JP2002116382A - 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置 - Google Patents
投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置Info
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- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/02—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system
- G02B17/06—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror
- G02B17/0647—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using more than three curved mirrors
- G02B17/0657—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using more than three curved mirrors off-axis or unobscured systems in which all of the mirrors share a common axis of rotational symmetry
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70233—Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
Abstract
(57)【要約】
【課題】 物体面と入射瞳との間で充分な収差補正を行
うことができ、ひいては光学系全体の収差補正を良好に
行うことのできる反射型の投影光学系。 【解決手段】 第１面（４）の像を第２面（７）上に形
成する投影光学系。第１反射面（Ｒ１）と、第２反射面
（Ｒ２）と、第３反射面（Ｒ３）と、第４反射面（Ｒ
４）と、第５反射面（Ｒ５）と、第６反射面（Ｒ６）
と、第７反射面（Ｒ７）と、第８反射面（Ｒ８）とを備
えている。投影光学系の入射瞳位置が、第１面から第２
面への光路に沿って、第２反射面の第１面側の近傍より
も第２面側に設定されている。
うことができ、ひいては光学系全体の収差補正を良好に
行うことのできる反射型の投影光学系。 【解決手段】 第１面（４）の像を第２面（７）上に形
成する投影光学系。第１反射面（Ｒ１）と、第２反射面
（Ｒ２）と、第３反射面（Ｒ３）と、第４反射面（Ｒ
４）と、第５反射面（Ｒ５）と、第６反射面（Ｒ６）
と、第７反射面（Ｒ７）と、第８反射面（Ｒ８）とを備
えている。投影光学系の入射瞳位置が、第１面から第２
面への光路に沿って、第２反射面の第１面側の近傍より
も第２面側に設定されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、投影光学系および
該投影光学系を備えた露光装置に関し、例えばＸ線を用
いてミラープロジェクション方式によりマスク上の回路
パターンを感光性基板上に転写するＸ線投影露光装置に
好適な反射型の投影光学系に関するものである。
該投影光学系を備えた露光装置に関し、例えばＸ線を用
いてミラープロジェクション方式によりマスク上の回路
パターンを感光性基板上に転写するＸ線投影露光装置に
好適な反射型の投影光学系に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子などの製造に使用され
る露光装置では、マスク（フォトマスク）上に形成され
た回路パターンを、投影光学系を介して、ウェハのよう
な感光性基板上に投影転写する。感光性基板にはレジス
トが塗布されており、投影光学系を介した投影露光によ
りレジストが感光し、マスクパターンに対応したレジス
トパターンが得られる。
る露光装置では、マスク（フォトマスク）上に形成され
た回路パターンを、投影光学系を介して、ウェハのよう
な感光性基板上に投影転写する。感光性基板にはレジス
トが塗布されており、投影光学系を介した投影露光によ
りレジストが感光し、マスクパターンに対応したレジス
トパターンが得られる。
【０００３】ここで、露光装置の解像力Ｗは、露光光の
波長λと投影光学系の開口数ＮＡとに依存し、次の式
（ａ）で表される。 Ｗ＝ｋ・λ／ＮＡ （ｋ:定数） （ａ）
波長λと投影光学系の開口数ＮＡとに依存し、次の式
（ａ）で表される。 Ｗ＝ｋ・λ／ＮＡ （ｋ:定数） （ａ）
【０００４】したがって、露光装置の解像力を向上させ
るためには、露光光の波長λを短くするか、あるいは投
影光学系の開口数ＮＡを大きくすることが必要となる。
一般に、投影光学系の開口数ＮＡを所定値以上に大きく
することは光学設計の観点から困難であるため、今後は
露光光の短波長化が必要となる。たとえば、露光光とし
て、波長が２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザーを用い
ると０．２５μｍの解像力が得られ、波長が１９３ｎｍ
のＡｒＦエキシマレーザーを用いると０．１８μｍの解
像力が得られる。露光光としてさらに波長の短いＸ線を
用いると、例えば波長が１３ｎｍで０．１μｍ以下の解
像力が得られる。
るためには、露光光の波長λを短くするか、あるいは投
影光学系の開口数ＮＡを大きくすることが必要となる。
一般に、投影光学系の開口数ＮＡを所定値以上に大きく
することは光学設計の観点から困難であるため、今後は
露光光の短波長化が必要となる。たとえば、露光光とし
て、波長が２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザーを用い
ると０．２５μｍの解像力が得られ、波長が１９３ｎｍ
のＡｒＦエキシマレーザーを用いると０．１８μｍの解
像力が得られる。露光光としてさらに波長の短いＸ線を
用いると、例えば波長が１３ｎｍで０．１μｍ以下の解
像力が得られる。
【０００５】ところで、露光光としてＸ線を用いる場
合、使用可能な透過光学材料および屈折光学材料がなく
なるため、反射型のマスクを用いるとともに、反射型の
投影光学系を用いることになる。従来、露光光としてＸ
線を用いる露光装置に適用可能な投影光学系として、た
とえば４枚〜８枚の反射ミラーから構成された反射光学
系が種々提案されている。
合、使用可能な透過光学材料および屈折光学材料がなく
なるため、反射型のマスクを用いるとともに、反射型の
投影光学系を用いることになる。従来、露光光としてＸ
線を用いる露光装置に適用可能な投影光学系として、た
とえば４枚〜８枚の反射ミラーから構成された反射光学
系が種々提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、４枚〜
６枚の反射ミラーから構成された従来の投影光学系で
は、反射ミラーの枚数が少ないため、充分な収差補正を
行うことができないという不都合があった。また、８枚
の反射ミラーから構成された従来の投影光学系では、マ
スクから感光性基板への光路に沿って、光学系の入射瞳
が第２反射面（マスクからの光が第２番目に入射する反
射ミラー）よりもかなりマスク側に配置されている。こ
のため、物体面であるマスク面と入射瞳との間で充分な
収差補正を行うことができず、ひいては光学系全体の収
差補正を良好に行うことができないという不都合があっ
た。
６枚の反射ミラーから構成された従来の投影光学系で
は、反射ミラーの枚数が少ないため、充分な収差補正を
行うことができないという不都合があった。また、８枚
の反射ミラーから構成された従来の投影光学系では、マ
スクから感光性基板への光路に沿って、光学系の入射瞳
が第２反射面（マスクからの光が第２番目に入射する反
射ミラー）よりもかなりマスク側に配置されている。こ
のため、物体面であるマスク面と入射瞳との間で充分な
収差補正を行うことができず、ひいては光学系全体の収
差補正を良好に行うことができないという不都合があっ
た。
【０００７】本発明は、前述の課題に鑑みてなされたも
のであり、物体面と入射瞳との間で充分な収差補正を行
うことができ、ひいては光学系全体の収差補正を良好に
行うことのできる反射型の投影光学系を提供することを
目的とする。また、本発明の投影光学系を露光装置に適
用することにより、たとえば露光光としてＸ線を用いて
大きな解像力を確保することのできる露光装置を提供す
ることを目的とする。さらに、大きな解像力を有する本
発明の露光装置を用いて、良好な露光条件のもとで、高
精度なマイクロデバイスを製造することのできるマイク
ロデバイス製造方法を提供することを目的とする。
のであり、物体面と入射瞳との間で充分な収差補正を行
うことができ、ひいては光学系全体の収差補正を良好に
行うことのできる反射型の投影光学系を提供することを
目的とする。また、本発明の投影光学系を露光装置に適
用することにより、たとえば露光光としてＸ線を用いて
大きな解像力を確保することのできる露光装置を提供す
ることを目的とする。さらに、大きな解像力を有する本
発明の露光装置を用いて、良好な露光条件のもとで、高
精度なマイクロデバイスを製造することのできるマイク
ロデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明の第１発明では、第１面の像を第２面上に形
成する投影光学系において、前記第１面からの光を反射
するための第１反射面と、前記第１反射面で反射された
光を反射するための第２反射面と、前記第２反射面で反
射された光を反射するための第３反射面と、前記第３反
射面で反射された光を反射するための第４反射面と、前
記第４反射面で反射された光を反射するための第５反射
面と、前記第５反射面で反射された光を反射するための
第６反射面と、前記第６反射面で反射された光を前記第
２面に向けて反射するための第７反射面とを備え、前記
投影光学系の入射瞳位置が、前記第１面から前記第２面
