CN111868633A - 用于光刻系统的束形成和照明系统、光刻系统和方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种光刻设备(100A，100B)的束形成和照明系统(200)，特别是EUV光刻系统的束形成和照明系统，其包括：光学元件(202，204，206，208)，以及调节装置(700)，该调节装置设计为在束形成和照明系统(200)的加热阶段期间测量束形成和照明系统(200)的场位置和/或光瞳位置，并且根据所测量的场位置和/或光瞳位置调节光学元件(202，204，206，208)的取向和/或位置，以便将光学元件(202，204，206，208)保持在期望位置(SL)中。

Description

用于光刻系统的束形成和照明系统、光刻系统和方法
本发明涉及用于光刻设备的束成形和照明系统，涉及具有这样的束成形和照明系统的光刻设备，并且涉及用于调节这样的束成形和照明系统的方法。
通过引用将优先权申请DE 10 2018 203 925.9的全部内容并入本文。
微光刻用于制造微结构部件，例如集成电路。使用具有照明系统和投射系统的光刻设备执行微光刻工艺。通过照明系统照明的掩模(掩模母版)的像，在这种情况下，通过投射系统投射至涂有感光层(光刻胶)且布置在投射系统的像平面中的基板(例如硅晶片)上，以便将掩模结构转印至基板的感光涂层。
由在集成电路制造中更小的结构的期望驱动，目前正在发展的是EUV光刻设备，该EUV光刻设备使用的光的波长在0.1nm至30nm，尤其是13.5nm的范围中。在这种EUV光刻设备的情况中，因为该波长的光被大多数材料高度吸收，不得不使用反射光学单元，也就是说反射镜，替代前述的折射光学单元，也就是说透镜元件。
通常，在曝光操作的一些时间之后可能需要交换单独的光学单元。例如，在曝光操作中，锡可能从用锡等离子体操作的EUV光源中进入照明系统。这可能导致光学单元的退化。交换单独光学单元应该可以是有利的，而不用拆卸和安装整个照明系统，并且优选地在EUV光刻设备的操作站点处进行并且具有最短可能的停机时间。在交换后，可能必须调节光学单元以便实现用于曝光操作的最优场位置和光瞳位置。此外，在照明系统的加热阶段期间已经调节光学单元也可以是有利的，以便即使在加热阶段期间也能实现最优场位置和光瞳位置。这意味着在加热阶段期间已经开始曝光操作应该可以是有利的，以便实现最短可能的停机时间。
DE 10 2016 203 990 A1描述了制造EUV光刻设备的照明系统的方法。方法包括调节EUV光刻设备的照明系统的反射镜模块的位置。在此，基于来自移动测量系统的测量值，调节反射镜模块。
针对此背景，本发明的目的是在光刻设备中提供改进的束成形和照明系统。
因此，提出了光刻设备的，特别是EUV光刻设备的，束成形和照明系统。束成形和照明系统包括光学元件和调节装置，该调节装置配置为在束成形和照明系统的加热阶段期间测量束成形和照明系统的场位置和/或光瞳位置，并且根据测量的场位置和/或光瞳位置调节光学元件的取向和/或位置，以便将光学元件保持在目标定位中。
因为在加热阶段期间调节光学元件，所以可以在加热阶段期间尽早地开始束成形和照明系统或光刻设备的曝光操作。因此，可以显著缩短束成形和照明系统或光刻设备的停机时间，例如在已经交换光学元件之后。因此，可以在持续的曝光操作期间，重新调节光学元件的调节。借助于调节装置，光学元件可以有利地保持在与其温度无关的规范中。
特别是，可以在持续的曝光操作期间实行测量，并且可以重新调节光瞳位置。例如，在预定的时间间隔，例如在两小时的时间间隔中可以实行测量。光学元件与其目标定位的任意偏离则可以在该时间间隔内在各个情况下重新调节。当交换晶片堆叠体(或批)时或当甚至在交换晶片时，可以有利地调节光学元件。这允许节省时间。此外，来自较早实行的曝光操作或较早实行的加热阶段的测量还可以用于调节光学元件。以这种方法，可以省略加热阶段期间的测量。这同样有助于节省时间。
特别是，调节装置配置为：根据测量的场位置和/或光瞳位置，连续地调节束成形和照明系统的加热阶段期间的光学元件的取向和/或位置，以便将光学元件保持在目标定位中。在此，“连续地”优选地理解为意味着在整个加热阶段或至少在大部分加热阶段期间借助于调节装置可以调节光学元件。
加热阶段可以持续若干小时。特别是加热阶段持续直到达到由于入射EUV辐射引起的束成形和照明系统的热平衡。在目前的情况下，“热平衡”应理解为是指束成形和照明系统的温度或光学元件的温度不再升高并且特别地保持恒定的状态。然后，例如在由于吸收EUV辐射而引入的任何热与例如借助于冷却系统而移除的热之间达到平衡。热平衡还可以被称为热饱和。优选地，可以在若干小时之后，例如一至五个小时之后达到热平衡。
束成形和照明系统可以被称为光学系统，并且反之亦然。束成形和照明系统优选地包括多个光学元件，例如场分面反射镜、光瞳分面反射镜和聚光器反射镜。每一个光学元件可以是反射镜模块或被称为反射镜模块。光掩模可以布置在束成形和照明系统的物平面中。物场被定位在物平面中。该物场在物平面中的位置被称为束成形和照明系统的场位置。光刻设备的投射系统的入射光瞳的位置被称为束成形和照明系统的光瞳位置。
如上提及的，光学元件可以是分面反射镜。分面反射镜特别是包括可按行或阵列的形式布置的大量分面。作为示例，分面反射镜可以具有成百或上千个分面。每一个分面是单独可定位或可调节的。为此，致动器或致动元件，例如已知为洛伦兹致动器，可以分配到每一个分面。这样的洛伦兹致动器包括借助于柱塞各耦合到一个分面的磁性元件。可以偏转磁性元件，并且因此可以借助于多个通电线圈调节分面。特别地，洛伦兹致动器预定义一力，而不是固定的路径。光学元件因此可以是具有大量分面和致动器的模块或单元，并且因此具有大的热质量。因此，光学元件特别是反射镜阵列，并且可以是整体调节或调制的。光学元件的取向和/或位置可以在加热阶段期间由于其变热而与其目标定位偏离，并且因此应该被重新调节。
光学元件的上述调节原则上还可以借助于单独分面的调节来实行。然而，这将以分面的偏转范围为代价。因此，在加热阶段期间，调节装置有利地调节包括分面的整个光学元件作为单元。因此可以省略会限制偏转范围的分面的单独调节。然而，这不排除组合调节也可能借助于调节装置并且同时借助于单独分面进行。例如，整个光学元件可以借助于调节装置预调节，其中，然后可以借助于调节单独分面做出精细调节。这意味着可以提供调节装置的连续动力学以及分面的单独致动元件的连续动力学。因此，有利地不会过度限制单独分面的偏转范围。同时，可以减小由调节装置实现的路径，需要该路径以将光学元件保持在目标定位中和/或将其移到目标定位中。因此，调节装置的致动元件可以是尺寸较小的。
