JP2005340244A - 照明装置、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 プラズマ発生時に飛散する粒子に対する高い耐久性を有し、かつ照明光として用いない光を利用して分光光学系の光学性能を検出することができる照明装置を提供する。
【解決手段】 被照射面Ｍの照明に用いる基準波長である必要光を含む極端紫外光を供給する光源手段４と、前記光源手段４から供給された前記必要光を被照射面Ｍに導く照明光学系２２，２４，２６，２８と、前記光源手段４と前記照明光学系２２，２４，２６，２８との間に配置され、前記極端紫外光を前記必要光と前記被照射面Ｍの照明に用いない不要光とに分光する分光手段１２と、前記分光手段１２により分光された前記不要光を検出する検出手段３２ａ，３２ｂとを備える。
【選択図】 図１

Description

この発明は、半導体素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等のマイクロデバイスをリソグラフィ工程で製造するための露光装置に用いられる照明装置、該照明装置を備えた露光装置、該照明装置を用いたマイクロデバイスの製造方法に関するものである。

マイクロデバイスの一つである液晶表示素子は、通常、ガラス基板（プレート）上に透明薄膜電極をフォトリソグラフィの手法で所望の形状にパターニングして、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）等のスイッチング素子及び電極配線を形成して製造される。このフォトリソグラフィの手法を用いた製造工程では、マスク上に形成された原画となるパターンを、投影光学系を介してフォトレジスト等の感光剤が塗布された感光性基板上に投影露光する投影露光装置が用いられている。

近年、半導体集積回路の高集積化、高密度化を実現するために、回路の線幅を更に細く、又は、パターンを更に精細にする必要が生じており、そのため、投影露光装置において解像度の向上が要求されている。投影露光装置において解像度を上げるために、露光光源波長としては、これまでに水銀灯（３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）等が実用化されており、より解像度を上げるために更なる短波長化が進められている。

即ち、露光光として波長が５０ｎｍより短いＥＵＶ光（極端紫外光）を用いてマスクのパターン像を感光性基板上に投影露光する投影露光装置が提案されている。ここで、ＥＵＶ光を供給する光源としては、レーザープラズマ光源と放電プラズマ光源が提案されている。レーザープラズマ光源は、プラズマ源が高照度のレーザー光によって照射されることによりプラズマ状態に励起され、ＥＵＶ光を放出する（例えば、特許文献１参照）。放電プラズマ光源は、プラズマ源が放電によりプラズマ状態に励起され、ＥＵＶ光を放出する。

ここで、レーザープラズマ光源と放電プラズマ光源はエキシマレーザー光源や水銀灯からなる光源等と比較して幅広い波長領域を有する光を射出するため、射出された光を反射型回折格子を用いて分光し、分光された光のうち照明光として用いない波長領域の光をスリットを有する遮光部材により遮蔽する照明光学系が存在する（例えば、特許文献２参照）。

特開平１１−３１２６３８号公報 特開２００２−１８４６９０号公報

ところで、上述のレーザープラズマ光源または放電プラズマ光源から射出されるＥＵＶ光を用いてマスクのパターン像を感光性基板上に投影露光する場合、短波長の光に対して高い透過率を有する硝材が限定されていることから、投影露光装置は反射型の光学系により構成される。反射型の光学系としては、多層膜反射鏡または斜入射型ミラー等が用いられるが、これら光学系の反射面に対するＥＵＶ光の反射率は７０〜８０％であるため、照明光（露光光）の光量の減少を極力抑制し、照明光を有効に利用する必要がある。

また、レーザープラズマ光源と放電プラズマ光源においては、プラズマが発生時に飛散する粒子が投影露光装置を構成する反射型光学系に衝突するため、光源から飛散した粒子が衝突した反射型光学系の部分が破損する。この照明光（露光光）の光量の減少及び反射型光学系の破損は、投影露光装置のスループットの低下を招くと共にランニングコストが高くなる要因となる。

更に、特許文献２に記載されている照明光学系においては、分光手段としての反射型回折格子の光学性能の劣化または被照射面を照明する照明光の波長を検出することができず、分光手段としての反射型回折格子が良好に機能しているか否かを確認することができない。

この発明の課題は、プラズマ発生時に飛散する粒子に対する高い耐久性を有し、かつ照明光として用いない光を利用して分光光学系の光学性能を検出することができる照明装置、該照明装置を備える露光装置及び該照明装置を用いたマイクロデバイスの製造方法を提供することである。

請求項１記載の照明装置は、被照射面の照明に用いる基準波長である必要光を含む極端紫外光を供給する光源手段と、前記光源手段から供給された前記必要光を被照射面に導く照明光学系と、前記光源手段と前記照明光学系との間に配置され、前記極端紫外光を前記必要光と前記被照射面の照明に用いない不要光とに分光する分光手段と、前記分光手段により分光された前記不要光を検出する検出手段とを備えることを特徴とする。

この請求項１記載の照明装置によれば、分光手段により分光された極端紫外光のうち被照射面の照明に用いない不要光を検出する検出手段を備えているため、被照射面の照明に用いない不要光を無駄にすることなく有効に活用することができる。また、検出手段により不要光を検出することにより、分光手段が良好に機能しているか否か等の検出を行うことができるため、分光手段の分光性能を高く維持することができる。従って、高い分光性能を有する分光手段により分光された必要光により被照射面を良好に照明することができる。

また、請求項２記載の照明装置は、前記検出手段により検出された前記不要光に基づいて、前記光源手段から供給される前記極端紫外光の基準波長及び前記極端紫外光の光強度分布の少なくとも一方を調整する調整手段を更に備えることを特徴とする。

この請求項２記載の照明装置によれば、検出手段により検出された不要光に基づいて極端紫外光の基準波長及び光強度分布の少なくとも一方を調整する調整手段を備えているため、調整された必要光により被照射面を良好に照明することができる。

また、請求項３記載の照明装置は、前記調整手段が前記分光手段の姿勢を変更することにより前記極端紫外光の基準波長及び前記極端紫外光の光強度分布の少なくとも一方を調整することを特徴とする。

この請求項３記載の照明装置によれば、分光手段の姿勢を変更することにより極端紫外光の基準波長及び光強度分布の少なくとも一方を調整する調整手段を備えているため、分光手段の分光性能を高く維持することができる。従って、高い分光性能を有する分光手段により分光された必要光により被照射面を良好に照明することができる。

