JP2006085166A - 投影光学系及び方法 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 171
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 71
- 230000004075 alteration Effects 0.000 claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 16
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 13
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 12
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 12
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000013461 design Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 206010010071 Coma Diseases 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B13/00—Optical objectives specially designed for the purposes specified below
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70241—Optical aspects of refractive lens systems, i.e. comprising only refractive elements
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
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Abstract
【解決手段】第1対象物を第2対象物の領域内に結像させる屈折投影光学系は、当該投影光学系の結像ビーム経路に沿って配置された複数のレンズを含み、当該投影光学系は、第2対象物側に1よりも大きい開口数を有し、第1対象物の中間像を生成し、かつ、中間像を第2対象物の領域内に結像させるように構成され、中間像は第1対象物と第2対象物との間に形成される。
【選択図】図4
Description
Claims (30)
- 第1対象物を第2対象物の領域内に結像させる屈折投影光学系であって、
前記投影光学系は、当該投影光学系の結像ビーム経路に沿って配置された複数のレンズを含み、
前記投影光学系は、前記第1対象物の中間像を生成し、かつ、前記中間像を前記第2対象物の領域内に結像させるように構成され、前記中間像は、前記第1対象物と前記第2対象物との間に形成されることを特徴とする屈折投影光学系。 - 前記複数のレンズが、複数の重複しないレンズ群に分割され、各レンズ群の全体の屈折力は、負の屈折力と正の屈折力のうちのいずれかであり、
第1レンズ群は正の屈折力を有し、
第2レンズ群は、正の屈折力を有すると共に、正の屈折力を有する前記第1レンズ群と前記第2対象物の前記領域との間に配置され、
前記中間像は、正の屈折力を有する前記第1レンズ群と、正の屈折力を有する前記第2レンズ群との間の領域に形成される請求項1に記載の屈折投影光学系。 - 負の屈折力を有する第3レンズ群が、正の屈折力を有する前記第1レンズ群と、正の屈折力を有する前記第2レンズ群との間の前記領域に配置された請求項2に記載の屈折投影光学系。
- 負の屈折力を有する第4レンズ群が、正の屈折力を有する前記第2レンズ群と、前記第2対象物の前記領域との間に配置され、正の屈折力を有する第5レンズ群が、負の屈折力を有する前記第4レンズ群と、前記第2対象物の前記領域との間に配置された請求項3に記載の屈折投影光学系。
- 前記第5レンズ群は、全レンズ群のうち、前記第2対象物に最も近接して配置されたレンズ群である請求項4に記載の屈折投影光学系。
- 負の屈折力を有する第6レンズ群が、正の屈折力を有する前記第1レンズ群と、前記第1対象物との間に配置され、正の屈折力を有する第7レンズ群が、負の屈折力を有する前記第6レンズ群と、前記第1対象物との間に配置された請求項2に記載の屈折投影光学系。
- 負の屈折力を有する第8レンズ群が、正の屈折力を有する前記第7レンズ群と、前記第1対象物との間に配置され、
正の屈折力を有する第9レンズ群が、負の屈折力を有する前記第8レンズ群と、前記第1対象物との間に配置され、
前記第9レンズ群は、全レンズ群のうち、前記第1対象物に最も近接して配置されたレンズ群である請求項6に記載の屈折投影光学系。 - 前記投影光学系が、前記第2対象物側に1よりも大きい開口数を有するように構成された請求項1に記載の屈折投影光学系。
- 前記屈折投影光学系は、1よりも大きい屈折率を有する液体を、前記第2対象物と、前記複数のレンズのうち前記第2対象物に最も近接して配置された前レンズとの間に有するように構成された浸漬タイプである請求項1に記載の屈折投影光学系。
- 前記中間像を前記第2対象物の前記領域内に結像させる倍率の絶対値が0.5よりも小さい請求項1に記載の屈折投影光学系。
- 前記第1対象物を前記中間像に結像させる倍率の絶対値が0.5よりも大きい請求項1に記載の屈折投影光学系。
- 前記第1対象物を前記中間像に結像させる倍率の、前記中間像を前記第2対象物の前記領域内に結像させる倍率に対する比率が、約2から10の範囲にある請求項1に記載の屈折投影光学系。
- 前記中間像の少なくとも1つの主光線の角度が4°よりも大きい、
前記中間像の縦球面収差が0.8mmよりも大きい、
前記中間像の非点収差値が11.0mmよりも大きい、
前記中間像の収差が1.5%よりも大きい、
