JP2012517708A - 結像光学系及びこの種の結像光学系を有するマイクロリソグラフィ用の投影露光装置 - Google Patents
結像光学系及びこの種の結像光学系を有するマイクロリソグラフィ用の投影露光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012517708A JP2012517708A JP2011549476A JP2011549476A JP2012517708A JP 2012517708 A JP2012517708 A JP 2012517708A JP 2011549476 A JP2011549476 A JP 2011549476A JP 2011549476 A JP2011549476 A JP 2011549476A JP 2012517708 A JP2012517708 A JP 2012517708A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical system
- imaging optical
- mirror
- imaging
- image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/02—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system
- G02B17/06—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/02—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system
- G02B17/06—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror
- G02B17/0647—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using more than three curved mirrors
- G02B17/0663—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using more than three curved mirrors off-axis or unobscured systems in which not all of the mirrors share a common axis of rotational symmetry, e.g. at least one of the mirrors is warped, tilted or decentered with respect to the other elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70233—Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/02—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system
- G02B17/06—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror
- G02B17/0647—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using more than three curved mirrors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/7015—Details of optical elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/7025—Size or form of projection system aperture, e.g. aperture stops, diaphragms or pupil obscuration; Control thereof
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/02—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system
- G02B17/06—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror
- G02B17/0647—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using more than three curved mirrors
- G02B17/0652—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using more than three curved mirrors on-axis systems with at least one of the mirrors having a central aperture
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lenses (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【選択図】図2
Description
4 物体視野
5 物体平面
7 結像光学系
8 像視野
9 像平面
M3 ビーム経路の最後から4番目のミラー
Claims (22)
- 結像光(3)に対するビーム経路を通じて物体平面(5)内の物体視野(4)を像平面(9)内の像視野(8)内に結像する複数のミラー(M1からM6)を含み、
射出瞳掩蔽を含み、
前記複数のミラーのうち、前記ビーム経路の凹である少なくとも最後から4番目のミラー(M3)は、前記結像光(3)の通過のための開口部を持たない、
ことを特徴とする結像光学系(7)。 - 最後から3番目のミラー(M4)と最後から2番目のミラー(M5)の間の前記ビーム経路は、前記像視野(8)に対する法線(16)までの前記最後から4番目のミラー(M3)の距離よりも小さい該像視野(8)の中心に対する該法線(16)までの距離で該最後から4番目のミラー(M3)を通過することを特徴とする請求項1に記載の結像光学系。
- 前記物体平面(5)と前記像平面(9)の間の前記ビーム経路に中間像平面(20)を有することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の結像光学系。
- 前記中間像(20)は、前記物体平面(5)と前記像平面(9)の間の距離(zoi)の10%よりも大きい最後のミラー(M6)までの空間距離(zii)に位置することを特徴とする請求項3に記載の結像光学系。
- 前記中間像(20)は、前記ビーム経路において前記最後から3番目のミラー(M4)の前に位置することを特徴とする請求項3又は請求項4に記載の結像光学系。
- 中間像平面(20)が、前記ビーム経路において前記最後から4番目のミラー(M3)の前に位置することを特徴とする請求項5に記載の結像光学系。
- 前記中間像平面(20)は、前記ビーム経路において最後から5番目のミラー(M2)と前記最後から4番目のミラー(M3)の間に位置することを特徴とする請求項6に記載の結像光学系。
- 前記物体平面(5)と前記像平面(9)の間の前記ビーム経路の中間瞳平面が、前記ミラー(M1からM6)のうちの1つ(M2)の近くに位置することを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の結像光学系。
- 正確に6つのミラー(M1からM6)を含むことを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の結像光学系。
- 0.4以上の像側開口数を有することを特徴とする請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の結像反射光学系。
- 前記像視野(8)は、1mm2よりも大きいことを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の結像光学系。
- 前記像視野(8)は、2mm以上及び26mm以上の辺長を有する矩形又は弧形であることを特徴とする請求項11に記載の結像光学系。
- 前記最後から4番目のミラー(M3)上の中心物体点の結像光主光線に対する最大入射角が、最大で10度であることを特徴とする請求項1から請求項12のいずれか1項に記載の結像光学系。
