TW202210953A - 反射鏡、特別是用於微影投射曝光裝置的反射鏡 - Google Patents

反射鏡、特別是用於微影投射曝光裝置的反射鏡 Download PDF

Info

Publication number
TW202210953A
TW202210953A TW110126938A TW110126938A TW202210953A TW 202210953 A TW202210953 A TW 202210953A TW 110126938 A TW110126938 A TW 110126938A TW 110126938 A TW110126938 A TW 110126938A TW 202210953 A TW202210953 A TW 202210953A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
mirror
layer
substrate
optically active
active surface
Prior art date
Application number
TW110126938A
Other languages
English (en)
Inventor
托拉夫 葛納
諾曼 貝兒
庫斯 貝凱爾
勞倫泰爾斯 喬哈尼斯 安卓納斯 波可凡
邁克 勞倫茲
湯瑪士 孟茲
伊娃 舒納德
漢斯 麥可 斯蒂潘
鮑伯 史蒂夫柯克
Original Assignee
德商卡爾蔡司Ｓｍｔ有限公司
荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 德商卡爾蔡司Ｓｍｔ有限公司, 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 filed Critical 德商卡爾蔡司Ｓｍｔ有限公司
Publication of TW202210953A publication Critical patent/TW202210953A/zh

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
    • G03F7/70266—Adaptive optics, e.g. deformable optical elements for wavefront control, e.g. for aberration adjustment or correction
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70316—Details of optical elements, e.g. of Bragg reflectors, extreme ultraviolet [EUV] multilayer or bilayer mirrors or diffractive optical elements
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • G03F7/70891—Temperature

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)

Abstract

本發明關於一反射鏡，特別是用於微影投射曝光裝置。本發明的反射鏡具有一光學有效表面(101, 201, 301)；一反射鏡基板(110, 210, 310, 410)；一反射層系統(120, 220, 320)，其用以反射入射在光學有效表面(101, 201, 301)上的電磁輻射；至少一致動器層，其組態以在反射層系統(120, 220, 320)上傳輸一可調整機械力，藉以產生光學有效表面(101, 201, 301)的一局部可變變形；以及至少一冷卻裝置，其組態以至少部分地消散由該致動器層所產生的熱。

