WO2006049233A1

WO2006049233A1 - 反射型投影光学系および該反射型投影光学系を備えた露光装置

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Publication number: WO2006049233A1
Application number: PCT/JP2005/020267
Authority: WO
Inventors: Tomowaki Takahashi
Original assignee: Nikon Corporation
Priority date: 2004-11-05
Filing date: 2005-11-04
Publication date: 2006-05-11
Also published as: CN101006377A; US20090097106A1; JPWO2006049233A1; TW200622304A; US7436589B2; US20060098273A1; KR20070083506A; EP1811327A4; EP1811327A1

Abstract

　８つの反射鏡を備え、第１面の縮小像を第２面上に形成する投影光学系。第１面の中間像を形成するための第１反射結像光学系（Ｇ１）と、中間像の像を第２面上に形成するための第２反射結像光学系（Ｇ２）とを備えている。第１反射結像光学系は、第１面側から光の入射順に、第１反射鏡（Ｍ１）と第２反射鏡（Ｍ２）と第３反射鏡（Ｍ３）と第４反射鏡（Ｍ４）とを有する。第２反射結像光学系は、第１面側から光の入射順に、第５反射鏡（Ｍ５）と第６反射鏡（Ｍ６）と第７反射鏡（Ｍ７）と第８反射鏡（Ｍ８）とを有する。８枚の前記反射鏡のうち少なくとも一つの反射面は球面で構成されている。

Description

反射型投影光学系および該反射型投影光学系を備えた露光装置技術分野

[0001] 本発明は、反射型投影光学系および該反射型投影光学系を備えた露光装置に関し、例えば X線 (EUV光）を用いてミラープロジェクシヨン方式によりマスク上の回路パターンを感光性基板上に転写する X線投影露光装置に好適な反射型の投影光学系に関するものである。

背景技術

[0002] 従来、半導体素子などの製造に使用される露光装置では、マスク（レチクル)上に形成された回路パターンを、投影光学系を介して、ウェハのような感光性基板上に投影転写する。感光性基板にはレジストが塗布されており、投影光学系を介した投影露光によりレジストが感光し、マスクパターンに対応したレジストパターンが得られる。ここで、露光装置の解像力 Wは、露光光の波長 λと投影光学系の開口数 ΝΑとに依存し、次の式（a)で表わされる。

W=K- λ /ΝΑ (Κ:定数） (a)

[0003] したがって、露光装置の解像力を向上させるためには、露光光の波長 λを短くする力あるいは投影光学系の開口数 ΝΑを大きくすることが必要となる。一般に、投影光学系の開口数 ΝΑを所定値以上に大きくすることは光学設計の観点から困難であるため、今後は露光光の短波長化が必要となる。たとえば、露光光として、波長が 248 nmの KrFエキシマレーザーを用いると 0. 25 mの解像力が得られ、波長が 193η mの ArFエキシマレーザーを用いると、例えば波長が 13nmで 0. 1 μ m以下の解像力が得られる。

[0004] ところで、露光光として X線を用いる場合、使用可能な透過光学材料および屈折光学材料がなくなるため、反射型のマスクを用いるとともに、反射型の投影光学系を用いることになる。従来、露光光として X線を用いる露光装置に適用可能な投影光学系として、たとえば特開平 9— 211332号公報 (米国特許第 5, 815, 310号に対応する出願）、特開 2002— 139672号公報 (米国特許第 6, 710, 917号に対応する出願）などには、種々の反射型投影光学系が提案されている。

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0005] しかしながら、 6枚の反射鏡で構成する反射型投影光学系の従来例として米国特許第 5, 815, 310号に開示された反射型投影光学系では、 6枚すベての反射鏡が非球面形状の反射面を有する構成となるので、通常の非球面加工 (研削、研磨)および測定などの工程が必要で、多くの手間と時間とコストがかかる。

[0006] また、 8枚の反射鏡で構成する反射型投影光学系の従来例として米国特許第 6, 7 10, 917号の第 2実施例に開示された反射型投影光学系では、 8枚の反射鏡のうち第 6の反射鏡が球面として形成されている。力かる公報の実施例においては、第 2及び第 3の反射鏡の間、そして、第 6及び第 7の反射鏡の間に二つの中間像を有する光学系を採用しており、第 6の反射鏡が、軸力最も離れた位置に使用領域 (結像に寄与する光束が反射鏡で反射される領域であり、有効領域とも呼ぶ)を有した反射鏡となる。そこで、光軸から離れた使用領域を有している第 6の反射鏡が球面として形成されること〖こより、干渉計を用いて第 6の反射鏡を検査することを容易にして、る。というのも、使用領域が光軸の外側の遠い位置になればなるほど、干渉計を用いて非球面度を検査することが困難になるからである。

[0007] し力しながら、力かる反射型投影光学系では、第 6反射鏡の有効径が 800mm近くまで大型化してしまうという問題を有する。また、できるだけ多くの反射鏡に対して、軸に近い使用領域を確保するために、二つの中間像 Zl、 Z2が設けられた 3回結像光学系を採用している。そのために、物体力も像までの距離 (物像間距離)が、 2m近くまで長くなることは避けられず光学系全体が大型化してしまうという問題も有している。また、製造誤差の要求が厳しくなる反射鏡が非球面であるため、実際に投影光学系を製造した場合に製造誤差に起因した収差が発生しやすぐ設計通りの投影光学系を製造するのが困難であるという問題もある。

[0008] 本発明は、前述の課題に鑑みてなされたものであり、 8枚の反射鏡の表面の少なくとも一つが球面状に形成された反射鏡を備えた、 2回結像光学系を採用することにより、反射鏡の小型化と共に光学系の全長の短縮化を行ないつつ製造に要する時間や費用を大幅に削減できる反射型の投影光学系を提供することを目的とする。また、本発明は、相対的に製造誤差の要求を緩和した投影光学系を提供することを他の目的とする。また、本発明の投影光学系を露光装置に適用することにより、たとえば露光光として X線を用いて大きな解像力を確保することのできる露光装置を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

[0009] 前記課題を解決するために、本発明の第 1形態では、 8枚の反射鏡を有し、第 1面の縮小像を第 2面上に形成する反射型投影光学系において、前記第 1面の中間像を形成するための第 1反射結像光学系と、前記中間像の像を前記第 2面上に形成するための第 2反射結像光学系を備え、前記第 1反射結像光学系は、前記第 1面側から光束の入射順に、第 1反射鏡 Mlと第 2反射鏡 M2と第 3反射鏡 M3と第 4反射鏡 M 4とを有し、前記第 2反射結像光学系は、前記第 1面側から光束の入射順に、第 5反射鏡 M5と第 6反射鏡 M6と、第 7反射鏡 M7と第 8反射鏡 M8とを有し、 8枚の前記反射鏡のうち少なくとも一つの反射面は球面で構成され、他の反射面は非球面で構成されたことを特徴とする反射型投影光学系を提供する。カゝかる投影光学系によれば、投影光学系を構成する反射鏡の最大有効径の小型化と共に光学系の全長の短縮化を行うことができ、装置の大型化を防止することができる。

[0010] 本発明の第 2形態では、前記第 1面に設定されたマスクを照明するための照明系と、前記マスクのパターンを前記第 2面に設定された感光性基板上へ投影露光するための第 1形態の反射型投影光学系とを備えていることを特徴とする露光装置を提供する。第 2形態の好ましい態様によれば、前記照明系は、露光光として X線を供給するための光源を有し、前記反射型投影光学系に対して前記マスクおよび前記感光性基板を相対移動させて、前記マスクのパターンを前記感光性基板上に投影露光する発明の効果

[0011] 本発明の反射型投影光学系では、 8枚の反射鏡の表面の少なくとも一つが球面状に形成された反射鏡を備えた、 2回結像光学系を採用することにより、反射鏡の小型ィ匕と共に光学系の全長の短縮ィ匕を行ないつつ反射鏡の表面の加工 (研肖 ij、研磨）および測定や、組立調整が比較的容易にでき、製造に要する時間や費用を大幅に削減できる。また、本発明の反射型結像光学系では少なくとも 8枚の反射鏡のうち、相対的に製造誤差の要求が高い反射鏡の表面を球面状に形成することにより、精度要求の高い反射光学系を相対的に容易に製造することが可能となる。

[0012] また、本発明の反射型投影光学系を露光装置に適用することにより、露光光として X線を使用することができる。この場合、投影光学系に対してマスクおよび感光性基板を相対移動させて、マスクのパターンを感光性基板上へ投影露光することになる。その結果、大きな解像力を有する走査型の露光装置を用いて、良好な露光条件のもとで、高精度なマイクロデバイスを製造することができる。

図面の簡単な説明

[0013] [図 1]本発明の実施形態に力かる露光装置の構成を概略的に示す図である。

[図 2]ゥハ上に形成される円弧状の露光領域 (すなわち実効露光領域)と光軸との位置関係を示す図である。

[図 3]本実施形態の第 1実施例にカゝかる投影光学系の構成を示す図である。

[図 4]第 1実施例の投影光学系におけるコマ収差を示す図である。

[図 5]本実施形態の第 2実施例にカゝかる投影光学系の構成を示す図である。

[図 6]第 2実施例の投影光学系におけるコマ収差を示す図である。

[図 7]本実施形態の第 3実施例にカゝかる投影光学系の構成を示す図である。

[図 8]第 3実施例の投影光学系におけるコマ収差を示す図である。

[図 9]本実施形態の第 4実施例にカゝかる投影光学系の構成を示す図である。

[図 10]第 4実施例の投影光学系におけるコマ収差を示す図である。

[図 11]本実施形態の第 5実施例にカゝかる投影光学系の構成を示す図である。

[図 12]第 5実施例の投影光学系におけるコマ収差を示す図である。

[図 13]本実施形態の第 6実施例にカゝかる投影光学系の構成を示す図である。

[図 14]第 6実施例の投影光学系におけるコマ収差を示す図である。

[図 15]本実施形態の第 7実施例にカゝかる投影光学系の構成を示す図である。

[図 16]第 7実施例の投影光学系におけるコマ収差を示す図である。

[図 17]本実施形態の第 8実施例にカゝかる投影光学系の構成を示す図である。 [図 18]第 8実施例の投影光学系におけるコマ収差を示す図である。

[図 19]本実施形態の第 9実施例にカゝかる投影光学系の構成を示す図である。

[図 20]第 9実施例の投影光学系におけるコマ収差を示す図である。

[図 21]マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法の一例について、そのフローチャートを示す図である。発明を実施するための最良の形態