- 結像光学系の子午平面における前記最後から4番目のミラー(M3)上の前記結像光(3)に対する最大入射角が、最大で10度であることを特徴とする請求項1から請求項13のいずれか1項に記載の結像光学系。
- 47mλの最大波面誤差(rms)を有することを特徴とする請求項1から請求項14のいずれか1項に記載の結像光学系。
- 35nmの最大歪曲を有することを特徴とする請求項1から請求項15のいずれか1項に記載の結像光学系。
- 請求項1から請求項16のいずれか1項に記載の結像光学系と、
前記結像光学系(7)の物体視野(4)に照明光(3)を誘導するための照明光学系(6)と、
を含むことを特徴とする光学系。 - 5nmと30nmの間の波長を有する放射線を伝達するように構成されることを特徴とする請求項17に記載の光学系。
- マイクロリソグラフィのための投影露光装置であって、
請求項17又は請求項18に記載の光学系(6、7)を含み、
照明及び結像光(3)のための光源(2)を含む、
ことを特徴とする投影露光装置。 - 前記照明光(3)を発生させるための前記光源(2)は、5nmと30nmの間の波長で形成されることを特徴とする請求項19に記載の投影露光装置。
- 微細構造化構成要素を生成する方法であって、
レチクル(10)及びウェーハ(11)を準備する段階と、
請求項19又は請求項20に記載の投影露光装置を使用することにより、前記レチクル(10)上の構造を前記ウェーハ(11)の感光層上に投影する段階と、
前記ウェーハ(11)上に微細構造を生成する段階と、
を含むことを特徴とする方法。 - 請求項21に記載の方法に従って生成された微細構造化構成要素。
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15187109P | 2009-02-12 | 2009-02-12 | |
DE102009008644.7 | 2009-02-12 | ||
US61/151,871 | 2009-02-12 | ||
DE102009008644A DE102009008644A1 (de) | 2009-02-12 | 2009-02-12 | Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithografie mit einer derartigen abbildenden Optik |
US15964809P | 2009-03-12 | 2009-03-12 | |
US61/159,648 | 2009-03-12 | ||
PCT/EP2010/000795 WO2010091840A1 (en) | 2009-02-12 | 2010-02-10 | Imaging optical system and projection exposure installation for microlithography with an imaging optical system of this type |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012517708A true JP2012517708A (ja) | 2012-08-02 |
JP5390640B2 JP5390640B2 (ja) | 2014-01-15 |
Family
ID=42124398
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011549464A Active JP5319789B2 (ja) | 2009-02-12 | 2010-02-02 | 結像光学系及びこの種の結像光学系を有するマイクロリソグラフィ用の投影露光装置 |
JP2011549476A Expired - Fee Related JP5390640B2 (ja) | 2009-02-12 | 2010-02-10 | 結像光学系及びこの種の結像光学系を有するマイクロリソグラフィ用の投影露光装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011549464A Active JP5319789B2 (ja) | 2009-02-12 | 2010-02-02 | 結像光学系及びこの種の結像光学系を有するマイクロリソグラフィ用の投影露光装置 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US8610877B2 (ja) |
EP (1) | EP2396700B1 (ja) |
JP (2) | JP5319789B2 (ja) |
KR (2) | KR101444517B1 (ja) |
CN (3) | CN104914561B (ja) |
DE (1) | DE102009008644A1 (ja) |
TW (2) | TWI542938B (ja) |
WO (2) | WO2010091800A1 (ja) |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102005042005A1 (de) | 2004-12-23 | 2006-07-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Hochaperturiges Objektiv mit obskurierter Pupille |
DE102009008644A1 (de) | 2009-02-12 | 2010-11-18 | Carl Zeiss Smt Ag | Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithografie mit einer derartigen abbildenden Optik |
CN102870030B (zh) | 2010-04-22 | 2015-04-08 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 成像光学系统和具有这种成像光学系统的用于微光刻的投射曝光设备 |
WO2012013241A1 (en) | 2010-07-30 | 2012-02-02 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Imaging optical system and projection exposure installation for microlithography with an imaging optical system of this type |
DE102010039745A1 (de) * | 2010-08-25 | 2012-03-01 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik |
DE102010040811A1 (de) | 2010-09-15 | 2012-03-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik |
DE102010041746A1 (de) * | 2010-09-30 | 2012-04-05 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsbelichtungsanlage der EUV-Mikrolithographie und Verfahren zur mikrolithographischen Belichtung |
DE102011083888A1 (de) * | 2011-09-30 | 2013-04-04 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende katoptrische EUV-Projektionsoptik |
DE102011088980A1 (de) | 2011-12-19 | 2012-10-25 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Projektlithografie mit einer derartigen abbildenden Optik |
JP5967946B2 (ja) * | 2012-01-23 | 2016-08-10 | 株式会社アドテックエンジニアリング | 露光描画装置、露光描画システム、プログラム及び露光描画方法 |
CN102540435A (zh) * | 2012-02-07 | 2012-07-04 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种反射型投影光学系统 |
