JP2002162566A - 光学系の設計方法，光学系および投影露光装置 - Google Patents
光学系の設計方法，光学系および投影露光装置Info
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/705—Modelling or simulating from physical phenomena up to complete wafer processes or whole workflow in wafer productions
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- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
Abstract
(57)【要約】
【課題】 表面に膜が形成された面を有する光学系にお
いて，膜を考慮した場合でも，必要な光学的性能を確保
できる光学系の設計方法，光学系および該結像光学系を
有する投影露光装置を提供すること。 【解決手段】 膜を含めずに所定の仕様に合わせて光学
系を設計し，光学的波面を計算する（Ｓ１０）。次に，
形成すべき膜を設定し，その膜を含めて光学系を設計
し，光学的波面を計算する（Ｓ２０）。Ｓ１０とＳ２０
の計算結果を比較する（Ｓ３０）。Ｓ２０で算出された
波面収差がＳ１０で算出された波面収差より小さけれ
ば，設計解として認め，次の段階の検討に入る。Ｓ２０
で算出された波面収差がＳ１０で算出された波面収差よ
り大きい場合はＳ２０に戻り，膜を含めた光学系を設計
し直す（Ｓ４０）。
いて，膜を考慮した場合でも，必要な光学的性能を確保
できる光学系の設計方法，光学系および該結像光学系を
有する投影露光装置を提供すること。 【解決手段】 膜を含めずに所定の仕様に合わせて光学
系を設計し，光学的波面を計算する（Ｓ１０）。次に，
形成すべき膜を設定し，その膜を含めて光学系を設計
し，光学的波面を計算する（Ｓ２０）。Ｓ１０とＳ２０
の計算結果を比較する（Ｓ３０）。Ｓ２０で算出された
波面収差がＳ１０で算出された波面収差より小さけれ
ば，設計解として認め，次の段階の検討に入る。Ｓ２０
で算出された波面収差がＳ１０で算出された波面収差よ
り大きい場合はＳ２０に戻り，膜を含めた光学系を設計
し直す（Ｓ４０）。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，マイクロデバイス
（半導体素子，撮像素子，液晶表示素子，薄膜磁気ヘッ
ド，ＣＣＤ素子等）を製造するためのリソグラフィ工程
中で使用される投影露光装置，該投影露光装置に好適な
光学系，該光学系を設計する際に好適な光学系の設計方
法に関するものである。
（半導体素子，撮像素子，液晶表示素子，薄膜磁気ヘッ
ド，ＣＣＤ素子等）を製造するためのリソグラフィ工程
中で使用される投影露光装置，該投影露光装置に好適な
光学系，該光学系を設計する際に好適な光学系の設計方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年，集積回路のパターンの微細化が進
むに従い，投影露光装置で使用される露光光源の波長は
年々短波長化してきている。このため，次世代の集積回
路パターンの露光技術として，露光光源にＥＵＶ（Ｅｘ
ｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ：超極短紫外
線）光を用いた露光方法が有望視されている。ＥＵＶの
波長は数ｎｍ〜５０ｎｍであり，この波長域で屈折材と
して十分光学系を形成しうる程の透過率を有する物質は
存在せず，反射面のみで光学系を構成することになる。
反射面のみで結像系を設計した例としては，特開平９−
２１１３３２号公報に開示されているものがある。
むに従い，投影露光装置で使用される露光光源の波長は
年々短波長化してきている。このため，次世代の集積回
路パターンの露光技術として，露光光源にＥＵＶ（Ｅｘ
ｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ：超極短紫外
線）光を用いた露光方法が有望視されている。ＥＵＶの
波長は数ｎｍ〜５０ｎｍであり，この波長域で屈折材と
して十分光学系を形成しうる程の透過率を有する物質は
存在せず，反射面のみで光学系を構成することになる。
反射面のみで結像系を設計した例としては，特開平９−
２１１３３２号公報に開示されているものがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで，ＥＵＶ光を
対象光源とする反射面には，ＥＵＶ用の特殊な反射膜を
形成することが必要になる。なぜならば，通常，反射面
の基盤材質となる単純な金属やガラスの光沢面では，Ｅ
ＵＶはほとんど反射しないからである。
対象光源とする反射面には，ＥＵＶ用の特殊な反射膜を
形成することが必要になる。なぜならば，通常，反射面
の基盤材質となる単純な金属やガラスの光沢面では，Ｅ
ＵＶはほとんど反射しないからである。
【０００４】ＥＵＶ用の反射膜は，可視光用のダイクロ
イックミラーに用いられている膜とは異なり，非常に多
数の薄膜を積層したものになるため，一般に非常に厚い
ものとなる。代表的なＥＵＶ用反射膜としては，モリブ
デン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）を交互に重ねたものが
ある。この膜で波長１３ｎｍの光に対し７０％程度の反
射率を得ようとすると，Ｍｏ層とＳｉ層を４０〜５０ペ
ア積層しなければならない。１ペアの厚みは約７ｎｍな
ので，反射膜の厚さは３００〜３５０ｎｍにもなる。
イックミラーに用いられている膜とは異なり，非常に多
数の薄膜を積層したものになるため，一般に非常に厚い
ものとなる。代表的なＥＵＶ用反射膜としては，モリブ
デン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）を交互に重ねたものが
