JP2002139672A - ８枚の反射鏡を用いたマイクロリソグラフィ用の投影光学系 - Google Patents
８枚の反射鏡を用いたマイクロリソグラフィ用の投影光学系Info
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 １０〜３０ｎｍの領域の極短紫外線の短い波
長を用いたリソグラフィに適し、従来より知られてきた
ＥＵＶ−マイクロリソグラフィ用投影光学系に比較し
て、大きな開口数、ならびに、収差を補正する可能性が
改善されている点で優れた投影光学系を提供する 【解決手段】 本発明は、１０〜３０ｎｍの領域の波長
を用いた極短紫外線リソグラフィのために、オブジェク
トフィールドをイメージフィールドに結像させる入射瞳
と射出瞳とを備えてなるマイクロリソグラフィ用の投影
光学系に関するものである。本発明は、第１の反射鏡、
第２の反射鏡、第３の反射鏡、第４の反射鏡、第５の反
射鏡、第６の反射鏡、第７の反射鏡、及び第８の反射鏡
を備えていることを特徴とする。
長を用いたリソグラフィに適し、従来より知られてきた
ＥＵＶ−マイクロリソグラフィ用投影光学系に比較し
て、大きな開口数、ならびに、収差を補正する可能性が
改善されている点で優れた投影光学系を提供する 【解決手段】 本発明は、１０〜３０ｎｍの領域の波長
を用いた極短紫外線リソグラフィのために、オブジェク
トフィールドをイメージフィールドに結像させる入射瞳
と射出瞳とを備えてなるマイクロリソグラフィ用の投影
光学系に関するものである。本発明は、第１の反射鏡、
第２の反射鏡、第３の反射鏡、第４の反射鏡、第５の反
射鏡、第６の反射鏡、第７の反射鏡、及び第８の反射鏡
を備えていることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、請求項１のおいて
書きの部分に係るマイクロリソグラフィ用の投影光学
系、請求項１８に係る投影露光装置、ならびに請求項１
９に係るチップの製造方法に関する。
書きの部分に係るマイクロリソグラフィ用の投影光学
系、請求項１８に係る投影露光装置、ならびに請求項１
９に係るチップの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】１９３ｎｍより短い波長を用いたリソグ
ラフィ、とりわけ、使用する波長λが、λ＝１１ｎｍ、
ないしはλ＝１３ｎｍとされた極短紫外線（ＥＵＶ）リ
ソグラフィ（以後、ＥＵＶ−リソグラフィ、もしくはＥ
ＵＶ−マイクロリソグラフィ、あるいは単にマイクロリ
ソグラフィと称する）が、１３０ｎｍ未満、とくに１０
０ｎｍ未満の構造を結像するための有望な手法として論
じられるようになってきている。リソグラフィ用の光学
系の解像度（ＲＥＳ）は、下記の式で記述される；
ラフィ、とりわけ、使用する波長λが、λ＝１１ｎｍ、
ないしはλ＝１３ｎｍとされた極短紫外線（ＥＵＶ）リ
ソグラフィ（以後、ＥＵＶ−リソグラフィ、もしくはＥ
ＵＶ−マイクロリソグラフィ、あるいは単にマイクロリ
ソグラフィと称する）が、１３０ｎｍ未満、とくに１０
０ｎｍ未満の構造を結像するための有望な手法として論
じられるようになってきている。リソグラフィ用の光学
系の解像度（ＲＥＳ）は、下記の式で記述される；
【数１】 ここで、ｋ1はリソグラフィ工程における固有の係数で
あり、λは入射する光の波長、ＮＡは光学系の像側の開
口数を表すものである。
あり、λは入射する光の波長、ＮＡは光学系の像側の開
口数を表すものである。
【０００３】極短紫外線領域における結像光学系には、
光学素子として、主に、多層膜を用いた反射型光学系が
用いられる。多層膜系としては、波長λ＝１１ｎｍでは
特にＭｏ／Ｂｅ系が、波長λ＝１３ｎｍではＭｏ／Ｓｉ
系が好適に用いられている。
光学素子として、主に、多層膜を用いた反射型光学系が
用いられる。多層膜系としては、波長λ＝１１ｎｍでは
特にＭｏ／Ｂｅ系が、波長λ＝１３ｎｍではＭｏ／Ｓｉ
系が好適に用いられている。
【０００４】使用される多層膜の反射率は、現在最大で
およそ７０％程度の値であり、このため、ＥＵＶ−マイ
クロリソグラフィに用いられる投影光学系には、光学素
子をできるだけ少なくして十分な光の強度を得ることが
要求される。
およそ７０％程度の値であり、このため、ＥＵＶ−マイ
クロリソグラフィに用いられる投影光学系には、光学素
子をできるだけ少なくして十分な光の強度を得ることが
要求される。
【０００５】できるだけ高い解像度を得るためには、一
方で、光学系ができるだけ大きな像側の開口数を有して
いることが必要である。
方で、光学系ができるだけ大きな像側の開口数を有して
いることが必要である。
【０００６】リソグラフィ用の光学系に関して、好まし
いのは、投影光学系の内部での光路が、遮蔽の無い、す
なわち食が起こらない状態とされている場合である。と
りわけ、投影光学系は、透過領域によって遮蔽が引き起
こされるため、透過領域を有するような反射鏡、特に開
口部を備えるわけにはいかない。光学系が反射領域を有
するような反射鏡を何ら持たない場合、これによって光
学系は、遮蔽の無い光路を有し、光学系の射出瞳が遮蔽
を生じないものとなる。さらに、斯かる遮蔽の無い系の
開口絞りには、遮蔽装置は配置される必要がない。いわ
ゆるシュワルツシルト反射鏡系といった遮蔽された射出
瞳を有する系の欠点は、所定の大きさの構造が、制限さ
れた状態でしか像を結ぶことができないという点であ
る。射出瞳は、開口絞りと像面との間の光路中に配置さ
れた光学素子によって結像される開口絞りの像として定
義されている。
いのは、投影光学系の内部での光路が、遮蔽の無い、す
なわち食が起こらない状態とされている場合である。と
りわけ、投影光学系は、透過領域によって遮蔽が引き起
こされるため、透過領域を有するような反射鏡、特に開
口部を備えるわけにはいかない。光学系が反射領域を有
するような反射鏡を何ら持たない場合、これによって光
学系は、遮蔽の無い光路を有し、光学系の射出瞳が遮蔽
を生じないものとなる。さらに、斯かる遮蔽の無い系の
開口絞りには、遮蔽装置は配置される必要がない。いわ
ゆるシュワルツシルト反射鏡系といった遮蔽された射出
瞳を有する系の欠点は、所定の大きさの構造が、制限さ
れた状態でしか像を結ぶことができないという点であ
る。射出瞳は、開口絞りと像面との間の光路中に配置さ
れた光学素子によって結像される開口絞りの像として定
義されている。
【０００７】例えば、米国特許第5 315 629号明細書、
あるいは、欧州特許第0 480 617号公報より、４枚の反
射鏡を用いたマイクロリソグラフィ用の光学系が公知と
なっている。これらの先行文献に挙げられるような光学
系では、しかしながら、フィールドの大きさが十分にな
る少なくとも１ｍｍの走査スリット幅の場合、像側の開
口数がＮＡ＝０．１の値にしかなり得ない。解像度の限
界は、波長１０〜３０ｎｍを有したレントゲン線を用い
る場合には、７０ｎｍ付近である。
あるいは、欧州特許第0 480 617号公報より、４枚の反
射鏡を用いたマイクロリソグラフィ用の光学系が公知と
なっている。これらの先行文献に挙げられるような光学
系では、しかしながら、フィールドの大きさが十分にな
る少なくとも１ｍｍの走査スリット幅の場合、像側の開
口数がＮＡ＝０．１の値にしかなり得ない。解像度の限
界は、波長１０〜３０ｎｍを有したレントゲン線を用い
る場合には、７０ｎｍ付近である。
【０００８】６枚の反射鏡を用いたマイクロリソグラフ
ィ用の光学系は、以下の刊行物、米国特許第5 153 898
号明細書、欧州特許第0 252 734号公開公報、欧州特許
第0 947 882号公開公報、米国特許第5 686 728号明細
書、欧州特許第0 779 528号公開公報、米国特許第5 815
310号明細書、国際公開第 99/57606 号パンフレット、
及び米国特許第6 033 079号明細書より公知となってい
る。
ィ用の光学系は、以下の刊行物、米国特許第5 153 898
号明細書、欧州特許第0 252 734号公開公報、欧州特許
第0 947 882号公開公報、米国特許第5 686 728号明細
書、欧州特許第0 779 528号公開公報、米国特許第5 815
310号明細書、国際公開第 99/57606 号パンフレット、
及び米国特許第6 033 079号明細書より公知となってい
る。
【０００９】これらの文献で述べられるような６枚の反
射鏡を用いた光学系といった光学系は、像側の開口数が
０．３より小さい値を有している。これにより、波長１
０〜３０ｎｍを有したレントゲン線を用いる場合には、
３０ｎｍ付近の解像度が得られる。
射鏡を用いた光学系といった光学系は、像側の開口数が
０．３より小さい値を有している。これにより、波長１
０〜３０ｎｍを有したレントゲン線を用いる場合には、
３０ｎｍ付近の解像度が得られる。
【００１０】４枚の反射鏡を用いた光学系でも、６枚の
反射鏡を用いた光学系でも、これらの光学系のさらなる
欠点は、これらの光学系が収差を補正するための手段を
ほとんど持たないという点である。
反射鏡を用いた光学系でも、これらの光学系のさらなる
欠点は、これらの光学系が収差を補正するための手段を
ほとんど持たないという点である。
【００１１】米国特許第5 686 728号明細書により、８
枚の反射鏡を用いたマイクロリソグラフィ用の投影光学
系が公知となっている。この投影光学系は、像側の開口
数としてＮＡ＝０．５５という高い値を有している。も
っとも、この米国特許第5 686 728号明細書に開示され
た投影光学系は、１２６ｎｍより大きな波長にのみ適し
ている。というのも、例えば、オブジェクトフィールド
の中心で対称軸上に位置する視野絞りの主光線の入射角
があまりに大きく、このため、１０〜３０ｎｍの極短紫
外線の波長領域で、８枚の反射鏡を用いた光学系を用い
ることができないからである。米国特許第5 686 728号
明細書による光学系のさらなる欠点は、全ての８枚の反
射鏡が非球面状に形成され、物体側の開口数が０．１１
の場合、物体での主光線の角度が１３°の値を有すると
いうことである。
枚の反射鏡を用いたマイクロリソグラフィ用の投影光学
系が公知となっている。この投影光学系は、像側の開口
数としてＮＡ＝０．５５という高い値を有している。も
っとも、この米国特許第5 686 728号明細書に開示され
た投影光学系は、１２６ｎｍより大きな波長にのみ適し
ている。というのも、例えば、オブジェクトフィールド
の中心で対称軸上に位置する視野絞りの主光線の入射角
があまりに大きく、このため、１０〜３０ｎｍの極短紫
外線の波長領域で、８枚の反射鏡を用いた光学系を用い
ることができないからである。米国特許第5 686 728号
明細書による光学系のさらなる欠点は、全ての８枚の反
射鏡が非球面状に形成され、物体側の開口数が０．１１
の場合、物体での主光線の角度が１３°の値を有すると
いうことである。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明の第一の課題
は、１０〜３０ｎｍの領域の極短紫外線の短い波長を用
いたリソグラフィに適し、従来より知られてきたＥＵＶ
−マイクロリソグラフィ用投影光学系に比較して、大き
な開口数、ならびに、収差を補正する可能性が改善され
ている点において優れている投影光学系を提供すること
にある。
は、１０〜３０ｎｍの領域の極短紫外線の短い波長を用
いたリソグラフィに適し、従来より知られてきたＥＵＶ
−マイクロリソグラフィ用投影光学系に比較して、大き
な開口数、ならびに、収差を補正する可能性が改善され
ている点において優れている投影光学系を提供すること
にある。
【００１３】本発明のさらなる課題は、１９３ｎｍ以下
の波長を用いたリソグラフィに用いられ、大きな開口数
を有するとともに、容易に製造することのできるマイク
ロリソグラフィ用投影光学系を提供することにある。
の波長を用いたリソグラフィに用いられ、大きな開口数
を有するとともに、容易に製造することのできるマイク