DE102012202675A1 (de) | 2012-02-22 | 2013-01-31 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithografie mit einer derartigen abbildenden Optik |
DE102012208793A1 (de) | 2012-05-25 | 2013-11-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithographie mit einer derartigen abbildenden Optik |
DE102012217800A1 (de) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Diffraktives optisches Element sowie Messverfahren |
DE102012218558A1 (de) | 2012-10-11 | 2013-08-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithographie mit einer derartigen abbildenden Optik |
US9291751B2 (en) | 2013-06-17 | 2016-03-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Imaging optical unit and projection exposure apparatus for projection lithography comprising such an imaging optical unit |
US9606605B2 (en) | 2014-03-07 | 2017-03-28 | Apple Inc. | Dynamic voltage margin recovery |
KR20170086559A (ko) * | 2014-11-18 | 2017-07-26 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 투영 리소그라피를 위한 광학 서브시스템 및 투영 리소그라피를 위한 조명 광학 유닛 |
DE102014223811B4 (de) | 2014-11-21 | 2016-09-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik für die EUV-Projektionslithographie, Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zur Herstellung eines strukturierten Bauteils |
DE102015221983A1 (de) * | 2015-11-09 | 2017-05-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik |
DE102017215664A1 (de) | 2017-09-06 | 2019-03-07 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches System für eine Projektionsbelichtungsanlage |
DE102017216893A1 (de) * | 2017-09-25 | 2019-03-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld |
DE102018203283A1 (de) | 2018-03-06 | 2018-05-17 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optischen Systems einer Projektionsbestimmungsanlage für die Projektionslithographie |
DE102019203423A1 (de) | 2019-03-13 | 2020-01-16 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik |
CN112286010B (zh) * | 2020-10-23 | 2021-07-27 | 北京理工大学 | 超高数值孔径组合变倍率极紫外光刻物镜及优化方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09211332A (ja) * | 1995-12-12 | 1997-08-15 | Svg Lithography Syst Inc | 高開口数リングフィールド光学縮小系 |
US6033079A (en) * | 1999-03-15 | 2000-03-07 | Hudyma; Russell | High numerical aperture ring field projection system for extreme ultraviolet lithography |
JP2001185480A (ja) * | 1999-10-15 | 2001-07-06 | Nikon Corp | 投影光学系及び該光学系を備える投影露光装置 |
JP2002139672A (ja) * | 2000-10-20 | 2002-05-17 | Carl Zeiss Stiftung Trading As Carl Zeiss | 8枚の反射鏡を用いたマイクロリソグラフィ用の投影光学系 |
JP2003233001A (ja) * | 2002-02-07 | 2003-08-22 | Canon Inc | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2004252359A (ja) * | 2003-02-21 | 2004-09-09 | Canon Inc | 反射型投影光学系及び当該反射型投影光学系を有する露光装置 |
JP2008176326A (ja) * | 2007-01-17 | 2008-07-31 | Carl Zeiss Smt Ag | 結像光学系 |
JP2010510666A (ja) * | 2006-11-21 | 2010-04-02 | インテル・コーポレーション | フォトリソグラフィ・スキャナ・フィールド投影装置用の反射光学システム |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3316036A1 (de) * | 1983-05-03 | 1984-11-22 | Th Steffens Fa | Mikroskop |
US4653880A (en) | 1985-03-01 | 1987-03-31 | Spectra-Tech Inc. | Reflective beam splitting objective |
US5003567A (en) * | 1989-02-09 | 1991-03-26 | Hawryluk Andrew M | Soft x-ray reduction camera for submicron lithography |
US5144496A (en) * | 1989-07-19 | 1992-09-01 | Olympus Optical Co., Ltd. | Reflecting objective system including a negative optical power second mirror with increasing negative optical power off-axis |
JPH0562877A (ja) * | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Yasuko Shinohara | 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系 |
US5956192A (en) * | 1997-09-18 | 1999-09-21 | Svg Lithography Systems, Inc. | Four mirror EUV projection optics |
JP4238390B2 (ja) * | 1998-02-27 | 2009-03-18 | 株式会社ニコン | 照明装置、該照明装置を備えた露光装置および該露光装置を用いて半導体デバイスを製造する方法 |