への光路に沿って、前記第２反射面の第１面側の近傍よ
りも第２面側に設定されていることを特徴とする投影光
学系を提供する。
に、本発明の第１発明では、第１面の像を第２面上に形
成する投影光学系において、前記第１面からの光を反射
するための第１反射面と、前記第１反射面で反射された
光を反射するための第２反射面と、前記第２反射面で反
射された光を反射するための第３反射面と、前記第３反
射面で反射された光を反射するための第４反射面と、前
記第４反射面で反射された光を反射するための第５反射
面と、前記第５反射面で反射された光を反射するための
第６反射面と、前記第６反射面で反射された光を前記第
２面に向けて反射するための第７反射面とを備え、前記
投影光学系の入射瞳位置が、前記第１面から前記第２面
への光路に沿って、前記第２反射面の第１面側の近傍よ
りも第２面側に設定されていることを特徴とする投影光
学系を提供する。
【０００９】第１発明の好ましい態様によれば、前記入
射瞳位置は、前記第１面から前記第２面への光路に沿っ
て、前記第２反射面の第１面側の近傍と前記第３反射面
の第２面側の近傍との間の光路中に設定されている。
射瞳位置は、前記第１面から前記第２面への光路に沿っ
て、前記第２反射面の第１面側の近傍と前記第３反射面
の第２面側の近傍との間の光路中に設定されている。
【００１０】また、第１発明の好ましい態様によれば、
前記入射瞳位置が前記第１面から前記第２面への光路に
沿って前記第２反射面の第１面側の近傍にあるとき、光
軸と像点とを含む平面内において、光軸に対して垂直な
方向にｙ座標を、光軸に対して像点と同じ側が正になる
ように設定し、前記平面内において、最大開口数の光線
と前記第２反射面との交点のｙ座標値をｙａおよびｙｂ
（ｙａ＞ｙｂ）とそれぞれ定義すると、 −１≦ｌｏｇe｛−（ｙａ／ｙｂ）｝≦１ の条件を満足する。
前記入射瞳位置が前記第１面から前記第２面への光路に
沿って前記第２反射面の第１面側の近傍にあるとき、光
軸と像点とを含む平面内において、光軸に対して垂直な
方向にｙ座標を、光軸に対して像点と同じ側が正になる
ように設定し、前記平面内において、最大開口数の光線
と前記第２反射面との交点のｙ座標値をｙａおよびｙｂ
（ｙａ＞ｙｂ）とそれぞれ定義すると、 −１≦ｌｏｇe｛−（ｙａ／ｙｂ）｝≦１ の条件を満足する。
【００１１】さらに、第１発明の好ましい態様によれ
ば、前記入射瞳位置は、前記第１面から前記第２面への
光路に沿って、前記第２反射面上または前記第２反射面
よりも第２面側に設定されている。
ば、前記入射瞳位置は、前記第１面から前記第２面への
光路に沿って、前記第２反射面上または前記第２反射面
よりも第２面側に設定されている。
【００１２】また、第１発明の好ましい態様によれば、
前記第６反射面は、前記第４反射面と前記第５反射面と
の間に配置され、前記第４反射面で反射されて前記第５
反射面へ向かう光線が前記第６反射面の仮想延長面を通
過する位置の光軸からの距離が、前記第６反射面で反射
される光線の前記第６反射面上における位置の光軸から
の距離よりも小さく設定されている。また、前記第１反
射面乃至前記第７反射面は、単一の光軸に沿って配置さ
れていることが好ましい。
前記第６反射面は、前記第４反射面と前記第５反射面と
の間に配置され、前記第４反射面で反射されて前記第５
反射面へ向かう光線が前記第６反射面の仮想延長面を通
過する位置の光軸からの距離が、前記第６反射面で反射
される光線の前記第６反射面上における位置の光軸から
の距離よりも小さく設定されている。また、前記第１反
射面乃至前記第７反射面は、単一の光軸に沿って配置さ
れていることが好ましい。
【００１３】本発明の第２発明では、マスクを照明する
ための照明系と、前記マスクのパターンを感光性基板上
へ投影露光するための第１発明の投影光学系とを備えて
いることを特徴とする露光装置を提供する。
ための照明系と、前記マスクのパターンを感光性基板上
へ投影露光するための第１発明の投影光学系とを備えて
いることを特徴とする露光装置を提供する。
【００１４】第２発明の好ましい態様によれば、前記照
明系は、露光光としてＸ線を供給するための光源を有
し、前記投影光学系に対して前記マスクおよび前記感光
性基板を相対移動させて、前記マスクのパターンを前記
感光性基板上へ投影露光する。
明系は、露光光としてＸ線を供給するための光源を有
し、前記投影光学系に対して前記マスクおよび前記感光
性基板を相対移動させて、前記マスクのパターンを前記
感光性基板上へ投影露光する。
【００１５】本発明の第３発明では、第２発明の露光装
置により前記マスクのパターンを前記感光性基板上に露
光する露光工程と、前記露光工程により露光された前記
感光性基板を現像する現像工程とを含むことを特徴とす
るマイクロデバイスの製造方法を提供する。
置により前記マスクのパターンを前記感光性基板上に露
光する露光工程と、前記露光工程により露光された前記
感光性基板を現像する現像工程とを含むことを特徴とす
るマイクロデバイスの製造方法を提供する。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の典型的な態様にしたがう
投影光学系は、８枚の反射ミラーから構成されている。
したがって、第１面（物体面）からの光は、第１反射
面、第２反射面、第３反射面、第４反射面、第５反射
面、第６反射面、第７反射面、および第８反射面で順次
反射された後、第２面（像面）上に第１面の像を形成す
る。本発明では、この基本的な構成において、光学系の
入射瞳位置が、第１面から第２面への光路に沿って、第
２反射面の第１面側の近傍よりも第２面側に設定されて
いる。
投影光学系は、８枚の反射ミラーから構成されている。
したがって、第１面（物体面）からの光は、第１反射
面、第２反射面、第３反射面、第４反射面、第５反射
面、第６反射面、第７反射面、および第８反射面で順次
反射された後、第２面（像面）上に第１面の像を形成す
る。本発明では、この基本的な構成において、光学系の
入射瞳位置が、第１面から第２面への光路に沿って、第
２反射面の第１面側の近傍よりも第２面側に設定されて
いる。
【００１７】具体的には、入射瞳位置は、第１面から第
２面への光路に沿って、第２反射面の第１面側の近傍と
第３反射面の第２面側の近傍との間の光路中に設定され
ていることが好ましい。あるいは、入射瞳位置は、第１
面から第２面への光路に沿って、第２反射面上または第
２反射面よりも第２面側に設定されていることが好まし
い。このように、本発明の投影光学系では、その入射瞳
位置が第２反射面の第１面側の近傍よりも第２面側に設
定されているので、物体面と入射瞳との間で充分な収差
補正を行うことができ、ひいては光学系全体の収差補正
を良好に行うことができる。
２面への光路に沿って、第２反射面の第１面側の近傍と
第３反射面の第２面側の近傍との間の光路中に設定され
ていることが好ましい。あるいは、入射瞳位置は、第１
面から第２面への光路に沿って、第２反射面上または第
２反射面よりも第２面側に設定されていることが好まし
い。このように、本発明の投影光学系では、その入射瞳
位置が第２反射面の第１面側の近傍よりも第２面側に設
定されているので、物体面と入射瞳との間で充分な収差
補正を行うことができ、ひいては光学系全体の収差補正
を良好に行うことができる。
【００１８】ところで、本発明において、入射瞳位置が
第１面から第２面への光路に沿って第２反射面の第１面
側の近傍にあるとき、次の条件式（１）を満足する。換
言すると、次の条件式（１）を用いて、入射瞳位置が第
２反射面の第１面側の近傍にあるか否かを判定する。 −１≦ｌｏｇe｛−（ｙａ／ｙｂ）｝≦１ （１）
第１面から第２面への光路に沿って第２反射面の第１面
側の近傍にあるとき、次の条件式（１）を満足する。換
言すると、次の条件式（１）を用いて、入射瞳位置が第
２反射面の第１面側の近傍にあるか否かを判定する。 −１≦ｌｏｇe｛−（ｙａ／ｙｂ）｝≦１ （１）
【００１９】ここで、図１４に示すように、光軸ＡＸと
像点ＩＰとを含む平面内において、光軸ＡＸに対して垂
直な方向にｙ座標を、光軸ＡＸに対して像点ＩＰと同じ
側が正になるように設定する。この場合、ｙ座標の原点
は、光軸ＡＸ上にある。そして、光軸ＡＸと像点ＩＰと
を含む平面内において、最大開口数の光線４１および４
２と第２反射面との交点ＡおよびＢのｙ座標値を、ｙａ
およびｙｂ（ｙａ＞ｙｂ）とそれぞれ定義する。なお、
ｌｏｇeは、自然対数を表している。
像点ＩＰとを含む平面内において、光軸ＡＸに対して垂
直な方向にｙ座標を、光軸ＡＸに対して像点ＩＰと同じ
側が正になるように設定する。この場合、ｙ座標の原点
は、光軸ＡＸ上にある。そして、光軸ＡＸと像点ＩＰと
を含む平面内において、最大開口数の光線４１および４
２と第２反射面との交点ＡおよびＢのｙ座標値を、ｙａ
およびｙｂ（ｙａ＞ｙｂ）とそれぞれ定義する。なお、
ｌｏｇeは、自然対数を表している。
【００２０】また、本発明においては、第６反射面は、
第４反射面と第５反射面との間に配置され、第４反射面
で反射されて第５反射面へ向かう光線が第６反射面の仮
想延長面を通過する位置の光軸からの距離が、第６反射
面で反射される光線の第６反射面上における位置の光軸
からの距離よりも小さく設定されていることが好まし
い。この構成により、第４反射面を有する反射ミラーの
外径を小さくすることができ、ひいては光学系全体を径
方向に小型化することができる。
第４反射面と第５反射面との間に配置され、第４反射面
で反射されて第５反射面へ向かう光線が第６反射面の仮
想延長面を通過する位置の光軸からの距離が、第６反射
面で反射される光線の第６反射面上における位置の光軸
からの距離よりも小さく設定されていることが好まし
い。この構成により、第４反射面を有する反射ミラーの
外径を小さくすることができ、ひいては光学系全体を径
方向に小型化することができる。
【００２１】また、本発明の反射型投影光学系を露光装
置の投影光学系に適用することにより、露光光としてＸ
線を使用することができる。この場合、投影光学系に対
してマスクおよび感光性基板を相対移動させて、マスク