ある。この膜で波長１３ｎｍの光に対し７０％程度の反
射率を得ようとすると，Ｍｏ層とＳｉ層を４０〜５０ペ
ア積層しなければならない。１ペアの厚みは約７ｎｍな
ので，反射膜の厚さは３００〜３５０ｎｍにもなる。
【０００５】このように波長の２０倍以上もある厚い膜
となるため，通常，実効的な反射面は，基盤表面とは大
きく異なることになる。しかも，反射膜に対する光線の
入射角によっても，実効的な反射面の位置が異なる。し
かしながら，従来では，全てこの膜の影響を無視し，基
盤表面で光線が反射するとした設計方法が採用されてき
た。従来提案されてきたＥＵＶ投影光学系の設計解もこ
のような設計方法で求められたものであった。これは，
従来の光学系では，収差に影響を与えるほど膜によって
光路長が変化することがなかったためである。
となるため，通常，実効的な反射面は，基盤表面とは大
きく異なることになる。しかも，反射膜に対する光線の
入射角によっても，実効的な反射面の位置が異なる。し
かしながら，従来では，全てこの膜の影響を無視し，基
盤表面で光線が反射するとした設計方法が採用されてき
た。従来提案されてきたＥＵＶ投影光学系の設計解もこ
のような設計方法で求められたものであった。これは，
従来の光学系では，収差に影響を与えるほど膜によって
光路長が変化することがなかったためである。
【０００６】一般に，無収差の光学系とは，物体上の一
点から様々な方向に発した光線が，像上の一点に収斂す
る光学系のことである。これは同時に，共役な２点を結
ぶ複数の光線の光路長が等しいことを意味する。実際に
は，一定の視野内で全く無収差となる光学系は実現不可
能であるため，ある程度の光路長差は許容される。その
程度は，光学系の用途により異なるが，一般に波面収差
と呼ばれる光路長差のばらつきを考えた時，そのＲＭＳ
（Ｒｏｏｔ Ｍｅａｎ Ｓｑｕａｒｅ）が波長λの１／
１４程度であれば，ほぼ無収差とされる。ただし，最新
の半導体集積回路露光装置用投影光学系では，λ／２０
程度のさらに厳しい値が要求される。
点から様々な方向に発した光線が，像上の一点に収斂す
る光学系のことである。これは同時に，共役な２点を結
ぶ複数の光線の光路長が等しいことを意味する。実際に
は，一定の視野内で全く無収差となる光学系は実現不可
能であるため，ある程度の光路長差は許容される。その
程度は，光学系の用途により異なるが，一般に波面収差
と呼ばれる光路長差のばらつきを考えた時，そのＲＭＳ
（Ｒｏｏｔ Ｍｅａｎ Ｓｑｕａｒｅ）が波長λの１／
１４程度であれば，ほぼ無収差とされる。ただし，最新
の半導体集積回路露光装置用投影光学系では，λ／２０
程度のさらに厳しい値が要求される。
【０００７】ここで，ＥＵＶ投影光学系に戻って考えて
みると，その反射膜の厚みは波長の２０倍以上もあり，
実効的な反射面がその波長の２０倍の範囲内で変わり得
る。前述のλ／１４という許容範囲を念頭におくと，こ
のことが結像性能に多大な影響を及ぼすことがわかる。
みると，その反射膜の厚みは波長の２０倍以上もあり，
実効的な反射面がその波長の２０倍の範囲内で変わり得
る。前述のλ／１４という許容範囲を念頭におくと，こ
のことが結像性能に多大な影響を及ぼすことがわかる。
【０００８】図９は従来の設計方法で設計した，ＥＵＶ
用結像光学系の光路図である。この光学系は，８つの非
球面形状の反射面を有し，これらの反射面を介して第１
面Ｒ上の物体を第２面Ｗ上に結像させるための結像光学
系である。実際には各反射面に膜が形成されることにな
るが，設計時では膜は考慮されていない。各反射面には
Ｗ側からＲ側に向かって光路の順にＭ１１，Ｍ１２，Ｍ
１３，Ｍ１４，Ｍ１５，Ｍ１６，Ｍ１７，Ｍ１８の符号
が付されている。
用結像光学系の光路図である。この光学系は，８つの非
球面形状の反射面を有し，これらの反射面を介して第１
面Ｒ上の物体を第２面Ｗ上に結像させるための結像光学
系である。実際には各反射面に膜が形成されることにな
るが，設計時では膜は考慮されていない。各反射面には
Ｗ側からＲ側に向かって光路の順にＭ１１，Ｍ１２，Ｍ
１３，Ｍ１４，Ｍ１５，Ｍ１６，Ｍ１７，Ｍ１８の符号
が付されている。
【０００９】図１０，１１に，この光学系の設計解デー
タを示す。データ中の非球面係数は以下の式で定義され
る。
タを示す。データ中の非球面係数は以下の式で定義され
る。
【数１】 ここで，Ｚ：平面からのサグ量 ｈ：光軸からの高さ ｒ：曲率半径 Ａ,Ｂ,Ｃ,Ｄ,Ｅ,Ｆ：非球面係数 である。この光学系のＷ側開口数（ＮＡ）は０．２５
で，Ｗ面における視野は半径２５〜２７ｍｍの円環領域
で，Ｍ１７有効径が開口絞りを兼ね，Ｗ側がテレセント
リックな光学系になっている。
で，Ｗ面における視野は半径２５〜２７ｍｍの円環領域
で，Ｍ１７有効径が開口絞りを兼ね，Ｗ側がテレセント
リックな光学系になっている。
【００１０】図１２に，膜を考慮しないまま，この光学
系の光学的波面を計算して求めた，波長１３．４ｎｍ，
W上での高さ２６ｍｍにおけるＰＳＦ（Ｐｏｉｎｔ Ｓ
ｐｒｅａｄ Ｆｕｎｃｔｉｏｎ：点像強度分布）を示
す。図１２（ａ）はＰＳＦのｃｏｎｔｏｕｒ ｍａｐで
あり，図１２（ｂ）はＰＳＦの鳥瞰図である。ＰＳＦの
ピーク値は０．９９９９である。これは波面収差のＲＭ
Ｓが０．００１６λ程度であることを意味し，この値か
ら，ほとんど無収差の光学系といえる。
系の光学的波面を計算して求めた，波長１３．４ｎｍ，
W上での高さ２６ｍｍにおけるＰＳＦ（Ｐｏｉｎｔ Ｓ
ｐｒｅａｄ Ｆｕｎｃｔｉｏｎ：点像強度分布）を示
す。図１２（ａ）はＰＳＦのｃｏｎｔｏｕｒ ｍａｐで
あり，図１２（ｂ）はＰＳＦの鳥瞰図である。ＰＳＦの
ピーク値は０．９９９９である。これは波面収差のＲＭ
Ｓが０．００１６λ程度であることを意味し，この値か
ら，ほとんど無収差の光学系といえる。
【００１１】ところで，実際に使用するためには，この
光学系にＥＵＶ用の反射膜を塗布することになる。ＥＵ
Ｖ用反射膜は，角度特性が厳しく，光線の入射角が想定
した角度と異なると，所定の反射率が得られない。その