また、請求項４記載の照明装置は、被照射面の照明に用いる基準波長である必要光を含む極端紫外光を供給する光源手段と、前記光源手段から供給された前記必要光を被照射面に導く照明光学系と、前記光源手段の前記極端紫外光を射出する光源部から飛散する不要物を除去する不要物除去手段と、前記光源手段と前記照明光学系との間に配置され、前記極端紫外光を前記必要光と前記被照射面の照明に用いない不要光とに分光する分光手段と、前記分光手段により分光された前記不要光に基づいて前記不要物除去手段及び前記分光手段の少なくとも一方の汚染度を検出する検出手段とを備えることを特徴とする。

この請求項４記載の照明装置によれば、光源手段が備える光源部から飛散する不要物を除去する不要物除去手段を備えているため、照明装置が備える照明光学系または分光手段に含まれる光学部材に不要物が衝突することにより生じる照明光学系または分光手段に含まれる光学部材の損傷を防止することができる。また、光源手段から供給される極端紫外光を被照射面の照明に用いる必要光と被照射面の照明に用いない不要光とに分光する分光手段により分光された不要光に基づいて、不要物除去手段及び分光手段の少なくとも一方の汚染度を検出する検出手段を備えているため、不要光を無駄にすることなく有効に活用することができる。即ち、不要光を用いて不要物除去手段及び分光手段の少なくとも一方の汚染度を検出することにより、不要物除去手段、分光手段が良好に機能しているか否か等の検出を行うことができる。従って、不要物除去手段及び分光手段の性能を高く維持することができ、必要光により被照射面を良好に照明することができる。

また、請求項５記載の照明装置は、前記不要物除去手段が前記光源手段から射出される前記極端紫外光の進行方向に沿って移動可能に構成されていることを特徴とする。

この請求項５記載の照明装置によれば、不要物除去手段が光源手段から射出される極端紫外光の進行方向に沿って移動可能に構成されているため、不要物除去手段を移動させることにより極端紫外光の基準波長及び光強度分布の少なくとも一方を容易に調整することができる。

また、請求項６記載の照明装置は、前記不要物除去手段が交換可能に構成されていることを特徴とする。この請求項６記載の照明装置によれば、不要物除去手段が交換可能に構成されているため、検出手段が検出する不要物除去手段の汚染度が許容値を超えた場合に、不要物除去手段を交換することができ、照明装置の長寿命化を実現することができる。

また、請求項７記載の照明装置は、被照射面の照明に用いる基準波長である必要光を含む極端紫外光を供給する光源手段と、前記光源手段から供給された前記必要光を被照射面に導く照明光学系と、前記光源手段の前記極端紫外光を射出する光源部から飛散する不要物を除去する不要物除去手段と、前記光源手段と前記照明光学系との間に配置され、前記極端紫外光を前記必要光と前記被照射面の照明に用いない不要光とに分光する分光手段と、前記分光手段により分光された前記不要光に基づいて、複数種類の検出値の検出を行う検出手段とを備えることを特徴とする。

また、請求項８記載の照明装置は、前記複数種類の検出値には、前記極端紫外光の基準波長、前記極端紫外光の光強度分布、前記必要光を用いる露光の露光量、前記不要物除去手段及び前記分光手段の少なくとも一方の汚染度、及び前記分光手段の光学調整値の少なくとも１つが含まれることを特徴とする。

この請求項７及び請求項８記載の照明装置によれば、分光手段により分光された被照射面の照明に用いない不要光に基づいて、極端紫外光の基準波長、極端紫外光の光強度分布、必要光を用いる露光の露光量、不要物除去手段及び分光手段の少なくとも一方の汚染度、及び分光手段の光学調整値の少なくとも１つが含まれる複数種類の検出値の検出を行う検出手段を備えている。従って、被照射面の照明に用いない不要光を無駄にすることなく、複数種類の検出値を検出するために有効に活用することができる。

また、請求項９記載の照明装置は、前記分光手段が前記極端紫外光に含まれる前記極端紫外光の基準波長より長い波長の光を除去する長波長除去手段と、前記極端紫外光に含まれる前記極端紫外光の基準波長より短い波長の光を除去する短波長除去手段と、前記長波長除去手段及び前記短波長除去手段を介した光から前記不要光を除去する不要光除去手段とを備えることを特徴とする。

また、請求項１０記載の照明装置は、前記検出手段が少なくとも２つの検出部を有することを特徴とする。

また、請求項１１記載の照明装置は、前記分光手段と前記検出部との間にキャピラリーアレイ結像系を備えることを特徴とする。

この請求項９〜請求項１１に記載の照明装置によれば、極端紫外光の基準波長より長い波長の光を除去する長波長除去手段と、極端紫外光の基準波長より短い波長の光を除去する短波長除去手段とを備え、更に長波長除去手段及び短波長除去手段を介した光から被照射面の照明に用いない不要光を除去する不要光除去手段を備えているため、被照射面の照明に用いる必要光により被照射面を良好に照明することができる。

また、請求項１２記載の露光装置は、感光性基板上にマスクのパターンを転写する露光装置において、前記マスクを照明するための請求項１乃至請求項１１の何れか一項に記載の照明装置を備えることを特徴とする。

この請求項１２記載の露光装置によれば、請求項１乃至請求項１１の何れか一項に記載の照明装置を備えているため、適切な波長の照明光によりマスクの照明を行うことができ、スループット良く、良好な露光を行うことができる。

また、請求項１３記載のマイクロデバイスの製造方法は、請求項１乃至請求項１１の何れか一項に記載の照明装置を用いてマスクを照明する照明工程と、前記照明工程により照明された前記マスクに形成されたパターン像を感光性基板上に露光する露光工程と、前記露光工程により露光された前記感光性基板を現像する現像工程とを含むことを特徴とする。

この請求項１３記載のマイクロデバイスの製造方法によれば、請求項１乃至請求項１１の何れか一項に記載の照明装置を用いて適切な照明光によりマスクの照明を行うことができるため、スループット良く、マイクロデバイスの製造を行うことができる。

この発明の照明装置によれば、分光手段により分光された極端紫外光のうち被照射面の照明に用いない不要光を検出する検出手段を備えているため、被照射面の照明に用いない不要光を無駄にすることなく有効に活用することができる。また、検出手段により不要光を検出することにより、分光手段が良好に機能しているか否か等の検出を行うことができるため、分光手段の分光性能を高く維持することができる。従って、高い分光性能を有する分光手段により分光された必要光により被照射面を良好に照明することができる。