のパターンを感光性基板上へ投影露光することになる。
その結果、大きな解像力を有する走査型の露光装置を用
いて、良好な露光条件のもとで、高精度なマイクロデバ
イスを製造することができる。
置の投影光学系に適用することにより、露光光としてＸ
線を使用することができる。この場合、投影光学系に対
してマスクおよび感光性基板を相対移動させて、マスク
のパターンを感光性基板上へ投影露光することになる。
その結果、大きな解像力を有する走査型の露光装置を用
いて、良好な露光条件のもとで、高精度なマイクロデバ
イスを製造することができる。
【００２２】本発明の実施形態を、添付図面に基づいて
説明する。図１は、本発明の実施形態にかかる露光装置
の構成を概略的に示す図である。図１において、投影光
学系の光軸方向すなわち感光性基板であるウェハの法線
方向に沿ってＺ軸を、ウェハ面内において図１の紙面に
平行な方向にＹ軸を、ウェハ面内において図１の紙面に
垂直な方向にＸ軸をそれぞれ設定している。
説明する。図１は、本発明の実施形態にかかる露光装置
の構成を概略的に示す図である。図１において、投影光
学系の光軸方向すなわち感光性基板であるウェハの法線
方向に沿ってＺ軸を、ウェハ面内において図１の紙面に
平行な方向にＹ軸を、ウェハ面内において図１の紙面に
垂直な方向にＸ軸をそれぞれ設定している。
【００２３】図１の露光装置は、露光光を供給するため
の光源として、たとえばレーザプラズマＸ線源１を備え
ている。Ｘ線源１から射出された光は、波長選択フィル
タ２を介して、照明光学系３に入射する。ここで、波長
選択フィルタ２は、Ｘ線源１が供給する光から、所定波
長（１３．４ｎｍ）のＸ線だけを選択的に透過させ、他
の波長光の透過を遮る特性を有する。
の光源として、たとえばレーザプラズマＸ線源１を備え
ている。Ｘ線源１から射出された光は、波長選択フィル
タ２を介して、照明光学系３に入射する。ここで、波長
選択フィルタ２は、Ｘ線源１が供給する光から、所定波
長（１３．４ｎｍ）のＸ線だけを選択的に透過させ、他
の波長光の透過を遮る特性を有する。
【００２４】波長選択フィルタ２を透過したＸ線は、複
数の反射ミラーから構成された照明光学系３を介して、
転写すべきパターンが形成された反射型のマスク４を照
明する。マスク４は、そのパターン面がＸＹ平面に沿っ
て延びるように、Ｙ方向に沿って移動可能なマスクステ
ージ５によって保持されている。そして、マスクステー
ジ５の移動は、図示を省略したレーザー干渉計により計
測されるように構成されている。こうして、マスク４上
には、Ｙ軸に関して対称な円弧状の照明領域が形成され
る。
数の反射ミラーから構成された照明光学系３を介して、
転写すべきパターンが形成された反射型のマスク４を照
明する。マスク４は、そのパターン面がＸＹ平面に沿っ
て延びるように、Ｙ方向に沿って移動可能なマスクステ
ージ５によって保持されている。そして、マスクステー
ジ５の移動は、図示を省略したレーザー干渉計により計
測されるように構成されている。こうして、マスク４上
には、Ｙ軸に関して対称な円弧状の照明領域が形成され
る。
【００２５】照明されたマスク３のパターンからの光
は、反射型の投影光学系６を介して、感光性基板である
ウェハ７上にマスクパターンの像を形成する。ウェハ７
は、その露光面がＸＹ平面に沿って延びるように、Ｘ方
向およびＹ方向に沿って二次元的に移動可能なウェハス
テージ８によって保持されている。なお、ウェハステー
ジ８の移動は、マスクステージ５と同様に、図示を省略
したレーザー干渉計により計測されるように構成されて
いる。
は、反射型の投影光学系６を介して、感光性基板である
ウェハ７上にマスクパターンの像を形成する。ウェハ７
は、その露光面がＸＹ平面に沿って延びるように、Ｘ方
向およびＹ方向に沿って二次元的に移動可能なウェハス
テージ８によって保持されている。なお、ウェハステー
ジ８の移動は、マスクステージ５と同様に、図示を省略
したレーザー干渉計により計測されるように構成されて
いる。
【００２６】こうして、マスクステージ５およびウェハ
ステージ８をＹ方向に沿って移動させながら、すなわち
投影光学系６に対してマスク４およびウェハ７をＹ方向
に沿って相対移動させながらスキャン露光（走査露光）
を行うことにより、ウェハ７の１つの露光領域にマスク
４のパターンが転写される。このとき、投影光学系６の
投影倍率（転写倍率）が１／４である場合、ウェハステ
ージ８の移動速度をマスクステージ５の移動速度の１／
４に設定して同期走査を行う。
ステージ８をＹ方向に沿って移動させながら、すなわち
投影光学系６に対してマスク４およびウェハ７をＹ方向
に沿って相対移動させながらスキャン露光（走査露光）
を行うことにより、ウェハ７の１つの露光領域にマスク
４のパターンが転写される。このとき、投影光学系６の
投影倍率（転写倍率）が１／４である場合、ウェハステ
ージ８の移動速度をマスクステージ５の移動速度の１／
４に設定して同期走査を行う。
【００２７】また、ウェハステージ８をＸ方向およびＹ
方向に沿って二次元的に移動させながら走査露光を繰り
返すことにより、ウェハ７の各露光領域にマスク４のパ
ターンが逐次転写される。以下、第１実施例〜第６実施
例を参照して、投影光学系６の具体的な構成について説
明する。
方向に沿って二次元的に移動させながら走査露光を繰り
返すことにより、ウェハ７の各露光領域にマスク４のパ
ターンが逐次転写される。以下、第１実施例〜第６実施
例を参照して、投影光学系６の具体的な構成について説
明する。
【００２８】各実施例において、投影光学系６は、８つ
の反射ミラーＣＭ１〜ＣＭ８を備えている。すなわち、
マスク４からの光は、第１反射ミラーＣＭ１の反射面Ｒ
１、第２反射ミラーＣＭ２の反射面Ｒ２、第３反射ミラ
ーＣＭ３の反射面Ｒ３、第４反射ミラーＣＭ４の反射面
Ｒ４、第５反射ミラーＣＭ５の反射面Ｒ５、第６反射ミ
ラーＣＭ６の反射面Ｒ１、第７反射ミラーＣＭ７の反射
面Ｒ７、および第８反射ミラーＣＭ８の反射面Ｒ８で順
次反射された後、ウェハ７上にマスクパターン像を形成
する。なお、各実施例において、すべての反射面Ｒ１〜
Ｒ８が非球面状に形成されている。また、各実施例にお
いて、光学系の入射瞳が第２反射面Ｒ２上あるいは第２
反射面よりもウェハ側に位置するように構成されてい
る。
の反射ミラーＣＭ１〜ＣＭ８を備えている。すなわち、
マスク４からの光は、第１反射ミラーＣＭ１の反射面Ｒ
１、第２反射ミラーＣＭ２の反射面Ｒ２、第３反射ミラ
ーＣＭ３の反射面Ｒ３、第４反射ミラーＣＭ４の反射面
Ｒ４、第５反射ミラーＣＭ５の反射面Ｒ５、第６反射ミ
ラーＣＭ６の反射面Ｒ１、第７反射ミラーＣＭ７の反射
面Ｒ７、および第８反射ミラーＣＭ８の反射面Ｒ８で順
次反射された後、ウェハ７上にマスクパターン像を形成
する。なお、各実施例において、すべての反射面Ｒ１〜
Ｒ８が非球面状に形成されている。また、各実施例にお
いて、光学系の入射瞳が第２反射面Ｒ２上あるいは第２
反射面よりもウェハ側に位置するように構成されてい
る。
【００２９】各実施例において、非球面は、光軸に垂直
な方向の高さをｙとし、非球面の頂点における接平面か
ら高さｙにおける非球面上の位置までの光軸に沿った距
離（サグ量）をｚとし、頂点曲率半径をｒとし、円錐係
数をκとし、ｎ次の非球面係数をＣn としたとき、以下
の数式（ｂ）で表される。
な方向の高さをｙとし、非球面の頂点における接平面か
ら高さｙにおける非球面上の位置までの光軸に沿った距
離（サグ量）をｚとし、頂点曲率半径をｒとし、円錐係
数をκとし、ｎ次の非球面係数をＣn としたとき、以下
の数式（ｂ）で表される。
【数１】 ｚ＝（ｙ2／ｒ）／〔１＋｛１−（１＋κ）・ｙ2／ｒ2｝1/2〕 ＋Ｃ4・ｙ4＋Ｃ6・ｙ6＋Ｃ8・ｙ8＋Ｃ10・ｙ10 （ｂ）
【００３０】〔第１実施例〕図２は、本実施形態の第１
実施例にかかる投影光学系の構成を示す図である。図２
を参照すると、第１実施例の投影光学系では、マスク４
からの光が、第１反射ミラーＣＭ１の凹面状の反射面Ｒ
１、第２反射ミラーＣＭ２の凸面状の反射面Ｒ２、第３
反射ミラーＣＭ３の凸面状の反射面Ｒ３、第４反射ミラ
ーＣＭ４の凹面状の反射面Ｒ４、第５反射ミラーＣＭ５
の凹面状の反射面Ｒ５、第６反射ミラーＣＭ６の凹面状
の反射面Ｒ１、第７反射ミラーＣＭ７の凸面状の反射面
Ｒ７、および第８反射ミラーＣＭ８の凹面状の反射面Ｒ
８を介して、ウェハ７上にマスクパターンの縮小像を形
成する。第１実施例では、光学系の入射瞳が第３反射面
Ｒ３上に位置するように構成されている。
実施例にかかる投影光学系の構成を示す図である。図２
を参照すると、第１実施例の投影光学系では、マスク４
からの光が、第１反射ミラーＣＭ１の凹面状の反射面Ｒ
１、第２反射ミラーＣＭ２の凸面状の反射面Ｒ２、第３
反射ミラーＣＭ３の凸面状の反射面Ｒ３、第４反射ミラ
ーＣＭ４の凹面状の反射面Ｒ４、第５反射ミラーＣＭ５
の凹面状の反射面Ｒ５、第６反射ミラーＣＭ６の凹面状
の反射面Ｒ１、第７反射ミラーＣＭ７の凸面状の反射面
Ｒ７、および第８反射ミラーＣＭ８の凹面状の反射面Ｒ
８を介して、ウェハ７上にマスクパターンの縮小像を形
成する。第１実施例では、光学系の入射瞳が第３反射面
Ｒ３上に位置するように構成されている。
【００３１】次の表（１）に、第１実施例の投影光学系
の諸元の値を掲げる。表（１）において、λは露光光の
波長を、βは投影倍率（転写倍率）をそれぞれ表してい
る。また、面番号は物体面であるマスク面から像面であ
るウェハ面への光線の進行する方向に沿ったマスク側か
らの反射面の順序を、ｒは各反射面の頂点曲率半径（ｍ
ｍ）を、ｄは各反射面の軸上間隔すなわち面間隔（ｍ
ｍ）をそれぞれ示している。なお、面間隔ｄは、反射さ
れる度にその符号を変えるものとする。そして、光線の
入射方向にかかわらずマスク側に向かって凸面の曲率半
径を正とし、凹面の曲率半径を負としている。
の諸元の値を掲げる。表（１）において、λは露光光の
波長を、βは投影倍率（転写倍率）をそれぞれ表してい
る。また、面番号は物体面であるマスク面から像面であ
るウェハ面への光線の進行する方向に沿ったマスク側か
らの反射面の順序を、ｒは各反射面の頂点曲率半径（ｍ
