体との相互作用により減衰される。チャンバ４２を通過することによって引き起こされる分岐ＥＵＶ放射ビームＢａの減衰は、チャンバ４２内のガスのタイプ、量、又は圧力を変化させることによって変更することができる。
[00046] 圧力センサ、ガスインレット、及びガスバルブはコントローラと連絡することができる。コントローラは、チャンバ４２内で所望の圧力を達成するためにガスインレット４５及びガスバルブ４６を制御するように動作可能にすることができる。チャンバ４２内の所望の圧力は、第２の減衰装置によって引き起こされる分岐ＥＵＶ放射ビームＢａの所望の減衰を達成するために選択することができる。代替的に又は追加的に、チャンバ４２内の所望の圧力は、チャンバ４２内の圧力を所定の安全な範囲内に維持するように選択することができる。
[00047] 代替配置では、ウィンドウ４３、４４の代わりに差動排気を使用することができる。このようにして、ウィンドウ４３、４４を冷却して過熱を防止するための要件は全く存在しなくなると思われ、ウィンドウ４３、４４へのＥＵＶ出力の損失を回避することができる。更なる代替配置では、１０％〜１００％の透過率範囲を備えたミラーによって「静的」アテニュエータを提供することができる。このようなミラーは、受け取った放射によって引き起こされる可能性のある熱負荷に対処するために、回転ミラーにすることができる。
[00048] 図５は、第１の動的アテニュエータ３０と第２の静的アテニュエータ４０の両方を含む減衰装置１５ａを含むリソグラフィシステムＬＳを概略的に示している。図５の配置はＥＵＶ放射ビームの減衰並びに必要な場合にＥＵＶ放射ビームのブロックに適しているが、ガスベース又は回転ミラーベースの静的アテニュエータの使用は、リソグラフィシステムＬＳ内の厳しい熱放散及び空間要件とともに、設計、製造、設置、及び保守点検の複雑さの点で困難をもたらすものである。例えば、アテニュエータ４０は、約１．４ｋＷものＥＵＶ出力を放散する必要がある可能性があり、アテニュエータ４０のコンポーネントの加熱が高レベルになる。このような熱を放散するために、相当な量の水（又はその他の冷却液）をアテニュエータ４０内で急速に循環させることが必要になると予想され、設計、設置、及び保守点検の複雑さが大幅に増大する。温度勾配が大きいことも、放射ビームＢａの断面全体にわたって均一な減衰を保証することをより難しくする可能性がある。更に、アテニュエータ４０から漏れる可能性のあるガスをその他の光学部品の真空室内に収容する際に困難に遭遇する可能性がある。更に、減衰装置１５ａは、３つの分離した別個で複雑なモジュール（例えば、アテニュエータ３０、４０）を含み、それにより減衰装置１５ａのコストが増加する。
[00049] 図６ａ、図６ｂは、代替アテニュエータ６０を概略的に示している。図６ａはアテニュエータ６０の平面図を描写し、図６ｂはアテニュエータ６０を側面図で描写している。アテニュエータ６０は、図３のアテニュエータ３０と同様に配置されているが、ミラー３１、３２の代わりに２つの格子６１、６２が分岐ＥＵＶ放射ビームＢａの経路内に設けられている。格子６１、６２は反射格子である。透過格子が知られているが、本発明者は、透過格子は相当な量のＥＵＶ放射を吸収する可能性があり、高レベルの格子の劣化及び厳密な冷却要件をもたらすので、このような格子はＥＵＶ放射を使用するリソグラフィ用途には望ましくない可能性があると認識している。
[00050] 格子６１、６２は、分岐ＥＵＶ放射ビームＢａが格子６１の反射面に最初に入射するように配置される。第１のＥＵＶ放射ビームＢａ０（回折次数ｎ＝０）と２つのＥＵＶ放射ビームＢａ−１及びＢａ＋１（回折次数ｎ＝±１）という３つのＥＵＶ放射ビームが格子６１の表面に生成されると考えられる。ゼロ次回折はミラーからの反射の法則により作用するので、第１のＥＵＶ放射ビームＢａ０は「反射」ＥＵＶ放射ビームと呼ぶことができ、２つのＥＵＶ放射ビームＢａ±１は「回折」ＥＵＶ放射ビームと呼ぶことができる。２つのＥＵＶ放射ビームＢａ±１はそれぞれのＥＵＶ放射ビームダンプ６３、６４に向かってそれぞれの経路に沿って伝搬する。ＥＵＶ放射ビームダンプ６３、６４は、例えば、相当な量のＥＵＶ放射を吸収するのに適した材料の塊を含むことができる。例えば、ＥＵＶ放射ビームダンプ６３、６４は、受け取った回折ＥＵＶ放射ビームＢａ±１によって発生された熱負荷を放散するのに適したアルミニウムのボディを含むことができる。
[00051] 反射ＥＵＶ放射ビームＢａ０はイルミネータＩＬに向かって前方に誘導される。図６に示されている実施形態では、反射ＥＵＶ放射ビームＢａ０は第２の格子６２の反射面に向かって誘導される。この場合も、反射ＥＵＶ放射ビームＢａ０’（回折次数ｎ＝０）と２つの回折ＥＵＶ放射ビームＢａ−１’及びＢａ＋１’（回折次数ｎ＝±１）という３つのＥＵＶ放射ビームが第２の格子６２によって生成されると考えられる。２つの回折ＥＵＶ放射ビームＢａ±１’はそれぞれのＥＵＶ放射ビームダンプ６５、６６に向かって反射され、反射ＥＵＶ放射ビームＢａ０’はイルミネータＩＬに向かって前方に誘導される。反射ＥＵＶ放射ビームＢａ０’は、いくつかの実施形態では、減衰分岐ＥＵＶ放射ビームＡＢａを提供することができる。