ため，光学系の性能を確保するためには，ＥＵＶ用反射
膜は膜厚に分布をつけることが必要になる。膜厚分布
は，通常，製作時の制御の容易さから回転対称となるよ
うにつけられる。ここでは，０．０３３ｎｍ厚のＭｏ
層，０．０６７ｎｍ厚のＳｉ層を交互に５０ペア積層し
た膜を基本とした。これに，Ｃ０＋Ｃ２ｈ２＋Ｃ４ｈ４
＋Ｃ６ｈ６＋Ｃ８ｈ ８＋Ｃ１０ｈ１０をかけたものが実
際の膜の厚さとなる。ここで，ｈは光軸からの高さ，Ｃ
０〜Ｃ１０は面毎に異なる係数である。図１３に各面に
対する係数の値を示す。
光学系にＥＵＶ用の反射膜を塗布することになる。ＥＵ
Ｖ用反射膜は，角度特性が厳しく，光線の入射角が想定
した角度と異なると，所定の反射率が得られない。その
ため，光学系の性能を確保するためには，ＥＵＶ用反射
膜は膜厚に分布をつけることが必要になる。膜厚分布
は，通常，製作時の制御の容易さから回転対称となるよ
うにつけられる。ここでは，０．０３３ｎｍ厚のＭｏ
層，０．０６７ｎｍ厚のＳｉ層を交互に５０ペア積層し
た膜を基本とした。これに，Ｃ０＋Ｃ２ｈ２＋Ｃ４ｈ４
＋Ｃ６ｈ６＋Ｃ８ｈ ８＋Ｃ１０ｈ１０をかけたものが実
際の膜の厚さとなる。ここで，ｈは光軸からの高さ，Ｃ
０〜Ｃ１０は面毎に異なる係数である。図１３に各面に
対する係数の値を示す。
【００１２】次に，図１３に示した膜厚分布データを有
するＥＵＶ用反射膜を含めてこの光学系の光学的波面を
計算する。図１４は，この場合のＰＳＦであり，膜を含
むこと以外は図１２のものと同条件である。図１４
（ａ）はＰＳＦのｃｏｎｔｏｕｒｍａｐであり，図１４
（ｂ）はＰＳＦの鳥瞰図である。図１４は，図１２と同
じ縮尺で描かれたものであるが，一見してわかるよう
に，図１２に比べてピークが低くなり，裾野が広がって
いる。図１４におけるＰＳＦのピーク値は０．４９７３
である。これは波面収差のＲＭＳが０．１１λ程度であ
ることを意味し，半導体集積回路露光機としてはもはや
使用に耐えられないレベルである。
するＥＵＶ用反射膜を含めてこの光学系の光学的波面を
計算する。図１４は，この場合のＰＳＦであり，膜を含
むこと以外は図１２のものと同条件である。図１４
（ａ）はＰＳＦのｃｏｎｔｏｕｒｍａｐであり，図１４
（ｂ）はＰＳＦの鳥瞰図である。図１４は，図１２と同
じ縮尺で描かれたものであるが，一見してわかるよう
に，図１２に比べてピークが低くなり，裾野が広がって
いる。図１４におけるＰＳＦのピーク値は０．４９７３
である。これは波面収差のＲＭＳが０．１１λ程度であ
ることを意味し，半導体集積回路露光機としてはもはや
使用に耐えられないレベルである。
【００１３】上記のような，膜を含めない場合と含めた
場合とを比較した際に現れる顕著な性能差は，Ｍ１２の
面で発生していることがわかっている。図１５は，この
光学系において，Ｍ１２のみ膜があり，他の面は膜が無
く基盤面で反射するとし，その他は図１４と同条件とし
た場合のＰＳＦである。図１５（ａ）はＰＳＦのｃｏｎ
ｔｏｕｒ ｍａｐであり，図１５（ｂ）はＰＳＦの鳥瞰
図である。図１５と図１４を比較すると，これら２つの
図は極めて似ており，Ｍ１２の面が多大な影響を与えて
いることがわかる。
場合とを比較した際に現れる顕著な性能差は，Ｍ１２の
面で発生していることがわかっている。図１５は，この
光学系において，Ｍ１２のみ膜があり，他の面は膜が無
く基盤面で反射するとし，その他は図１４と同条件とし
た場合のＰＳＦである。図１５（ａ）はＰＳＦのｃｏｎ
ｔｏｕｒ ｍａｐであり，図１５（ｂ）はＰＳＦの鳥瞰
図である。図１５と図１４を比較すると，これら２つの
図は極めて似ており，Ｍ１２の面が多大な影響を与えて
いることがわかる。
【００１４】一方，Ｍ１１，Ｍ１２は，同様の仕様で設
計すれば，異なる設計者であっても，ほぼ同じような設
計解となることがわかっている。よって，上記の現象は
この一例特有のものではなく，同様の仕様の設計解であ
れば，ほぼ同様の結果となる。このような膜による性能
劣化を避けるためには，膜の設計を変更して，膜を含め
ない場合と，膜を含めた場合の評価結果が大差ないよう
にすれば良いと考えられる。しかし，ＥＵＶ用反射膜
は，特殊であり，波長の何倍もの厚みのある膜でなけれ
ば所定の性能を発揮できないため，ＥＵＶ用光学系で
は，この２つの場合に大差が生じないように設計するの
は極めて困難である。
計すれば，異なる設計者であっても，ほぼ同じような設
計解となることがわかっている。よって，上記の現象は
この一例特有のものではなく，同様の仕様の設計解であ
れば，ほぼ同様の結果となる。このような膜による性能
劣化を避けるためには，膜の設計を変更して，膜を含め
ない場合と，膜を含めた場合の評価結果が大差ないよう
にすれば良いと考えられる。しかし，ＥＵＶ用反射膜
は，特殊であり，波長の何倍もの厚みのある膜でなけれ
ば所定の性能を発揮できないため，ＥＵＶ用光学系で
は，この２つの場合に大差が生じないように設計するの
は極めて困難である。
【００１５】本発明は，このような問題に鑑みてなされ
たものであり，表面に膜が形成された面を有する光学系
において，膜を考慮した場合でも，必要な光学的性能を
確保できる光学系の設計方法，光学系および該光学系を
有する投影露光装置を提供することを目的とする。
たものであり，表面に膜が形成された面を有する光学系
において，膜を考慮した場合でも，必要な光学的性能を
確保できる光学系の設計方法，光学系および該光学系を
有する投影露光装置を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に，本発明は，請求項1に記載のように，表面に膜が形
成された面を有する光学系の設計方法であって，前記膜
を含めて前記光学系の光学的波面を計算する工程を含む
ことを特徴とする光学系の設計方法を提供する。表面に
膜が形成された面を有する光学系について，従来は膜を
含めずに設計解を求めていたが，本発明では膜を含めて
光学的波面を計算し設計解を求めることにより，設計条
件を実際の光学系に大きく近づけることができ，必要な
光学的性能を確保することができる。