ｍ）を、ｄは各反射面の軸上間隔すなわち面間隔（ｍ
ｍ）をそれぞれ示している。なお、面間隔ｄは、反射さ
れる度にその符号を変えるものとする。そして、光線の
入射方向にかかわらずマスク側に向かって凸面の曲率半
径を正とし、凹面の曲率半径を負としている。
【００３２】
【表１】 （主要諸元） λ＝１３．４ｎｍ β＝１／４ （光学部材諸元） 面番号 ｒ ｄ （マスク面） 362.513162 1 -302.93934 -90.018587 （第１反射面Ｒ１） 2 -370.67510 45.295314 （第２反射面Ｒ２） 3 598.77300 -158.501234 （第３反射面Ｒ３） 4 472.05608 765.865368 （第４反射面Ｒ４） 5 -2045.09307 -321.519505 （第５反射面Ｒ５） 6 1225.38595 482.551711 （第６反射面Ｒ６） 7 202.62044 -313.137886 （第７反射面Ｒ７） 8 371.36809 333.137886 （第８反射面Ｒ８） （ウェハ面） （非球面データ） １面 κ＝０．００００００ Ｃ4＝＋０．２３３９５１×１０-8 Ｃ6＝＋０．４９７７０３×１０-13 Ｃ8＝＋０．８５１８１１×１０-18 Ｃ10＝＋０．７６０７３６×１０-23 ２面 κ＝０．００００００ Ｃ4＝＋０．６００３８９×１０-7 Ｃ6＝−０．５５７８００×１０-11 Ｃ8＝＋０．１７６７６３×１０-15 Ｃ10＝＋０．４１５５７２×１０-20 ３面 κ＝０．００００００ Ｃ4＝−０．３６２６８３×１０-7 Ｃ6＝−０．５９２３５２×１０-12 Ｃ8＝＋０．７６６７３８×１０-14 Ｃ10＝−０．４２９５５７×１０-17 ４面 κ＝０．００００００ Ｃ4＝−０．３４５４９４×１０-9 Ｃ6＝＋０．３３２５２８×１０-14 Ｃ8＝−０．５８５９６３×１０-21 Ｃ10＝−０．８８８８９８×１０-24 ５面 κ＝０．００００００ Ｃ4＝＋０．２０４４９８×１０-9 Ｃ6＝＋０．７８２７５５×１０-14 Ｃ8＝−０．４４６４３１×１０-19 Ｃ10＝＋０．１９８６７１×１０-24 ６面 κ＝０．００００００ Ｃ4＝＋０．３６２０６３×１０-9 Ｃ6＝＋０．３０８９５６×１０-14 Ｃ8＝−０．１２４２２９×１０-19 Ｃ10＝＋０．５１５９２６×１０-25 ７面 κ＝０．００００００ Ｃ4＝＋０．５８６８９７×１０-7 Ｃ6＝＋０．２７８１６５×１０-11 Ｃ8＝＋０．１８４００１×１０-15 Ｃ10＝＋０．９９００７０×１０-20 ８面 κ＝０．００００００ Ｃ4＝＋０．１８０８７０×１０-9 Ｃ6＝＋０．１５７３９５×１０-14 Ｃ8＝＋０．１２４２０８×１０-19 Ｃ10＝＋０．２０７７７０×１０-24
【００３３】図３は、第１実施例の投影光学系における
コマ収差を示す図である。図３では、像高１００％、像
高９７％、および像高９４％におけるメリディオナルコ
マ収差およびサジタルコマ収差を示している。収差図か
ら明らかなように、第１実施例では、コマ収差が良好に
補正されていることがわかる。また、図示を省略した
が、コマ収差以外の他の諸収差も良好に補正されている
ことが確認されている。
コマ収差を示す図である。図３では、像高１００％、像
高９７％、および像高９４％におけるメリディオナルコ
マ収差およびサジタルコマ収差を示している。収差図か
ら明らかなように、第１実施例では、コマ収差が良好に
補正されていることがわかる。また、図示を省略した
が、コマ収差以外の他の諸収差も良好に補正されている
ことが確認されている。
【００３４】〔第２実施例〕図４は、本実施形態の第２
実施例にかかる投影光学系の構成を示す図である。図４
を参照すると、第２実施例の投影光学系では、マスク４
からの光が、第１反射ミラーＣＭ１の凹面状の反射面Ｒ
１、第２反射ミラーＣＭ２の凹面状の反射面Ｒ２、第３
反射ミラーＣＭ３の凸面状の反射面Ｒ３、第４反射ミラ
ーＣＭ４の凹面状の反射面Ｒ４、第５反射ミラーＣＭ５
の凹面状の反射面Ｒ５、第６反射ミラーＣＭ６の凸面状
の反射面Ｒ１、第７反射ミラーＣＭ７の凸面状の反射面
Ｒ７、および第８反射ミラーＣＭ８の凹面状の反射面Ｒ
８を介して、ウェハ７上にマスクパターンの縮小像を形
成する。第２実施例では、光学系の入射瞳が第２反射面
Ｒ２上に位置するように構成されている。なお、図４で
は、各反射ミラーＣＭ１〜ＣＭ８の図示を省略してい
る。
実施例にかかる投影光学系の構成を示す図である。図４
を参照すると、第２実施例の投影光学系では、マスク４
からの光が、第１反射ミラーＣＭ１の凹面状の反射面Ｒ
１、第２反射ミラーＣＭ２の凹面状の反射面Ｒ２、第３
反射ミラーＣＭ３の凸面状の反射面Ｒ３、第４反射ミラ
ーＣＭ４の凹面状の反射面Ｒ４、第５反射ミラーＣＭ５
の凹面状の反射面Ｒ５、第６反射ミラーＣＭ６の凸面状
の反射面Ｒ１、第７反射ミラーＣＭ７の凸面状の反射面
Ｒ７、および第８反射ミラーＣＭ８の凹面状の反射面Ｒ
８を介して、ウェハ７上にマスクパターンの縮小像を形
成する。第２実施例では、光学系の入射瞳が第２反射面
Ｒ２上に位置するように構成されている。なお、図４で
は、各反射ミラーＣＭ１〜ＣＭ８の図示を省略してい
る。
【００３５】次の表（２）に、第２実施例の投影光学系
の諸元の値を掲げる。表（２）において、λは露光光の
波長を、βは投影倍率（転写倍率）をそれぞれ表してい
る。また、面番号は物体面であるマスク面から像面であ
るウェハ面への光線の進行する方向に沿ったマスク側か
らの反射面の順序を、ｒは各反射面の頂点曲率半径（ｍ
ｍ）を、ｄは各反射面の軸上間隔すなわち面間隔（ｍ
ｍ）をそれぞれ示している。なお、面間隔ｄは、反射さ
れる度にその符号を変えるものとする。そして、光線の
入射方向にかかわらずマスク側に向かって凸面の曲率半
径を正とし、凹面の曲率半径を負としている。
の諸元の値を掲げる。表（２）において、λは露光光の
波長を、βは投影倍率（転写倍率）をそれぞれ表してい
る。また、面番号は物体面であるマスク面から像面であ
るウェハ面への光線の進行する方向に沿ったマスク側か
らの反射面の順序を、ｒは各反射面の頂点曲率半径（ｍ
ｍ）を、ｄは各反射面の軸上間隔すなわち面間隔（ｍ
ｍ）をそれぞれ示している。なお、面間隔ｄは、反射さ
れる度にその符号を変えるものとする。そして、光線の
入射方向にかかわらずマスク側に向かって凸面の曲率半
径を正とし、凹面の曲率半径を負としている。
【００３６】
【表２】 （主要諸元） λ＝１３．４ｎｍ β＝１／４ （光学部材諸元） 面番号 ｒ ｄ （マスク面） 414.867263 1 -981.67890 -259.284927 （第１反射面Ｒ１） 2 1337.58951 143.049955 （第２反射面Ｒ２） 3 316.43313 -248.632300 （第３反射面Ｒ３） 4 637.54556 665.713542 （第４反射面Ｒ４） 5 -474.03429 -104.854022 （第５反射面Ｒ５） 6 -483.71464 213.536974 （第６反射面Ｒ６） 7 300.89234 -268.605883 （第７反射面Ｒ７） 8 324.67446 306.527906 （第８反射面Ｒ８） （ウェハ面） （非球面データ） １面 κ＝０．００００００ Ｃ4＝−０．１３８７５９×１０-8 Ｃ6＝＋０．２１０３１０×１０-13 Ｃ8＝−０．１４１５６０×１０-18 Ｃ10＝−０．２１９９１３×１０-24 ２面 κ＝０．００００００ Ｃ4＝＋０．１６６９３２×１０-7 Ｃ6＝＋０．１４１７５５×１０-11 Ｃ8＝＋０．９７１２６５×１０-16 Ｃ10＝＋０．９９５８５７×１０-20 ３面 κ＝０．００００００ Ｃ4＝−０．８９１２１６×１０-8 Ｃ6＝＋０．６５８８６２×１０-12 Ｃ8＝−０．４９１３７８×１０-17 Ｃ10＝＋０．６２８０３８×１０-21 ４面 κ＝０．００００００ Ｃ4＝−０．２３７３５６×１０-9 Ｃ6＝＋０．５２１５９６×１０-15 Ｃ8＝＋０．６６３３１４×１０-20 Ｃ10＝−０．５３２６５１×１０-26 ５面 κ＝０．００００００ Ｃ4＝＋０．１８３８０４×１０-8 Ｃ6＝＋０．１８８４２７×１０-14 Ｃ8＝＋０．１４０４３９×１０-18 Ｃ10＝−０．８８２０６７×１０-25 ６面 κ＝０．００００００ Ｃ4＝＋０．１５５８０６×１０-7 Ｃ6＝−０．４９２１６９×１０-12 Ｃ8＝＋０．２４２４００×１０-16 Ｃ10＝−０．５００１２４×１０-21 ７面 κ＝０．００００００ Ｃ4＝＋０．９９５８７３×１０-7 Ｃ6＝＋０．２６１３７９×１０-11 Ｃ8＝＋０．２５３５６６×１０-15 Ｃ10＝＋０．８０７０９２×１０-19 ８面 κ＝０．００００００ Ｃ4＝−０．６２６７９８×１０-10 Ｃ6＝−０．５３６９２９×１０-15 Ｃ8＝−０．１３１２５３×１０-19 Ｃ10＝−０．４７４２３７×１０-24
【００３７】図５は、第２実施例の投影光学系における
コマ収差を示す図である。図５では、像高１００％、像
高９７％、および像高９４％におけるメリディオナルコ
マ収差およびサジタルコマ収差を示している。収差図か
ら明らかなように、第２実施例においても第１実施例と
同様に、コマ収差が良好に補正されていることがわか
る。また、図示を省略したが、コマ収差以外の他の諸収
差も良好に補正されていることが確認されている。
コマ収差を示す図である。図５では、像高１００％、像
高９７％、および像高９４％におけるメリディオナルコ
マ収差およびサジタルコマ収差を示している。収差図か
ら明らかなように、第２実施例においても第１実施例と
同様に、コマ収差が良好に補正されていることがわか
る。また、図示を省略したが、コマ収差以外の他の諸収
差も良好に補正されていることが確認されている。
【００３８】〔第３実施例〕図６は、本実施形態の第３
実施例にかかる投影光学系の構成を示す図である。図６
を参照すると、第３実施例の投影光学系では、マスク４
からの光が、第１反射ミラーＣＭ１の凹面状の反射面Ｒ
１、第２反射ミラーＣＭ２の凹面状の反射面Ｒ２、第３
反射ミラーＣＭ３の凸面状の反射面Ｒ３、第４反射ミラ
ーＣＭ４の凹面状の反射面Ｒ４、第５反射ミラーＣＭ５