また、光源手段が備える光源部から飛散する不要物を除去する不要物除去手段を備えているため、照明装置が備える照明光学系または分光手段に含まれる光学部材に不要物が衝突することにより生じる照明光学系または分光手段に含まれる光学部材の損傷を防止することができる。また、光源手段から供給される極端紫外光を被照射面の照明に用いる必要光と被照射面の照明に用いない不要光とに分光する分光手段から分光された不要光に基づいて、不要物除去手段及び分光手段の少なくとも一方の汚染度を検出する検出手段を備えているため、不要光を無駄にすることなく不要物除去手段及び分光手段の汚染度を検出することができる。また、検出手段により不要物除去手段及び分光手段の少なくとも一方の汚染度を検出することにより、不要物除去手段が良好に機能しているか否か等の検出を行うことができる。従って、不要物除去手段及び分光手段の性能を高く維持することができ、極端紫外光のうち被照射面の照明に用いる必要光により被照射面を良好に照明することができる。

また、複数種類の検出値の検出を行う検出手段を備えているため、複数種類の検出値を検出するために被照射面の照明に用いない不要光を無駄にすることなく有効に活用することができる。

また、極端紫外光の基準波長より長い波長の光を除去する長波長除去手段と、極端紫外光の基準波長より短い波長の光を除去する短波長除去手段とを備え、更に被照射面の照明に用いない不要光を除去する不要光除去手段を備えているため、必要光により被照射面を良好に照明することができる。

また、この発明の露光装置によれば、この発明の照明装置を備えているため、適切な波長の照明光によりマスクの照明を行うことができ、スループット良く、良好な露光を行うことができる。

また、この発明のマイクロデバイスの製造方法によれば、この発明の照明装置を用いて適切な波長の照明光によりマスクの照明を行うことができるため、スループット良く、マイクロデバイスの製造を行うことができる。

以下、図面を参照して、この発明の実施の形態にかかる投影露光装置について説明する。図１は、この実施の形態にかかる投影露光装置の概略構成を示す図である。この投影露光装置は、照明光をマスク（被照射面）Ｍに導く照明装置を備えている。この照明装置は、後述する放電プラズマ光源４、同心円状コリメーター６、キャピラリーアレイ８、斜入射型ミラー１０、斜入射型回折格子１４、同心円状コレクター１８を備える分光光学系及び後述する入射側反射型フライアイ光学系２２、射出側反射型フライアイ光学系２４、コンデンサーミラー２６，２８を備える照明光学系により構成されている。

放電プラズマ光源（光源手段及び光源部）４は、マスクＭの照明に用いる基準波長（この実施の形態においては、１３．５ｎｍ）の光を含むＥＵＶ（extreme ultra violet、極端紫外）光を射出する。この実施の形態にかかるＥＵＶ光には、赤外域から極端紫外域までの波長の光が含まれる。なお、この実施の形態においては、光源として放電プラズマ光源を用いているが、レーザープラズマ光源を用いてもよい。

放電プラズマ光源４から射出したＥＵＶ光は、ルテニウムまたはモリブデンで形成されている同心円状コリメーター６を通過することにより略平行光束となり、キャピラリーアレイ（不要物除去手段）８に入射する。同心円状コリメーター６は、ＥＵＶ光の進行方向及びその進行方向と直交する方向に移動可能に構成されており、同心円状コリメーター６を移動させることにより同心円状コリメーター６を通過するＥＵＶ光の基準波長及びＥＵＶ光の光強度分布の少なくとも一方を調整することができる。

キャピラリーアレイ８は、例えば鉛ガラス等により形成された多数の毛細管を束ねて構成されており、放電プラズマ光源４においてプラズマが発生するときに飛散した粒子（不要物）を除去する。即ち、キャピラリーアレイ８を構成する多数の微細な毛細管内の壁面に飛散した粒子（以下、飛散物という。）が付着する。なお、キャピラリーアレイ８の毛細管の長さを長くすることにより飛散物を除去する効率を高めることができる。また、キャピラリーアレイ８を冷却することにより飛散物を除去する効率を高めることができる。即ち、飛散物が冷却されたキャピラリーアレイ８を通過することにより飛散物の運動エネルギが減少し、運動エネルギを失った飛散物はキャピラリーアレイ８を構成する毛細管内に付着する。また、キャピラリーアレイ８は、ＥＵＶ光の進行方向に沿って移動可能、かつ交換可能に構成されており、キャピラリーアレイ８を移動させることによりキャピラリーアレイ８を通過するＥＵＶ光の基準波長及びＥＵＶ光の光強度分布の少なくとも一方を調整することができる。

キャピラリーアレイ８を通過したＥＵＶ光は、ルテニウムにより形成されている斜入射型ミラー（短波長除去手段）１０に入射する。斜入射型ミラー１０は、その姿勢が変更可能に構成されている。即ち、斜入射型ミラー１０に入射する入射光の入射角度及び入射位置が変化するように移動可能に構成されている。斜入射型ミラー１０は、ＥＵＶ光に含まれる基準波長より短い波長の光を除去する機能を有している。即ち、この実施の形態においては波長が１３．５ｎｍの光を露光光（照明光）として用いる。従って、波長が１３．５ｎｍの光が最も効率良く反射する１０度以下の斜入射角度でＥＵＶ光が入射するように、斜入射ミラー１０は配置されている。従って、波長が１３．５ｎｍより短い波長の光は、斜入射型ミラー１０により反射されずに斜入射型ミラー１０によりほぼ吸収される。

斜入射ミラー１０により反射されたＥＵＶ光は、回折素子としての斜入射型回折格子（分光手段）１４に入射する。斜入射型回折格子１４は、その姿勢が変更可能に構成されている。即ち、斜入射型回折格子１４に入射する入射光の入射角度及び入射位置が変化するように移動可能に構成されている。ここで、一般に、回折格子は、ガラス基板に光束の波長程度のピッチを有する段差を形成することによって構成され、回折格子に入射した光を所望の角度に回折する作用を有する。また、入射光に対して回折光が生じる方向により透過型回折格子と反射型回折格子（斜入射型回折格子）に分類される。この実施の形態にかかる斜入射型回折格子１４は、斜入射型回折格子１４に入射したＥＵＶ光をマスクＭの照明に用いる必要な使用波長の光（露光光）とマスクＭの照明に用いない不必要な波長の光（計測用の光）とに分光する。