に，本発明は，請求項1に記載のように，表面に膜が形
成された面を有する光学系の設計方法であって，前記膜
を含めて前記光学系の光学的波面を計算する工程を含む
ことを特徴とする光学系の設計方法を提供する。表面に
膜が形成された面を有する光学系について，従来は膜を
含めずに設計解を求めていたが，本発明では膜を含めて
光学的波面を計算し設計解を求めることにより，設計条
件を実際の光学系に大きく近づけることができ，必要な
光学的性能を確保することができる。
【００１７】本発明の別の観点によれば，請求項２に記
載のように，表面に膜が形成された面を有する結像光学
系の設計方法であって，前記膜を含めずに前記結像光学
系の光学的波面を計算する第1の工程と，前記膜を含め
て前記結像光学系の光学的波面を計算する第２の工程
と，第１の工程と第２の工程の計算結果を比較する第３
の工程と，を含み，第２の工程で算出される波面収差が
第１の工程で算出される波面収差より小さくなるように
設計することを特徴とする結像光学系の設計方法が提供
される。この方法は，膜の厚みや特性が性能に無視でき
ないほどの影響を与える光学系を設計する場合に有効で
ある。特に波長の短いＥＵＶ光等を光源とする光学系で
は，通常，波長の何倍もの厚みがある膜を含むため，好
適な方法といえる。また，第１の工程を踏むことによ
り，光学系の特性の把握，概ねの性能の確保等，概略設
計をしておくことができる。第２工程以降で，細かな膜
データを入力して最終設計をすることができるので，効
率的に設計作業を行うことができる。
載のように，表面に膜が形成された面を有する結像光学
系の設計方法であって，前記膜を含めずに前記結像光学
系の光学的波面を計算する第1の工程と，前記膜を含め
て前記結像光学系の光学的波面を計算する第２の工程
と，第１の工程と第２の工程の計算結果を比較する第３
の工程と，を含み，第２の工程で算出される波面収差が
第１の工程で算出される波面収差より小さくなるように
設計することを特徴とする結像光学系の設計方法が提供
される。この方法は，膜の厚みや特性が性能に無視でき
ないほどの影響を与える光学系を設計する場合に有効で
ある。特に波長の短いＥＵＶ光等を光源とする光学系で
は，通常，波長の何倍もの厚みがある膜を含むため，好
適な方法といえる。また，第１の工程を踏むことによ
り，光学系の特性の把握，概ねの性能の確保等，概略設
計をしておくことができる。第２工程以降で，細かな膜
データを入力して最終設計をすることができるので，効
率的に設計作業を行うことができる。
【００１８】また，本発明の別の観点によれば，請求項
３に記載のように，表面に膜が形成された面を有する光
学系であって，前記膜を含めて算出される前記光学系の
波面収差が，前記膜を含めずに算出される前記光学系の
波面収差よりも小さくなるように設計されていることを
特徴とする光学系が提供される。かかる構成によれば，
膜を含めた状態で最適化が行われた，高性能の光学系を
提供することができる。特に，膜の厚みや特性が性能に
無視できないほどの影響を与える光学系に好適である。
その際に，前記光学系は請求項４に記載のように，結像
光学系であってもよい。あるいは，アフォーカル系や集
光系等，他の種類の光学系であってもよい。
３に記載のように，表面に膜が形成された面を有する光
学系であって，前記膜を含めて算出される前記光学系の
波面収差が，前記膜を含めずに算出される前記光学系の
波面収差よりも小さくなるように設計されていることを
特徴とする光学系が提供される。かかる構成によれば，
膜を含めた状態で最適化が行われた，高性能の光学系を
提供することができる。特に，膜の厚みや特性が性能に
無視できないほどの影響を与える光学系に好適である。
その際に，前記光学系は請求項４に記載のように，結像
光学系であってもよい。あるいは，アフォーカル系や集
光系等，他の種類の光学系であってもよい。
【００１９】前記膜が形成された面は，請求項５に記載
のように，反射面であってもよく，この場合は反射膜を
考慮することになる。また，請求項６に記載のように，
前記結像光学系は光源としてＥＵＶ光を対象にする光学
系であってもよい。このような光学系では，通常，波長
の何倍もの厚みがある膜を含むため，好適である。ま
た，ＥＵＶ光のような短波長の光を対象光源とする光学
系では，許容される収差量が小さく，高い光学性能を必
要とするため，有効である。
のように，反射面であってもよく，この場合は反射膜を
考慮することになる。また，請求項６に記載のように，
前記結像光学系は光源としてＥＵＶ光を対象にする光学
系であってもよい。このような光学系では，通常，波長
の何倍もの厚みがある膜を含むため，好適である。ま
た，ＥＵＶ光のような短波長の光を対象光源とする光学
系では，許容される収差量が小さく，高い光学性能を必
要とするため，有効である。
【００２０】なお，請求項７に記載のように，設計波長
をλとしたとき，前記膜を含めずに算出される前記結像
光学系の波面収差は前記膜を含めて算出される前記結像
光学系の波面収差よりも，ＲＭＳでλ／１４以上大きい
ような結像光学系としてもよい。また，請求項８に記載
のように，前記波面収差の算出時にＰ波とＳ波の平均を
用いるようにすれば，計算を簡略化できる。
をλとしたとき，前記膜を含めずに算出される前記結像
光学系の波面収差は前記膜を含めて算出される前記結像
光学系の波面収差よりも，ＲＭＳでλ／１４以上大きい
ような結像光学系としてもよい。また，請求項８に記載
のように，前記波面収差の算出時にＰ波とＳ波の平均を
用いるようにすれば，計算を簡略化できる。
【００２１】さらに，本発明の別の観点によれば，請求
項９に記載のように，投影原版に設けられたパターンの
縮小像をワーク上に投影露光する投影露光装置であっ
て，前記投影原版を照明する照明光学系と，請求項４乃
至８の何れか一項に記載の結像光学系と，を有し，前記
結像光学系の物面上に前記投影原版を配置可能とし，前
記結像光学系の像面上に前記ワークを配置可能としたこ