前記投影光学系の光軸上のスポット径のRMS値が0.5mmよりも大きい、
前記投影光学系の光軸から最も離れたフィールドポイントでのスポット径のRMS値が5mmよりも大きい、及び
前記中間像での波面のRMS偏差が10λ/NAよりも大きい(ここで、λは結像光の波長であり、NAは前記中間像での結像の開口数である)、
という条件のうち少なくとも1つが満たされるように、前記第1対象物を前記中間像に結像させる請求項1に記載の屈折投影光学系。 - 前記第1対象物を前記第2像に結像させる際に、
前記像の少なくとも1つの主光線の角度が1°よりも小さい、
前記像の縦球面収差が0.001mmよりも小さい、
前記像の非点収差値が100nmよりも小さい、
前記像の収差が0.001%よりも小さい、
前記投影光学系の光軸上のスポット径のRMS値が0.001mmよりも小さい、
前記投影光学系の光軸から最も離れたフィールドポイントでのスポット径のRMS値が0.002mmよりも小さい、及び
波面のRMS偏差が回析限界の0.1倍よりも小さい、
という条件のうち少なくとも1つが満たされるように、前記第1対象物を前記第2像に結像させる請求項1に記載の屈折投影光学系。 - 前記系の全長を減ずるために前記ビーム経路を屈曲させる、少なくとも1つの、ほぼ平面のミラーをさらに含み、前記ミラーは前記光学系の結像ビーム経路中に配置される請求項1に記載の屈折投影光学系。
- 前記ほぼ平面のミラーが、1000mよりも大きい曲率半径を有する請求項15に記載の屈折投影光学系。
- 前記複数のレンズの各レンズの有効径が250mmよりも小さい請求項1に記載の屈折投影光学系。
- 前記光学系が物理的なビームスプリッタを含んでいない請求項1に記載の屈折投影光学系。
- 前記中間像が、当該中間像の自由直径の4倍よりも小さい曲率半径の像面湾曲を有する請求項1に記載の屈折投影光学系。
- 前記中間像が、完全に、2つの隣接したレンズの間の空間内に形成される請求項1に記載の屈折投影光学系。
- 照明光ビームを発生させる照明光学系と、
前記照明光ビーム内に第1対象物としてのパターニング構造を装着する第1装着台と、
第2対象物としての感光性基板を装着する第2装着台と、
前記パターニング構造を通過する前記照明光ビームの一部を用いて、前記第1対象物を前記第2対象物の領域内に結像させる請求項1〜16のいずれかに記載の屈折投影光学系とを備えた投影露光システム。 - パターニング構造を中間像に結像させる第1の結像工程と、
前記パターニング構造の前記中間像を感光性基板の領域内に結像させて、前記感光性基板を露光する第2の結像工程とを含み、
前記第1の結像工程と前記第2の結像工程とが、屈折投影光学系を用いて行われることを特徴とする微細構造装置の製造方法。 - 前記第1の結像工程が、
前記パターニング構造の下流側で結像ビームの断面を拡大する第1の断面拡大工程と、
前記第1の断面拡大工程の下流側で前記結像ビームの断面を縮小する第1の断面縮小工程と、
前記第1の断面縮小工程の下流側で前記結像ビームの断面を拡大する第2の断面拡大工程と、
前記第2の断面拡大工程の下流側で前記結像ビームの断面を縮小する第2の断面縮小工程と、
前記第2の断面縮小工程の下流側で前記結像ビームの断面を拡大する第3の断面拡大工程と、
前記第3の断面拡大工程の下流側で前記結像ビームの断面を縮小する第3の断面縮小工程とを含む請求項22に記載の方法。 - 前記第2の結像工程が、
前記中間像の下流側で前記結像ビームの断面を拡大する第4の断面拡大工程と、
前記第4の断面拡大工程の下流側で前記結像ビームの断面を縮小する第4の断面縮小工程と、
前記第4の断面縮小工程の下流側で前記結像ビームの断面を拡大する第5の断面拡大工程と、
前記第5の断面拡大工程の下流側で前記結像ビームの断面を縮小する第5の断面縮小工程とを含み、
前記第2の断面縮小工程の下流側で、前記結像ビームが前記感光性基板に入射する請求項22に記載の方法。 - 前記第2の結像工程は、前記感光性基板側に1よりも大きい開口数を有する請求項22に記載の方法。
- 前記感光性基板と、前記屈折投影光学系内で前記感光性基板に最も近接したレンズとの間の空間に液体を供給する工程をさらに含む請求項第22に記載の方法。
- 前記中間像の少なくとも1つの主光線の角度が4°よりも大きい、
前記中間像の縦球面収差が0.8mmよりも大きい、
前記中間像の非点収差値が11.0mmよりも大きい、
前記中間像の収差が1.5%よりも大きい、
前記投影光学系の光軸上のスポット径のRMS値が0.5mmよりも大きい、
前記投影光学系の光軸から最も離れたフィールドポイントでのスポット径のRMS値が5mmよりも大きい、及び
前記中間像での波面のRMS偏差が10λ/NAよりも大きい(ここで、λは結像光の波長であり、NAは前記中間像での結像の開口数である)、
という条件のうち少なくとも1つが満たされるように、前記第1の結像工程が行われる請求項22に記載の方法。 - 前記像の少なくとも1つの主光線の角度が1°よりも小さい、
前記像の縦球面収差が0.001mmよりも小さい、
前記像の非点収差値が100nmよりも小さい、
前記像の収差が0.001%よりも小さい、
前記投影光学系の光軸上のスポット径のRMS値が0.001mmよりも小さい、
前記投影光学系の光軸から最も離れたフィールドポイントでのスポット径のRMS値が0.002mmよりも小さい、及び
波面のRMS偏差が回析限界の0.1倍よりも小さい、
という条件のうち少なくとも1つが満たされるように、前記第1の結像工程が行われる請求項22に記載の方法。 - 請求項22に記載の方法によって製造された微細構造装置。
- 実中間像を形成する第1屈折像形成器と、第2屈折像形成器とを有する、マイクロリソグラフィ投影対物レンズである、複合レンズ系を含む屈折投影光学系。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US60707504P | 2004-09-03 | 2004-09-03 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006085166A true JP2006085166A (ja) | 2006-03-30 |