必要な使用波長の光は、図１に示すように、不必要な波長の光の除去手段としての遮蔽板１６ａと遮蔽板１６ｂとの間を通過する。遮蔽板１６ａ及び１６ｂは、必要な使用波長の光（ＥＵＶ光）を基準としてこれよりも長い波長の光と短い光を除去する。遮蔽板１６ａと遮蔽板１６ｂとの間を通過した必要光は同心円状コレクター１８を通過すことにより集光される。

斜入射型回折格子は斜入射による高反射率を利用できるものであれば、どのような形式のものを用いても良いが、ここでは最も回折効率の高いブレーズド型回折格子を使用することにし、以下ではそれを前提とした説明を行う。

斜入射型回折格子１４により分光された不必要な波長の光であって、斜入射型回折格子１４に入射したＥＵＶ光の回折光は、波長が必要な使用波長より短い場合、第１集光型キャピラリーアレイ（キャピラリーアレイ結像系）３０ａに入射し、波長が必要な使用波長より長い場合、第２集光型キャピラリーアレイ（キャピラリーアレイ結像系）３０ｂに入射する。

図２は、第１集光型キャピラリーアレイ３０ａ及び後述する第１検出器アレイ３２ａの構成を示す図である。図２に示すように、第１集光型キャピラリーアレイ３０ａは多数の毛細管（図２に示す５つの毛細管３１ａ〜３１ｅ及び図示しない多数の毛細管）により構成されており、この多数の毛細管３１ａ〜３１ｅの射出端は集光作用を有する円錐型形状、ウォルターＩ型形状、放物面型形状のいずれかに形成されている。従って、必要な使用波長以外の光のうち短波長のものは、第１集光型キャピラリーアレイ３０ａを通過することにより集光される。長波長のものは第２集光型キャピラリーアレイ３０ｂを通過することで集光される。

また、光の波長により回折角が異なることから、多数の毛細管３１ａ〜３１ｅのそれぞれに入射する不必要な波長の光の波長は異なる。即ち、例えば毛細管３１ａに入射する回折光の波長よりも毛細管３１ｂに入射する回折光の波長は長くなり、更に、毛細管３１ｃ、毛細管３１ｄ、毛細管３１ｅに入射する回折光の波長は順次長くなる。

第１集光型キャピラリーアレイ３０ａの多数の毛細管３１ａ〜３１ｅのそれぞれの射出端から射出した回折光は、第１検出器アレイ（検出部）３２ａに入射する。ここで、第１検出器アレイ３２ａは、図２に示すように、第１集光型キャピラリーアレイ３０ａを構成する多数の毛細管３１ａ〜３１ｅのそれぞれに対応した半導体ディテクターにより構成される検出器（図２に示す５つの検出器３３ａ〜３３ｅ及び図示しない多数の検出器）３３ａ〜３３ｅを備えており、第１集光型キャピラリーアレイ３０ａを通過した不必要な波長の光が集光する位置またはその近傍に配置されている。多数の検出器３３ａ〜３３ｅのそれぞれは、それぞれの検出器に対応する毛細管を通過した回折光の光強度を検出する。例えば、検出器３３ａは、検出器３３ａに対応する毛細管３１ａを通過した回折光の光強度を検出する。同時に、多数の検出器３３ｂ〜３３ｅのそれぞれは、多数の毛細管３１ｂ〜３１ｅのそれぞれを通過した回折光の強度を検出する。

ここで、それぞれの毛細管３１ａ〜３１ｅに入射する回折光の波長が異なっているため、それぞれの検出器３３ａ〜３３ｅは、それぞれ波長が異なる光の光強度を検出する。従って、それぞれの検出器３３ａ〜３３ｅが検出する光強度に基づいて、回折光の強度分布を得ることができる。第１検出器アレイ３２ａは、それぞれの検出器３３ａ〜３３ｅが検出した回折光の強度分布の検出信号を後述する制御装置３４に出力する。

以上は必要な使用波長の光よりも波長の短い不必要な波長の光についての説明であったが、波長の長い不必要な波長の光についてもまた同様である。

斜入射型回折格子１４に入射したＥＵＶ光に対する使用波長の光よりも波長の長い光は、第２集光型キャピラリーアレイ（キャピラリーアレイ結像系）３０ｂに入射する。第２集光型キャピラリーアレイ３０ｂは、第１集光型キャピラリーアレイ３０ａと同様に、多数の毛細管により構成されており、この多数の毛細管の射出端は集光作用を有する形状（集光作用を有する円錐型形状、ウォルターＩ型形状、放物面型形状）に形成されている。従って、使用波長以外の不要な光は、第２集光型キャピラリーアレイ３０ｂを通過することにより集光される。また、光の波長により回折角が異なることから、多数の毛細管のそれぞれに入射する回折光の波長は異なる。

第２集光型キャピラリーアレイ３０ｂの多数の毛細管のそれぞれの射出端から射出した必要な使用波長の光よりも波長の長い回折光は、第２検出器アレイ（検出部）３２ｂに入射する。ここで、第２検出器アレイ３２ｂは、第２集光型キャピラリーアレイ３０ｂを構成する多数の毛細管のそれぞれに対応した半導体ディテクターにより構成される多数の検出器を備えており、第２集光型キャピラリーアレイ３０ｂを通過した使用波長以外の不要な波長の光が集光する位置またはその近傍に配置されている。多数の検出器のそれぞれは、それぞれの検出器に対応する毛細管を通過した回折光の強度を検出する。

必要な使用波長の光よりも波長の短い不必要な波長の光の場合と同様にここで毛細管を通過する光の光強度を検出する。従って、それぞれの検出器が検出する光強度に基づいて、使用波長よりも長い波長領域での回折光の強度分布を得ることができる。第２検出器アレイ３２ｂは、それぞれの検出器が検出した使用波長よりも長い波長領域での回折光の強度分布の信号を後述する制御装置３４へ出力する。

図１に示すように、放電プラズマ光源４及び同心円状コリメーター６、キャピラリーアレイ８、斜入射型ミラー１０、斜入射型回折格子１４を備える分光光学系及び集光型キャピラリーアレイ３０ａ，３０ｂ及び検出器アレイ３２ａ，３２ｂ等は、ピンホール２０を備えて構成されるチャンバー２内に収納されており、同心円状コレクター１８を通過することにより集光された必要光はピンホール２０を通過する。