[0014] 本発明の反射型投影光学系では、第 1面 (物体面)からの光が、第 1反射結像光学系 G1を介して、第 1面の中間像を形成する。そして、第 1反射結像光学系 G1を介して形成された第 1面の中間像力の光が、第 2反射結像光学系 G2を介して、中間像の像 (第 1面の縮小像)を第 2面 (像面)上に形成する。

[0015] ここで、第 1反射結像光学系 G1は、第 1面からの光を反射するための第 1反射鏡 M 1と、第 1反射鏡 Mlで反射された光を反射するための第 2反射鏡 M2と、第 2反射鏡 M2で反射された光を反射するための第 3反射鏡 M3と、第 3反射鏡 M3で反射された光を反射するための第 4反射鏡 M4とにより構成されている。また、第 2反射結像光学系 G2は、中間像からの光を反射するための第 5反射鏡 M5と、第 5反射鏡 M5で反射された光を反射するための第 6反射鏡 M6と、第 6反射鏡 M6で反射された光を反射するための第 7反射鏡 M7と、第 7反射鏡 M7で反射された光を反射するための第 8反射鏡 M8と、により構成されている。

[0016] 特に、第 4反射鏡 M4または第 5反射鏡 M5の反射面は球面で構成されることが好ましい。というのも、前記第 4反射鏡 M4または前記第 5反射鏡 M5は、光軸から最も離れた部分ミラーであり、形状も輪帯の一部のような形状をしており、研磨、検査、反射膜コート、組立のどの工程でも困難が付きまとうものであった。この反射面を球面で構成できれば、研磨、検査、組立て等の工程で非常に楽になり、大きなコストダウンをもたらすものである。

[0017] また、 8枚の反射鏡のうち製造誤差の要求が高い反射鏡の反射面を球面とする事は好ましい。例えば、反射鏡に入射する光束の入射角が大きい反射鏡や結像に寄与する光束が反射する領域 (有効領域)の面積が小さ!、反射鏡は製造誤差の要求が厳しくなるため、このような反射鏡を球面で構成することは好ましい。というのも、製造誤差の要求が厳しい反射鏡は少しでも反射面形状が理想的な設計形状から外れると相対的に大きな収差を発生するため、最終的な結像性能が悪ィ匕するからである。球面形状の加工は非球面形状の加工に比べて高精度に加工を行うことができるため、高精度な投影光学系を比較的容易に製造することができる。従って、投影光学系を安価に精度よく製造することが可能となる。

[0018] 本発明では、第 1面と第 1反射鏡 Mlとの距離 dlは、次の条件式（1)を満足することが望ましい。

700mm≤ dl (1)

条件式（1)の下限値を下回ると、反射面への光線入射角が大きくなり過ぎ、発生する収差を補正し難くなる。

[0019] また、本発明では、前記第 1反射鏡 Mlから前記第 2反射鏡 M2までの距離を d2とすると、次の条件式 (2)を満足することが望ましい。

450mm≤ d2 (2)

条件式 (2)の下限値を下回ると、反射面への光線入射角が大きくなり過ぎ、発生する収差を補正し難くなる。

[0020] また、本発明では、記第 2反射鏡 M2から前記第 3反射鏡 M3までの距離を d3とすると、次の条件式 (3)を満足することが望ましい。

570mm≤ d3 (3)

条件式 (3)の下限値を下回ると、反射面への光線入射角が大きくなり過ぎ、発生する収差を補正し難くなる。

[0021] 以上のように構成することにより、第 1反射鏡 Mlから第 8反射鏡 M8までの反射鏡のうち、任意の面の反射鏡を球面で構成しても、充分な光学性能を確保することが可能となったものである。

[0022] 第 2反射鏡 M2上に開口絞り ASを配置すると、光束の干渉を十分避けることが出来るため、第 1結像光学系の反射鏡の有効径を小さくすることができるため好ましい。この場合、開口絞りの配置される位置が反射鏡の直前に限定されるので、上コマ及び下コマの収差のバランスが取り難くなる。

[0023] このような場合、第 1面と第 1反射鏡 Mlとの距離 dlおよび第 1反射鏡と第 2反射鏡 M2との距離 d2及び第 2反射鏡と第 3反射鏡 M3との距離 d3を、充分長くとることにより、各反射鏡への光線入射角を小さくすることが可能となり、収差の発生を低くすることができ、収差を良好に補正することができる。

[0024] また、本発明では、前記 dlと前記 d2の比、 dlZd2については、次の条件式 (4)を満足することが望ましい。

1 く ά1/ά2 < 1. 9 (4)

条件式 (4)の範囲を外れると、上下のコマのバランスが悪くなり、補正し難くなる。

[0025] また、本発明では、前記 d3と前記 d2の比、 d3Zd2については、次の条件式（5)を満足することが望ましい。

1. 1 < d3/d2 < 1. 5 (5)

条件式（5)の範囲を外れると、上下のコマのバランスが悪くなり、補正し難くなる。

[0026] 以上のように構成することにより、第 6反射鏡 M6を球面で構成しても、充分な光学性能を確保することが可能となったものである。

[0027] また、本発明では、第 1面の縮小像を第 2面上に 2回結像で形成する構成を採用することにより、歪曲収差 (ディストーション)の補正を良好に行うことが出来る。第 1反射鏡と第 2反射鏡の両反射鏡からの光線の反射角や、さらに、その外側の反射鏡、例えば第 3反射鏡からの光線の反射角を小さく抑えることが出来る。

[0028] 以上のような配置を採用することにより、反射鏡の最大径を抑えられると共に、各反射鏡や開口絞りの配置などを光束のケラレもなく適切に配置することが出来る。また、第 3反射鏡 M3への光線の入射角を小さく抑えることにより、有効径が大きくなりがちな第 4反射鏡 M4の有効径を小さく抑えることができる。

[0029] 以上のように、本発明では、 X線に対しても良好な反射特性を有し、反射鏡の大型化を抑えつつ収差補正を良好に行うことのできる反射型の投影光学系を実現することがでさる。

[0030] また、本発明では、各反射鏡 M1〜M8の有効径 M φは、各反射鏡 Μ1〜Μ8において、次の条件式 (6)を満足することが望ましい。

400mm≤ Μ ≤ 600mm (6)

条件式 (6)の上限値を上回ると、当該反射鏡の有効径が大きくなり過ぎて、光学系が大型化するので好ましくない。また下限値を下回ると、小型化し過ぎて光学性能の劣化を招き、望ましくない。

[0031] また、反射鏡の最大有効径を M φ、物体面における最大物体高を HOとするとき、次の条件式 (7)を満足することが望ま、。

2 < Μ /HO < 4 (7)

条件式 (7)の上限値を上回ると、当該反射鏡の有効径が大きくなり過ぎて、光学系が大型化するので好ましくない。また下限値を下回ると、小型化し過ぎて光学性能の劣化を招き、望ましくない。

[0032] また、本発明では、物体 (レチクル)から像 (ウェハ)までの軸上間隔 (物像間距離) T Tとするとき、次の条件式 (8)を満足することが望ま、。

1350mm < TT < 1800mm (8)

[0033] 条件式 (8)の下限より小さ、場合、レチクルやウェハと反射鏡が機械的な干渉をおこし易くなり、また光学性能も悪くなるので好ましくない。また上限を超えると光学系が大型化し、これも好ましくない。ある程度の長さを持った方が、光学性能も良ぐ反射鏡への光線の入射角も小さく出来、好ましい。特にレチクルとレチクルに最も近い反射鏡までの距離や、ウェハとウェハに最も近い反射鏡までの距離は、各反射鏡の背面に設置しなければならない冷却装置の厚さなどのため、充分に大きくとる必要があり、そのためには、物像間距離 TTはある程度の長さが必要となるので、条件式 (8)を満足することが望ましい。

[0034] また、本発明では物体 (レチクル)力も像 (ウェハ)までの軸上間隔 (物像間距離)を TT、物体面における最大物体高を HOとするとき、次の条件式（9)を満足することが好ましい。

8<TT/HO< 15 (9)

[0035] 条件式 (9)の下限より小さ、場合、レチクルやウェハと反射鏡が機械的な干渉をおこし易くなり、また光学性能も悪くなるので好ましくない。また上限を超えると光学系が大型化し、これも好ましくない。ある程度の長さを持った方が、光学性能も良ぐ反射鏡への光線の入射角も小さく出来、好ましい。特にレチクルとレチクルに最も近い反射鏡までの距離や、ウェハとウェハに最も近い反射鏡までの距離は、各反射鏡の背面に設置しなければならない冷却装置の厚さなどのため、充分に大きくとる必要があり、そのためには、物像間距離 TTはある程度の長さが必要となるので、条件式 (9)を満足することが望ましい。