光学元件或光学元件的光学有效表面(例如反射镜表面)优选地具有六个自由度，具体而言三个平移自由度各自沿着第一空间方向或x方向、第二空间方向或y方向，第三空间方向或z方向，而且三个旋转自由度各自绕x方向、y方向和z方向。也就是说，可以借助于六个自由度确定或描述光学元件的或光学有效表面的位置和取向。调节装置适用于以全部六个自由度调节光学元件。
因此，“调节”应理解为意味着优选地可以借助于调节装置改变光学元件的取向和位置，以便将光学元件或光学有效表面保持在目标定位中。如果光学元件不在目标定位中而是在与其偏离的实际定位中，则场位置和/或光瞳位置无法满足曝光操作所需的规范，特别是照明规范。然后，调节装置调节光学元件，直到其已经从实际定位移动到目标定位。因此，可以调节光学元件使得场位置和/或光瞳位置满足所需的规范，或者可以通过改变光学元件的定位来改变或调节场位置和/或光瞳位置。
因此，光学元件或光学有效表面的“位置”特别地被理解为意味着其关于x方向、y方向和z方向的坐标或光学元件上提供的测量点关于x方向、y方向和z方向的坐标。因此，光学元件的或光学有效表面的“取向”应被理解为意味着特别是其相对于三个空间方向的倾斜。也就是说，光学元件或其光学有效表面可以绕x方向、y方向和z方向倾斜。这得到光学元件的或光学有效表面的位置和/或取向的六个自由度。光学元件的或光学有效表面的“定位”优选地涵盖其位置和其取向二者。也就是说，取向和/或位置还可以统称为定位，或者定位可以被称为取向和/或位置。因此，术语“定位”以及“取向和/或位置”可以互换。
调节装置将光学元件“保持”在目标定位中的事实应理解为意味着，使用对场位置和/或光瞳位置的测量，调节装置总是监控光学元件是否仍在目标位置中并且如果必要的话相应地重新调节使得将其再次定位在目标定位中。目标定位还可以经受容差。容差设计为使得当光学元件的实际定位位于目标定位的容差场内时，场位置和/或光瞳位置满足规范。
调节装置优选地包括测量场位置和/或光瞳位置的测量系统。测量系统可以包括计算校正配方的计算机单元，根据该配方应调节光学元件。测量系统可以移动。测量系统还可以是束成形和照明系统的固定组成部分。此外，调节装置还可以包括持续改变光学元件的取向和/或位置的致动元件以及控制致动元件的控制单元。控制单元可操作的连接到测量系统。控制单元可以是测量系统的一部分，或者测量系统可以是控制单元的一部分。在加热阶段期间，调节光学元件。
测量系统可以包括感光的传感器系统，例如一个或多个CCD(电荷耦合器件)传感器。传感器系统例如还可以包括测量物平面中能量分布的传感器。例如，该传感器可以是在物平面中可移动的，使得其可以移动到束成形和照明系统的束路径中以测量物平面中的场位置和/或光瞳位置。在测量之后，可以再次将传感器移到束路径之外。替代地，传感器系统还可以包括光掩模(掩模母版)，其设置有测量技术并且同样可以在物平面移动，以测量场位置和/或光瞳位置。
根据一个实施例，束成形和照明系统还包括多个光学元件，特别是场分面反射镜、光瞳分面反射镜、和/或聚光器反射镜，其中，调节装置配置为根据所测量的场位置和/或光瞳位置调节光学元件关于彼此的取向和/或位置。
优选地连续地实行调节。反射镜的数目是任意的。优选地提供三个光学元件，具体而言是场分面反射镜、光瞳分面反射镜、和聚光器反射镜。然而，还可以提供四个或多于四个光学元件。如上面提及的，分面反射镜特别是包括可按行的形式布置的大量分面。分面可以弧状地弯曲或者以新月形方式弯曲。分面还可以是多边形，例如六边形。作为示例，分面反射镜可以具有成百或数千个分面。每一个分面是单独可倾斜的。
根据其他实施例，束成形和照明系统还包括光学元件的承载装置，特别是六脚架，其中，承载装置包括由调节装置可控制的致动元件，特别是压电元件。
承载装置可以被称为六脚架，或者六脚架可以被称为承载装置。控制元件还可以被称为致动器。此类型的专用承载装置分配到每一个光学元件。光学元件可以包括其中保持光学元件的安装件。光学元件可以从该安装件解耦，特别是机械解耦。承载装置优选地耦接到安装件。承载装置将安装件可操作地连接到束成形和照明系统的基底。基底还可以被叫做固定的界。基底可以是束成形和照明系统的力框架或光刻设备的力框架。承载装置允许光学元件以上文提及的六个自由度来支撑。致动元件可以包括一个或多个压电元件或者可以是压电元件。替代地，致动元件可以是或者包括手动或由马达调节的螺纹转轴。此外，致动元件还可包括液压或气动驱动器。在致动元件是压电元件的事件中，驱动可以直接地进行或经由用于优化力、行程和致动准确度的固态齿轮进行。此外，致动元件可以包括压电行走驱动器，其可以与用于优化力、行程和致动准确度的固态齿轮组合。
根据其他实施例，承载装置包括六个承载单元，每一个承载单元具有致动元件。
也就是说，至少一个这样的致动元件优选地分配到每一个承载单元。致动元件能够由调节装置(特别是由调节装置的控制单元)控制(特别是通电)，以便以所有六个自由度改变光学元件的取向和/或位置。每一个致动元件特别是允许沿着分配到相应致动元件的承载单元的纵向方向或销轴的线性移动。
根据其他实施例，每一个承载单元包括改变相应承载单元的长度的间隔体。
间隔体还可以被称为垫片。在相应承载单元的纵向方向或销轴线的长度范围方面，具有不同等级或间隔尺寸的间隔体可以保持可用，然后从中选择合适的间隔体。间隔体的间隔尺寸优选为5μm。
根据其他实施例，可以实行承载单元的长度变化来调节光学元件的取向和/或位置。
长度变化可以涵盖长度增加或长度减小。可以但是不必以两个阶段实行长度变化。借助于间隔体，基于先前描述的间隔尺寸的准确度为5μm，可以在第一阶段实现长度变化。在第二阶段中，可以借助于致动元件实现高达0.1μm的准确度。在所需的长度变化小于5μm的情况下，还可以省略插入间隔体。特别地，如果已经实行预调节并且因此期望所需长度变化仅小于5μm，则可以省略间隔体。
根据其他实施例，致动元件能够从未偏转状态进入到偏转状态中，其中，致动元件在未偏转状态和偏转状态二者中都不具有电流。
致动元件可以已知为压电履带或包括这样的压电履带。未偏转状态还可以被称为未致动状态，并且偏转状态还可以被称为致动状态。通过将电压应用到优选地包括压电陶瓷的致动元件，压电陶瓷经受长度变化。压电陶瓷的情况下的其他效应在于它们还经受极性情况下长度变化。此长度变化是永久的并且仅可以通过改变极性来改变。也就是说，在长度已经改变之后，特别是在偏转状态下，不再需要引入能量来维持长度变化。这还意味着不会生成必须消耗的热。如上文提及的，仅通电致动元件，以将其从未偏转状态移动到偏转状态，并且反之亦然。除此之外，不通电控制元件。这意味着不需要电流来维持偏转状态。在此，优选地可连续设置致动元件的致动区域。也就是说，致动元件优选地可以连续地处于未偏转状态和偏转状态之间的任意数目的中间状态。