チャンバー２は、キャピラリーアレイ８において除去することができなかった飛散物が照明光学系やマスクＭが設置されている領域内へ侵入するのを防止する。また、チャンバー２は、分光光学系を通過したＥＵＶ光であって照明に用いない迷光が照明光学系やマスクＭが設置されている領域内へ侵入するのも防止する。

ピンホール２０を通過した必要光は特定の発散角を持った状態で反射型オプティカルインテグレーター（２２，２４）に入射する。反射型オプティカルインテグレーター（２２，２４）は、マスクＭを照明領域とほぼ相似な形状（円弧形状や矩形形状等）を持つ多数の反射型素子が稠密に並列配置されて構成される入射側反射型フライアイ光学系２２と、矩形形状を有する多数の反射型素子が稠密に配列配置されて構成される射出側反射型フライアイ光学系２４とを有している。

なお、入射側反射型フライアイ光学系２２は、マスクＭの設定位置やウエハＷの設定位置と光学的に共役な位置またはその近傍に配置されており、射出側反射型フライアイ光学系２４は、照明系の瞳位置や投影光学系ＰＬの瞳位置（投影光学系の開口絞り位置）と光学的に共役な位置またはその近傍に配置されている。

この入射側反射型フライアイ光学系２２及び射出側反射型フライアイ光学系２４の反射作用により、射出側反射型フライアイ光学系２４の射出側には、多数の光源像（２次光源）が形成される。この射出側反射型フライアイ光学系２４により形成される多数の光源像（２次光源）からの光束は、コンデンサーミラー２６、２８により順次反射され、反射型マスクＭへ導かれる。

コンデンサーミラー２８により反射された必要光、即ち照明装置から射出した必要光は、所定の回路パターンが形成されている反射型マスクＭ上を重畳的に均一照明する。反射型マスクＭにより反射された必要光は、図示しない複数の結像用反射部材を備える反射型投影光学系ＰＬを介してレジストが塗布された感光性基板としてのウエハＷ上にマスクＭに形成されたパターン像を投影露光する。

なお、この図１においては、ピンホール２０に対して、特定の発散角を持った光を入射側反射型フライアイ光学系２２に入射させた例を示しているが、必要に応じて平行光束にする作用を持つコリメーター光学系をピンホール２０と入射側反射型フライアイ光学系２２との間に配置して、入射側反射型フライアイ光学系２２に対してほぼ平行光束を入射させる構成にすることも可能である。

また、この実施の形態にかかる投影露光装置は、制御装置３４を備えている。制御装置３４には、第１検出器アレイ３２ａ及び第２検出器アレイ３２ｂが接続されており、第１検出器アレイ３２ａ、第２検出器アレイ３２ｂを構成する多数の検出器から不要光の光強度の検出信号が入力される。また、制御装置３４には、コリメーター駆動装置３６、キャピラリーアレイ駆動装置３８、斜入射型ミラー駆動装置４０、回折格子駆動装置４２が接続されている。

コリメーター駆動装置３６は、制御装置３４からの制御信号に基づいて、同心円状コリメーター６をＥＵＶ光の進行方向及びその進行方向と直交する方向に移動させる。キャピラリーアレイ駆動装置３８は、制御装置３４からの制御信号に基づいて、キャピラリーアレイ８のＥＵＶ光の進行方向に沿った移動を行う。斜入射型ミラー駆動装置４０は、制御装置３４からの制御信号に基づいて、斜入射型ミラー１０に入射する入射光の入射角度及び入射位置が変化するように斜入射型ミラー１０の姿勢の変更を行う。回折格子駆動装置４２は、制御装置３４からの制御信号に基づいて、斜入射型回折格子１４に入射する入射光の入射角度及び入射位置が変化するように斜入射型回折格子１４の姿勢の変更を行う。

制御装置３４は、第１検出器アレイ３２ａ及び第２検出器アレイ３２ｂから出力される不要光の光強度分布に基づいて、複数種類の検出値の検出を行う。ここで、複数種類の検出値には、ＥＵＶ光の基準波長、ＥＵＶ光の光強度分布、必要光を用いる露光の露光量、キャピラリーアレイ８、斜入射型ミラー１０及び斜入射型回折格子１４の汚染度、斜入射型ミラー１０及び斜入射型回折格子１４の光学調整値等が含まれる。

即ち、予め記憶されている複数種類の検出値に対応した最適値を参照することにより、検出された複数種類の検出値に基づいて、ＥＵＶ光の基準波長、ＥＵＶ光の光強度分布、必要光を用いる露光の露光量、キャピラリーアレイ８、斜入射型ミラー１０及び斜入射型回折格子１４の汚染度、斜入射型ミラー１０及び斜入射型回折格子１４の光学調整値等の検出を行う。

ここで、例えば、キャピラリーアレイ８，斜入射型ミラー１０，斜入射回折格子１４等の分光光学系において汚染物が付着することによりその光学素子の反射率が低下しているときには、検出される分光光学系の分光特性と最適な分光光学系の分光特性とは同一であるが、検出されるＥＵＶ光の光強度が最適なＥＵＶ光の光強度より小さい値を示し、必要光を用いる露光の露光量と最適な露光量とが異なってくる。このため、制御装置３４は、第１及び第２の検出手段（３２ａ、３２ｂ）を介して得られる光電情報に基づいて、現在の露光量を算出し、その後、光学部材の汚染により不足する露光時間を算出する。そして、制御装置３４は、照明光路（キャピラリーアレイ８の射出側等）に配置された不図示のシャッターの動作を不図示のシャッター駆動系を介して、光学部材の汚染度に応じて露光時間を長くして適正露光量となるように制御する。または、制御装置３４は、光学部材の汚染度に応じてプラズマ光源４からの出力が大きくなるように、プラズマ光源４の出力を制御するようにしても良い。

また、制御装置３４は、第１及び第２の検出手段（３２ａ、３２ｂ）を介して得られる光電情報に基づいて、キャピラリーアレイ８、斜入射型ミラー１０、斜入射型回折格子１４等の汚染度を検出することができる。例えば、各素子の汚染の度合いに関して重み付けを付与し、制御装置３４は、重み付け検出することにより、個々の各光学素子の汚染度を精度良く検出することができる。ここで、制御装置３４は、許容値を超える場合には、汚染された光学素子を交換すべき旨の警告を不図示の表示手段にて表示させることができ、これにより、作業者は、汚染により光学特性が劣化した光学素子を適宜交換すればよい。