[0036] また、本発明では、収差を良好に補正して光学性能を向上させるために、各反射鏡の反射面は光軸に関して回転対称な非球面状に形成され、各反射面を規定する非球面の最大次数は 10次以上であることが望ましい。また、本発明では、第 2面側にほぼテレセントリックな光学系であることが望ましい。この構成により、たとえば露光装置に適用される場合、投影光学系の焦点深度内でウェハに凹凸があっても良好な結像が可能である。

[0037] また、本発明の投影光学系を露光装置に適用することにより、露光光として X線を使用することができる。この場合、投影光学系に対してマスクおよび感光性基板を相対移動させて、マスクのパターンを感光性基板上へ投影露光することになる。その結果、大きな解像力を有する走査型の露光装置を用いて、良好な露光条件のもとで、高精度なマイクロデバイスを製造することができる。

[0038] また、本発明では、少なくとも 8枚の反射鏡を有し、第 1面の縮小像を第 2面上に形成する反射型投影光学系にお、て、相対的に製造誤差の要求が高!、反射鏡の反射面を球面で構成することが好ましい。例えば、反射面に入射する光束の入射角が相対的に大きい反射鏡や結像に寄与する光束が反射面で反射する面積 (有効領域 )が相対的に小さい反射鏡が球面で構成されることが好ましい。というのも、製造誤差の要求が厳しい反射鏡は少しでも反射面形状が理想的な設計形状から外れると相対的に大きな収差を発生するため、最終的な結像性能が悪ィ匕するからである。球面形状の加工は非球面形状の加工に比べて高精度な加工を容易に行うことができるため、高精度な投影光学系を比較的容易に製造することができる。従って、投影光学系を安価に精度よく製造することが可能となる。

[0039] 本発明の実施形態を、添付図面に基づいて説明する。図 1は、本発明の実施形態にかかる露光装置の構成を概略的に示す図である。また、図 2は、ウェハ上に形成される円弧状の露光領域 (すなわち有効結像領域)と光軸との位置関係を示す図である。図 1において、投影光学系の光軸方向すなわち感光性基板であるウェハの法線方向に沿って Z軸を、ウェハ面内において図 1の紙面に平行な方向に Y軸を、ウェハ面内において図 1の紙面に垂直な方向に X軸をそれぞれ設定して!/ヽる。

[0040] 図 1の露光装置は、露光光を供給するための光源として、たとえばレーザプラズマ X 線源 1を備えている。 X線源 1から射出された光は、波長選択フィルタ 2を介して、照明光学系 3に入射する。ここで、波長選択フィルタ 2は、 X線源 1が供給する光から、所定波長（13. 5nm)の X線だけを選択的に透過させ、他の波長光の透過を遮る特性を有する。

[0041] 波長選択フィルタ 2を透過した X線は、複数の反射鏡力構成された照明光学系 3 を介して、転写すべきパターンが形成された反射型のマスク 4を照明する。マスク 4は、そのパターン面が XY平面に沿って延びるように、 Y方向に沿って移動可能なマスクステージ 5によって保持されている。そして、マスクステージ 5の移動は、図示を省略したレーザー干渉計により計測される。こうして、マスク 4上には、 Y軸に関して対称な円弧状の照明領域が形成される。

[0042] 照明されたマスク 4からの光は、反射型の投影光学系 6を介して、感光性基板であるウェハ 7上にマスクパターンの像を形成する。すなわち、ウェハ 7上には、図 2に示すように、 Y軸に関して対称な円弧状の露光領域が形成される。図 2を参照すると、光軸 AXを中心とした半径 φを有する円形状の領域 (イメージサークル) IF内において、このイメージサークル IFに接するように X方向の長さが LXで Y方向の長さが LY の円弧状の実効露光領域 (有効結像領域) ERが設定されて、る。

[0043] ウェハ 7は、その露光面が XY平面に沿って延びるように、 X方向および Y方向に沿つて二次元的に移動可能なウェハステージ 8によって保持されている。なお、ウェハステージ 8の移動は、マスクステージ 5と同様に、図示を省略したレーザー干渉計により計測される。こうして、マスクステージ 5およびウエノ、ステージ 8を Y方向に沿って移動させながら、すなわち投影光学系 6に対してマスク 4およびウェハ 7を Y方向に沿って相対移動させながらスキャン露光（走査露光）を行うことにより、ウェハ 7の 1つの露光領域にマスク 4のパターンが転写される。

[0044] このとき、投影光学系 6の投影倍率 (転写倍率)が 1Z4である場合、ウェハステージ 8の移動速度をマスクステージ 5の移動速度の 1Z4に設定して同期走査を行う。また、ウェハステージ 8を X方向および Y方向に沿って二次元的に移動させながら走査露光を繰り返すことにより、ウェハ 7の各露光領域にマスク 4のパターンが逐次転写される。以下、第 1実施例〜第 9実施例を参照して、投影光学系 6の具体的な構成について説明する。

[0045] 各実施例において、投影光学系 6は、マスク 4のパターンの中間像を形成するための第 1反射結像光学系 G1と、マスクパターンの中間像の像 (マスク 4のパターンの二次像)をウェハ 7上に形成するための第 2反射結像光学系 G2とから構成されて、る。ここで、第 1反射結像光学系 G1は 4つの反射鏡 Μ1〜Μ4から構成され、第 2反射結像光学系 G2は 4つの反射鏡 Μ5〜Μ8から構成されている。

[0046] なお、各実施例において、 8枚の前記反射鏡のうち少なくとも一つの反射面は球面状に形成されている。また、各実施例において、第 2反射鏡 Μ2の直前には、開口絞り ASが配置されている。開口絞り ASは反射鏡 M2に接していても良いし、その近傍に配置されていてもよい。さらに、各実施例において、投影光学系 6は、ウェハ側 (像側）にテレセントリックな光学系である。

[0047] また、各実施例では、第 3反射鏡 M3が第 1反射鏡 Mlに向力つて像面側の空間に配置されているが、これに限らず第 3反射鏡 M3が第 1反射鏡 Mlに向かって物体側の空間に配置されても同様の作用を得ることもできる。

[0048] 各実施例において、非球面は、光軸に垂直な方向の高さを yとし、非球面の頂点における接平面力高さ yにおける非球面上の位置までの光軸に沿った距離 (サグ量）を zとし、頂点曲率半径を rとし、円錐係数を κとし、 4次、 6次、 8次、 10次の非球面係数を、各々、 A, B, C, Ό· · ·としたとき、以下の数式 (b)で表される。

z= (y²/r) /{ l + { 1— (1 + κ ) -y²/r²}^{1 2}}

+A-y⁴ + B-y⁶+C-y⁸ + D-y¹⁰+ · · · (b)

[0049] [実施例 1]

図 3は、本実施形態の第 1実施例にカゝかる投影光学系の構成を示す図である。図 3 を参照すると、第 1実施例の投影光学系では、マスク 4からの光は、凸面の第 1反射鏡 Mlの反射面、凹面の第 2反射鏡 M2の反射面、凸面の第 3反射鏡 M3の反射面、及び凹面の第 4反射鏡 M4の反射面で順次反射された後、マスクパターンの中間像を形成する。そして、第 1反射結像光学系 G1を介して形成されたマスクパターンの中間像のからの光は、凹面の第 5反射鏡 M5の反射面、凸面の第 6反射鏡の反射面、凸面の第 7反射鏡の反射面、および凹面の第 8反射鏡 M8の反射面で順次反射された後、ウェハ 7上にマスクパターンの縮小像（二次像)を形成する。この第 1実施例の投影光学系は凹面の第 8反射鏡 M8は球面で構成されている。

[0050] 次の表（1)に、第 1実施例に力かる投影光学系の諸元の値を掲げる。表（1)において、 λは露光光の波長を、 βは投影倍率を、 ΝΑは像側（ウェハ側）開口数を、 ΗΟはマスク 4上における最大物体高を、 φはウェハ 7上でのイメージサークル IFの半径 (最大像高）を、 LXは実効露光領域 ERの X方向に沿った寸法を、 LYは実効露光領域 E Rの Y方向に沿った寸法をそれぞれ表している。また、 M φは最も大きい反射鏡の有効径を、 TTはマスク 4とウェハ 7との間の軸上間隔をそれぞれ表している。

[0051] また、面番号は物体面であるマスク面から像面であるウェハ面への光線の進行する方向に沿ったマスク側力の反射面の順序を、 rは各反射面の頂点曲率半径 (mm) を、 dは各反射面の軸上間隔すなわち面間隔 (mm)をそれぞれ示している。なお、面間隔 dは、反射される度にその符号を変えるものとする。また、マスク面力第 1反射鏡 Mlまでの距離を dl、第 1反射鏡から第 2反射鏡までの距離を d2、第 2反射鏡から第 3反射鏡までの間隔を d3とする。そして、光線の入射方向にかかわらずマスク側に向力つて凸面の曲率半径を正とし、凹面の曲率半径を負としている。上述の表記は、以降の表（2)力表（9)にお、ても同様である。

[0052] 表（1)

(主要諸元）

λ = 13. 5nm

β = 1/4

NA=0. 25

HO = 156mm

φ =40mm

LX= 26mm

LY= 2mm (光学部材諸元）

面番号 r d 光学部材

SO (マスク面） 853.78

SI 19905.36 -674.34 (第 1反射鏡 Ml)

S2 1641.16 774.34 (第 2反射鏡 M2)

S3 2714.26 -643.96 (第 3反射鏡 M3)

S4 2000.00 1132.02 (第 4反射鏡 M4)

S5 -516.16 -100.00 (第 5反射鏡 M5)

S6 -669.72 200.10 (第 6反射鏡 M6)

S7 296.26 -354.43 (第 7反射鏡 M7)