根据其他实施例，每一个承载单元包括第一弯曲解耦元件、第二弯曲解耦元件和布置在第一弯曲解耦元件和第二弯曲解耦元件之间的销区段，其中，致动元件布置在第一弯曲解耦元件和第二弯曲解耦元件之间、在第一弯曲解耦元件和光学元件之间、或者在第二弯曲解耦元件和束成形和照明系统的基底之间。
也就是说，致动元件可以布置在销区段中和/或是销区段的一部分中。销区段和弯曲解耦元件优选地形成为一体，特别是为一块材料。弯曲解耦元件可以各包括挠曲承载件或设计为挠曲承载件。在目前的情况中，“挠曲承载件”应该优选地理解为意味着允许由于弯曲或更一般性由于弹性形变引起的相对移动的弹簧装置。这样的挠曲承载件的功能特别地通过相对于较高挠曲刚度的两个邻接区域挠曲刚度降低的区域来实现，例如材料厚度减少的弹性形变区域。因此，挠曲刚度降低特别是由横截面的局部降低而引起的。先前提及的间隔体可以定位在第一弯曲解耦元件与光学元件或其安装件之间或者在第二弯曲解耦元件与基底之间。间隔体可以与致动元件相邻地定位，或者定位在其上未提供致动元件的弯曲解耦元件处。
此外，提出了具有这样的束成形和照明系统的光刻设备、特别是EUV光刻设备。
除了束成形和照明系统以外，光刻设备可以包括投射系统和光源，特别是EUV光源。EUV表示“极紫外”，并且表示在0.1和30nm之间的工作光的波长。光刻设备还可以是DUV光刻设备。DUV表示“深紫外”，并且表示在30nm与250nm之间的工作光的波长。
此外，提出一种调节光刻设备的这样的束成形和照明系统的方法。该方法包括以下步骤：a)测量束成形和照明系统的场位置和/或光瞳位置，以及b)根据所测量的场位置和/或光瞳位置，在束成形和照明系统的加热阶段期间调节束成形和照明系统的光学元件的取向和/或位置，使得光学元件保持在目标定位中。
优选地连续地实行步骤b)的调节。优选地借助于调节装置实行步骤a)和b)。为此，调节装置包括测量系统和控制致动元件的控制单元。步骤a)优选地使用光刻设备的工作光(也就是说特别是EUV辐射)实行。替代地，步骤a)可以借助于来自测量系统的测量光源的测量光实行。在这种情况下，特别地，测量光不是EUV辐射。例如，测量光是激光光束。例如，将测量光在束成形和照明系统的中间焦平面处耦合到束成形和照明系统的束路径中并且再次在物平面的上游耦合离开束成形和照明系统的束路径。为此，可以使用输入耦合装置和输出耦合装置，其例如各自设计为马达驱动的反射镜。然而，步骤a)中，借助于EUV辐射优选地实行场位置和/或光瞳位置的测量，因为在该情况下有利地可以省略附加的测量光源。这意味着EUV光源是在方法正在实行时进行操作。
根据一个实施例，迭代地实行步骤a)和b)，直到场位置和/或光瞳位置满足所需规范。
这意味着场位置和/或光瞳位置可以借助于该方法来调适。规范优选地涵盖容差范围，场位置和/或光瞳位置应该位于该容差范围内。
根据其他实施例，在步骤b)之前或在步骤b)中计算出光学元件的校正配方，其中，基于该校正配方调节光学元件。
优选地借助于前述计算机单元计算出校正配方，该计算机单元可以是调节装置的一部分。对于相应光学元件的承载装置的每一个承载单元，校正配方优选地包括陈述相应承载单元是否需要长度变化和需要什么程度的长度变化以便将相应光学元件保持在目标定位中。
根据其他实施例，该方法是在真空下和/或在束成形和照明系统的EUV光源的操作期间实行的。
一个或多个光学元件优选地定位在束成形和照明系统的外壳中。此外壳特别是在曝光操作期间和在加热阶段期间经受真空。
根据其他实施例，通过光学元件的承载装置的承载单元在各个情况下实行长度变化，在步骤b)中调节光学元件的取向和/或位置。
优选地借助于插入前述间隔体和/或借助于控制相应承载单元的致动元件来实行长度变化。
根据其他实施例，实行方法，直到达到束成形和照明系统的热平衡。
一旦例如在一到五个小时之后达到热平衡，可以终止该过程。然后，可以使致动元件断电。如果这样期望的话，则然后可以从束成形和照明系统中移除测量系统和/或控制单元。替代地，还可以在束成形和照明系统处保留测量系统和/或控制单元。
针对束成形和照明系统所描述的实施例和特征因此应用于所提出的方法，并且反之亦然。
目前情况中的“一”应不一定被理解为限制于恰好一个元件。当然，还可以提供多个元件，例如两个、三个或更多个。在此使用的其他任何数值不应理解为必须实现对恰好对应数目个元件的准确限制的影响。当然，向上和向下的数值偏差是可能的。
本发明其他可能的实现方式还包括在上文或下文描述的特征或实施例相对于示例性实施例的没有明确提到的组合。在这种情况下，本领域技术人员还将增加各个方面，作为对本发明的相应的基本形式的改进或补充。
本发明的其他有利的配置和方面是从属权利要求的主题并且也是在下文中描述的本发明示例性实施例的主题。在下文中，参考附图基于优选的实施例更详细地解释本发明。
图1A示出了EUV光刻设备的实施例的示意性视图；
图1B示出了DUV光刻设备的实施例的示意性视图；
图2示出了根据图1A和图1B的光刻设备的光学系统的实施例的示意性视图；
图3示出了根据图2的光学系统的其他示意性视图；
图4示出了根据图2的光学系统的其他示意性视图；
图5示出了根据图2的光学系统的其他示意性视图；
图6示出了根据图2的光学系统的承载单元的实施例的示意性透视图；
图7示出了根据图6的细节视图VII；
图8示出了根据图6的细节视图IIX；
图9示出了根据图2的光学系统的调节装置的实施例的示意性视图；
图10示出了根据图2的光学系统的调节装置的其他实施例的示意性视图；
图11示出了用于调节根据图2的光学系统的方法的实施例的示意性框图；
图12示出了用于调节根据图2的光学系统的方法的其他实施例的示意性框图。
除非相反指示，图中相同的元件或者具有相同功能的元件设有相同的附图标记。也应注意的是，在附图中的图示并不一定按照比例。
图1A示出了EUV光刻设备100A的示意性视图，该光刻设备包括束成形和照明系统102以及投射系统104。在这种情况下，EUV表示“极紫外”，并且表示在0.1和30nm之间的工作光的波长。束成形和照明系统102和投射系统104相应提供在真空外壳(未示出)中，其中每个真空外壳借助于抽气设备(未示出)来抽气。真空外壳由机械室(未示出)包围，其中提供用于机械地移动或设置光学元件的驱动装置。而且，电控制器等等也可以提供在该机械室中。
EUV光刻设备100A包括EUV光源106A。例如可以提供等离子体源(或同步加速器)作为EUV光源106A，该等离子体源发射的辐射108A在EUV范围(极紫外范围)中，就是说，例如在5nm至20nm的波长范围中。在束成形和照明系统102中，聚焦EUV辐射108A，并且从EUV辐射108A中将期望的操作波长过滤出。由EUV光源106A产生的EUV辐射108A具有穿过空气相对低的透过率，因此在束成形和照明系统102中和在投射系统104中的束引导空间被抽空。
