JP4957548B2 - 投影光学系、および露光装置 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 228
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 123
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 9
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 66
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 60
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 49
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 19
- 206010010071 Coma Diseases 0.000 description 18
- 206010073261 Ovarian theca cell tumour Diseases 0.000 description 18
- 208000001644 thecoma Diseases 0.000 description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 2
- 230000004304 visual acuity Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03F7/70216—Mask projection systems
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Description
前記第1面の中間像を形成するための第1反射結像光学系と、前記中間像の像を前記第2面上に形成するための第2反射結像光学系とを備え、
前記第1反射結像光学系は、前記第1面側から光の入射順に、第1反射鏡M1と第2反射鏡M2と第3反射鏡M3と第4反射鏡M4とを有し、
前記第2反射結像光学系は、前記第1面側から光の入射順に、第5反射鏡M5と第6反射鏡M6と第7反射鏡M7と第8反射鏡M8とを有し、
前記第1反射鏡M1、前記第4反射鏡M4、前記第5反射鏡M5、および前記第8反射鏡M8は、凹面状の反射面を有し、
前記第7反射鏡M7は、凸面状の反射面を有し、
前記第2反射鏡M2および前記第3反射鏡M3のうち、一方の反射鏡は凹面状の反射面を有し、他方の反射鏡は凸面状の反射面を有し、
前記第2面上に形成される円弧状の有効結像領域の中心と光軸との間の距離をYcとし、前記有効結像領域の中心と前記光軸とを結ぶ方向に沿った前記有効結像領域の幅寸法をDwとするとき、
0.06<Dw/Yc
の条件を満足することを特徴とする投影光学系を提供する。
前記第1面の中間像を形成するための第1反射結像光学系と、前記中間像の像を前記第2面上に形成するための第2反射結像光学系とを備え、
前記第1反射結像光学系は、前記第1面側から光の入射順に、第1反射鏡M1と第2反射鏡M2と第3反射鏡M3と第4反射鏡M4とを有し、
前記第2反射結像光学系は、前記第1面側から光の入射順に、第5反射鏡M5と第6反射鏡M6と第7反射鏡M7と第8反射鏡M8とを有し、
前記第1反射鏡M1、前記第4反射鏡M4、前記第5反射鏡M5、および前記第8反射鏡M8は、凹面状の反射面を有し、
前記第6反射鏡M6および前記第7反射鏡M7は、凸面状の反射面を有し、
前記第2反射鏡M2および前記第3反射鏡M3のうち、一方の反射鏡は凹面状の反射面を有し、他方の反射鏡は凸面状の反射面を有することを特徴とする投影光学系を提供する。
2 波長選択フィルタ
3 照明光学系
4 マスク
5 マスクステージ
6 投影光学系
7 ウェハ
8 ウェハステージ
M1〜M8 反射鏡
0.06<Dw/Yc (1)
0.064<Dw/Yc (1A)
0.06<Dw/Yc<0.2 (1B)
0.064<Dw/Yc<0.09 (1C)
0.09<Dw/Yc<0.3 (1D)
0.1<Dw/Yc<0.4 (1E)
0.2<Dw/Yc<0.9 (1F)
0.13<Dw/Yc<0.8 (1’)
5.0<|R6|/Yc<50.0 (2)
8.0<|R6|/Yc<15.0 (2A)
0.13<Dw/Yc<0.3 (1’D)
0.2<Dw/Yc<0.4 (1’E)
0.3<Dw/Yc<0.8 (1’F)
0.5<H0/Mφ (3)
0.1<L12/TL<0.7 (4)
0.85<Mφ4/Mφ5<1.2 (5)
+C4・y4+C6・y6+C8・y8+C10・y10+・・・ (b)
図3は、本実施形態の第1実施例にかかる投影光学系の構成を示す図である。図3を参照すると、第1実施例の投影光学系では、マスク4からの光は、第1反射鏡M1の凹面状の反射面、第2反射鏡M2の凸面状の反射面、第3反射鏡M3の凹面状の反射面、および第4反射鏡M4の凹面状の反射面で順次反射された後、マスクパターンの中間像I1を形成する。そして、第1反射結像光学系G1を介して形成されたマスクパターン中間像I1からの光は、第5反射鏡M5の凹面状の反射面、第6反射鏡M6の凸面状の反射面、第7反射鏡M7の凸面状の反射面、および第8反射鏡M8の凹面状の反射面で順次反射された後、ウェハ7上にマスクパターンの縮小像(二次像)を形成する。
(主要諸元)
λ=13.5nm
β=1/4
NA=0.40
H0=162mm
φ=40.5mm
LX=26mm
LY=3mm
(光学部材諸元)
面番号 r d
(マスク面) 614.28
1 -1046.58 -320.59 (第1反射鏡M1)
∞ 0.00 (開口絞りAS)
2 -2359.60 252.14 (第2反射鏡M2)
3 -6000.00 -425.83 (第3反射鏡M3)
4 1536.42 1132.65 (第4反射鏡M4)