ロリソグラフィ用投影光学系を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】第一の課題は、本発明に
より、１０〜３０ｎｍの領域の波長による極短紫外線リ
ソグラフィのためのマイクロリソグラフィ用投影光学系
を用い、このマイクロリソグラフィ用の投影光学系が４
枚もしくは６枚の反射鏡の代わりに８枚の反射鏡を有し
ていることによって解決される。
より、１０〜３０ｎｍの領域の波長による極短紫外線リ
ソグラフィのためのマイクロリソグラフィ用投影光学系
を用い、このマイクロリソグラフィ用の投影光学系が４
枚もしくは６枚の反射鏡の代わりに８枚の反射鏡を有し
ていることによって解決される。
【００１５】本発明者らは、驚くべきことに、このよう
な光学系が、十分な強度の光を提供するとともに、高い
解像度に対する要求に適合するよう、十分な大きさの開
口数を有し、また、収差を補正する十分な手段を有する
ものであるという知見を得て本発明に至った。
な光学系が、十分な強度の光を提供するとともに、高い
解像度に対する要求に適合するよう、十分な大きさの開
口数を有し、また、収差を補正する十分な手段を有する
ものであるという知見を得て本発明に至った。
【００１６】できるだけ大きな解像度を達成するため
に、好ましい実施態様においては、投影光学系の像側の
開口数は、０．２より大きいものとされている。
に、好ましい実施態様においては、投影光学系の像側の
開口数は、０．２より大きいものとされている。
【００１７】オブジェクトフィールドの中心で、かつ対
称軸上に位置する視野絞りの主光線の入射角が低い値を
保つよう、本発明による投影光学系の像側の開口数は有
限とされ、具体的にはＮＡ＜０．５とされていることが
好ましい。
称軸上に位置する視野絞りの主光線の入射角が低い値を
保つよう、本発明による投影光学系の像側の開口数は有
限とされ、具体的にはＮＡ＜０．５とされていることが
好ましい。
【００１８】光束を光軸（ＨＡ）の方向に向けるため、
また、可能な限り軸から離れた使用領域に出現すること
を防ぐため、とりわけ好ましい実施態様においては、投
影光学系は、該投影光学系内の光路において、オブジェ
クトフィールドとイメージフィールドとの間に少なくと
も一つのオブジェクトフィールドの中間像が結像される
ように構成されている。
また、可能な限り軸から離れた使用領域に出現すること
を防ぐため、とりわけ好ましい実施態様においては、投
影光学系は、該投影光学系内の光路において、オブジェ
クトフィールドとイメージフィールドとの間に少なくと
も一つのオブジェクトフィールドの中間像が結像される
ように構成されている。
【００１９】反射鏡の使用領域とは、本明細書中、該投
影光学系を通して導かれる光線が当たる反射鏡の部分の
ことをいう。使用領域の隔たりとは、本明細書中、視野
絞りの中心の主光線が当たる位置の光軸から測った隔た
りのことをいう。
影光学系を通して導かれる光線が当たる反射鏡の部分の
ことをいう。使用領域の隔たりとは、本明細書中、視野
絞りの中心の主光線が当たる位置の光軸から測った隔た
りのことをいう。
【００２０】本発明に係る投影光学系の第一の反射鏡上
への入射角を低く抑えるために、とりわけ好ましい実施
態様においては、光路中において第１の反射鏡と第３の
反射鏡との間に、好ましくは第１の反射鏡の上もしくは
その近くに、あるいは第２の反射鏡の上もしくはその近
くに、絞りが配置されている。「近く」とは、本明細書
中、その都度次に位置する反射鏡から測った絞りの隔た
りのことを意味し、この隔たりが直前の反射鏡から、そ
の都度絞りに近い反射鏡までの隔たりの１／１０より小
さいものをいう。例えば、「Ｓ２近く」とは、
への入射角を低く抑えるために、とりわけ好ましい実施
態様においては、光路中において第１の反射鏡と第３の
反射鏡との間に、好ましくは第１の反射鏡の上もしくは
その近くに、あるいは第２の反射鏡の上もしくはその近
くに、絞りが配置されている。「近く」とは、本明細書
中、その都度次に位置する反射鏡から測った絞りの隔た
りのことを意味し、この隔たりが直前の反射鏡から、そ
の都度絞りに近い反射鏡までの隔たりの１／１０より小
さいものをいう。例えば、「Ｓ２近く」とは、
【数２】 が成り立つことを意味している。このような配置によ
り、光学系の上流側の部分において、光束の分離を最小
限にすることができ、第１、第２、及び第３の反射鏡へ
の入射角が低減される。さらに、絞りがこのように配置
されることによって、第３の反射鏡の使用領域が、光軸
の真下、かつ、第１の反射鏡Ｓ１の使用領域に対して略
鏡像の位置に来ることになる。この特性により、第４及
び第５の反射鏡への入射角も低減される。というのも、
光軸からの光束の隔たりは、第４及び第５の反射鏡の間
で最小となるからである。
り、光学系の上流側の部分において、光束の分離を最小
限にすることができ、第１、第２、及び第３の反射鏡へ
の入射角が低減される。さらに、絞りがこのように配置
されることによって、第３の反射鏡の使用領域が、光軸
の真下、かつ、第１の反射鏡Ｓ１の使用領域に対して略
鏡像の位置に来ることになる。この特性により、第４及
び第５の反射鏡への入射角も低減される。というのも、
光軸からの光束の隔たりは、第４及び第５の反射鏡の間
で最小となるからである。
【００２１】上記反射鏡への小さい入射角を実現するた
めにさらに好ましいのは、反射鏡の使用領域の隔たりが
小さく保たれている場合である。この隔たりは、適当な
スケーリングで如何様にも変えることができるので、本
明細書中、隔たりは、光学系の長さ寸法に対する大きさ
の比によって特徴付けられる。とりわけ好ましいのは、
以下の関係、使用領域の隔たりの大きさ ＜ ０．３×長
さ寸法とくに、使用領域の隔たりの大きさ ＜ ０．２５
×長さ寸法を満たしている場合である。というのも、こ
れにより、とくに小さな角度が実現されるからである。
めにさらに好ましいのは、反射鏡の使用領域の隔たりが
小さく保たれている場合である。この隔たりは、適当な
スケーリングで如何様にも変えることができるので、本
明細書中、隔たりは、光学系の長さ寸法に対する大きさ
の比によって特徴付けられる。とりわけ好ましいのは、
以下の関係、使用領域の隔たりの大きさ ＜ ０．３×長
さ寸法とくに、使用領域の隔たりの大きさ ＜ ０．２５
×長さ寸法を満たしている場合である。というのも、こ
れにより、とくに小さな角度が実現されるからである。
【００２２】本発明のさらに発展した実施態様におい
て、少なくとも一つの反射鏡の曲率半径は、該投影光学
系の長さ寸法よりも大きいものとされる。光学系の長さ
寸法とは、本明細書中、結像させるべき物体から、その
像までの隔たりのことである。とりわけ好ましいのは、
この曲率半径に対する条件が、第２、第３、及び第４の
反射鏡の曲率半径に対して当てはまる場合で、これによ
れば、第１から第２の反射鏡、及び第３から第４の反射
鏡の光束の光路が、略平行になる。反射鏡がこのように
形成されることによって、光束の分離が最小限となり、
長い走行区間が実現される。走行区間とは、本明細書
中、光学的な光路内で互いに前後に並んだ二つの反射鏡
の間の頂点の隔たりのことである。上記のような構成
が、反射鏡上への入射角を小さくする一翼を担ってい
る。
て、少なくとも一つの反射鏡の曲率半径は、該投影光学
系の長さ寸法よりも大きいものとされる。光学系の長さ
寸法とは、本明細書中、結像させるべき物体から、その
像までの隔たりのことである。とりわけ好ましいのは、
この曲率半径に対する条件が、第２、第３、及び第４の
反射鏡の曲率半径に対して当てはまる場合で、これによ
れば、第１から第２の反射鏡、及び第３から第４の反射
鏡の光束の光路が、略平行になる。反射鏡がこのように
形成されることによって、光束の分離が最小限となり、
長い走行区間が実現される。走行区間とは、本明細書
中、光学的な光路内で互いに前後に並んだ二つの反射鏡
の間の頂点の隔たりのことである。上記のような構成
が、反射鏡上への入射角を小さくする一翼を担ってい
る。
【００２３】本発明のさらに発展した実施態様におい
て、上記マイクロリソグラフィー投影光学系は、物体で
の主光線の角度が、物体側の開口数ＮＡＯの２倍の値よ
り小さくなるように構成される。斯かる構成は、マスク
上での遮光効果がこれにより低減されることから好まし
いものである。
て、上記マイクロリソグラフィー投影光学系は、物体で
の主光線の角度が、物体側の開口数ＮＡＯの２倍の値よ
り小さくなるように構成される。斯かる構成は、マスク
上での遮光効果がこれにより低減されることから好まし
いものである。
【００２４】特に好ましいのは、上記投影光学系が二つ
の中間像を有する場合である。二つの中間像を有した光
学系における一番目の中間像は、第２の反射鏡及び第３
の反射鏡の間に結像されることが好ましい。これによ
り、第１、第２、第３、及び第４の反射鏡が軸に近い使
用領域を有する結果をもたらす。第５、第６、第７、及
び第８の反射鏡を有した後続の光学系の部分において
も、できるだけ多くの反射鏡に対して、軸に近い使用領
域を確保するためには、上記投影光学系は、光路内にお
いて二番目の中間像が第６及び第７の反射鏡の間に結像
されるように構成されていることが好ましい。特に好ま
しいのは、二つの中間像を有した光学系において、オブ
ジェクトフィールドの中心、かつ対称軸上に位置する視
野絞りの主光線の入射角が２０°より小さくされる場合
である。
の中間像を有する場合である。二つの中間像を有した光
学系における一番目の中間像は、第２の反射鏡及び第３
の反射鏡の間に結像されることが好ましい。これによ
り、第１、第２、第３、及び第４の反射鏡が軸に近い使
用領域を有する結果をもたらす。第５、第６、第７、及
び第８の反射鏡を有した後続の光学系の部分において
も、できるだけ多くの反射鏡に対して、軸に近い使用領
域を確保するためには、上記投影光学系は、光路内にお
いて二番目の中間像が第６及び第７の反射鏡の間に結像
されるように構成されていることが好ましい。特に好ま
しいのは、二つの中間像を有した光学系において、オブ
ジェクトフィールドの中心、かつ対称軸上に位置する視
野絞りの主光線の入射角が２０°より小さくされる場合
である。
【００２５】二つの中間像を有した本発明の一態様にお
いては、８枚の反射鏡の表面の少なくとも一つは球面状
に形成されている。
いては、８枚の反射鏡の表面の少なくとも一つは球面状
に形成されている。
【００２６】とくに好ましいのは、光学系の一つ又は複
数の反射鏡が球面状に形成され、該反射鏡の使用領域が
投影光学系の光軸から最も遠くに隔てられている場合で
ある。というのも、使用領域が光軸の外側の遠い位置に
ある場合、干渉計を用いて軸から離れた非球面度を検査
することは、使用領域が光軸から遠い位置にあればある
ほど困難になるからである。
数の反射鏡が球面状に形成され、該反射鏡の使用領域が
投影光学系の光軸から最も遠くに隔てられている場合で
ある。というのも、使用領域が光軸の外側の遠い位置に
ある場合、干渉計を用いて軸から離れた非球面度を検査
することは、使用領域が光軸から遠い位置にあればある
ほど困難になるからである。
【００２７】第２及び第３の反射鏡の間、そして、第６
及び第７の反射鏡の間に二つの中間像を有する光学系の
場合、第６の反射鏡が、軸から最も離れた位置に使用領
域を有した反射鏡となる。斯かる実施態様において、第
６の反射鏡は、好適に、干渉による検査が容易であるた
め球面状に形成される。
及び第７の反射鏡の間に二つの中間像を有する光学系の
場合、第６の反射鏡が、軸から最も離れた位置に使用領
域を有した反射鏡となる。斯かる実施態様において、第
６の反射鏡は、好適に、干渉による検査が容易であるた
め球面状に形成される。
【００２８】投影光学系の他にも、本発明は、投影露光
装置を提供する。この投影露光装置は、リングフィール
ドを照明するための照明装置と、本発明に係る投影光学
系を有している。