また、キャピラリーアレイ８，斜入射型ミラー１０，斜入射型回折格子１４等の分光光学系の配置位置が正確でない場合には、検出される分光光学系の分光特性と最適な分光光学系の分光特性との間に相違が生じ、検出されるＥＵＶ光の光強度分布と最適なＥＵＶ光の光強度分布との間に相違が生じ、検出されるＥＵＶ光の基準波長と最適なＥＵＶ光の基準波長との間に相違が生じる。従って、不要光の光強度分布に基づいて、キャピラリーアレイ８，斜入射型ミラー１０，斜入射型回折格子１４等の光学調整値の検出を行うことができる。

次に、制御装置３４は、検出された複数種類の検出値と予め記憶されている複数種類の最適値（参照値）とに基づいて、分光光学系の調整量を算出する。そして、算出された調整量に基づいて、コリメーター駆動装置３６、キャピラリーアレイ駆動装置３８、斜入射型ミラー駆動装置４０、回折格子駆動装置４２の少なくとも１つの駆動装置を介して、同心円状コリメーター（調整手段）６のＥＵＶ光の進行方向及びその進行方向と直交する方向への移動、キャピラリーアレイ（調整手段）８のＥＵＶ光の進行方向に沿った移動、斜入射型ミラー（調整手段）１０の姿勢の変更、斜入射型回折格子（調整手段）１４の姿勢の変更の少なくとも１つを行い、ＥＵＶ光が精度良く分光されるようにＥＵＶ光の基準波長及びＥＵＶ光の光強度分布の少なくとも一方の調整を行う。また、制御装置３４は、検出される分光光学系の汚染度が許容値を超えた場合には、キャピラリーアレイ８の交換が必要であると判断し、キャピラリーアレイ８の交換が必要であることを知らせる信号を出力する。

この実施の形態にかかる露光装置によれば、ＥＵＶ光のうちマスクＭの照明に用いない不要光を検出する第１検出器アレイ３２ａ及び第２検出器アレイ３２ｂを備えているため、マスクの照明に用いない不要光を無駄にすることなく有効に活用することができる。また、第１検出器アレイ３２ａ及び第２検出器アレイ３２ｂにより不要光を検出することにより、キャピラリーアレイ８、斜入射型ミラー１０、斜入射型回折格子１４等の分光光学系が良好に機能しているか否か等を検出することができ、分光光学系の分光性能を高く維持することができる。

また、放電プラズマ光源４から飛散する飛散物を除去するキャピラリーアレイ８を備えているため、分光光学系に含まれる光学素子または照明光学系を構成する光学素子に飛散物が衝突することにより生じる損傷を防止することができる。また、マスクＭの照明に用いない不要光に基づいて、キャピラリーアレイ８、斜入射型ミラー１０、斜入射型回折格子１４の汚染度を検出することができるため、分光光学系が良好に機能しているか否か等を検出することができ、分光光学系の分光性能を高く維持することができる。

また、第１検出器アレイ３２ａ及び第２検出器アレイ３２ｂが検出する不要光の光強度に基づいて複数種類の検出値の検出を行うため、不要光を複数種類の検出値の検出のために有効に活用することができる。

なお、この実施の形態にかかる投影露光装置においては、放電プラスマ光源４から飛散する粒子を除去するキャピラリーアレイ８を備えているが、このキャピラリーアレイ８は、キャピラリーアレイ８を構成する多数の毛細管の径の値を選択することにより、ＥＵＶ光に含まれるＥＵＶ光の基準波長より長い波長の光を除去することができる。即ち、キャピラリーアレイ８は、キャピラリーアレイ８の毛細管の径の値を選択することにより、ＥＵＶ光に含まれる基準波長より長い波長の光を分光する機能を有する。

図３は、キャピラリーアレイ８が有する、ＥＵＶ光に含まれる基準波長より長い波長の光を分光する機能を説明するための図である。図３に示すように、キャピラリーアレイ８を構成する多数の毛細管のうちの１つの毛細管８ａの径の大きさをＡとするとき、光の回折角は、λ／Ａとなる。ここで、λは、光の波長を示している。即ち、光の波長が長くなると回折角は大きくなる。従って、毛細管８ａの径Ａの大きさを基準波長よりも長い波長の光の回折角が大きくなる値とすることにより、基準波長より短い波長の光は、毛細管８ａを通過して、図３において実線で示す矢印Ｂの方向に進行する。また、基準波長より長い波長の光は、毛細管８ａを通過して、図３において破線で示す矢印Ｃの方向に進行する。なお、キャピラリーアレイ８を構成する毛細管８ａ以外の毛細管を通過する長波長及び短波長の光も、毛細管８ａを通過する光と同様に進行する。

図４は、図３に示すキャピラリーアレイ８を通過したＥＵＶ光が斜入射型ミラー１０に入射する光路を示す図である。図４に示すように、キャピラリーアレイ８を通過した基準波長より短い波長の光は、図４において実線で示す矢印Ｂの方向に進行し、斜入射ミラー１０に入射する。

一方、図４に示すように、キャピラリーアレイ８を通過した基準波長より長い波長の光は、図４において破線で示す矢印Ｃの方向に進行する。斜入射ミラー１０に大きい斜入射角度で入射する長波長の光は、斜入射ミラー１０の吸収率が増大することから、斜入射ミラー１０により吸収される。また、斜入射ミラー１０に到達しない長波長の光は、その光路中に遮蔽板１２を配置して遮蔽する。なお、基準波長より長波長の光の全部を遮蔽する遮蔽板を備えるように構成してもよい。従って、キャピラリーアレイ８、斜入射ミラー１０及び遮蔽板１２により、ＥＵＶ光に含まれる基準波長よりも長波長の光を良好に除去することができる。

また、基準波長より長い波長の光を除去する別の分光光学素子を備えるようにしてもよい。即ち図５に示すような平板の開口部５０ａにＥＵＶ光に対して高い透過率を持つＢｅ（ベリリウム）などの物質で構成された細線５０ｂを略等間隔に装着して構成される透過型分光素子５０を備えるようにしてもよい。この透過型分光素子５０は、キャピラリーアレイ８と斜入射型ミラー１０の間の照明光路中、または斜入射型ミラー１０と斜入射型回折格子１４との間の照明光路中に配置されることが望ましい。この場合においても、ＥＵＶ光の基準波長よりも長波長の光を良好に除去することができるため、所望の波長の光を良好に取り出すことができる。