5 -732.40 -123.97 (第5反射鏡M5)
6 -5896.50 223.97 (第6反射鏡M6)
7 186.82 -323.97 (第7反射鏡M7)
8 385.69 363.97 (第8反射鏡M8)
(ウェハ面)
(非球面データ)
1面
κ=0.000000
C4=−0.490353×10-9 C6=0.187833×10-13
C8=−0.668369×10-18 C10=0.156078×10-22
C12=−0.263090×10-27 C14=0.289428×10-32
C16=−0.146699×10-37
2面
κ=0.000000
C4=−0.523095×10-8 C6=−0.792438×10-13
C8=−0.395537×10-17 C10=0.1446776×10-20
C12=−0.442304×10-24 C14=0.656994×10-28
C16=−0.375633×10-32
3面
κ=0.000000
C4=−0.345747×10-8 C6=0.160234×10-13
C8=−0.812557×10-19 C10=−0.405318×10-23
C12=0.251637×10-27 C14=−0.643795×10-32
C16=0.636242×10-37
4面
κ=0.000000
C4=−0.509993×10-9 C6=−0.461373×10-15
C8=−0.558537×10-19 C10=0.135987×10-23
C12=−0.229961×10-28 C14=0.207457×10-33
C16=−0.784057×10-39
5面
κ=0.000000
C4=−0.877467×10-9 C6=0.419330×10-14
C8=−0.522321×10-18 C10=0.191134×10-22
C12=−0.339849×10-27 C14=0.305964×10-32
C16=−0.112252×10-37
6面
κ=0.000000
C4=−0.486930×10-8 C6=0.553011×10-13
C8=−0.497239×10-18 C10=0.254040×10-23
C12=−0.718269×10-28 C14=0.424298×10-32
C16=−0.641606×10-37
7面
κ=0.000000
C4=0.176088×10-7 C6=−0.360246×10-12
C8=0.370692×10-15 C10=−0.278352×10-19
C12=0.309556×10-23 C14=−0.277603×10-28
C16=−0.221395×10-31
8面
κ=0.000000
C4=0.747781×10-10 C6=0.730980×10-15
C8=0.332054×10-20 C10=0.126494×10-24
C12=−0.273171×10-29 C14=0.536041×10-34
C16=−0.379263×10-39
(条件式対応値)
Dw=LY=3mm
Yc=φ−Dw/2=39mm
|R6|=5896.50mm
Mφ=237.56mm(第5反射鏡M5において最大)
L12=414.40mm
TL=1392.65mm
Mφ4=227.84mm
Mφ5=237.56mm
(1)Dw/Yc=0.077
(2)|R6|/Yc=151.2>50.0
(3)H0/Mφ=0.682
(4)L12/TL=0.298
(5)Mφ4/Mφ5=0.959
図5は、本実施形態の第2実施例にかかる投影光学系の構成を示す図である。図5を参照すると、第2実施例の投影光学系では、マスク4からの光は、第1反射鏡M1の凹面状の反射面、第2反射鏡M2の凹面状の反射面、第3反射鏡M3の凸面状の反射面、および第4反射鏡M4の凹面状の反射面で順次反射された後、マスクパターンの中間像I1を形成する。そして、第1反射結像光学系G1を介して形成されたマスクパターン中間像I1からの光は、第5反射鏡M5の凹面状の反射面、第6反射鏡M6の凸面状の反射面、第7反射鏡M7の凸面状の反射面、および第8反射鏡M8の凹面状の反射面で順次反射された後、ウェハ7上にマスクパターンの縮小像(二次像)を形成する。次の表(2)に、第2実施例にかかる投影光学系の諸元の値を掲げる。
(主要諸元)
λ=13.5nm
β=1/4
NA=0.35
H0=164mm
φ=41mm
LX=26mm
LY=4mm
(光学部材諸元)
面番号 r d
(マスク面) 618.92
1 -1636.50 -415.49 (第1反射鏡M1)
∞ 0.00 (開口絞りAS)
2 2528.81 295.36 (第2反射鏡M2)
3 1392.94 -378.79 (第3反射鏡M3)
4 1236.53 1315.65 (第4反射鏡M4)
5 -772.13 -130.26 (第5反射鏡M5)
6 -6000.00 232.08 (第6反射鏡M6)
7 202.38 -332.08 (第7反射鏡M7)
8 395.89 372.08 (第8反射鏡M8)
(ウェハ面)
(非球面データ)
1面
κ=0.000000
C4=−0.217127×10-9 C6=0.393782×10-14
C8=−0.299814×10-18 C10=0.902223×10-23
C12=−0.152035×10-27 C14=0.964488×10-33
C16=0.455030×10-38
2面
κ=0.000000
C4=−0.218946×10-8 C6=−0.126364×10-13
C8=−0.164756×10-17 C10=0.616260×10-21
C12=−0.146840×10-24 C14=0.190021×10-28
C16=−0.101697×10-32
3面
κ=0.000000
C4=−0.420438×10-8 C6=0.171516×10-13
C8=−0.331765×10-20 C10=−0.948704×10-23
C12=0.600014×10-27 C14=−0.207904×10-31