とを特徴とする投影露光装置が提供される。かかる構成
によれば，膜を含めた状態で最適化が行われた，高性能
の光学系を用いて，パターンの像をワーク上に投影露光
することができるため，微細な回路パターンを高解像に
形成することが可能となる。
項９に記載のように，投影原版に設けられたパターンの
縮小像をワーク上に投影露光する投影露光装置であっ
て，前記投影原版を照明する照明光学系と，請求項４乃
至８の何れか一項に記載の結像光学系と，を有し，前記
結像光学系の物面上に前記投影原版を配置可能とし，前
記結像光学系の像面上に前記ワークを配置可能としたこ
とを特徴とする投影露光装置が提供される。かかる構成
によれば，膜を含めた状態で最適化が行われた，高性能
の光学系を用いて，パターンの像をワーク上に投影露光
することができるため，微細な回路パターンを高解像に
形成することが可能となる。
【００２２】また，本発明は，表面に膜が形成された面
を有する光学系の設計プログラムが記録されている記録
媒体であって，前記膜を含めて前記光学系の光学的波面
を計算する工程を含む設計プログラムが記録されている
ことを特徴とする記録媒体を提供する。
を有する光学系の設計プログラムが記録されている記録
媒体であって，前記膜を含めて前記光学系の光学的波面
を計算する工程を含む設計プログラムが記録されている
ことを特徴とする記録媒体を提供する。
【００２３】また，本発明は，表面に膜が形成された面
を有する光学系の設計プログラムを含む信号を搭載して
いるコンピュータで受信可能な搬送波であって，前記膜
を含めて前記光学系の光学的波面を計算する工程を含む
設計プログラムを含む信号を搭載していることを特徴と
するコンピュータで受信可能な搬送波を提供する。
を有する光学系の設計プログラムを含む信号を搭載して
いるコンピュータで受信可能な搬送波であって，前記膜
を含めて前記光学系の光学的波面を計算する工程を含む
設計プログラムを含む信号を搭載していることを特徴と
するコンピュータで受信可能な搬送波を提供する。
【００２４】またさらに，本発明は，表面に膜が形成さ
れた面を有する結像光学系の設計プログラムが記録され
ている記録媒体であって，前記膜を含めずに前記結像光
学系の光学的波面を計算する第1の工程と，前記膜を含
めて前記結像光学系の光学的波面を計算する第２の工程
と，第１の工程と第２の工程の計算結果を比較する第３
の工程と，第２の工程で算出される波面収差が第１の工
程で算出される波面収差より小さくなるように設計する
第４の工程を含む設計プログラムが記録されていること
を特徴とする記録媒体を提供する。
れた面を有する結像光学系の設計プログラムが記録され
ている記録媒体であって，前記膜を含めずに前記結像光
学系の光学的波面を計算する第1の工程と，前記膜を含
めて前記結像光学系の光学的波面を計算する第２の工程
と，第１の工程と第２の工程の計算結果を比較する第３
の工程と，第２の工程で算出される波面収差が第１の工
程で算出される波面収差より小さくなるように設計する
第４の工程を含む設計プログラムが記録されていること
を特徴とする記録媒体を提供する。
【００２５】また，本発明は，表面に膜が形成された面
を有する結像光学系の設計プログラムを含む信号を搭載
しているコンピュータで受信可能な搬送波であって，前
記膜を含めずに前記結像光学系の光学的波面を計算する
第1の工程と，前記膜を含めて前記結像光学系の光学的
波面を計算する第２の工程と，第１の工程と第２の工程
の計算結果を比較する第３の工程と，第２の工程で算出
される波面収差が第１の工程で算出される波面収差より
小さくなるように設計する第４の工程を含む設計プログ
ラムを含む信号を搭載していることを特徴とするコンピ
ュータで受信可能な搬送波を提供する。
を有する結像光学系の設計プログラムを含む信号を搭載
しているコンピュータで受信可能な搬送波であって，前
記膜を含めずに前記結像光学系の光学的波面を計算する
第1の工程と，前記膜を含めて前記結像光学系の光学的
波面を計算する第２の工程と，第１の工程と第２の工程
の計算結果を比較する第３の工程と，第２の工程で算出
される波面収差が第１の工程で算出される波面収差より
小さくなるように設計する第４の工程を含む設計プログ
ラムを含む信号を搭載していることを特徴とするコンピ
ュータで受信可能な搬送波を提供する。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下，図面に基づいて本発明の実
施の形態を詳細に説明する。図１は本発明の実施の形態
に係る，表面に膜が形成された面を有する光学系の設計
方法を説明するフローチャートである。図１を参照しな
がら，この設計方法の手順について説明する。
施の形態を詳細に説明する。図１は本発明の実施の形態
に係る，表面に膜が形成された面を有する光学系の設計
方法を説明するフローチャートである。図１を参照しな
がら，この設計方法の手順について説明する。
【００２７】まず，膜を含めずに所定の仕様に合わせて
光学系を設計し，光学的波面を計算し，波面収差を算出
する（Ｓ１０）。この工程で光学系のタイプ検討，各タ
イプの特性把握，概ねの性能の確保等，概略設計をする
ようにしてもよい。次に，形成すべき膜を設定し，その
膜を含めて光学系を設計し，光学的波面を計算し，波面
収差を算出する（Ｓ２０）。この工程で膜の設計を行う
ようにしてもよい。そして，Ｓ１０とＳ２０の計算結果
を比較する（Ｓ３０）。
光学系を設計し，光学的波面を計算し，波面収差を算出
する（Ｓ１０）。この工程で光学系のタイプ検討，各タ
イプの特性把握，概ねの性能の確保等，概略設計をする
ようにしてもよい。次に，形成すべき膜を設定し，その
膜を含めて光学系を設計し，光学的波面を計算し，波面
収差を算出する（Ｓ２０）。この工程で膜の設計を行う
ようにしてもよい。そして，Ｓ１０とＳ２０の計算結果
を比較する（Ｓ３０）。
【００２８】Ｓ２０で算出された波面収差がＳ１０で算
出された波面収差より小さければ，設計解として認め，
次の段階の検討に入る。Ｓ２０で算出された波面収差が