S8 440.87 412.49 (第 8反射鏡 M8)球面

(ウェハ面）

(非球面データ）

S1面

κ =0.00

A=8.96915E-12 B=4.57005E- 15 C=- 1.83735E- 19 D=8.60247E-24 E=- 3.56869E- 28 F=1.00209E- 32 G=- 1.20203E- 37 H=0.00000E+00 S2面

K =0.00

A=3.18467E-12 B=3.26352E- 16 C=3.38845E- 21 D=- 2.12437E- 25 E=2.30692E-29 F=- 1.32519E- 33 G=3.17447E-38 H=0.00000E+00 S3面

K =0.00

A=- 9.07468E- 10 B=1.43591E- 15 C=8.76013E- 21 D=- 3.72599E- 25 E= 2.07244E-29 F=- 6.63254E- 34 G=8.79762E-39 H=0.00000E+00 S4面

K =0.00

A=- 2.13729E- 10 B=- 8.32168E- 16 C=1.22199E- 20 D=- 3.29219E- 25 E=4.90034E-30 F=- 4.07991E- 35 G=1.47092E-40 H=0.00000E+00

S5面

K =0.00

A=2.51736E-10 B=- 2.8343 IE- 14 C=2.53784E- 18 D=- 1.25361E- 22

E=3.60082E-27 F=- 5.65216E- 32 G=3.76339E-37 H=0.00000E+00

S6面

K =0.00

A=8.73334E-11 B=1.51075E- 14 C=- 1.38072E- 18 D=1.13509E- 22

E=-5.02784E-27 F=5.30624E-32 G=2.27212E-36 H= 0.00000E+00

S7面

K =0.00

A=1.11175E-08 B=- 8.63766E- 14 C=1.14445E- 16 D=- 3.30715E- 20

E= 1.08345E-23 F=- 2.19060E- 27 G=1.81307E- 31 H=0.00000E+00

S8面球面

(条件式対応値）

Μ φ =435. 34mm (第 4反射鏡 M4において最大）

TT= 1600. Omm

Μ /Η0 = 2. 79

ΤΤ/ΗΟ= 10. 26

dl = 853. 78mm

d2 = 674. 34mm

d3 = 774. 34mm

dl/d2= l. 27

d3/d2= l. 15

図 4は、第 1実施例の投影光学系におけるコマ収差を示す図である。図 4では、像高 100%、像高 98%、および像高 95%におけるメリディォナルコマ収差およびサジタルコマ収差を示している。収差図から明らかなように、第 1実施例では、有効結像領域 ERに対応する領域において、コマ収差が良好に補正されていることがわかる。また、図示を省略したが、有効結像領域 ERに対応する領域において、コマ収差以外の他の収差、たとえば球面収差やディストーションなども良好に補正されていることが確認されている。

[0054] [実施例 2]

図 5は、本実施形態の第 2実施例にカゝかる投影光学系の構成を示す図である。図 5 を参照すると、第 2実施例の投影光学系では、マスク 4からの光は、凹面の第 1反射鏡 Mlの反射面、凹面の第 2反射鏡 M2の反射面、凸面の第 3反射鏡 M3の反射面、及び凹面の第 4反射鏡 M4の反射面で順次反射された後、マスクパターンの中間像を形成する。そして、第 1反射結像光学系 G1を介して形成されたマスクパターンの中間像のからの光は、凹面の第 5反射鏡 M5の反射面、凸面の第 6反射鏡の反射面、凸面の第 7反射鏡の反射面、および凹面の第 8反射鏡 M8の反射面で順次反射された後、ウェハ 7上にマスクパターンの縮小像 (二次像)を形成する。第 1実施例の投影光学系では第 8反射鏡を球面で構成して、たが、本実施例では凸面の第 7反射鏡を球面で構成している。次の表（2)に、第 2実施例に力かる投影光学系の諸元の値を揭げる。

[0055] 表（2)

(主要諸元）

λ = 13. 5nm

β = 1/4

NA=0. 25

HO = 156mm

φ =40mm

LX= 26mm

LY= 2mm

(光学部材諸元）

面番号 r d 光学部材

SO (マスク面） 853.38

S1 -4000.53 -482.41 (第 1反射鏡 Ml) S2 2026.25 582.41 (第 2反射鏡 M2)

S3 6778.35 -542.84 (第 3反射鏡 M3)

S4 1879.97 938.17 (第 4反射鏡 M4)

S5 -549.39 -100.00 (第 5反射鏡 M5)

S6 -900.99 200.00 (第 6反射鏡 M6)

S7 245.23 -345.33 (第 7反射鏡 M7)球面

S8 438.06 427.54 (第 8反射鏡 M8)

(ウェハ面）

(非球面データ）

S 1面

κ =0.00

A=4.12013E-10 B=6.16521E- 16 C=- 2.33472E- 20 D=7.81561E- 25 E=-5.08210E-29 F=1.95820E-33 G=-3.29132E-38 H=0.00000E+00 S2面

K =0.00

A=-7.17094E-11 B=- 2.37267E- 15 C=- 9.23185E- 20 D=2.71631E- 23 E=-5.80866E-27 F=6.58718E-31 G=-3.07733E-35 H=0.00000E+00 S3面

K =0.00

A=- 9.08546E- 10 B=1.93599E- 15 C=1.54171E- 21 D=- 1.14433E- 24 E= 7.25350E-29 F=- 2.27698E- 33 G=2.87734E-38 H=0.00000E+00 S4面

K =0.00

A=- 3.26333E- 10 B=- 1.31852E- 15 C=2.17785E-20 D=- 6.99551E-25 E=1.20401E-29 F=- 1.15499E- 34 G=4.70578E-40 H=0.00000E+00 S5面

K =0.00

A=- 4.06078E- 10 B=- 2.02618E- 14 C=2.35353E- 18 D=- 1.18310E- 22 E=3.19720E-27 F=- 4.55065E- 32 G=2.69146E-37 H=0.00000E+00 S6面

K =0.00

A=- 2.15942E- 09 B=1.02618E- 13 C=- 7.03971E- 18 D=2.64439E-22

E=1.05365E-27 F=- 3.98918E- 31 G=9.07261E- 36 H=0.00000E+00

S7面球面

S8面

κ =0.00

A=4.10687E-11 B=4.53532E- 16 C=2.41040E-21 D=3.89228E- 26

E=- 1.67001E- 31 F=- 1.19286E- 35 G=3.37603E- 40 H=0.00000E+00

(条件式対応値）

Μ =404. 78 (第 4反射鏡 Μ4において最大）

ΤΤ= 1530. 9

Μ /Η0 = 2. 59

ΤΤ/ΗΟ = 9. 81

dl = 853. 38mm

d2=482. 41mm

d3 = 582. 41mm

dl/d2= l. 77

d3/d2= l. 21

[0056] 図 6は、第 2実施例の投影光学系におけるコマ収差を示す図である。図 6では、像高 100%、像高 98%、および像高 95%におけるメリディォナルコマ収差およびサジタルコマ収差を示している。収差図から明らかなように、第 2実施例では、有効結像領域 ERに対応する領域において、コマ収差が良好に補正されていることがわかる。また、図示を省略したが、有効結像領域 ERに対応する領域において、コマ収差以外の他の収差、たとえば球面収差やディストーションなども良好に補正されていることが確認されている。

[0057] [実施例 3] 図 7は、本実施形態の第 3実施例にカゝかる投影光学系の構成を示す図である。図 7 を参照すると、第 3実施例の投影光学系では、マスク 4からの光は、凸面の第 1反射鏡 Mlの反射面、凹面の第 2反射鏡 M2の反射面、凸面の第 3反射鏡 M3の反射面、及び凹面の第 4反射鏡 M4の反射面で順次反射された後、マスクパターンの中間像を形成する。そして、第 1反射結像光学系 G1を介して形成されたマスクパターンの中間像のからの光は、凹面の第 5反射鏡 M5の反射面、凸面の第 6反射鏡の反射面、凸面の第 7反射鏡の反射面、および凹面の第 8反射鏡 M8の反射面で順次反射された後、ウェハ 7上にマスクパターンの縮小像 (二次像)を形成する。第 1実施例の投影光学系では第 8反射鏡を球面で構成して、たが、本実施例では凸面の第 6反射鏡を球面で構成している。次の表（3)に、第 3実施例に力かる投影光学系の諸元の値を揭げる。

表（3)

(主要諸元）

λ = 13. 5nm

β = 1/4

NA=0. 25

HO = 156mm

φ =40mm

LX= 26mm

LY= 2mm

(光学部材諸元）

面番号 r d 光学部材

SO (マスク面） 836.47

SI 16673.90 -695.19 (第 1反射鏡 Ml)

S2 1639.24 795.19 (第 2反射鏡 M2)

S3 2815.49 -648.41 (第 3反射鏡 M3)

S4 2000.00 1066.92 (第 4反射鏡 M4)

S5 -512.93 -100.00 (第 5反射鏡 M5) 56 -643.25 200.03 (第 6反射鏡 M6)球面

57 301.55 -353.85 (第 7反射鏡 M7)

58 441.40 414.82 (第 8反射鏡 M8)

(ウェハ面）

(非球面データ）

S1面

κ =0.00

A=4.14433E-12 B=3.61576E- 15 C=- 7.71811E- 20 D=2.64652E-24 E=-1.43402E-28 F=5.56988E- 33 G=- 9.41512E- 38 H=0.00000E+00 S2面

K =0.00

A=- 2.84150E- 11 B=3.70117E-17 C=4.22879E-22 D=- 5.02449E- 26 E=3.31104E-30 F=- 8.90095E- 35 G=- 1.76692E- 40 H=0.00000E+00 S3面

