KR20240035805A - 변형 가능한 미러 시스템 - Google Patents
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Abstract
변형 가능한 미러 시스템(300, 400, 500)으로서, 단일체형 지지 구조체(310, 410, 510)를 포함하며, 지지 구조체는: 미러(350, 450, 550)를 수용하도록 구성되는 제 1 면(311); 및 복수의 액추에이터(460, 560)를 수용하도록 구성되어, 미러의 반사 표면(351, 451, 551)의 선택적 변형이 가능하도록 액추에이터가 배치되는 제 2 면(312)을 포함한다.
Description
[관련 출원에 대한 상호 참조]
본 출원은 2021년 7월 22일에 출원된 EP 출원 21187258.5에 대한 우선권을 주장하며, 그 전문은 참조에 의해 본 명세서에 통합된다.
[기술분야]
본 발명은, 단일체형(monolithic) 지지 구조체를 포함하는 변형 가능한 미러 시스템에 관한 것이며, 이는 리소그래피 장치에서 사용될 수 있다.
리소그래피 장치는 기판 상에 원하는 패턴을 도포하도록 구성된 기계이다. 리소그래피 장치는 예를 들어 집적 회로(IC) 제조에 사용될 수 있다. 리소그래피 장치는 예를 들어 패터닝 디바이스(예: 마스크)에서의 패턴을 기판 상에 제공된 방사선 민감성 재료(레지스트)의 층 상으로 투영할 수 있다.
리소그래피 장치는 기판에 패턴을 투영하기 위해 전자기 방사선을 사용할 수 있다. 이 방사선의 파장은 그 기판 상에 형성될 수 있는 피처의 최소 크기를 결정한다. 4 내지 20nm 범위 내(예를 들어 6.7nm 또는 13.5nm)의 파장을 갖는 극자외선(EUV) 방사선을 사용하는 리소그래피 장치는 기존의 리소그래피 장치(예를 들어, 파장이 193nm인 방사선을 사용함)보다 기판에 더 작은 피처를 형성하는 데 사용될 수 있다.
리소그래피 장치는 종종 하나 이상의 미러를 사용하여 EUV 방사선을 포커싱(focus)한다. 하나 이상의 미러의 형상 또는 위치는, 예를 들어 생성된 EUV 빔에서 수차(aberrations)를 야기함에 따라 장치의 성능에 해로울 수 있는, 장치에서 발생하는 여하한의 변화를 보정하기 위해 조정될 수 있다. 이러한 변화는, 구성 요소의 장기적인 드리프트(drift)로 인해 발생하거나, 미러의 특정 영역의 가열과 같은 보다 단기적인 열적 변화로 인해 발생할 수 있다. 조정 가능하거나 변형 가능한 미러는 또한 리소그래피 장치에서 시스템의 왜곡(distortion)을 보정하기 위해 사용될 수 있다.
변형 가능한 미러는, 예를 들어 압전 또는 정전 액추에이터와 같은 하나 이상의 액추에이터를 포함할 수 있으며, 이러한 액추에이터는 미러에 고정되며 반사 미러 표면(reflective mirror surface)의 표면에 대략 평행한 작동 방향(direction of actuation)을 가진다.
하나 이상의 액추에이터는 활성화 시에 확장 또는 축소되어 반사 미러 표면의 변형을 야기한다. 하나 이상의 액추에이터가 반사 미러 표면에 대략 평행한 방향으로 확장 또는 축소되므로, 이를 표면 평행식 작동(surface parallel actuation)이라고 칭한다. 도 2a는 표면 평행식 작동을 도시한다.
본 발명의 목적은, 특히 EUV 리소그래피에 사용되지만 이에 국한되지는 않는 미러를 위한 개선된 미러 지지체 및 제작 방법을 제공하는 것이다.
본 명세서에 설명된 일 예에서, 단일체형 지지 구조체를 포함하는 변형 가능한 미러 시스템이 제공되며, 지지 구조체는: 미러를 수용하도록 구성되는 제 1 면; 및 복수의 액추에이터를 수용하도록 구성되어, 미러의 반사 표면의 선택적 변형이 가능하도록 액추에이터가 배치되는 제 2 면을 포함한다. 유리하게도, 변형 가능한 미러 시스템은 미러 전체에 걸친 강성(stiffness) 및 기계적 안정성을 갖춘 미러를 제공하면서도 여전히 국부적인 변형을 가능케 한다. 전술된 바와 같이, 미러를 변형시키는 능력은 미러에 의해 반사되는 파면에서의 수차 문제를 해결하거나, 파면에 원하는 특성을 부여하는 데 사용될 수 있다.
지지 구조체는 제 2 면을 통해 연장되는 복수의 캐비티(cavity)를 포함할 수 있으며, 복수의 캐비티 각각은 복수의 액추에이터 중 적어도 하나를 수용하도록 구성된다. 유리하게도, 복수의 캐비티는 복수의 액추에이터의 고정을 위한 위치들을 제공하여 미러가 변형될 수 있도록 한다.
복수의 캐비티는, 구조체의 제 2 면에 걸쳐 규칙적인 2차원 격자(lattice) 구조를 형성하도록 배열될 수 있다. 캐비티의 규칙적인 배열은, 일관적인 작동력(actuation force)이 미러에 걸쳐 유사한 변형을 달성하도록 보장하는 데 도움이 된다.
제 1 면은 복수의 필라(pillars)를 포함할 수 있으며, 복수의 필라 각각은 미러를 지지하도록 구성된다. 필라는 유리하게도 지지되는 미러와 지지 구조체의 주 부분(bulk) 사이에 간극(gap)을 제공하며, 간극은 지지 구조체로부터 미러의 기계적 분리(decoupling)를 제공할 수 있다. 간극은 미러과 지지 구조체 간에 열교차단(thermal break)을 제공할 수 있다. 또한, 미러와 지지 구조체 사이에 간극을 제공함으로써 미러는 변형할 수 있는 추가적인 공간을 갖게 되며, 이에 따라 변형이 더 용이해지고 가능한 변형의 정도가 더 커진다.
복수의 필라는, 제 1 면에 걸쳐 규칙적인 2차원 격자 구조를 형성하도록 배열될 수 있다. 필라의 규칙적인 배열은, 미러가 그 넓이에 걸쳐 일관적으로 지지되고, 일관적인 작동력이 미러의 넓이에 걸쳐 유사한 변형을 달성하도록 보장할 수 있다.
복수의 필라 각각은, 복수의 캐비티 중 각각의 캐비티의 적어도 일부분과 동축으로(co-axially) 배열될 수 있다. 유익하게도, 지지 구조체와 미러 간의 각각의 접촉 지점 아래에 액추에이터를 위한 위치를 제공함으로써, 미러의 변형을 더 쉽게 제어할 수 있다.
변형 가능한 미러 시스템은 미러를 포함할 수 있고, 미러는 반사 미러 표면을 갖는 플레이트를 포함하며, 플레이트는 지지체의 제 1 면에 고정될 수 있다. 반사 미러 표면은 당업자에게 공지된 바와 같이 다층 코팅에 의해 제공될 수 있다. 복수의 코팅은 반사 미러 표면의 원하는 광학적 성질(예를 들어 투과율 또는 반사율)을 제공할 수 있다.