Family
ID=36163670
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005255256A Pending JP2006085166A (ja) | 2004-09-03 | 2005-09-02 | 投影光学系及び方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7301707B2 (ja) |
JP (1) | JP2006085166A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007114024A1 (ja) * | 2006-04-03 | 2007-10-11 | Nikon Corporation | 投影光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
JP2008268950A (ja) * | 2007-04-18 | 2008-11-06 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
JP2008287249A (ja) * | 2007-04-18 | 2008-11-27 | Carl Zeiss Smt Ag | マイクロリソグラフィ用投影対物レンズ |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8208198B2 (en) | 2004-01-14 | 2012-06-26 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection objective |
US20080151364A1 (en) | 2004-01-14 | 2008-06-26 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective |
CN100483174C (zh) | 2004-05-17 | 2009-04-29 | 卡尔蔡司Smt股份公司 | 具有中间图像的反射折射投影物镜 |
EP2085824A1 (en) * | 2005-09-14 | 2009-08-05 | Carl Zeiss SMT AG | Optical system of a microlithographic exposure system |
EP1890191A1 (en) * | 2006-08-14 | 2008-02-20 | Carl Zeiss SMT AG | Catadioptric projection objective with pupil mirror |
DE102007062894A1 (de) | 2007-01-23 | 2008-07-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv für die Lithographie |
EP1998223A2 (de) * | 2007-01-23 | 2008-12-03 | Carl Zeiss SMT AG | Projektionsobjektiv für die Lithographie |
US20100123883A1 (en) * | 2008-11-17 | 2010-05-20 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
WO2017026945A1 (en) | 2015-08-13 | 2017-02-16 | Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. | Illumination assembly for 3d data acquisition |
JP6545128B2 (ja) * | 2016-07-25 | 2019-07-17 | 富士フイルム株式会社 | ヘッドアップディスプレイ装置 |
CN109581622B (zh) * | 2017-09-29 | 2020-12-04 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种投影物镜 |
EP3519875B1 (en) * | 2017-11-29 | 2023-07-19 | Opto Engineering S.p.A. | Telecentric objective |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004022708A (ja) * | 2002-06-14 | 2004-01-22 | Nikon Corp | 結像光学系、照明光学系、露光装置及び露光方法 |
JP2004205698A (ja) * | 2002-12-24 | 2004-07-22 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置および露光方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5523193A (en) | 1988-05-31 | 1996-06-04 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for patterning and imaging member |
ATE123885T1 (de) | 1990-05-02 | 1995-06-15 | Fraunhofer Ges Forschung | Belichtungsvorrichtung. |