Ｓ１０で算出された波面収差より大きい場合はＳ２０に
戻り，膜を含めた光学系を設計し直す（Ｓ４０）。この
工程で波面収差を比較する際，単純な大小比較ではなく
ある基準値を設けて，Ｓ１０で算出された波面収差とＳ
２０で算出された波面収差の差が，その基準値より大き
いか否かで判断するようにしてもよい。基準値としては
例えば，ＲＭＳ値でλ／１４としてもよい。
出された波面収差より小さければ，設計解として認め，
次の段階の検討に入る。Ｓ２０で算出された波面収差が
Ｓ１０で算出された波面収差より大きい場合はＳ２０に
戻り，膜を含めた光学系を設計し直す（Ｓ４０）。この
工程で波面収差を比較する際，単純な大小比較ではなく
ある基準値を設けて，Ｓ１０で算出された波面収差とＳ
２０で算出された波面収差の差が，その基準値より大き
いか否かで判断するようにしてもよい。基準値としては
例えば，ＲＭＳ値でλ／１４としてもよい。
【００２９】Ｓ１０とＳ２０で光学的波面を計算する
際，Ｐ波とＳ波の問題がある。反射面に対して光が斜入
射した場合，Ｐ波とＳ波では実効的反射面が若干異な
り，Ｐ波とＳ波の位相差を光学設計で縮めることは不可
能である。１つの方法として，Ｐ波とＳ波の平均を用い
て，光学的波面を計算するようにしてもよい。
際，Ｐ波とＳ波の問題がある。反射面に対して光が斜入
射した場合，Ｐ波とＳ波では実効的反射面が若干異な
り，Ｐ波とＳ波の位相差を光学設計で縮めることは不可
能である。１つの方法として，Ｐ波とＳ波の平均を用い
て，光学的波面を計算するようにしてもよい。
【００３０】なお，Ｓ２０で算出された波面収差がＳ１
０で算出された波面収差より大きい場合はＳ２０に戻る
としたが，場合に応じて，Ｓ１０まで戻って設計しても
よい。また，ここでは，Ｓ４０で比較する物理量を波面
収差としたが，ＭＴＦ（Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ Ｔｒａ
ｎｓｆｅｒ Ｆｕｎｃｔｉｏｎ）等，他の物理量を用い
たり，併用してもよい。さらに，光学系によっては，Ｓ
１０の工程を省いて設計してもよい。上述の設計方法は
結像系だけでなく，アフォーカル系や集光光学系等，様
々な光学系に適用可能である。
０で算出された波面収差より大きい場合はＳ２０に戻る
としたが，場合に応じて，Ｓ１０まで戻って設計しても
よい。また，ここでは，Ｓ４０で比較する物理量を波面
収差としたが，ＭＴＦ（Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ Ｔｒａ
ｎｓｆｅｒ Ｆｕｎｃｔｉｏｎ）等，他の物理量を用い
たり，併用してもよい。さらに，光学系によっては，Ｓ
１０の工程を省いて設計してもよい。上述の設計方法は
結像系だけでなく，アフォーカル系や集光光学系等，様
々な光学系に適用可能である。
【００３１】図２は上記の方法で設計された結像光学系
の光路図である。この光学系は，８つの非球面形状の反
射面を有し，これらの反射面を介して第１面Ｒ上の物体
を第２面Ｗ上に結像させるための結像光学系である。Ｅ
ＵＶ光を対象光源とし，各反射面にはＥＵＶ用の反射膜
が施されている。各反射面にはＷ側からＲ側に向かって
光路の順にＭ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４，Ｍ５，Ｍ６，Ｍ
７，Ｍ８の符号が付されている。
の光路図である。この光学系は，８つの非球面形状の反
射面を有し，これらの反射面を介して第１面Ｒ上の物体
を第２面Ｗ上に結像させるための結像光学系である。Ｅ
ＵＶ光を対象光源とし，各反射面にはＥＵＶ用の反射膜
が施されている。各反射面にはＷ側からＲ側に向かって
光路の順にＭ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４，Ｍ５，Ｍ６，Ｍ
７，Ｍ８の符号が付されている。
【００３２】図３，図４にこの光学系の設計解データを
示す。ここで，非球面係数の定義は前述で示したものと
同じである。この光学系のＷ側開口数（ＮＡ）は０．２
５で，Ｗ面における視野は半径２５〜２７ｍｍの円環領
域で，M７有効径が開口絞りを兼ね，Ｗ側がテレセント
リックな光学系になっている。
示す。ここで，非球面係数の定義は前述で示したものと
同じである。この光学系のＷ側開口数（ＮＡ）は０．２
５で，Ｗ面における視野は半径２５〜２７ｍｍの円環領
域で，M７有効径が開口絞りを兼ね，Ｗ側がテレセント
リックな光学系になっている。
【００３３】ここで，ＥＵＶ用反射膜は０．０３３ｎｍ
厚のＭｏ層，０．０６７ｎｍ厚のＳｉ層を交互に５０ペ
ア積層した膜を基本とし，Ｃ０＋Ｃ２ｈ２＋Ｃ４ｈ４＋
Ｃ６ｈ６＋Ｃ８ｈ８＋Ｃ１０ｈ１０をかけたものを実際
の膜の厚さとした。ｈは光軸からの高さ，Ｃ０〜Ｃ１０
は面毎に異なる係数である。図５に各面に対する係数の
値を示す。
厚のＭｏ層，０．０６７ｎｍ厚のＳｉ層を交互に５０ペ
ア積層した膜を基本とし，Ｃ０＋Ｃ２ｈ２＋Ｃ４ｈ４＋
Ｃ６ｈ６＋Ｃ８ｈ８＋Ｃ１０ｈ１０をかけたものを実際
の膜の厚さとした。ｈは光軸からの高さ，Ｃ０〜Ｃ１０
は面毎に異なる係数である。図５に各面に対する係数の
値を示す。
【００３４】図６はこれらの反射膜を含めずに算出され
た，すなわち，基盤面を反射面とした場合の，この光学
系の波長１３．４ｎｍ，W上での高さ２６ｍｍにおける
ＰＳＦである。図６（ａ）はＰＳＦのｃｏｎｔｏｕｒ
ｍａｐであり，図６（ｂ）はＰＳＦの鳥瞰図である。ピ
ーク値は０．４７６６である。これを波面収差に換算す
ると，そのＲＭＳは０．１２３λとなり，従来の概念で
判断すれば，設計解として認められるレベルではない。
た，すなわち，基盤面を反射面とした場合の，この光学
系の波長１３．４ｎｍ，W上での高さ２６ｍｍにおける
ＰＳＦである。図６（ａ）はＰＳＦのｃｏｎｔｏｕｒ
ｍａｐであり，図６（ｂ）はＰＳＦの鳥瞰図である。ピ
ーク値は０．４７６６である。これを波面収差に換算す
ると，そのＲＭＳは０．１２３λとなり，従来の概念で
判断すれば，設計解として認められるレベルではない。