图1A中图示的束成形和照明系统102具有五个反射镜110、112、114、116、118。在通过束整形和照明系统102后，EUV辐射108A被引导到光掩模(掩模母版)120上。光掩模120同样实施为反射光学元件并且可以布置在系统102、104的外面。此外，通过反射镜122可以将EUV辐射108A指引到光掩模120上。光掩模120具有通过投射系统104以缩小的方式成像到晶片124等上的结构。
投射系统104(还被称为投射镜头)具有六个反射镜M1至M6，用于将光掩模120成像到晶片124上。在这种情况下，投射系统104的单独反射镜M1至M6可以关于投射系统104的光轴126对称地布置。应当注意的是，EUV光刻设备100A的反射镜M1至M6的数目不限于表示的数目。还可以提供更多或更少数目的反射镜M1至M6。另外，为了束成形，反射镜M1至M6通常在其前侧弯曲。
图1B示出了DUV光刻设备100B的示意性视图，该光刻设备包括束成形和照明系统102以及投射系统104。在这种情况下，DUV表示“深紫外”，并且表示在30nm与250nm之间的工作光的波长。如参考图1A已经描述的，束成形和照明系统102和投射系统104可以布置在真空外壳中和/或由具有对应驱动装置的机械室围绕。
DUV光刻设备100B具有DUV光源106B。作为示例，可以提供发射在193nm的DUV范围中的辐射108B的ArF准分子激光器作为DUV光源106B。
在图1B中图示的束成形和照明系统102将DUV辐射108B引导到光掩模120上。光掩模120实施为透射光学元件且可以布置在系统102、104的外部。光掩模120具有通过投射系统104以缩小的方式成像到晶片124等上的结构。
投射系统104具有多个透镜元件128和/或反射镜130，用于将光掩模120成像到晶片124上。在这种情况下，投射系统104的单独的透镜元件128和/或反射镜130可以关于投射系统104的光轴126对称地布置。应该注意到，DUV光刻设备100B的透镜元件128和反射镜130的数目不限于所表示的数目。还可以设置更多或更少数目的透镜元件128和/或反射镜130。另外，为了束成形，反射镜130通常在其前侧弯曲。
最后一个透镜元件128和晶片124之间的气隙可以替换为具有折射率＞1的液体介质132。例如，液体介质132可以是高纯度的水。这样的构造还被称为浸没式光刻，并且具有增强的光刻分辨率。介质132还可以被称为浸没液体。
图2示出了光学系统200的示意性视图。光学系统200是束成形和照明系统102，特别是EUV光刻设备100A的束成形和照明系统102。光学系统200因此还可以被叫做束成形和照明系统，并且束成形和照明系统102可以被叫做光学系统。然而，光学系统200还可以是DUV光刻设备100B的一部分。然而，下面假设光学系统200是EUV光刻设备100A的一部分。除了光学系统200以外，图2还示出了发射EUV辐射108A的EUV光源106A和光掩模120。
光学系统200包括多个光学元件202、204、206、208。另外，可以提供可选的偏转反射镜210。偏转反射镜210是以掠入射操作的，并且因此还可以叫做掠入射反射镜。偏转反射镜210可以对应于图1A所示的反射镜122。光学元件202、204、206、208可以对应于图1A所示的反射镜110、112、114、116、118。
光学元件202可以是光学系统200的分面反射镜，特别是光瞳分面反射镜。光学元件204还可以是光学系统200的分面反射镜，特别是光瞳分面反射镜。光学元件206、208中的至少一个可以是光学系统200的聚光器反射镜。光学元件202、204、206、208的数目是任意的。例如，如图1A所示，可以提供五个光学元件202、204、206、208，或如图2所示，可以提供四个光学元件202、204、206、208。然而，优选地提供至少三个光学元件202、204、206、208，具体而言是光瞳分面反射镜、场分面反射镜和聚光器反射镜。
分面反射镜包括可按行的形式布置的大量分面。分面可以弧状地弯曲或者以新月形方式弯曲。分面还可以是多边形，例如六边形。作为示例，分面反射镜可以具有成百或上千个分面。每一个分面可以是可自身倾斜的。
光学元件202、204、206、208布置在外壳212内。在光学系统200的操作期间，特别是曝光操作期间，外壳212可以经受真空。即，光学元件202、204、206、208布置在真空中。
在光学系统200的操作期间，EUV光源106A发射EUV辐射108A。作为示例，可以为此产生锡等离子体。为了产生锡等离子体，可以用激光脉冲轰击锡主体(例如锡珠或锡滴)。锡等离子体发射EUV辐射108A，其借助于例如EUV光源106A的椭圆形反射镜的集光器收集并且在光学系统200的方向上发送。集光器将EUV辐射108A聚焦在中间焦平面214处。EUV辐射108A在其通行穿过光学系统200时由光学元件202、204、206、208和偏转反射镜210中的每一个反射。EUV辐射108A的束路径由参考标记216表示。
光掩模120布置在光学系统200的物平面218中。物场220被定位在物平面218中。物场220在物平面218的位置被称为场位置。投射系统104(图2未示出)的入瞳的位置被称为光学系统200的光瞳位置。
图2还示出了可移动测量系统300。可以在外壳212的外部提供测量系统300。测量系统300可以是光学系统200的一部分。然而，测量系统300优选地不是光学系统200的一部分，并且可以在测量过程之后再次与光学系统200分离。测量系统300可以适用于将例如激光束的测量光耦合到束路径216中，并且在测量光通行穿过光学元件202、204、206、208之后将其再次耦合出来。然而，测量系统300优选地在其自身测量光源没有发射测量光的情况下工作。也就是说，测量系统300优选地使用EUV辐射108A工作。
然而，在测量系统300具有测量光源的情况中，测量光源如上所提及地配置为发射测量光。在这种情况下，特别地，测量光不是EUV辐射108A。此外，测量系统300则包括输入耦合装置，以将测量光耦合到束路径216中。输入耦合装置可以是通过马达可移动或可枢转的反射镜。例如，可以借助于输入耦合装置在中间焦平面214处将测量光耦合到束路径216中。测量系统300具有输出耦合装置，以将测量光耦合离开束路径216。输出耦合装置还可以是通过马达可移动或可枢转的反射镜。可以借助于输出耦合装置优选地在物平面218的上游再次将测量光耦合离开束路径216。如上文提及的，测量系统300还可以优选地使用EUV辐射108A而不是使用测量光来测量场位置和光瞳位置。因此，可以省略分离的测量光源和输入耦合装置，以及输出耦合装置。