변형 가능한 미러 시스템은 복수의 액추에이터를 포함할 수 있다.
복수의 액추에이터 중 하나 이상은 미러의 아랫면(underside)에 압축력 또는 장력을 가하도록 구성될 수 있다.
복수의 액추에이터로부터의 압축력 또는 장력 대부분은 미러의 반사 미러 표면에 대체로 수직인 방향으로 가해질 수 있다. 따라서, 유리하게도 변형 가능한 미러 시스템은 표면 수직식 작동(surface normal actuation)을 이용하여, 표면 평행식 작동을 사용할 때 발생하는 크로스토크(cross-talk)의 영향을 줄일 수 있다. 정지 상태에서, 압축력이나 장력이 가해지지 않을 때 제 1 면은 실질적으로 편평할 수 있다. 대안적으로, 이는 실질적으로 볼록형이거나, 오목형이거나, 또는 다른 형상일 수 있다.
복수의 액추에이터 각각은 제 1 지점 및 제 2 지점에서 변형 가능한 미러 지지체에 고정될 수 있다. 제 1 지점은 캐비티의 원위 단부(제 2 면에 더 가까움)에 있을 수 있으며, 제 2 지점은 캐비티의 근위 단부에 더 가까울 수 있다(즉, 제 1 지점에 비해 제 1 면에 더 가까운 지점) . 유익하게도, 이러한 방식으로 복수의 액추에이터 각각을 고정함으로써 압축력 및 장력을 모두 가할 수 있게 된다. 대안적으로, 복수의 액추에이터 각각은 하나의 지점에서, 또는 다수의 지점에서 단일체형 구조체에 고정될 수 있다. 유익하게도, 이는 여전히 미러에 압축력을 가할 수 있게 하면서도 변형 가능한 미러 시스템을 보다 간단하게 제작할 수 있도록 한다.
복수의 액추에이터 각각은, 공압식(pneumatic), 정수압식(hydrostatic), 로렌츠식(Lorentz), 릴럭턴스식(reluctance), 또는 열적-기계적(thermal mechanical) 액추에이터일 수 있다. 서로 다른 유형의 액추에이터는 서로 다른 이점을 제공할 수 있다. 예를 들어, 공압식 및 정수압식 액추에이터는 온도에 민감하지 않은 방식으로 작동될 수 있다.
리소그래피 장치(LA)는 하나 이상의 변형 가능한 미러 시스템을 포함할 수 있다.
리소그래피 장치(LA)는 EUV 리소그래피 장치일 수 있다. 유리하게도, 2개 이상의 변형 가능한 미러 시스템을 포함하는 리소그래피 장치에서는 3차 왜곡(3rd order distortions) 문제가 보정될 수 있다.
본 명세서에 설명되는 다른 일 예에서는, 제 1 예의 변형 가능한 미러 지지체를 변형하는 방법이 제공된다.
본 명세서에 설명되는 다른 일 예에서는, 제 1 예의 변형 가능한 미러 지지체를 제작하는 방법이 제공된다.
이제, 본 발명의 실시예들을 첨부된 개략적인 도면을 참조하여 예시적으로만 설명할 것이다.
도 1은, 리소그래피 장치 및 방사선 소스를 포함하는 리소그래피 시스템을 도시한다.
도 2a는, 표면 평행식 작동에 의해 변형될 수 있는 변형 가능한 미러를 도시한다.
도 2b는, 표면 수직식 작동에 의해 변형될 수 있는 변형 가능한 미러를 도시한다.
도 3a는, 변형 가능한 미러 시스템의 단면도를 도시한다.
도 3b는, 도 3a의 변형 가능한 미러 시스템의 탑다운(top-down) 도면을 도시한다.
도 3c는, 도 3a의 변형 가능한 미러 시스템의 확대된 단면도를 도시한다.
도 4는, 복수의 공압식 또는 정수압식 액추에이터를 포함하는 변형 가능한 미러 시스템을 도시한다.
도 5는, 복수의 로렌츠식 액추에이터를 포함하는 변형 가능한 미러 시스템을 도시한다.
도 1은, 리소그래피 장치 및 방사선 소스를 포함하는 리소그래피 시스템을 도시한다.
도 2a는, 표면 평행식 작동에 의해 변형될 수 있는 변형 가능한 미러를 도시한다.
도 2b는, 표면 수직식 작동에 의해 변형될 수 있는 변형 가능한 미러를 도시한다.
도 3a는, 변형 가능한 미러 시스템의 단면도를 도시한다.
도 3b는, 도 3a의 변형 가능한 미러 시스템의 탑다운(top-down) 도면을 도시한다.
도 3c는, 도 3a의 변형 가능한 미러 시스템의 확대된 단면도를 도시한다.
도 4는, 복수의 공압식 또는 정수압식 액추에이터를 포함하는 변형 가능한 미러 시스템을 도시한다.
도 5는, 복수의 로렌츠식 액추에이터를 포함하는 변형 가능한 미러 시스템을 도시한다.
도 1은, 방사선 소스(SO) 및 리소그래피 장치(LA)를 포함하는 리소그래피 시스템을 도시한다. 방사선 소스(SO)는 EUV 방사선 빔(B)을 생성하고 EUV 방사선 빔(B)을 리소그래피 장치(LA)에 공급하도록 구성된다. 리소그래피 장치(LA)는, 조명 시스템(IL), 패터닝 디바이스(MA)(예: 마스크)를 지지하도록 구성되는 지지 구조체(MT), 투영 시스템(PS), 및 기판(W)을 지지하도록 구성되는 기판 테이블(WT)을 포함한다.
조명 시스템(IL)은, EUV 방사선 빔(B)이 패터닝 디바이스(MA) 상에 입사되기 전에 EUV 방사선 빔(B)을 컨디셔닝하도록 구성된다. 이에 따라, 조명 시스템(IL)은 패싯(facetted) 필드 미러 디바이스(10) 및 패싯 퓨필 미러 디바이스(11)를 포함할 수 있다. 패싯 필드 미러 디바이스(10) 또는 패싯 퓨필 미러 디바이스(11)는 변형 가능할 수 있고, 변형 가능한 미러 시스템을 포함하거나 사용할 수 있다. 패싯 필드 미러 디바이스(10)와 패싯 퓨필 미러 디바이스(11)는 함께 EUV 방사선 빔(B)에 원하는 단면 형상 및 원하는 강도 분포를 제공한다. 조명 시스템(IL)은 패싯 필드 미러 디바이스(10) 및 패싯 퓨필 미러 디바이스(11)에 더하여 또는 그 대신에 다른 미러 또는 디바이스를 포함할 수 있다. 다른 미러들은 변형 가능할 수 있고, 변형 가능한 미러 시스템을 포함하거나 사용할 수 있다.