C16=0.309146×10-36
4面
κ=0.000000
C4=−0.320214×10-9 C6=−0.872275×10-15
C8=0.372560×10-20 C10=−0.139110×10-24
C12=0.210288×10-29 C14=−0.181824×10-34
C16=0.660041×10-40
5面
κ=0.000000
C4=−0.265916×10-9 C6=−0.498664×10-14
C8=−0.318509×10-18 C10=0.165506×10-22
C12=−0.321621×10-27 C14=0.300988×10-32
C16=−0.113223×10-37
6面
κ=0.000000
C4=−0.301025×10-8 C6=0.519481×10-13
C8=−0.158462×10-17 C10=0.751265×10-22
C12=−0.246106×10-26 C14=0.435279×10-31
C16=−0.322162×10-36
7面
κ=0.000000
C4=0.172901×10-7 C6=0.115045×10-11
C8=0.210667×10-15 C10=−0.294788×10-20
C12=−0.579816×10-23 C14=0.205736×10-26
C16=−0.202972×10-30
8面
κ=0.000000
C4=0.932327×10-10 C6=0.769214×10-15
C8=0.329356×10-20 C10=0.122723×10-24
C12=−0.247447×10-29 C14=0.359947×10-34
C16=−0.140188×10-39
(条件式対応値)
Dw=LY=4mm
Yc=φ−Dw/2=39mm
|R6|=6000.00mm
Mφ=244.34mm(第4反射鏡M4において最大)
L12=586.47mm
TL=1577.47mm
Mφ4=244.34mm
Mφ5=231.99mm
(1)Dw/Yc=0.103
(2)|R6|/Yc=153.8>50.0
(3)H0/Mφ=0.671
(4)L12/TL=0.372
(5)Mφ4/Mφ5=1.053
図7は、本実施形態の第3実施例にかかる投影光学系の構成を示す図である。図7を参照すると、第3実施例の投影光学系では、マスク4からの光は、第1反射鏡M1の凹面状の反射面、第2反射鏡M2の凹面状の反射面、第3反射鏡M3の凸面状の反射面、および第4反射鏡M4の凹面状の反射面で順次反射された後、マスクパターンの中間像I1を形成する。そして、第1反射結像光学系G1を介して形成されたマスクパターン中間像I1からの光は、第5反射鏡M5の凹面状の反射面、第6反射鏡M6の凹面状の反射面、第7反射鏡M7の凸面状の反射面、および第8反射鏡M8の凹面状の反射面で順次反射された後、ウェハ7上にマスクパターンの縮小像(二次像)を形成する。次の表(3)に、第3実施例にかかる投影光学系の諸元の値を掲げる。
(主要諸元)
λ=13.5nm
β=1/4
NA=0.30
H0=166mm
φ=41.5mm
LX=26mm
LY=5mm
(光学部材諸元)
面番号 r d
(マスク面) 690.17
1 -4096.57 -570.17 (第1反射鏡M1)
∞ 0.00 (開口絞りAS)
2 1557.29 493.57 (第2反射鏡M2)
3 1542.00 -433.57 (第3反射鏡M3)
4 1586.97 1223.25 (第4反射鏡M4)
5 -896.28 -145.92 (第5反射鏡M5)
6 40438.56 248.88 (第6反射鏡M6)
7 219.59 -348.95 (第7反射鏡M7)
8 415.44 389.14 (第8反射鏡M8)
(ウェハ面)
(非球面データ)
1面
κ=0.000000
C4=−0.483330×10-10 C6=0.573487×10-15
C8=−0.179244×10-18 C10=0.702134×10-23
C12=−0.154388×10-27 C14=0.158340×10-32
C16=−0.179820×10-38
2面
κ=0.000000
C4=−0.405093×10-9 C6=−0.127121×10-14
C8=−0.763009×10-19 C10=0.179769×10-22
C12=−0.265344×10-26 C14=0.215606×10-30
C16=−0.737322×10-35
3面
κ=0.000000
C4=−0.212738×10-8 C6=0.475173×10-14
C8=0.339618×10-19 C10=−0.501477×10-23
C12=0.277906×10-27 C14=−0.859567×10-32
C16=0.113488×10-36
4面
κ=0.000000
C4=−0.312683×10-9 C6=−0.758371×10-15
C8=0.417824×10-20 C10=−0.136254×10-24
C12=0.212228×10-29 C14=−0.190100×10-34
C16=0.720404×10-40
5面
κ=0.000000
C4=−0.345169×10-9 C6=−0.135689×10-14
C8=−0.327372×10-18 C10=0.152106×10-22
C12=−0.294901×10-27 C14=0.280270×10-32
C16=−0.107465×10-37
6面
κ=0.000000
C4=−0.250967×10-8 C6=0.679739×10-13
C8=−0.319316×10-17 C10=0.135706×10-21
C12=−0.374881×10-26 C14=0.585595×10-31
C16=−0.395032×10-36
7面
κ=0.000000
C4=0.150624×10-7 C6=0.991716×10-12
C8=0.166338×10-15 C10=−0.142668×10-19