测量系统300还包括光敏的传感器系统，例如一个或多个CCD传感器(电荷耦合器件)。测量系统300还包括计算机单元。场位置和光瞳位置可以借助于测量系统300来确定或测量。传感器系统例如可以包括测量物平面218中能量分布的传感器。例如，所述传感器可以是在物平面218中可移动的，使得其可以移动到束路径220中以测量物平面218中的场位置和/或光瞳位置。替代地，传感器系统还可以包括光掩模120(掩模母版)，其设有测量技术并且同样可以在物平面218中移动。
图3示出了光学系统200的其他视图，但是在这种情况下仅示出光学元件202。以下关于光学元件202的陈述相应地应用于光学元件204、206、208。也就是说，光学元件202、204、206、208可以特别是关于它们被支撑的方式而相同地构造，这在下文进行解释。
光学元件202包括基板222和例如反射镜表面的光学有效表面224。在光学元件202是分面反射镜的情况中，可以在大量分面上提供光学有效表面224。光学元件202或光学有效表面224具有六个自由度，具体而言三个平移自由度各自沿着第一空间方向或x方向x、第二空间方向或y方向y，第三空间方向或z方向z，而且三个旋转自由度各自绕x方向x、y方向y和z方向z。也就是说，可以借助于六个自由度确定或描述光学元件202的或光学有效表面224的位置和取向。
光学元件202或光学有效表面224的“位置”特别是被理解为意味着其坐标或光学元件202上提供的测量点相对于x方向x、y方向y和z方向z的坐标。光学元件202的或光学有效表面224的“取向”被理解为意味着特别是相对于三个空间方向x、y、z的倾斜。也就是说，光学元件202或光学有效表面224可以绕x方向x、y方向y和/或z方向z倾斜。这导致光学元件202的或光学有效表面224的位置和/或取向的六个自由度。光学元件202的或光学有效表面224的“定位”涵盖其位置和其取向二者。
图3中，以实线示出光学元件202的实际定位IL，并且以虚线和参考标记202′和224′分别示出光学元件202′和光学有效表面224′的目标定位sL。在实际定位IL中，光学系统200无法满足关于场位置和光瞳位置的规范，特别是照明规范。在目标定位sL中，光学系统200满足关于场位置和光瞳位置的规范。
将基底400分配到光学系统200。基底400还可以被叫做固定的界。基底400可以是光学系统200的力框架或光刻设备100A的力框架。
光学元件202可以包括安装件226(图4)，将光学元件保持在该安装件中。光学元件202可以从该安装件226中解耦，特别是机械解耦。在目前的实施例中，“机械解耦”理解为意味着没有力或至少只有很小的力可从光学元件202传输到安装件226和/或反之亦然。因此，例如由于光学元件202和安装件226的热膨胀不同，因此仅可以将较低应力引入到光学元件202中。此外，光学元件202还可以包括冷却系统(未示出)。因此，光学元件202还可以被称为模块，特别是反射镜模块。
例如，这种光学元件202从其安装件226机械解耦可以借助于挠曲承载件来实现。在目前的情况中，“挠曲承载件”应该优选地理解为意味着允许由于弯曲或更一般性由于弹性形变引起的相对移动的弹簧装置。相应挠曲承载件的弹性形变因此可以需要光学元件202关于其安装件226的相对移动或者反之亦然。这样的挠曲承载件的功能特别地通过相对于较高挠曲刚度的两个邻接区域的挠曲刚度降低的区域来实现，例如材料厚度减少的弹性形变区域。因此，挠曲刚度降低特别是由横截面的局部降低而引起的。
借助于承载装置500将光学元件202耦接到基底400。承载装置500已知为六脚架或可以被称为六脚架。承载装置500允许以六个自由度移动光学元件202或光学有效表面224。承载装置500优选地不直接可操作地连接到光学元件202而是连接到其安装件226。
承载装置500包括六个承载单元502、504、506、508、510、512。承载单元502、504、506、508、510、512是杆状的并且可以被称为销。承载单元502、504、506、508、510、512可以在光学元件202、更明确地说其安装件226处，经由分配到相应对的适配器514成对地接合。如图4示出的，在此，适配器514可以位于例如在光学元件202或安装件226的俯视图中想象的三角形的拐角点处。
图5示出了承载单元502的可能的实施例。然而，承载单元504、506、508、510、512也可以类似地构造。图6示出了承载单元502的部分的示意性透视图，并且图7和图8各示出了根据图6的相应的详细视图VII和IIX。
承载单元502包括第一弯曲解耦元件516，其借助于适配器514可操作地连接到光学元件202或其安装件226。可选的间隔体518可以被提供在适配器514与光学元件202或安装件226之间。间隔体518可以是垫片或被称为垫片。也就是说，适配器514经由间隔体518连接到光学元件202或安装件226。适配器514还可以被称为第一适配器。
在其关于承载单元502的纵向方向L的长度范围方面具有不同等级或间隔尺寸的间隔体518可以保持可用，然后从中选择合适的间隔体518。间隔体518的间隔尺寸优选为5μm。
第一弯曲解耦元件516连接到销区段520。第一弯曲解耦元件516与销区段520一起优选地形成为一体，特别是一块材料。承载单元502包括与第一弯曲解耦元件516远离的第二弯曲解耦元件522。第二弯曲解耦元件522也与销区段520一起优选地形成为一体，特别是一块材料。销区段520包括销轴线S，相对于该销轴线S构造销区段520以旋转对称。纵向方向L是平行于销轴线S取向的。
其他适配器524被提供在第二弯曲解耦元件522与基底400之间。致动元件526继而定位在适配器524与基底400之间。致动元件526同样地可以被称为致动器。致动元件526允许沿着承载单元502的纵向方向L的线性移动。因此，致动元件526可以被称为线性致动元件或线性致动器。纵向方向L可以与z方向z重合或与其平行。适配器524可以被称为第二适配器。第一适配器514、第一弯曲解耦元件516、销区段520、第二弯曲解耦元件522和第二适配器524优选地形成为一体，特别是一块材料。弯曲解耦元件516、522优选地是挠曲承载件或包括挠曲承载件。
致动元件526还可以替代地定位在弯曲解耦元件516、522之间，如图5中由附图标记526′表示。此外，致动元件526还可以定位在适配器514与间隔体518之间或者在间隔体518与光学元件202或安装件226之间。间隔体518继而还可以替代地定位在适配器524与基底400之间、在基底400与致动元件526之间、或者在致动元件526与适配器524之间。