[00052] ＥＵＶ放射ビームＢａ０において反射された分岐ＥＵＶ放射ビームＢａからのＥＵＶ放射の量は、少なくとも部分的に、第１の回折格子６１による分岐ＥＵＶ放射ビームＢａの入射角に依存する（又は、同等に、相補的なグレージング角に依存する）。同様に、ＥＵＶ放射ビームＢａ０’において反射されたＥＵＶ放射の量は、少なくとも部分的に、第２の回折格子６２による反射ＥＵＶ放射ビームＢａ０の入射角に依存する。例えば、分岐ＥＵＶ放射ビームＢａと格子６１との入射角の変動及び第１の反射ＥＵＶ放射ビームＢａ０と格子６２との入射角の変動は、約１％〜９９％の間でアテニュエータ６０の透過率を調整するように動作可能にすることができる。一般に、ＥＵＶ放射ビームＢａ０、Ｂａ０’において反射されない分岐放射ビームＢａからのＥＵＶエネルギの約１％〜２％は格子６１、６２において放散され、ＥＵＶエネルギの残りは２つの更なる反射ＥＵＶ放射ビームＢａ±１において反射される。
[00053] 格子６１には、ｘ方向に延び、格子６１の中心に位置する軸６７の周りで格子６１を回転させ、それにより格子６１によるＥＵＶ放射ビームＢａの入射角を変更するように配置された１つ以上のアクチュエータが設けられる。同様に、格子６２には、ｘ方向に延び、格子６２の中心に位置する軸６８の周りで回転させ、それにより格子６２によるＥＵＶ放射ビームＢａ０の入射角を変更するように配置された１つ以上のアクチュエータが設けられる。格子６１、３２の回転した位置の例は図６ａ、図６ｂに一点鎖線の輪郭で描写されている。図６の実施形態例では軸６７、６８は格子６１、６２の中心にあるが、これは模範的なものに過ぎないと理解するべきである。より一般的に、１つ以上のアクチュエータは、ＥＵＶ放射ビームＢａ、Ｂａ０の入射角を変更するために適切なやり方で格子６１、６２を回転させるように動作可能にすることができる。
[00054] 格子６１、６２の回転した位置間の第１の反射ＥＵＶ放射ビームＢａ０の経路は図６ｂに点線の輪郭で示されている。格子６１の回転は分岐ＥＵＶ放射ビームＢａの入射角、従って、反射ＥＵＶ放射ビームＢａ０の反射角を変更することは認識されるであろう。このため、格子６２には、格子６２をｚ方向（即ち、分岐放射ビームＢａの伝搬の方向）に並進させるように動作可能な１つ以上のアクチュエータ（図示せず）を設けることができる。このようにして、格子６２は、第１の格子６１の任意の配向のために第２の格子６２の反射面上の同じ位置（例えば、中心位置）で第１の反射ＥＵＶ放射ビームＢａ０を受け取るように位置決めすることができる。このようにして、第２の格子６２を出る反射ＥＵＶ放射ビームＢａ０’は同じ方向にｘ軸上の同じ位置で伝搬することができ、それにより方向及びｘ軸における位置をシフトする可能性のあるＥＵＶ放射ビームを取り扱うための下流コンポーネント（イルミネータＩＬなど）の必要性が回避される。
[00055] 上記から認識されるように、旋回軸６７、６８の周りで格子６１、６２を回転させて入射角を増減することにより、アテニュエータ６０で受け取られた分岐ＥＵＶ放射ビームＢａの強度を動的に調整することができる。
[00056] 格子６１、６２は複数の構成のいずれかを取ることができる。格子６１、６２を設けるために使用できる格子７０の反射面の構造の一例は図７に斜視図で描写されている。格子７０は、例えば、シリコンウェーハの結晶面に沿った異方性エッチングによってシリコンから形成することができる。図７を参照し、格子７０がシリコンから形成されると想定すると、上面Ｓ１は（１００）結晶面に沿って形成することができ、面Ｓ２、Ｓ３は｛１１１｝結晶面に沿って形成することができる。この場合、溝（例えば、面Ｓ２とＳ３との間）の底における角度は約７０．５度になる。格子７０の溝及び隆起部（ｒｉｄｇｅ）は
Figure 0006898304
 方向に沿って延びることになる。入射ＥＵＶ放射ビーム（例えば、Ｂａ又はＢａ０）の方向は
Figure 0006898304
 方向に対して小さい（グレージング）角で配置される。格子の上面の＜ｈｋｌ＞方向次第で様々なレイアウトが可能であることは認識されるであろう。
[00057] 上記の例のように、上面Ｓ１が（１００）結晶面に沿って形成され、面Ｓ２、Ｓ３が｛１１１｝結晶面に沿って形成される格子は３つのＥＵＶ放射ビームを形成することになり、形成されたＥＵＶ放射ビームの強度の割合は、格子のピッチｐに対するＳ１面の幅の割合、溝深さｄ、並びに格子へのＥＵＶ放射ビームの入射角、入射ＥＵＶ放射ビームの入射面に対して溝が形成する角度（溝が入射ＥＵＶ放射ビームに平行である場合は０度；溝が入射ＥＵＶ放射ビームに垂直である場合は９０度；又は任意のその他の角度にすることができる）に依存する。
[00058] 図８は、格子８０の代替実施形態を側面図で示している。格子７０のように、格子８０は、第１のグループの面フィーチャ（ｆａｃｅ ｆｅａｔｕｒｅ）Ｓ１、第２のグループの面フィーチャＳ２、及び第３のグループの面フィーチャＳ３という３つのグループの面フィーチャを有する複数の隆起部を含む。しかしながら、図８の実施形態例では、それぞれの隆起部のＳ２面は、それぞれの面の最も近いポイントにおいて距離ｆだけ隣接する隆起部のＳ３面から分離している。距離ｆは、Ｓ２又はＳ３面から反射された放射がその後、隣接する隆起部のＳ２又はＳ３面に入射しないことを保証するように選択することができる。
[00059] 格子８０は、例えば、シリコンの最上層をエッチングして隆起部を提供するために使用されるエッチングプロセスに対してエッチング抵抗のある材料のベース部分８１を設けることによって構築することができる。例えば、ベース部分は二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）又は窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）から作ることができる。代替的に、完全なＶ字形の溝がシリコン内に形成される前にエッチングプロセスを停止することができる。
