JP2008103151A - 極端紫外光源装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】このEUV光源装置は、ドライバーレーザ1と、EUV光発生チャンバ2と、レーザ光をEUV光発生チャンバ2内に透過させるウインドウ6と、EUV光集光ミラー8と、レーザ光をターゲット物質の軌道上に集光させるレーザ光集光光学系4と、ウインドウ6の温度を検出する温度センサ82と、極端紫外光の発生が行われるときに、温度センサ82によって検出されたウインドウ6の温度に基づいて、ウインドウ6の劣化を判定するレーザ光光学系劣化チェック処理部80とを具備する。
【選択図】図2
Description
EUV光発生チャンバ102は、EUV光の生成が行われるチャンバであり、ターゲット物質のプラズマ化を容易にするとともにEUV光の吸収を防止するため、真空ポンプ105によって真空引きされている。また、EUV光発生チャンバ102には、ドライバーレーザ101から発生したレーザ光120をEUV光発生チャンバ102内に通過させるためのウインドウ106が取り付けられている。さらに、EUV光発生チャンバ102の内部には、ターゲット噴射ノズル103aと、ターゲット回収筒107と、EUV光集光ミラー108とが配置されている。
(a)プラズマから飛散した原子が、ウインドウ106のEUV光発生チャンバ102の内部側の面に付着する。このようにしてウインドウ106のEUV光発生チャンバ102の内部側の面に付着した原子がレーザ光120を吸収してしまう。
(b)プラズマから飛散したイオンがウインドウ106のEUV光発生チャンバ102の内部側の面に照射され、ウインドウ106のEUV光発生チャンバ102の内部側の面が劣化する(面が荒れて、滑らかでなくなる)。これにより、ウインドウ106がドライバーレーザ101から出射されるレーザ光120を吸収するようになってしまう。
しかしながら、レーザ光120はEUV光発生チャンバ102内のプラズマ発生位置(ターゲット物質の軌道上)に集光されるため、ウインドウ106やレーザ光集光光学系104が劣化したか否かを容易に知ることが出来ず、迅速に対応措置を執る(光学素子の交換を行う)ことが出来ないという問題があった。
図1は、本発明に係る極端紫外光源装置(以下において、単に「EUV光源装置」とも言う)の概要を示す模式図である。図1に示すように、このEUV光源装置は、ドライバーレーザ1と、EUV光発生チャンバ2と、ターゲット物質供給部3と、レーザ光集光光学系4とを含んでいる。
図2は、本実施形態に係るEUV光源装置を示す模式図である。なお、図2においては、ターゲット物質供給部3及びターゲット物質回収筒7(図1参照)の図示を省略しており、ターゲット物質は、紙面に垂直に噴射されるものとする。
図5及び図6は、本実施形態に係るEUV光源装置を示す模式図である。図5は、本実施形態に係るEUV光源装置のEUV光発生時における様子を示す模式図であり、図6は、本実施形態に係るEUV光源装置のEUV光非発生時における様子を示す模式図である。なお、図5及び図6においては、ターゲット物質供給部3及びターゲット物質回収筒7(図1参照)の図示を省略しており、ターゲット物質は、紙面に垂直に噴射されるものとする。
図8及び図9は、本実施形態に係るEUV光源装置を示す模式図である。図8は、本実施形態に係るEUV光源装置のEUV光発生時における様子を示す模式図であり、図9は、本実施形態に係るEUV光源装置のEUV光非発生時における様子を示す模式図である。なお、図8及び図9においては、ターゲット物質供給部3及びターゲット物質回収筒7(図1参照)の図示を省略しており、ターゲット物質は、紙面に垂直に噴射されるものとする。
図10及び図11は、本実施形態に係るEUV光源装置を示す模式図である。図10は、本実施形態に係るEUV光源装置のEUV光発生時における様子を示す模式図であり、図11は、本実施形態に係るEUV光源装置のEUV光非発生時における様子を示す模式図である。なお、図10及び図11においては、ターゲット物質供給部3及びターゲット物質回収筒7(図1参照)の図示を省略しており、ターゲット物質は、紙面に垂直に噴射されるものとする。
なお、このとき、レーザ光光学系劣化チェック処理部80は、レーザ光検出器64からの信号又はデータを用いて、先に説明した図7のフローチャートに示す処理を実行する。
図12及び図13は、本実施形態に係るEUV光源装置を示す模式図である。図12は、本実施形態に係るEUV光源装置のEUV光発生時における様子を示す模式図であり、図13は、本実施形態に係るEUV光源装置のEUV光非発生時における様子を示す模式図である。なお、図12及び図13においては、ターゲット物質供給部3及びターゲット物質回収筒7(図1参照)の図示を省略しており、ターゲット物質は、紙面に垂直に噴射されるものとする。