Description

反射鏡、特別是用於微影投射曝光裝置的反射鏡
本發明關於一反射鏡，尤其是用於微影投射曝光裝置。
微影技術用以生產微結構組件，例如積體電路或LCD。微影製程在具有照明裝置和投射透鏡的所謂投射曝光裝置中進行。在這種情況下，通過投射透鏡，將由照明裝置所照明的光罩(遮罩)的影像投射到塗有光敏層(光阻劑)且配置在投射透鏡的影像平面中的基板(例如矽晶圓)上，以將光罩結構轉移到基板的光敏塗層上。
在針對EUV範圍(即波長為約13 nm或約7 nm)所設計的投射透鏡中，由於缺乏可用的合適透光折射材料，反射鏡被用作成像過程的光學組件。
在實務中出現的一個問題是，特別是由於對EUV光源所發射的輻射的吸收，EUV反射鏡會發熱並因此發生相關的變形，這反過來又會對光學系統的成像特性產生負面的影響。如果使用具有相對較小的照明極的照明設置(例如，在偶極或四極照明設置中)，情況尤其如此，其中反射鏡的升溫或變形在反射鏡的光學有效表面上強烈地變化。
舉例來說，取決於系統的放置地點或地理位置的重力變化是導致在投射曝光裝置的像差過程中發生像差的另一個原因。
特別已知的是，為了至少部分地補償上述問題，且通常也為了提高影像位置準確度和影像品質(皆沿光軸、或在光傳播方向上，且也在橫向方向上，或垂直於光軸或光傳播方向)，將EUV系統中的一或多個反射鏡設計為自適應(即主動變形)反射鏡。這種自適應反射鏡可特別地包含由壓電材料製成的致動器層，其中藉由施加電壓至配置在壓電層兩側上的電極，在該壓電層上產生局部變化強度的電場。在壓電層局部變形的情況下，自適應反射鏡的反射層堆疊也變形，其結果為可藉由適當地控制施加至電極的電壓來至少部分地補償(可能也是時變的)成像像差。
儘管自適應反射鏡的上述原理在一定程度上可結合反射鏡的變形或致動進行有效的像差校正，但更大的致動或變形的要求帶來的問題是，壓電致動的高電壓導致在反射鏡的層結構中出現寄生熱，這尤其可能導致不希望的反射鏡變形，也可能導致所謂的「d33 係數」不受控制的變化，其中d33 係數為電壓引起的壓電層膨脹的特徵，因此也使反射鏡變形的致動效果發生了變化。d33 係數在這裡定義為ΔD= d33 *U，其中ΔD表示(絕對)厚度變化，U表示電壓。
高電壓(例如超過20V)對壓電致動可能產生的其他後果是對壓電層的損害並導致使用壽命縮短。
關於現有技術，可例如參照WO 2018/177649 A1。
本發明實施例的一目的為提供一反射鏡，特別是用於微影投射曝光裝置的反射鏡，其可通過例如像差校正所需的位移距離產生變形或致動，同時至少部分地避免了上述問題。
此目的可例如藉由根據獨立項請求項第1項的特徵的反射鏡來實現。
根據本發明實施例，具有一光學有效表面的反射鏡具有： 一反射鏡基板；一反射層系統，用以反射入射在光學有效表面上的電磁輻射；至少一致動器層，其組態以在反射層系統上傳輸一可調整機械力，藉以產生光學有效表面的一局部可變變形；以及至少一冷卻裝置，其組態以至少部分地消散由該致動器層所產生的熱。
反射鏡可特別地為用於微影投射曝光裝置的反射鏡。然而，本發明並不限於此。在其他應用中，例如在用於光罩計量的系統中，也可採用或利用根據本發明的反射鏡。
本發明實施例特別地基於以下概念：在具有致動器層(其組態以在反射層系統上傳輸一可調整機械力並藉此產生光學有效表面的局部可變變形)的自適應反射鏡中，提供組態用以至少部分地消散由該層所產生的熱的冷卻裝置，以實現自適應反射鏡的更穩定、更安全和更精確的操作，並因此改善自適應反射鏡所提供的成像像差的校正。
利用本發明實施例的冷卻概念所實現的自適應反射鏡的更精確操作的效果特別是由於更佳地定義了致動器層的功能性，因為與在反射層系統上傳輸的機械力相關的致動器層的材料參數(特別是上述的壓電層的d33 係數)可保持基本恆定(儘管這些參數原則上存在溫度相依性)。
利用本發明實施例的冷卻概念所實現的自適應反射鏡的更精確操作的效果也歸因於以下事實：相較於簡單的加熱(沒有冷卻)，加熱和冷卻的組合(這是可實現的，例如，如果反射鏡包含一分段加熱配置，以組態用以熱誘導光學有效表面的局部可變變形)可使得自適應反射鏡的反應明顯更快。