装置を提供する。この投影露光装置は、リングフィール
ドを照明するための照明装置と、本発明に係る投影光学
系を有している。
【００２９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づき詳述する。
基づき詳述する。
【００３０】図１に、この明細書の中で使用領域、及び
使用領域の直径と称するものを示す。
使用領域の直径と称するものを示す。
【００３１】図１には、一例として、投影光学系の反射
鏡上に照明されたフィールド１として、腎臓の形をした
フィールドが示されている。本発明に係る光学系（投影
光学系）をマイクロリソグラフィ用の投影露光装置に用
いる場合、使用領域としてこのような形状が予想され
る。包絡円２は、この腎臓の形を完全に取り囲み、２点
６，８において、腎臓の形をした境界線１０と重なり合
っている。包絡円は、常に使用領域を取り囲む最小の円
である。この包絡円２の直径が使用領域の直径Ｄとな
る。
鏡上に照明されたフィールド１として、腎臓の形をした
フィールドが示されている。本発明に係る光学系（投影
光学系）をマイクロリソグラフィ用の投影露光装置に用
いる場合、使用領域としてこのような形状が予想され
る。包絡円２は、この腎臓の形を完全に取り囲み、２点
６，８において、腎臓の形をした境界線１０と重なり合
っている。包絡円は、常に使用領域を取り囲む最小の円
である。この包絡円２の直径が使用領域の直径Ｄとな
る。
【００３２】図２に、投影光学系の物面上における、投
影露光装置のオブジェクトフィールド１１が示されてい
る。斯かるオブジェクトフィールドが、本発明による投
影光学系によって、例えばウェハ等の感光性のある物体
が設置された像面に結像される。イメージフィールドの
形状は、オブジェクトフィールドの形状に対応してい
る。マイクロリソグラフィーにによく用いられるような
縮小光学系の場合、イメージフィールドは、予め設定さ
れた因子だけオブジェクトフィールドに対して縮小され
る。オブジェクトフィールド１１は、リングフィールド
の一部のセグメントの外見を有している。このセグメン
トは、一つの対称軸１２を有している。
影露光装置のオブジェクトフィールド１１が示されてい
る。斯かるオブジェクトフィールドが、本発明による投
影光学系によって、例えばウェハ等の感光性のある物体
が設置された像面に結像される。イメージフィールドの
形状は、オブジェクトフィールドの形状に対応してい
る。マイクロリソグラフィーにによく用いられるような
縮小光学系の場合、イメージフィールドは、予め設定さ
れた因子だけオブジェクトフィールドに対して縮小され
る。オブジェクトフィールド１１は、リングフィールド
の一部のセグメントの外見を有している。このセグメン
トは、一つの対称軸１２を有している。
【００３３】図２にはさらに、物面または像面に張られ
た軸としてｘ軸及びｙ軸が記されている。図２から分る
ように、リングフィールド１１の対称軸１２は、ｙ軸方
向に延びている。また、ｙ軸は、リングフィールド・ス
キャナーとして設けられたＥＵＶ−投影露光装置のリン
グフィールドの走査方向にも一致させられている。ｘ軸
の方向は、物面内で走査方向に直交する方向に向いてい
る。
た軸としてｘ軸及びｙ軸が記されている。図２から分る
ように、リングフィールド１１の対称軸１２は、ｙ軸方
向に延びている。また、ｙ軸は、リングフィールド・ス
キャナーとして設けられたＥＵＶ−投影露光装置のリン
グフィールドの走査方向にも一致させられている。ｘ軸
の方向は、物面内で走査方向に直交する方向に向いてい
る。
【００３４】光学系の光軸ＨＡは、ｚ軸の方向に延びて
いる。
いる。
【００３５】図３に、投影光学系の第一の実施形態を示
す。この投影光学系は、λ＝１０〜３０ｎｍの波長を有
した極短紫外線（ＥＵＶ）領域で使用することができ、
全ての反射鏡への入射角が小さいという点で優れてい
る。
す。この投影光学系は、λ＝１０〜３０ｎｍの波長を有
した極短紫外線（ＥＵＶ）領域で使用することができ、
全ての反射鏡への入射角が小さいという点で優れてい
る。
【００３６】投影光学系によって、例えばウェハ等を置
くことのできる像面１０２に、物面１００内の物体が結
像される。本発明に係る投影光学系は、第１の反射鏡Ｓ
１、第２の反射鏡Ｓ２、第３の反射鏡Ｓ３、第４の反射
鏡Ｓ４、第５の反射鏡Ｓ５、第６の反射鏡Ｓ６、第７の
反射鏡Ｓ７、及び第８の反射鏡Ｓ８を備えている。図３
に示される実施形態においては、全ての反射鏡Ｓ１，Ｓ
２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６，Ｓ７，Ｓ８は、非球面鏡
として形成されている。この光学系は、中間像Ｚ１を第
５の反射鏡Ｓ５及び第６の反射鏡Ｓ６の間に有してい
る。
くことのできる像面１０２に、物面１００内の物体が結
像される。本発明に係る投影光学系は、第１の反射鏡Ｓ
１、第２の反射鏡Ｓ２、第３の反射鏡Ｓ３、第４の反射
鏡Ｓ４、第５の反射鏡Ｓ５、第６の反射鏡Ｓ６、第７の
反射鏡Ｓ７、及び第８の反射鏡Ｓ８を備えている。図３
に示される実施形態においては、全ての反射鏡Ｓ１，Ｓ
２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６，Ｓ７，Ｓ８は、非球面鏡
として形成されている。この光学系は、中間像Ｚ１を第
５の反射鏡Ｓ５及び第６の反射鏡Ｓ６の間に有してい
る。
【００３７】この光学系は、光軸ＨＡに対して中心合わ
せされ、像側、つまり、像面１０２にテレセントリック
とされている。像側にテレセントリックとは、主光線Ｃ
Ｒが、像面１０２に、略９０°ないしは９０°近くの角
度を有して当たることをいう。
せされ、像側、つまり、像面１０２にテレセントリック
とされている。像側にテレセントリックとは、主光線Ｃ
Ｒが、像面１０２に、略９０°ないしは９０°近くの角
度を有して当たることをいう。
【００３８】光量の損失、及び、反射鏡の構造の内部で
多層膜によって誘起される波面収差をできるだけ低く抑
えるため、中心の視野絞りの主光線ＣＲがそれぞれの反
射鏡表面へ入射する角度は、図３による実施形態におい
ては、２６°より小さくされている。中心の視野絞りの
主光線の入射角は、以下の表１に与えられている。
多層膜によって誘起される波面収差をできるだけ低く抑
えるため、中心の視野絞りの主光線ＣＲがそれぞれの反
射鏡表面へ入射する角度は、図３による実施形態におい
ては、２６°より小さくされている。中心の視野絞りの
主光線の入射角は、以下の表１に与えられている。
【００３９】
【表１】
【００４０】図３に示される８枚の反射鏡を用いた光学
系は、１ｍｍの走査スリット幅で、しかも、像側の開口
数ＮＡ＝０．４の値を有している。個々の反射鏡での入
射角を最小限にするために、以下の手が打たれた。物体
１００での主光線の角度を最小限にする。ここで、物体
側の開口数をＮＡＯ＝０．１の大きさにする。こうする
と第１の反射鏡の入射角が最小となる。設定された物体
側の開口数ＮＡＯ＝０．１では、物体での主光線の最大
角は６．１°にすぎず、それゆえ、米国特許第5 686 72
8号明細書に開示された光学系における物体での最大の
主光線の角度１３°に比べてはるかに小さいものにな
る。
系は、１ｍｍの走査スリット幅で、しかも、像側の開口
数ＮＡ＝０．４の値を有している。個々の反射鏡での入
射角を最小限にするために、以下の手が打たれた。物体
１００での主光線の角度を最小限にする。ここで、物体
側の開口数をＮＡＯ＝０．１の大きさにする。こうする
と第１の反射鏡の入射角が最小となる。設定された物体
側の開口数ＮＡＯ＝０．１では、物体での主光線の最大
角は６．１°にすぎず、それゆえ、米国特許第5 686 72
8号明細書に開示された光学系における物体での最大の
主光線の角度１３°に比べてはるかに小さいものにな
る。
【００４１】物理的な絞りは、第２の反射鏡Ｓ２上に配
置されている。これにより、光学系の上流側の部分にお
ける光束の分離を最小限にすることができ、第１、第
２、及び第３の反射鏡への入射角が低減される。さら
に、例えば米国特許第5 686 728号明細書に記載された
１２６ｎｍより長い波長用の８枚の反射鏡を用いた光学
系と異なり、斯かる構成によって、第３の反射鏡の使用
領域が、光軸の真下、かつ、反射鏡Ｓ１の使用領域に対
して略鏡像の位置に位置する効果が得られる。斯かる手
段を講じることによって、反射鏡Ｓ４、及びＳ５への入
射角もまた低減される。光軸からの光束の隔たりは、第
４及び第５の反射鏡の間で最小となるからである。個々
の反射鏡の部分の使用領域は、図４ａ〜図４ｈに示され
ている。ここで、図４ａには、図３に示された８枚の反
射鏡を用いた光学系の実施形態における反射鏡Ｓ１上の
使用領域が、図４ｂには、反射鏡Ｓ２上の使用領域が、
図４ｃには、反射鏡Ｓ３上の使用領域が、図４ｄには、
反射鏡Ｓ４上の使用領域が、図４ｅには、反射鏡Ｓ５上
の使用領域が、図４ｆには、反射鏡Ｓ６上の使用領域
が、図４ｇには、反射鏡Ｓ７上の使用領域が、そして、
図４ｈには、反射鏡Ｓ８上の使用領域が示されている。
置されている。これにより、光学系の上流側の部分にお
ける光束の分離を最小限にすることができ、第１、第
２、及び第３の反射鏡への入射角が低減される。さら
に、例えば米国特許第5 686 728号明細書に記載された
１２６ｎｍより長い波長用の８枚の反射鏡を用いた光学
系と異なり、斯かる構成によって、第３の反射鏡の使用
領域が、光軸の真下、かつ、反射鏡Ｓ１の使用領域に対
して略鏡像の位置に位置する効果が得られる。斯かる手
段を講じることによって、反射鏡Ｓ４、及びＳ５への入
射角もまた低減される。光軸からの光束の隔たりは、第
４及び第５の反射鏡の間で最小となるからである。個々
の反射鏡の部分の使用領域は、図４ａ〜図４ｈに示され
ている。ここで、図４ａには、図３に示された８枚の反
射鏡を用いた光学系の実施形態における反射鏡Ｓ１上の
使用領域が、図４ｂには、反射鏡Ｓ２上の使用領域が、
図４ｃには、反射鏡Ｓ３上の使用領域が、図４ｄには、
反射鏡Ｓ４上の使用領域が、図４ｅには、反射鏡Ｓ５上
の使用領域が、図４ｆには、反射鏡Ｓ６上の使用領域
が、図４ｇには、反射鏡Ｓ７上の使用領域が、そして、
図４ｈには、反射鏡Ｓ８上の使用領域が示されている。
【００４２】さらに、反射鏡Ｓ２〜Ｓ４うちの少なくと
も一つの曲率半径は、好ましくは、投影光学系の長さ寸
法よりも大きいものが選ばれ、これにより、長い走行区
間が形成されて、反射鏡Ｓ１からＳ２に向かう、そして
反射鏡Ｓ３からＳ４に向かう光束の光路が略平行にな
る。同じことがＳ２からＳ３に向かう、そしてＳ４から
Ｓ５に向かう光束の光路についても当てはまる。また、
このことから、光束の分離が最小限となる。
も一つの曲率半径は、好ましくは、投影光学系の長さ寸
法よりも大きいものが選ばれ、これにより、長い走行区
間が形成されて、反射鏡Ｓ１からＳ２に向かう、そして
反射鏡Ｓ３からＳ４に向かう光束の光路が略平行にな
る。同じことがＳ２からＳ３に向かう、そしてＳ４から
Ｓ５に向かう光束の光路についても当てはまる。また、
このことから、光束の分離が最小限となる。
【００４３】波面は、０．０３０λより小さい最大の二
乗平均値を有している。歪曲は、走査スリット上で最大
１ｎｍの値にまで修正され、３次多項式の形状を有して
いる。そして、これにより、走査工程を経て平均される
動的な歪曲が最小限とされている。像面湾曲は、ペッツ
ヴァル条件を考慮しながら修正されている。
乗平均値を有している。歪曲は、走査スリット上で最大
１ｎｍの値にまで修正され、３次多項式の形状を有して
いる。そして、これにより、走査工程を経て平均される
動的な歪曲が最小限とされている。像面湾曲は、ペッツ
ヴァル条件を考慮しながら修正されている。
【００４４】図３に示される光学系の詳しいデータは、
光学設計ソフトCode-Vの形式で表２及び表３に再現され
ている。
光学設計ソフトCode-Vの形式で表２及び表３に再現され
ている。
【表２】