の凸面状の反射面Ｒ５、第６反射ミラーＣＭ６の凹面状
の反射面Ｒ１、第７反射ミラーＣＭ７の凸面状の反射面
Ｒ７、および第８反射ミラーＣＭ８の凹面状の反射面Ｒ
８を介して、ウェハ７上にマスクパターンの縮小像を形
成する。第３実施例では、光学系の入射瞳が第３反射面
Ｒ３上に位置するように構成されている。なお、図６で
は、各反射ミラーＣＭ１〜ＣＭ８の図示を省略してい
る。
実施例にかかる投影光学系の構成を示す図である。図６
を参照すると、第３実施例の投影光学系では、マスク４
からの光が、第１反射ミラーＣＭ１の凹面状の反射面Ｒ
１、第２反射ミラーＣＭ２の凹面状の反射面Ｒ２、第３
反射ミラーＣＭ３の凸面状の反射面Ｒ３、第４反射ミラ
ーＣＭ４の凹面状の反射面Ｒ４、第５反射ミラーＣＭ５
の凸面状の反射面Ｒ５、第６反射ミラーＣＭ６の凹面状
の反射面Ｒ１、第７反射ミラーＣＭ７の凸面状の反射面
Ｒ７、および第８反射ミラーＣＭ８の凹面状の反射面Ｒ
８を介して、ウェハ７上にマスクパターンの縮小像を形
成する。第３実施例では、光学系の入射瞳が第３反射面
Ｒ３上に位置するように構成されている。なお、図６で
は、各反射ミラーＣＭ１〜ＣＭ８の図示を省略してい
る。
【００３９】次の表（３）に、第３実施例の投影光学系
の諸元の値を掲げる。表（３）において、λは露光光の
波長を、βは投影倍率（転写倍率）をそれぞれ表してい
る。また、面番号は物体面であるマスク面から像面であ
るウェハ面への光線の進行する方向に沿ったマスク側か
らの反射面の順序を、ｒは各反射面の頂点曲率半径（ｍ
ｍ）を、ｄは各反射面の軸上間隔すなわち面間隔（ｍ
ｍ）をそれぞれ示している。なお、面間隔ｄは、反射さ
れる度にその符号を変えるものとする。そして、光線の
入射方向にかかわらずマスク側に向かって凸面の曲率半
径を正とし、凹面の曲率半径を負としている。
の諸元の値を掲げる。表（３）において、λは露光光の
波長を、βは投影倍率（転写倍率）をそれぞれ表してい
る。また、面番号は物体面であるマスク面から像面であ
るウェハ面への光線の進行する方向に沿ったマスク側か
らの反射面の順序を、ｒは各反射面の頂点曲率半径（ｍ
ｍ）を、ｄは各反射面の軸上間隔すなわち面間隔（ｍ
ｍ）をそれぞれ示している。なお、面間隔ｄは、反射さ
れる度にその符号を変えるものとする。そして、光線の
入射方向にかかわらずマスク側に向かって凸面の曲率半
径を正とし、凹面の曲率半径を負としている。
【００４０】
【表３】 （主要諸元） λ＝１３．４ｎｍ β＝１／４ （光学部材諸元） 面番号 ｒ ｄ （マスク面） 318.549506 1 -2404.79993 -205.222555 （第１反射面Ｒ１） 2 763.64299 143.883971 （第２反射面Ｒ２） 3 284.85995 -207.210933 （第３反射面Ｒ３） 4 562.05981 611.273283 （第４反射面Ｒ４） 5 1712.84079 -213.065615 （第５反射面Ｒ５） 6 544.56386 363.442359 （第６反射面Ｒ６） 7 232.24531 -283.351415 （第７反射面Ｒ７） 8 327.20625 306.745621 （第８反射面Ｒ８） （ウェハ面） （非球面データ） １面 κ＝０．００００００ Ｃ4＝−０．５４５４１１×１０-8 Ｃ6＝＋０．２２３０４１×１０-13 Ｃ8＝＋０．１６２３９６×１０-18 Ｃ10＝−０．５６４４１５×１０-23 ２面 κ＝０．００００００ Ｃ4＝−０．８２５１１１×１０-8 Ｃ6＝−０．４５５３５２×１０-13 Ｃ8＝＋０．１３６０１９×１０-18 Ｃ10＝−０．６２９９４９×１０-22 ３面 κ＝０．００００００ Ｃ4＝−０．３０１７７５×１０-7 Ｃ6＝＋０．７５４４４３×１０-13 Ｃ8＝＋０．５３９５３３×１０-16 Ｃ10＝−０．１４７８０６×１０-19 ４面 κ＝０．００００００ Ｃ4＝−０．６８１８９６×１０-9 Ｃ6＝−０．３２８８５６×１０-14 Ｃ8＝−０．２５２７８９×１０-19 Ｃ10＝−０．４２８０４６×１０-25 ５面 κ＝０．００００００ Ｃ4＝＋０．９８１７１８×１０-9 Ｃ6＝−０．６００１３８×１０-14 Ｃ8＝−０．８２９７７０×１０-19 Ｃ10＝＋０．１３０８６９×１０-23 ６面 κ＝０．００００００ Ｃ4＝＋０．４６３６７７×１０-9 Ｃ6＝＋０．１１７５９７×１０-15 Ｃ8＝−０．１６０４３５×１０-19 Ｃ10＝＋０．２８９０２４×１０-24 ７面 κ＝０．００００００ Ｃ4＝＋０．８７２４９２×１０-7 Ｃ6＝＋０．７８３８０１×１０-11 Ｃ8＝＋０．９３９９５９×１０-16 Ｃ10＝＋０．６５０２３０×１０-19 ８面 κ＝０．００００００ Ｃ4＝＋０．１６１９４０×１０-9 Ｃ6＝＋０．２００４８２×１０-14 Ｃ8＝＋０．２３０７７２×１０-19 Ｃ10＝＋０．１９２７６４×１０-24
【００４１】図７は、第３実施例の投影光学系における
コマ収差を示す図である。図７では、像高１００％、像
高９７％、および像高９４％におけるメリディオナルコ
マ収差およびサジタルコマ収差を示している。収差図か
ら明らかなように、第３実施例においても第１実施例お
よび第２実施例と同様に、コマ収差が良好に補正されて
いることがわかる。また、図示を省略したが、コマ収差
以外の他の諸収差も良好に補正されていることが確認さ
れている。
コマ収差を示す図である。図７では、像高１００％、像
高９７％、および像高９４％におけるメリディオナルコ
マ収差およびサジタルコマ収差を示している。収差図か
ら明らかなように、第３実施例においても第１実施例お
よび第２実施例と同様に、コマ収差が良好に補正されて
いることがわかる。また、図示を省略したが、コマ収差
以外の他の諸収差も良好に補正されていることが確認さ
れている。
【００４２】〔第４実施例〕図８は、本実施形態の第４
実施例にかかる投影光学系の構成を示す図である。図８
を参照すると、第４実施例の投影光学系では、マスク４
からの光が、第１反射ミラーＣＭ１の凸面状の反射面Ｒ
１、第２反射ミラーＣＭ２の凹面状の反射面Ｒ２、第３
反射ミラーＣＭ３の凸面状の反射面Ｒ３、第４反射ミラ
ーＣＭ４の凹面状の反射面Ｒ４、第５反射ミラーＣＭ５
の凹面状の反射面Ｒ５、第６反射ミラーＣＭ６の凹面状
の反射面Ｒ１、第７反射ミラーＣＭ７の凸面状の反射面
Ｒ７、および第８反射ミラーＣＭ８の凹面状の反射面Ｒ
８を介して、ウェハ７上にマスクパターンの縮小像を形
成する。第４実施例では、光学系の入射瞳が第３反射面
Ｒ３上に位置するように構成されている。なお、図８で
は、各反射ミラーＣＭ１〜ＣＭ８の図示を省略してい
る。
実施例にかかる投影光学系の構成を示す図である。図８
を参照すると、第４実施例の投影光学系では、マスク４
からの光が、第１反射ミラーＣＭ１の凸面状の反射面Ｒ
１、第２反射ミラーＣＭ２の凹面状の反射面Ｒ２、第３
反射ミラーＣＭ３の凸面状の反射面Ｒ３、第４反射ミラ
ーＣＭ４の凹面状の反射面Ｒ４、第５反射ミラーＣＭ５
の凹面状の反射面Ｒ５、第６反射ミラーＣＭ６の凹面状
の反射面Ｒ１、第７反射ミラーＣＭ７の凸面状の反射面
Ｒ７、および第８反射ミラーＣＭ８の凹面状の反射面Ｒ
８を介して、ウェハ７上にマスクパターンの縮小像を形
成する。第４実施例では、光学系の入射瞳が第３反射面
Ｒ３上に位置するように構成されている。なお、図８で
は、各反射ミラーＣＭ１〜ＣＭ８の図示を省略してい
る。
【００４３】次の表（４）に、第４実施例の投影光学系
の諸元の値を掲げる。表（４）において、λは露光光の
波長を、βは投影倍率（転写倍率）をそれぞれ表してい
る。また、面番号は物体面であるマスク面から像面であ
るウェハ面への光線の進行する方向に沿ったマスク側か
らの反射面の順序を、ｒは各反射面の頂点曲率半径（ｍ
ｍ）を、ｄは各反射面の軸上間隔すなわち面間隔（ｍ
ｍ）をそれぞれ示している。なお、面間隔ｄは、反射さ
れる度にその符号を変えるものとする。そして、光線の
入射方向にかかわらずマスク側に向かって凸面の曲率半
径を正とし、凹面の曲率半径を負としている。
の諸元の値を掲げる。表（４）において、λは露光光の
波長を、βは投影倍率（転写倍率）をそれぞれ表してい
る。また、面番号は物体面であるマスク面から像面であ
るウェハ面への光線の進行する方向に沿ったマスク側か
らの反射面の順序を、ｒは各反射面の頂点曲率半径（ｍ
ｍ）を、ｄは各反射面の軸上間隔すなわち面間隔（ｍ
ｍ）をそれぞれ示している。なお、面間隔ｄは、反射さ
れる度にその符号を変えるものとする。そして、光線の
入射方向にかかわらずマスク側に向かって凸面の曲率半
径を正とし、凹面の曲率半径を負としている。
【００４４】
【表４】 （主要諸元） λ＝１３．４ｎｍ β＝１／４ （光学部材諸元） 面番号 ｒ ｄ （マスク面） 355.178664 1 7000.00000 -184.529990 （第１反射面Ｒ１） 2 357.50053 105.786452 （第２反射面Ｒ２） 3 171.42264 -140.765892 （第３反射面Ｒ３） 4 429.87840 513.880742 （第４反射面Ｒ４） 5 -7000.00000 -241.299921 （第５反射面Ｒ５） 6 591.25546 309.115334 （第６反射面Ｒ６） 7 235.55238 -254.220109 （第７反射面Ｒ７） 8 305.96266 274.220109 （第８反射面Ｒ８） （ウェハ面） （非球面データ） １面 κ＝０．００００００ Ｃ4＝−０．５９８４５２×１０-8 Ｃ6＝−０．１３７７５４×１０-13 Ｃ8＝＋０．４７６２５０×１０-18 Ｃ10＝−０．１３３６４８×１０-22 ２面 κ＝０．００００００ Ｃ4＝−０．６９０４４５×１０-8 Ｃ6＝−０．２８９９７１×１０-13 Ｃ8＝−０．１１５３６０×１０-16 Ｃ10＝−０．１５１５５１×１０-21 ３面 κ＝０．００００００ Ｃ4＝−０．４７３１８７×１０-7 Ｃ6＝＋０．３３９８５２×１０-12 Ｃ8＝＋０．１５７６４２×１０-15 Ｃ10＝＋０．８４３７４２×１０-19 ４面 κ＝０．００００００ Ｃ4＝−０．２３４１００×１０-8 Ｃ6＝−０．１６８９２９×１０-13 Ｃ8＝−０．２１８６４８×１０-18 Ｃ10＝−０．５９６６１２×１０-23 ５面 κ＝０．００００００ Ｃ4＝＋０．９３２１６０×１０-9 Ｃ6＝−０．３４４８７９×１０-13 Ｃ8＝＋０．８８７８１９×１０-18 Ｃ10＝−０．１３０３７０×１０-22 ６面 κ＝０．００００００ Ｃ4＝＋０．１４１４８７×１０-8 Ｃ6＝−０．７５４３８４×１０-13 Ｃ8＝＋０．１８１５１９×１０-17 Ｃ10＝−０．１８８７２７×１０-22 ７面 κ＝０．００００００ Ｃ4＝＋０．４９７７９４×１０-7 Ｃ6＝＋０．７９７４３６×１０-11 Ｃ8＝−０．２１３３０６×１０-14 Ｃ10＝＋０．１５４６１７×１０-18 ８面 κ＝０．００００００ Ｃ4＝＋０．４５５８９２×１０-9 Ｃ6＝＋０．６２３１９６×１０-14 Ｃ8＝＋０．８２４６４２×１０-19 Ｃ10＝＋０．１３４１３９×１０-23