이와 같이 컨디셔닝된 후, EUV 방사선 빔(B)은 패터닝 디바이스(MA)와 상호작용한다. 이러한 상호작용의 결과로, 패터닝된 EUV 방사선 빔(B')이 생성된다. 투영 시스템(PS)은 패터닝된 EUV 방사선 빔(B')을 기판(W) 상에 투영하도록 구성된다. 이를 위해, 투영 시스템(PS)은, 기판 테이블(WT)에 의해 유지되는 기판(W) 상으로 패터닝된 EUV 방사선 빔(B')을 투영하도록 구성되는 복수의 미러(13, 14)를 포함할 수 있다. 복수의 미러(13, 14) 중 하나 이상은 변형 가능할 수 있고, 변형 가능한 미러 시스템을 포함하거나 사용할 수 있다. 투영 시스템(PS)은 패터닝된 EUV 방사선 빔(B')에 감소 계수(reduction factor)를 적용하여, 패터닝 디바이스(MA) 상의 대응 피처보다 작은 피처를 갖는 이미지를 형성할 수 있다. 예를 들어, 4 또는 8의 감소 계수가 적용될 수 있다. 도 1에서는 투영 시스템(PS)이 2개의 미러(13, 14)만을 갖는 것으로 도시되었으나, 투영 시스템(PS)은 다른 수의 미러(예: 6개 또는 8개의 미러)를 포함할 수 있다.
기판(W)은 이전에 형성된 패턴들을 포함할 수 있다. 이 경우, 리소그래피 장치(LA)는 패터닝된 EUV 방사선 빔(B')에 의해 형성된 이미지를 기판(W) 상에 이전에 형성된 패턴과 정렬시킨다.
상대적 진공(즉, 대기압보다 훨씬 낮은 압력인 소량의 기체, 예컨대 수소)이 방사선 소스(SO), 조명 시스템(IL), 및/또는 투영 시스템(PS) 내에 제공될 수 있다.
도 1에 도시된 방사선 소스(SO)는, 예를 들어, 레이저 생성 플라즈마(LPP) 소스로 지칭될 수 있는 유형이다. 예를 들어 CO2 레이저를 포함할 수 있는 레이저 시스템(1)은, 예를 들어 연료 방출기(3)로부터 제공되는 주석(Sn)과 같은 연료에 레이저 빔(2)을 통해 에너지를 축적하도록 배열된다. 아래의 설명에서는 주석이 언급되지만, 임의의 적합한 연료가 사용될 수 있다. 연료는 예를 들어 액체 형태일 수 있고, 예를 들어 금속 또는 합금일 수 있다. 연료 방출기(3)는, 예를 들어 액적(droplet) 형태의 주석을 플라즈마 형성 영역(4)을 향해 궤적을 따라 지향하도록 구성되는 노즐을 포함할 수 있다. 레이저 빔(2)이 플라즈마 형성 영역(4)에서 주석에 입사된다. 주석에 레이저 에너지를 축적함에 따라 플라즈마 형성 영역(4)에 주석 플라즈마(7)가 생성된다. EUV 방사선을 포함한 방사선이 플라즈마 이온과 전자의 탈여기(de-excitation) 및 재결합 동안 플라즈마(7)로부터 방출된다.
플라즈마로부터의 EUV 방사선은 컬렉터(5)에 의해 수집되고 포커싱된다. 컬렉터(5)는, 예를 들어, 근 수직(near-normal) 입사 방사선 컬렉터(5) (때때로 수직 입사 방사선 컬렉터라고 더 일반적으로 지칭됨)를 포함할 수 있다. 컬렉터(5)는 EUV 방사선(예: 13.5nm와 같은 원하는 파장을 갖는 EUV 방사선)을 반사하도록 배열된 다층 미러 구조를 가질 수 있다. 컬렉터(5)는 2개의 초점을 갖는 타원형 구성을 가질 수 있다. 아래에서 논의되는 바와 같이, 초점 중 제 1 초점은 플라즈마 형성 영역(4)에 있을 수 있고, 초점 중 제 2 초점은 중간 포커스(6)에 있을 수 있다. 컬렉터는 변형 가능할 수 있고, 변형 가능한 미러 시스템을 포함하거나 사용할 수 있다.
레이저 시스템(1)은 방사선 소스(SO)로부터 공간적으로 분리될 수 있다. 이 경우, 레이저 빔(2)은, 예를 들어 적합한 지향 미러, 및/또는 빔 확장기(beam expander), 및/또는 기타 광학기를 포함하는 빔 전달 시스템(도시되지 않음)의 도움을 받아 레이저 시스템(1)으로부터 방사선 소스(SO)로 전달될 수 있다. 지향 미러, 빔 확장기, 또는 기타 광학기는 변형 가능할 수 있고, 변형 가능한 미러 시스템을 포함하거나 사용할 수 있다. 레이저 시스템(1), 방사선 소스(SO), 및 빔 전달 시스템은 함께 방사선 시스템으로 간주될 수 있다.
콜렉터(5)에 의해 반사된 방사선은 EUV 방사선 빔(B)을 형성한다. EUV 방사선 빔(B)은 중간 포커스(6)에 포커싱되어, 플라즈마 형성 영역(4)에 존재하는 플라즈마의 이미지를 중간 포커스(6)에서 형성한다. 중간 포커스(6)에서의 이미지는 조명 시스템(IL)을 위한 가상 방사선 소스로서 작용한다. 방사선 소스(SO)는, 중간 포커스(6)가 방사선 소스(SO)의 포위 구조체(enclosing structure : 9)의 개구부(8)에 또는 그 근처에 위치하도록 배열된다.
도 1에서는 방사선 소스(SO)를 레이저 생성 플라즈마(LPP) 소스로서 도시하고 있으나, 방전 생성 플라즈마(DPP) 소스 또는 자유 전자 레이저(FEL)와 같은 임의의 적합한 소스가 EUV 방사선을 생성하는 데 사용될 수 있다.
예를 들어 EUV 리소그래피 장치(LA)의 투영 시스템(PS) 내 미러와 같은 미러에서는 광학 표면 변형이 발생할 수 있다. 아래의 설명은 일반적으로 EUV 리소그래피 장치(LA)에서의 변형 가능한 미러 시스템에 관한 것이지만, 설명된 장치 및 방법은 DUV 리소그래피 장치와 같은 다른 리소그래피 장치의 다른 구성요소에도 적용 가능하다는 점이 이해될 것이다. 마찬가지로, 아래의 설명은 리소그래피 장치에 관한 것이지만, 본 명세서에 설명된 변형 가능한 미러 시스템은 변형 가능한 미러가 필요한 다른 응용 분야에 사용될 수 있다는 점이 이해될 것이다.
리소그래피 장치(LA)에서, 입사되는 전자기(EM) 파동(즉, EUV 방사선)은 미러(들)과 상호작용하며 일부 방사선은 반사되고 일부는 흡수된다. 흡수된 방사선은 미러 내에서 방산(dissipated)되어 미러의 가열로 이어진다. 열이 미러 내에서 전도됨에 따라 미러의 온도는 시간이 지나며 변화한다. 온도 변화로 인해 미러가 변형되고 이는 파면 수차의 발생으로 이어진다. 이러한 파면 수차는, 예를 들어 리소그래피 장치(LA)의 이미징 성능을 개선하기 위해, 리소그래피 장치(LA) 내에서 보정되어야 할 수 있다.
EUV 방사선 소스 출력이 증가함에 따라, EUV 리소그래피 장치(LA)에서 미러의 가열은 점점 큰 문제가 된다. 더욱이, 일부 극단적인 조명 프로파일은, 미러의 다른 영역은 허용 가능한 온도로 유지되지만 미러의 일부분에서는 문제가 될 정도의 가열을 초래할 수 있다. 이러한 경우, 투영 광학기[예: 투영 시스템(PS)]의 미러가 지나치게 가열되어 변형을 일으키고 충분히 보정될 수 없는 수차가 발생할 수 있다.