[00060] 格子７０、８０は、一般に、ピッチｐ及び溝深さｄ（及び非ゼロの場合に距離ｆ）によって特徴付けることができ、異なるピッチｐ及び溝深さｄ（及び距離ｆ）の選択を使用して、変動する減衰特性を備えたアテニュエータを提供することができる。一般に、異なるクラスの格子形状の場合、溝深さｄと、距離ｆと、ピッチｐと、及び異なる入射角で提供される減衰との間に異なる関係が存在することになる。例えば、垂直側壁を備えた溝を有する格子（例えば、方形波のプロファイルを有する）であって、ｄ＜ｐである場合、グレージング角β（ラジアン単位）＜λ／ｐであり、λが入射放射ビームＢａの波長であれば、ＥＵＶ放射ビームＢａ−１及びＢａ＋１（回折次数ｎ＝±１）の最大抑制（即ち、１００％の反射率に近い）が行われる可能性がある。このクラスの格子形状（例えば、垂直溝及びｄ＜ｐ）の場合、５０％の「デューティサイクル」（即ち、ピッチｐに対する距離ｆの割合）を備えた格子について、βｄ≒λ／４である時に、ＥＵＶ放射ビームＢａ０（即ち、回折次数ｎ＝０）の最大減衰が行われる可能性がある。このため、このクラスの格子形状の場合、グレージング角β１において最小減衰を有し、グレージング角β２において最大減衰を有する格子を提供するために、β１＜β２である時に、ｐ＝λ／β１及びｄ≒λ／（４β２）の値を選択することができる。
[00061] その他のクラスの格子形状についてはその他の関係が適用されることは認識されるであろう。しかしながら、ｄ＜ｐであり、垂直溝を有する格子に関する上記の関係はその他の格子形状に関する近似として使用できることも認識されるであろう。
[00062] 一実施形態では、一方の極値において０％の回折及び９９％の正反射（即ち、最小減衰）を提供し、もう一方の極値において＞４４％の回折（ｎ＝＋１及びｎ＝−１の両方の回折次数の場合）及び＜１０％の正反射率（即ち、最大減衰）を提供するように調整可能なアテニュエータを提供することが望まれる可能性がある。このようなアテニュエータを提供するために、一般に、グレージング角が可能な限り小さいことを保証することが望ましい。例えば、グレージング角が約４度未満であると保証することができる。角度β２において最小０次反射（即ち、最大減衰）であり、角度β１において最大０次反射（即ち最小減衰）であり、β１＜β＜β２の範囲内のグレージング角において入射放射ビームを受け入れるアテニュエータの場合、溝ピッチｐは、上述のｐ＝λ／β１という条件を提供して、角度β＜β１においてｎ＝＋１及びｎ＝−１の回折次数が抑制されるように選択することができる。
[00063] ｄβ２／λ≒ｊ／２＋１／４であり、ｊが正の整数である時に、ゼロ次回折次数放射ビームの抑制が予想される。上記の例では、特に実用的な配置を提供できるｄ≒λ／（４β２）という条件を提供するために、ｊ＝０になることは認識されるであろう。
[00064] 一例としてのみ、上記の関係を取ると、１３．５ｎｍの波長を有するＥＵＶ放射について約０．９８〜４度の間でチューニング可能な格子はピッチｐ＝７９４ｎｍ及び深さｄ＝４８ｎｍを有することができる。
[00065] 図９ａ、図９ｂは、２つの可能な格子構成（それぞれ、ゼロの距離ｆを備え、垂直壁の溝ではなく「Ｖ」字形の溝を備える）の場合にゼロ次反射率が入射角につれてどのように変化するかを示している。図９ａは、ピッチｐ＝８８０ｎｍ及び溝深さｄ＝５４２ｎｍを備えた格子に関する反射率曲線を描写している。図５ａでは、約１．４〜０．９度のグレージング角を備えたＥＵＶ放射ビームの場合、ゼロ次反射率は約３２％〜９６％の範囲で変動する。従って、（図６のアテニュエータ６０のように）２つのこのような格子を直列に設けることにより、約８％〜９０％の動的減衰範囲を提供するようにアテニュエータを制御できることは認識されるであろう。
[00066] 図９ｂは、ピッチｐ＝１２４０ｎｍ及び溝深さｄ＝４９０ｎｍを備えた格子に関する反射率曲線を描写している。図９ｂでは、約１．０〜０．６５度のグレージング角を備えたＥＵＶ放射ビームの場合、ゼロ次反射率は約１％〜９９％の範囲で変動する。ｐ＝λ／β１及びｄ≒λ／（４β２）という上述の基準を使用すると、このような値はｐ＝１２４０ｎｍ、ｄ＝１９２ｎｍを有する格子によって達成されると予想することができる。しかしながら、上記のように、図９ｂの格子では、深さｄは垂直壁の溝ではなく、Ｖ字形の溝に関するものである。このような溝の「平均深さ」は２４５ｎｍであり、これは１９２ｎｍという近似結果に匹敵することが認識されるであろう。
[00067] 一般に、格子パラメータを選択する時にトレードオフが行われる可能性がある。より大きいピッチｐを備えた格子は製造しやすい可能性があるが、より大きい深さ値ｄを備えた格子はより困難になる可能性がある。最大グレージング角と最小グレージング角の差β２−β１が大きいほど、小さい角度誤差に対する感度が低くなる可能性があるが、より大きい作動範囲を必要とする可能性がある。最小減衰グレージング角β１のいくつかの十分に小さい値は、入射ＥＵＶビームＢａの全体を捕捉するためにより大きい格子を必要とする可能性がある。
[00068] 従って、２つのこのような格子を直列で設けることにより、約２％〜９９．９９％の動的減衰範囲を提供するようにアテニュエータを制御できることが認識されるであろう。図９ａ、図９ｂに関連して減衰格子の２つの構成例について説明したが、これらは模範的なものに過ぎず、リソグラフィシステムの特定の減衰要件次第でその他の構成（例えば、異なるピッチ及び溝深さ）を使用することができる。