【００４５】図９は、第４実施例の投影光学系における
コマ収差を示す図である。図９では、像高１００％、像
高９７％、および像高９４％におけるメリディオナルコ
マ収差およびサジタルコマ収差を示している。収差図か
ら明らかなように、第４実施例においても第１実施例〜
第３実施例と同様に、コマ収差が良好に補正されている
ことがわかる。また、図示を省略したが、コマ収差以外
の他の諸収差も良好に補正されていることが確認されて
いる。
コマ収差を示す図である。図９では、像高１００％、像
高９７％、および像高９４％におけるメリディオナルコ
マ収差およびサジタルコマ収差を示している。収差図か
ら明らかなように、第４実施例においても第１実施例〜
第３実施例と同様に、コマ収差が良好に補正されている
ことがわかる。また、図示を省略したが、コマ収差以外
の他の諸収差も良好に補正されていることが確認されて
いる。
【００４６】〔第５実施例〕図１０は、本実施形態の第
５実施例にかかる投影光学系の構成を示す図である。図
１０を参照すると、第５実施例の投影光学系では、マス
ク４からの光が、第１反射ミラーＣＭ１の凹面状の反射
面Ｒ１、第２反射ミラーＣＭ２の凸面状の反射面Ｒ２、
第３反射ミラーＣＭ３の凹面状の反射面Ｒ３、第４反射
ミラーＣＭ４の凹面状の反射面Ｒ４、第５反射ミラーＣ
Ｍ５の凹面状の反射面Ｒ５、第６反射ミラーＣＭ６の凹
面状の反射面Ｒ１、第７反射ミラーＣＭ７の凸面状の反
射面Ｒ７、および第８反射ミラーＣＭ８の凹面状の反射
面Ｒ８を介して、ウェハ７上にマスクパターンの縮小像
を形成する。第５実施例では、光学系の入射瞳が第３反
射面Ｒ３上に位置するように構成されている。なお、図
１０では、各反射ミラーＣＭ１〜ＣＭ８の図示を省略し
ている。
５実施例にかかる投影光学系の構成を示す図である。図
１０を参照すると、第５実施例の投影光学系では、マス
ク４からの光が、第１反射ミラーＣＭ１の凹面状の反射
面Ｒ１、第２反射ミラーＣＭ２の凸面状の反射面Ｒ２、
第３反射ミラーＣＭ３の凹面状の反射面Ｒ３、第４反射
ミラーＣＭ４の凹面状の反射面Ｒ４、第５反射ミラーＣ
Ｍ５の凹面状の反射面Ｒ５、第６反射ミラーＣＭ６の凹
面状の反射面Ｒ１、第７反射ミラーＣＭ７の凸面状の反
射面Ｒ７、および第８反射ミラーＣＭ８の凹面状の反射
面Ｒ８を介して、ウェハ７上にマスクパターンの縮小像
を形成する。第５実施例では、光学系の入射瞳が第３反
射面Ｒ３上に位置するように構成されている。なお、図
１０では、各反射ミラーＣＭ１〜ＣＭ８の図示を省略し
ている。
【００４７】次の表（５）に、第５実施例の投影光学系
の諸元の値を掲げる。表（５）において、λは露光光の
波長を、βは投影倍率（転写倍率）をそれぞれ表してい
る。また、面番号は物体面であるマスク面から像面であ
るウェハ面への光線の進行する方向に沿ったマスク側か
らの反射面の順序を、ｒは各反射面の頂点曲率半径（ｍ
ｍ）を、ｄは各反射面の軸上間隔すなわち面間隔（ｍ
ｍ）をそれぞれ示している。なお、面間隔ｄは、反射さ
れる度にその符号を変えるものとする。そして、光線の
入射方向にかかわらずマスク側に向かって凸面の曲率半
径を正とし、凹面の曲率半径を負としている。
の諸元の値を掲げる。表（５）において、λは露光光の
波長を、βは投影倍率（転写倍率）をそれぞれ表してい
る。また、面番号は物体面であるマスク面から像面であ
るウェハ面への光線の進行する方向に沿ったマスク側か
らの反射面の順序を、ｒは各反射面の頂点曲率半径（ｍ
ｍ）を、ｄは各反射面の軸上間隔すなわち面間隔（ｍ
ｍ）をそれぞれ示している。なお、面間隔ｄは、反射さ
れる度にその符号を変えるものとする。そして、光線の
入射方向にかかわらずマスク側に向かって凸面の曲率半
径を正とし、凹面の曲率半径を負としている。
【００４８】
【表５】 （主要諸元） λ＝１３．４ｎｍ β＝１／４ （光学部材諸元） 面番号 ｒ ｄ （マスク面） 398.983276 1 -317.52637 -94.239390 （第１反射面Ｒ１） 2 -296.06855 44.928035 （第２反射面Ｒ２） 3 -5000.00000 -294.204004 （第３反射面Ｒ３） 4 751.85563 906.398723 （第４反射面Ｒ４） 5 -5988.20667 -462.129326 （第５反射面Ｒ５） 6 1264.06144 609.604166 （第６反射面Ｒ６） 7 213.09621 -334.049468 （第７反射面Ｒ７） 8 397.27735 354.049468 （第８反射面Ｒ８） （ウェハ面） （非球面データ） １面 κ＝０．００００００ Ｃ4＝＋０．２３８８９９×１０-8 Ｃ6＝＋０．５３０７２７×１０-13 Ｃ8＝＋０．１０２９６０×１０-17 Ｃ10＝＋０．３４１５７１×１０-23 ２面 κ＝０．００００００ Ｃ4＝＋０．７０４６３４×１０-7 Ｃ6＝−０．６１５３２４×１０-11 Ｃ8＝＋０．９３６６６５×１０-16 Ｃ10＝＋０．３２６４２７×１０-19 ３面 κ＝０．００００００ Ｃ4＝−０．１５５８７４×１０-7 Ｃ6＝＋０．３２３３９１×１０-12 Ｃ8＝＋０．３４３６８０×１０-14 Ｃ10＝−０．１０３４６３×１０-17 ４面 κ＝０．００００００ Ｃ4＝＋０．２１０１６９×１０-10 Ｃ6＝−０．１３４４７８×１０-15 Ｃ8＝＋０．２５１５１４×１０-19 Ｃ10＝−０．３０３７８３×１０-24 ５面 κ＝０．００００００ Ｃ4＝＋０．２３３６３５×１０-9 Ｃ6＝＋０．３１６８８４×１０-14 Ｃ8＝−０．１２９８１９×１０-19 Ｃ10＝＋０．５１８９９２×１０-25 ６面 κ＝０．００００００ Ｃ4＝＋０．１６４３７０×１０-9 Ｃ6＝＋０．７６７８２７×１０-15 Ｃ8＝−０．１４６２８３×１０-20 Ｃ10＝＋０．４１６９１０×１０-26 ７面 κ＝０．００００００ Ｃ4＝＋０．４７９２７３×１０-7 Ｃ6＝＋０．１７０３４４×１０-11 Ｃ8＝＋０．９５０５８１×１０-16 Ｃ10＝＋０．１３８６４４×１０-20 ８面 κ＝０．００００００ Ｃ4＝＋０．１５０９８２×１０-9 Ｃ6＝＋０．１１８３１８×１０-14 Ｃ8＝＋０．８５４１２１×１０-20 Ｃ10＝＋０．１２９８００×１０-24
【００４９】図１１は、第５実施例の投影光学系におけ
るコマ収差を示す図である。図１１では、像高１００
％、像高９７％、および像高９４％におけるメリディオ
ナルコマ収差およびサジタルコマ収差を示している。収
差図から明らかなように、第５実施例においても第１実
施例〜第４実施例と同様に、コマ収差が良好に補正され
ていることがわかる。また、図示を省略したが、コマ収
差以外の他の諸収差も良好に補正されていることが確認
されている。
るコマ収差を示す図である。図１１では、像高１００
％、像高９７％、および像高９４％におけるメリディオ
ナルコマ収差およびサジタルコマ収差を示している。収
差図から明らかなように、第５実施例においても第１実
施例〜第４実施例と同様に、コマ収差が良好に補正され
ていることがわかる。また、図示を省略したが、コマ収
差以外の他の諸収差も良好に補正されていることが確認
されている。
【００５０】〔第６実施例〕図１２は、本実施形態の第
６実施例にかかる投影光学系の構成を示す図である。図
１２を参照すると、第６実施例の投影光学系では、マス
ク４からの光が、第１反射ミラーＣＭ１の凸面状の反射
面Ｒ１、第２反射ミラーＣＭ２の凹面状の反射面Ｒ２、
第３反射ミラーＣＭ３の凸面状の反射面Ｒ３、第４反射
ミラーＣＭ４の凹面状の反射面Ｒ４、第５反射ミラーＣ
Ｍ５の凹面状の反射面Ｒ５、第６反射ミラーＣＭ６の凸
面状の反射面Ｒ１、第７反射ミラーＣＭ７の凸面状の反
射面Ｒ７、および第８反射ミラーＣＭ８の凹面状の反射
面Ｒ８を介して、ウェハ７上にマスクパターンの縮小像
を形成する。第６実施例では、光学系の入射瞳が第２反
射面Ｒ２上に位置するように構成されている。なお、図
１２では、各反射ミラーＣＭ１〜ＣＭ８の図示を省略し
ている。
６実施例にかかる投影光学系の構成を示す図である。図
１２を参照すると、第６実施例の投影光学系では、マス
ク４からの光が、第１反射ミラーＣＭ１の凸面状の反射
面Ｒ１、第２反射ミラーＣＭ２の凹面状の反射面Ｒ２、
第３反射ミラーＣＭ３の凸面状の反射面Ｒ３、第４反射
ミラーＣＭ４の凹面状の反射面Ｒ４、第５反射ミラーＣ
Ｍ５の凹面状の反射面Ｒ５、第６反射ミラーＣＭ６の凸
面状の反射面Ｒ１、第７反射ミラーＣＭ７の凸面状の反
射面Ｒ７、および第８反射ミラーＣＭ８の凹面状の反射
面Ｒ８を介して、ウェハ７上にマスクパターンの縮小像
を形成する。第６実施例では、光学系の入射瞳が第２反
射面Ｒ２上に位置するように構成されている。なお、図
１２では、各反射ミラーＣＭ１〜ＣＭ８の図示を省略し
ている。
【００５１】次の表（６）に、第６実施例の投影光学系
の諸元の値を掲げる。表（６）において、λは露光光の
波長を、βは投影倍率（転写倍率）をそれぞれ表してい
る。また、面番号は物体面であるマスク面から像面であ
るウェハ面への光線の進行する方向に沿ったマスク側か
らの反射面の順序を、ｒは各反射面の頂点曲率半径（ｍ
ｍ）を、ｄは各反射面の軸上間隔すなわち面間隔（ｍ