배경기술에서 설명된 바와 같이, 도 2a에 도시된 표면 평행식으로 작동되는 변형 가능한 미러를 제공하는 것이 공지되어 있다. 도 2a는, 미러(200)를 도시하며, 반사 표면(201) 어떻게 액추에이터(202)에 의해 변형될 수 있는지를 도시하고, 액추에이터는 지점(203)들에서 미러의 후면에 고정되고 미러 표면(201)에 평행한 방향으로 작동한다.
그러나 표면 평행식 작동은 변형 크로스토크를 초래할 수 있으며, 이때 반사 미러 표면(201)의 하나의 영역을 변형시키는 작동은 반사 미러 표면(201)의 다른 영역에서 의도되지 않은 변형을 일으킨다.
더불어, 기존의 변형 가능한 미러는, EUV 방사선 빔(B)의 방산으로 인해 발생하는 높은 열 부하에 따른 의도되지 않은 열기계적 변형을 피하기 위해 온도 변화에 대하여 강건(robust)해야만 하는 EUV 리소그래피 장치(LA)에 사용하기에는 적합하지 않을 수 있다. 기존의 변형 가능한 미러에 일반적으로 포함되는 하나 이상의 재료의 열팽창 계수(coefficient of thermal expansion, CTE)가 0이 아님에 따라 EUV 리소그래피 장치(LA)에서 이들의 용도는 제한적일 수 있다. 서로 다른 재료들이 갖는 다양한 CTE로 인해, 이러한 기존의 변형 가능한 미러는 EUV 리소그래피 장치(LA)에 사용하기에 부적합하다.
기존의 변형 가능한 미러의 반사 미러 표면은 높은 강성을 갖는 용융 석영(fused quartz) 기판으로 형성될 수 있고, 이에 따라 반사 미러 표면을 변형시키기 위해서는 매우 강한 작동력이 필요하다. 더욱이, 이러한 변형 가능한 미러는 접착제를 사용하여 제작될 수 있다. 접착제의 사용은, (변형 가능한 미러의 다른 구성요소에 비하여) 상대적으로 높은 CTE가 수용 불가한 드리프트(drift)를 일으킬 수 있으므로 문제가 될 수 있다.
도 3a, 3b, 및 3c는, 변형 가능한 미러 시스템(300)을 도시한다. 변형 가능한 미러 시스템(300)은, 도 1에 도시된 유형의 리소그래피 장치(LA)에서 사용될 수 있다. 변형 가능한 미러 시스템(300)은 단일체형 지지 구조체(310)를 포함한다. 즉, 구조체(310)는 균질한(homogeneous) 재료의 단일 피스(piece)로 형성되며, 동일한 또는 다른 재료로 된 추가적인 피스를 결합하기 위한 접착제나, 기계적 고정 또는 다른 형태의 고정을 사용하지 않는다. 지지 구조체(310)는 하나 이상의 액추에이터를 수용할 수 있도록 제작되며, 액추에이터는 미러(350)와 접촉하는 지지 구조체(310)의 일부분을 변형시킴에 따라 반사 미러 표면(351)을 변형시키기 위해 제공될 수 있다. 도 3a 및 도 3c로부터, 지지 구조체(310)는 제 1 면(311) 및 제 1 면(311)의 대체로 반대쪽에 있는 제 2 면(312)을 갖는다는 것을 알 수 있다. 구조체(310)의 제 1 면(311)은 미러(350)를 수용하도록 구성된다. 제 2 면(312)은 액추에이터를 수용하도록 구성된다.
도 3a, 3b, 및 3c에 도시된 바와 같이, 액추에이터를 수용하도록 구성되는 지지 구조체(310)의 제 2 면(312)에는 복수의 캐비티(320)가 제공된다. 복수의 캐비티(320) 각각은 액추에이터를 수용하도록 구성될 수 있다. 복수의 캐비티(320) 각각의 형상은 캐비티가 수용할 액추에이터의 형상에 상보적(complementary)이도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 캐비티(320) 중 하나 이상의 캐비티의 벽면은 수용하려는 액추에이터와 실질적으로 동일한 단면 형상을 갖는 직각 프리즘(right prism)을 획정(define)할 수 있다. 하나 이상의 캐비티(320) 각각은, 원뿔, 다른 프리즘, 절두체(frustum), 또는 비정형(non-regular) 다면체와 같은 임의의 적절한 형상을 취할 수 있다.
도 3a 및 3c에 도시된 캐비티(320)는 지지 구조체(310)의 제 2 면(312)에 인접한 더 넓은 제 1 부분을 갖는 것으로 도시되어 있으며, 더 넓은 제 1 부분은 지지 구조체(310)의 제 1 면(311)에 인접한 더 좁은 제 2 부분(322)과 연통(in communication)한다. 제 2 면(312)에 인접한 더 넓은 부분을 제공함으로써, 캐비티(320) 내에 액추에이터를 설치하는 것이 용이해진다. 예를 들어, 더 넓은 부분은 캐비티(320) 내에 수용될 액추에이터보다 더 넓을 수 있고, 반면 더 좁은 부분(322)은 수용된 액추에이터와 억지 끼워맞춤(interference fit)되기 위한 형상을 가질 수 있다.
캐비티(320)는 지지 구조체(310)의 제 2 표면(312)에 걸쳐 여하한의 방식으로 분포될 수 있다. 예를 들어, 복수의 캐비티(320)는 제 2 면(312)에 걸쳐 육각형 격자 구조(360)(도 3b에 도시됨) 또는 임의의 다른 규칙적인 2차원 격자 구조와 같은 규칙적인 배열을 형성하도록 배열될 수 있다. 대안적으로, 복수의 캐비티(320)는, 미러의 변형 가능한 특성을 맞춤화(customize)하기 위해, 예를 들어 불규칙한 2차원 격자 구조와 같이 다른 구조로 배열될 수 있다.
도 3a, 3b, 및 3c에 도시된 바와 같이, 지지 구조체(310)의 제 1 면(311)에는, 미러(350)가 구조체(310) 상에 설치되었을 때 미러(350)의 제 2 면(352)[또는 미러(350)의 반사 표면(351) 상에 입사하는 방사선의 전파 방향의 관점에서는 아랫면]과 물리적으로 접촉하도록 구성되는 복수의 필라(330)가 제공될 수 있다. 이러한 방식으로, 지지 구조체(310) 상에 설치되었을 때 미러(350)는 필라(330)들 위에 놓이게 된다. 각각의 필라(330)의 상단면(331)은 지지 구조체(310)의 제 1 면(311)의 일부인 것으로 간주될 수 있다. 필라(330) 각각은, 지지 구조체(310)의 제 1 면(311)에 의해 정의되는 평면을 넘어, 예를 들어 10 내지 100μm만큼 연장될 수 있다. 이러한 방식으로, 미러(350)와 지지 구조체(310)의 제 1 면(311) 사이에 간극(340)들이 제공될 수 있다.