C12=−0.150178×10-23 C14=0.120639×10-26
C16=−0.142962×10-30
8面
κ=0.000000
C4=0.820008×10-10 C6=0.613165×10-15
C8=0.249928×10-20 C10=0.925818×10-25
C12=−0.242147×10-29 C14=0.397522×10-34
C16=−0.167577×10-39
(条件式対応値)
Dw=LY=5mm
Yc=φ−Dw/2=39mm
|R6|=40438.56mm
Mφ=232.66mm(第4反射鏡M4において最大)
L12=467.08mm
TL=1546.39mm
Mφ4=232.66mm
Mφ5=226.90mm
(1)Dw/Yc=0.128
(2)|R6|/Yc=1036.9>50.0
(3)H0/Mφ=0.713
(4)L12/TL=0.302
(5)Mφ4/Mφ5=1.025
図9は、本実施形態の第4実施例にかかる投影光学系の構成を示す図である。図9を参照すると、第4実施例の投影光学系では、マスク4からの光は、第1反射鏡M1の凹面状の反射面、第2反射鏡M2の凹面状の反射面、第3反射鏡M3の凸面状の反射面、および第4反射鏡M4の凹面状の反射面で順次反射された後、マスクパターンの中間像I1を形成する。そして、第1反射結像光学系G1を介して形成されたマスクパターン中間像I1からの光は、第5反射鏡M5の凹面状の反射面、第6反射鏡M6の凸面状の反射面、第7反射鏡M7の凸面状の反射面、および第8反射鏡M8の凹面状の反射面で順次反射された後、ウェハ7上にマスクパターンの縮小像(二次像)を形成する。次の表(4)に、第4実施例にかかる投影光学系の諸元の値を掲げる。
(主要諸元)
λ=13.5nm
β=1/4
NA=0.35
H0=168mm
φ=42mm
LX=26mm
LY=6mm
(光学部材諸元)
面番号 r d
(マスク面) 574.44
1 -1438.09 -393.01 (第1反射鏡M1)
∞ 0.00 (開口絞りAS)
2 3866.13 291.66 (第2反射鏡M2)
3 1472.75 -353.10 (第3反射鏡M3)
4 1146.08 1160.96 (第4反射鏡M4)
5 -482.14 -106.78 (第5反射鏡M5)
6 -544.10 208.88 (第6反射鏡M6)
7 258.86 -338.06 (第7反射鏡M7)
8 403.16 378.06 (第8反射鏡M8)
(ウェハ面)
(非球面データ)
1面
κ=0.000000
C4=−0.480727×10-9 C6=0.17145×10-14
C8=0.519061×10-19 C10=−0.200289×10-23
C12=0.388495×10-28 C14=−0.403938×10-33
C16=0.200167×10-38
2面
κ=0.000000
C4=0.255477×10-8 C6=0.176224×10-12
C8=0.590733×10-17 C10=0.117702×10-20
C12=−0.292975×10-24 C14=0.576524×10-28
C16=−0.425945×10-32
3面
κ=0.000000
C4=−0.352219×10-8 C6=0.180042×10-13
C8=−0.187675×10-18 C10=0.567699×10-23
C12=−0.207949×10-27 C14=0.338569×10-32
C16=−0.115858×10-37
4面
κ=0.000000
C4=−0.283304×10-9 C6=−0.630992×10-15
C8=0.197038×10-20 C10=−0.745709×10-25
C12=0.997049×10-30 C14=−0.713015×10-35
C16=0.192777×10-40
5面
κ=0.000000
C4=0.816361×10-9 C6=−0.304667×10-14
C8=0.157393×10-18 C10=−0.295696×10-23
C12=0.343787×10-28 C14=−0.199811×10-33
C16=0.411332×10-39
6面
κ=0.000000
C4=0.447236×10-8 C6=0.135751×10-13
C8=−0.403434×10-17 C10=0.240767×10-21
C12=−0.783799×10-26 C14=0.136361×10-30
C16=−0.985105×10-36
7面
κ=0.000000
C4=0.463275×10-7 C6=0.159037×10-11
C8=0.640137×10-16 C10=0.779121×10-20
C12=0.182305×10-23 C14=−0.403909×10-27
C16=0.461146×10-31
8面
κ=0.000000
C4=−0.214341×10-10 C6=−0.379937×10-15
C8=−0.380405×10-20 C10=−0.953193×10-25
C12=0.128527×10-29 C14=−0.361995×10-34
C16=0.217037×10-39
(条件式対応値)
Dw=LY=6mm
Yc=φ−Dw/2=39mm
|R6|=544.10mm
Mφ=252.45mm(第4反射鏡M4において最大)
L12=470.56mm
TL=1423.06mm
Mφ4=252.45mm
Mφ5=229.97mm
(1’)Dw/Yc=0.154
(2)|R6|/Yc=13.95
(3)H0/Mφ=0.665
(4)L12/TL=0.331
(5)Mφ4/Mφ5=1.098