[00069] もう一度、図６に関連して説明すると、格子６１、６２の角度について非常に小さい調整を使用して、アテニュエータ６０によって提供される減衰について大きい調整を行えることは上記から更に認識されるであろう。格子６１、６２が調整される小さい角度範囲は、アクチュエータによって加えられる所与の最大の力の場合にアテニュエータ６０の応答時間（即ち、所望の減衰を達成するのに要する時間）がアテニュエータ３０の応答時間よりかなり短くなるようなものである。一般に、小さい振幅運動の場合、格子ベースのアテニュエータ６０と比較して図３のミラーベースのアテニュエータ３０について帯域幅の大きい差（即ち、単位時間あたりの調整の最大数）は発生しない可能性がある。このような小さい振幅の運動の場合、帯域幅は一般にミラー／格子の機械的応答周波数によって制限される。しかしながら、大きい振幅の運動の場合、帯域幅はアクチュエータによって発生される最大の力によって制限されるであろう。例えば、５ｋｇのミラーアセンブリを１００Ｈｚで１ｃｍの振幅で並進させるために、２０ｋＮが必要であり、瞬時電力は〜６０ｋＷである。
[00070] 上記で示したように、各格子におけるＥＵＶ放射の吸収は一般に入射ＥＵＶ放射ビームの約１％〜２％であり、わずか３０Ｗ〜６０ＷのＥＵＶ出力の熱負荷を発生する。このため、アテニュエータ６０の格子６１、６２に関する冷却要件はアテニュエータ３０のミラー３１、３２に関する冷却要件より大幅に小さくなる可能性がある。更に、回折は一般に入射放射線の波長に対して敏感であるが、かすめ入射ＥＵＶ放射ビームのゼロ次反射は、発生源ＳＯが変動波長を備えたＥＵＶ放射ビームＢを提供する場合でもアテニュエータ６０を使用できるほど、波長に対して適度に鈍感である。
[00071] 更に、減衰装置１５ａにおいてアテニュエータ３０を静的アテニュエータ４０（図５に示されているもの）と組み合わせることが提案されているが、いくつかの実施形態では、アテニュエータ６０によって達成可能な大きい範囲の減衰は、アテニュエータ６０が静的アテニュエータ４０の機能に取って代わることができるようなものである。更に、アテニュエータ６０が大きい減衰（例えば、９９％）を提供するように構成される場合、いくつかの実施形態ではアテニュエータ６０はシャッタの機能を提供することができる。このため、アテニュエータ６０の使用は図５に示されている減衰装置１５ａと比較してコストを低減することができる。
[00072] 上記のように、入射角に加えて、ゼロ次反射率は、格子の溝が入射ＥＵＶ放射ビームの入射面に対してなす角度に依存する。このため、いくつかの実施形態では、格子６１、６２のうちの１つ以上には、追加的に又は代替的に、（即ち、格子のアジマス角を変更して）格子６１、６２の反射面に対して垂直な軸の周りで格子６１、６２を回転させるように動作可能なアクチュエータを設けることができる。
[00073] 図１０ａ、図１０ｂは、ｙ方向に延びる軸１０２の周りで回転するように配置された格子１０１を含むアテニュエータ１００を概略的に描写している。軸１０２は格子１０１の中心に描写されているが、これは模範的なものに過ぎないと理解するべきである。軸１０２の周りで格子を回転させることにより、ゼロ次ＥＵＶ放射ビームにおいて反射されるＥＵＶ放射の量を調整することができ、それによりアテニュエータ１００によって提供される減衰が調整される。回折次数±１はそれぞれのＥＵＶ放射ビームダンプ１０３、１０４に向かって誘導される。
[00074] 図１１は、ピッチｐ＝９００ｎｍ及び溝深さｄ＝２００ｎｍを備えた格子の場合に格子のゼロ次回折がアジマス角の関数としてどのように変動するかを示している（格子の溝の縦軸がＥＵＶ放射ビームの入射面に平行になる位置になるように０度のアジマス角が取られる場合）。図１０では、８９．２度の入射角（例えば、０．８度のグレージング角）の場合、０．５度のアジマス回転の結果、２０％の減衰が行われる（即ち、分岐ＥＵＶ放射ビームＢａの放射の８０％が反射ＥＵＶ放射ビームにおいて反射される）。
[00075] いくつかの実施形態では、減衰装置内に設けられる１つ以上の格子には、アジマス的に及びグレージング角を変更するように格子を回転させるためのアクチュエータを設けることができる。
[00076] アテニュエータ６０は２つの格子６１、６２を含むが、その他の実施形態では単一格子が設けられることは認識されるであろう。例えば、単一のアジマス調整された格子が設けられる場合、１つの可動部のみが必要であり、それにより、アテニュエータ６０内の格子６１、６２間で実行される可能性のある同期などの同期が回避される。
[00077] 更に、複数アテニュエータの組み合わせを１つの減衰装置内に設けることができることは認識されるであろう。例えば、ミラー３１、３２などの反射光学部品ベースの（例えば、ミラーベースの）アテニュエータは、格子６１、６２などの格子ベースのアテニュエータとともに使用することができる。図１２に示されているように、アテニュエータ１２０はミラー１２２と組み合わせて格子１２１を含むことができる。格子１２１は、図６の格子６１と同等のものにすることができ、分岐ＥＵＶ放射ビームＢａを受け取るように配置することができる。格子１２１からのゼロ次反射はミラー１２２に誘導される。図６の配置内で行われる格子６２の並進を回避するために、ミラー１２２は、ミラー１２２の並進なしに格子１２１からのゼロ次反射が格子１２１の回転調整範囲の全体についてミラー１２２の表面に入射するように（ｚ方向に）伸ばされる。アクチュエータ１２２ａ、１２２ｂは、入射反射ＥＵＶ放射ビームＢａ０に対してミラー１２２の角位置を調整するためにミラー１２２のそれぞれの端部に設けられる。従って、ミラー１２２はｚ方向への並進を経験しないので、図１２の配置は図６の配置より短い応答時間を提供することができる。更に、格子６２の代わりにミラー１２２を使用することにより、比較的大きい格子を製造及び使用する際の困難及びコストを回避することができる。