필라(330)들은 임의의 방식으로 제공될 수 있다. 예를 들어, 필라(330)들은 지지 구조체(310)의 제 1 면(311)에 환상형(toroidal) 캐비티(342)를 생성함으로써 제공될 수 있으며, 이때 환상체의 중심이 필라(330)를 제공한다. 예를 들어, 지지 구조체(310)의 제 1 면(311)에 환상형의 캐비티들을 형성함으로써, 원형 단면을 가진 필라(330)들이 제공될 수 있다. 이어서 필라(330) 주위의 제 1 면(311)으로부터 재료를 선택적으로 제거함으로써 필라(330)가 제 1 면(311)에 의해 정의되는 평면을 넘어 연장되고 간극(340)을 제공하도록 할 수 있다.
지지 구조체(310)의 제 2 면(312)의 각각의 캐비티(320)는, 그 중심 축(327)이 각각의 필라(330)의 중심 축과 대체로 일치하도록(in-line) 위치될 수 있다. 도 3a 및 3c에 도시된 바와 같이, 각각의 캐비티(320)는 각자의 필라(330) 안으로 연장되어 필라들이 중공(hollow) 구조체가 되도록 할 수 있다. 캐비티가 도 3a에 도시된 바와 같이 두 부분을 포함하는 경우 각각의 캐비티(320)의 제 2 부분(322)은 부분적으로, 또는 전체가 각자의 필라(330) 내에 포함될 수 있다. 일부 배열에서, 캐비티(320)는 구조체(310) 전체를 관통하여 연속될 수 있다.
중립/휴지 위치(즉, 액추에이터가 어떠한 힘도 가하지 않을 때 지지 구조체의 위치 및 형상)에서, 지지 구조체(310)의 제 1 면(311)은 미러(350)를 실질적으로 평면인 구성(도 3a 및 3c에 도시된 바와 같음)으로 지지할 수 있다. 대안적으로, 제 1 면(311)은 플레이트(350)를 실질적으로 볼록하거나, 오목하거나, 포물선 모양 또는 기타 형상으로 지지할 수 있다. 지지 구조체(310)와 접촉하는 미러(350)의 면(352)의 형상은 반사 표면(351)이 제공되는 미러(350)의 면(353)과는 다를 수 있다는 점이 이해될 것이다. 예를 들어, 지지 구조체(310)의 면(311)과 접촉하는 미러(350)의 면(352)은 평면일 수 있고, 반면 반사 표면(351)을 갖는 면(353)은 오목하거나 볼록할 수 있다(또는 그 반대의 경우도 성립한다). 제 1 면(311)의 영역 내에서 지지 구조체(310)에 힘을 가함으로써, 제 1 면(311)이 변형되고 또한 이에 따라 미러(350)가 변형될 수 있다. 지지 구조체(310) 및 미러(350)의 오목 변형은 점선 371 및 372(도 3c)로 예시되어 있고, 지지 구조체(310) 및 미러(350)의 볼록 변형은 점선 373 및 374(도 3c)로 예시되어 있다. 예를 들어, 지지 구조체(310)의 제 1 면(311)은 중립 위치에서 실질적으로 편평하며 힘이 가해질 때 오목 형상(371)으로 변형될 수 있고, 이는 결국 미러(350)를 편평한 중립 위치로부터 오목 형상(372)으로 변형시킬 수 있다. 대안적인 일 예로서, 지지 구조체(310)의 제 1 면(311)은 중립 위치에서 실질적으로 편평하며 힘이 가해질 때 볼록 형상(373)으로 변형될 수 있고, 이는 결국 미러(350)를 편평한 중립 위치로부터 볼록 형상(374)으로 변형시킬 수 있다. 추가적인 일 예로서, 지지 구조체(310)의 제 1 면(311)은 중립 위치에서 실질적으로 오목하며, 가해진 힘을 받을 때 편평하거나, 볼록하거나, 또는 다른 오목한 형상으로 변형될 수 있다. 이들 예는 지지 구조체(310)의 제 1 면(311)의 전체적인 형상을 언급하지만, 변형의 정도는 작을 수 있으며 힘이 가해지는 곳과 가까운 국부 영역에서만 지지 구조체(310)의 형상을 미세하게 변화시키고 지지 구조체(310)의 제 1 면(311)의 나머지 부분에는 실질적으로 아무 영향을 주지 않을 수 있다는 점이 이해될 것이다.
미러(350)는 플레이트 및 반사 미러 표면(351)을 포함할 수 있다. 반사 미러 표면(351)은 임의의 방식으로 플레이트 상에 형성될 수 있다. 예를 들어, 반사 미러 표면(351)은 플레이트 상의 다층 코팅으로부터 형성될 수 있다. 반사 미러 표면(351)은 플레이트의 제 1 면 상에 있을 수 있고, 플레이트는, 플레이트의 제 1 면의 대체로 반대쪽에 있는 플레이트의 제 2 면 상에서 지지 구조체(310)와 접촉할 수 있다.
미러(350)의 제 2 면(352)은, 광학 접촉, 애노딕 접합(anodic bonding), 납땜, 확산 접합(diffusion bonding), 화학 접합, 자기력, 또는 기타 기계적 고정체(fixtures)를 사용하여 지지 구조체(310)의 제 1 면(311)에 고정될 수 있다. 미러(350)의 제 2 면(352)에 고정되는 지지 구조체(310)의 제 1 면(311)은 필라(330)에서만 고정될 수 있다.
이제 도 3a 내지 3c에 도시된 예시적인 배열의 다양한 치수가 논의될 것이나, 이는 단지 설명을 위한 것이며 치수는 필요한 용도에 따라 달라질 수 있다는 점이 이해되어야 한다. 도 3a, 3b, 및 3c에 도시된 예시적인 시스템(300)에서, 반사 미러 표면(351)은 대략 500mm x 280mm의 면적을 갖는다. 지지 구조체(310)에는 육각형 패턴(360)으로 배열된 73개의 캐비티(320)가 제공된다. 각각의 필라(330)의 중심과 이웃하는 필라(330) 사이의 피치(324)는 대략 40mm이다. 본 예에 도시된 바와 같이, 반사 미러 표면(351)은 미러(350)의 제 1 면(353)의 표면 전체에 걸쳐 연장되지는 않을 수 있다. 미러(350)는 지지 구조체(310)의 제 1 면(311)의 표면 전체에 걸쳐 연장되지는 않을 수 있다. 지지 구조체(310)의 깊이(즉, 도시된 z 방향으로의 길이)는 약 100mm이고, 복수의 캐비티(320) 각각은 그 가장 먼 지점(325)에서 100mm에 약간 못 미치도록 제 2 면(312) 안으로 연장된다. 미러(350)의 깊이는 약 10mm이다. 73개의 필라(330)는 캐비티(320)들과 동일한 위치 및 배열로 제공되며, 각각의 필라는 구조체(310)의 제 1 면(311)에 의해 정의되는 평면을 지나 약 50μm만큼 연장된다.
반사 표면(211)을 갖는 미러(210)를 도시하는 도 2b는 표면 수직식 작동을 나타낸다. 반사 표면(211)은, 지점(213)들에서 미러의 후면에 고정되며 지지체(214)에 고정되는 하나 이상의 액추에이터(212)에 의해 변형될 수 있다. 액추에이터(212)들은 미러 표면(211)에 수직인 방향으로의 작동을 허용한다.