ｍ）をそれぞれ示している。なお、面間隔ｄは、反射さ
れる度にその符号を変えるものとする。そして、光線の
入射方向にかかわらずマスク側に向かって凸面の曲率半
径を正とし、凹面の曲率半径を負としている。
の諸元の値を掲げる。表（６）において、λは露光光の
波長を、βは投影倍率（転写倍率）をそれぞれ表してい
る。また、面番号は物体面であるマスク面から像面であ
るウェハ面への光線の進行する方向に沿ったマスク側か
らの反射面の順序を、ｒは各反射面の頂点曲率半径（ｍ
ｍ）を、ｄは各反射面の軸上間隔すなわち面間隔（ｍ
ｍ）をそれぞれ示している。なお、面間隔ｄは、反射さ
れる度にその符号を変えるものとする。そして、光線の
入射方向にかかわらずマスク側に向かって凸面の曲率半
径を正とし、凹面の曲率半径を負としている。
【００５２】
【表６】 （主要諸元） λ＝１３．４ｎｍ β＝１／４ （光学部材諸元） 面番号 ｒ ｄ （マスク面） 619.919792 1 2853.63937 -503.669649 （第１反射面Ｒ１） 2 971.62862 538.579512 （第２反射面Ｒ２） 3 1180.36783 -604.829661 （第３反射面Ｒ３） 4 1742.42693 952.024453 （第４反射面Ｒ４） 5 -409.39322 -97.171877 （第５反射面Ｒ５） 6 -334.54066 226.989209 （第６反射面Ｒ６） 7 375.95002 -284.488510 （第７反射面Ｒ７） 8 355.86799 306.647445 （第８反射面Ｒ８） （ウェハ面） （非球面データ） １面 κ＝０．００００００ Ｃ4＝−０．５１３８４９×１０-9 Ｃ6＝＋０．１５４３９４×１０-13 Ｃ8＝−０．５３１５１６×１０-19 Ｃ10＝＋０．３７４６６３×１０-24 ２面 κ＝０．００００００ Ｃ4＝−０．１９０８９４×１０-9 Ｃ6＝−０．２２７３５７×１０-14 Ｃ8＝−０．２４７７３４×１０-19 Ｃ10＝−０．１９９４７２×１０-24 ３面 κ＝０．００００００ Ｃ4＝−０．４９９２４４×１０-9 Ｃ6＝−０．７８９０５３×１０-15 Ｃ8＝−０．４８０１５８×１０-19 Ｃ10＝−０．３０２０５２×１０-24 ４面 κ＝０．００００００ Ｃ4＝−０．２７６２５２×１０-9 Ｃ6＝−０．７３７２５７×１０-15 Ｃ8＝−０．１９５４９７×１０-20 Ｃ10＝−０．２５４８６３×１０-25 ５面 κ＝０．００００００ Ｃ4＝＋０．７７８０７８×１０-9 Ｃ6＝＋０．４８４１４０×１０-14 Ｃ8＝−０．８４５３５０×１０-20 Ｃ10＝＋０．２８４２７３×１０-24 ６面 κ＝０．００００００ Ｃ4＝＋０．４８５０９９×１０-8 Ｃ6＝＋０．１８７２２４×１０-13 Ｃ8＝−０．４２５６４０×１０-18 Ｃ10＝＋０．１３４７８０×１０-22 ７面 κ＝０．００００００ Ｃ4＝＋０．１９３５９２×１０-7 Ｃ6＝＋０．１７３２３７×１０-13 Ｃ8＝−０．１１６１３０×１０-16 Ｃ10＝−０．３２４５１５×１０-20 ８面 κ＝０．００００００ Ｃ4＝＋０．４６２０９６×１０-9 Ｃ6＝＋０．５９６４７９×１０-14 Ｃ8＝＋０．６１８７５１×１０-19 Ｃ10＝＋０．１２７１０３×１０-23
【００５３】図１３は、第６実施例の投影光学系におけ
るコマ収差を示す図である。図１３では、像高１００
％、像高９７％、および像高９４％におけるメリディオ
ナルコマ収差およびサジタルコマ収差を示している。収
差図から明らかなように、第６実施例においても第１実
施例〜第５実施例と同様に、コマ収差が良好に補正され
ていることがわかる。また、図示を省略したが、コマ収
差以外の他の諸収差も良好に補正されていることが確認
されている。
るコマ収差を示す図である。図１３では、像高１００
％、像高９７％、および像高９４％におけるメリディオ
ナルコマ収差およびサジタルコマ収差を示している。収
差図から明らかなように、第６実施例においても第１実
施例〜第５実施例と同様に、コマ収差が良好に補正され
ていることがわかる。また、図示を省略したが、コマ収
差以外の他の諸収差も良好に補正されていることが確認
されている。
【００５４】なお、図４に示すように、ウェハ７上での
有効露光視野およびマスク４上での有効照明視野を規定
するための視野絞りＳを、投影光学系６の光路中におい
てウェハ７の露光面およびマスク４のパターン面と光学
的に共役な位置に設けることができる。この場合、照明
光学系３の光路中に同様の視野絞りを配置するとともに
投影光学系６の光路中に視野絞りＳを配置してもよい
し、照明光学系３の光路中に視野絞りを配置することな
く投影光学系６の光路中だけに視野絞りＳを配置しても
よい。
有効露光視野およびマスク４上での有効照明視野を規定
するための視野絞りＳを、投影光学系６の光路中におい
てウェハ７の露光面およびマスク４のパターン面と光学
的に共役な位置に設けることができる。この場合、照明
光学系３の光路中に同様の視野絞りを配置するとともに
投影光学系６の光路中に視野絞りＳを配置してもよい
し、照明光学系３の光路中に視野絞りを配置することな
く投影光学系６の光路中だけに視野絞りＳを配置しても
よい。
【００５５】また、図４を参照すると、第２実施例の投
影光学系６では、第４反射面Ｒ４で反射されて第５反射
面Ｒ５へ向かう光線が第６反射面Ｒ６の仮想延長面（第
６反射面を延長して得られる仮想面）を通過する位置の
光軸からの距離が、第６反射面Ｒ６で反射される光線の
第６反射面Ｒ６上における位置の光軸からの距離よりも
大きく設定されている。その結果、第４反射面Ｒ４を有
する第４反射ミラーＣＭ４（図４では不図示）の外径が
大型化し、ひいては光学系全体が径方向に大型化してい
ることがわかる。
影光学系６では、第４反射面Ｒ４で反射されて第５反射
面Ｒ５へ向かう光線が第６反射面Ｒ６の仮想延長面（第
６反射面を延長して得られる仮想面）を通過する位置の
光軸からの距離が、第６反射面Ｒ６で反射される光線の
第６反射面Ｒ６上における位置の光軸からの距離よりも
大きく設定されている。その結果、第４反射面Ｒ４を有
する第４反射ミラーＣＭ４（図４では不図示）の外径が
大型化し、ひいては光学系全体が径方向に大型化してい
ることがわかる。
【００５６】換言すると、第２実施例以外の他の実施例
にかかる投影光学系６では、第４反射面Ｒ４で反射され
て第５反射面Ｒ５へ向かう光線が第６反射面Ｒ６の仮想
延長面を通過する位置の光軸からの距離が、第６反射面
Ｒ６で反射される光線の第６反射面Ｒ６上における位置
の光軸からの距離よりも小さく設定されている。その結
果、第４反射面Ｒ４を有する第４反射ミラーＣＭ４の外
径の小型化が、ひいては光学系全体の径方向の小型化が
図られている。
にかかる投影光学系６では、第４反射面Ｒ４で反射され
て第５反射面Ｒ５へ向かう光線が第６反射面Ｒ６の仮想
延長面を通過する位置の光軸からの距離が、第６反射面
Ｒ６で反射される光線の第６反射面Ｒ６上における位置
の光軸からの距離よりも小さく設定されている。その結
果、第４反射面Ｒ４を有する第４反射ミラーＣＭ４の外
径の小型化が、ひいては光学系全体の径方向の小型化が
図られている。
【００５７】上述の実施形態にかかる露光装置では、照
明系によってマスクを照明し（照明工程）、投影光学系
を用いてマスクに形成された転写用のパターンを感光性
基板に露光する（露光工程）ことにより、マイクロデバ
イス（半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気
ヘッド等）を製造することができる。以下、本実施形態
の露光装置を用いて感光性基板としてのウェハ等に所定
の回路パターンを形成することによって、マイクロデバ
イスとしての半導体デバイスを得る際の手法の一例につ
き図１５のフローチャートを参照して説明する。
明系によってマスクを照明し（照明工程）、投影光学系
を用いてマスクに形成された転写用のパターンを感光性
基板に露光する（露光工程）ことにより、マイクロデバ
イス（半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気
ヘッド等）を製造することができる。以下、本実施形態
の露光装置を用いて感光性基板としてのウェハ等に所定
の回路パターンを形成することによって、マイクロデバ
イスとしての半導体デバイスを得る際の手法の一例につ
き図１５のフローチャートを参照して説明する。
【００５８】先ず、図１５のステップ３０１において、
１ロットのウェハ上に金属膜が蒸着される。次のステッ
プ３０２において、そのｌロットのウェハ上の金属膜上
にフォトレジストが塗布される。その後、ステップ３０
３において、本実施形態の露光装置を用いて、マスク
（レチクル）上のパターンの像がその投影光学系を介し
て、その１ロットのウェハ上の各ショット領域に順次露
光転写される。
１ロットのウェハ上に金属膜が蒸着される。次のステッ
プ３０２において、そのｌロットのウェハ上の金属膜上
にフォトレジストが塗布される。その後、ステップ３０
３において、本実施形態の露光装置を用いて、マスク
（レチクル）上のパターンの像がその投影光学系を介し
て、その１ロットのウェハ上の各ショット領域に順次露
光転写される。
【００５９】その後、ステップ３０４において、その１
ロットのウェハ上のフォトレジストの現像が行われた
後、ステップ３０５において、その１ロットのウェハ上
でレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うこ
とによって、マスク上のパターンに対応する回路パター
ンが、各ウェハ上の各ショット領域に形成される。その
後、更に上のレイヤの回路パターンの形成等を行うこと
によって、半導体素子等のデバイスが製造される。上述
の半導体デバイス製造方法によれば、極めて微細な回路
パターンを有する半導体デバイスをスループット良く得
ることができる。
ロットのウェハ上のフォトレジストの現像が行われた
後、ステップ３０５において、その１ロットのウェハ上
でレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うこ