图6和7以透视图在各个情况下示出第一弯曲解耦元件516。第一弯曲解耦元件516包括两个板簧区段528、530，它们经由连接区段532彼此连接。可以将板簧区段528、530和连接区段532制造为整体部件，特别是由金属构成。
板簧区段528、530中的每一个具有主要范围的平面E。主要范围的平面E彼此垂直。因此，例如，在承载单元502的未偏转状态下，关于板簧区段528的主要范围的平面E的垂线可以指向y方向y，并且关于板簧区段530的主要范围的平面E的垂线可以指向x方向x。因此，第一弯曲解耦元件516具有允许销区段520绕x方向x和y方向y二者枢转的灵活性。x方向x和y方向y彼此垂直并且各自垂直于z方向z。板簧区段528、530的对应弯曲轴线表示为R和T，并且如提及的可以与方向x和y重合。
穿过第一弯曲解耦元件516的功率流K连续地流过两个板簧区段528、530，如图7所示。也就是说，板簧区段528、530机械上连续地连接。这使得要提供的前述灵活性是关于两个相互正交的轴线，在该情况下又称轴线R和T。
第一弯曲解耦元件516布置在销区段520面向光学元件202的一端上。第二弯曲解耦元件522与其相对布置在销区段520的另一端处。所述第二弯曲解耦元件522具有与第一弯曲解耦元件516相同的构造，在图8示出。
由于弯曲解耦元件516、522和位于两者之间的销区段520的该布置，可以引起光学元件202的移动，其甚至对于较大移动距离仅导致弯曲解耦元件516、522中板簧区段528、530中的较小弯曲。这是有利的，特别是在因此在那里仅释放了极少热的方面，所述热继而可能具有形式为热膨胀的损坏效应。此外，由于弯曲解耦元件516、522，承载单元502因而仅可以传输沿着纵向方向L或销轴线s排他作用的力。
现在回到致动元件526，这可以在各个情况下引起沿着承载单元502、504、506、508、510、512的相应销轴线S的平移移动。致动元件526可以是或者包括手动或由马达调节的螺纹转轴。此外，致动元件526还可包括液压或气动驱动器。替代地，致动元件526还可以是或包括压电驱动器。驱动可以在这种情况下直接发生或者经由用于优化力、行程和致动准确度的固态齿轮发生。致动元件526此外可以包括压电行走驱动器，其可以与用于优化力、行程和致动准确度的固态齿轮组合。
如图9示出，致动元件526优选地是压电元件或包括一个或多个压电元件。当将电压应用于压电陶瓷时，压电陶瓷的长度改变。压电陶瓷的情况下的其他效应在于它们还经受极性情况下长度变化。此长度变化是永久的并且仅可以通过改变极性来改变。这意味着在长度已经改变之后，不再需要引入能量来维持长度变化。这还意味着不会生成必须消耗的热。
例如，致动元件526的致动范围ΔA可以为10μm。压电陶瓷的最大长度改变，即致动范围ΔA约为其初始长度A的0.1％。对于10μm的致动范围ΔA，致动元件526因此具有近似10mm的初始长度A。致动元件526的定位准确度在此为0.1μm。致动元件526使用压电陶瓷具有以下优点。不需要关于彼此可移动的部件。这防止部件卡住。在已经设置期望的长度变化之后，致动元件526不需要能量供应，这意味着也不需要生成热。此外，在致动元件526中或上不需要分立的传感器系统，因为可以借助于测量系统300直接地测量场位置和光瞳位置。
将控制单元600分配到致动元件526，以使致动元件526通电。控制单元600可以是光学系统200的一部分。致动元件526可以借助于控制单元600从未偏转状态Z1移到偏转状态Z2，反之亦然。在偏转状态Z2中，致动元件在图9中用附图标记526″来表示。如上文提及的，仅使致动元件526通电，以将其从未偏转状态Z1移动到偏转状态Z2。除此之外，不使控制元件526通电。这意味着不需要电流来维持偏转状态Z2。致动范围ΔA是可连续设置的。也就是说，致动元件526可以连续地处于未偏转状态Z1和偏转状态Z2之间的任意数目的中间状态。
在已经极化调节元件526之后，可以再次移除控制单元600。替代地，控制单元600还可以是光学系统200的固定组成部分。可以为承载装置502、504、506、508、510、512的每一个致动元件526分配这样的控制单元600。替代地，可以由共同的控制单元600控制承载单元502、504、506、508、510、512的所有致动元件526。
如图9所示的致动元件526还可以已知为压电履带或包括压电履带。“压电履带”是相互连接的压电致动器或压电堆叠体的线性布置，其可以通过以履带链的方式交替激活压电致动器而在表面上移动。这样的压电履带优选地是自锁的，这意味着它在没有电流的情况下不会单独地重置。因为致动元件526在这种情况下设计为压电履带，它可以通过通电从未偏转状态Z1连续地移到偏转状态Z2。然后不需要电流来保持如上文提及的偏转状态Z2。
控制单元600优选地可操作地连接到测量系统300，结果是控制单元600可以取决于测量系统300的测量值，即取决于所测量的场位置和所测量的光瞳位置来控制致动元件526。控制单元600、测量系统300和致动元件526是调节装置700的一部分。控制单元600或调节装置700适用于改变光学元件202、204、206、208中的每一个的位置和/或取向，以使光学元件202、204、206、208从它们相应的实际位置IL中移到所需的目标定位SL并将它们保持在目标定位中。
可以将这样的调节装置700分配到每一个承载单元502、504、506、508、510、512。然而，优选地将一个调节装置700分配到多个承载单元502、504、506、508、510、512，例如分配到承载装置500的所有承载单元502、504、506、508、510、512。调节装置700可以是承载装置500的一部分，或者反之亦然。此外，可以将这样的调节装置700分配到每一个光学元件202、204、206、208。此外，还可以将一个调节装置700分配到多个光学元件202、204、206、208。
图10示出了调节装置700的其他实施例。在调节装置700的该实施例中，致动元件526适用于借助于滑块构造相对于基底400线性位移相应承载单元502、504、506、508、510、512的适配器524。以这种方法，例如，可以改变相应承载单元502、504、506、508、510、512相对于水平线H的倾斜角α。然而，图10仅示出了承载单元504。作为示例，致动元件526可以形成为压电元件或压电履带。图10中借助于双向箭头534指示所述线性位移性。滑块构造可以是自锁设计，结果是如果致动元件526断电，则滑块构造不会单独地重置。因此，调节装置700适用于改变光学元件202、204、206、208中的每一个的位置和/或取向，以使光学元件202、204、206、208从它们相应的实际定位IL中移到所需的目标定位SL并借助于相应适配器524的线性位移将它们保持在目标定位中。各种致动元件526还可以彼此组合。