此外，本發明實施例的冷卻概念允許提高引入到反射鏡中的熱，以進行致動(例如，為了實現壓電層的更大位移距離)，同時通過該冷卻有效地避免熱致損壞，從而始終確保自適應反射鏡的特別安全操作。
根據一具體實施例，該至少一致動器層包含一壓電或二階電致伸縮層，其中一電場可施加到該壓電或二階電致伸縮層，以產生光學有效表面的該局部可變變形。
根據一具體實施例，該至少一致動器層配置於反射鏡基板與反射層系統之間。
根據一具體實施例，該至少一致動器層配置在與該反射層系統相對的反射鏡基板一側上。
根據一具體實施例，該冷卻裝置包含配置在反射鏡基板中的至少一冷卻通道。
根據一具體實施例，在垂直於光學有效表面的一方向上，該至少一冷卻通道與界定反射鏡基板的一邊界之間的一距離小於20 mm，特別是小於10 mm。
如果反射鏡包含以壓電層形式配置在反射鏡基板和反射層系統之間的致動器層，則特別有利的情況為至少一冷卻通道配置在反射鏡基板中靠近其面向反射層系統的邊界處，以便以特別有效的方式將熱從壓電層散出。如果反射鏡包含配置在與該反射層系統相對的反射鏡基板的一側上的形式為壓電層或二階電致伸縮層的致動器層，則特別有利的是，如果至少一冷卻通道配置在反射鏡基板中靠近其遠離反射層系統的邊界或面向反射鏡背側的邊界，以便有效地將熱從壓電層散出。
根據一具體實施例，反射鏡更包含一控制器，其組態以根據該致動器層的操作來控制該冷卻裝置的操作。
根據一具體實施例，反射鏡更包含一分段加熱配置，其組態以熱誘導光學有效表面的一局部可變變形。
根據一具體實施例，控制器更組態以根據該分段加熱配置的操作來控制該冷卻裝置的操作。
根據一具體實施例，分段加熱配置包含一電極配置，其組態為受電力驅動以由此熱誘導光學有效表面的該變形。
根據一具體實施例，分段加熱配置包含至少一輻射源，其組態為使用電磁輻射來照射反射鏡基板，從而熱誘導光學有效表面的該變形。
根據一具體實施例，反射鏡係設計用於小於250 nm、特別是小於200 nm、更特別是小於160 nm的一操作波長。
根據一具體實施例，反射鏡係設計用於小於30 nm、特別是小於15 nm的一操作波長。
本發明實施例進一步關於包含具有上述特徵的至少一反射鏡的微影投射曝光裝置的光學系統，特別是照明裝置或投射透鏡，並且也關於微影投射曝光裝置。
本發明實施例的進一步配置可從詳細說明和附屬項請求項中得知。
下文將基於附圖中所示的示例性具體實施例來更詳細地解釋本發明。
在下文中，描述了具有致動器層的自適應(adaptive)反射鏡的不同具體實施例，其中致動器層係組態以在反射層系統上傳輸可調整機械力並由此產生光學有效表面的局部可變變形。這些具體實施例的共同點為提供一冷卻裝置，其係組態以至少部分地消散由該致動器層所產生的熱，以實現自適應反射鏡的穩定、安全和準確的操作，並因此改善了自適應反射鏡所提供的成像像差的校正。
圖1顯示了用以說明在本發明一具體實施例中的根據本發明的反射鏡的構造的示意圖。反射鏡100可為光學系統的EUV反射鏡，特別是微影投射曝光裝置的投射透鏡或照明裝置的EUV反射鏡，但本發明並不限於此。
具有光學有效表面101的反射鏡100特別地包含反射鏡基板110，其由任何期望的合適反射鏡基板材料所製成。合適的反射鏡基板材料例如為摻雜二氧化鈦(TiO2 )的石英玻璃，例如以商品名ULE® (康寧公司)所販售的材料。 另一合適的反射鏡基板材料例如為鋰-鋁-氧化矽-玻璃陶瓷，例如以商品名Zerodur® (Schott AG)所販售的材料。反射鏡100更包含反射層堆疊120(例如為由鉬和矽層所製成的多層系統)。
本發明不限於此層堆疊的特定組態，僅作為示例的一種合適的構造可包含層系統的約五十層或層組，其中層系統包含層厚分別為為2.4 nm的鉬(Mo)層和為3.4 nm的矽(Si)層。在進一步的具體實施例中，反射鏡也可組態用於所謂的掠入射(grazing incidence)。在這種情況下，反射層系統可包含例如特別是僅一個單獨的層，該層由例如具有30 nm的示例性厚度的釕(Ru)所組成。