K =0.00

A=-7.82732E-10 B=9.89079E- 16 C=- 7.23616E- 21 D=8.03932E- 25 E=- 3.45519E- 29 F=8.18704E-34 G=- 8.32530E- 39 H=0.00000E+00 S4面

K =0.00

A=- 2.25046E- 10 B=- 7.19387E- 16 C=8.48834E- 21 D=- 2.83313E- 25 E=4.73790E-30 F=- 4.38195E- 35 G=1.73302E-40 H=0.00000E+00 S5面

K =0.00

A=1.80833E-10 B=- 2.77427E- 14 C=2.58714E-18 D=- 1.25119E- 22 E=3.41819E-27 F=- 5.03030E- 32 G=3.11125E- 37 H=0.00000E+00 S6面球面

S7面

κ =0.00 A=1.04479E-08 B=- 4.88154E- 14 C=3.76442E-17 D=- 8.28206E- 21 E=4.32265E-24 F=- 1.17557E- 27 G=1.26940E- 31 H=0.00000E+00

S8面

K =0.00

A=3.98331E- 11 B=2.83203E- 16 C=1.97232E-21 D=- 1.55350E- 26

E=1.96749E-30 F=- 6.13747E- 35 G=7.82354E-40 H=0.00000E+00

(条件式対応値）

Μ =435. 74 (第 4反射鏡 Μ4において最大）

ΤΤ= 1516. 0

Μ /Η0 = 2. 79

ΤΤ/ΗΟ = 9. 72

dl = 836. 47mm

d2 = 695. 19mm

d3 = 795. 19mm

dl/d2= l. 20

d3/d2= l. 14

[0059] 図 8は、第 3実施例の投影光学系におけるコマ収差を示す図である。図 8では、像高 100%、像高 98%、および像高 95%におけるメリディォナルコマ収差およびサジタルコマ収差を示している。収差図から明らかなように、第 3実施例では、有効結像領域 ERに対応する領域において、コマ収差が良好に補正されていることがわかる。また、図示を省略したが、有効結像領域 ERに対応する領域において、コマ収差以外の他の収差、たとえば球面収差やディストーションなども良好に補正されていることが確認されている。

[0060] [実施例 4]

図 9は、本実施形態の第 4実施例にカゝかる投影光学系の構成を示す図である。図 9 を参照すると、第 4実施例の投影光学系では、マスク 4からの光は、凹面の第 1反射鏡 Mlの反射面、凹面の第 2反射鏡 M2の反射面、凸面の第 3反射鏡 M3の反射面、及び凹面の第 4反射鏡 M4の反射面で順次反射された後、マスクパターンの中間像を形成する。そして、第 1反射結像光学系 G1を介して形成されたマスクパターンの中O C

間O L像のからの光は、凹面の第 5反射鏡 M5の反射面、凸面の第 6反射鏡の反射面、凸面の第O L 7反射鏡の反射面、および凹面の第 8反射鏡 M8の反射面で順次反射された後、ウェハ 7上にマスクパターンの縮小像 (二次像)を形成する。第 1実施例の投影光学系では第 8反射鏡を球面で構成して、たが、本実施例では凹面の第 5反射鏡を球面で構成している。次の表 (4)に、第 4実施例に力かる投影光学系の諸元の値を揭げる。

表 (4)

(主要諸元）

=丄 3. 5nm

β = 1/4

NA=0. 25

HO = 156mm

φ =40mm

LX= 26mm

LY= 2mm

(光学部材諸元）

面番号 r d 光学部材

SO (マスク面） 781.95

SI -28805.85 -661.95 (第 1反射鏡 Ml)

S2 1743.86 761.95 (第 2反射鏡 M2)

S3 3637.96 -631.50 (第 3反射鏡 M3)

S4 2000.00 1158.09 (第 4反射鏡 M4)

-100.00 (第 5反射鏡 M5)球面

S6 -647.38 203.27 (第 6反射鏡 M6)

S7 287.98 -350.33 (第 7反射鏡 M7)

S8 440.27 414.51 (第 8反射鏡 M8)

(ウェハ面） (非球面データ）

SI面

κ =0.00

A=- 1.01007E- 10 B=3.95362E-15 C=- 7.20224E- 20 D=1.60201E- 24 E=-4.75389E-29 F=7.32205E-34 G=2.71057E-39 H=0.00000E+00 S2面

K =0.00

A=- 5.33007E- 11 B=3.44289E- 16 C=7.65850E- 21 D=- 7.5241 IE- 25 E=1.09544E-28 F=- 7.97740E- 33 G=2.37891E-37 H=0.00000E+00 S3面

K =0.00

A=- 7.60928E- 10 B=4.95409E- 16 C=- 3.84238E- 21 D=4.64869E- 25 E=-1.44100E-29 F=2.13256E-34 G=-9.00528E-40 H=0.00000E+00 S4面

K =0.00

A=- 2.06765E- 10 B=- 8.80308E- 16 C=1.56045E- 20 D=- 4.41065E- 25 E=6.77042E-30 F=-5.78228E-35 G=2.11007E-40 H=0.00000E+00 S5面球面

S6面

κ =0.00

A=- 7.19381E- 10 B=- 1.88098E- 14 C=3.70991E- 18 D=- 3.29939E- 22 E=1.82185E-26 F=- 5.71942E- 31 G=7.75005E- 36 H=0.00000E+00 S7面

K =0.00

A=1.06867E-08 B=1.17184E- 13 C=3.48324E-17 D=- 4.32361E- 21 E=1.73807E-24 F=- 2.77947E- 28 G=1.07444E-32 H=0.00000E+00 S8面

K =0.00 A=4.94751E-11 B=2.43983E- 16 C=8.33827E-22 D=1.62044E-26

E=-5.45757E-31 F=1.27492E-35 G=- 1.18273E- 40 H=0.00000E+00

(条件式対応値）

Μ =448. 34 (第 4反射鏡 Μ4において最大）

ΤΤ= 1576. 0

Μ /Η0 = 2. 87

ΤΤ/ΗΟ= 10. 10

dl = 781. 95mm

d2 = 661. 95mm

d3 = 761. 95mm

dl/d2= l. 18

d3/d2= l. 15

[0062] 図 10は、第 4実施例の投影光学系におけるコマ収差を示す図である。図 10では、像高 100%、像高 98%、および像高 95%におけるメリディォナルコマ収差およびサジタルコマ収差を示している。収差図から明らかなように、第 4実施例では、有効結像領域 ERに対応する領域において、コマ収差が良好に補正されていることがわかる。また、図示を省略した力有効結像領域 ERに対応する領域において、コマ収差以外の他の収差、たとえば球面収差やディストーションなども良好に補正されていることが確認されている。

[0063] [実施例 5]

図 11は、本実施形態の第 5実施例にかかる投影光学系の構成を示す図である。図 11を参照すると、第 5実施例の投影光学系では、マスク 4からの光は、凸面の第 1反射鏡 Mlの反射面、凹面の第 2反射鏡 M2の反射面、凸面の第 3反射鏡 M3の反射面、及び凹面の第 4反射鏡 M4の反射面で順次反射された後、マスクパターンの中間像を形成する。そして、第 1反射結像光学系 G1を介して形成されたマスクパターンの中間像のからの光は、凹面の第 5反射鏡 M5の反射面、凸面の第 6反射鏡の反射面、凸面の第 7反射鏡の反射面、および凹面の第 8反射鏡 M8の反射面で順次反射された後、ウェハ 7上にマスクパターンの縮小像（二次像)を形成する。第 1実施例の投影光学系では第 8反射鏡を球面で構成して、たが、本実施例では凹面の第 4反射O C

鏡を球面で構成している。次の表（5)に、第 5実施例に力かる投影光学系の諸元の値を掲げる。

表 (5)

(主要諸元）

=丄 3. 5nm

β = 1/4

NA=0. 25

HO = 156mm

φ =40mm

LX= 26mm

LY= 2mm

(光学部材諸元）

面番号 r d 光学部材

SO (マスク面） 855.76

SI 8877.90 -735.76 (第 1反射鏡 Ml)

S2 1582.90 879.63 (第 2反射鏡 M2)

S3 1755.49 -698.06 (第 3反射鏡 M3)

S4 1761.63 1150.58 (第 4反射鏡 M4)球面

S5 -759.00 -100.00 (第 5反射鏡 M5)

S6 -2512.82 200.00 (第 6反射鏡 M6)

-302.52 (第 7反射鏡 M7)

S8 482.40 450.37 (第 8反射鏡 M8)

(ウェハ面）

(非球面データ）

S1面

κ =0.00

A=4.86388E-10 B=3.69294E-14 C=- 2.40380E- 18 D=1.52251E-22 E=-7.12313E-27 F=2.04697E-31 G=- 2.69984E- 36 H=0.00000E+00 S2面

K =0.00

A=5.50594E-11 B=- 2.04768E- 16 C=3.01118E- 20 D=- 4.15366E- 24 E=3.30674E-28 F=-1.42210E-32 G=2.54409E-37 H=0.00000E+00 S3面

K =0.00

A=3.18748E-11 B=- 3.58792E- 17 C=- 7.44055E- 20 D=5.26232E-24 E=-2.36267E-28 F=5.62019E-33 G=-5.28182E-38 H=0.00000E+00 S4球面

S5面

K =0.00

A=8.68542E-10 B=- 7.07164E- 14 C=2.77451E-18 D=- 1.09193E- 22 E=6.12882E-27 F=-1.98877E-31 G=2.47385E-36 H=0.00000E+00 S6面

K =0.00

A=1.43537E-09 B=- 1.82807E- 13 C=2.25287E-17 D=-7.06178E-22 E=-2.55617E-26 F=2.50370E-30 G=- 5.05416E- 35 H=0.00000E+00 S7面