【表３】
【００４５】図５に、反射鏡Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，
Ｓ５，Ｓ６，Ｓ７及びＳ８を備えた本発明に係る８枚の
反射鏡を用いた光学系の第二の実施形態を示す。
Ｓ５，Ｓ６，Ｓ７及びＳ８を備えた本発明に係る８枚の
反射鏡を用いた光学系の第二の実施形態を示す。
【００４６】８枚の反射鏡を用いた光学系をできるだけ
手間を省いて製造するために、そして、確実に干渉を用
いて検査できるようにするために、この光学系において
は、軸から最も離れた使用領域を有する反射鏡が球面状
に形成されている。
手間を省いて製造するために、そして、確実に干渉を用
いて検査できるようにするために、この光学系において
は、軸から最も離れた使用領域を有する反射鏡が球面状
に形成されている。
【００４７】入射角を小さく保つため、そして、光束を
光軸の方向に向けるため、さらに、これによって軸から
遠い使用領域に出現するのを制限するため、図５による
実施形態では、二つの中間像Ｚ１，Ｚ２が設けられてい
る。
光軸の方向に向けるため、さらに、これによって軸から
遠い使用領域に出現するのを制限するため、図５による
実施形態では、二つの中間像Ｚ１，Ｚ２が設けられてい
る。
【００４８】図５に示される二つの中間像を有した実施
形態の場合、反射鏡Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５、な
らびにＳ７及びＳ８は、非球面形状に形成されている。
軸から最も遠い位置に使用領域を有している反射鏡Ｓ６
は、これに対して球面形状に形成されている。この光学
系は、像側の開口数ＮＡ＝０．４を有している。図５に
おける実施形態を見れば、反射鏡Ｓ２及びＳ３の間の一
番目の中間像によって、最初の４枚の反射鏡Ｓ１，Ｓ
２，Ｓ３，Ｓ４が軸に近い使用領域を有するようになる
ことは明らかであろう。このことは、大きな開口数を有
する下流側の光学系の部分において二番目の中間像Ｚ２
が設けられるだけでは、これほど確実なものにはなり得
ない。第６の反射鏡Ｓ６は従って軸から離れた使用領域
を有している。反射鏡Ｓ６が非球面として形成されてい
ると、軸上の検査光学系を用いて第６の反射鏡を検査す
ることは困難であろう。このため、本発明により、この
反射鏡Ｓ６は球面状に形成されている。中心の視野絞り
の主光線の入射角は、以下の表４に掲げられている。
形態の場合、反射鏡Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５、な
らびにＳ７及びＳ８は、非球面形状に形成されている。
軸から最も遠い位置に使用領域を有している反射鏡Ｓ６
は、これに対して球面形状に形成されている。この光学
系は、像側の開口数ＮＡ＝０．４を有している。図５に
おける実施形態を見れば、反射鏡Ｓ２及びＳ３の間の一
番目の中間像によって、最初の４枚の反射鏡Ｓ１，Ｓ
２，Ｓ３，Ｓ４が軸に近い使用領域を有するようになる
ことは明らかであろう。このことは、大きな開口数を有
する下流側の光学系の部分において二番目の中間像Ｚ２
が設けられるだけでは、これほど確実なものにはなり得
ない。第６の反射鏡Ｓ６は従って軸から離れた使用領域
を有している。反射鏡Ｓ６が非球面として形成されてい
ると、軸上の検査光学系を用いて第６の反射鏡を検査す
ることは困難であろう。このため、本発明により、この
反射鏡Ｓ６は球面状に形成されている。中心の視野絞り
の主光線の入射角は、以下の表４に掲げられている。
【００４９】
【表４】
【００５０】個々の反射鏡の部分の使用領域は、図６ａ
〜図６ｈに示されている。ここで、図６ａには、図５に
示された８枚の反射鏡を用いた光学系の実施形態におけ
る反射鏡Ｓ１上の使用領域が、図６ｂには、反射鏡Ｓ２
上の使用領域が、図６ｃには、反射鏡Ｓ３上の使用領域
が、図６ｄには、反射鏡Ｓ４上の使用領域が、図６ｅに
は、反射鏡Ｓ５上の使用領域が、図６ｆには、反射鏡Ｓ
６上の使用領域が、図６ｇには、反射鏡Ｓ７上の使用領
域が、そして、図６ｈには、反射鏡Ｓ８上の使用領域が
示されている。
〜図６ｈに示されている。ここで、図６ａには、図５に
示された８枚の反射鏡を用いた光学系の実施形態におけ
る反射鏡Ｓ１上の使用領域が、図６ｂには、反射鏡Ｓ２
上の使用領域が、図６ｃには、反射鏡Ｓ３上の使用領域
が、図６ｄには、反射鏡Ｓ４上の使用領域が、図６ｅに
は、反射鏡Ｓ５上の使用領域が、図６ｆには、反射鏡Ｓ
６上の使用領域が、図６ｇには、反射鏡Ｓ７上の使用領
域が、そして、図６ｈには、反射鏡Ｓ８上の使用領域が
示されている。
【００５１】図５に示される光学系の詳しいデータは、
光学設計ソフトCode-Vの形式で表５及び表６に再現され
ている。
光学設計ソフトCode-Vの形式で表５及び表６に再現され
ている。
【表５】
【表６】
【００５２】本発明による上記のいずれの実施形態の場
合においても、反射鏡への小さな入射角を実現するため
に、反射鏡の使用領域の隔たりは、小さく抑えられてい
ることが好ましい。この隔たりは、適当なスケーリング
で如何様にも変えることができるので、ここでは、この
隔たりは、光学系の長さ寸法に対する大きさの比によっ
て特徴付けられる。以下の表７には、使用領域の隔たり
と長さ寸法の比の大きさが、二つの実施形態における全
ての反射鏡について挙げられている。
合においても、反射鏡への小さな入射角を実現するため
に、反射鏡の使用領域の隔たりは、小さく抑えられてい
ることが好ましい。この隔たりは、適当なスケーリング
で如何様にも変えることができるので、ここでは、この
隔たりは、光学系の長さ寸法に対する大きさの比によっ
て特徴付けられる。以下の表７には、使用領域の隔たり
と長さ寸法の比の大きさが、二つの実施形態における全
ての反射鏡について挙げられている。
【００５３】
【表７】
【００５４】図７には、本発明に係る８枚の反射鏡を用
いた投影光学系２００を備えたマイクロリソグラフィの
ための投影露光装置が示されている。照明光学系２０２
（照明装置）は、例えば、EP99106348.8「Beleuchtungs
system, insbesonders fuerdie EUV-Lithographie」、
あるいは、US−Serial No 09/305,017「Illuminationsy
stem particulary for EUV-Lithography」といった、開
示内容がこの明細書に包括的に取り込まれている先行技
術文献に記載されているように形成されるものであって
もよい。このような類の照明光学系は、ＥＵＶ−光源２
０４を備えている。ＥＵＶ−光源の光は、集光反射鏡２
０６によって集光される。そして、いわゆるフィールド
・ハニカムである網目状素子を備えた一番目の反射鏡２
０７と、いわゆるピューピル・ハニカムである網目状素
子を備えた二番目の反射鏡２０８と、反射鏡２１０とに
よってレチクル２１２が照明される。レチクル２１２か
ら反射された光は、本発明に係る投影光学系によって、
感光性の層を有するホルダー２１４に結像される。
いた投影光学系２００を備えたマイクロリソグラフィの
ための投影露光装置が示されている。照明光学系２０２
（照明装置）は、例えば、EP99106348.8「Beleuchtungs
system, insbesonders fuerdie EUV-Lithographie」、
あるいは、US−Serial No 09/305,017「Illuminationsy
stem particulary for EUV-Lithography」といった、開
示内容がこの明細書に包括的に取り込まれている先行技
術文献に記載されているように形成されるものであって
もよい。このような類の照明光学系は、ＥＵＶ−光源２
０４を備えている。ＥＵＶ−光源の光は、集光反射鏡２
０６によって集光される。そして、いわゆるフィールド
・ハニカムである網目状素子を備えた一番目の反射鏡２
０７と、いわゆるピューピル・ハニカムである網目状素
子を備えた二番目の反射鏡２０８と、反射鏡２１０とに
よってレチクル２１２が照明される。レチクル２１２か
ら反射された光は、本発明に係る投影光学系によって、
感光性の層を有するホルダー２１４に結像される。
【００５５】本発明により、λ＝１１〜３０ｎｍを有し
た極短紫外線の波長領域において使用可能であるという
点で優れ、構成上の技術的な観点、及び製造上の技術的
な観点から見て、とりわけ好ましい、小型の投影光学系
を実現する８枚の反射鏡を有した投影光学系がはじめて
提供される。
た極短紫外線の波長領域において使用可能であるという
点で優れ、構成上の技術的な観点、及び製造上の技術的
な観点から見て、とりわけ好ましい、小型の投影光学系
を実現する８枚の反射鏡を有した投影光学系がはじめて
提供される。
【００５６】さらに、本発明に係る投影光学系によれ
ば、高い開口とともに、遮蔽の無い、すなわち食の起こ
らない光路とが得られる。これにより、遮蔽の無い射出
瞳が実現される。
ば、高い開口とともに、遮蔽の無い、すなわち食の起こ
らない光路とが得られる。これにより、遮蔽の無い射出
瞳が実現される。
【図１】 反射鏡の使用領域の定義を説明する図であ
る。
る。
【図２】 光学系の物面、または像面におけるフィール
ドの形状を示す図である。
ドの形状を示す図である。
【図３】 本発明に係る投影光学系の第一の実施形態を
示す図であって、中間像を有した８枚の反射鏡を用いた
投影光学系を示す図である。
示す図であって、中間像を有した８枚の反射鏡を用いた
投影光学系を示す図である。
【図４ａ】 第一の実施形態における第１の反射鏡Ｓ１
の使用領域を示す図である。
の使用領域を示す図である。
【図４ｂ】 第一の実施形態における第２の反射鏡Ｓ２
の使用領域を示す図である。
の使用領域を示す図である。
【図４ｃ】 第一の実施形態における第３の反射鏡Ｓ３
の使用領域を示す図である。
の使用領域を示す図である。
【図４ｄ】 第一の実施形態における第４の反射鏡Ｓ４
の使用領域を示す図である。
の使用領域を示す図である。
【図４ｅ】 第一の実施形態における第５の反射鏡Ｓ５
の使用領域を示す図である。
の使用領域を示す図である。
【図４ｆ】 第一の実施形態における第６の反射鏡Ｓ６
の使用領域を示す図である。
の使用領域を示す図である。
【図４ｇ】 第一の実施形態における第７の反射鏡Ｓ７
の使用領域を示す図である。
の使用領域を示す図である。
【図４ｈ】 第一の実施形態における第８の反射鏡Ｓ８
の使用領域を示す図である。
の使用領域を示す図である。
【図５】 本発明に係る投影光学系の第二の実施形態を
示す図であって、７枚の非球面状の反射鏡、及び１枚の
球面状の反射鏡、ならびに二つの中間像を有した投影光
学系を示す図である。
示す図であって、７枚の非球面状の反射鏡、及び１枚の
球面状の反射鏡、ならびに二つの中間像を有した投影光
学系を示す図である。
【図６ａ】 第二の実施形態における第１の反射鏡Ｓ１
の使用領域を示す図である。
の使用領域を示す図である。
【図６ｂ】 第二の実施形態における第２の反射鏡Ｓ２
の使用領域を示す図である。
の使用領域を示す図である。
【図６ｃ】 第二の実施形態における第３の反射鏡Ｓ３
の使用領域を示す図である。
の使用領域を示す図である。
【図６ｄ】 第二の実施形態における第４の反射鏡Ｓ４
の使用領域を示す図である。
の使用領域を示す図である。
【図６ｅ】 第二の実施形態における第５の反射鏡Ｓ５
の使用領域を示す図である。
の使用領域を示す図である。
【図６ｆ】 第二の実施形態における第６の反射鏡Ｓ６
の使用領域を示す図である。
の使用領域を示す図である。
【図６ｇ】 第二の実施形態における第７の反射鏡Ｓ７
の使用領域を示す図である。
の使用領域を示す図である。
【図６ｈ】 第二の実施形態における第８の反射鏡Ｓ８
の使用領域を示す図である。
の使用領域を示す図である。
【図７】 本発明に係る光学系を有した投影露光装置の
概略構成図である。
概略構成図である。