在光學系統操作期間，電磁EUV輻射(由圖1中的箭頭表示)在反射鏡100的光學有效表面101上的撞擊可能導致反射鏡基板110的不均勻體積變化，這是由於吸收了不均勻地撞擊在光學有效表面101上的輻射而產生的溫度分布所造成。
反射鏡100在反射鏡基板110和反射層系統120之間具有壓電層130，其中壓電層130由壓電材料製成，例如鋯鈦酸鉛(Pb(Zr,Ti)O3 )。
壓電層130配置在第一電極140和第二結構化電極160之間，其中第一電極140根據圖1係施加到設置在反射鏡基板110上的黏著層150(其在示例中由TiO2 製成)，其中另外的黏著層151和152(在示例中由LaNiO3 製成)設置在電極140和160(其在示例中由鉑(PT)製成)與壓電層130之間。黏著層151和152用以為壓電層提供盡可能最佳的晶體生長條件。
根據圖1，但本發明不限於此，屏蔽層170(在該示例中，其與電極140、160一樣由鉑(PT)製成，且其原則上是選擇性的)進一步設置在面向結構化電極160的反射層堆疊120的底側上。根據圖1，SiO2 層165設置在壓電層130和屏蔽層170之間。
通過施加局部變化的電壓，可產生壓電層130的局部變化偏轉，這進而轉換為反射層堆疊120的變形，並因此轉換為入射到光學有效表面101上的光的波前變化，且可用於像差校正。
上述反射鏡基板材料表現出所謂的零交叉溫度(zero crossing temperature)，其中熱膨脹係數在其與溫度的關係中具有零交叉，因此不發生或僅發生可忽略不計的熱膨脹。因此，在特定情況下，可能希望將反射鏡100保持在該零交叉溫度。
根據圖1，反射鏡100包含複數個冷卻通道115，其配置在反射鏡基板110中靠近其面向反射層系統120的邊界處，以便以特別有效的方式將熱從壓電層130散出。冷卻介質(例如水)流過冷卻通道115。在示例性具體實施例中，每一該冷卻通道115與面向反射層系統120的邊界之間的距離可小於20 mm，特別是小於10 mm。此外，複數個冷卻通道115的冷卻功率可至少為0.1 W，特別是大於0.5 W，且特別是大於1 W。
圖2顯示了用以說明在本發明另一具體實施例中的根據本發明的反射鏡200的構造的示意圖。根據圖2的反射鏡200與前述圖1的反射鏡100的不同之處特別在於以下事實：壓電或二階電致伸縮層230配置在與該反射層系統220相對的反射鏡基板210的一側上。
根據圖2的具體實施例，利用表現出二階電致伸縮效應的材料或利用壓電材料的d31 係數，沿表面法線施加的電壓(即，垂直於光學有效表面201，其使用圖2中未示出的電極)在平行於光學有效表面201的方向(即，垂直於表面法線)上產生一機械應力。此機械應力影響垂直於光學有效表面201的變形。
相較之下，根據圖1的具體實施例，利用d33 係數，沿表面法線施加的電壓(即垂直於光學有效表面101)直接導致了垂直於光學有效表面101的方向的變形(即平行於表面法線)。
此外，根據圖2的實施例，壓電或二階電致伸縮層230配置在與反射層系統220相對的反射鏡基板210的一側上(即反射鏡200的背側)，而圖1的具體實施例在基板和反射層系統120之間具有壓電層130。
可在反射鏡200的層結構中設置圖2中所未繪示的附加功能層(例如擴散阻擋層、黏著增強層等)。
由於圖2僅用於對此具體實施例的簡化說明，參照上述在圖1中有關該壓電或二階電致伸縮層230的材料的描述以及有關可能存在於反射鏡200中的其他可能功能層的材料和效果的描述。特別地，PZT(=Pb(Zrx Ti1-x )O3 )可用於層230。可用於層230的另一種材料為PMN(=Pb(Mg1/3 Nb2/3 )O3 )。
雖然反射鏡200也包含複數個冷卻通道215，但這些冷卻通道215配置在反射鏡基板210中靠近其遠離反射層系統220的邊界處或面向反射鏡背側的邊界處，以便以特別有效的方式將熱從壓電層230散出。
圖3a-3b和圖4顯示了用於闡明根據本發明進一步具體實施例的反射鏡的構造的示意圖。這些具體實施例的共同點為設置了分段加熱配置，該分段加熱配置係組態以熱誘導光學有效表面的局部可變變形。