[00078] 他の配置例では、アジマス調整された格子（図１０ａ、図１０ｂに関連して記載されているもの）は、ｘ軸の周りで回転する格子（例えば、格子６１、６２）と直列に設けることができる。このような配置は、大きい動的範囲の減衰を提供できるアテニュエータ並びに高い帯域幅（即ち、単位時間あたり大きい数の調整）を提供できるアテニュエータを提供するために有益である可能性がある。即ち、アジマス回転を受ける格子は、より大きい曲げ力を経験することになり、従って、ｘ軸の周りで回転する格子（ｙｚ面においてより大きい曲げ力を経験する）と比較して、ｘｚ面においてより大きい剛性を有する可能性がある。より大きい剛性の結果、アジマス調整された格子の応答周波数が高くなる可能性があり、これにより、帯域幅の増加が可能になる可能性がある。このため、格子６１と格子１０１との組み合わせは、高い動的減衰範囲及び高い調整帯域幅を提供できるシステムを提供する可能性がある。
[00079] より一般的に、任意の組み合わせ及び数の格子（アジマス回転及び／又はｘ軸回転の両方）、ミラー、及び静的アテニュエータ（例えば、ガスチャンバベースのアテニュエータなど）を１つの減衰装置内に設けることができる。更に、減衰装置１５ａ〜１５ｎのうちの異なる装置は、分岐放射ビームＢａ〜Ｂｎを受け取るように配置されたリソグラフィ装置の要件次第で、異なる配置のアテニュエータを含むことができることは認識されるであろう。
[00080] 反射格子は複数の適切なやり方のいずれかで製造できると理解するべきである。一実施形態では、格子は、実質的に原子的に平らな表面を備えた隆起部を設けるために複数のエッチング液を使用してシリコンウェーハを処理することによって生成することができる。例えば、水酸化カリウム（ＫＯＨ）などのエッチング液を使用することができる。代替的に又は追加的に、深掘りリアクティブイオンエッチング（ＤＲＩＥ）を使用することもできる。例えば、ＤＲＩＥを使用して、垂直壁を有する溝を生成することができる。
[00081] かすめ入射反射を増加し、所望の波長を有する放射（例えば、ＥＵＶ放射）の吸収を低減するために、エッチングされたミラー上にコーティングを付着させることができる。例えば、１３．５ｎｍの波長を有する放射について高いかすめ入射反射率を有するモリブデン（Ｍｏ）又はルテニウム（Ｒｕ）を使用することができる。その他の波長の放射についてはその他のコーティングを選択することができる。更に、ＥＵＶ放射誘導プラズマの生成など、ＥＵＶ放射ビームスプリッティング装置内に存在する可能性のある条件に対する抵抗するための材料を選択することができる。
[00082] いくつかの実施形態では、エッチングされた層にＭｏとＲｕの混合物などのアモルファス金属（又は金属ガラス）を付着させて、反射コーティングを提供することができる。金属ガラスのアモルファス構造を使用して、所望の波長について高い反射率を備えた平滑面を提供することができる。
[00083] ジルコニウム（Ｚｒ）などの任意のその他の適切な材料を使用できることは認識されるであろう。エッチングされた表面の異なる部分に異なるコーティング材料又は組成物を適用することができる。例えば、図７及び図８に関連して説明すると、Ｓ１、Ｓ２、及びＳ３の各面に異なるコーティングを適用することができる。エッチングされた表面の異なる部分に異なるコーティングを適用することにより、それらの面の熱膨張を補償することができる。
[00084] 反射コーティングが設けられる場合、その反射コーティングに更なるコーティングを適用することもできる。例えば、存在する可能性のある条件に対する反射コーティングの安定性及び抵抗力を増加するために、酸化物、窒化物、炭化物などを適用することができる。
[00085] 反射コーティングが設けられる場合、表面粗さを低減し、熱伝導率を増加するために、エッチングされた材料（例えば、Ｓｉ）と反射コーティングとの間に１つ以上の中間層を設けることができる。例えば、グラフェンの中間層を設けることができる。
[00086] 図には描写されていないが、格子の裏側（即ち、ＥＵＶ放射ビームを受け取らない側）に冷却水路を設けることができる。このような冷却水路は、水などの冷却液又は二相液体／気体冷却剤を受け入れるように配置することができる。
[00087] エッチングされた表面はシリコンにすることができると上述されているが、その他の材料を使用できると理解するべきである。格子を提供するために異方性エッチング可能なその他の材料の例としては、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、リン化インジウム（ＩｎＰ），及びヒ化インジウム（ＩｎＡｓ）を含む。しかしながら、一般に、任意の適切な材料を使用することができる。
[00088] 適切な格子は上記のように製造することができる。その後、例えば、金属ガラスでの熱可塑性成形又はスタンピングなどのプロセスを使用して、格子をコピーすることができる。