１・・・フィールド １１・・・オブジェクトフィールド １００・・・物面 １０２・・・像面 ２００・・・投影光学系 ２０２・・・照明光学系（照明装置） ２０４・・・ＥＵＶ−光源 ２１４・・・ホルダー Ｂ・・・絞り ＣＲ・・・主光線 ＨＡ・・・ 光軸 Ｓ１〜Ｓ８・・・第１〜第８の反射鏡 Ｚ１，Ｚ２・・・中間像
フロントページの続き (72)発明者 ギュンター・ザイツ ドイツ・71579・シュピーゲルベルク・イ ム・ゲスレ・34 Ｆターム(参考） 2H087 KA21 NA02 NA04 NA05 RA32 TA02 TA06 2H097 AA05 CA06 CA13 LA10 5F046 GA03 GB01
Claims (26)
- 【請求項１】 １０〜３０ｎｍの領域の波長による極短
紫外線リソグラフィのために、物面上のオブジェクトフ
ィールドを像面上のイメージフィールドに結像させるマ
イクロリソグラフィ用の投影光学系であって、 第１の反射鏡（Ｓ１）、第２の反射鏡（Ｓ２）、第３の
反射鏡（Ｓ３）、第４の反射鏡（Ｓ４）、第５の反射鏡
（Ｓ５）、第６の反射鏡（Ｓ６）、第７の反射鏡（Ｓ
７）、及び第８の反射鏡（Ｓ８）と、 前記物面から前記像面までの遮蔽の無い光路とを有して
いることを特徴とするマイクロリソグラフィ用の投影光
学系。 - 【請求項２】 請求項１に記載のマイクロリソグラフィ
用の投影光学系において、 遮蔽の無い射出瞳を有していることを特徴とする投影光
学系。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載のマイクロリソ
グラフィ用の投影光学系において、 前記物面から前記像面までの間に、前記光路中に絞り
（Ｂ）を有していることを特徴とするマイクロリソグラ
フィ用の投影光学系。 - 【請求項４】 請求項３に記載のマイクロリソグラフィ
用の投影光学系において、 前記絞り（Ｂ）は、円形、もしくは略円形に近似し得る
形状とされていることを特徴とするマイクロリソグラフ
ィ用の投影光学系。 - 【請求項５】 請求項３から４のいずれか１項に記載の
マイクロリソグラフィ用の投影光学系において、 オブジェクトフィールドと第３の反射鏡との間に、好ま
しくは、第１の反射鏡（Ｓ１）の上もしくはその近く
に、あるいは、第２の反射鏡（Ｓ２）の上もしくはその
近くに、絞り（Ｂ）が配置されていることを特徴とする
マイクロリソグラフィ用の投影光学系。 - 【請求項６】 請求項１から５のいずれか１項に記載の
マイクロリソグラフィ用の投影光学系において、 前記反射鏡（Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６，Ｓ
７，Ｓ８）は、一つの光軸（ＨＡ）に関して中心に位置
合わせされて配置されていることを特徴とするマイクロ
リソグラフィ用の投影光学系。 - 【請求項７】 請求項１から６のいずれか１項に記載の
マイクロリソグラフィ用の投影光学系において、 像側の開口数ＮＡがＮＡ＞０．２とされていることを特
徴とするマイクロリソグラフィ用の投影光学系。 - 【請求項８】 請求項７に記載のマイクロリソグラフィ
用の投影光学系において、 像側の開口数ＮＡがＮＡ＜０．５とされていることを特
徴とするマイクロリソグラフィ用の投影光学系。 - 【請求項９】 請求項１から８のいずれか１項に記載の
マイクロリソグラフィ用の投影光学系において、 該投影光学系内の光路において、オブジェクトフィール
ドとイメージフィールドとの間に少なくとも一つの前記
オブジェクトフィールドの中間像が結像されるように構
成されていることを特徴とするマイクロリソグラフィ用
の投影光学系。 - 【請求項１０】 請求項１から９のいずれか１項に記載
のマイクロリソグラフィ用の投影光学系において、 前記イメージフィールドは、リングフィールドのセグメ
ントをなし、該セグメントは、対称軸と、この対称軸に
垂直な方向への広がりとを有していて、その広がりは少
なくとも２０ｍｍ、望ましくは２５ｍｍとされているこ
とを特徴とするマイクロリソグラフィ用の投影光学系。 - 【請求項１１】 請求項１から１０のいずれか１項に記
載のマイクロリソグラフィ用の投影光学系において、 前記オブジェクトフィールドの中心、かつ対称軸上に位
置する視野絞りの主光線の入射角の正弦は、前記オブジ
ェクトフィールドにおいて、物体側の開口数ＮＡＯの２
倍の値より小さい値とされていることを特徴とするマイ
クロリソグラフィ用の投影光学系。 - 【請求項１２】 請求項１から１１のいずれか１項に記
載のマイクロリソグラフィ用の投影光学系において、 前記対称軸上かつ前記オブジェクトフィールドの中心に
位置する前記視野絞りの前記主光線の入射角は、全ての
前記反射鏡上で４５°未満とされ、好ましくは２６°未
満、とりわけ２０°未満とされていることを特徴とする
マイクロリソグラフィ用の投影光学系。 - 【請求項１３】 請求項１から１２のいずれか１項に記
載のマイクロリソグラフィ用の投影光学系において、 ８枚の前記反射鏡（Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ
６，Ｓ７，Ｓ８）は、それぞれ、物体から像まで該光学
系を走破する光線が当たる使用領域を有し、それぞれの
前記反射鏡において、該使用領域の間隔は、前記光軸に
対して、最大でも長さ寸法の３０％、好ましくは２５％
とされていることを特徴とするマイクロリソグラフィ用
の投影光学系。 - 【請求項１４】 請求項１から１３のいずれか１項に記
載のマイクロリソグラフィ用の投影光学系において、 該光学系は、像側でテレセントリックとされていること
を特徴とするマイクロリソグラフィ用の投影光学系。 - 【請求項１５】 請求項１から１４のいずれか１項に記
載のマイクロリソグラフィ用の投影光学系において、 少なくとも一つの反射鏡の曲率半径の大きさは、該投影
光学系の前記長さ寸法よりも大きいものとされているこ
とを特徴とするマイクロリソグラフィ用の投影光学系。 - 【請求項１６】 請求項１３に記載のマイクロリソグラ
フィ用の投影光学系において、 前記第２の反射鏡（Ｓ２）及び／又は前記第３の反射鏡
（Ｓ３）及び／又は前記第４の反射鏡（Ｓ４）の曲率半
径の大きさは、該投影光学系の前記長さ寸法より大きい
ものとされていることを特徴とするマイクロリソグラフ
ィ用の投影光学系。 - 【請求項１７】 請求項１から１６のいずれか１項に記
載のマイクロリソグラフィ用の投影光学系において、 該光学系の二つの前記反射鏡の間に形成される少なくと
も１つの走行区間は、該投影光学系の前記長さ寸法の７
０％より長いものとされていることを特徴とするマイク
ロリソグラフィ用の投影光学系。 - 【請求項１８】 請求項１から１６のいずれか１項に記
載のマイクロリソグラフィ用の投影光学系において、 光学的な光路内で互いに前後に並んだ二つの前記光学系
の反射鏡の間の前記走行区間、及び、前記物面から前記
第１の反射鏡（Ｓ１）の頂点までの区間、及び、光学的
な光路内の最後の前記反射鏡（Ｓ８）から前記イメージ
フィールドまでの区間の総和は、少なくとも該投影光学
系の前記長さ寸法の２．５倍の大きさになることを特徴
とするマイクロリソグラフィ用の投影光学系。 - 【請求項１９】 請求項１から１８のいずれか１項に記
載のマイクロリソグラフィ用の投影光学系において、 該マイクロリソグラフィ用の投影光学系が三つの副光学
系をを有し、 第１の前記副光学系は、前記オブジェクトフィールド
を、第１のオブジェクトフィールドの中間像に結像さ
せ、 第２の前記副光学系は、前記第１のオブジェクトフィー
ルドの中間像を、第２のオブジェクトフィールドの中間
像に結像させ、 かつ、第３の前記副光学系は、前記第２のオブジェクト
フィールドの中間像を、イメージフィールドに結像させ
るように構成されていることを特徴とするマイクロリソ
グラフィ用の投影光学系。 - 【請求項２０】 請求項１９に記載のマイクロリソグラ
フィ用の投影光学系において、 それぞれの前記副光学系は、少なくとも二つの反射鏡を
有していることを特徴とするマイクロリソグラフィ用の
投影光学系。 - 【請求項２１】 請求項１９または２０に記載のマイク
ロリソグラフィ用の投影光学系において、 前記第１の副光学系は、前記第１及び第２の反射鏡（Ｓ
１，Ｓ２）を有し、 前記第２の副光学系は、前記第３、第４、第５、及び第
６の反射鏡（Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６）を有し、 前記第３の副光学系は、前記第７及び第８の反射鏡（Ｓ
７，Ｓ８）を有していることを特徴とするマイクロリソ
グラフィ用の投影光学系。 - 【請求項２２】 請求項１から２１のいずれか１項に記
載のマイクロリソグラフィ用の投影光学系において、 ８枚の前記反射鏡（Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ
６，Ｓ７，Ｓ８）のうち少なくとも一つが球面状に形成
されていることを特徴とするマイクロリソグラフィ用の
投影光学系。 - 【請求項２３】 請求項２２に記載のマイクロリソグラ
フィ用の投影光学系において、 ８枚の前記反射鏡のうち７枚が非球面状に形成されると
ともに、１枚が球面状に形成され、 球面状に形成された前記反射鏡の前記使用領域は、前記
光軸に対して最も大きい隔たりを有していることを特徴
とするマイクロリソグラフィ用の投影光学系。 - 【請求項２４】 請求項２２に記載のマイクロリソグラ
フィ用の投影光学系において、 前記第６の反射鏡（Ｓ６）は、球面状に形成されている
ことを特徴とするマイクロリソグラフィ用の投影光学
系。 - 【請求項２５】 投影露光装置において、 極短紫外線を生成する光源と、 前記光源から生成された光線を一部集光するとともにリ
ングフィールドの照明のためにさらに導く照明装置と、 リングフィールドの面に位置させるように支持系に設け
られた構造を有したマスクと、 前記構造を有したマスクの照明された部分をイメージフ
ィールドに結像させる請求項１から２１のいずれか１項
に記載の投影光学系と、 前記投影光学系のイメージフィールドの面に位置させる
ように支持系に設けられた感光性を有する基層と、 を有することを特徴とする投影露光装置。 - 【請求項２６】 請求項２５に記載の投影露光装置を用
いてチップを製造するチップの製造方法。
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Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002196242A (ja) * | 2000-11-07 | 2002-07-12 | Asm Lithography Bv | リソグラフィ装置、デバイス製造方法、およびそれにより製造されたデバイス |
| JP2004214242A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Canon Inc | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP2005189248A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Nikon Corp | 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置 |
| JP2005315918A (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-10 | Nikon Corp | 反射型投影光学系および該反射型投影光学系を備えた露光装置 |
| WO2006049233A1 (ja) * | 2004-11-05 | 2006-05-11 | Nikon Corporation | 反射型投影光学系および該反射型投影光学系を備えた露光装置 |