K =0.00

A=1.50565E- 08 B=- 3.37130E- 12 C=1.35006E- 15 D=- 5.19281E- 19 E=1.51018E-22 F=-2.69433E-26 G=2.17856E-30 H=0.00000E+00 S8面

K =0.00

A=3.82947E-11 B=2.26337E- 16 C=5.47822E-21 D=- 3.00184E- 25 E=1.26429E-29 F=- 2.74528E- 34 G=2.55201E-39 H=0.00000E+00 (条件式対応値）

Μ = 517. 35 (第 4反射鏡 Μ4において最大） TT= 1600. 0

Μ /Η0 = 3. 32

ΤΤ/Η0= 10. 26

dl = 855. 76mm

d2 = 735. 76mm

d3 = 879. 63mm

dl/d2= l. 16

d3/d2= l. 20

[0065] 図 12は、第 5実施例の投影光学系におけるコマ収差を示す図である。図 12では、像高 100%、像高 98%、および像高 95%におけるメリディォナルコマ収差およびサジタルコマ収差を示している。収差図から明らかなように、第 5実施例では、有効結像領域 ERに対応する領域において、コマ収差が良好に補正されていることがわかる。また、図示を省略した力有効結像領域 ERに対応する領域において、コマ収差以外の他の収差、たとえば球面収差やディストーションなども良好に補正されていることが確認されている。

[0066] [実施例 6]

図 13は、本実施形態の第 6実施例にかかる投影光学系の構成を示す図である。図 13を参照すると、第 6実施例の投影光学系では、マスク 4からの光は、凸面の第 1反射鏡 Mlの反射面、凹面の第 2反射鏡 M2の反射面、凸面の第 3反射鏡 M3の反射面、及び凹面の第 4反射鏡 M4の反射面で順次反射された後、マスクパターンの中間像を形成する。そして、第 1反射結像光学系 G1を介して形成されたマスクパターンの中間像のからの光は、凹面の第 5反射鏡 M5の反射面、凸面の第 6反射鏡の反射面、凸面の第 7反射鏡の反射面、および凹面の第 8反射鏡 M8の反射面で順次反射された後、ウェハ 7上にマスクパターンの縮小像（二次像)を形成する。第 1実施例の投影光学系では第 8反射鏡を球面で構成して、たが、本実施例では凸面の第 3反射鏡を球面で構成している。次の表（6)に、第 6実施例に力かる投影光学系の諸元の値を掲げる。

[0067] 表（6) (主要諸元）

λ = 13. 5nm

β = 1/4

NA=0. 25

HO = 156mm

φ =40mm

LX= 26mm

LY= 2mm

(光学部材諸元）

面番号 r d 光学部材

SO (マスク面） 841.07

SI 11039.33 -721.07 (第 1反射鏡 Ml)

S2 1617.82 821.07 (第 2反射鏡 M2)

S3 2446.35 -681.65 (第 3反射鏡 M3)球面

S4 2000.00 1187.31 (第 4反射鏡 M4)

S5 -482.49 -100.00 (第 5反射鏡 M5)

S6 -501.73 200.00 (第 6反射鏡 M6)

S7 340.68 -254.38 (第 7反射鏡 M7)

S8 443.92 407.65 (第 8反射鏡 M8)

(ウェハ面）

(非球面データ）

S1面

κ =0.00

A=5.52614E-11 B=1.38370E- 15 C=- 3.84269E- 20 D=1.06804E- 23 E=- 6.53118E- 28 F=2.16069E-32 G=- 3.23974E- 37 H=0.00000E+00 S2面

K =0.00

A=- 1.30598E- 10 B=- 8.72576E- 16 C=- 9.80597E- 21 D=9.76277E-25 E=- 1.09433E- 28 F=6.36889E- 33 G=- 1.51086E- 37 H=0.00000E+00 S3面球面

S4面

κ =0.00

A=- 1.01599E- 10 B=6.19470E- 16 C=- 2.65958E- 20 D=6.01905E- 25 E=- 8.31396E- 30 F=6.43013E- 35 G=- 2.13455E- 40 H=0.00000E+00 S5面

K =0.00

A=6.90424E-10 B=- 7.80937E- 15 C=2.02344E-18 D=- 1.10078E- 22 E=2.96968E-27 F=- 4.05905E- 32 G=2.25755E-37 H=0.00000E+00 S6面

K =0.00

A=4.38239E-09 B=2.61724E-13 C=- 3.24417E- 17 D=1.92286E- 21 E=- 5.33138E- 26 F=2.86023E- 31 G=1.03596E- 35 H=0.00000E+00 S7面

K =0.00

A=1.21470E-08 B=- 8.57463E- 14 C=2.81447E-17 D=- 5.11735E-20 E=1.93974E-23 F=-4.27193E-27 G=3.97324E-31 H=0.00000E+00 S8面

K =0.00

A=2.47598E-10 B=1.95136E- 15 C=1.44504E-20 D=- 1.20985E- 25 E=1.74797E-29 F=- 6.31416E- 34 G=9.33844E- 39 H=0.00000E+00

(条件式対応値）

Μ =474. 75 (第 4反射鏡 Μ4において最大）

ΤΤ= 1600. 0

Μ /ΗΟ = 3. 04

ΤΤ/ΗΟ= 10. 26

dl = 841. 07mm d2 = 721. 07mm

d3 = 821. 07mm

dl/d2= l. 17

d3/d2= l. 14

[0068] 図 14は、第 6実施例の投影光学系におけるコマ収差を示す図である。図 14では、像高 100%、像高 98%、および像高 95%におけるメリディォナルコマ収差およびサジタルコマ収差を示している。収差図から明らかなように、第 6実施例では、有効結像領域 ERに対応する領域において、コマ収差が良好に補正されていることがわかる。また、図示を省略した力有効結像領域 ERに対応する領域において、コマ収差以外の他の収差、たとえば球面収差やディストーションなども良好に補正されていることが確認されている。

[0069] [実施例 7]

図 15は、本実施形態の第 7実施例にかかる投影光学系の構成を示す図である。図 15を参照すると、第 7実施例の投影光学系では、マスク 4からの光は、凸面の第 1反射鏡 Mlの反射面、凹面の第 2反射鏡 M2の反射面、凸面の第 3反射鏡 M3の反射面、及び凹面の第 4反射鏡 M4の反射面で順次反射された後、マスクパターンの中間像を形成する。そして、第 1反射結像光学系 G1を介して形成されたマスクパターンの中間像のからの光は、凹面の第 5反射鏡 M5の反射面、凸面の第 6反射鏡の反射面、凸面の第 7反射鏡の反射面、および凹面の第 8反射鏡 M8の反射面で順次反射された後、ウェハ 7上にマスクパターンの縮小像（二次像)を形成する。第 1実施例の投影光学系では第 8反射鏡を球面で構成して、たが、本実施例では凹面の第 2反射鏡を球面で構成している。次の表（7)に、第 7実施例に力かる投影光学系の諸元の値を掲げる。

[0070] 表（7)

(主要諸元）

λ = 13. 5nm

β = 1/4

NA=0. 25 HO = 156mm

φ =40mm

LX= 26mm

LY= 2mm

(光学部材諸元）

面番号 r d 光学部材

SO (マスク面） 849.69

SI 23309.04 -666.38 (第 1反射鏡 Ml)

S2 1631.89 766.38 (第 2反射鏡 M2)球面

S3 2687.92 -635.38 (第 3反射鏡 M3)

S4 2000.00 1127.98 (第 4反射鏡 M4)

S5 -489.20 -100.00 (第 5反射鏡 M5)

200.91 (第 6反射鏡 M6)

-351.61 (第 7反射鏡 M7)

S8 438.63 408.42 (第 8反射鏡 M8)

(ウェハ面）

(非球面データ）

SI面

κ =0.00

A=1.50513E- 10 B=3.02143E- 15 C=- 8.48835E- 20 D=9.97470E-25 E=4.64062E-29 F=- 2.41448E- 33 G=4.01984E- 38 H=0.00000E+00 S2面球面

S3面

κ =0.00

Α=-8.67763Ε-10 Β=2.06507Ε- 15 C=- 1.85462E- 21 D=- 1.38609E- 25 Ε=4.28023Ε-30 F=- 1.70964E- 35 G=- 1.08125E- 39 H=0.00000E+00 S4面

κ =0.00 A=-2.18287E-10 B=- 4.29107E- 16 C=- 1.91874E- 21 D=4.25004E-26 E=- 9.81542E- 31 F=1.08197E- 35 G=- 4.80117E- 41 H=0.00000E+00 S5面

K =0.00

A=3.57160E-10 B=- 2.19811E- 14 C=2.36995E- 18 D=- 1.18488E- 22 E=3.30479E-27 F=-4.93170E-32 G=3.07879E-37 H=0.00000E+00 S6面

K =0.00

A=1.33970E-09 B=6.28995E- 14 C=- 8.12425E- 18 D=6.77538E-22 E=-3.39767E-26 F=8.85578E-31 G=-8.43710E-36 H=0.00000E+00 S7面

K =0.00

A=9.12402E-09 B=- 3.91177E- 14 C=3.59440E- 17 D=1.60493E- 21 E=-1.40212E-24 F=2.26670E-28 G=- 1.47719E- 32 H=0.00000E+00 S8面