지지 구조체(310)를 변형시키는 한 가지 방법은, 캐비티(320) 내에 수용된 하나 이상의 액추에이터로부터 하나 이상의 힘을 가하는 것이다. 일반적으로, 액추에이터는 지지 구조체(310)의 제 1 면(311) 또는 반사 미러 표면(351)에 실질적으로 수직인 방향으로 힘을 가할 수 있도록 위치될 수 있다. 이러한 방식으로 액추에이터를 사용함으로써, 도 2b에 도시된 바와 같이 표면 수직식 작동을 사용하는 변형 방법이 지지 구조체(310)에 제공되어, 이에 따라 표면 평행식 작동에서 발생하는 크로스토크의 부정적인 효과를 완화한다. 액추에이터에 의해 지지 구조체(310)에 가해지는 힘은 압축력이거나, 장력이거나, 두 가지 힘의 혼합일 수 있다(예를 들어, 하나 이상의 액추에이터가 압축력을 가하는 동안 하나 이상의 다른 액추에이터는 장력을 가할 수 있다). 액추에이터에 의해 생성된 힘은, 밀기 및 당기기, 또는 연장 및 수축으로 대안적으로 지칭될 수 있다는 점이 이해될 것이다. 대안적으로 또는 추가적으로, 액추에이터는 지지 구조체(310)의 제 1 면(311) 또는 반사 미러 표면(353)에 평행한 방향으로 힘을 가할 수 있도록 위치될 수 있다. 표면 평행식 작동을 적용하는 액추에이터의 경우, 단일체형 구조체 내의 캐비티 배열은 도 3a 내지 3c에 도시된 것과는 다를 것이라는 점이 인식될 것이다. 대안적으로 또는 추가적으로, 회전 운동 또는 토크를 제공하기 위해 로터리(또는 토션) 액추에이터가 제공될 수 있다.
본 예에서, 지지 구조체(310) 및 미러(350)는 예를 들어 nm당 약 3N의 강성도(stiffness)를 가질 수 있다. 따라서 반사 미러 표면(351)은 0.3 내지 3N의 작동력을 사용하여 (표면에 수직인 양쪽 방향 중 어느 한 방향으로) 0.1 내지 1nm만큼 변위(displaced)될 수 있다. 예시적인 변위 범위는 점선(370)으로 개략적으로 도시되어 있다.
장력을 가하기 위해, 각각의 액추에이터는 캐비티(320) 내 2개 이상의 지점에서 고정될 수 있다. 대안적으로, 압축력만이 필요한 경우, 각각의 액추에이터는 캐비티(320) 내 단일 지점에서 고정될 수 있다. 액추에이터는, 광학 접촉, 애노딕 접합, 납땜, 확산 접합, 화학 접착제, 또는 기타 고정 수단을 사용하여 캐비티 내 임의의 지점에 고정될 수 있다. 예를 들어, 도 3c를 참조하면, 장력과 압축력을 모두 가할 수 있도록 액추에이터가 캐비티(320)의 원위 단부[예: 지점(325) 부근]에 고정되고 캐비티의 근위 단부에 더 가까운[즉, 제 2 면(312)에 더 가까움] 다른 지점에도 고정될 수 있다. 양의 z 방향으로의 변형력만을 제공하려면 액추에이터가 지점(325) 근처에서 캐비티에 고정될 필요는 없다는 점이 이해될 것이다. 캐비티가 지지 구조체(310) 전체를 관통하여 연장되는 예에서, 액추에이터는 캐비티의 원위 단부 근처에 있는 캐비티 내 지점에 고정되는 대신 미러(350)의 제 2 면(352) 상의 지점과 접촉(또는 고정)할 수 있다.
복수의 액추에이터 각각은 임의의 유형의 액추에이터일 수 있다. 예를 들어, 액추에이터는 공압식, 정수압식, 로렌츠식, 릴럭턴스식, 또는 열적-기계적 액추에이터일 수 있다. 각각의 유형의 액추에이터의 특성에 따라 액추에이터가 지지 구조체(310)의 특정 용도에 특히 적합해질 수 있다.
예를 들어, 지지 구조체(310)에는 공압식 액추에이터가 제공될 수 있다. 공압식 액추에이터는 온도 변화로 인한 여하한의 압력 변화에 대하여 입력(inputs)을 보정함으로써 온도에 민감하지 않은 방식으로 작동할 수 있다. 공압식 액추에이터는 누출 발생 시에 다른 구성요소들이 오염될 위험도 줄일 수 있다. 공압식 액추에이터는 질소, 아르곤, 또는 기타 압축된 기체를 사용할 수 있다. 공압식 액추에이터의 압력 볼륨(pressure volumes)은 보다 고주파의 변형(higher frequency deformations)을 허용하기 위해 작게 유지되고 압력 제어 유닛에 가깝게 유지될 수 있다.
대안적인 일 예로서, 지지 구조체(310)에는 정수압식(또는 유압식) 액추에이터가 제공될 수 있다. 정수압식 액추에이터 역시 온도 변화로 인한 여하한의 압력 변화에 대하여 입력을 보정함으로써 온도에 민감하지 않은 방식으로 작동할 수 있다. 또한 정수압식 액추에이터는 압축성이 낮은 동력 전달 매체(power transferring medium)를 활용하여 보다 고주파의 변형이 가능하게 할 수 있다. 정수압식 액추에이터는 물 또는 다른 유체를 사용할 수 있다. 정수압식 액추에이터의 압력 볼륨은 보다 고주파의 변형을 허용하기 위해 작게 유지되고 압력 제어 유닛에 가깝게 유지될 수 있다.
추가적인 대안으로서, 지지체에는 로렌츠식 액추에이터가 제공될 수 있다. 로렌츠식 액추에이터는 개방 루프(open loop)형이거나 폐쇄 루프(closed loop)형일 수 있다.
도 4는, 도 3a, 3b, 및 3c에 도시된 예와 실질적으로 동일한 형태를 갖는 변형 가능한 미러 시스템(400)을 도시한다. 변형 가능한 미러 시스템(400)은 단일체형 지지 구조체(410)를 포함하며, 단일체형 지지 구조체는, 지지 구조체(410)의 제 1 면(411)에 의해 정의되는 평면을 넘어 연장되는 필라(430)들 및 지지 구조체(410)의 제 2 면(412)에 제공되는 캐비티(420)들을 갖는다. 반사 미러 표면(451)을 제공하는 다층 코팅을 갖는 미러(450)가 단일체형 지지 구조체(410) 상에 지지된다. 제 1 면(411)에 의해 정의되는 평면을 넘어 필라들이 연장됨에 따라 제 1 면(411)과 미러(450)의 아랫면 사이에 간극(440)들이 생성된다. 도 4의 예에는 반사 미러 표면(451)을 변형시키기 위한 수단을 제공하는 공압식 또는 정수압식 액추에이터(460)가 추가로 제공된다. 반사 미러 표면(451)의 예시적인 변위 범위는 점선(470)으로 개략적으로 도시되어 있다. 도 4의 예에서, 각각의 액추에이터는 대략 2mm의 외경(outer diameter)을 가지며, 이는 각각의 캐비티(420)의 내경(inner diameter)과 일치한다. 각각의 필라(430)는 8mm의 외경을 갖는다. 모든 치수는 예시적이며 실제 치수는 특정 용도에 따라 달라질 수 있음이 이해될 것이다.