[00089] 減衰装置１５ａ〜１５ｎのうちの１つ以上は、リソグラフィシステムの制御のための制御ループの一部を形成することができる。例えば、図２に関連して説明すると、コントローラ２５は、ＥＵＶ放射の量又はより一般的に受け取ったＥＵＶ出力の増加、減少、又は停止が必要であることを示すデータをリソグラフィ装置ＬＡ及び／又は発生源ＳＯから受け取るように配置することができる。
[00090] 例えば、ウェーハの露光時に支持構造ＭＴ及びＷＴの加速又は減速中にＥＵＶ出力の低減が必要であると判断される場合がある。このようなデータの受け取りに応答して、コントローラは、減衰装置１５ａの１つ以上のアクチュエータに動作させるように動作可能にすることができる。例えば、図６に関連して説明すると、ＥＵＶ出力の低減が必要であることを示すデータを受け取ると、プロセッサは１つ以上のアクチュエータに格子６１、６２を回転させて、それぞれの入射角を増加するように動作可能にすることができる。即ち、いくつかの実施形態では、減衰装置内のそれぞれの要素（例えば、格子、ミラーなど）のアクチュエータは互いに独立して調整可能にすることができる。
[00091] 更なる例として、コントローラ２５は、リソグラフィ装置ＬＡａにおいて受け取られたＥＵＶ放射の強度を検出し、リソグラフィ装置ＬＡａにおける強度を所定の値に又は所定の範囲内に維持するために分岐ＥＵＶ放射ビームＢａの減衰を調整するように配置されたフィードバック制御ループの一部にすることができる。
[00092] 上記の実施形態は減衰装置１５ａに関連して記載されているが、減衰装置１５ｂ〜１５ｎも同様に実現できることは認識されるであろう。
[00093] それぞれの減衰装置１５ａ〜１５ｎはそれぞれの分岐ＥＵＶ放射ビームについて設けられると上述されているが、その他の実施形態では、分岐ＥＵＶ放射ビームのうちの１つのみ又はいくつかについて１つの減衰装置を設けることができることは認識されるであろう。更に、複数の分岐ＥＵＶ放射ビームについて単一のアテニュエータを設けることもできる。即ち、減衰装置１５ａ〜１５ｎはスプリッタ２０の外側に配置されて示されているが、その他の実施形態では、本明細書に記載されている減衰装置は、複数の分岐ＥＵＶ放射ビームを減衰するためにスプリッタ２０内に配置することもできる。例えば、分岐ＥＵＶ放射ビームＢｂ〜Ｂｎのすべてをまとめて減衰するために、第１の分岐ＥＵＶ放射ビームＢａの分岐直後に減衰装置を設けることができる。実際には、本明細書の教示から当業者にとって明白になるように、任意の組み合わせ又は構成の減衰装置を設けることができる。
[00094] より一般的に、一般的に上述されているアテニュエータ１５は基板より前にリソグラフィシステム内の他の場所に位置決めできることは本明細書の教示から容易に認識されるであろう。例えば、図２に関連して説明すると、アテニュエータはイルミネータＩＬ内に位置決めすることができる。
[00095] 本発明の一実施形態によるリソグラフィシステムは１つ以上のマスク点検装置を更に含むことができる。ＥＵＶ放射ビームスプリッティング装置２０は、メインＥＵＶ放射ビームＢの一部分をマスク点検装置に誘導することができる。マスク点検装置はこの放射を使用してマスクを照射することができ、イメージングセンサを使用してマスクＭＡから反射された放射を監視する。マスク点検装置は、ＥＵＶ放射ビームスプリッティング装置２０から分岐ＥＵＶ放射ビームを受け取り、そのＥＵＶ放射ビームをマスクに誘導するように構成された光学部品（例えば、ミラー）を含むことができる。マスク点検装置は、マスクから反射された放射を収集し、イメージングセンサにおいてマスクの画像を形成するように構成された光学部品（例えば、ミラー）を更に含むことができる。マスク点検装置は図２に示されているリソグラフィ装置ＬＡａと同様のものにすることができ、基板テーブルＷＴがイメージングセンサと置き換えられる。いくつかの実施形態では、リソグラフィシステムは何らかの冗長性を可能にするために２つのマスク点検装置を含むことができる。これにより、一方のマスク点検装置が修理中であるか又は保守点検を受けている時にもう一方のマスク点検装置を使用することができる。従って、１つのマスク点検装置は必ず使用可能になっている。マスク点検装置はリソグラフィ装置より低い出力のＥＵＶ放射ビームを使用することができる。
[00096] 「ＥＵＶ放射」という用語は、５〜２０ｎｍの範囲内、例えば、１３〜１４ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射を包含すると考えられる。ＥＵＶ放射は、１０ｎｍ未満、例えば、６．８ｎｍ又は６．８ｎｍなどの５〜１０ｎｍの範囲内の波長を有することができる。
[00097] リソグラフィ装置ＬＡａ〜ＬＡｎはＩＣの製造に使用することができる。代替的に、本明細書に記載されているリソグラフィ装置ＬＡａ〜ＬＡｎはその他の適用例も可能である。可能なその他の適用例としては、集積光学システム、磁気ドメインメモリのためのガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造を含む。
[00098] 本発明の特定の実施形態について上述してきたが、本発明は上記以外に実践可能であることは認識されるであろう。上記の説明は、限定するものではなく、例示的なものである。従って、以下に明記されている特許請求の範囲の範囲を逸脱せずに上記のように本発明に対して変更を行うことが可能であることは当業者にとって明白になるであろう。