K =0.00

A=1.33040E-11 B=2.74191E- 16 C=1.69281E- 21 D=2.77234E-26 E=- 9.88835E- 31 F=3.54065E- 35 G=- 4.92892E- 40 H=0.00000E+00

(条件式対応値）

Μ =436. 43 (第 4反射鏡 Μ4において最大）

ΤΤ= 1600. 0

Μ /ΗΟ = 3. 04

ΤΤ/ΗΟ= 10. 26

dl = 849. 69mm

d2 = 666. 38mm

d3 = 766. 38mm

dl/d2= l. 28

d3/d2= l. 15 [0071] 図 16は、第 7実施例の投影光学系におけるコマ収差を示す図である。図 16では、像高 100%、像高 98%、および像高 95%におけるメリディォナルコマ収差およびサジタルコマ収差を示している。収差図から明らかなように、第 7実施例では、有効結像領域 ERに対応する領域において、コマ収差が良好に補正されていることがわかる。また、図示を省略した力有効結像領域 ERに対応する領域において、コマ収差以外の他の収差、たとえば球面収差やディストーションなども良好に補正されていることが確認されている。

[0072] [実施例 8]

図 17は、本実施形態の第 8実施例にかかる投影光学系の構成を示す図である。図 17を参照すると、第 8実施例の投影光学系では、マスク 4からの光は、凸面の第 1反射鏡 Mlの反射面、凹面の第 2反射鏡 M2の反射面、凸面の第 3反射鏡 M3の反射面、及び凹面の第 4反射鏡 M4の反射面で順次反射された後、マスクパターンの中間像を形成する。そして、第 1反射結像光学系 G1を介して形成されたマスクパターンの中間像のからの光は、凹面の第 5反射鏡 M5の反射面、凸面の第 6反射鏡の反射面、凸面の第 7反射鏡の反射面、および凹面の第 8反射鏡 M8の反射面で順次反射された後、ウェハ 7上にマスクパターンの縮小像（二次像)を形成する。第 1実施例の投影光学系では第 8反射鏡を球面で構成して、たが、本実施例では第 1反射鏡を球面で構成している。次の表（8)に、第 8実施例に力かる投影光学系の諸元の値を掲げる。

[0073] 表（8)

(主要諸元）

λ = 13. 5nm

β = 1/4

NA=0. 25

HO = 156mm

φ =40mm

LX= 26mm

LY= 2mm (光学部材諸元)

面番号 r d 光学部材

SO (マスク面） 849.86

SI 14647.57 -695.37 (第 1反射鏡 Ml)球面

S2 1624.30 795.37 (第 2反射鏡 M2)

S3 2500.57 -648.57 (第 3反射鏡 M3)

S4 1959.70 1137.61 (第 4反射鏡 M4)

S5 -518.59 -100.36 (第 5反射鏡 M5)

S6 -652.55 201.53 (第 6反射鏡 M6)

S7 305.01 -355.04 (第 7反射鏡 M7)

S8 443.86 414.98 (第 8反射鏡 M8)

(ウェハ面）

(非球面データ）

S1面球面

S2面

κ =0.00

A=- 6.19961E- 11 B=- 8.01064E- 17 C=7.39785E-22 D=- 1.63635E- 25 E=1.61146E-29 F=- 7.76550E- 34 G=1.41983E- 38 H=0.00000E+00 S3面

K =0.00

A=- 6.12122E- 10 B=- 1.16001E- 16 C=8.10748E- 21 D=- 5.70065E- 25 E=2.95099E-29 F=-7.54162E-34 G=7.55756E-39 H=0.00000E+00 S4面

K =0.00

A=- 1.76221E- 10 B=- 3.50361E- 16 C=- 1.35172E- 21 D=3.31221E- 26 E=-8.84773E-31 F=1.02240E- 35 G=- 4.59915E- 41 H=0.00000E+00 S5面

K =0.00 A=2.45960E-10 B=- 2.33020E- 14 C=2.50729E-18 D=- 1.26602E- 22

E=3.52881E-27 F=- 5.24219E- 32 G=3.24672E-37 H=0.00000E+00

S6面

K =0.00

A=6.48337E-10 B=3.87553E- 14 C=- 3.35305E- 18 D=6.90509E- 23

E=7.76879E-27 F=-5.95487E-31 G=1.27029E-35 H=0.00000E+00

S7面

K =0.00

A=1.05474E-08 B=3.44948E- 13 C=1.44739E-17 D=- 3.88657E- 21

E=2.06264E-24 F=- 5.25423E- 28 G=5.65376E-32 H=0.00000E+00

S8面

K =0.00

A=8.95479E-11 B=5.33820E- 16 C=2.52317E-21 D=2.95882E- 26

E=- 7.88338E- 32 F=- 6.29084E- 36 G=1.64811E- 40 H=0.00000E+00

(条件式対応値）

Μ =448. 25 (第 4反射鏡 Μ4において最大）

ΤΤ= 1600. 0

Μ /Η0 = 2. 87

ΤΤ/ΗΟ= 10. 26

dl = 849. 86mm

d2 = 695. 37mm

d3 = 795. 37mm

dl/d2= l. 22

d3/d2= l. 14

図 18は、第 8実施例の投影光学系におけるコマ収差を示す図である。図 18では、像高 100%、像高 98%、および像高 95%におけるメリディォナルコマ収差およびサジタルコマ収差を示している。収差図から明らかなように、第 8実施例では、有効結像領域 ERに対応する領域において、コマ収差が良好に補正されていることがわかる。また、図示を省略した力有効結像領域 ERに対応する領域において、コマ収差以外の他の収差、たとえば球面収差やディストーションなども良好に補正されていることが確認されている。

[0075] [実施例 9]

図 19は、本実施形態の第 9実施例にかかる投影光学系の構成を示す図である。図 19を参照すると、第 9実施例の投影光学系では、マスク 4からの光は、凹面の第 1反射鏡 Mlの反射面、凹面の第 2反射鏡 M2の反射面、凸面の第 3反射鏡 M3の反射面、及び凹面の第 4反射鏡 M4の反射面で順次反射された後、マスクパターンの中間像を形成する。そして、第 1反射結像光学系 G1を介して形成されたマスクパターンの中間像のからの光は、凹面の第 5反射鏡 M5の反射面、凹面の第 6反射鏡の反射面、凸面の第 7反射鏡の反射面、および凹面の第 8反射鏡 M8の反射面で順次反射された後、ウェハ 7上にマスクパターンの縮小像（二次像)を形成する。第 1実施例の投影光学系では第 8反射鏡を球面で構成して、たが、本実施例では凸面の第 6反射鏡を球面で構成している。次の表（9)に、第 9実施例に力かる投影光学系の諸元の値を掲げる。

[0076] 表（9)

(主要諸元）

λ = 13. 5nm

β = 1/4

NA=0. 35

HO = 156mm

φ =40mm

LX= 26mm

LY= 2mm

(光学部材諸元）

面番号 r d 光学部材

SO (マスク面） 709.93

S1 -4433.41 -589.93 (第 1反射鏡 Ml) S2 1327.91 689.93 (第 2反射鏡 M2)

S3 677.63 -268.10 (第 3反射鏡 M3)

S4 891.30 805.69 (第 4反射鏡 M4)

S5 -978.07 -123.10 (第 5反射鏡 M5)

S6 24591.30 235.57 (第 6反射鏡 M6)球面

S7 237.26 -335.57 (第 7反射鏡 M7)

S8 404.70 375.57 (第 8反射鏡 M8)

(ウェハ面）

(非球面データ）

S1面

κ =0.00

A=1.37230E-09 B=- 2.34495E- 14 C=3.54540E- 19 D=- 4.91321E- 24 E=1.12584E-28 F=- 3.55914E- 33 G=5.08482E-38 H=0.00000E+00 S2面

K =0.00

A=- 7.38075E- 11 B=- 1.87124E- 16 C=- 5.25573E- 20 D=9.80006E- 24 E=-1.03334E-27 F=5.88491E- 32 G=- 1.37947E- 36 H=0.00000E+00 S3面

K =0.00

A=- 2.65468E- 09 B =- 2.02936E- 15 C=1.51722E-19 D=- 1.06845E- 23 E=3.88202E-28 F= -9.62486E-33 G=1.13366E-37 H=0.00000E+00 S4面

K =0.00

A=-2.71226E-10 B =- 3.34206E- 15 C=8.03920E- 20 D=- 1.68936E- 24 E=2.12370E-29 F= -1.50533E-34 G=4.47804E-40 H=0.00000E+00 S5面

K =0.00

A=3.78564E-10 B= -2.98239E-14 C=3.02836E- 19 D=2.29877E-23 E=- 9.7681 IE- 28 F=1.56167E-32 G=- 9.39373E- 38 H=0.00000E+00 S6面球面

S7面

κ =0.00

A=-4.86887E-09 B=2.32977E-12 C=- 2.42965E- 17 D=1.78170E-20

E=-1.18048E-23 F=3.22917E-27 G=-3.03495E-31 H=0.00000E+00

S8面

K =0.00

A=9.65841E-11 B=7.68361E- 16 C=3.95891E- 21 D=2.59918E- 26

E=2.07120E-30 F=- 7.39442E- 35 G=9.08142E- 40 H=0.00000E+00

(条件式対応値）

Μ =488. 42 (第 4反射鏡 Μ4において最大）

ΤΤ= 1600. 0

Μ /Η0 = 2. 87

ΤΤ/ΗΟ= 10. 26

dl = 709. 93mm

d2 = 589. 93mm

d3 = 689. 93mm

dl/d2= l. 20

d3/d2= l. 17

[0077] 図 20は、第 9実施例の投影光学系におけるコマ収差を示す図である。図 20では、像高 100%、像高 98%、および像高 95%におけるメリディォナルコマ収差およびサジタルコマ収差を示している。収差図から明らかなように、第 9実施例では、有効結像領域 ERに対応する領域において、コマ収差が良好に補正されていることがわかる。また、図示を省略した力有効結像領域 ERに対応する領域において、コマ収差以外の他の収差、たとえば球面収差やディストーションなども良好に補正されていることが確認されている。