図11は、本実施形態の第5実施例にかかる投影光学系の構成を示す図である。図11を参照すると、第5実施例の投影光学系では、マスク4からの光は、第1反射鏡M1の凹面状の反射面、第2反射鏡M2の凹面状の反射面、第3反射鏡M3の凸面状の反射面、および第4反射鏡M4の凹面状の反射面で順次反射された後、マスクパターンの中間像I1を形成する。そして、第1反射結像光学系G1を介して形成されたマスクパターン中間像I1からの光は、第5反射鏡M5の凹面状の反射面、第6反射鏡M6の凸面状の反射面、第7反射鏡M7の凸面状の反射面、および第8反射鏡M8の凹面状の反射面で順次反射された後、ウェハ7上にマスクパターンの縮小像(二次像)を形成する。次の表(5)に、第5実施例にかかる投影光学系の諸元の値を掲げる。
(主要諸元)
λ=13.5nm
β=1/4
NA=0.3
H0=176mm
φ=44mm
LX=26mm
LY=10mm
(光学部材諸元)
面番号 r d
(マスク面) 760.23
1 -3240.17 -503.13 (第1反射鏡M1)
∞ 0.00 (開口絞りAS)
2 1307.73 453.32 (第2反射鏡M2)
3 985.72 -393.32 (第3反射鏡M3)
4 1230.44 958.91 (第4反射鏡M4)
5 -448.68 -100.12 (第5反射鏡M5)
6 -449.21 200.12 (第6反射鏡M6)
7 295.16 -322.82 (第7反射鏡M7)
8 396.16 362.82 (第8反射鏡M8)
(ウェハ面)
(非球面データ)
1面
κ=0.000000
C4=0.336144×10-9 C6=−0.183014×10-14
C8=0.611653×10-19 C10=−0.236919×10-23
C12=0.834293×10-28 C14=−0.186023×10-32
C16=0.183215×10-37
2面
κ=0.000000
C4=−0.184273×10-9 C6=−0.272371×10-14
C8=−0.499580×10-19 C10=0.394720×10-23
C12=−0.849953×10-27 C14=0.836092×10-31
C16=−0.329935×10-35
3面
κ=0.000000
C4=−0.243751×10-8 C6=0.685487×10-14
C8=−0.427509×10-19 C10=−0.799913×10-24
C12=0.456330×10-28 C14=−0.157178×10-32
C16=0.221022×10-37
4面
κ=0.000000
C4=−0.327130×10-9 C6=−0.558339×10-15
C8=−0.120344×10-19 C10=0.232465×10-24
C12=−0.346399×10-29 C14=0.270910×10-34
C16=−0.935974×10-40
5面
κ=0.000000
C4=0.553261×10-9 C6=0.466315×10-14
C8=−0.589319×10-19 C10=0.100641×10-23
C12=−0.760718×10-29 C14=0.353039×10-34
C16=−0.922030×10-40
6面
κ=0.000000
C4=0.410307×10-8 C6=−0.114627×10-13
C8=0.629088×10-18 C10=−0.885802×10-22
C12=0.614843×10-26 C14=−0.200625×10-30
C16=0.322162×10-35
7面
κ=0.000000
C4=0.127776×10-7 C6=0.540836×10-12
C8=−0.454270×10-16 C10=0.178687×10-19
C12=−0.561231×10-23 C14=0.945578×10-27
C16=−0.699724×10-31
8面
κ=0.000000
C4=0.120958×10-9 C6=0.119111×10-14
C8=0.102490×10-19 C10=−0.827807×10-25
C12=0.946779×10-29 C14=−0.273355×10-33
C16=0.338716×10-38
(条件式対応値)
Dw=LY=10mm
Yc=φ−Dw/2=39mm
|R6|=449.21mm
Mφ=237.64mm(第4反射鏡M4において最大)
L12=292.95mm
TL=1416.00mm
Mφ4=237.64mm
Mφ5=218.50mm
(1’)Dw/Yc=0.256
(2)|R6|/Yc=11.52
(3)H0/Mφ=0.741
(4)L12/TL=0.207
(5)Mφ4/Mφ5=1.088
図13は、本実施形態の第6実施例にかかる投影光学系の構成を示す図である。図13を参照すると、第6実施例の投影光学系では、マスク4からの光は、第1反射鏡M1の凹面状の反射面、第2反射鏡M2の凹面状の反射面、第3反射鏡M3の凸面状の反射面、および第4反射鏡M4の凹面状の反射面で順次反射された後、マスクパターンの中間像I1を形成する。そして、第1反射結像光学系G1を介して形成されたマスクパターン中間像I1からの光は、第5反射鏡M5の凹面状の反射面、第6反射鏡M6の凸面状の反射面、第7反射鏡M7の凸面状の反射面、および第8反射鏡M8の凹面状の反射面で順次反射された後、ウェハ7上にマスクパターンの縮小像(二次像)を形成する。次の表(6)に、第6実施例にかかる投影光学系の諸元の値を掲げる。
(主要諸元)
λ=13.5nm
β=1/4
NA=0.20
H0=196mm
φ=49.0mm
LX=26mm
LY=20mm
(光学部材諸元)
面番号 r d
(マスク面) 538.59
1 -1614.79 -418.59 (第1反射鏡M1)
∞ 0.00 (開口絞りAS)
2 1420.88 322.40 (第2反射鏡M2)
3 537.13 -262.40 (第3反射鏡M3)
4 806.79 1236.65 (第4反射鏡M4)
5 -584.42 -156.20 (第5反射鏡M5)
6 -431.38 256.20 (第6反射鏡M6)
7 474.30 -407.60 (第7反射鏡M7)
8 498.30 447.60 (第8反射鏡M8)