【００３５】図７は上記の反射膜を含めて算出された，
この光学系のＰＳＦであり，膜を含むこと以外は図６の
ものと同条件である。図７（ａ）はＰＳＦのｃｏｎｔｏ
ｕｒｍａｐであり，図７（ｂ）はＰＳＦの鳥瞰図であ
る。ピーク値は０．９１６２である。これを波面収差に
換算すると，そのＲＭＳは０．０４６λとなり，半導体
集積回路露光機として使用するには支障の無い光学系と
いえる。
この光学系のＰＳＦであり，膜を含むこと以外は図６の
ものと同条件である。図７（ａ）はＰＳＦのｃｏｎｔｏ
ｕｒｍａｐであり，図７（ｂ）はＰＳＦの鳥瞰図であ
る。ピーク値は０．９１６２である。これを波面収差に
換算すると，そのＲＭＳは０．０４６λとなり，半導体
集積回路露光機として使用するには支障の無い光学系と
いえる。
【００３６】図８は，図２に示した結像光学系を投影光
学系ＰＬとして，投影露光装置に適用した場合の装置の
構成図である。ここでは，図２の第１面Ｒを物体面，図
２の第２面Ｗを像面として扱っている。なお，物体面と
像面は共役な関係にあるため，交換しても結像関係は保
たれる。
学系ＰＬとして，投影露光装置に適用した場合の装置の
構成図である。ここでは，図２の第１面Ｒを物体面，図
２の第２面Ｗを像面として扱っている。なお，物体面と
像面は共役な関係にあるため，交換しても結像関係は保
たれる。
【００３７】投影光学系ＰＬの物体面には所定の回路パ
ターンが形成された投影原版としてのレチクルＲが配置
され，投影光学系ＰＬの像面には，ワークとしてのフォ
トレジストが塗布されたウエハWが配置されている。レ
チクルＲはレチクルステージＲＳ上に保持され，ウエハ
ＷはウエハステージＷＳ上に保持されている。レチクル
Ｒの上方には，露光光源としてのＥＵＶ光源を含み，レ
チクルＲを均一に照明するための照明光学装置ＩＳが配
置されている。
ターンが形成された投影原版としてのレチクルＲが配置
され，投影光学系ＰＬの像面には，ワークとしてのフォ
トレジストが塗布されたウエハWが配置されている。レ
チクルＲはレチクルステージＲＳ上に保持され，ウエハ
ＷはウエハステージＷＳ上に保持されている。レチクル
Ｒの上方には，露光光源としてのＥＵＶ光源を含み，レ
チクルＲを均一に照明するための照明光学装置ＩＳが配
置されている。
【００３８】照明光学装置ＩＳから供給される露光光
は，レチクルＲを照明する。照明されたレチクルＲのパ
ターンの像は，投影光学系ＰＬを介して投影倍率で縮小
されてウエハW上に露光され，転写される。
は，レチクルＲを照明する。照明されたレチクルＲのパ
ターンの像は，投影光学系ＰＬを介して投影倍率で縮小
されてウエハW上に露光され，転写される。
【００３９】以上，添付図面を参照しながら本発明にか
かる好適な実施形態について説明したが，本発明はかか
る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であ
れば，特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内
において，各種の変更例または修正例に想到し得ること
は明らかであり，それらについても当然に本発明の技術
的範囲に属するものと了解される。
かる好適な実施形態について説明したが，本発明はかか
る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であ
れば，特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内
において，各種の変更例または修正例に想到し得ること
は明らかであり，それらについても当然に本発明の技術
的範囲に属するものと了解される。
【００４０】
【発明の効果】以上，詳細に説明したように，表面に膜
が形成された面を有する光学系において，従来は膜を含
めずに設計解を求めていたところ，本発明では膜を含め
て光学的波面を計算し設計解を求めることにより，設計
条件を実際の光学系に大きく近づけることができ，必要
な光学的性能を確保することができる。特に，ＥＵＶ光
等の短波長の光を光源とし，波長の何倍もの厚みがある
膜を含むような光学系に有効である。また，本発明の別
の観点によれば，膜を含めた状態で最適化が行われた高
性能の光学系を用いて，パターンの像をワーク上に投影
露光することができ，微細な回路パターンを高解像に形
成可能な投影露光装置を提供できる。
が形成された面を有する光学系において，従来は膜を含
めずに設計解を求めていたところ，本発明では膜を含め
て光学的波面を計算し設計解を求めることにより，設計
条件を実際の光学系に大きく近づけることができ，必要
な光学的性能を確保することができる。特に，ＥＵＶ光
等の短波長の光を光源とし，波長の何倍もの厚みがある
膜を含むような光学系に有効である。また，本発明の別
の観点によれば，膜を含めた状態で最適化が行われた高
性能の光学系を用いて，パターンの像をワーク上に投影
露光することができ，微細な回路パターンを高解像に形
成可能な投影露光装置を提供できる。
【図１】 本発明の実施の形態に係る光学設計の手順示
すフローチャートである。
すフローチャートである。
【図２】 本発明の実施の形態に係る光学系の光路図で
ある。
ある。
【図３】 図２の光学系の設計解データの実例を数値で
示す図である。
示す図である。
【図４】 図３のデータの続きを示す図である。
【図５】 図２の光学系の膜厚分布データの実例を数値
で示す図である。
で示す図である。
【図６】 図２の光学系の膜を含めない場合のＰＳＦで
あり，（ａ）はそのｃｏｎｔｏｕｒ ｍａｐ，（ｂ）は
その鳥瞰図である。
あり，（ａ）はそのｃｏｎｔｏｕｒ ｍａｐ，（ｂ）は
その鳥瞰図である。
【図７】 図２の光学系の膜を含めた場合のＰＳＦであ
り，（ａ）はそのｃｏｎｔｏｕｒ ｍａｐ，（ｂ）はそ
の鳥瞰図である。
り，（ａ）はそのｃｏｎｔｏｕｒ ｍａｐ，（ｂ）はそ
の鳥瞰図である。
【図８】 本発明の実施の形態に係る投影露光装置の構
成図である。
成図である。