また、この実施の形態にかかる投影露光装置においては、ＥＵＶ光に含まれる基準波長より短い波長の光を除去するルテニウムにより形成される斜入射型ミラー１０を備えているが、耐熱性に優れている石英により形成される斜入射型ミラーを備えるようにしてもよい。この場合には、ルテニウムにより形成される斜入射型ミラーと比較して斜入射型ミラーに対する反射率は減少するが、石英により形成される斜入射型ミラーは紫外光、可視光、赤外光に渡る波長域で高い透過率を持っている。これにより、この石英により形成される斜入射型ミラーは、キャピラリーアレイの開口部で回折したこれらの不要な光を透過させるため、ＥＵＶ光域の不要光だけでなく、これら紫外光から赤外光にわたる不要な光も除去することができる。

また、この実施の形態にかかる投影露光装置においては、ＥＵＶ光に含まれる基準波長より短い波長の光を除去するルテニウムにより形成される斜入射型ミラー１０を備えているが、特定の波長にのみ反射作用を有する多層膜ミラーを備えるようにしてもよい。この多層膜ミラーは、入射光が小さい斜入射角度で入射する位置、または入射光が小さい直入射角度で入射する位置に配置されることが望ましい。この場合においても、所望の波長（基準波長）のＥＵＶ光を良好に取り出すことができる。

また、この実施の形態にかかる投影露光装置においては、キャピラリーアレイ８と斜入射型回折格子１４の間に斜入射型ミラー１０を備えているが、斜入射型ミラーに代えて斜入射型回折格子を備えるようにしてもよい。この場合には、分光特性が向上するため、より高精度に所望の波長（基準波長）のＥＵＶ光を取り出すことができる。

また、この実施の形態にかかる投影露光装置においては、キャピラリーアレイ８を交換可能に構成しているが、斜入射型ミラー１０、斜入射型回折格子１４を交換可能に構成してもよい。この場合においては、制御装置により検出される斜入射型ミラー、斜入射型回折格子の汚染度が許容値を超えた場合に、斜入射型ミラー、斜入射型回折格子の交換を行うことができ、露光装置及び照明装置の長寿命化を実現することができる。

また、この実施の形態にかかる投影露光装置においては、検出器アレイを２つ備え、各検出器アレイが検出する不要光に基づいて複数種類の検出値の検出を行っているが、１つの検出器アレイを備え、この検出器アレイにより検出される不要光に基づいて複数種類の検出値の検出を行ってもよい。この場合においても、分光光学系が良好に機能しているか否か等の検出を良好に行うことができる。

上述の実施の形態にかかる露光装置では、照明光学系によってレチクル（マスク）を照明し、投影光学系を用いてマスクに形成された転写用のパターンを感光性基板（ウエハ）に露光する（露光工程）ことにより、マイクロデバイス（半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等）を製造することができる。以下、上述の実施の形態にかかる露光装置を用いて感光性基板としてのウエハ等に所定の回路パターンを形成することによって、マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法の一例につき図６のフローチャートを参照して説明する。

先ず、図６のステップＳ３０１において、１ロットのウエハ上に金属膜が蒸着される。次のステップＳ３０２において、そのｌロットのウエハ上の金属膜上にフォトレジストが塗布される。その後、ステップＳ３０３において、上述の実施の形態にかかる露光装置を用いて、マスク上のパターンの像がその投影光学系を介して、その１ロットのウエハ上の各ショット領域に順次露光転写される。その後、ステップＳ３０４において、その１ロットのウエハ上のフォトレジストの現像が行われた後、ステップＳ３０５において、その１ロットのウエハ上でレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことによって、マスク上のパターンに対応する回路パターンが、各ウエハ上の各ショット領域に形成される。

その後、更に上のレイヤの回路パターンの形成等を行うことによって、半導体素子等のデバイスが製造される。上述のマイクロデバイス製造方法によれば、上述の実施の形態にかかる露光装置を用いて露光を行うため、適切な波長の照明光によりマスクの照明を行うことができ、極めて微細な回路パターンを有するマイクロデバイスを精度良く得ることができる。なお、ステップＳ３０１〜ステップＳ３０５では、ウエハ上に金属を蒸着し、その金属膜上にレジストを塗布、そして露光、現像、エッチングの各工程を行っているが、これらの工程に先立って、ウエハ上にシリコンの酸化膜を形成後、そのシリコンの酸化膜上にレジストを塗布、そして露光、現像、エッチング等の各工程を行っても良いことはいうまでもない。

また、上述の実施の形態にかかる露光装置では、プレート（ガラス基板）上に所定のパターン（回路パターン、電極パターン等）を形成することによって、マイクロデバイスとしての液晶表示素子を得ることもできる。以下、図７のフローチャートを参照して、このときの手法の一例につき説明する。図７において、パターン形成工程Ｓ４０１では、上述の実施の形態にかかる露光装置を用いてマスクのパターンを感光性基板（レジストが塗布されたガラス基板等）に転写露光する、所謂光リソグラフィ工程が実行される。この光リソグラフィ工程によって、感光性基板上には多数の電極等を含む所定パターンが形成される。その後、露光された基板は、現像工程、エッチング工程、レジスト剥離工程等の各工程を経ることによって、基板上に所定のパターンが形成され、次のカラーフィルター形成工程Ｓ４０２へ移行する。

次に、カラーフィルター形成工程Ｓ４０２では、Ｒ（Red）、Ｇ（Green）、Ｂ（Blue）に対応した３つのドットの組がマトリックス状に多数配列されたり、またはＲ、Ｇ、Ｂの３本のストライプのフィルターの組を複数水平走査線方向に配列されたりしたカラーフィルターを形成する。そして、カラーフィルター形成工程Ｓ４０２の後に、セル組み立て工程Ｓ４０３が実行される。セル組み立て工程Ｓ４０３では、パターン形成工程Ｓ４０１にて得られた所定パターンを有する基板、およびカラーフィルター形成工程Ｓ４０２にて得られたカラーフィルター等を用いて液晶パネル（液晶セル）を組み立てる。セル組み立て工程Ｓ４０３では、例えば、パターン形成工程Ｓ４０１にて得られた所定パターンを有する基板とカラーフィルター形成工程Ｓ４０２にて得られたカラーフィルターとの間に液晶を注入して、液晶パネル（液晶セル）を製造する。