為了校正不想要的體積變化或為了校正在微影投射曝光裝置的操作期間由於對不均勻地撞擊在光學有效表面301上的輻射的吸收而發生的其他像差，根據圖3a的反射鏡300包含具有複數個電極381的電極配置380，這些電極381是可電驅動的或能夠具有經由電引線382對其施加選擇性的可設定電流。此外，反射鏡300包含導電層385。類似於圖2，反射鏡300還可選擇性地包含壓電或二階電致伸縮層330，其配置在與反射層系統320相對的反射鏡基板310的一側上。
在圖3a中，「365」表示一平滑和絕緣層，其特別地使電極配置380的電極381彼此電絕緣，且其可例如由石英玻璃(SiO2 )製成。
同樣，圖3a中未繪示的附加功能層(例如，例如擴散阻擋層、黏著增強層等)也可設置在反射鏡300的層結構中。
在反射鏡300的操作期間，可將不同的電位施加到電極配置380的個別電極381，其中由此而在電極381之間產生的電壓通過導電層385產生電流。根據分別施加到各個電極381的電位，由該電流引起的熱導致反射鏡表面的局部變化加熱。
根據圖3a的具體實施例不限於電極配置380的特定幾何構造。可以任何合適的分佈(例如，笛卡爾網格、六邊形配置等)來設置電極381。在進一步的具體實施例中，電極381也可僅定位在特定區域中。圖3b中示例性地顯示了電極配置380的幾何構造的示例。
根據本發明實施例，在反射鏡300的情況下，電極配置380和導電層385的組合使用(儘管電極配置的結構比較粗糙)致能連續改變功率輸入到反射鏡中，其中，在同一時間，熱功率的耦合(例如，與使用紅外線(IR)加熱裝置相比)僅限於反射鏡本身。由於材料選擇，在導電層385中存在相對高的電阻，使得電壓在該處下降，而由於引線382中的相對顯著更高的導電性，因此在引線382中沒有電壓或熱量下降，且在這方面不需要精細結構來產生高電阻。
根據圖3a，反射鏡300包含複數個冷卻通道315，其配置在反射鏡基板310中靠近其面向反射層系統320的邊界，以便以特別有效的方式將熱從導電層385散出。
圖4顯示了用以說明根據本發明的另一具體實施例的反射鏡的構造的示意圖。根據圖4的反射鏡400(其僅以非常簡化的方式示出)與前述的反射鏡300的不同之處特別在於以下事實：分段加熱配置480包含複數個輻射源481，其組態以使用電磁輻射照射反射鏡基板410，從而熱誘導光學有效表面的該變形。根據個別輻射源481的操作(其可彼此獨立地控制)，輻射導致反射鏡表面的局部變化加熱。電磁輻射(其可例如為紅外線輻射)的波長使得反射鏡基板410的材料在相應的波長範圍內基本上是透明的。
根據圖4，反射鏡400包含複數個冷卻通道415，其配置在反射鏡基板410中靠近其面向反射層系統(圖4中未示出)的邊界處，以便以特別有效的方式將熱從反射鏡散出。
此外，輻射源481的設計和配置較佳係使得該輻射不會(或至少在很大程度上不會)干擾冷卻通道415
圖5顯示了一示例性投射曝光裝置的示意圖，其設計用於在EUV中的操作且本發明可實現於其中。根據圖5，在設計用於EUV的投射曝光裝置500中的照明裝置包含場琢面反射鏡503和光瞳琢面反射鏡504。來自包含電漿光源501和集光器反射鏡502的光源單元的光被引導至場琢面反射鏡503上。第一遠心反射鏡(telescope mirror)505和第二遠心反射鏡506配置在光瞳琢面反射鏡504下游的光路中。偏轉反射鏡507配置在光路下游，該偏轉反射鏡將入射於其上的輻射引導到包含六個反射鏡551-556的投射透鏡的物體平面中的物場上。光罩台520上的帶有反射結構的光罩521配置在物場的位置處，該光罩透過投射透鏡被成像到影像平面中，其中在晶圓台560上的塗覆光敏層(光阻劑)的基板561係設於影像平面中。
圖6顯示了設計用於在DUV中操作且本發明可實現於其中的一示例性投射曝光裝置的示意圖。投射曝光裝置600包含光束成形和照明系統610和投射透鏡620。在這種情況下，DUV代表「深紫外光」並表示工作光的波長在30 nm和250 nm之間。光束成形和照明系統610和投射透鏡620可配置在真空外殼中及/或由具有相應驅動裝置的機房所包圍。投射曝光裝置600具有DUV光源601。舉例來說，可提供發射在193 nm的DUV範圍內的輻射602的ArF準分子雷射作為DUV光源601。