AU2549899A (en) * | 1998-03-02 | 1999-09-20 | Nikon Corporation | Method and apparatus for exposure, method of manufacture of exposure tool, device, and method of manufacture of device |
US6072852A (en) * | 1998-06-09 | 2000-06-06 | The Regents Of The University Of California | High numerical aperture projection system for extreme ultraviolet projection lithography |
US6985210B2 (en) * | 1999-02-15 | 2006-01-10 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection system for EUV lithography |
EP1093021A3 (en) | 1999-10-15 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Projection optical system as well as equipment and methods making use of said system |
JP2001343589A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-12-14 | Canon Inc | 投影光学系、および該投影光学系による投影露光装置、デバイス製造方法 |
KR20030045817A (ko) * | 2000-10-20 | 2003-06-11 | 칼-짜이스-스티프퉁 트레이딩 에즈 칼 짜이스 | 8-거울 마이크로리소그래피 투사 대물렌즈 |
DE10139177A1 (de) * | 2001-08-16 | 2003-02-27 | Zeiss Carl | Objektiv mit Pupillenobskuration |
US6975385B2 (en) | 2002-11-08 | 2005-12-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection optical system and exposure apparatus |
JP2004252363A (ja) | 2003-02-21 | 2004-09-09 | Canon Inc | 反射型投影光学系 |
US7154586B2 (en) | 2003-02-21 | 2006-12-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Catoptric projection optical system and exposure apparatus having the same |
US20070058146A1 (en) * | 2004-02-04 | 2007-03-15 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, position control method, and method for producing device |
CN100582861C (zh) * | 2004-12-23 | 2010-01-20 | 卡尔蔡司Smt股份公司 | 具有暗化光瞳的大孔径物镜 |
DE102005042005A1 (de) | 2004-12-23 | 2006-07-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Hochaperturiges Objektiv mit obskurierter Pupille |
DE102006043251A1 (de) * | 2005-09-13 | 2007-03-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Mikrolithographie-Projektionsobjektiv, Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Objektiv, Herstellungsverfahren mikrostrukturierter Bauteile mit einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage sowie mit diesem Verfahren hergestelltes Bauteil |
JP2009508150A (ja) | 2005-09-13 | 2009-02-26 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | マイクロリソグラフィ投影光学系、ある機器を製造するための方法、光学面を設計する方法 |
EP1930771A1 (en) * | 2006-12-04 | 2008-06-11 | Carl Zeiss SMT AG | Projection objectives having mirror elements with reflective coatings |
US7929114B2 (en) * | 2007-01-17 | 2011-04-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection optics for microlithography |
KR101546987B1 (ko) | 2007-10-16 | 2015-08-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 조명 광학 시스템, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
DE102009008644A1 (de) | 2009-02-12 | 2010-11-18 | Carl Zeiss Smt Ag | Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithografie mit einer derartigen abbildenden Optik |
DE102010062597A1 (de) * | 2010-12-08 | 2012-06-14 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Reflektives optisches Abbildungssystem |
CN104653880B (zh) * | 2015-03-13 | 2017-02-01 | 国家电网公司 | 一种堵泥成型设备及成型封堵方法 |
-
2009
- 2009-02-12 DE DE102009008644A patent/DE102009008644A1/de not_active Ceased
-
2010
- 2010-02-02 EP EP10703618A patent/EP2396700B1/en active Active
- 2010-02-02 WO PCT/EP2010/000602 patent/WO2010091800A1/en active Application Filing
- 2010-02-02 CN CN201510420110.8A patent/CN104914561B/zh active Active
- 2010-02-02 KR KR1020117019945A patent/KR101444517B1/ko active IP Right Grant
- 2010-02-02 JP JP2011549464A patent/JP5319789B2/ja active Active
- 2010-02-02 CN CN201080007424.0A patent/CN102317866B/zh active Active
- 2010-02-10 KR KR1020117020216A patent/KR101398343B1/ko active IP Right Grant
- 2010-02-10 WO PCT/EP2010/000795 patent/WO2010091840A1/en active Application Filing
