TW201715271A - 衰減裝置及方法 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示一種用於調整一輻射強度之裝置。該裝置包含：一光柵，其用於接收一輻射光束且用於在一第一方向上以一第一經反射輻射光束之形式來導引該輻射光束之至少一部分；及一或多個第一致動器，其可操作以使該光柵旋轉以調整該輻射光束與該光柵之一表面之間的一掠入射角以便變化該經反射輻射光束之一強度。

Description

衰減裝置及方法
本發明係關於一種衰減裝置，且特定言之但非獨占式地適合於使由供微影系統內使用的自由電子雷射產生之雷射EUV輻射光束衰減。
微影裝置為經建構以將所要圖案施加至基板上之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)製造中。微影裝置可(例如)將圖案自圖案化器件(例如，光罩)投影至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。 由微影裝置使用以將圖案投影至基板上之輻射之波長判定可形成於彼基板上之特徵之最小大小。使用為具有在5奈米至20奈米之範圍內的波長之電磁輻射之EUV輻射的微影裝置相比於習知微影裝置(其可(例如)使用具有193奈米之波長之電磁輻射)可用以在基板上形成較小特徵。 需要產生具有增加之功率以增加EUV微影之產出率之EUV輻射源。然而，使用一些EUV輻射源可產生功率超過可在基板處有效地使用之功率之輻射。因此，亦需要產生可在基板處有效地使用之EUV輻射。 本發明之至少一項實施例之一目標係預防或減輕上文所識別之問題中之至少一者。
根據本文所描述之一第一態樣，提供一種用於調整輻射(例如，用於一微影程序中之輻射)之一強度之裝置。該裝置包含一光柵，該光柵用於接收一輻射光束且用於在一第一方向上以一第一經反射輻射光束之形式來導引該輻射光束之至少一部分。該裝置進一步包含一或多個第一致動器，該一或多個第一致動器經配置以調整該光柵之一定向以便變化該經反射輻射光束之一強度。 以此方式，可藉由對光柵之定向進行調整而使輻射光束衰減，使用光柵來代替諸如鏡面之其他光學組件會允許在冷卻要求方面及在實現輻射光束之強度改變所需的調整之量值方面之特別有效衰減。該輻射光束可包含EUV輻射。 該一或多個第一致動器可操作以使該光柵旋轉以調整該輻射光束與該光柵之一表面之間的一掠入射角。在一些實施例中，該光柵可僅需要特別低的振幅調整。因此，該致動器可可操作以移動以調整該光柵達小於1度之角度。 該一或多個第一致動器可操作以使該光柵圍繞至該光柵之一表面之一法線旋轉，以便變化該光柵之一或多個凹槽與該第一輻射光束之一入射平面之間的一角度。 該光柵可操作以將至少一個經繞射輻射光束導引遠離該第一方向。舉例而言，該裝置可包含一或多個光束截止器，該一或多個光束截止器經配置以接收該一或多個經繞射輻射光束且耗散其中之功率。 該裝置可進一步包含一反射光學件，該反射光學件可操作以接收該經反射輻射光束且在一第二方向上以一第二經反射輻射光束之形式來導引該經反射輻射光束之至少一部分。該裝置可進一步包含一或多個第二致動器，該一或多個第二致動器經配置以調整該反射光學件之一定向以便變化該第二經反射輻射光束之一強度。該反射光學件可為一鏡面，或可為一第二光柵。在其他實施例中，該反射光學件可操作以接收一第三輻射光束且將該第三輻射光束之至少一部分導引朝向該光柵。舉例而言，由該光柵接收之該第一輻射光束可包含自該反射光學件反射的該第三輻射光束之一部分。 該一或多個第二致動器可操作以使該反射光學件旋轉以調整該輻射光束與該反射光學件之一表面之間的一掠入射角。該一或多個第二致動器可操作以使該反射光學件旋轉小於1度之一角度。在該反射光學件為一光柵的情況下，該一或多個第二致動器可操作以使該反射光學件圍繞至該反射光學件之一表面之一法線旋轉，以便變化該反射光學件之一或多個凹槽與該第二經反射輻射光束之一入射平面之間的一角度。 該反射光學件可操作以將一或多個繞射輻射光束導引遠離該第二方向，例如導引朝向一或多個光束截止器。 該一或多個第一致動器可操作以平移該光柵使得一經衰減輻射光束自該衰減裝置在一固定位置及方向上被導引。該一或多個第二致動器可操作以平移該反射光學件使得一經衰減輻射光束自該衰減裝置在一固定位置及方向上被導引。 舉例而言，該一或多個致動器可操作以在該輻射光束之一傳播方向上平移該光柵及該反射光學件中之任一者或兩者。以此方式，射出該衰減裝置之該經衰減輻射光束可具有一固定位置及方向。 該鏡面可在該第一輻射光束之傳播方向上具有一範圍使得該第一反射輻射光束針對該光柵之一預定範圍的定向中的所有定向皆入射於該反射光學件之一反射表面上。 該裝置可進一步包含一控制器，該控制器經配置以控制該一或多個第一致動器以調整該光柵之該定向。該控制器可經配置以自一感測器接收一輻射強度之指示，且回應於接收到該等指示而控制該一或多個第一致動器。舉例而言，可在一微影裝置中之一晶圓之曝光期間接收到一輻射強度之該等指示。一輻射強度之該等指示可包含強度值，或可包含諸如「較大」或「較小」之相對指示。 根據另一態樣，提供一種微影系統，該微影系統包含：一輻射源，其可操作以產生一第一輻射光束；根據該第一態樣之一衰減裝置，其經配置以接收一第一輻射光束，該第一輻射光束包含主輻射光束之至少一部分；及至少一個微影裝置，該至少一個微影裝置經配置以自該衰減裝置接收一經衰減輻射光束。 該微影系統可進一步包含一輻射光束分離裝置，該輻射光束分離裝置經配置以接收該主輻射光束且輸出至少一個分支輻射光束。該第一輻射光束可包含該至少一個分支輻射光束之至少一部分。 該輻射光束分離裝置可經配置以輸出複數個分支輻射光束。該微影系統可包含用於該複數個分支輻射光束中之每一者之一各別衰減裝置，每一衰減裝置經配置以接收該複數個分支輻射光束中之一各別分支輻射光束。 該輻射源可包含一或多個自由電子雷射。 該至少一個微影裝置可包含一或多個光罩檢測裝置。 應瞭解，可以任何方便方式(包括借助於合適硬體及/或軟體)來實施本發明之態樣。替代地，可程式化器件可經程式化以實施本發明之實施例。因此，本發明亦提供用於實施本發明之態樣之合適電腦程式。可在包括有形載體媒體(例如，硬碟、CD ROM等等)及諸如通信信號之無形載體媒體之合適載體媒體上進行此等電腦程式。 可將本發明之一或多個態樣與本文中所描述之任一或多個其他態樣組合及/或與在先前或以下描述中描述之任一或多個特徵組合。