Claims (15)

  1. 放射の強度を調整するための減衰装置であって、
    放射ビームを受け取り、前記放射ビームの少なくとも一部分を第１の反射放射ビームの形で第１の方向に誘導するための格子と、
    前記第１の反射放射ビームの強度を変更するために前記放射ビームと前記格子の表面との間のグレージング角を調整するために前記格子を回転させるように動作可能である１つ以上の第１のアクチュエータと、
    を含み、
    前記１つ以上の第１のアクチュエータが、前記第１の反射放射ビームが前記減衰装置から固定した位置及び方向に誘導されるように前記格子を並進させるように動作可能であり、
    前記１つ以上の第１のアクチュエータが、前記格子の１つ以上の溝と前記放射ビームの入射面との間の角度を変更するために前記格子の表面に対する垂線の周りで前記格子を回転させるように動作可能である、
    減衰装置。
  2. 前記１つ以上の第１のアクチュエータが、１度未満の角度により前記格子を回転させるように動作可能である、請求項１に記載の減衰装置。
  3. 前記格子が、前記放射ビームの少なくとも一部分を回折放射ビームの形で前記第１の方向から離れて誘導するように動作可能である、請求項１又は２に記載の減衰装置。
  4. 前記第１の反射放射ビームを受け取り、前記第１の反射放射ビームの少なくとも一部分を第２の反射放射ビームの形で第２の方向に誘導するように動作可能な反射光学部品と、
    前記第２の反射放射ビームの強度を変更するために前記反射光学部品の配向を調整するように配置された１つ以上の第２のアクチュエータと、
    を更に含む、請求項１乃至３のいずれかに記載の減衰装置。
  5. 前記反射光学部品が第２の格子を含む、請求項４に記載の減衰装置。
  6. 前記１つ以上の第２のアクチュエータが、前記第２の反射放射ビームが前記減衰装置から固定した位置及び方向に誘導されるように前記反射光学部品を並進させるように動作可能である、請求項４乃至５のいずれかに記載の減衰装置。
  7. 前記第１の反射放射ビームが前記格子の所定の範囲の配向のすべてについて前記反射光学部品の反射面に入射するように、前記反射光学部品が前記第１の反射放射ビームの伝搬の方向に広がりを有する、請求項４乃至６に記載の減衰装置。
  8. 前記格子の前記配向を調整するために前記１つ以上の第１のアクチュエータを制御するように配置されたコントローラを更に含む、請求項７に記載の減衰装置。
  9. 前記コントローラが、センサから放射強度の指示を受け取り、前記指示の受け取りに応答して前記１つ以上の第１のアクチュエータを制御するように配置される、請求項８に記載の減衰装置。
  10. 前記放射がＥＵＶ放射を含む、請求項１乃至９のいずれかに記載の減衰装置。
  11. 放射ビームを生成するように動作可能な放射源と、
    前記放射ビームを受け取るように配置された請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の減衰装置と、
    前記減衰装置から減衰した放射ビームを受け取るように配置されている少なくとも１つのリソグラフィ装置と、
    を含む、リソグラフィシステム。
  12. メイン放射ビームを受け取り、少なくとも１つの分岐放射ビームを出力するように配置された放射ビームスプリッティング装置を更に含み、
    前記放射ビームが、前記少なくとも１つの分岐放射ビームの少なくとも一部分を含む、請求項１１に記載のリソグラフィシステム。
  13. 前記放射ビームスプリッティング装置が複数の分岐放射ビームを出力するように配置され、
    前記リソグラフィシステムが前記複数の分岐放射ビームのそれぞれについてそれぞれの減衰装置を含み、それぞれの減衰装置が前記複数の分岐放射ビームのそれぞれ１つを受け取るように配置される、請求項１２に記載のリソグラフィシステム。
  14. 前記放射源が１つ以上の自由電子レーザを含む、請求項１１乃至１３のいずれか１項に記載のリソグラフィシステム。
  15. 前記少なくとも１つのリソグラフィ装置が１つ以上のマスク点検装置を含む、請求項１１乃至１４のいずれか１項に記載のリソグラフィシステム。
JP2018506434A 2015-09-03 2016-08-03 減衰装置及び方法 Active JP6898304B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP15183681 2015-09-03
EP15183681.4 2015-09-03
PCT/EP2016/068528 WO2017036720A1 (en) 2015-09-03 2016-08-03 Attenuation apparatus and method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018534598A JP2018534598A (ja) 2018-11-22
JP6898304B2 true JP6898304B2 (ja) 2021-07-07