圖6所示的光束成形和照明系統610將DUV輻射602引導至光罩605上。光罩605實施為透射光學元件且可配置在光束成形和照明系統610和投射透鏡620之外。光罩605具有一結構，其經由投射透鏡620以縮小的方式成像到基板或晶圓630上。投射透鏡620具有複數個透鏡元件(圖6示意性且示例性地顯示了其中三個透鏡元件621-623)以及至少一反射鏡(在圖6中示意性且示例性地顯示了兩個反射鏡624、625)，用以將光罩605成像到晶圓630上。在這種情況下，投射透鏡620的個別透鏡元件621-623及/或反射鏡624、625可相對於投射透鏡620的光軸OA對稱地配置。應注意到，DUV微影裝置600的透鏡元件和反射鏡的數量不限於圖中所示的數量。也可設置更多或更少的透鏡元件及/或反射鏡。此外，反射鏡的前側通常是彎曲的，以進行光束成形。最後一個透鏡元件623和晶圓630之間的氣隙可由折射率大於1的液體介質626來代替。舉例來說，液體介質626可為高純水。這種構造也稱作浸潤式微影且具有更高的光學微影解析度。
即使已經基於特定具體實施例描述了本發明，但是許多變化和替代具體實施例對於所屬技術領域中具有通常知識者將是顯而易見的，例如通過各個具體實施例的特徵的組合及/或交換。因此，毫無疑問地，對於所屬技術領域中具有通常知識者而言，本發明也包含這樣的變化和替代具體實施例，且本發明的範圍僅受限於所附的申請專利範圍及其等均等的含義內。
100:反射鏡 101:光學有效表面 110:反射鏡基板 115:冷卻通道 120:反射層系統 130:壓電層 140:電極 150:黏著層 151:黏著層 152:黏著層 160:結構化電極 165:SiO2 層 170:屏蔽層 200:反射鏡 201:光學有效表面 210:反射鏡基板 215:冷卻通道 220:反射層系統 230:壓電或二階電致伸縮層 300:反射鏡 301:光學有效表面 310:反射鏡基板 315:冷卻通道 320:反射層系統 330:壓電或二階電致伸縮層 365:絕緣層 380:電極配置 381:電極 382:引線 385:導電層 400:反射鏡 410:反射鏡基板 415:冷卻通道 480:分段加熱配置 481:輻射源 500:投射曝光裝置 501:電漿光源 502:集光器反射鏡 503:場琢面反射鏡 504:光瞳琢面反射鏡 505:第一遠心反射鏡 506:第二遠心反射鏡 507:偏轉反射鏡 520:光罩台 521:光罩 551:反射鏡 552:反射鏡 553:反射鏡 554:反射鏡 555:反射鏡 556:反射鏡 560:晶圓台 561:基板 600:投射曝光裝置 601:DUV光源 602:輻射 605:光罩 610:光束成形和照明系統 620:投射透鏡 621:透鏡元件 622:透鏡元件 623:透鏡元件 624:反射鏡 625:反射鏡 626:液體介質 630:晶圓
在圖式中：
圖1顯示了用以說明根據本發明具體實施例的自適應反射鏡的構造的示意圖，該反射鏡包含形式為壓電層的致動器層；
圖2顯示了用以說明根據本發明另一具體實施例的自適應反射鏡的構造的示意圖，該反射鏡包含形式為壓電或二階電致伸縮層的致動器層；
圖3a-3b顯示了用以說明根據本發明另一具體實施例的自適應反射鏡的構造的示意圖，該反射鏡包含具有電極配置的分段加熱配置；
圖4顯示了用以說明根據本發明另一具體實施例的自適應反射鏡的構造的示意圖，該反射鏡包含具有輻射源的分段加熱配置；
圖5顯示了針對在EUV下操作而設計的微影投射曝光裝置的可能構造的示意圖；以及
圖6顯示了針對在DUV下操作而設計的微影投射曝光裝置的可能構造的示意圖。
100:反射鏡
101:光學有效表面
110:反射鏡基板
115:冷卻通道
120:反射層系統
130:壓電層
140:電極
150:黏著層
151:黏著層
152:黏著層
160:結構化電極
165:SiO2層
170:屏蔽層