下面解释光学系统200的功能性。通常，在曝光操作经过一些时间之后，可能需要交换单独光学元件202、204、206、208。例如，在曝光操作期间，锡可能从EUV光源106A通行到光学系统200中。这可能导致光学元件202、204、206、208的光学有效表面224或光学元件202、204、206、208中的单独光学元件的光学有效表面224的退化。光学元件202、204、206、208应该有利地交换，而不用拆卸和安装整个光学系统200，优选地在站点处交换，即在EUV光刻设备100A的操作站点处，并且EUV光刻设备100A的可能停机时间最短。
此外，还可能需要在照明系统200的加热阶段期间调节光学元件202、204、206、208，以便即使在加热阶段期间也能实现最优场位置和光瞳位置。也就是说，曝光操作可以有利地已经在加热阶段期间开始，并且然后昂贵的EUV辐射108A不仅可以用于加热而且可以用于甚至在加热阶段曝光。加热阶段可以持续若干小时，例如一至五个小时。特别是，加热阶段持续直到达到由于入射EUV辐射108A引起的光学系统200的热平衡。在目前的情况下，“热平衡”应理解为是指光学系统200的温度或光学元件202、204、206、208的温度不再升高并且特别地保持恒定的状态。然后，例如在由于吸收EUV辐射108A而引入的任何热与例如借助于冷却系统而移除的热之间达到平衡。
为了调节场位置和光瞳位置，典型地仅改变相应光学元件202、204、206、208的倾斜(即取向)是不够的。另外，还必须调节相应光学元件202、204、206、208的位置。特别是当光学元件202、204、206、208中的一个在EUV光刻设备100A的操作站点处被交换时，需要快速且有目标的调节以达到最短可能的停机时间。
根据图11所示的用于调节光学系统200的方法，可以在一个或多个光学元件202、204、206、208已经交换之后进行光学元件202、204、206、208的调节或进行光学元件202、204、206、208中的一个的调节。步骤s1中，在光学元件202、204、206、208原始安装的情况下，为最初静止的光学系统200测量场位置和光瞳位置。
步骤s2中，期望的光学元件202、204、206、208被交换。步骤s3中，再次测量场位置和光瞳位置。在没有将真空应用到外壳212的情况下，优选地实行步骤S1至S3。
在随后的步骤s4中，计算出校正配方。为此，测量系统300可以包括计算机单元或者耦合到计算机单元。校正配方包括对于交换的光学元件202、204、206、208并且还可能对于未交换的光学元件202、204、206、208的沿着对应承载单元502、504、506、508、510、512的销轴线s的长度ΔL(图9)的改变，需要其以将相应的光学元件202、204、206、208从其实际定位IL移到其目标定位sL(图3)。这样的长度ΔL的变化可能对于承载单元502、504、506、508、510、512中的每一个或仅对于承载单元502、504、506、508、510、512中的一些是必须的。
在两个步骤s5和s6中，在交换的光学元件202、204、206、208上并且还可能在尚未交换的光学元件202、204、206、208上实行必要的校正。优选地在两个阶段中实行校正。步骤s5中，插入适当的间隔体518，其选自具有5μm的长度等级的多个间隔体518。因此，可以借助于间隔体518以5μm的准确度设置长度变化ΔL。在已经执行步骤s5之后，可以将真空应用到外壳212。在所需的长度变化ΔL小于5μm的情况下，还可以省略插入间隔体518。
步骤s6中，现在偏转致动元件526以将长度变化ΔL准确地设置为0.1μm。为此，借助于控制单元600控制对应的致动元件526。一旦已经达到期望的长度变化ΔL，可以使致动元件526断电。已经可以在真空条件下实行步骤S6。
步骤s7中，再次测量场位置和光瞳位置。特别是在真空条件下迭代地实行步骤S4、S6和S7，直到达到关于场位置和光瞳位置的所需规范。还可以经由晶片124上所谓的覆盖来确定光瞳位置。在目前情况下的术语覆盖”是指一般由两个光刻平面构成的结构在不同制造步骤中的定位准确度或覆盖准确度。也就是说，借助于本发明还可以改进覆盖。当实现规范时，可以移除测量系统300和控制单元600。替代地，测量系统300和控制单元600也可以保留在光学系统200上。
在组装光学系统200期间，还可以实行方法以进行初始调节。此外，借助于该方法，还可以校正在运输光学系统200期间可能发生的沉降效应。这是特别有利的，因为光学系统200的尺寸通常需要其在传输期间倾斜。此外，可以校正光学系统200的其他部件的老化效应，诸如蠕变效应或沉降效应。还可以校正在已经调节机器之后可能发生的热效应，诸如漂移。
图12示出的其他方法可以适用于缩短光学系统200进行操作时的停机时间，例如在交换光学元件202、204、206、208中的一个之后，或者适用于补偿因由于照明设置变化而发生的改变。根据图12的该方法优选地在真空条件下实行并且在EUV光源106A正在操作时实行。在该方法中，致动元件526优选地设计为有源致动元件。然后，根据借助于测量系统300所测量的场位置和光瞳位置，可以借助于控制单元600控制致动元件526，以便将相应光学元件202、204、206、208从其实际定位IL移动到目标定位sL。因此，致动元件526是控制回路的一部分，该控制回路在调节光学元件202、204、206、208时主动校正场位置和光瞳位置。
该方法包括借助于测量系统300测量场位置和光瞳位置的步骤S10。步骤S20中，根据所测量的场位置和/或光瞳位置，在光学系统200的加热阶段期间，调节光学元件202，204，206，208的取向和/或位置，使得光学元件202，204，206，208总是保持在目标定位sL中。只要光学元件202、204、206、208在目标定位sL中，就可以满足场位置和光瞳位置的所需规范。
步骤S20中，还计算出光学元件202、204、206、208的校正配方。步骤S20中，控制单元600进一步控制致动元件526，使得光学元件202、204、206、208从其实际定位IL移到目标定位SL并被保持在目标定位SL中。迭代地实行步骤S10、S20，直到实现关于场位置和光瞳位置的所需规范。
根据图12的方法可以是根据图11的方法的一部分。根据图12的方法特别地还可以是根据图11的方法来实行。与根据图11的方法相比，根据图12的方法在光学系统200的加热阶段期间连续实行，其中不断校正光学元件202、204、206、208的定位。因此，曝光操作已经可以在加热阶段期间开始，因此例如在光学元件202、204、206、208中一个已经交换之后，可以显著缩短光学系统200的停机时间。