圖1展示微影系統LS，其包括根據本文所描述之實例配置之一或多個衰減裝置15a至15n。微影系統LS進一步包含一輻射源SO及複數個微影裝置LAa 至LAn 。輻射源SO經組態以產生極紫外線(EUV) EUV輻射光束B (其可被稱作主EUV輻射光束)。主EUV輻射光束B分離成複數個EUV輻射光束Ba 至Bn (其可被稱作分支EUV輻射光束)，該等輻射光束中之每一者係由EUV輻射光束分離裝置20導引至微影裝置LAa 至LAn 中之一不同微影裝置。分支EUV輻射光束Ba 至Bh 可自主EUV輻射光束連續地分離，其中每一分支EUV輻射光束自主EUV輻射光束自先前分支EUV輻射光束之下游分離。在此種狀況下，分支EUV輻射光束可(例如)彼此實質上平行而傳播。 輻射源SO、EUV輻射光束分離裝置20及微影裝置LAa 至LAn 可全部經建構且經配置成使得其可與外部環境隔離。可將真空提供於輻射源SO、EUV輻射光束分離裝置20及微影裝置LAa 至LAn 之至少部分中以便最小化EUV輻射之吸收。微影系統LS之不同部分可具備不同壓力下之真空(亦即，被保持處於低於大氣壓力之壓力)。 參看圖2，更詳細地展示微影裝置LAa 。微影裝置LAa 包含照明系統IL、經組態以支撐圖案化器件MA (例如，光罩)之支撐結構MT、投影系統PS，及經組態以支撐基板W之基板台WT。照明系統IL經組態以在由微影裝置LAa 接收之分支EUV輻射光束Ba 入射於圖案化器件MA上之前調節該分支EUV輻射光束Ba 。投影系統經組態以將EUV輻射光束Ba ' (現在藉由光罩MA而圖案化)投影至基板W上。基板W可包括先前形成之圖案。在此種狀況下，微影裝置LAa 將經圖案化EUV輻射光束Ba '與先前形成於基板W上之圖案對準。 由微影裝置LAa 接收之分支EUV輻射光束Ba 自EUV輻射光束分離裝置20通過照明系統IL之圍封結構中之開口8而傳遞至照明系統IL中。視情況，分支EUV輻射光束Ba 可經聚焦以在開口8處或附近形成中間焦點。 照明系統IL可包括琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11。琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11一起向EUV輻射光束Ba 提供所要橫截面形狀及所要角度分佈。琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11可各自包含一可獨立移動鏡面陣列。琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11可包含不同數目個可獨立移動鏡面。舉例而言，琢面化光瞳鏡面器件11可包含數目為琢面化場鏡面器件10之鏡面數目多達兩倍的鏡面。琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11中之鏡面可具有任何合適形狀，例如，其可成大體上香蕉形。EUV輻射光束Ba 自照明系統IL傳遞且入射於由支撐結構MT固持之圖案化器件MA上。圖案化器件MA反射及圖案化EUV輻射光束以形成經圖案化EUV輻射光束Ba '。除了琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡器件11以外或代替琢面化場鏡器件10及琢面化光瞳鏡器件11，照明系統IL亦可包括其他鏡面或器件。舉例而言，照明系統IL可包括可獨立移動鏡面陣列。可獨立移動鏡面可(例如)有小於1毫米寬。可獨立移動鏡面可(例如)為MEMS器件。 在自圖案化器件MA反射之後，經圖案化EUV輻射光束Ba '進入投影系統PS。投影系統PS包含經組態以將EUV輻射光束Ba '投影至由基板台WT固持之基板W上之複數個鏡面13、14。投影系統PS可將縮減因數應用於EUV輻射光束，從而形成特徵小於圖案化器件MA上之對應特徵之影像。舉例而言，可應用為4之縮減因數。儘管投影系統PS在圖2中具有兩個鏡面13、14，但投影系統可包括任何數目個鏡面(例如，六個鏡面)。 輻射源SO可包含可選擇性地操作以產生EUV輻射之EUV輻射光束之一或多個自由電子雷射。自由電子雷射包含源，該源可操作以產生聚束式相對論電子EUV輻射光束；及週期性磁場，該等相對論電子聚束經導引通過該週期性磁場。週期性磁場係由波盪器產生且使電子遵循圍繞中心軸線之振盪路徑。由於由磁性結構造成之加速度，電子大體上在中心軸線之方向上自發地輻射電磁輻射。相對論電子與波盪器內之輻射相互作用。在某些條件下，此相互作用使電子一起聚束成微聚束，在波盪器內在輻射之波長下經調變，且刺激沿著中心軸線之輻射之相干發射。 由電子遵循之路徑可為正弦的及平面的，其中電子週期性地橫穿中心軸線；或可為螺旋狀，其中電子圍繞中心軸線而旋轉。振盪路徑之類型可影響由自由電子雷射發射之輻射之偏振。舉例而言，使電子沿著螺旋狀路徑傳播之自由電子雷射可發射橢圓或圓形偏振輻射，該等橢圓或圓形偏振輻射可對於藉由微影裝置LAa 至LAn 進行之基板W之曝光而言係較佳的。 在源SO包含自由電子雷射的情況下，源SO可輸出相對高功率輻射。舉例而言，自由電子雷射源SO可輸出EUV輻射光束B，EUV輻射光束B提供分支EUV輻射光束Ba 至Bn ，該等分支EUV輻射光束Ba 至Bn 中之每一者為大約1 kW或更大。對於一些微影裝置，可需要縮減在微影裝置處所接收之輻射之量。舉例而言，微影裝置之基板可包含需要大約5毫焦/平方公分之輻射劑量的抗蝕劑層。在彼微影裝置處接收高功率分支EUV輻射光束可造成在確保向抗蝕劑提供合適輻射劑量方面的困難。一種用以減低在基板之一部分處所接收的輻射劑量之方式為相對於入射於該基板上之輻射來移動該基板(掃描)。然而，可難以達成足夠高掃描速度以在基板處達成輻射之所要劑量。 在本發明之實施例中，分支EUV輻射光束Ba 至Bn 中之一或多者經導引通過各別衰減裝置15a至15n。每一衰減裝置15a至15n經配置以調整各別分支EUV輻射光束Ba 至Bn 之強度，以將經衰減之分支EUV輻射光束ABa 至ABn 提供至其對應微影裝置LAa 至LAn 之照明系統IL。 已提議提供使用可旋轉鏡面之配置的動態衰減器。圖3中示意性地說明一個所提議之動態衰減器配置30。該配置30包含呈鏡面31、32之形式的兩個反射光學件。第二鏡面32在所描繪y方向上與第一鏡面32分開。第一鏡面31經配置成使得進入衰減裝置15a之分支EUV輻射光束Ba 入射於第一鏡面31之反射表面上且由該反射表面朝向第二鏡面32之反射表面反射。第二鏡面32成角度以便將經衰減EUV輻射光束ABa 導引朝向微影裝置LAa (圖3中未繪示)。 鏡面31、32各自經配置以圍繞x軸旋轉以便變更分支EUV輻射光束Ba 與鏡面31、32之間的入射角。鏡面31、32之實例經旋轉位置在圖3中以虛線-點線-虛線輪廓描繪。鏡面31、32之經旋轉位置之間的分支EUV輻射光束Ba 之路徑以虛線輪廓展示。應瞭解，鏡面31之旋轉角度改變分支EUV輻射光束Ba 之入射角，且因此改變分支EUV輻射光束Ba 之反射角。鏡面32具備一或多個致動器(圖中未繪示)以將鏡面32在z方向(亦即，分支EUV輻射光束Ba 之傳播方向)上平移，以便允許鏡面32定位於自鏡面31反射之分支EUV輻射光束Ba 的路徑中。 鏡面31、32中之每一者之反射比依據鏡面31、32之反射表面與分支EUV輻射光束Ba 之間的掠入射角而變化(其中掠入射角被定義為90度減去入射角)。舉例而言，對於為2度之掠入射角，近似97.6%的入射輻射(在具有具完美扁平表面之釕(Ru)塗層之鏡面的理論狀況下)可在鏡面31、32中之每一者處被反射。亦即，當成2度角時，由鏡面31、32中之一者反射之輻射相比於入射於彼鏡面上之輻射之強度縮減了2.4%。因而，在鏡面31、32兩者以2度之掠入射角而安置的情況下，經衰減分支EUV輻射光束ABa 之強度經由由鏡面31、32之反射而縮減了近似4.8%。 對於為10度之掠入射角，可在鏡面31、32中之每一者處反射近似88%的入射輻射。亦即，當掠入射角為10度時，反射輻射之強度比入射輻射小近似12%。因而，在鏡面31、32兩者以10度之掠入射角而安置的情況下，經衰減分支輻射ABa 之強度經由由鏡面31、32之反射而縮減了近似24%。 自以上描述，應瞭解，藉由旋轉鏡面31、32以調整入射角介於近似1度與10度之間，分支EUV輻射光束Ba 之衰減可在近似2%與20%之間變化。可需要動態衰減器30以提供衰減之快速調整(因此標籤為「動態的」)以便補償自源SO輸出之功率之不當波動。舉例而言，已提議提供具有近似10毫秒之回應時間的動態衰減器。 亦已提議將動態衰減器(具有相對快速回應時間)(諸如動態衰減器30)與一或多個額外衰減器組合。舉例而言，已提議提供「靜態」衰減器，其具有介於近似10%與100%之間的可變透射比。對於靜態衰減器之一個提議採取充氣腔室之形式。術語「靜態衰減器」在本文中意謂調整由「靜態衰減器」提供之衰減所需之時間無需快速。舉例而言，「靜態」衰減器可具有大約數分鐘之回應時間。 圖4示意性地描繪可結合如上文參看圖3所描述之第一衰減裝置或作為對如上文參看圖3所描述之第一衰減裝置之替代例而提供的第二衰減裝置40的實例。衰減裝置40包含界定腔室42之外殼41。外殼40可界定屬於任何形狀之腔室41。舉例而言，外殼41可為大體上管狀。腔室42在第一末端處由第一窗口43封閉且在第二對置末端處由第二窗口44封閉。提供入口45以允許氣體之受控量進入至腔室42中。亦可提供閥46以允許氣體自腔室42之受控流動。提供壓力監視器47以監視腔室42內之壓力。壓力監視器47可為任何形式之壓力監視器。藉由提供氣體流而非固定圍封之氣體介質，可移除由氣體吸收之能量。由此移除之能量之量在衰減裝置40提供大衰減因數(諸如，為10倍之因數)的情況下可相當大。 入口45允許EUV吸收氣體引入至腔室42中。應瞭解，可取決於EUV吸收之所要位準來選擇引入至腔室42中之特定氣體。然而，作為一實例，諸如氫、氦及/或氬之氣體可合適。窗口43、44經建構以便提供對EUV輻射之高透射比且可經建構以提供對其他波長之電磁輻射之高吸收率。舉例而言，該等窗口可包含通常被稱作光譜純度濾光片之物，其對EUV波長之外部之輻射進行濾光但允許透射EUV輻射。如將對熟習此項技術者顯而易見，可以任何適當方式來建構此等光譜純度濾光片。舉例而言，窗口43、44可自鉬(Mo)及矽化鋯(ZrSi)而建構。Mo/ZrSi堆疊可罩蓋於具有矽化鉬(MoSi)之一個或兩個側上。在一替代實例中，窗口43、44可由多晶矽(pSi)形成。多晶矽膜之側中之一或兩者可用氮化矽(SiN)層罩蓋。例如石墨烯之其他材料可適於用於窗口43、44中。可取決於腔室42內所要之最大壓力來選擇窗口43、44之厚度，可取決於所要衰減來選擇該最大壓力自身。 分支EUV輻射光束Ba 通過第一窗43進入第二衰減裝置40且借助於與腔室42內之流體相互作用而衰減，之後通過第二窗口44離開衰減裝置40。由傳遞通過腔室42造成的分支EUV輻射光束Ba 之衰減可藉由變化腔室42內之氣體之類型、量或壓力而變化。 壓力感測器、氣體入口及氣體閥可與控制器連通。控制器可操作以控制氣體入口45及氣體閥46以達成腔室42內之所要壓力。腔室42內之所要壓力可經選擇以便達成由第二衰減裝置造成的分支EUV輻射光束Ba 之所要衰減。替代地或另外，腔室42內之所要壓力可經選擇以將腔室42內之壓力維持處於預定安全範圍內。 在一替代配置中，可使用差動抽汲來代替窗口43、44。以此方式，將無需冷卻窗口43、44以防止過熱，且可避免至窗口43、44之EUV功率之損失。在一另外替代配置中，「靜態」衰減器可由具有介於10%至100%之間的透射範圍之鏡面提供。此鏡面可為旋轉鏡面以便適應可由所接收輻射造成之熱負荷。 圖5示意性地說明包含衰減裝置15a之微影系統LS，衰減裝置15a包含第一動態衰減器30及第二靜態衰減器40兩者。雖然圖5之配置適合於使EUV輻射光束衰減且在必要時阻擋EUV輻射光束，但使用以氣體為基礎或以旋轉鏡面為基礎之靜態衰減器會在設計、製造、安裝及維護之複雜度連同微影系統LS內之要求高的熱耗散及空間要求方面呈現困難。舉例而言，衰減器40可需要耗散多達近似1.4 kW的EUV功率，從而導致衰減器40之組件之高加熱位準。為了耗散此熱，吾人預期將需要相當大數量的水(或其他冷卻流體)在衰減器40內快速循環，從而極大地增加設計、安裝及維護之複雜度。大溫度梯度亦可使得較難以確保橫越輻射光束Ba 之整個橫截面之均一衰減。另外，可在適應可自衰減器40洩漏至其他光學件真空容器中之任何氣體方面遇到困難。另外，衰減裝置15a包含三個分開且相異且複雜的模組(例如，衰減器30、40)，藉此增加衰減裝置15a之成本。 圖6a、圖6b示意性地說明替代衰減器60。圖6a描繪衰減器60之俯視圖，而圖6b以側視圖描繪衰減器60。衰減器60以相似於圖3之衰減器30之方式而配置，但代替鏡面31、32，兩個光柵61、62提供於分支EUV輻射光束Ba 之路徑中。光柵61、62為反射光柵。雖然透射光柵為吾人所知，但本發明人已認識到，此等光柵對於利用EUV輻射之微影應用可不理想，此係因為透射光柵可吸收大量EUV輻射，從而導致光柵之高程度降級以及嚴格的冷卻要求。 光柵61、62經配置成使得分支EUV輻射光束Ba 首先入射於光柵61之反射表面上。可認為三個EUV輻射光束產生於光柵61之表面處：第一EUV輻射光束Ba0 (繞射階n = 0)及兩個EUV輻射光束：Ba-1 及Ba+1 (繞射階n = ±1)。第一EUV輻射光束Ba0 可在本文中被稱作「經反射」EUV輻射光束，此係因為零階繞射遵循自鏡面之反射定律，而兩個EUV輻射光束Ba±1 可被稱作「經繞射」EUV輻射光束。兩個EUV輻射光束Ba±1 沿著各別路徑朝向各別EUV輻射光束截止器63、64傳播。舉例而言，EUV輻射光束截止器63、64可包含適合於吸收大量EUV輻射之材料塊體。舉例而言，EUV輻射光束截止器63、64可包含適合於耗散由所接收之經繞射EUV輻射光束Ba±1 產生之熱負荷之鋁本體。 經反射EUV輻射光束Ba0 經向前導引朝向照明器IL。在圖6中所展示之實施例中，經反射EUV輻射光束Ba0 經導引朝向第二光柵62之反射表面。再次，可認為三個EUV輻射光束由第二光柵62產生：經反射EUV輻射光束Ba0 ' (繞射階n = 0)及兩個經繞射EUV輻射光束：Ba-1 '及Ba+1 ' (繞射階n = ±1)。該兩個經繞射EUV輻射光束Ba±1 '經反射朝向各別EUV輻射光束截止器65、66，而該經反射EUV輻射光束Ba0 '經向前導引朝向照明器IL。經反射EUV輻射光束Ba0 '在一些實施例中可提供經衰減分支EUV輻射光束ABa 。 來自在EUV輻射光束Ba0 中反射的分支EUV輻射光束Ba 之EUV輻射之量至少部分地取決於分支EUV輻射光束Ba 與第一繞射光柵61所成之入射角(或等效地取決於互補掠入射角)。相似地，在EUV輻射光束Ba0 '中反射的EUV輻射之量至少部分地取決於經反射EUV輻射光束Ba0 與第二繞射光柵62所成之入射角。舉例而言，分支EUV輻射光束Ba 與光柵61之間的入射角之變化以及第一經反射EUV輻射光束Ba0 與光柵62之間的入射角之變化可操作以將衰減器60之透射比調整介於近似1%與99%之間。通常，來自在EUV輻射光束Ba0 、Ba0 '中未反射的分支輻射光束Ba 之EUV能量的近似1%至2%在光柵61、62中耗散，其中該EUV能量之剩餘部分在另外兩個經反射EUV輻射光束Ba±1 中經反射。 光柵61具備一或多個致動器，該一或多個致動器經配置以使光柵61圍繞在x方向上延伸且位於光柵61之中心處之軸線67旋轉，以藉此變更EUV輻射光束Ba 與光柵61所成之入射角。相似地，光柵62具備一或多個致動器，該一或多個致動器經配置以圍繞在x方向上延伸且位於光柵62之中心處之軸線68旋轉，以藉此變更EUV輻射光束Ba0 與光柵62所成之入射角。光柵61、32之實例所旋轉位置在圖6a、圖6b中以虛線-點線-虛線輪廓描繪。雖然在圖6之實例實施例中軸線67、68處於光柵61、62之中心，但應理解，此僅僅為例示性的。更通常，一或多個致動器可操作而以適合於變更EUV輻射光束Ba 、Ba0 之入射角之任何方式來使光柵61、62旋轉。 在光柵61、62之經旋轉位置之間的第一經反射EUV輻射光束Ba0 之路徑在圖6b中以虛線輪廓展示。應瞭解，光柵61之旋轉變更分支EUV輻射光束Ba 之入射角，且因此變更經反射EUV輻射光束Ba0 之反射角。因而，光柵62可具備可操作以在z方向(亦即，分支輻射光束Ba 之傳播方向)上平移光柵62之一或多個致動器(圖中未繪示)。以此方式，光柵62可經定位成針對第一光柵61之任何定向在第二光柵62之反射表面上之同一位置(例如，中心位置)處接收第一經反射EUV輻射光束Ba0 。以此方式，離開第二光柵62之經反射EUV輻射光束Ba0 '可在同一方向上且在x軸上之同一位置處傳播，藉此避免供處理可使方向及x軸上之位置移位的EUV輻射光束之下游組件(諸如照明器IL)之需要。 如自以上內容應瞭解，藉由使光柵61、62圍繞樞軸67、68旋轉以增加或減低入射角，可動態地調整在衰減器60處所接收之分支EUV輻射光束Ba 之強度。 光柵61、62可採取複數個組態中之任一者之形式。在圖7中以透視圖描繪可用以提供光柵61、62的光柵70之反射表面之結構的一個實例。該光柵70可由矽藉由(例如)沿著矽晶圓之晶體平面之各向異性蝕刻而形成。參看圖7且在假定光柵70由矽形成的情況下，可沿著(100)結晶平面形成頂面S1 ，且沿著{111}結晶平面形成面S2 、S3 。在此狀況下，凹槽之底部處(例如，面S2 與S3 之間)之角度將為近似70.5度。光柵70之凹槽及隆脊將沿著＜01＞方向而延伸。入射EUV輻射光束(例如，Ba 或Ba0 )之方向經安置為與01＞方向成小(掠入射)角。應瞭解，取決於光柵之頂部表面之＜h k l＞方向，各種佈局係可能的。 與上文所描述之實例中一樣，沿著(100)結晶平面形成頂面S1 且沿著{111}結晶平面形成面S2 、S3 的光柵將形成三個EUV輻射光束，其中該等所形成EUV輻射光束之強度之比率取決於S1 面之寬度對光柵之間距p 、凹槽深度d 之比率，以及取決於EUV輻射光束在光柵上之入射角，及凹槽相對於入射EUV輻射光束之入射平面所成之角度(其可為0度-凹槽平行於入射EUV輻射光束；90度-凹槽垂直於入射EUV輻射光束；或任何其他角度)。 圖8以側視圖說明光柵80之替代實施例。類似於光柵70，光柵80包含具有面特徵之三個群組之複數個隆脊：面特徵S1 之第一群組、面特徵S2 之第二群組及面特徵S3 之第三群組。然而，在圖8之實例實施例中，每一隆脊之S2 面與鄰近隆脊之S3 面在每一面之最近點處分開達距離f 。距離f 可經選擇以便確保自S2 或S3 面反射之輻射隨後並不入射於鄰近隆脊之S2 或S3 面上。 可(例如)藉由提供相對於用以蝕刻頂部矽層以提供隆脊的蝕刻程序而抗蝕刻之材料之基座部分81來建構光柵80。舉例而言，基座部分可由二氧化矽(SiO2 )或氮化矽(Si3 N4 )製成。替代地，可在全V形凹槽已形成於矽中之前停止蝕刻程序。 光柵70、80通常可藉由間距p 及凹槽深度d (及在為非零時的距離f )而特性化，且不同間距p 及凹槽深度d (及距離f )之選擇可用以提供衰減器之變化之衰減屬性。通常，對於光柵形狀之不同類別，不同的關係將存在於凹槽深度d 、距離f 、間距p 之間，且在如同入射角下提供衰減。舉例而言，對於具有具垂直側壁之凹槽(例如，具有方形波之剖面)之光柵且在d ＜p 的情況下，若掠入射角(以弧度為單位)(其中為入射輻射光束Ba 之波長)，則可發生EUV輻射光束Ba-1 及Ba+1 (繞射階n = ±1 )(亦即，接近100%反射比)之最大抑制。對於光柵形狀之此類別(例如，垂直凹槽且d ＜ p )，可針對具有50%的「作用區間循環」(亦即，距離f 對間距p 之比率)之光柵在時發生EUV輻射光束Ba0 (亦即，繞射階n = 0)之最大衰減。因而，對於光柵形狀之此類別，為了提供在掠入射角下具有最小衰減且在掠入射角下具有最大衰減的光柵，可選擇及之值，其中。 應瞭解，對於光柵形狀之其他類別，其他關係可成立。然而，亦將瞭解，關於其中d ＜p 且具有垂直凹槽的光柵之上述關係可用作關於其他光柵形狀之近似。 在一項實施例中，可需要提供可調整以提供在一極端下為0%繞射及99%鏡面反射(亦即，最小衰減)且提供在另一極端下＞44%繞射(在n = +1繞射階及n = -1繞射階兩者中)及＜10%鏡面反射比(亦即，最大衰減)之衰減器。為了提供此衰減器，通常需要確保掠入射角儘可能地小。舉例而言，可確保掠入射角低於近似4度。對於將在掠入射角在範圍內接受入射輻射光束之衰減器(其中在角度下進行最小0階反射(亦即，最大衰減)，且在角度下進行最大0階反射(亦即，最小衰減))，凹槽間距p 可經選擇為使得在角度下抑制n=+1繞射階及n=-1繞射階(在提供上文所論述之條件下)。 可在時預期零階繞射階輻射光束之抑制，其中j 為正整數。應瞭解，在上文所提供之實例中，j = 0，以提供條件，此可提供特別實務配置。 僅作為實例，在採取以上關係的情況下，針對波長為13.5奈米之EUV輻射在近似0.98度與4度之間可調諧的光柵可具有間距p = 794奈米及深d = 48奈米。 圖9a、圖9b展示針對兩個可能的光柵組態(其各自具有為零之距離f ，且具有「V」形凹槽而非垂直壁凹槽)之零階反射比如何隨著入射角而改變。圖9a描繪用於具有間距p = 880奈米及凹槽深度d = 542奈米之光柵之反射曲線。在圖5a中，對於具有介於近似1.4度與0.9度之間的掠入射角之EUV輻射光束，零階反射比在大約32%與96%的範圍內變化。因此，應瞭解，藉由連續提供兩個此類光柵(與在圖6之衰減器60中一樣)，衰減器可受控制以提供介於近似8%與90%之間的動態衰減範圍。 圖9b描繪用於具有間距p = 1240奈米及凹槽深度d = 490奈米的光柵之反射曲線。在圖9b中，對於具有介於近似1.0度與0.65度之間的掠入射角之EUV輻射光束，零階反射比在近似1%與99%之間變化。在使用以上所論述之及準則的情況下，可預期將運用具有p = 1240奈米、d = 192奈米之光柵來達成此等值。然而，如上文所提及，在圖9b之光柵中，深度d 係針對V形凹槽，而非垂直壁凹槽。此凹槽之「平均深度」為245奈米，應瞭解其比得上為192奈米之所近似結果。 通常，當選擇光柵參數時，可進行取捨。具有較大間距p 之光柵可較容易製造，而具有較大深度值d 之光柵可較難以製造。最大掠入射角與最小掠入射角之間的較大差β2-β1可對小角度誤差較不敏感，但可需要較大致動範圍。最小衰減掠入射角β1之一些足夠小值可需要較大光柵以捕捉整個入射EUV光束Ba 。 因此，應瞭解，藉由連續提供兩個此類光柵，衰減器可受控制以提供介於近似2%與99.99%之間的動態衰減範圍。雖然參看圖9a、圖9b來描述關注光柵之兩個實例組態，但此等組態僅僅為例示性的，且可取決於微影系統之特定衰減要求使用其他組態(例如，不同間距及凹槽深度)。 再次參看圖6，將自上述內容進一步瞭解，光柵61、62之角度之極小調整可用以實現由衰減器60提供之衰減之大調整。光柵61、62經調整所達之小角度範圍係使得衰減器60之回應時間(亦即，達成所要衰減所花費的時間)可比針對可藉由致動器施加之給定最大力之衰減器30之回應時間短得多。通常，對於小振幅移動，相比於以光柵為基礎之衰減器60，針對圖3中之以鏡面為基礎之衰減器30可不存在頻寬之較多差(亦即，每單位時間調整之最大數目)。對於此等小振幅移動，頻寬通常受到鏡面/光柵之機械諧振頻率限制。然而，對於大振幅移動，頻寬將受到由致動器產生之最大力限制。舉例而言，為了平移處於100赫茲的具有1公分振幅之5公斤鏡面總成，需要20 kN及約60 kW之瞬時功率。 如上文所指示，每一光柵中之EUV輻射之吸收通常為入射EUV輻射光束的近似1%至2%，從而產生EUV功率之僅30 W至60 W之熱負荷。因而，用於衰減器60之光柵61、62之冷卻要求可顯著小於用於衰減器30之鏡面31、32之冷卻要求。另外，雖然繞射通常對入射輻射之波長敏感，但掠入射EUV輻射光束之零階反射合適地對衰減器60可使用之波長不敏感，即使在源SO提供具有波動波長之EUV輻射光束B的情況下亦如此。 另外，雖然提議將衰減器30與靜態衰減器40 (如圖5中所展示)組合於衰減裝置15a中，但運用衰減器60可達成之衰減之大範圍係使得衰減器60在一些實施例中可替換靜態衰減器40之功能性。另外，在衰減器60經組態以提供大衰減(例如，99%)的情況下，衰減器60在一些實施例中可提供遮光片之功能性。因而，使用衰減器60相比於圖5中所展示之衰減裝置15a可減低成本。 如以上所描述，除了入射角以外，零階反射比亦取決於光柵之凹槽相對於入射EUV輻射光束之入射平面所成之角度。因而，在一些實施例中，另外或替代地，光柵61、62中之一或多者可具備可操作以使光柵61、62圍繞垂直於光柵61、62之反射表面之軸線而旋轉(亦即，變化光柵之方位角)之致動器。 圖10a、圖10b示意性地描繪衰減器100，其包含經配置以圍繞在y方向上延伸之軸線102而旋轉之光柵101。雖然軸線102被描繪處於光柵101之中心，但應理解，此僅僅為例示性的。經由光柵圍繞軸線102之旋轉，可調整在零階EUV輻射光束中反射之EUV輻射之量，藉此調整由衰減器100提供之衰減。繞射階±1經導引朝向各別EUV輻射光束截止器103、104。 圖11展示針對具有間距p = 900奈米及凹槽深度d = 200奈米之光柵的光柵之零階繞射如何依據方位角而變化(其中為0度之方位角被視為處於使光柵之凹槽之縱向軸線平行於EUV輻射光束之入射平面之位置)。在圖10中，可看到，對於為89.2度之入射角(例如，為0.8度之掠入射角)，0.5度之方位角旋轉引起20%的衰減(亦即，在經反射EUV輻射光束中反射分支EUV輻射光束Ba 之輻射的80%)。 在一些實施例中，提供於衰減裝置中之一或多個光柵可具備致動器以使光柵方位角地旋轉且因此變化掠入射角。 應瞭解，雖然衰減器60包含兩個光柵61、62，但在其他實施例中，提供單一光柵。舉例而言，在提供單一方位角調整之光柵的情況下，僅需要一個移動部件，藉此避免任何同步，諸如可在衰減器60中之光柵61、62之間執行的同步。 此外，應瞭解，衰減器之組合可提供於衰減裝置內。舉例而言，以反射光學件為基礎(例如，以鏡面為基礎)之衰減器(諸如，鏡面31、32)可結合以光柵為基礎之衰減器(諸如光柵61、62)而利用。如圖12中所展示，衰減器120可包含結合鏡面122之光柵121。光柵121可等效於圖6之光柵61且經配置以接收分支EUV輻射光束Ba 。自光柵121之零階反射經導引至鏡面122。為了避免發生於圖6之配置中的光柵62之平移，使鏡面122延伸(在z方向上)使得自光柵121之零階反射在鏡面122不具有平移的情況下針對光柵121之整個旋轉調整範圍而入射於鏡面122之表面上。致動器122a、122b提供於鏡面122之各別末端處以便調整鏡面122相對於入射經反射EUV輻射光束Ba0 之角度位置。因此，圖12之配置可比圖6之配置提供更短回應時間，此係因為鏡面122在z方向上不經歷平移。另外，經由使用鏡面122來代替光柵62，可避免製造及使用相對大光柵時之困難及成本。 在另一實例配置中，方位角調整之光柵(如參看圖10a、圖10b所描述)可與圍繞x軸旋轉之光柵(例如，光柵61、62)串聯地提供。此配置可有益於提供可提供大動態範圍之衰減的衰減器及可提供高頻寬(亦即，每單位時間之大量調整)之衰減器。亦即，相比於圍繞x軸旋轉之光柵(其將在yz平面中經歷較大彎曲力)，經受方位角旋轉之光柵將在xz平面中經歷較大彎曲力，且因此可具有較大勁度。較大勁度可引起方位角調整之光柵之較高諧振頻率，較高諧振頻率又可允許增加之頻寬。因而，光柵61與光柵101之組合可提供一種可提供高動態衰減範圍及高調整頻寬之系統。 更一般而言，光柵(經方位角旋轉及/或圍繞x軸旋轉兩者)、鏡面及靜態衰減器(例如，以氣體腔室為基礎之衰減器等等)之任何組合及任何數目個該等光柵、鏡面及靜態衰減器可提供於衰減裝置中。另外，應瞭解，衰減裝置15a至15n之不同衰減裝置可包含取決於經配置以接收分支輻射光束Ba 至Bn 之微影裝置之要求的衰減器之不同配置。 應理解，可以複數個合適方式中之任一者製造反射光柵。在一項實施例中，可藉由使用複數個蝕刻劑來處理矽晶圓以便提供具有實質上原子級扁平之表面的隆脊來產生光柵。舉例而言，可使用諸如氫氧化鉀(KOH)之蝕刻劑。替代地或另外，可使用深反應性離子蝕刻(DRIE)。舉例而言，DRIE可用以產生具有垂直壁之凹槽。 可將塗層沈積於經蝕刻鏡面上以便增加掠入射反射且減低具有所要波長之輻射(例如，EUV輻射)之吸收。舉例而言，可使用對於具有13.5奈米之波長之輻射具有高掠入射反射率的鉬(Mo)或釕(Ru)。對於其他波長之輻射，可選擇其他塗層。另外，可選擇材料以用於抵抗很可能存在於EUV輻射光束分離裝置內之條件，諸如EUV輻射誘發性電漿之產生。 在一些實施例中，諸如Mo及Ru之混合物之非晶金屬(或金屬玻璃)可沈積於經蝕刻層上以提供反射塗層。