| WO2006087978A1 (ja) * | 2005-02-15 | 2006-08-24 | Nikon Corporation | 投影光学系、露光装置、およびデバイスの製造方法 |
| JP2006523944A (ja) * | 2003-04-17 | 2006-10-19 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 照明装置のための光学素子 |
| WO2007111104A1 (ja) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Nikon Corporation | 投影光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
| JP2008541418A (ja) * | 2005-05-03 | 2008-11-20 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 偏光を用いたマイクロリソグラフィー露光装置、及び凹面の第１の鏡と第２の鏡を有したマイクロリソグラフィー投影光学系 |
| JP2009508150A (ja) * | 2005-09-13 | 2009-02-26 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | マイクロリソグラフィ投影光学系、ある機器を製造するための方法、光学面を設計する方法 |
| JP2009276769A (ja) * | 2008-05-15 | 2009-11-26 | Carl Zeiss Smt Ag | 結像光学器械及びその結像光学器械を含む投影露光装置 |
| US7692767B2 (en) | 2003-12-24 | 2010-04-06 | Nikon Corporation | Projection optical system and exposure apparatus with the same |
| US7929114B2 (en) | 2007-01-17 | 2011-04-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection optics for microlithography |
| US7999917B2 (en) | 2007-07-17 | 2011-08-16 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Illumination system and microlithographic projection exposure apparatus including same |
| US8018650B2 (en) | 2007-01-17 | 2011-09-13 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Imaging optical system |
| US8027022B2 (en) | 2007-07-24 | 2011-09-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection objective |
| US8094380B2 (en) | 2006-03-27 | 2012-01-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection objective and projection exposure apparatus with negative back focus of the entry pupil |
| JP2012517708A (ja) * | 2009-02-12 | 2012-08-02 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結像光学系及びこの種の結像光学系を有するマイクロリソグラフィ用の投影露光装置 |
| JP2012212910A (ja) * | 2005-03-08 | 2012-11-01 | Carl Zeiss Smt Gmbh | 取扱い可能な絞り又は開口絞りを備えたマイクロリソグラフィー投影光学系 |
| JP2013535826A (ja) * | 2010-07-30 | 2013-09-12 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結像光学系及びこの種の結像光学系を有するマイクロリソグラフィのための投影露光装置 |
| US8934085B2 (en) | 2007-09-21 | 2015-01-13 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Bundle-guiding optical collector for collecting the emission of a radiation source |
| US8970819B2 (en) | 2006-04-07 | 2015-03-03 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Microlithography projection optical system, tool and method of production |
| JP2018512625A (ja) * | 2015-04-14 | 2018-05-17 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 物体視野を像視野内に結像するための結像光学ユニット及びそのような結像光学ユニットを含む投影露光装置 |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001228401A (ja) * | 2000-02-16 | 2001-08-24 | Canon Inc | 投影光学系、および該投影光学系による投影露光装置、デバイス製造方法 |
| JP2004512552A (ja) * | 2000-10-20 | 2004-04-22 | カール ツァイス シュティフトゥング トレイディング アズ カール ツァイス | ８反射鏡型マイクロリソグラフィ用投影光学系 |
| EP2081086B1 (en) * | 2000-11-07 | 2013-01-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US6975385B2 (en) * | 2002-11-08 | 2005-12-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection optical system and exposure apparatus |
| EP1658615B1 (de) * | 2003-08-27 | 2009-10-14 | Carl Zeiss SMT AG | Schiefspiegliges normal-incidence-kollektorsystem für lichtquellen, insbesondere euv-plasmaentladungsquellen |
| US7021778B1 (en) * | 2004-09-24 | 2006-04-04 | General Dynamics Advanced Information Systems, Inc. | Compact-depth spiral telescope and method of making and using the same |
| CN101713864B (zh) * | 2004-12-23 | 2013-10-30 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 具有暗化光瞳的大孔径物镜 |
| DE102005042005A1 (de) | 2004-12-23 | 2006-07-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Hochaperturiges Objektiv mit obskurierter Pupille |
| KR100674959B1 (ko) * | 2005-02-23 | 2007-01-26 | 삼성전자주식회사 | 비축상 프로젝션 광학계 및 이를 적용한 극자외선 리소그래피 장치 |
| WO2007023665A1 (ja) * | 2005-08-24 | 2007-03-01 | Nikon Corporation | 投影光学系、露光装置、およびデバイスの製造方法 |
| DE102005062618B4 (de) * | 2005-12-23 | 2008-05-08 | Carl Zeiss Smt Ag | Optische Abbildungseinrichtung und Abbildungsverfahren mit Bestimmung von Abbildungsfehlern |
| WO2007093433A1 (de) | 2006-02-17 | 2007-08-23 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungssystem für die mikro-lithographie, projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen beleuchtungssystem |
| US20070295329A1 (en) * | 2006-06-13 | 2007-12-27 | Lieberman Eric A | Dose indicator |
| US20080118849A1 (en) * | 2006-11-21 | 2008-05-22 | Manish Chandhok | Reflective optical system for a photolithography scanner field projector |
| DE102007023411A1 (de) | 2006-12-28 | 2008-07-03 | Carl Zeiss Smt Ag | Optisches Element, Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie mit mindestens einem derartigen optischen Element sowie Beleuchtungssystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik |
| US20080175349A1 (en) * | 2007-01-16 | 2008-07-24 | Optical Research Associates | Maskless euv projection optics |
| WO2008101664A1 (en) * | 2007-02-20 | 2008-08-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Optical element with multiple primary light sources |
| JP2008258461A (ja) * | 2007-04-06 | 2008-10-23 | Canon Inc | 反射型縮小投影光学系、露光装置及びデバイスの製造方法 |
| DE102007033967A1 (de) * | 2007-07-19 | 2009-01-29 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv |
| JP5902884B2 (ja) * | 2007-10-26 | 2016-04-13 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結像光学系及びこの種の結像光学系を含むマイクロリソグラフィ用の投影露光装置 |
| DE102007051671A1 (de) | 2007-10-26 | 2009-05-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einer derartigen abbildenden Optik |
| EP2533104B1 (en) * | 2007-10-26 | 2016-05-11 | Carl Zeiss SMT GmbH | Imaging optical system and projection exposure apparatus therewith |
| DE102008001694A1 (de) | 2008-05-09 | 2009-11-12 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsoptik für die Mikrolithografie |
| CN102449526B (zh) * | 2009-03-30 | 2014-05-07 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 成像光学部件以及具有此类型的成像光学部件的用于微光刻的投射曝光设备 |
| WO2011131289A1 (en) * | 2010-04-22 | 2011-10-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Imaging optics, and a projection exposure apparatus for microlithography having such an imaging optics |
| DE102011080408A1 (de) | 2011-08-04 | 2013-02-07 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Semiaktive Kippkorrektur für feste Spiegel |
| CN107677379B (zh) * | 2017-09-30 | 2023-06-09 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 一种飞秒激光脉冲波形测量装置 |
| CN107782456A (zh) * | 2017-09-30 | 2018-03-09 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 一种超短激光脉冲测量装置 |
| KR102561959B1 (ko) | 2023-03-30 | 2023-08-01 | 드림산업(주) | 황의 성분이 함유된 항균성 포도 봉지의 제조방법 및 이로써 제조된 항균성 포도 봉지 |
| KR102528201B1 (ko) | 2023-03-30 | 2023-05-03 | 드림산업(주) | 오배자 분말과 들깨잎 추출물이 함유된 항균성 포도 봉지의 제조방법 및 이로써 제조된 항균성 포도 봉지 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3752388T2 (de) | 1986-07-11 | 2006-10-19 | Canon K.K. | Verkleinerndes Projektionsbelichtungssystem des Reflexionstyps für Röntgenstrahlung |
| US5315629A (en) | 1990-10-10 | 1994-05-24 | At&T Bell Laboratories | Ringfield lithography |
| US5815310A (en) | 1995-12-12 | 1998-09-29 | Svg Lithography Systems, Inc. | High numerical aperture ring field optical reduction system |
| US5686728A (en) * | 1996-05-01 | 1997-11-11 | Lucent Technologies Inc | Projection lithography system and method using all-reflective optical elements |
| EP0955641B1 (de) | 1998-05-05 | 2004-04-28 | Carl Zeiss | Beleuchtungssystem insbesondere für die EUV-Lithographie |
| US6255661B1 (en) * | 1998-05-06 | 2001-07-03 | U.S. Philips Corporation | Mirror projection system for a scanning lithographic projection apparatus, and lithographic apparatus comprising such a system |
| EP1035445B1 (de) * | 1999-02-15 | 2007-01-31 | Carl Zeiss SMT AG | Mikrolithographie-Reduktionsobjektiveinrichtung sowie Projektionsbelichtungsanlage |
| US6033079A (en) * | 1999-03-15 | 2000-03-07 | Hudyma; Russell | High numerical aperture ring field projection system for extreme ultraviolet lithography |
| EP1093021A3 (en) | 1999-10-15 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Projection optical system as well as equipment and methods making use of said system |
| TW573234B (en) * | 2000-11-07 | 2004-01-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic projection apparatus and integrated circuit device manufacturing method |
-
2000
- 2000-10-20 DE DE10052289A patent/DE10052289A1/de not_active Withdrawn
-
2001
- 2001-07-31 EP EP01118297A patent/EP1199590A1/de not_active Withdrawn
- 2001-10-18 KR KR1020010064461A patent/KR20020031057A/ko not_active Application Discontinuation
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- 2001-10-19 US US10/007,307 patent/US6710917B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (49)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002196242A (ja) * | 2000-11-07 | 2002-07-12 | Asm Lithography Bv | リソグラフィ装置、デバイス製造方法、およびそれにより製造されたデバイス |
| US8967817B2 (en) | 2001-05-25 | 2015-03-03 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Imaging optical system with at most 11.6% of the illuminated surfaces of the pupil plane being obscured |
| JP2004214242A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Canon Inc | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
| JP2006523944A (ja) * | 2003-04-17 | 2006-10-19 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 照明装置のための光学素子 |
| JP2005189248A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Nikon Corp | 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置 |
| US7692767B2 (en) | 2003-12-24 | 2010-04-06 | Nikon Corporation | Projection optical system and exposure apparatus with the same |
| JP2005315918A (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-10 | Nikon Corp | 反射型投影光学系および該反射型投影光学系を備えた露光装置 |
| JP4569157B2 (ja) * | 2004-04-27 | 2010-10-27 | 株式会社ニコン | 反射型投影光学系および該反射型投影光学系を備えた露光装置 |
| WO2006049233A1 (ja) * | 2004-11-05 | 2006-05-11 | Nikon Corporation | 反射型投影光学系および該反射型投影光学系を備えた露光装置 |
| JPWO2006049233A1 (ja) * | 2004-11-05 | 2008-05-29 | 株式会社ニコン | 反射型投影光学系および該反射型投影光学系を備えた露光装置 |
| US7436589B2 (en) | 2004-11-05 | 2008-10-14 | Nikon Corporation | Reflective-type projection optical system and exposure apparatus equipped with said reflective-type projection optical system |
| US7283206B2 (en) | 2005-02-15 | 2007-10-16 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| KR101332494B1 (ko) | 2005-02-15 | 2013-11-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영 광학계, 노광 장치 및 디바이스의 제조 방법 |
| JP5201526B2 (ja) * | 2005-02-15 | 2013-06-05 | 株式会社ニコン | 投影光学系、露光装置、およびデバイスの製造方法 |