また、NR(umax,vmax)を相関係数Rとする。
x=umax+ioff …(4)
y=vmax+joff …(5)
R=NR(umax,vmax) …(6)
である。
図17及び図18は、本実施形態に係るEUV光源装置を示す模式図である。図17は、本実施形態に係るEUV光源装置のEUV光発生時における様子を示す模式図であり、図18は、本実施形態に係るEUV光源装置のEUV光非発生時における様子を示す模式図である。なお、図17及び図18においては、ターゲット物質供給部3及びターゲット物質回収筒7(図1参照)の図示を省略しており、ターゲット物質は、紙面に垂直に噴射されるものとする。
図19及び図20は、本実施形態に係るEUV光源装置を示す模式図である。図19は、本実施形態に係るEUV光源装置のEUV光発生時における様子を示す模式図であり、図20は、本実施形態に係るEUV光源装置のEUV光非発生時における様子を示す模式図である。なお、図19及び図20においては、ターゲット物質供給部3及びターゲット物質回収筒7(図1参照)の図示を省略しており、ターゲット物質は、紙面に垂直に噴射されるものとする。
Claims (6)
- ターゲット物質にレーザ光を照射することにより前記ターゲット物質をプラズマ化して極端紫外光を発生させる極端紫外光源装置であって、
極端紫外光の発生が行われる極端紫外光発生チャンバと、
極端紫外光の発生が行われるときに、ターゲット物質を前記極端紫外光発生チャンバ内に噴射するターゲット物質供給部と、
レーザ光を出射するドライバーレーザと、
前記極端紫外光発生チャンバに設けられ、レーザ光を前記極端紫外光発生チャンバ内に透過させるウインドウと、
少なくとも1つの光学素子を含むレーザ光集光光学系であって、前記ドライバーレーザから出射されたレーザ光を前記極端紫外光発生チャンバ内に噴射されるターゲット物質の軌道上に集光させることによりプラズマを発生させる前記レーザ光集光光学系と、
前記プラズマから放出される極端紫外光を集光して出射する極端紫外光集光光学系と、
前記ウインドウの温度を検出する温度センサと、
極端紫外光の発生が行われるときに、前記温度センサによって検出された前記ウインドウの温度に基づいて、前記ウインドウの劣化を判定する処理部と、
を具備する極端紫外光源装置。 - 前記処理部が、前記ウインドウが劣化していると判定した場合に、レーザ光の出射を停止させるための制御信号を前記ドライバーレーザに出力する、請求項1記載の極端紫外光源装置。
- 前記極端紫外光発生チャンバの外部に設けられ、極端紫外光の発生が行われないときに、前記レーザ光集光光学系によって集光された後にターゲット物質に照射されることなく発散して前記極端紫外光発生チャンバから出射したレーザ光の強度を検出するレーザ光検出器を更に具備し、
前記処理部が、極端紫外光の発生が行われないときに、前記レーザ光検出器によって検出されたレーザ光の強度に基づいて、前記ウインドウ及び/又は前記少なくとも1つの光学素子の劣化を判定する、請求項1又は2記載の極端紫外光源装置。 - 前記極端紫外光発生チャンバの外部に設けられ、極端紫外光の発生が行われないときに、前記レーザ光集光光学系によって集光された後にターゲット物質に照射されることなく発散して前記極端紫外光発生チャンバから出射したレーザ光を再び集光するレーザ光再集光光学系と、
前記レーザ光再集光光学系によって集光されたレーザ光の画像を検出するエリアセンサと、を更に具備し、
前記処理部が、極端紫外光の発生が行われないときに、前記エリアセンサによって検出されたレーザ光の画像に基づいて、前記ウインドウ及び/又は前記少なくとも1つの光学素子の劣化及び/又は歪み、及び/又は、前記レーザ光集光光学系によって集光されたレーザ光の焦点がプラズマを発生させる位置からずれていることを判定する、請求項1〜3のいずれか1項記載の極端紫外光源装置。 - 前記レーザ光再集光光学系によって集光されたレーザ光を可視光に変換する可視蛍光板と、
前記可視蛍光板によって変換された可視光を前記エリアセンサの受光面に集光する可視光集光系と、
を更に具備する、請求項4記載の極端紫外光源装置。 - 極端紫外光の発生が行われるときに、前記極端紫外光発生チャンバから出射する物質及び電磁波を遮蔽して前記レーザ光強度検出器又は前記エリアセンサを保護する遮蔽手段を更に具備する、請求項3〜5のいずれか1項に記載の極端紫外光源装置。
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