Family

ID=54062664

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018506434A Active JP6898304B2 (ja) 2015-09-03 2016-08-03 減衰装置及び方法

Country Status (8)

Country Link
US (1) US10495976B2 (ja)
EP (1) EP3345054A1 (ja)
JP (1) JP6898304B2 (ja)
KR (1) KR20180048970A (ja)
CN (1) CN108027567B (ja)
NL (1) NL2017276A (ja)
TW (1) TWI699555B (ja)
WO (1) WO2017036720A1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102018212224A1 (de) * 2018-07-23 2020-01-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung zur Rückkopplung von emittierter Strahlung in eine Laserquelle

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2745435A (en) 1951-10-11 1956-05-15 Hobbs Transmission Ltd Hydraulically actuated ring diaphragm
JPS54150147A (en) 1978-05-17 1979-11-26 Canon Inc Light attenuator
SU1506418A1 (ru) 1987-01-04 1989-09-07 Институт физики АН БССР Способ управлени интенсивностью монохроматического излучени
US4778263A (en) * 1987-05-29 1988-10-18 The United States Of America As Respresented By The Department Of Energy Variable laser attenuator
JPH07244199A (ja) * 1994-03-02 1995-09-19 Hitachi Ltd 投影露光方法及びその装置
US6864490B1 (en) 2002-06-27 2005-03-08 James H. Underwood Reflectometer device
JP2006501660A (ja) 2002-09-30 2006-01-12 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー 照明の同定用のセンサを備える波長≦１９３ｎｍ用の照明システム
US6747785B2 (en) 2002-10-24 2004-06-08 Hewlett-Packard Development Company, L.P. MEMS-actuated color light modulator and methods
EP1496521A1 (en) * 2003-07-09 2005-01-12 ASML Netherlands B.V. Mirror and lithographic apparatus with mirror
US7145640B2 (en) * 2004-03-22 2006-12-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and variable attenuator
JP2005340244A (ja) * 2004-05-24 2005-12-08 Nikon Corp 照明装置、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
DE102007047446A1 (de) * 2007-10-04 2009-04-09 Carl Zeiss Smt Ag Optisches Element mit wenigstens einem elektrisch leitenden Bereich und Beleuchtungssystem mit einem solchen Element
JP2010014418A (ja) 2008-07-01 2010-01-21 Japan Atomic Energy Agency 多層膜回折格子分光装置
US8604452B2 (en) * 2011-03-17 2013-12-10 Cymer, Llc Drive laser delivery systems for EUV light source
EP2579100A3 (en) * 2011-10-03 2017-12-06 ASML Holding N.V. Inspection apparatus, lithographic apparatus, and device manufacturing method
DE102013209042A1 (de) * 2013-05-15 2014-05-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
EP3011645B1 (en) * 2013-06-18 2019-03-13 ASML Netherlands B.V. Lithographic method and system
JP6396483B2 (ja) * 2013-10-30 2018-09-26 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィにおける対象物の位置決め
DE102014203348A1 (de) * 2014-02-25 2015-08-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Bündelverteilungsoptik, Beleuchtungsoptik mit einer derartigen Bündelverteilungsoptik, optisches System mit einer derartigen Beleuchtungsoptik sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen optischen System

Also Published As

Publication number Publication date
US20180239259A1 (en) 2018-08-23
TW201715271A (zh) 2017-05-01
EP3345054A1 (en) 2018-07-11
TWI699555B (zh) 2020-07-21
JP2018534598A (ja) 2018-11-22
NL2017276A (en) 2017-03-08
WO2017036720A1 (en) 2017-03-09
US10495976B2 (en) 2019-12-03
CN108027567A (zh) 2018-05-11
CN108027567B (zh) 2020-12-01
KR20180048970A (ko) 2018-05-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5785419B2 (ja) 光学要素を冷却する方法、リソグラフィ装置、およびデバイスを製造する方法
EP2326990B1 (en) Spectral purity filter, radiation source, lithographic apparatus, and device manufacturing method
KR100589241B1 (ko) 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및 그 디바이스
CN111051990B (zh) 用于光刻装置的光学部件的加热系统
TWI705308B (zh) 輻射光束裝置
TWI701522B (zh) 光譜特徵控制設備
KR20050007150A (ko) 거울 및 거울을 구비한 리소그래피 장치
CN116859498A (zh) 通过角度蚀刻工具中的基板旋转而控制蚀刻角度
KR20100106352A (ko) 방사선 시스템 및 방법, 및 스펙트럼 퓨리티 필터
JP5528449B2 (ja) スペクトル純度フィルタ、このスペクトル純度フィルタを備えたリソグラフィ装置、およびデバイス製造方法
JP6898304B2 (ja) 減衰装置及び方法
US11112618B2 (en) Beam splitting apparatus
US20190004218A1 (en) Reducing optical damage on an optical element
TWI808314B (zh) 光譜特徵調整器、其控制方法及光源設備
US20230375909A1 (en) Extreme ultraviolet light reflective structure including nano-lattice and manufacturing method thereof
EP3345023B1 (en) Beam splitting apparatus
WO2016134892A2 (en) Radiation beam apparatus
NL2018351A (en) Radiation System

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180410

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190729

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200526

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200708

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20201007

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210129

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210525

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210610

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6898304

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250