その後、モジュール組み立て工程Ｓ４０４にて、組み立てられた液晶パネル（液晶セル）の表示動作を行わせる電気回路、バックライト等の各部品を取り付けて液晶表示素子として完成させる。上述の液晶表示素子の製造方法によれば、上述の実施の形態にかかる露光装置を用いて露光を行うため、適切な波長の照明光によりマスクの照明を行うことができ、極めて微細な回路パターンを有する半導体デバイスを精度良く得ることができる。

この発明の実施の形態にかかる投影露光装置の概略構成を示す図である。 この発明の実施の形態にかかる第１集光型キャピラリーアレイ及び第１検出器アレイの構成を示す図である。 この発明の実施の形態にかかるキャピラリーアレイを構成する毛細管の径より長い波長の光を除去する機能を説明するための図である。 この発明の実施の形態にかかる斜入射型ミラーにＥＵＶ光が入射した状態を示す図である。 分光光学素子の構成を示す図である。 この発明の実施の形態にかかるマイクロデバイスとしての半導体デバイスの製造方法を示すフローチャートである。 この発明の実施の形態にかかるマイクロデバイスとしての液晶表示素子の製造方法を示すフローチャートである。

符号の説明

２…チャンバー、４…放電プラズマ光源、６…同心円状コリメーター、８…キャピラリーアレイ、８ａ…毛細管、１０…斜入射型ミラー、１２，１６ａ，１６ｂ…遮蔽板、１４…斜入射型回折格子、１８…同心円状コレクター、２０…ピンホール、２２…入射側反射型フライアイ光学系、２４…射出側反射型フライアイ光学系、２６，２８…コンデンサーミラー、３０ａ…第１集光型キャピラリーアレイ、３０ｂ…第２集光型キャピラリーアレイ、３２ａ…第１検出器アレイ、３２ｂ…第２検出器アレイ、３４…制御装置、３６…コリメーター駆動装置、３８…キャピラリーアレイ駆動装置、４０…斜入射型ミラー駆動装置、４２…回折格子駆動装置、Ｍ…マスク、ＰＬ…投影光学系、Ｗ…ウエハ。

Claims (13)

1. 被照射面の照明に用いる基準波長である必要光を含む極端紫外光を供給する光源手段と、
   前記光源手段から供給された前記必要光を被照射面に導く照明光学系と、
   前記光源手段と前記照明光学系との間に配置され、前記極端紫外光を前記必要光と前記被照射面の照明に用いない不要光とに分光する分光手段と、
   前記分光手段により分光された前記不要光を検出する検出手段と、
   を備えることを特徴とする照明装置。
2. 前記検出手段により検出された前記不要光に基づいて、前記光源手段から供給される前記極端紫外光の基準波長及び前記極端紫外光の光強度分布の少なくとも一方を調整する調整手段を更に備えることを特徴とする請求項１記載の照明装置。
3. 前記調整手段は、前記分光手段の姿勢を変更することにより前記極端紫外光の基準波長及び前記極端紫外光の光強度分布の少なくとも一方を調整することを特徴とする請求項２記載の照明装置。
4. 被照射面の照明に用いる基準波長である必要光を含む極端紫外光を供給する光源手段と、
   前記光源手段から供給された前記必要光を被照射面に導く照明光学系と、
   前記光源手段の前記極端紫外光を射出する光源部から飛散する不要物を除去する不要物除去手段と、
   前記光源手段と前記照明光学系との間に配置され、前記極端紫外光を前記必要光と前記被照射面の照明に用いない不要光とに分光する分光手段と、
   前記分光手段により分光された前記不要光に基づいて前記不要物除去手段及び前記分光手段の少なくとも一方の汚染度を検出する検出手段と、
   を備えることを特徴とする照明装置。
5. 前記不要物除去手段は、前記光源手段から射出される前記極端紫外光の進行方向に沿って移動可能に構成されていることを特徴とする請求項４記載の照明装置。
6. 前記不要物除去手段は、交換可能に構成されていることを特徴とする請求項４または請求項５記載の照明装置。
7. 被照射面の照明に用いる基準波長である必要光を含む極端紫外光を供給する光源手段と、
   前記光源手段から供給された前記必要光を被照射面に導く照明光学系と、
   前記光源手段の前記極端紫外光を射出する光源部から飛散する不要物を除去する不要物除去手段と、
   前記光源手段と前記照明光学系との間に配置され、前記極端紫外光を前記必要光と前記被照射面の照明に用いない不要光とに分光する分光手段と、
   前記分光手段により分光された前記不要光に基づいて、複数種類の検出値の検出を行う検出手段と、
   を備えることを特徴とする照明装置。
8. 前記複数種類の検出値には、前記極端紫外光の基準波長、前記極端紫外光の光強度分布、前記必要光を用いる露光の露光量、前記不要物除去手段及び前記分光手段の少なくとも一方の汚染度、及び前記分光手段の光学調整値の少なくとも１つが含まれることを特徴とする請求項７記載の照明装置。
9. 前記分光手段は、
   前記極端紫外光に含まれる前記極端紫外光の基準波長より長い波長の光を除去する長波長除去手段と、
   前記極端紫外光に含まれる前記極端紫外光の基準波長より短い波長の光を除去する短波長除去手段と、
   前記長波長除去手段及び前記短波長除去手段を介した光から前記不要光を除去する不要光除去手段と、
   を備えることを特徴とする請求項１乃至請求項８の何れか一項に記載の照明装置。
10. 前記検出手段は、少なくとも２つの検出部を有することを特徴とする請求項１乃至請求項９の何れか一項に記載の照明装置。
11. 前記分光手段と前記検出部との間に、キャピラリーアレイ結像系を備えることを特徴とする請求項１０記載の照明装置。
12. 感光性基板上にマスクのパターンを転写する露光装置において、
    前記マスクを照明するための請求項１乃至請求項１１の何れか一項に記載の照明装置を備えることを特徴とする露光装置。
13. 請求項１乃至請求項１１の何れか一項に記載の照明装置を用いてマスクを照明する照明工程と、
    前記照明工程により照明された前記マスクに形成されたパターン像を感光性基板上に露光する露光工程と、
    前記露光工程により露光された前記感光性基板を現像する現像工程と、
    を含むことを特徴とするマイクロデバイスの製造方法。

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