(ウェハ面)
(非球面データ)
1面
κ=0.000000
C4=−0.936325×10-9 C6=−0.374535×10-15
C8=0.120552×10-18 C10=−0.603200×10-23
C12=0.226759×10-27 C14=−0.433963×10-32
C16=0.300721×10-37
2面
κ=0.000000
C4=0.14556910-8 C6=0.130305×10-13
C8=0.288744×10-16 C10=−0.494080×10-19
C12=0.527970×10-22 C14=−0.304921×10-25
C16=0.721823×10-29
3面
κ=0.000000
C4=−0.360946×10-8 C6=0.662389×10-14
C8=0.610638×10-18 C10=−0.101801×10-21
C12=0.753451×10-26 C14=−0.284951×10-30
C16=0.432128×10-35
4面
κ=0.000000
C4=−0.242980×10-9 C6=−0.323320×10-15
C8=−0.389364×10-20 C10=0.527716×10-25
C12=−0.603878×10-30 C14=0.365779×10-35
C16=−0.973273×10-41
5面
κ=0.000000
C4=0.204762×10-9 C6=0.341285×10-14
C8=−0.950018×10-19 C10=0.175594×10-23
C12=−0.191132×10-28 C14=0.115231×10-33
C16=−0.293933×10-39
6面
κ=0.000000
C4=0.365416×10-10 C6=0.140726×10-13
C8=−0.685356×10-17 C10=0.626948×10-21
C12=−0.323188×10-25 C14=0.908127×10-30
C16=−0.107245×10-34
7面
κ=0.000000
C4=0.173457×10-7 C6=0.137342×10-12
C8=−0.525501×10-17 C10=0.569263×10-20
C12=−0.237279×10-23 C14=0.539415×10-27
C16=−0.477824×10-31
8面
κ=0.000000
C4=0.666843×10-10 C6=0.325887×10-15
C8=0.197007×10-20 C10=−0.101960×10-25
C12=−0.163295×10-29 C14=0.121569×10-33
C16=−0.230387×10-38
(条件式対応値)
Dw=LY=20mm
Yc=φ−Dw/2=39mm
|R6|=431.38mm
Mφ=298.19mm(第4反射鏡M4において最大)
L12=570.46mm
TL=1556.65mm
Mφ4=298.19mm
Mφ5=290.37mm
(1’)Dw/Yc=0.513
(2)|R6|/Yc=11.06
(3)H0/Mφ=0.657
(4)L12/TL=0.366
(5)Mφ4/Mφ5=1.027
Claims (19)
- 8つの反射鏡を備え、第1面の縮小像を第2面上に形成する投影光学系において、
前記第1面の中間像を形成するための第1反射結像光学系と、前記中間像の像を前記第2面上に形成するための第2反射結像光学系とを備え、
前記第1反射結像光学系は、前記第1面側から光の入射順に、第1反射鏡M1と第2反射鏡M2と第3反射鏡M3と第4反射鏡M4とを有し、
前記第2反射結像光学系は、前記第1面側から光の入射順に、第5反射鏡M5と第6反射鏡M6と第7反射鏡M7と第8反射鏡M8とを有し、
前記第1反射鏡M1、前記第4反射鏡M4、前記第5反射鏡M5、および前記第8反射鏡M8は、凹面状の反射面を有し、
前記第7反射鏡M7は、凸面状の反射面を有し、
前記第2反射鏡M2および前記第3反射鏡M3のうち、一方の反射鏡は凹面状の反射面を有し、他方の反射鏡は凸面状の反射面を有し、
前記第2面上に形成される円弧状の有効結像領域の中心と光軸との間の距離をYcとし、前記有効結像領域の中心と前記光軸とを結ぶ方向に沿った前記有効結像領域の幅寸法をDwとし、前記第1面における最大物体高をH0とし、前記8つの反射鏡M1〜M8の有効半径の最大値をMφとするとき、
0.06<Dw/Yc
0.5<H0/Mφ
の条件を満足することを特徴とする投影光学系。 - 像側開口数NAが0.15よりも大きく、
0.064<Dw/Yc
の条件を満足することを特徴とする請求項1に記載の投影光学系。 - 像側開口数NAが0.35よりも大きく且つ0.55以下であり、
0.06<Dw/Yc<0.2
の条件を満足することを特徴とする請求項1に記載の投影光学系。 - 像側開口数NAが0.35よりも大きく且つ0.45よりも小さく、
0.064<Dw/Yc<0.09
の条件を満足することを特徴とする請求項3に記載の投影光学系。 - 像側開口数NAが0.3よりも大きく且つ0.4よりも小さく、
0.09<Dw/Yc<0.3
の条件を満足することを特徴とする請求項1に記載の投影光学系。 - 像側開口数NAが0.25よりも大きく且つ0.35よりも小さく、
0.1<Dw/Yc<0.4
の条件を満足することを特徴とする請求項1に記載の投影光学系。 - 像側開口数NAが0.15よりも大きく且つ0.25以下であり、
0.2<Dw/Yc<0.9
の条件を満足することを特徴とする請求項1に記載の投影光学系。 - 像側開口数NAが0.3よりも大きく且つ0.4よりも小さく、
0.13<Dw/Yc<0.3
の条件を満足することを特徴とする請求項5に記載の投影光学系。 - 像側開口数NAが0.25よりも大きく且つ0.35よりも小さく、
0.2<Dw/Yc<0.4
の条件を満足することを特徴とする請求項6に記載の投影光学系。 - 像側開口数NAが0.15よりも大きく且つ0.25以下であり、