Claims (16)

  1. 一種反射鏡，其中該反射鏡具有一光學有效表面，具有： 一反射鏡基板；一反射層系統，用以反射入射在該光學有效表面上的電磁輻射；至少一致動器層，其組態以在該反射層系統上傳輸一可調整機械力，藉以產生該光學有效表面的一局部可變變形；以及至少一冷卻裝置，其組態以至少部分地消散由該致動器層所產生的熱。
  2. 如請求項1所述之反射鏡，其中該至少一致動器層包含一壓電或二階電致伸縮層，其中一電場可施加到該壓電或二階電致伸縮層，以產生該光學有效表面的該局部可變變形。
  3. 如請求項1或2所述之反射鏡，其中該至少一致動器層配置於該反射鏡基板與該反射層系統之間。
  4. 如請求項1或2所述之反射鏡，其中該至少一致動器層配置在與該反射層系統相對的該反射鏡基板一側上。
  5. 如前述請求項的其中一項所述之反射鏡，其中該冷卻裝置包含配置在該反射鏡基板中的至少一冷卻通道。
  6. 如請求項5所述之反射鏡，其中在垂直於該光學有效表面的一方向上，該至少一冷卻通道與界定該反射鏡基板的一邊界之間的一距離小於20 mm，特別是小於10 mm。
  7. 如前述請求項的其中一項所述之反射鏡，其中該反射鏡更包含一控制器，其組態以根據該致動器層的操作來控制該冷卻裝置的操作。
  8. 如前述請求項的其中一項所述之反射鏡，其中該反射鏡更包含一分段加熱配置，其組態以熱誘導該光學有效表面的一局部可變變形。
  9. 如請求項7或8所述之反射鏡，其中該控制器更組態以根據該分段加熱配置的操作來控制該冷卻裝置的操作。
  10. 如請求項8或9所述之反射鏡，其中該分段加熱配置包含一電極配置，其組態為受電力驅動以由此熱誘導該光學有效表面的該變形。
  11. 如請求項8或9所述之反射鏡，其中該分段加熱配置包含至少一輻射源，其組態為使用電磁輻射來照射該反射鏡基板，從而熱誘導該光學有效表面的該變形。
  12. 如前述請求項的其中一項所述之反射鏡，其中該反射鏡係設計用於小於250 nm、特別是小於200 nm、更特別是小於160 nm的一操作波長。
  13. 如前述請求項的其中一項所述之反射鏡，其中該反射鏡係設計用於小於30 nm、特別是小於15 nm的一操作波長。
  14. 如前述請求項的其中一項所述之反射鏡，其中該反射鏡為用於一微影投射曝光裝置的一反射鏡。
  15. 一種光學系統，特別是一微影投射曝光裝置的一照明裝置或投射透鏡，其中該光學系統具有如前述請求項的其中一項所述的一反射鏡。
  16. 一種具有一照明裝置和一投射透鏡的微影投射曝光裝置，其中該投射曝光裝置具有如請求項15所述的一光學系統。
TW110126938A 2020-08-07 2021-07-22 反射鏡、特別是用於微影投射曝光裝置的反射鏡 TW202210953A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/EP2020/072214 WO2022028709A1 (en) 2020-08-07 2020-08-07 Mirror, in particular for a microlithographic projection exposure apparatus
WOPCT/EP2020/072214 2020-08-07