虽然基于示例性实施例描述了本发明，但是仍可以通过多种多样的方式来修改本发明。
附图标记列表
100A EUV光刻设备
100B DUV光刻设备
102 束成形和照明系统
104 投射系统
106A EUV光源
106B DUV光源
108A EUV辐射
108B DUV辐射
110 反射镜
112 反射镜
114 反射镜
116 反射镜
118 反射镜
120 光掩模
122 反射镜
124 晶片
126 光轴
128 透镜元件
130 反射镜
132 介质
200 光学系统
202 光学元件
202′ 光学元件
204 光学元件
206 光学元件
208 光学元件
210 偏转反射镜
212 外壳
214 中间焦平面
216 束路径
218 物平面
220 物场
222 基板
224 光学有效表面
224′ 光学有效表面
226 安装件
300 测量系统
400 基底
500 承载装置
502 承载单元
504 承载单元
506 承载单元
508 承载单元
510 承载单元
512 承载单元
514 适配器
516 弯曲解耦元件
518 间隔体
520 销区段
522 弯曲解耦元件
524 适配器
526 致动元件
526′ 致动元件
526′′ 致动元件
528 板簧区段
530 板簧区段
532 连接区段
534 双向箭头
600 控制单元
700 调节装置
A 最初长度
E 主要范围的平面
IL 实际定位
H 水平
K 功率流
L 纵向方向
M1 反射镜
M2 反射镜
M3 反射镜
M4 反射镜
M5 反射镜
M6 反射镜
R 弯曲轴线
S 销轴线
SL 目标定位
S1 步骤
S2 步骤
S3 步骤
S4 步骤
S5 步骤
S6 步骤
S7 步骤
S10 步骤
S20 步骤
T 弯曲轴线
x x方向
y y方向
z z方向
Z1 状态
Z2 状态
ΔA 致动范围
ΔL 长度变化
α 倾斜角

Claims (15)

1.一种光刻设备(100A，100B)的束成形和照明系统(200)，特别是EUV光刻设备的束成形和照明系统，具有：
光学元件(202，204，206，208)，以及
调节装置(700)，所述调节装置配置为在所述束成形和照明系统(200)的加热阶段期间测量所述束成形和照明系统(200)的场位置和/或光瞳位置，并且根据测量的场位置和/或光瞳位置调节所述光学元件(202，204，206，208)的取向和/或位置，以便将所述光学元件(202，204，206，208)保持在目标定位(SL)中。
2.根据权利要求1所述的束成形和照明系统，还包括多个光学元件(202，204，206，208)，特别是场分面反射镜、光瞳分面反射镜、和/或聚光器反射镜，其中，所述调节装置(700)配置为根据所述测量的场位置和/或光瞳位置调节所述光学元件(202，204，206，208)关于彼此的取向和/或位置。
3.根据权利要求1或2所述的束成形和照明系统，还包括所述光学元件(202，204，206，208)的承载装置(500)，特别是六脚架，其中，所述承载装置(500)包括通过所述调节装置(700)可控制的致动元件(526)，特别是压电元件。
4.根据权利要求3所述的束成形和照明系统，其中，所述承载装置(500)包括各具有致动元件(526)的六个承载单元(502，504，506，508，510，512)。
5.根据权利要求4所述的束成形和照明系统，其中，每个承载单元(502，504，506，508，510，512)包括改变相应的承载单元(502，504，506，508，510，512)的长度的间隔体(518)。
6.根据权利要求4或5所述的束成形和照明系统，其中，能够实行所述承载单元(502，504，506，508，510，512)的长度(ΔL)的改变以调节所述光学元件(202，204，206，208)的取向和/或位置。
7.根据权利要求4至6中任一项所述的束成形和照明系统，其中，所述致动元件(526)能够从未偏转状态(Z1)进入到偏转状态(Z2)中，并且其中，所述致动元件(526)在所述未偏转状态(Z1)和所述偏转状态(Z2)二者中都不具有电流。
8.根据权利要求4至7中任一项所述的束成形和照明系统，其中，每一个承载单元(502，504，506，508，510，512)包括第一弯曲解耦元件(516)、第二弯曲解耦元件(522)和布置在所述第一弯曲解耦元件(516)和所述第二弯曲解耦元件(522)之间的销区段(520)，并且其中，所述致动元件(526)布置在所述第一弯曲解耦元件(516)和所述第二弯曲解耦元件(522)之间、在所述第一弯曲解耦元件(516)和所述光学元件(202，204，206，208)之间、或者在所述第二弯曲解耦元件(522)和所述束成形和照明系统(200)的基底(400)之间。
9.一种光刻设备(100A，100B)，特别是EUV光刻设备，具有如权利要求1至8中任一项所述的束成形和照明系统(200)。
10.一种调节光刻设备(100A，100B)的束成形和照明系统(200)的方法，包括以下步骤：
a)测量(S10)所述束成形和照明系统(200)的场位置和/或光瞳位置，以及
b)根据测量的场位置和/或光瞳位置，在所述束成形和照明系统(200)的加热阶段期间，调节(S20)所述束成形和照明系统(200)的光学元件(202，204，206，208)的取向和/或位置，使得所述光学元件(202，204，206，208)保持在目标定位(SL)中。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，迭代地实行步骤a)和b)，直到所述场位置和/或光瞳位置满足所需规范。
12.根据权利要求10或11所述的方法，其中，在步骤b)之前或步骤b)中，计算出所述光学元件(202，204，206，208)的校正配方，并且其中，基于此校正配方调节所述光学元件(202，204，206，208)。
13.根据权利要求10至12中的任一项所述的方法，其中，所述方法是在真空下和/或在所述束成形和照明系统(200)的EUV光源(106A)的操作期间实行的。
14.根据权利要求10至13中的任一项所述的方法，其中，在步骤b)中，所述光学元件(202，204，206，208)的取向和/或位置是通过各实行所述光学元件(202，204，206，208)的承载装置(500)的承载单元(502，504，506，508，510，512)的长度(ΔL)的改变来调节的。
15.根据权利要求10至14中的任一项所述的方法，其中，实行所述方法，直到达到所述束成形和照明系统(200)的热平衡。
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