| WO2006087978A1 (ja) * | 2005-02-15 | 2006-08-24 | Nikon Corporation | 投影光学系、露光装置、およびデバイスの製造方法 |
| US9146472B2 (en) | 2005-03-08 | 2015-09-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Microlithography projection system with an accessible diaphragm or aperture stop |
| JP2012212910A (ja) * | 2005-03-08 | 2012-11-01 | Carl Zeiss Smt Gmbh | 取扱い可能な絞り又は開口絞りを備えたマイクロリソグラフィー投影光学系 |
| JP2008541418A (ja) * | 2005-05-03 | 2008-11-20 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 偏光を用いたマイクロリソグラフィー露光装置、及び凹面の第１の鏡と第２の鏡を有したマイクロリソグラフィー投影光学系 |
| JP4750183B2 (ja) * | 2005-05-03 | 2011-08-17 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィー投影光学系 |
| US8169694B2 (en) | 2005-09-13 | 2012-05-01 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catoptric objectives and systems using catoptric objectives |
| JP2013210647A (ja) * | 2005-09-13 | 2013-10-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | マイクロリソグラフィ投影光学系、ある機器を製造するための方法、光学面を設計する方法 |
| JP2012008574A (ja) * | 2005-09-13 | 2012-01-12 | Carl Zeiss Smt Gmbh | マイクロリソグラフィ投影光学系、ある機器を製造するための方法、光学面を設計する方法 |
| US9465300B2 (en) | 2005-09-13 | 2016-10-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catoptric objectives and systems using catoptric objectives |
| JP2009508150A (ja) * | 2005-09-13 | 2009-02-26 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | マイクロリソグラフィ投影光学系、ある機器を製造するための方法、光学面を設計する方法 |
| JP2010107988A (ja) * | 2005-09-13 | 2010-05-13 | Carl Zeiss Smt Ag | マイクロリソグラフィ投影光学系、ある機器を製造するための方法、光学面を設計する方法 |
| WO2007111104A1 (ja) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Nikon Corporation | 投影光学系、露光装置、およびデバイス製造方法 |
| US8094380B2 (en) | 2006-03-27 | 2012-01-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection objective and projection exposure apparatus with negative back focus of the entry pupil |
| TWI456250B (zh) * | 2006-03-27 | 2014-10-11 | Zeiss Carl Smt Gmbh | 具入瞳負後焦之投影物鏡及投影曝光裝置 |
| US8810927B2 (en) | 2006-03-27 | 2014-08-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection objective and projection exposure apparatus with negative back focus of the entry pupil |
| US9482961B2 (en) | 2006-04-07 | 2016-11-01 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Microlithography projection optical system, tool and method of production |
| US8970819B2 (en) | 2006-04-07 | 2015-03-03 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Microlithography projection optical system, tool and method of production |
| US9239521B2 (en) | 2007-01-17 | 2016-01-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection optics for microlithography |
| US8208200B2 (en) | 2007-01-17 | 2012-06-26 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Imaging optical system |
| US8643824B2 (en) | 2007-01-17 | 2014-02-04 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection optics for microlithography |
| US8810903B2 (en) | 2007-01-17 | 2014-08-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Imaging optical system |
| US9298100B2 (en) | 2007-01-17 | 2016-03-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Imaging optical system |
| US7929114B2 (en) | 2007-01-17 | 2011-04-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection optics for microlithography |
| US8018650B2 (en) | 2007-01-17 | 2011-09-13 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Imaging optical system |
| US7999917B2 (en) | 2007-07-17 | 2011-08-16 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Illumination system and microlithographic projection exposure apparatus including same |
| US8027022B2 (en) | 2007-07-24 | 2011-09-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection objective |
| US8934085B2 (en) | 2007-09-21 | 2015-01-13 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Bundle-guiding optical collector for collecting the emission of a radiation source |
| JP2009276769A (ja) * | 2008-05-15 | 2009-11-26 | Carl Zeiss Smt Ag | 結像光学器械及びその結像光学器械を含む投影露光装置 |
| JP2012517707A (ja) * | 2009-02-12 | 2012-08-02 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結像光学系及びこの種の結像光学系を有するマイクロリソグラフィ用の投影露光装置 |
| JP2012517708A (ja) * | 2009-02-12 | 2012-08-02 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結像光学系及びこの種の結像光学系を有するマイクロリソグラフィ用の投影露光装置 |
| US9500958B2 (en) | 2009-02-12 | 2016-11-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Imaging optical system and projection exposure installation for microlithography with an imaging optical system of this type |
| US10481500B2 (en) | 2009-02-12 | 2019-11-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Imaging optical system and projection exposure installation for microlithography with an imaging optical system of this type |
| JP2013535826A (ja) * | 2010-07-30 | 2013-09-12 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結像光学系及びこの種の結像光学系を有するマイクロリソグラフィのための投影露光装置 |
| US9541841B2 (en) | 2010-07-30 | 2017-01-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Imaging optical system and projection exposure installation for microlithography including same |
| JP2018512625A (ja) * | 2015-04-14 | 2018-05-17 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 物体視野を像視野内に結像するための結像光学ユニット及びそのような結像光学ユニットを含む投影露光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4125506B2 (ja) | 2008-07-30 |
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