金屬玻璃之非晶結構可用以對平滑表面提供針對所要波長之高反射率。 應瞭解，可使用諸如鋯(Zr)之任何其他適當材料。不同塗層材料或組合物可施加至經蝕刻表面之不同部分。舉例而言，參看圖7及圖8，不同塗層可施加至S1 、S2 及S3 面。藉由將不同塗層施加至經蝕刻表面之不同部分，可補償面之熱膨脹。 在提供反射塗層的情況下，可將一另外塗層施加至該反射塗層。舉例而言，可施加氧化物、氮化物、碳化物等以便增加反射性塗層之穩定性及反射性塗層對很可能存在之條件之抵抗性。 在提供反射性塗層之情況下，可將一或多個界面層提供於經蝕刻材料(例如，Si)與反射性塗層之間以縮減表面粗糙度且增加熱導率。舉例而言，可提供石墨烯之界面層。 雖然圖中未描繪，但可將冷卻通道提供於光柵之反向側(亦即，未接收EUV輻射光束之側)上。此等冷卻通道可經配置以接收液體冷卻劑，諸如，水，或兩相液體/氣體冷卻劑。 雖然上文描述了經蝕刻表面可為矽，但應理解，可使用其他材料。可經各向異性蝕刻以提供光柵的其他材料之實例包括鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)、矽-鍺(SiGe)、磷化銦(InP)及砷化銦(InAs)。然而，通常可使用任何合適材料。 可如上文所描述來製造合適光柵。可接著使用諸如金屬玻璃中之熱塑性模製之程序或藉由(例如)衝壓來複製光柵。 衰減裝置15a至15n中之一或多者可形成用於微影系統之控制的控制迴路之部件。舉例而言，參看圖2，控制器25可經配置以自微影裝置LA及/或源SO接收指示EUV輻射之量之資料或更通常指示需要所接收EUV功率之增加、減低或停止之資料。 舉例而言，可判定出在晶圓之曝光期間在支撐結構MT及WT之加速或減速期間需要EUV功率之縮減。回應於接收到此資料，控制器可操作以使衰減裝置15a之一或多個致動器進行操作。舉例而言，參看圖6，在接收到指示需要EUV功率縮減之資料時，處理器可操作以使一或多個致動器使光柵61、62旋轉以增加其各別入射角。亦即，在一些實施例中，衰減裝置內之每一元件(例如，光柵、鏡面等等)之致動器可彼此獨立地可調整。 作為一另外實例，控制器25可為回饋控制迴路之部件，其經配置以偵測在微影裝置LAa 處接收的EUV輻射之強度且調整分支EUV輻射光束Ba 之衰減以便將微影裝置LAa 處之強度維持在預定值或在預定範圍內。 應瞭解，雖然參看衰減裝置15a描述上文所描述之實施例，但可以相似方式實施衰減裝置15b至15n。 雖然上文描述針對每一分支EUV輻射光束提供一各別衰減裝置15a至15n，但應瞭解，在其他實施例中，可針對分支EUV輻射光束中之僅一者或一些提供衰減裝置。另外，可針對複數個分支EUV輻射光束提供單一衰減器。亦即，雖然衰減裝置15a至15n被展示為安置於分離器20之外部，但在其他實施例中，如本文所描述之衰減裝置可安置於分離器20內以便使複數個分支EUV輻射光束衰減。舉例而言，為了使所有分支EUV輻射光束Bb 至Bn 一起衰減，可緊接在第一分支EUV輻射光束Ba 之分支之後提供衰減裝置。實際上，如將對熟習此項技術者自本文之教示顯而易見，可提供衰減裝置之任何組合或組態。 更通常，應自本文中之教示易於瞭解，如大體上在上文所描述之衰減器15可定位於微影系統內在基板之前的別處。舉例而言，參看圖2，衰減器可定位於照明器IL內。 根據本發明之一實施例之微影系統可進一步包含一或多個光罩檢測裝置。EUV輻射光束分離裝置20可將主EUV輻射光束B之一部分導引至光罩檢測裝置。光罩檢測裝置可使用此輻射以照明光罩且使用成像感測器以監視自光罩MA反射之輻射。光罩檢測裝置可包括經組態以自EUV輻射光束分離裝置20接收分支EUV輻射射束且將EUV輻射光束導引於光罩處之光學件(例如，鏡面)。光罩檢測裝置可進一步包括經組態以收集自光罩反射之輻射且在成像感測器處形成光罩之影像的光學件(例如，鏡面)。光罩檢測裝置可相似於圖2所展示之微影裝置LAa ，其中用成像感測器來替換基板台WT。在一些實施例中，為允許一些冗餘，微影系統可包含兩個光罩檢測裝置。此可允許在一光罩檢測裝置被修復或經歷維護時使用另一光罩檢測裝置。因此，一個光罩檢測裝置始終可供使用。光罩檢測裝置可比微影裝置使用更低的功率的EUV輻射光束。 術語「EUV輻射」可被認為涵蓋具有在5奈米至20奈米之範圍內(例如，在13奈米至14奈米之範圍內)之波長之電磁輻射。EUV輻射可具有小於10奈米之波長，例如，在5奈米至10奈米之範圍內之波長(諸如，6.7奈米或6.8奈米)。 微影裝置LAa 至LAn 可用於IC之製造中。替代地，本文所描述之微影裝置LAa 至LAn 可具有其他應用。可能之其他應用包括製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等等。 雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。以上之描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
8‧‧‧開口
10‧‧‧琢面化場鏡面器件
11‧‧‧琢面化光瞳鏡面器件
13‧‧‧鏡面
14‧‧‧鏡面
15a‧‧‧衰減裝置
15b‧‧‧衰減裝置
15n‧‧‧衰減裝置
20‧‧‧極紫外線(EUV)輻射光束分離裝置/分離器
25‧‧‧控制器
30‧‧‧動態衰減器配置/第一動態衰減器/以鏡面為基礎之衰減器
31‧‧‧第一鏡面
32‧‧‧第二鏡面
40‧‧‧第二衰減裝置/第二靜態衰減器
41‧‧‧外殼
42‧‧‧腔室
43‧‧‧第一窗口
44‧‧‧第二窗口
45‧‧‧氣體入口
46‧‧‧氣體閥
47‧‧‧壓力監視器
60‧‧‧以光柵為基礎之衰減器
61‧‧‧光柵
62‧‧‧光柵
63‧‧‧極紫外線(EUV)輻射光束截止器
64‧‧‧極紫外線(EUV)輻射光束截止器
65‧‧‧極紫外線(EUV)輻射光束截止器