[0078] 以上のように、上述の各実施例では、波長が 13. 5nmのレーザプラズマ X線に対して、 0. 25〜0. 35の像側開口数を確保するとともに、ウェハ 7上において諸収差が良好に補正された 26mm X 2mmの円弧状の実効露光領域を確保することができる。したがって、ウェハ 7において、たとえば 26mm X 66mmの大きさを有する各露光領域に、マスク 4のパターンを走査露光により 0. 1 m以下の高解像で転写することができる。

[0079] また、上述各実施例では最も大きい第 4反射鏡 M4の有効径が約 400〜約 520m m程度であり、十分に小さく抑えられている。このように、各実施例において、反射鏡の大型化が抑えられ、光学系の小型化が図られている。また、本発明では、また、物体（レチクル）力ゝら像（ウェハ）までの距離（物像間距離) TTが 1350mn！〜 1800mm の範囲を満足しているので、光学系が大型化を抑えつつ、光学性能も良好に維持している。

[0080] また、上述の実施形態にかかる露光装置では、相対的に有効領域の小さい反射鏡である第 5反射鏡 M5や第 6反射鏡 M6の面形状を球面形状とすることによって高精度な反射光学系を容易に製造することが可能となる。また、上述の実施形態に力かる露光装置では、相対的に光束の入射角が大きくなる第 6反射鏡 M6や第 7反射鏡 M 7の面形状を球面形状とすることによって高精度な反射光学系を容易に製造することが可能となる。

[0081] 上述の実施形態に力かる露光装置では、照明系によってマスクを照明し (照明工程 )、投影光学系を用いてマスクに形成された転写用のパターンを感光性基板に露光する（露光工程)ことにより、マイクロデバイス（半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等)を製造することができる。以下、本実施形態の露光装置を用いて感光性基板としてのウェハ等に所定の回路パターンを形成することによって、マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法の一例につき図 21のフローチヤートを参照して説明する。

[0082] 先ず、図 21のステップ 301において、 1ロットのウェハ上に金属膜が蒸着される。次のステップ 302において、その 1ロットのウェハ上の金属膜上にフォトレジストが塗布される。その後、ステップ 303において、本実施形態の露光装置を用いて、マスク（レチクル）上のパターンの像がその投影光学系を介して、その 1ロットのウェハ上の各ショット領域に順次露光転写される。

[0083] その後、ステップ 304において、その 1ロットのウェハ上のフォトレジストの現像が行われた後、ステップ 305において、その 1ロットのウェハ上でレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことによって、マスク上のパターンに対応する回路パターン力各ウェハ上の各ショット領域に形成される。その後、更に上のレイヤの回路パターンの形成等を行うことによって、半導体素子等のデバイスが製造される。上述の半導体デバイス製造方法によれば、極めて微細な回路パターンを有する半導体デバイスをスループット良く得ることができる。

[0084] なお、上述の本実施形態では、 X線を供給するための光源としてレーザプラズマ X 線源を用いている力これに限定されることなぐ X線としてたとえばシンクロトロン放射（SOR)光を用いることもできる。

[0085] また、上述の本実施形態では、 X線を供給するための光源を有する露光装置に本発明を適用しているが、これに限定されることなぐ X線以外の他の波長光を供給する光源を有する露光装置に対しても本発明を適用することができる。

[0086] さらに、上述の本実施形態では、露光装置の投影光学系に本発明を適用している力これに限定されることなぐ他の一般的な投影光学系に対しても本発明を適用することがでさる。

Claims

請求の範囲

[1] 8枚の反射鏡を有し、第 1面の縮小像を第 2面上に形成する反射型投影光学系において、前記第 1面の中間像を形成するための第 1反射結像光学系と、前記中間像の像を前記第 2面上に形成するための第 2反射結像光学系を備え、

前記第 1反射結像光学系は、前記第 1面側から光束の入射順に、第 1反射鏡 Mlと第 2反射鏡 M2と第 3反射鏡 M3と第 4反射鏡 M4とを有し、

前記第 2反射結像光学系は、前記第 1面側から光束の入射順に、第 5反射鏡 M5と第 6反射鏡 M6と、第 7反射鏡 M7と第 8反射鏡 M8とを有し、 8枚の前記反射鏡のうち少なくとも一つの反射面は球面で構成され、他の反射面は非球面で構成されたことを特徴とする反射型投影光学系。

[2] 請求項 1に記載の反射型投影光学系にお!、て、

前記第 4反射鏡 M4または Zおよび前記第 5反射鏡 M5の反射面は球面で構成されたことを特徴とする反射型投影光学系。

[3] 請求項 1または 2に記載の反射型投影光学系にお、て、

前記 8枚の反射鏡のうち、相対的に製造誤差の要求が高い反射鏡の反射面が球面で構成されたことを特徴とする反射型投影光学系。

[4] 請求項 1乃至 3の、ずれか 1項に記載の反射型投影光学系にお、て、

前記 8枚の反射鏡のうち、前記反射面に入射する光束の入射角が相対的に大きい反射鏡が球面で構成されていることを特徴とする反射型投影光学系。

[5] 請求項 1乃至 4の、ずれか 1項に記載の反射型投影光学系にお、て、

前記 8枚の反射鏡のうち、結像に寄与する光束が前記反射面で反射する面積が相対的に小さい反射鏡が球面で構成されていることを特徴とする反射型投影光学系。

[6] 前記第 1反射結像光学系は、物体側より順に反射鏡、凹面鏡、凸面鏡、凹面鏡で構成されたことを特徴とする請求項 1乃至 5のいずれか 1項に記載の反射型投影光学系。

[7] 前記第 2反射結像光学系は、物体側より順に凹面鏡、反射鏡、凸面鏡、凹面鏡で構成されたことを特徴とする請求項 1乃至 6のいずれか 1項に記載の反射型投影光学系。

[8] 前記第 1面から前記第 1反射鏡 Mlまでの距離を dlとするとき、

700mm≤ dl

であることを特徴とする請求項 1乃至 7のいずれか 1項に記載の反射型投影光学系。

[9] 前記第 1反射鏡 Mlから前記第 2反射鏡 M2までの距離を d2とするとき、

450mm≤ d2

であることを特徴とする請求項 1乃至 8のいずれか 1項に記載の反射型投影光学系。

[10] 記第 2反射鏡 M2から前記第 3反射鏡 M3までの距離を d3とするとき、

570mm≤ d3

であることを特徴とする請求項 1乃至 9のいずれか 1項に記載の反射型投影光学系。

[11] 請求項 1乃至 10のいずれか 1項に記載の反射型投影光学系であって、

dl :前記第 1面から前記第 1反射鏡 Mlまでの距離

d2 :前記第 1反射鏡 Mlから前記第 2反射鏡 M2までの距離

とするとき、前記第 2反射鏡 M2の位置が以下の条件を満足することを特徴とする反射型投影光学系。

1 く ά1/ά2 < 1. 9

[12] 請求項 1乃至 11のいずれか 1項に記載の反射型投影光学系であって、

d2 :前記第 1反射鏡 Mlから前記第 2反射鏡 Μ2までの距離

d3：前記第 2反射鏡 M2から前記第 3反射鏡 M3までの距離

とするとき、前記第 3反射鏡 M3の位置が以下の条件を満足することを特徴とする反射型投影光学系。

1. 1 < d3/d2 < 1. 5

[13] 反射鏡の最大有効径を M φとするとき、

400mm < Μ < 600mm

の条件を満足することを特徴とする請求項 1乃至 12のいずれか 1項に記載の反射型投影光学系。

[14] 反射鏡の最大有効径を M φ、前記第 1面における最大物体高を H0とするとき、 2 < Μ /HO < 4

の条件を満足することを特徴とする請求項 1乃至 13のいずれか 1項に記載の反射型投影光学系。

[15] 前記第 1面と前記第 2面との間の軸上間隔を TTとするとき、

1350mm < TT < 1800mm

の条件を満足することを特徴とする請求項 1乃至 14のいずれか 1項に記載の反射型投影光学系。

[16] 前記第 1面と前記第 2面との間の軸上間隔を TT、前記第 1面における最大物体高を HOとするとき、

8<TT/HO< 15

の条件を満足することを特徴とする請求項 1乃至 15のいずれか 1項に記載の反射型投影光学系。

[17] 像側開口数 NAは、少なくとも 0. 20以上であることを特徴とする請求項 1乃至 16のいずれか 1項に記載の反射型投影光学系。

[18] 前記第 1面に設定されたマスクを照明するための照明系と、前記マスクのパターンを前記第 2面に設定された感光性基板上へ投影露光するための請求項 1乃至 17のいずれか 1項に記載の反射型投影光学系とを備えていることを特徴とする露光装置。

[19] 前記照明系は、露光光として X線を供給するための光源を有し、前記反射型投影光学系に対して前記マスクおよび前記感光性基板を相対移動させて、前記マスクのパターンを前記感光性基板上に投影露光することを特徴とする請求項 18に記載の露光装置。

[20] 少なくとも 8枚の反射鏡を有し、第 1面の縮小像を第 2面上に形成する反射型投影光学系において、

前記少なくとも 8枚の反射鏡のうち、前記反射面に入射する光束の入射角が相対的に大きい反射鏡が球面で構成されていることを特徴とする反射型投影光学系。

[21] 少なくとも 8枚の反射鏡を有し、第 1面の縮小像を第 2面上に形成する反射型投影光学系において、

前記少なくとも 8枚の反射鏡のうち、結像に寄与する光束が前記反射面で反射する面積が相対的に小さい反射鏡が球面で構成されていることを特徴とする反射型投影光学系。