본 예에서, 미러(450)는 예를 들어 Pa당 약 10-14 m의 압력 감도(pressure sensitivity)를 가질 수 있다. 각각의 액추에이터(460)의 내부 압력은 100Pa의 분해능으로 제어될 수 있어, 액추에이터 위치가 10-12 m (1 pm)의 분해능으로 제어될 수 있도록 한다. 반사 미러 표면(451)은 그 표면에 수직인 양쪽 방향 중 어느 한 방향으로 약 10nm까지 국부적으로 변형될 수 있다. 변형 가능한 미러 시스템(400)의 성능은 액추에이터의 압력 볼륨을 감소시키고 각각의 액추에이터와 그 압력 제어 유닛 사이의 연결부(462)의 길이를 최소화함으로써 더 개선될 수 있다. 이러한 개선으로 인해 100Hz의 액추에이터 대역폭(bandwidths)이 달성될 수 있다.
도 5는, 도 4에 도시된 시스템에 대한 대안적인 예를 도시하며, 변형 가능한 미러 시스템(300 및 400)과 대체로 동일한 배열을 갖는 변형 가능한 미러 시스템(500)을 포함한다. 변형 가능한 미러 시스템(500)은 미러(550)가 놓이는 필라(530) 및 단일체형 지지 구조체(510)를 포함한다. 필라들은 지지 구조체(510)의 제 1 면에 의해 정의되는 평면을 넘어 연장되며 지지 구조체(510)와 미러(550) 사이에 간극(540)들을 생성한다. 캐비티(520)들이 지지 구조체(510)의 제 2 면에 제공된다. 캐비티와 필라의 직경은 도 4를 참조하여 앞서 설명된 것과 동일하다. 지지 구조체(500)에는 각자의 캐비티(520) 내에 배치되는 다수의 로렌츠(또는 음성 코일) 액추에이터(560)가 제공되며 이들이 미러 표면(551)을 변형시키기 위한 수단을 제공한다. 반사 미러 표면(551)의 예시적인 변위 범위는 점선(570)으로 개략적으로 도시되어 있다. 각각의 로렌츠 액추에이터(560)에는 하우징(564) 내의 자석 요크(magnet yoke : 562) 및 코일 유닛(563)이 제공된다. 하우징(564)은 ULE 재료로 제작될 수 있다. 제어 신호는 제어 라인(565)을 통해 각각의 액추에이터(560)로 전송된다. 본 예에서, 각각의 캐비티(520)는 지지 구조체(510) 전체를 관통하여 연장되는데, 이에 따라 로렌츠 액추에이터(560)에는 스트럿(struts : 561)이 제공되어 미러(550)의 제 2 면과 직접 접촉할 수 있도록 한다.
본 명세서에 개시된 예에서, 미러(350, 450, 550)는 다층 코팅(351, 451, 551)을 통해 반사 미러 표면을 제공한다. 미러(350, 450, 550)는 다층 코팅을 포함하지 않을 수 있으며, 반사 미러 표면(351, 451, 551)은 다른 수단을 통해 제공될 수 있다. 제작 공정의 추가 단계에서 복수의 코팅이 도포될 수 있다. 반사 미러 표면(351, 451, 551)은 대안적인 준비를 통해 얻을 수도 있다.
변형 가능한 미러 시스템(300, 400, 500)은, DUV, EUV, 또는 임의의 다른 리소그래피 장치(LA)에서 사용하도록 구성될 수 있다. 지지 구조체(310, 410, 510), 미러(350, 450, 550), 또는 기타 구성요소는 초저팽창(ultra-low expansion, ULE) 재료, 예를 들어 Corning Incorporated의 ULE 유리로 제작될 수 있다.
일 실시예에서, 리소그래피 장치(LA)는 앞의 예들에서 설명된 변형 가능한 미러 시스템(300, 400, 500) 중 하나 이상을 포함한다. 리소그래피 장치(LA)는 EUV 또는 DUV 리소그래피를 위해 구성될 수 있다.
본 명세서에 설명되는 다른 일 예에서는, 변형 가능한 미러 지지체를 제작하는 방법이 제공된다.
변형 가능한 미러 시스템(300, 400, 500)의 제작에는 선택적인 레이저 에칭(etching)이 사용될 수 있다. 유리하게도, 이는 변형 가능한 미러 시스템(300, 400, 500)이 단일체형 구조로 제작될 수 있게 하여 전체적인 강성과 안정성을 보장한다. 예를 들어 CNC 드릴링, 기계가공(machining), 3D 프린팅과 같은 다른 방법이 사용될 수도 있다.
변형 가능한 미러 시스템(300, 400, 500)의 서로 다른 구성요소들을 함께 고정하기 위해 고정 방법이 필요할 수 있다. 고정 방법의 예는, 광학 접촉, 애노딕 접합, 납땜, 확산 접합, 자기력, 또는 화학 접착을 포함한다. 예를 들어, 캐비티(420, 520) 내의 제 위치에 액추에이터(460, 560)를 고정하거나 미러(350)의 제 2 면(352)을 구조체(310)의 제 1 면(311)에 고정하는 데 접착제가 사용될 수 있다.
본 명세서에서는, 다양한 구성요소, 예를 들어 지지 구조체(310, 410, 510)의 제 1 면 또는 반사 미러 표면(351, 451, 551)에 수직이거나, 직교하거나, 평행한 각도들에 대한 언급이 이루어진다. 이들 각도가 제 1 구성요소[예를 들어, 액추에이터(460, 560)]와 제 2 구성요소[예를 들어, 반사 미러 표면(351, 451, 551)] 간에 이루어지는 각도를 가리키는 경우, 이는 지지 구조체(310, 410, 510)에 아무 힘도 가해지지 않는 상태에서 구성요소의 주 축[예: 액추에이터(460, 560)가 작동력을 제공하는 축]과 제 1 구성요소에 가장 가까운 지점에서 제 2 구성요소에 닿는 가상의 접평면[예를 들어, 반사 미러 표면(351, 451, 551)에 의해 정의되는 평면] 간에 이루어지는 각도를 가리키는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들어, 편평한 반사 미러 표면(351, 451, 551)의 예시에서는, 반사 미러 표면(351, 451, 551) 상의 모든 지점에 대하여 하나의 가상 접평면이 존재한다. 오목 미러 또는 볼록 미러와 같은 곡면 미러의 예시에서는, 반사 미러 표면 상의 각각의 지점에 대하여 상이한 가상 접평면이 존재할 것이며, 해당 가상 접평면은 제 1 물체와 가장 가까운 지점에서 반사 미러 표면(351, 451, 551)과 접촉하는 평면이다.
각도에 대한 언급은 또한 언급된 각도에 대체로 가까운 각도를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본 명세서에서는 IC 제조에 있어 리소그래피 장치의 용도에 대한 구체적인 언급이 이루어질 수 있으나, 본 명세서에 설명된 리소그래피 장치는 다른 응용분야에 적용될 수 있음이 이해되어야 한다. 가능한 다른 응용 분야에는 집적 광학 시스템, 자기 영역 메모리, 평판 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 안내 및 감지 패턴의 제조가 포함된다.