0.3<Dw/Yc<0.8
の条件を満足することを特徴とする請求項7に記載の投影光学系。 - 前記第6反射鏡M6は凸面状の反射面を有することを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の投影光学系。
- 前記第6反射鏡M6は、凸面状の反射面を有し、
前記第6反射鏡M6の反射面の曲率半径をR6とするとき、
5.0<|R6|/Yc<50.0
の条件を満足することを特徴とする請求項8乃至10のいずれか1項に記載の投影光学系。 - 前記第6反射鏡M6は、凸面状の反射面を有し、
前記第6反射鏡M6の反射面の曲率半径をR6とするとき、
0.13<Dw/Yc<0.8
5.0<|R6|/Yc<50.0
の条件を満足することを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の投影光学系。 - 8.0<|R6|/Yc<15.0
の条件を満足することを特徴とする請求項13に記載の投影光学系。 - 前記有効結像領域の幅寸法Dwは2.5mm以上であることを特徴とする請求項1乃至14のいずれか1項に記載の投影光学系。
- 前記第1反射結像光学系中の第2面に最も近い反射面と前記第2反射結像光学系中の第1面に最も近い反射面との間の軸上間隔をL12とし、前記第1面と前記第2面との間の軸上間隔をTLとするとき、
0.1<L12/TL<0.7
の条件を満足することを特徴とする請求項1乃至15のいずれか1項に記載の投影光学系。 - 前記8つの反射鏡M1〜M8の全ては、非球面形状に形成された反射面を有することを特徴とする請求項1乃至16のいずれか1項に記載の投影光学系。
- 前記第2反射鏡M2の反射面上に開口絞りが設けられていることを特徴とする請求項1乃至17のいずれか1項に記載の投影光学系。
- 前記第1面に設定されたマスクを照明するための照明系と、前記マスクのパターンを前記第2面に設定された感光性基板上へ投影するための請求項1乃至18のいずれか1項に記載の投影光学系とを備えていることを特徴とする露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007532048A JP4957548B2 (ja) | 2005-08-24 | 2006-08-07 | 投影光学系、および露光装置 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005242445 | 2005-08-24 | ||
JP2005242445 | 2005-08-24 | ||
PCT/JP2006/315577 WO2007023665A1 (ja) | 2005-08-24 | 2006-08-07 | 投影光学系、露光装置、およびデバイスの製造方法 |
JP2007532048A JP4957548B2 (ja) | 2005-08-24 | 2006-08-07 | 投影光学系、および露光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2007023665A1 JPWO2007023665A1 (ja) | 2009-02-26 |
JP4957548B2 true JP4957548B2 (ja) | 2012-06-20 |
Family
ID=37771416
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007532048A Active JP4957548B2 (ja) | 2005-08-24 | 2006-08-07 | 投影光学系、および露光装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7630057B2 (ja) |
JP (1) | JP4957548B2 (ja) |
WO (1) | WO2007023665A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008258461A (ja) * | 2007-04-06 | 2008-10-23 | Canon Inc | 反射型縮小投影光学系、露光装置及びデバイスの製造方法 |
US20090073392A1 (en) * | 2007-09-14 | 2009-03-19 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination System Including Grazing Incidence Mirror For Microlithography Exposure System |
KR102330570B1 (ko) | 2012-02-06 | 2021-11-25 | 가부시키가이샤 니콘 | 반사 결상 광학계, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
JP7111108B2 (ja) * | 2017-10-25 | 2022-08-02 | 株式会社ニコン | パターン描画装置 |
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JP2004170869A (ja) * | 2002-11-22 | 2004-06-17 | Nikon Corp | 結像光学系、露光装置および露光方法 |
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JP2005189248A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Nikon Corp | 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置 |