66‧‧‧極紫外線(EUV)輻射光束截止器
67‧‧‧軸線/樞軸
68‧‧‧軸線/樞軸
70‧‧‧光柵
80‧‧‧光柵
81‧‧‧基座部分
100‧‧‧結晶平面(圖7)/衰減器(圖10a、圖10b)
101‧‧‧光柵
102‧‧‧軸線
103‧‧‧極紫外線(EUV)輻射光束截止器
104‧‧‧極紫外線(EUV)輻射光束截止器
111‧‧‧結晶平面
120‧‧‧衰減器
121‧‧‧光柵
122‧‧‧鏡面
122a‧‧‧致動器
122b‧‧‧致動器
ABa‧‧‧分支極紫外線(EUV)輻射光束
B‧‧‧極紫外線(EUV)EUV輻射光束/主極紫外線(EUV)輻射光束
Ba‧‧‧分支極紫外線(EUV)輻射光束
Ba'‧‧‧經圖案化極紫外線(EUV)輻射光束
Ba+1‧‧‧極紫外線(EUV)輻射光束
Ba0‧‧‧第一極紫外線(EUV)輻射光束
Ba0'‧‧‧經反射極紫外線(EUV)輻射光束
Ba-1‧‧‧極紫外線(EUV)輻射光束
Bb‧‧‧分支極紫外線(EUV)輻射光束
Bn‧‧‧分支極紫外線(EUV)輻射光束
IL‧‧‧照明系統/照明器
LAa‧‧‧微影裝置
LAb‧‧‧微影裝置
LAn‧‧‧微影裝置
LS‧‧‧微影系統
MA‧‧‧圖案化器件/光罩
MT‧‧‧支撐結構
PS‧‧‧投影系統
S1‧‧‧頂面/面特徵
S2‧‧‧面/面特徵
S3‧‧‧面/面特徵
SO‧‧‧輻射源/自由電子雷射源
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台/支撐結構
現在將參看隨附示意性圖式而僅作為實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中： 圖1描繪根據本發明之一實施例的包含衰減裝置之微影系統； 圖2描繪形成圖1之微影系統之部分的微影裝置； 圖3為利用可調整鏡面之所提議動態衰減器的示意性說明； 圖4為利用充氣腔室之所提議靜態衰減器的示意性說明； 圖5為包含複數個衰減器之衰減裝置的示意性說明； 圖6a、圖6b為包含複數個反射光柵之衰減器的示意性說明； 圖7、圖8為可能的光柵之示意性說明； 圖9a、圖9b為描繪針對各別光柵組態之零階反射比隨著入射角之改變的圖表； 圖10a、圖10b為包含單一光柵之衰減器的示意性說明； 圖11為描繪零階反射比隨著方位角之改變的圖表； 圖12為包含光柵及鏡面之衰減器的示意性說明。
30‧‧‧動態衰減器配置/第一動態衰減器/以鏡面為基礎之衰減器
31‧‧‧第一鏡面
32‧‧‧第二鏡面
ABa‧‧‧分支極紫外線(EUV)輻射光束
Ba‧‧‧分支極紫外線(EUV)輻射光束

Claims (17)

  1. 一種用於調整一輻射強度之裝置，其包含： 一光柵，其用於接收一輻射光束且用於在一第一方向上以一第一經反射輻射光束之形式來導引該輻射光束之至少一部分；及 一或多個第一致動器，其可操作以使該光柵旋轉以調整該輻射光束與該光柵之一表面之間的一掠入射角以便變化該經反射輻射光束之一強度。
  2. 如請求項1之裝置，其中該一或多個第一致動器可操作以使該光柵旋轉小於1度之一角度。
  3. 如請求項1或2之裝置，其中該一或多個第一致動器可操作以使該光柵圍繞至該光柵之一表面之一法線旋轉，以便變化該光柵之一或多個凹槽與該第一輻射光束之一入射平面之間的一角度。
  4. 如請求項1或2之裝置，其中該光柵可操作以將至少一個經繞射輻射光束導引遠離該第一方向。
  5. 如請求項1或2之裝置，其進一步包含一反射光學件，該反射光學件可操作以接收該經反射輻射光束且在一第二方向上以一第二經反射輻射光束之形式來導引該經反射輻射光束之至少一部分；及 一或多個第二致動器，其經配置以調整該反射光學件之一定向以便變化該第二經反射輻射光束之一強度。
  6. 如請求項5之裝置，其中該反射光學件包含一第二光柵。
  7. 如請求項1或2之裝置，其中該一或多個第一致動器可操作以平移該光柵使得一經衰減輻射光束自該衰減裝置在一固定位置及方向上被導引。
  8. 如請求項5之裝置，其中該一或多個第二致動器可操作以平移該反射光學件使得一經衰減輻射光束自該衰減裝置在一固定位置及方向上被導引。
  9. 如請求項5之裝置，其中該反射光學件在該第一輻射光束之傳播方向上具有一範圍使得該第一反射輻射光束針對該光柵之一預定範圍的定向中的所有定向皆入射於該反射光學件之一反射表面上。
  10. 如請求項9之裝置，其進一步包含一控制器，該控制器經配置以控制該一或多個第一致動器以調整該光柵之該定向。
  11. 如請求項10之裝置，其中該控制器經配置以自一感測器接收一輻射強度之指示，且回應於接收到該等指示而控制該一或多個第一致動器。
  12. 如請求項1或2之裝置，其中該輻射包含EUV輻射。
  13. 一種微影系統，其包含： 一輻射源，其可操作以產生一第一輻射光束； 一如請求項1至12中任一項之衰減裝置，其經配置以接收一第一輻射光束，該第一輻射光束包含主輻射光束之至少一部分；及 至少一個微影裝置，該至少一個微影裝置經配置以自該衰減裝置接收一經衰減輻射光束。
  14. 如請求項13之微影系統，其進一步包含一輻射光束分離裝置，該輻射光束分離裝置經配置以接收該主輻射光束且輸出至少一個分支輻射光束； 其中該第一輻射光束包含該至少一個分支輻射光束之至少一部分。
  15. 如請求項14之微影系統，其中該輻射光束分離裝置經配置以輸出複數個分支輻射光束；且 其中該微影系統包含用於該複數個分支輻射光束中之每一者之一各別衰減裝置，每一衰減裝置經配置以接收該複數個分支輻射光束中之一各別分支輻射光束。
  16. 如請求項13至15中任一項之微影系統，其中該輻射源包含一或多個自由電子雷射。
  17. 如請求項13至15中任一項之微影系統，其中該至少一個微影裝置包含一或多個光罩檢測裝置。
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