【図９】 従来の設計方法で設計された光学系の光路図
である。
である。
【図１０】 図９の光学系の設計解データの実例を数値
で示す図である。
で示す図である。
【図１１】 図１０のデータの続きを示す図である。
【図１２】 図９の光学系のＰＳＦであり，（ａ）はそ
のｃｏｎｔｏｕｒｍａｐ，（ｂ）はその鳥瞰図である。
のｃｏｎｔｏｕｒｍａｐ，（ｂ）はその鳥瞰図である。
【図１３】 図９の光学系の膜厚分布データの実例を数
値で示す図である。
値で示す図である。
【図１４】 図９の光学系の膜を含めた場合のＰＳＦで
あり，（ａ）はそのｃｏｎｔｏｕｒ ｍａｐ，（ｂ）は
その鳥瞰図である。
あり，（ａ）はそのｃｏｎｔｏｕｒ ｍａｐ，（ｂ）は
その鳥瞰図である。
【図１５】 図９の光学系のＭ１２面のみに膜を含めた
場合のＰＳＦであり，（ａ）はそのｃｏｎｔｏｕｒ ｍ
ａｐ，（ｂ）はその鳥瞰図である。
場合のＰＳＦであり，（ａ）はそのｃｏｎｔｏｕｒ ｍ
ａｐ，（ｂ）はその鳥瞰図である。
ＩＳ 照明光学装置 Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４，Ｍ５，Ｍ６，Ｍ７，Ｍ８
反射面 ＰＬ 投影光学系 Ｒ レチクル W ウエハ
反射面 ＰＬ 投影光学系 Ｒ レチクル W ウエハ
Claims (9)
- 【請求項１】 表面に膜が形成された面を有する光学系
の設計方法であって，前記膜を含めて前記光学系の光学
的波面を計算する工程を含むことを特徴とする光学系の
設計方法。 - 【請求項２】 表面に膜が形成された面を有する結像光
学系の設計方法であって，前記膜を含めずに前記結像光
学系の光学的波面を計算する第1の工程と，前記膜を含
めて前記結像光学系の光学的波面を計算する第２の工程
と，第１の工程と第２の工程の計算結果を比較する第３
の工程と，を含み，第２の工程で算出される波面収差が
第１の工程で算出される波面収差より小さくなるように
設計することを特徴とする結像光学系の設計方法。 - 【請求項３】 表面に膜が形成された面を有する光学系
であって，前記膜を含めて算出される前記光学系の波面
収差が，前記膜を含めずに算出される前記光学系の波面
収差よりも小さくなるように設計されていることを特徴
とする光学系。 - 【請求項４】 前記光学系は結像光学系であることを特
徴とする請求項３に記載の光学系。 - 【請求項５】 前記膜が形成された面は反射面であるこ
とを特徴とする請求項４に記載の光学系。 - 【請求項６】 前記光学系は光源としてＥＵＶ光を対象
にすることを特徴とする請求項４または５に記載の光学
系。 - 【請求項７】 設計波長をλとしたとき，前記膜を含め
ずに算出される前記光学系の波面収差は前記膜を含めて
算出される前記光学系の波面収差よりも，ＲＭＳでλ／
１４以上大きいことを特徴とする請求項４乃至６の何れ
か一項に記載の光学系。 - 【請求項８】 前記波面収差の算出時にＰ波とＳ波の平
均を用いることを特徴とする請求項４乃至７の何れか一
項に記載の光学系。 - 【請求項９】 投影原版に設けられたパターンの縮小像
をワーク上に投影露光する投影露光装置であって，前記
投影原版を照明する照明光学系と，請求項４乃至８の何
れか一項に記載の光学系と，を有し，前記光学系の物面
上に前記投影原版を配置可能とし，前記光学系の像面上
に前記ワークを配置可能としたことを特徴とする投影露
光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000358659A JP2002162566A (ja) | 2000-11-27 | 2000-11-27 | 光学系の設計方法，光学系および投影露光装置 |
| US09/991,915 US20020129328A1 (en) | 2000-11-27 | 2001-11-26 | Method for designing optical system, optical system and projection exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000358659A JP2002162566A (ja) | 2000-11-27 | 2000-11-27 | 光学系の設計方法，光学系および投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002162566A true JP2002162566A (ja) | 2002-06-07 |
Family
ID=18830521
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000358659A Withdrawn JP2002162566A (ja) | 2000-11-27 | 2000-11-27 | 光学系の設計方法，光学系および投影露光装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20020129328A1 (ja) |
| JP (1) | JP2002162566A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005172988A (ja) * | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Nikon Corp | 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置 |
| JP2006058023A (ja) * | 2004-08-17 | 2006-03-02 | Canon Inc | 薄膜、それを有する光学素子、及び成膜方法 |
| JP2006059889A (ja) * | 2004-08-18 | 2006-03-02 | Canon Inc | 薄膜、それを有する光学素子、及び成膜方法 |
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