US5229872A (en) | 1992-01-21 | 1993-07-20 | Hughes Aircraft Company | Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning |
JPH09311278A (ja) * | 1996-05-20 | 1997-12-02 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
DE19548805A1 (de) * | 1995-12-27 | 1997-07-03 | Zeiss Carl Fa | REMA-Objektiv für Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlagen |
EP1141781B1 (de) | 1998-11-30 | 2006-02-08 | Carl Zeiss SMT AG | Hochaperturiges projektionsobjektiv mit minimalem blendenfehler |
DE19955984A1 (de) | 1999-11-20 | 2001-05-23 | Zeiss Carl | Optische Abbildungsvorrichtung, insbesondere Objektiv mit wenigstens einer Systemblende |
DE50012452D1 (de) * | 1999-12-29 | 2006-05-11 | Zeiss Carl Smt Ag | Projektionsobjektiv mit benachbart angeordneten asphärischen linsenoberflächen |
DE10005189A1 (de) | 2000-02-05 | 2001-08-09 | Zeiss Carl | Projektionsbelichtungsanlage mit reflektivem Retikel |
US6624880B2 (en) * | 2001-01-18 | 2003-09-23 | Micronic Laser Systems Ab | Method and apparatus for microlithography |
KR20040089688A (ko) | 2002-03-01 | 2004-10-21 | 칼 짜이스 에스엠테 아게 | 굴절투사렌즈 |
DE10210899A1 (de) | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Zeiss Carl Smt Ag | Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie |
EP1690139B1 (en) | 2003-12-02 | 2009-01-14 | Carl Zeiss SMT AG | Projection optical system |
-
2005
- 2005-09-01 US US11/219,594 patent/US7301707B2/en active Active
- 2005-09-02 JP JP2005255256A patent/JP2006085166A/ja active Pending
-
2007
- 2007-11-26 US US11/944,850 patent/US20080068705A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004022708A (ja) * | 2002-06-14 | 2004-01-22 | Nikon Corp | 結像光学系、照明光学系、露光装置及び露光方法 |
JP2004205698A (ja) * | 2002-12-24 | 2004-07-22 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置および露光方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007114024A1 (ja) * | 2006-04-03 | 2007-10-11 | Nikon Corporation | 投影光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
EP2003478A2 (en) * | 2006-04-03 | 2008-12-17 | Nikon Corporation | Projection optical system, aligner, and method for fabricating device |
EP2003478A4 (en) * | 2006-04-03 | 2009-06-24 | Nikon Corp | OPTICAL PROJECTION SYSTEM, ALIGNMENT DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME |
JP2008268950A (ja) * | 2007-04-18 | 2008-11-06 | Nikon Corp | 投影光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
JP2008287249A (ja) * | 2007-04-18 | 2008-11-27 | Carl Zeiss Smt Ag | マイクロリソグラフィ用投影対物レンズ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080068705A1 (en) | 2008-03-20 |
US7301707B2 (en) | 2007-11-27 |
US20060056064A1 (en) | 2006-03-16 |
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