본 명세서에서는 리소그래피 장치의 맥락에서 본 발명의 실시예를 구체적으로 참조할 수 있지만, 본 발명의 실시예는 다른 장치에서 사용될 수 있다. 본 발명의 실시예는 마스크 검사 장치, 메트롤로지(metrology) 장치, 또는 웨이퍼(또는 다른 기판) 또는 마스크(또는 다른 패터닝 디바이스)와 같은 물체를 측정하거나 처리하는 임의의 장치의 일부를 구성할 수 있다. 이러한 장치는 일반적으로 리소그래피 툴이라고 칭할 수 있다. 이러한 리소그래피 툴은 진공 조건 또는 주변(비진공) 조건을 사용할 수 있다.
문맥이 허용하는 경우, 본 발명의 실시예는 하드웨어, 펌웨어, 소프트웨어 또는 이들의 임의의 조합으로 구현될 수 있다. 본 발명의 실시예는 또한 하나 이상의 프로세서에 의해 판독 및 실행될 수 있는 기계 판독 가능 매체에 저장된 명령어로서 구현될 수도 있다. 기계 판독 가능 매체는 기계(예를 들어, 컴퓨팅 디바이스)가 판독 가능한 형태로 정보를 저장 또는 전송하기 위한 임의의 메커니즘을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기계 판독 가능 매체는 읽기 전용 메모리(ROM), 랜덤 액세스 메모리(RAM), 자기 저장 매체, 광학 저장 매체, 플래시 메모리 디바이스, 전기, 광학, 음향 또는 기타 형태의 전파 신호(예를 들어, 반송파, 적외선 신호, 디지털 신호 등) 및 기타를 포함할 수 있다. 또한 펌웨어, 소프트웨어, 루틴, 명령어는 본 문서에서 특정 작업을 수행하는 것으로 설명될 수 있다. 그러나 이러한 설명은 단지 편의를 위한 것이며, 그러한 작업은 실제로는 컴퓨팅 디바이스, 프로세서, 컨트롤러 또는 기타 디바이스가 펌웨어, 소프트웨어, 루틴, 명령어 등을 실행하는 데서 비롯되며, 이 과정에서 액추에이터 또는 기타 디바이스가 물리적 세계와 상호 작용할 수 있다는 점을 이해해야 한다.
본 발명의 특정 실시예가 위에서 설명되었지만, 본 발명은 설명된 바와는 다르게 실시될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 상기의 설명은 예시를 위한 것이지 제한하려는 것이 아니다. 따라서 당업자에게는 설명된 바와 같은 본 발명에 대한 수정이 이하에 기재된 청구범위를 벗어나지 않고 이루어질 수 있음이 명백할 것이다.
Claims (16)
- 변형 가능한 미러 시스템(300, 400, 500)으로서, 단일체형(monolithic) 지지 구조체(310, 410, 510)를 포함하며,
상기 지지 구조체(310, 410, 510)는:
미러(350, 450, 550)를 수용하도록 구성되는 제 1 면(311); 및
복수의 액추에이터(460, 560)를 수용하도록 구성되어, 상기 미러의 반사 표면(351, 451, 551)의 선택적 변형이 가능하도록 상기 액추에이터가 배치되는 제 2 면(312)을 포함하며,
상기 지지 구조체(310, 410, 510)의 상기 제 1 면(311)은 상기 미러(350, 450, 550)를 지지하기 위한 복수의 필라(pillar : 330, 430, 530)를 포함하는,
변형 가능한 미러 시스템(300, 400, 500). - 제 1 항에 있어서,
상기 지지 구조체(310, 410, 510)는 상기 제 2 면(312)을 통해 연장되는 복수의 캐비티(cavity : 320, 420, 520)를 포함하며, 상기 복수의 캐비티 각각은 상기 복수의 액추에이터(460, 560) 중 적어도 하나를 수용하도록 구성되는,
변형 가능한 미러 시스템(300, 400, 500). - 제 2 항에 있어서,
상기 복수의 캐비티(320, 420, 520)는, 상기 지지 구조체(310, 410, 510)의 상기 제 2 면(312)에 걸쳐 규칙적인 2차원 격자(lattice) 구조를 형성하도록 배열되는,
변형 가능한 미러 시스템(300, 400, 500). - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 복수의 필라(330, 430, 530)는 상기 지지 구조체(310, 410, 510)의 상기 제 1 면(311)과 상기 미러 사이에 간극(gap)을 제공하도록 구성되는,
변형 가능한 미러 시스템(300, 400, 500). - 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 복수의 필라(330, 430, 530)는, 상기 제 1 면(311)에 걸쳐 규칙적인 2차원 격자 구조를 형성하도록 배열되는,
변형 가능한 미러 시스템(300, 400, 500). - 제 1 항 내지 제 5 항 중 제 2 항을 인용하는 어느 한 항에 있어서,
상기 복수의 필라(330, 430, 530) 중 적어도 하나는, 상기 복수의 캐비티(320, 420, 520) 중 적어도 하나의 적어도 일부분과 동축으로(co-axially) 배열되는(327),
변형 가능한 미러 시스템. - 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 미러(350, 450, 550)를 더 포함하며,
상기 미러는 반사 미러 표면(351, 451, 551)을 갖는 플레이트를 포함하고, 상기 플레이트는 상기 지지 구조체(310, 410, 510)의 상기 제 1 면(311)에 고정되는,
변형 가능한 미러 시스템(300, 400, 500). - 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 복수의 액추에이터(460, 560)를 더 포함하는,
변형 가능한 미러 시스템(300, 400, 500). - 제 1 항 내지 제 8 항 중 제 2 항 및 제 8 항을 인용하는 어느 한 항에 있어서,
상기 복수의 액추에이터(460, 560)는, 상기 복수의 캐비티(320, 420, 520) 내에 배열되는,
변형 가능한 미러 시스템(300, 400, 500). - 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
상기 복수의 액추에이터(460, 560)는, 상기 지지 구조체(310, 410, 510)를 변형시키도록 구성되는,
변형 가능한 미러 시스템(300, 400, 500). - 제 10 항에 있어서,
상기 복수의 액추에이터(460, 560)는, 상기 복수의 필라(330, 430, 530)를 변형시키도록 구성되는,
변형 가능한 미러 시스템(300, 400, 500). - 제 8 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 복수의 액추에이터(460, 560) 중 하나 이상은 상기 미러(350, 450, 550)의 아랫면(underside)에 압축력 또는 장력을 가하도록 구성되는,
변형 가능한 미러 시스템(300, 400, 500). - 제 12 항에 있어서,
상기 복수의 액추에이터(460, 560)로부터의 압축력 또는 장력 대부분은 상기 미러(350, 450, 550)의 반사 미러 표면(351, 451, 551)에 대체로 수직인 방향으로 가해지는,
변형 가능한 미러 시스템(300, 400, 500). - 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 복수의 액추에이터(460, 560) 각각은, 공압식(pneumatic), 정수압식(hydrostatic), 로렌츠식(Lorentz), 릴럭턴스식(reluctance), 또는 열적-기계적(thermal mechanical) 액추에이터인,
변형 가능한 미러 시스템(300, 400, 500). - 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 따른 변형 가능한 미러 시스템(300, 400, 500)을 하나 이상 포함하는 리소그래피 장치(LA).
- 제 15 항에 있어서,
상기 리소그래피 장치는 EUV 리소그래피 장치인,
리소그래피 장치(LA).
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