JP2005189247A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Nikon Corp | 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置 |
JP2005315918A (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-10 | Nikon Corp | 反射型投影光学系および該反射型投影光学系を備えた露光装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5686728A (en) | 1996-05-01 | 1997-11-11 | Lucent Technologies Inc | Projection lithography system and method using all-reflective optical elements |
US6213610B1 (en) | 1998-09-21 | 2001-04-10 | Nikon Corporation | Catoptric reduction projection optical system and exposure apparatus and method using same |
US6109756A (en) | 1998-09-21 | 2000-08-29 | Nikon Corporation | Catoptric reduction projection optical system |
JP2000100694A (ja) | 1998-09-22 | 2000-04-07 | Nikon Corp | 反射縮小投影光学系、該光学系を備えた投影露光装置および該装置を用いた露光方法 |
DE10052289A1 (de) | 2000-10-20 | 2002-04-25 | Zeiss Carl | 8-Spiegel-Mikrolithographie-Projektionsobjektiv |
TW573234B (en) | 2000-11-07 | 2004-01-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic projection apparatus and integrated circuit device manufacturing method |
JP2002162566A (ja) | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Nikon Corp | 光学系の設計方法,光学系および投影露光装置 |
JP2003015040A (ja) | 2001-07-04 | 2003-01-15 | Nikon Corp | 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置 |
JP2004138926A (ja) | 2002-10-21 | 2004-05-13 | Nikon Corp | 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置 |
TW200622304A (en) | 2004-11-05 | 2006-07-01 | Nikon Corp | Projection optical system and exposure device with it |
-
2006
- 2006-08-07 WO PCT/JP2006/315577 patent/WO2007023665A1/ja active Application Filing
- 2006-08-07 JP JP2007532048A patent/JP4957548B2/ja active Active
- 2006-08-23 US US11/508,290 patent/US7630057B2/en not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002116382A (ja) * | 2000-10-05 | 2002-04-19 | Nikon Corp | 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置 |
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JP2005189248A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Nikon Corp | 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置 |
JP2005189247A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Nikon Corp | 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置 |
JP2005315918A (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-10 | Nikon Corp | 反射型投影光学系および該反射型投影光学系を備えた露光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2007023665A1 (ja) | 2009-02-26 |
WO2007023665A1 (ja) | 2007-03-01 |
US20070046918A1 (en) | 2007-03-01 |
US7630057B2 (en) | 2009-12-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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