とによって、マスク上のパターンに対応する回路パター
ンが、各ウェハ上の各ショット領域に形成される。その
後、更に上のレイヤの回路パターンの形成等を行うこと
によって、半導体素子等のデバイスが製造される。上述
の半導体デバイス製造方法によれば、極めて微細な回路
パターンを有する半導体デバイスをスループット良く得
ることができる。
【００６０】なお、上述の本実施形態では、Ｘ線を供給
するための光源としてレーザプラズマＸ線源を用いてい
るが、これに限定されることなく、Ｘ線としてたとえば
シンクロトロン放射（ＳＯＲ）光を用いることもでき
る。
するための光源としてレーザプラズマＸ線源を用いてい
るが、これに限定されることなく、Ｘ線としてたとえば
シンクロトロン放射（ＳＯＲ）光を用いることもでき
る。
【００６１】また、上述の本実施形態では、Ｘ線を供給
するための光源を有する露光装置に本発明を適用してい
るが、これに限定されることなく、Ｘ線以外の他の波長
光を供給する光源を有する露光装置に対しても本発明を
適用することができる。
するための光源を有する露光装置に本発明を適用してい
るが、これに限定されることなく、Ｘ線以外の他の波長
光を供給する光源を有する露光装置に対しても本発明を
適用することができる。
【００６２】さらに、上述の本実施形態では、露光装置
の投影光学系に本発明を適用しているが、これに限定さ
れることなく、他の一般的な投影光学系に対しても本発
明を適用することができる。
の投影光学系に本発明を適用しているが、これに限定さ
れることなく、他の一般的な投影光学系に対しても本発
明を適用することができる。
【００６３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の投影光学
系では、その入射瞳位置が第２反射面の第１面側の近傍
よりも第２面側に設定されているので、物体面と入射瞳
との間で充分な収差補正を行うことができ、ひいては光
学系全体の収差補正を良好に行うことができる。
系では、その入射瞳位置が第２反射面の第１面側の近傍
よりも第２面側に設定されているので、物体面と入射瞳
との間で充分な収差補正を行うことができ、ひいては光
学系全体の収差補正を良好に行うことができる。
【００６４】また、本発明の反射型投影光学系を露光装
置の投影光学系に適用することにより、露光光としてＸ
線を使用することができる。この場合、投影光学系に対
してマスクおよび感光性基板を相対移動させて、マスク
のパターンを感光性基板上へ投影露光することになる。
その結果、大きな解像力を有する走査型の露光装置を用
いて、良好な露光条件のもとで、高精度なマイクロデバ
イスを製造することができる。
置の投影光学系に適用することにより、露光光としてＸ
線を使用することができる。この場合、投影光学系に対
してマスクおよび感光性基板を相対移動させて、マスク
のパターンを感光性基板上へ投影露光することになる。
その結果、大きな解像力を有する走査型の露光装置を用
いて、良好な露光条件のもとで、高精度なマイクロデバ
イスを製造することができる。
【図１】本発明の実施形態にかかる露光装置の構成を概
略的に示す図である。
略的に示す図である。
【図２】本実施形態の第１実施例にかかる投影光学系の
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図３】第１実施例の投影光学系におけるコマ収差を示
す図である。
す図である。
【図４】本実施形態の第２実施例にかかる投影光学系の
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図５】第２実施例の投影光学系におけるコマ収差を示
す図である。
す図である。
【図６】本実施形態の第３実施例にかかる投影光学系の
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図７】第３実施例の投影光学系におけるコマ収差を示
す図である。
す図である。
【図８】本実施形態の第４実施例にかかる投影光学系の
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図９】第４実施例の投影光学系におけるコマ収差を示
す図である。
す図である。
【図１０】本実施形態の第５実施例にかかる投影光学系
の構成を示す図である。
の構成を示す図である。
【図１１】第５実施例の投影光学系におけるコマ収差を
示す図である。
示す図である。
【図１２】本実施形態の第６実施例にかかる投影光学系
の構成を示す図である。
の構成を示す図である。
【図１３】第６実施例の投影光学系におけるコマ収差を
示す図である。
示す図である。
【図１４】本発明の条件式（１）を説明するための図で
ある。
ある。
【図１５】マイクロデバイスとしての半導体デバイスを
得る際の手法の一例について、そのフローチャートを示
す図である。
得る際の手法の一例について、そのフローチャートを示
す図である。
１ レーザプラズマＸ線源 ２ 波長選択フィルター ３ 照明光学系 ４ マスク ５ マスクステージ ６ 投影光学系 ７ ウェハ ８ ウェハステージ ＣＭ１〜ＣＭ８ 反射ミラー Ｒ１〜Ｒ８ 反射面 Ｓ 視野絞り
Claims (9)
- 【請求項１】 第１面の像を第２面上に形成する投影光
学系において、 前記第１面からの光を反射するための第１反射面と、 前記第１反射面で反射された光を反射するための第２反
射面と、 前記第２反射面で反射された光を反射するための第３反
射面と、 前記第３反射面で反射された光を反射するための第４反
射面と、 前記第４反射面で反射された光を反射するための第５反
射面と、 前記第５反射面で反射された光を反射するための第６反
射面と、 前記第６反射面で反射された光を前記第２面に向けて反
射するための第７反射面とを備え、 前記投影光学系の入射瞳位置が、前記第１面から前記第
２面への光路に沿って、前記第２反射面の第１面側の近
傍よりも第２面側に設定されていることを特徴とする投
影光学系。 - 【請求項２】 前記入射瞳位置は、前記第１面から前記
第２面への光路に沿って、前記第２反射面の第１面側の
近傍と前記第３反射面の第２面側の近傍との間の光路中
に設定されていることを特徴とする請求項１に記載の投
影光学系。 - 【請求項３】 前記入射瞳位置が前記第１面から前記第
２面への光路に沿って前記第２反射面の第１面側の近傍
にあるとき、 光軸と像点とを含む平面内において、光軸に対して垂直
な方向にｙ座標を、光軸に対して像点と同じ側が正にな
るように設定し、 前記平面内において、最大開口数の光線と前記第２反射
面との交点のｙ座標値をｙａおよびｙｂ（ｙａ＞ｙｂ）
とそれぞれ定義すると、 −１≦ｌｏｇe｛−（ｙａ／ｙｂ）｝≦１ の条件を満足することを特徴とする請求項１または２に
記載の投影光学系。 - 【請求項４】 前記入射瞳位置は、前記第１面から前記
第２面への光路に沿って、前記第２反射面上または前記
第２反射面よりも第２面側に設定されていることを特徴
とする請求項１に記載の投影光学系。 - 【請求項５】 前記第６反射面は、前記第４反射面と前
記第５反射面との間に配置され、 前記第４反射面で反射されて前記第５反射面へ向かう光
線が前記第６反射面の仮想延長面を通過する位置の光軸
からの距離が、前記第６反射面で反射される光線の前記
第６反射面上における位置の光軸からの距離よりも小さ
く設定されていることを特徴とする請求項１乃至４のい
ずれか１項に記載の投影光学系。 - 【請求項６】 前記第１反射面乃至前記第７反射面は、
単一の光軸に沿って配置されていることを特徴とする請
求項１乃至５のいずれか１項に記載の投影光学系。 - 【請求項７】 マスクを照明するための照明系と、前記
マスクのパターンを感光性基板上へ投影露光するための
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の投影光学系とを
備えていることを特徴とする露光装置。 - 【請求項８】 前記照明系は、露光光としてＸ線を供給
するための光源を有し、 前記投影光学系に対して前記マスクおよび前記感光性基
板を相対移動させて、前記マスクのパターンを前記感光
性基板上へ投影露光することを特徴とする請求項７に記
載の露光装置。 - 【請求項９】 請求項７または８に記載の露光装置によ
り前記マスクのパターンを前記感光性基板上に露光する
露光工程と、前記露光工程により露光された前記感光性
基板を現像する現像工程とを含むことを特徴とするマイ
クロデバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000305734A JP2002116382A (ja) | 2000-10-05 | 2000-10-05 | 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000305734A JP2002116382A (ja) | 2000-10-05 | 2000-10-05 | 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002116382A true JP2002116382A (ja) | 2002-04-19 |
Family
ID=18786536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000305734A Pending JP2002116382A (ja) | 2000-10-05 | 2000-10-05 | 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002116382A (ja) |
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-
2000
- 2000-10-05 JP JP2000305734A patent/JP2002116382A/ja active Pending
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