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202210953A true TW202210953A (zh) 2022-03-16

Family

ID=72193418

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110126938A TW202210953A (zh) 2020-08-07 2021-07-22 反射鏡、特別是用於微影投射曝光裝置的反射鏡

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP4193222A1 (zh)
CN (1) CN115997170A (zh)
TW (1) TW202210953A (zh)
WO (1) WO2022028709A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102022209398A1 (de) 2022-09-09 2023-08-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Baugruppe eines optischen Systems, sowie Verfahren zur thermischen Beeinflussung eines optischen Elements

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5732257B2 (ja) * 2010-01-15 2015-06-10 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置、デバイス製造方法およびコンピュータ読取可能媒体
DE102014204171A1 (de) * 2014-03-06 2015-09-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Element und optische Anordnung damit
DE102016201445A1 (de) * 2016-02-01 2017-02-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
DE102017205405A1 (de) 2017-03-30 2018-10-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
DE102018207146A1 (de) * 2018-05-08 2019-11-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage

Also Published As

Publication number Publication date
WO2022028709A1 (en) 2022-02-10
CN115997170A (zh) 2023-04-21
EP4193222A1 (en) 2023-06-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10908509B2 (en) Mirror, in particular for a microlithographic projection exposure apparatus
US9785054B2 (en) Mirror, more particularly for a microlithographic projection exposure apparatus
JP7438185B2 (ja) マイクロリソグラフィ投影露光装置用のミラー、及びデフォーマブルミラーの作動方法
KR102598729B1 (ko) 특히 마이크로리소그래픽 투영 노광 시스템용 거울
JP2007335859A (ja) リソグラフィ用ミラーアレイ
TW201416723A (zh) Ｅｕｖ投影曝光裝置及其操作方法與反射鏡安排
WO2009152959A1 (en) Projection exposure apparatus for semiconductor lithography comprising a device for the thermal manipulation of an optical element
JP2005140999A (ja) 光学系、光学系の調整方法、露光装置、および露光方法
CN111868633A (zh) 用于光刻系统的束形成和照明系统、光刻系统和方法
TW202105076A (zh) 反射鏡，尤其是用於微影投射曝光裝置
TW202210953A (zh) 反射鏡、特別是用於微影投射曝光裝置的反射鏡
US11366395B2 (en) Mirror, in particular for a microlithographic projection exposure system
WO2011074319A1 (ja) デフォーマブルミラー、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
US20230176492A1 (en) Optical system and method of operating an optical system
US20230305290A1 (en) Mirror, optical system and method for operating an optical system
US20230088791A1 (en) Mirror, in particular for microlithography
US10852643B2 (en) Optical system, and method
US20230122333A1 (en) Mirror, in particular for a microlithographic projection exposure apparatus
US20230393485A1 (en) Optical assembly, method for deforming an optical element, and projection exposure system
TWI821951B (zh) 光學組件及其製造方法、用於變形光學元件的方法、電腦程式產品以及投影曝光裝置