- 2010-02-10 JP JP2011549476A patent/JP5390640B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-02-10 CN CN2010800074255A patent/CN102317867A/zh active Pending
- 2010-02-11 TW TW103140204A patent/TWI542938B/zh active
- 2010-02-11 TW TW99104350A patent/TWI468838B/zh active
-
2011
- 2011-08-03 US US13/197,445 patent/US8610877B2/en active Active
- 2011-08-03 US US13/197,065 patent/US10481500B2/en active Active
-
2013
- 2013-11-20 US US14/085,614 patent/US9500958B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09211332A (ja) * | 1995-12-12 | 1997-08-15 | Svg Lithography Syst Inc | 高開口数リングフィールド光学縮小系 |
US6033079A (en) * | 1999-03-15 | 2000-03-07 | Hudyma; Russell | High numerical aperture ring field projection system for extreme ultraviolet lithography |
JP2001185480A (ja) * | 1999-10-15 | 2001-07-06 | Nikon Corp | 投影光学系及び該光学系を備える投影露光装置 |
JP2002139672A (ja) * | 2000-10-20 | 2002-05-17 | Carl Zeiss Stiftung Trading As Carl Zeiss | 8枚の反射鏡を用いたマイクロリソグラフィ用の投影光学系 |
JP2003233001A (ja) * | 2002-02-07 | 2003-08-22 | Canon Inc | 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2004252359A (ja) * | 2003-02-21 | 2004-09-09 | Canon Inc | 反射型投影光学系及び当該反射型投影光学系を有する露光装置 |
JP2010510666A (ja) * | 2006-11-21 | 2010-04-02 | インテル・コーポレーション | フォトリソグラフィ・スキャナ・フィールド投影装置用の反射光学システム |
JP2008176326A (ja) * | 2007-01-17 | 2008-07-31 | Carl Zeiss Smt Ag | 結像光学系 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102317866B (zh) | 2015-08-19 |
KR101398343B1 (ko) | 2014-07-08 |
CN104914561A (zh) | 2015-09-16 |
KR101444517B1 (ko) | 2014-10-07 |
US20120008124A1 (en) | 2012-01-12 |
US10481500B2 (en) | 2019-11-19 |
TW201508411A (zh) | 2015-03-01 |
TWI542938B (zh) | 2016-07-21 |
JP2012517707A (ja) | 2012-08-02 |
CN102317867A (zh) | 2012-01-11 |
US20120069312A1 (en) | 2012-03-22 |
EP2396700A1 (en) | 2011-12-21 |
US8610877B2 (en) | 2013-12-17 |
WO2010091800A1 (en) | 2010-08-19 |
KR20110118800A (ko) | 2011-11-01 |
JP5390640B2 (ja) | 2014-01-15 |
TWI468838B (zh) | 2015-01-11 |
DE102009008644A1 (de) | 2010-11-18 |
US9500958B2 (en) | 2016-11-22 |
CN102317866A (zh) | 2012-01-11 |
TW201104333A (en) | 2011-02-01 |
CN104914561B (zh) | 2019-01-08 |
WO2010091840A1 (en) | 2010-08-19 |
KR20110118798A (ko) | 2011-11-01 |
US20140078484A1 (en) | 2014-03-20 |
EP2396700B1 (en) | 2013-04-03 |
JP5319789B2 (ja) | 2013-10-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5390640B2 (ja) | 結像光学系及びこの種の結像光学系を有するマイクロリソグラフィ用の投影露光装置 | |
JP6688219B2 (ja) | 物体視野を像視野内に結像するための投影光学ユニット及びそのような投影光学ユニットを含む投影露光装置 | |
US20180074303A1 (en) | Imaging optical unit and projection exposure unit including same | |
JP5525550B2 (ja) | マイクロリソグラフィ用の照明光学系及び光学系 | |
JP5643755B2 (ja) | 結像光学系 | |
US9983484B2 (en) | Illumination optical unit for EUV projection lithography | |
TW201546564A (zh) | 用於投影微影的照明光學單元 | |
JP5896313B2 (ja) | 結像光学系及びこの種の結像光学系を備えたマイクロリソグラフィ用の投影露光装置 | |
JP5946190B2 (ja) | 結像光学系及びこの種の結像光学系を有するマイクロリソグラフィのための投影露光装置 | |
JP5469778B2 (ja) | 結像光学系及びそのような結像光学系を有するマイクロリソグラフィのための投影露光装置 | |
JP2012522275A (ja) | 結像光学系及びこの種の結像光学系を備えたマイクロリソグラフィ用の投影露光装置 | |
JP2012504320A (ja) | 2つ以上の動作状態を有するマイクロリソグラフィ投影露光装置 | |
JP7411542B2 (ja) | 物体視野を像視野内に結像するための結像光学ユニット | |
US9459539B2 (en) | Imaging optical unit for a projection exposure apparatus | |
JP5854295B2 (ja) | マイクロリソグラフィ用の照明光学系及び光学系 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130110 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130404 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130411 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130710 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130904 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20131004 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20131015 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131010 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5390640 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |