CN104914561B - 成像光学系统、投射曝光设备、制造组件的方法和组件 - Google Patents

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Abstract

本公开提供一种成像光学系统、用于微光刻的投射曝光设备、制造结构化的组件的方法、以及结构化的组件。该成像光学系统例如是一种具有多个反射镜(M1、M2、M3、M4、M5、M6)的成像光学系统(7)，所述多个反射镜将物平面(5)中的物场(4)成像为像平面(9)中的像场(8)，其中仅所述物场(4)和所述像场(8)之间的成像光(3)的光束路径中的最后一个反射镜(M6)具有用于所述成像光(3)通过的通孔(18)。

Description

成像光学系统、投射曝光设备、制造组件的方法和组件
本申请是申请日为2010年2月2日、申请号为201080007424.0(国际申请号为PCT/EP2010/000602)、发明名称为“成像光学系统和具有此类型的成像光学系统的用于微光刻的投射曝光设备”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种具有多个反射镜的成像光学系统，其将物平面中的物场成像到像平面中的像场中。此外，本发明还涉及具有此类型的成像光学系统的投射曝光设备，用于利用此类型的投射曝光系统制造微结构或纳米结构组件的方法，以及通过此方法制造的微结构或纳米结构组件。
背景技术
US 2006/0232867 A1和US 2008/0170310 A1中公开了说明书开始所提及的类型的成像光学系统。
发明内容
本发明的目的是开发说明书开始所提及的类型的成像光学系统，从而获得多种小像差的可处理组合，可管理制造、以及良好的成像光通过量。
根据本发明的第一方面，通过根据本发明的成像光学系统实现此目的。该成像光学系统具有多个反射镜，所述多个反射镜将物平面中的物场成像为像平面中的像场，所述物场和所述像场之间的成像光的光束路径中的最后一个反射镜具有用于所述成像光通过的通孔。在所述物场和所述像场之间的成像光的光束路径中，在所述像场的前方的成像光束之外布置了所述成像光学系统的倒数第二个反射镜。所述倒数第二个反射镜的、在所述倒数第二个反射镜的光学使用的区域内的反射面没有用于所述成像光穿过的通孔。
根据本发明，认识到在成像质量没有相对大的损失的情况下，可以在光瞳遮挡系统(即具有光瞳遮挡的成像光学系统)中配置具有连续反射面的倒数第二个反射镜，即在倒数第二个反射镜的光学使用区域内没有通孔。这有助于制造具有足够反射镜厚度的该倒数第二个反射镜，还允许在该倒数第二个反射镜的面向像平面的一侧与该像平面之间具有足够大的间距，而同时最小化光瞳遮挡的尺寸。如果该倒数第二个反射镜被布置在相对于其它反射镜较薄的镜体和/或镜载体上，则对制造的该助益尤其重要。
根据本发明的第二方面，通过根据本发明的成像光学系统实现说明书开头所提及的目的。该成像光学系统具有多个反射镜，所述多个反射镜将物平面中的物场成像为像平面中的像场。所述成像光学系统的光学组件被布置为使得产生小于5％的光瞳遮挡。通过出瞳内由于光瞳遮挡而被遮蔽的面积相对于成像光学系统的出瞳的总面积的比例而产生光瞳遮挡的数值。小于5％的光瞳遮挡使得有光瞳遮挡的成像光学系统可以具有特别高的光通过量。此外，根据本发明的小遮挡可以导致对成像光学系统的成像质量(尤其是对成像对比度)的较小或者可忽略的影响。光瞳遮挡可以小于10％。光瞳遮挡可以例如是4.4％或4.0％。光瞳遮挡可以小于4％，可以小于3％，可以小于2％，甚至可以小于1％。成像光学系统的光瞳遮挡可以由反射镜之一预先确定，例如由其通孔或者由其外边界，或者由布置在物场和像场之间的成像光的光束路径中的遮挡光栏或光阑。
根据本发明的第三方面，提供一种具有多个反射镜的成像光学系统，所述多个反射镜将物平面中的物场成像为像平面中的像场，其中仅所述物场和所述像场之间的成像光的光束路径中的最后一个反射镜具有用于所述成像光通过的通孔。
根据上面所描述的方面之一的成像光学系统的反射镜中的至少一个可以具有被设计为不能由旋转对称函数描述的自由形状面的反射面。
所述成像光学系统在所述成像光的光束路径中的倒数第二个反射镜距所述像场的工作间距(dw)至少为20mm。根据上述的倒数第二个反射镜的工作间距附加地有助于它的制造。该工作间距可以是至少22mm、至少40mm、至少60mm、至少80mm、可以甚至为85mm。甚至可以对工作间距使用更大的值。工作间距被定义为像平面与最接近的反射镜(即投射光学系统的倒数第二个反射镜)的使用反射面的最接近于该像平面的部分之间的间距。像平面是成像光学系统的与倒数第二个反射镜相邻的场平面。
所述成像光在所述光束路径中的倒数第二个反射镜上的入射角最大为35°。根据上述的最大入射角有助于在此反射镜上配置高反射膜。这是有利的，尤其是在使用具有小波长的成像光的情况下，例如DUV(深紫外)、VUV(真空紫外)、或EUV(极紫外)波长。从而，尤其可以使用具有入射角的小接受带宽并因此具有相应高反射率的多层膜。成像光在光束路径中的倒数第二个反射镜上的最大入射角在成像光学系统的子午面中可以是34.5°、30°、25°、20°、16.9°、或159°。
在所述物场和所述像场之间的所述成像光的光束路径中的倒数第三个反射镜与所述光束路径中的倒数第二个反射镜之间具有成像光束路径部分，所述成像光束路径部分的前方的成像光束路径的至少一部分与所述像场的区域中的成像光束被引导在所述成像光束路径部分的相反侧上。根据上述的倒数第二个反射镜的布置使得支撑该倒数第二个反射镜以及倒数第三个反射镜与倒数第二个反射镜之间的成像光束路径部分前方的成像光束路径的反射镜的支撑体可以在设计上相对比较紧凑。
在所述物场和所述像场之间的所述成像光的光束路径中的倒数第三个反射镜与所述光束路径中的倒数第二个反射镜之间具有成像光束路径部分，所述成像光束路径部分的前方的成像光束路径的至少一部分与所述像场的区域中的成像光束被引导在所述成像光束路径部分的相同侧上。作为对此的替代，可以使用根据上述的倒数第二个反射镜的布置。
所述物场和所述像场之间的所述成像光的光束路径中的倒数第三个反射镜与所述光束路径中的倒数第六个反射镜被布置为背对背。根据上述的、倒数第三个和倒数第六个反射镜背对背的布置导致很好地使用安装空间的成像光学系统的紧凑结构。
本质上，也可以使用在单片基体的两个侧上都设置反射面(对应于被取代的反射镜布置的反射镜面)的布置来代替背对背反射镜布置。在所述物场和所述像场之间的所述成像光的光束路径中存在至少一个中间像。根据上述的至少一个中间像使得可以引导物场和像场之间的成像光的光束路径的成像光束路径部分靠近地越过成像光学系统的其它组件。特别地，该中间像可以布置在最后一个反射镜的通孔的区域中，这使得可以形成小的光瞳遮挡。成像光学系统也可以具有超过一个中间像，尤其是可以在物场和像场之间的成像光的光束路径中具有两个中间像。多个中间像也可以用于校正像差或简化所涉及的反射镜形状的设计。
成像光束路径部分之间有至少一个相交区域(29、30、31、32)。根据上述的至少一个交叉或相交区域允许紧凑的光束引导。成像光学系统在成像光束路径部分之间也可以具有超过一个此类型的相交区域，尤其是两个、三个或四个相交区域。一个或所有相交区域可以至少部分地彼此空间重叠。相交区域是指在其中成像光束路径部分完全相交。根据定义，在反射镜上的反射中，成像光束路径部分不在此类型的相交区域中相交。
该成像光学系统的数值孔径可以是至少0.3。根据上述的数值孔径导致成像光学系统的高分辨率。数值孔径可以是至少0.4，也可以是至少0.5。
所述像场被配置为矩形场。根据上述的矩形场有助于在使用成像光学系统时进行光刻工艺。特别地，可以通过使用非旋转对称的自由形状面作为成像光学系统的反射镜的反射面而获得此类型的矩形场。至少一个反射镜可以被配置为此类型的自由形状面。像场可以具有2mmx26mm或2.5mmx26mm的维度。
所述成像光学系统(7)被配置为用于微光刻的投射光学系统。当使用成像光学系统作为投射光学系统时，根据上述，特别地体现出了它的优点。
根据本发明的成像光学系统可以精确地具有6个反射镜。
根据本发明的投射曝光设备的优点对应于上面关于根据本发明的成像光学系统所说明的优点。投射曝光设备的光源在设计上可以是宽带的，例如具有可以大于1nm、大于10nm或大于100nm的带宽。此外，投射曝光设备可以被设计为使得可以以不同波长的光源操作。可以与根据本发明的成像光学系统一起使用针对尤其是用于微光刻的其它波长的光源，例如具有波长365nm、248nm、193nm、157nm、126nm、109nm的光源，尤其是具有小于100nm(例如在5nm和30nm之间)的波长的光源。
投射曝光设备的光源可以被构造为产生具有5nm至30nm的波长的照明光。此类型的光源在反射镜需要反射膜，为了满足最小反射率要求，所述反射镜仅具有较小的入射角接受带宽。与根据本发明的成像光学系统一起，可以满足对较小的入射角接受带宽的要求。
对应的优点适用于根据本发明的制造方法以及由此制造的微结构或纳米结构组件。
附图说明
下面借助于附图更详细地描述本发明的实施例，其中：
图1示例性地示出了用于EUV微光刻的投射曝光设备；
图2在子午面中示出了可以用作根据图1的投射曝光设备中的投射透镜系统的成像光学系统的实施例，针对多个选择的场点的主光束以及上和下彗发光束，(虚拟地)示出了成像光束路径；
图3至21在类似于图2的视图中示出了成像光学系统的其它实施例。
具体实施方式
用于微光刻的投射曝光设备1具有用于照明光或成像光3的光源。光源2是EUV光源，其产生例如5nm与30nm之间(尤其是5nm与15nm之间)的波长范围中的光。特别地，光源2可以是具有13.5nm的波长的光源，或者具有6.9nm的波长的光源。也可以使用其它EUV波长。通常而言，对于在投射曝光设备1中引导的照明光3，甚至可以使用任何期望的波长，例如可见光波长，或者可以在微光刻中使用并且合适的激光光源和/或LED光源可以获得的其它任何波长(例如365nm、248nm、193nm、157nm、129nm或109nm)。图1中极其示意性地示出了照明光3的光束路径。
照明光学系统6被用于将照明光3从光源2引导到物平面5中的物场4。使用投射光学系统或成像光学系统7以预定的缩小比例将物场4成像在像平面9中的像场8中。像场8在x方向上具有26mm的范围，在y方向上具有2mm的范围。物场4和像场8是矩形的。图2等中示出的实施例之一可以被用于投射光学系统7。根据图2的投射光学系统7缩小4倍。其它缩小比例也是可以的，例如5x、8x或者大于8x的其它缩小比例。在根据图2等的实施例中的投射光学系统7的像平面9被布置为平行于物平面5。这里，反射掩模10(也被称为掩模母版)中与物场4一致的部分被成像。
通过投射光学系统7的成像发生在晶片形式的基底11上，基底被基底支撑体12支撑。图1示意性地示出了在掩模母版10和投射光学系统7之间的、在其中传播的照明光3的光束集13，以及在投射光学系统7和基底11之间的、离开投射光学系统7的照明光3的光束集14。根据图2的实施例中的投射光学系统7的像场侧上的数值孔径(NA)是0.50。这在图1中未按比例显示。
为了辅助描述投射曝光设备1和投射光学系统7的各种实施例，在图中提供了笛卡尔xyz坐标系统，根据该坐标系统，产生了附图中所示的组件的相应位置参考。在图1中，x方向垂直于图面的平面并向图面内。y方向向右延伸，z方向向下。
投射曝光设备1是扫描曝光机类型。在投射曝光设备1的操作期间，掩模母版10和基底11两者都被在y方向上扫描。也可以使用步进曝光机类型的投射曝光设备1，其中，在基底11的各次曝光之间发生掩模母版10和基底11在y方向上的步进位移。
图2示出了投射光学系统7的第一实施例的光学设计。图2示出了三个相应的单独光束15的光束路径，所述三个单独光束15从在图2中的y方向上彼此分开的5个物场点发出。属于这5个物场点之一的三个单独光束15分别与5个物场点的三个不同照明方向关联。图2中仅为了图示的原因示出了穿过投射光学系统7的光瞳平面17中的光瞳中心的主光束16，因为投射光学系统7的中心光瞳遮挡，所以主光束16不是实际存在的，而仅是投射光学系统7的虚拟成像光束路径。这些主光束16从物平面5开始首先发散传输。在下文中，这也被称为投射光学系统7的入瞳的负后焦距。根据图2的投射光学系统7的入瞳不位于投射光学系统7内，而是在物平面5的前方的光束路径中。这使得可以例如将照明光学系统6的光瞳组件布置在投射光学系统7的、在投射光学系统7的前方的光束路径中的入瞳中，而在此光瞳组件和物平面5之间不存在其它成像光学组件。
根据图2的投射光学系统7总共具有6个反射镜，以它们布置在从物场4开始的单独光束15的光束路径中的顺序，将其连续地编号为M1至M6。图2示出了这些反射镜M1至M6或M5、M6的被计算的反射面。仅这些被计算的反射面中的较小区域被使用，如图2的视图中所示的。仅反射面中的此实际使用的区域实际存在于真实的反射镜M1至M6中。这些有用的反射面被以公知的方式由镜体承载。
投射光学系统7的所有6个反射镜M1至M6被设计为不能由旋转对称函数描述的自由形状面。也可以有投射光学系统7的其它实施例，其中反射镜M1至M6中的至少一个具有此类型的自由形状反射面。
此类型的自由形状面也可以从旋转对称参考面产生。US 2007-0058269 A1公开了用于微光刻的投射曝光设备的投射光学系统的反射镜的反射面的此类型的自由形状面。
可以通过以下等式数学地描述自由形状面：
其中，满足
Z是自由形状面在点x、y出的升起(弧矢)高度(x2+y2＝r2)。c是对应于相应非球面的顶点曲率的常数。k对应于相应非球面的圆锥常数。Cj是单项式XmYn的系数。典型地，基于投射光学系统7内的反射镜的期望光学特性确定c、k和Cj的值。可以按期望变化单项式的阶数m+n。更高阶数的单项式可以导致投射光学系统的设计具有改善的像差校正，但计算更复杂。m+n可以选择3至大于20之间的值。
自由形状面可以被由Zernike多项式数学地描述，例如在光学设计程序CODE 的手册中描述了Zernike多项式。替代地，可以借助于二维样条表面描述自由形状面。这样的示例是Bezier曲线或非均匀有理基样条(NURBS)。例如可以通过xy平面上的点的网络和所关联的z值，或者通过这些点和与它们关联的梯度，描述二维样条表面。根据样条表面的相应类型，使用例如多项式或它们的连续性和可微性具有特定特性的函数在所述网络点之间进行插值而获得完整的表面。这样的示例是解析函数。
反射镜M1至M6具有多反射层，以优化它们对入射EUV照明光3的反射。单独光束15在反射镜表面上的入射角越接近垂直入射，可以越好地优化该反射。投射光学系统7对于所有单独光束15总体上具有小的反射角。
可以从以下表中导出投射光学系统7的反射镜M1至M6的反射面的光学设计数据。这些表中的第一个表为光学组件的光学表面和孔径光阑给出了顶点曲率(半径)和间距值(厚度)，厚度对应于从物平面开始的光束路径中相邻元件的z间距。第二个表面提供了上面对反射镜M1至M6给出的自由形状面方程中的单项式XmYn的系数Cj。在此情况下，Nradius是标准化因子。根据第二个表，仍然以mm为单位给出量值，从反射镜基准设计出发，各个反射镜根据所述量值偏心(Y偏心)和旋转(X旋转)。这对应于自由形状面设计方法中的平行位移和倾斜。这里，位移发生在y方向上，倾斜关于x轴。这里以度数给出旋转角。
反射镜M1、M2、M4和M6被配置为凹反射镜。反射镜M2的曲率半径非常大，以致于在图2中其几乎看上去如平面反射镜。反射镜M3和M5被配置为凸反射镜。
反射镜M1和M6以及M3和M6关于它们的反射面的取向被布置为背对背。
反射镜M1至M5的光学使用的区域在该光学使用的区域内没有成像光穿过的通孔，即未被遮挡。反射镜M5(即物场4和像场8之间的照明光3的光束路径的倒数第二个反射镜)也没有成像光或照明光3通过的通孔。换言之，反射镜5具有不间断的使用反射面。
在反射镜M4和M5之间的成像光束路径中，单独光束15穿过反射镜M6中的通孔18。反射镜M6被围绕着通孔18使用。因此，反射镜M6是遮挡的反射镜。
投射光学系统7中的成像光束路径中的光瞳平面17位于反射镜M2和M3之间。光瞳平面17还位于物场4和反射镜6的通孔18之间的成像光束路径中。用于投射光学系统7的光瞳的中心遮蔽的遮挡光阑或光阑可以被布置在光瞳平面17中。因此，遮挡光阑遮蔽光瞳平面17中的成像光3的中心区域，该中心区域由于通孔18而不贡献物场4的成像。
投射光学系统7的中间像平面19位于反射镜M4和M5之间的成像光束路径中。所关联的中间像与反射镜M6中的通孔18相邻。因此，可以使此通孔18相对于反射镜M8的使用反射面而言较小。在投射光学系统7中，中心光瞳遮挡(即被通孔18或者被投射光学系统7的出瞳内的光瞳平面17中的遮挡光阑遮挡的面积相对于此出瞳的总面积的比例)是4.4％。
像平面9与反射镜M5的使用反射面中最接近于该像平面的部分之间工作间距dw是22mm。此工作间距dw与投射光学系统7的总长度(即物场4与像场8之间的间距)的比是1.3％。
投射光学系统7的另一光瞳平面20位于成像光束路径中反射镜M5的区域中。这里也可以布置光阑。
单独光束15在反射镜M3上的入射角在子午面上最大为34.5°，图2显示了子午面。
成像光束路径部分21在成像光束路径中的倒数第三个反射镜M4与成像光束路径中的倒数第二个反射镜M5之间。此成像光束路径部分21从反射镜M4上的反射开始，到反射镜M5上的反射结束。投射光学系统7中成像光束路径部分21前方的成像光束路径(即物场4和反射镜M4之间的成像光束路径)与像场8的区域中的成像光束22被引导在成像光束路径部分21的相同侧上。因此，物场4与倒数第二个反射镜M5被布置在主平面23的不同侧上，主平面23延伸穿过像场8的中心，并垂直于子午面(即图2至4的图面平面)。
图3示出了投射光学系统7的另一实施例。与根据图2的投射光学系统7的组件对应的组件具有相同的附图标记，并不再详细讨论。
根据图3的投射光学系统7的光学设计数据可以从以下表中导出，所述表在结构上与有关根据图2的投射光学系统7的表一致。
在根据图3的投射光学系统7中，与根据图2的投射光学系统7相比，反射镜M5关于主平面23成镜像。倒数第二个反射镜M5和物场4布置在主平面23的相同侧上。物场4和反射镜M2之间的成像光束路径与根据图3的投射光学系统7的像场8的区域中的成像光束22被引导在成像光束路径部分21的不同侧上。成像光束路径部分21与反射镜M2和M3之间的另一成像光束路径部分24在根据图3的投射光学系统7的成像光束路径中相交。
在根据图3的投射光学系统7中，反射镜M2被配置为凸反射镜。由于反射镜M2的曲率半径非常大，所以反射镜M2在图3中几乎表现为平面反射镜。
在根据图13的投射光学系统7中，中间像平面19几乎精确地位于反射镜M6中的通孔18的水平处。
根据图3的投射光学系统7的中心光瞳遮挡是4.0％。像平面9与反射镜M5的使用反射面中最接近与像平面的部分的工作间距dw是85mm。此工作间距dw位于根据图3的投射光学系统7的总长度的比是3.7％。单独光束15在反射镜M5上的入射角在图3中所示的子午面中最大是16.9°。
图4示出了投射光学系统7的另一实施例。与上面参照图2和图3的投射光学系统7而描述的组件对应的组件具有相同的附图标记，并不再详细讨论。
根据图4的投射光学系统7的光学设计数据可以从以下表中导出，所述表在结构上与有关根据图2和图3的投射光学系统7的表一致。
在根据图4的投射光学系统7中，中间像平面19与像场8之间的成像光束与根据图3的投射光学系统7一致。
物场4和反射镜M5被布置在主平面23的不同侧上。
在根据图4的投射光学系统7中，反射镜M1和M4以及反射镜M3和M6被布置为背对背。
反射镜M1、M3和M6是凹面的。反射镜M5是凸面的。反射镜M2和M4具有非常大的曲率半径，以致于它们在图4中几乎表现为平面反射镜。
在根据图4的投射光学系统7中，可以在反射镜M2和M3之间的光瞳平面17的区域中布置孔径光阑。
在根据图4的投射光学系统7中，中心光瞳遮挡是4.0％。在根据图4的投射光学系统中，像平面9与反射镜M5的使用反射面中最接近于像平面的部分之间的工作间距dw是85mm。此工作间距dw与根据图4的投射光学系统7的总长度之间的比是4.25％。单独光束15在反射镜M5上的入射角在图4所示的子午面中最大为15.9°。
在下边中，再次总结了根据图2、3和4的投射光学系统(PO)的特性：
主光束是物场4的中心点的主光束16。此中心点被定义为在子午面上位于两个边缘物场点之间的中心的点。
图5示出了投射光学系统7的另一实施例。与上面参照图2至4的投射光学系统7而描述的组件对应的组件具有相同的附图标记，并不再详细讨论。
在根据图5的投射光学系统7中，物场4和像场8之间的成像光束类似根据图4的实施例的成像光束路径。就物场4和反射镜M4之间的成像光束的引导而言，根据图5的结构的成像光束路径与根据图4的结构的成像光束路径相比，表现为关于大致平行于xz平面的平面成镜像。在根据图5的投射光学系统7的成像光束路径中，成像光束路径中与反射镜M3相邻的部分与像场8的区域中的成像光束22位于成像光束路径部分21的相同侧上。在根据图5的实施例中，光瞳平面17位于反射镜M2和M3之间的成像光束路径中，并且中间像平面19位于反射镜M4和M5之间。
根据图5的投射光学系统7在像侧具有0.33的数值孔径NA。像场8在x方向上具有26mm的尺寸，在y方向上具有2.5mm的尺寸。像场8是矩形的。根据图5的投射光学系统7的波前误差在0.2λ和0.5λ(rms，均方根)之间的范围中。此波前误差是针对13.4nm的波长而给出的。
图6示出了投射光学系统7的另一实施例。与上面参照图2至5的投射光学系统7而描述的组件对应的组件具有相同的附图标记，并不再详细讨论。
在根据图6的投射光学系统7中，物场4与像场8之间的成像光束路径与根据图5的实施例中的成像光束路径相当。像侧上的数值孔径、像场尺寸和像场形状与上面联系根据图5的实施例而描述的一致。
根据图6的投射光学系统7在像场上具有0.33的数值孔径NA。像场8在x方向上具有26mm的尺寸，在y方向上具有2.5mm的尺寸。像场8是矩形的。
根据图6的投射光学系统7在物平面5和像平面9之间具有1180mm的总长度。
在根据图6的实施例中，反射镜M2和M3之间的成像光束路径中的光瞳平面17从所有的侧都可以接近。
在根据图6的实施例中，反射镜M4上的最大入射角可以是21°。这里，该入射角是反射镜M4上在图6的图面平面中的最大入射角度。
图7示出了投射光学系统7的另一实施例。与上面参照图2至6的投射光学系统7而描述的组件对应的组件具有相同的附图标记，并不再详细讨论。
在根据图7的投射光学系统7中，物场4和反射镜M4之间的成像光束路径全部传播在成像光束路径部分21的、与反射镜M4和M5之间的成像光束22相反的一侧上。
在根据图7的实施例的成像光束的路径中，物场4与反射镜M4之间不存在整体(overall)相交的成像光束路径部分。成像光束路径部分的多个单独光束在反射镜M1至M4上的反射期间在反射路径上相交的事实不代表成像光束路径的成像光束路径部分整体相交。
在根据图7的实施例中，在反射镜M3与M4之间延伸的成像光束路径部分25被引导越过反射镜M6。成像光束路径部分25中的另一中间像平面26位于此引导越过的区域中。因此，根据图7的投射光学系统7在中间像平面19(其靠近成像光束路径中的通孔18)之外，还具有另一中间像平面26。因此，在根据图7的投射光学系统7中，物场4和像场8之间的成像光束路径中存在两个中间像。
图8示出了投射光学系统7的另一实施例。与上面参照图2至7的投射光学系统7而描述的组件对应的组件具有相同的附图标记，并不再详细讨论。
在根据图8的投射光学系统7中，成像光束路径中与反射镜M3上的反射关联的部分被引导在成像光束路径部分21的、与成像光束22相反的一侧上。
中间像平面26位于反射镜M1和M2之间的成像光束路径部分27中。如上所述的实施例一样，第二中间像平面19布置在通孔18的区域中。
在根据图8的实施例的成像光束路径中，反射镜M2和M3之间的成像光束路径部分24与物场4和反射镜M1之间的成像光束路径部分28在第一相交区域29中相交。反射镜M4和M5之间的成像光束路径部分21与反射镜M2和M3之间的成像光束路径部分24继而在另一相交区域30中相交。
根据图8至17的投射光学系统可以具有0.33的数值孔径NA。这些投射光学系统的像场尺寸在x方向上可以是2.5mm，在y方向上可以是26mm。
图9示出了投射光学系统7的另一实施例。与上面参照图2至8的投射光学系统7而描述的组件对应的组件具有相同的附图标记，并不再详细讨论。
根据图9的投射光学系统7的实施例中的成像光束路径基本与根据图8的实施例的成像光束路径一致。不同点在于成像光束路径部分28的引导：在根据图9的实施例中，在物场4和反射镜M1之间的此成像光束路径部分28不仅与反射镜M2和M3之间的成像光束路径部分24相交，还与反射镜M3和M4之间的成像光束路径部分25以及M4和M5之间的成像光束路径部分21相交。前面提到的成像光束路径部分28与成像光束路径部分21之间相交的相交区域31与相交区域29和30部分重叠。在根据图9的实施例的成像光束路径中，相交区域29和30也彼此重叠。
成像光束路径部分28和25之间相交的相交区域32与相交区域29和30分离，并与相交或交叉区域31部分重叠。
图10示出了投射光学系统7的另一实施例。与上面参照图2至9的投射光学系统7而描述的组件对应的组件具有相同的附图标记，并不再详细讨论。
根据图10的投射光学系统7的实施例的成像光束路径，除关于xz平面镜像地布置外，类似于根据图2的实施例的成像光束路径。与根据图2的成像光束路径相比，在根据图10的实施例中，反射镜M3比反射镜M1更接近反射镜M6。在根据图2的投射光学系统7的实施例中，情况完全反过来：在那里，反射镜M1比反射镜M3更靠近反射镜M6。此外，在根据图10的投射光学系统7的实施例中，反射镜M2比反射镜M4显著靠近物平面5。
在反射镜M2和M3之间的成像光束路径部分24中，在根据图10的实施例中，光阑或光栏33可以布置在根据图10的投射光学系统7的光瞳平面的区域中。在光阑33的此布置的区域中，可以从所有的侧自由接近成像光束路径部分24。
图11示出了投射光学系统7的另一实施例。与上面参照图2至10的投射光学系统7而描述的组件对应的组件具有相同的附图标记，并不再详细讨论。
根据图11的投射光学系统7的实施例中的成像光束路径与根据图8的实施例的成像光束路径一致。
在根据图11至图14的投射光学系统中，可以使用在彼此正交的两个方向上(即xz平面上和yz平面上)具有不同曲率半径的反射镜M1至M6。
根据图11的投射光学系统7在物侧是远心的。
图12示出了投射光学系统7的另一实施例。与上面参照图2至11的投射光学系统7而描述的组件对应的组件具有相同的附图标记，并不再详细讨论。
根据图12的投射光学系统7的实施例中的成像光束路径类似于根据图2的实施例，除了其视图关于xz平面成镜像。与根据图2的实施例相比，在根据图12的投射光学系统7的实施例中，除了通孔18相邻的中间像平面19中的另一中间像之外，在反射镜M1和M2之间的成像光束路径部分27中还存在中间像平面26中的中间像。在根据图12的投射光学系统7的实施例中，反射镜M3比反射镜M1更靠近反射镜M6。这也将根据图12的投射光学系统7的成像光束路径与根据图2的实施例相区别，在根据图2的实施例中，反射镜M1比反射镜M3更靠近反射镜M6。
根据图12的投射光学系统7在物侧上是远心的。
图13示出了投射光学系统7的另一实施例。与上面参照图2至12的投射光学系统7而描述的组件对应的组件具有相同的附图标记，并不再详细讨论。
根据图13的投射光学系统7的实施例中的成像光束路径类似于根据图8的实施例的成像光束路径。与根据图8的实施例相比，在根据图13的投射光学系统7的成像光束路径中，除了位于通孔18的区域中的中间像平面19之外，在反射镜M3和M4之间的成像光束路径部分25中还存在中间像平面26中的中间像。
根据图13的投射光学系统7在物侧上是远心的。
图14示出了投射光学系统7的另一实施例。与上面参照图2至13的投射光学系统7而描述的组件对应的组件具有相同的附图标记，并不再详细讨论。
根据图14的投射光学系统7的实施例中的成像光束路径类似于根据图9的实施例的成像光束路径。与根据图9的实施例相比，在根据图14的投射光学系统7的成像光束路径中，除了位于通孔18的区域中的中间像平面19之外，在反射镜M3和M4之间(而不是在反射镜M1和M2之间)的成像光束路径部分25中，还存在中间像平面26中的中间像。
图15示出了投射光学系统7的另一实施例。与上面参照图2至14的投射光学系统7而描述的组件对应的组件具有相同的附图标记，并不再详细讨论。
根据图15的投射光学系统7的、在反射镜M2和像场8之间的成像光束路径类似于根据图5的实施例的成像光束路径。
在根据图15的投射光学系统7的实施例中，反射镜M1和M2之间的成像光束路径部分27被引导越过反射镜M6和M4两者。除了靠近通孔18的中间像平面19中的中间像之外，在成像光束路径部分27中与反射镜M4相邻布置了中间像平面26中的中间像。
图16示出了投射光学系统7的另一实施例。与上面参照图2至15的投射光学系统7而描述的组件对应的组件具有相同的附图标记，并不再详细讨论。
根据图16的投射光学系统7的成像光束路径类似于根据图13的成像光束路径。与根据图13的实施例的成像光束路径相比，在根据图16的投射光学系统7中，反射镜M2和M3之间的成像光束路径部分24被引导越过反射镜M6。在根据图13的实施例中，反射镜M3和M6被布置为背对背。
图17示出了投射光学系统7的另一实施例。与上面参照图2至16的投射光学系统7而描述的组件对应的组件具有相同的附图标记，并不再详细讨论。
根据图17的投射光学系统7的成像光束路径从反射镜M3开始类似于根据图13的实施例的成像光束路径。与图13不同，物场4和反射镜M1之间的成像光束路径部分28与反射镜M2和M3之间的成像光束路径24相交。根据图17和图13的实施例的另一区别在于在根据图17的实施例中，在反射镜M3和M4之间的成像光束路径部分25中，布置了中间像平面26中的中间像。除了靠近通孔18的中间像平面19中的中间像之外还存在此中间像。
图18示出了投射光学系统7的另一实施例。与上面参照图2至17的投射光学系统7而描述的组件对应的组件具有相同的附图标记，并不再详细讨论。
根据图18的实施例中的、物场4于反射镜M4之间的成像光束路径被完全引导在成像光束路径部分21的、与反射镜M4和M5之间的成像光束22相反的一侧上。根据图18的实施例的成像光束路径在此方面与根据图2的实施例不同。物场4与反射镜M4之间的成像光束路径的行径在其它方面类似根据图2的投射光学系统7的成像光束路径的行径。另一区别是在根据图18的实施例中，在反射镜M1和M2之间的成像光束路径部分27中布置了光瞳平面17。在这两个反射镜之间，可以从所有的侧在宽泛的区域中到达成像光束路径部分27。
根据图18的投射光学系统7在像侧上具有0.33的数值孔径NA。像场在x方向上具有26mm的尺寸，在y方向上具有2.5mm的尺寸。像场8是矩形的。
根据图18的投射光学系统7在像场8上具有0.03λ和0.10λ(rms)之间的范围的波前误差。
反射镜M1和M6被设计为十阶的自由形状面。
反射镜M6具有460mm的直径。根据图18的投射光学系统7在物平面5和像平面9之间具有1630mm的总长度。
反射镜M1至M6之一上的最大入射角可以是17°。这里的入射角是图18的画面平面中的最大入射角。
成像光束路径部分27被引导越过反射镜M6。反射镜M3和M6布置为背对背。
图19示出了投射光学系统7的另一实施例。与上面参照图2至18的投射光学系统7而描述的组件对应的组件具有相同的附图标记，并不再详细讨论。
根据图19的投射光学系统7的实施例的成像光束路径类似于根据图18的实施例。
根据图19的投射光学系统7具有0.50的像侧数值孔径。像场在x方向上具有26mm的尺寸，在y方向上具有2.5mm的尺寸。像场8是矩形的。
根据图19的实施例中的波前误差在像场8上最大为0.25λ(rms)。
反射镜M1至M6被设计为十阶的自由形状面。
根据图19的实施例中的反射镜M6具有700mm的直径。根据图19的投射光学系统7在物平面5和像平面9之间的总长度是1800mm。
图20示出了投射光学系统7的另一实施例。与上面参照图2至19的投射光学系统7而描述的组件对应的组件具有相同的附图标记，并不再详细讨论。
根据图20的投射光学系统7的成像光束路径对应于根据图18的实施例的成像光束路径。
图21示出了投射光学系统7的另一实施例。与上面参照图2至20的投射光学系统7而描述的组件对应的组件具有相同的附图标记，并不再详细讨论。
根据图21的投射光学系统7的成像光束路径对应于根据图18的实施例的成像光束路径。
在根据图18至21的实施例中，在物场4和反射镜M4之间的成像光束路径中不存在背对背的布置。特别地，反射镜M1和M4未被布置为彼此背对背。
为了制造微结构或纳米结构组件，投射曝光设备1被如下使用：首先，设置反射掩模10或掩模母版以及基底或晶片11。接着借助于投射曝光设备，将掩模母版10上的结构接着投射到晶片11的光敏层上。通过显影该光敏层，接着在晶片11上产生了微结构或纳米结构，并因此制造了微结构组件。

Claims (14)

1.具有多个反射镜(M1、M2、M3、M4、M5、M6)的成像光学系统(7)，所述多个反射镜将物平面(5)中的物场(4)成像为像平面(9)中的像场(8)，
-其中仅所述物场(4)和所述像场(8)之间的成像光(3)的光束路径中的最后一个反射镜(M6)具有用于所述成像光(3)通过的通孔(18)，
-其中所述成像光学系统(7)被配置为用于微光刻的投射光学系统。
2.如权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于；所述成像光学系统(7)在所述成像光(3)的光束路径中的倒数第二个反射镜(M5)距所述像场(8)的工作间距至少为20mm。
3.如权利要求1或2所述的成像光学系统，其特征在于所述成像光(3)在所述光束路径中的倒数第二个反射镜(M5)上的入射角最大为35°。
4.如权利要求1或2所述的成像光学系统，
-在所述物场(4)和所述像场(8)之间的所述成像光(3)的光束路径中的倒数第三个反射镜(M4)与所述光束路径中的倒数第二个反射镜(M5)之间具有成像光束路径部分(21)，
-其中所述成像光束路径部分(21)的前方的成像光束路径的至少一部分与所述像场(8)的区域中的成像光束(22)被引导在所述成像光束路径部分(21)的相反侧上。
5.如权利要求1或2所述的成像光学系统，
-在所述物场(4)和所述像场(8)之间的所述成像光(3)的光束路径中的倒数第三个反射镜(M4)与所述光束路径中的倒数第二个反射镜(M5)之间具有成像光束路径部分(21)，
-其中所述成像光束路径部分(21)的前方的成像光束路径的至少一部分与所述像场(8)的区域中的成像光束(22)被引导在所述成像光束路径部分(21)的相同侧上。
6.如权利要求1或2所述的成像光学系统，其特征在于所述物场(4)和所述像场(8)之间的所述成像光(3)的光束路径中的倒数第三个反射镜(M4)与所述光束路径中的倒数第六个反射镜(M1)被布置为背对背。
7.如权利要求1或2所述的成像光学系统，其特征在于在所述物场(4)和所述像场(8)之间的所述成像光(3)的光束路径中存在至少一个中间像(19、26)。
8.如权利要求1或2所述的成像光学系统，其特征在于在所述光束路径的部分(24、28；24、21；28、24；28、25)之间存在至少一个相交区域(29、30、31、32)。
9.如权利要求1或2所述的成像光学系统，其特征在于像场侧上具有至少0.3的数值孔径。
10.如权利要求1或2所述的成像光学系统，其特征在于所述像场(8)被配置为矩形场。
11.用于微光刻的投射曝光设备，
-具有根据权利要求1的成像光学系统(7)，
-具有用于成像光(3)的光源(2)，
-具有用于将所述成像光(3)引导到所述成像光学系统(7)的物场(4)的照明光学系统(6)。
12.如权利要求11所述的投射曝光设备，其特征在于所述光源(2)被配置为产生具有5nm至30nm的波长的成像光(3)。
13.用于利用以下方法步骤制造结构化的组件的方法：
-设置掩模母版(10)和晶片(11)，
-借助于根据权利要求11或12的投射曝光设备，将所述掩模母版(10)上的结构投射到所述晶片(11)的光敏层上，
-在所述晶片(11)上制造微结构或纳米结构。
14.通过根据权利要求13的方法制造的结构化的组件。
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Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005042005A1 (de) 2004-12-23 2006-07-06 Carl Zeiss Smt Ag Hochaperturiges Objektiv mit obskurierter Pupille
DE102009008644A1 (de) 2009-02-12 2010-11-18 Carl Zeiss Smt Ag Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithografie mit einer derartigen abbildenden Optik
KR101383479B1 (ko) 2010-04-22 2014-04-08 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 이미징 옵틱스 및 이러한 이미징 옵틱스를 가지는 마이크로리소그래피를 위한 투영 노광 장치
EP2598931B1 (en) 2010-07-30 2020-12-02 Carl Zeiss SMT GmbH Imaging optical system and projection exposure installation for microlithography with an imaging optical system of this type
DE102010039745A1 (de) * 2010-08-25 2012-03-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik
DE102010040811A1 (de) 2010-09-15 2012-03-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik
DE102010041746A1 (de) * 2010-09-30 2012-04-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage der EUV-Mikrolithographie und Verfahren zur mikrolithographischen Belichtung
DE102011083888A1 (de) * 2011-09-30 2013-04-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende katoptrische EUV-Projektionsoptik
DE102011088980A1 (de) 2011-12-19 2012-10-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Projektlithografie mit einer derartigen abbildenden Optik
JP5967946B2 (ja) * 2012-01-23 2016-08-10 株式会社アドテックエンジニアリング 露光描画装置、露光描画システム、プログラム及び露光描画方法
CN102540435A (zh) * 2012-02-07 2012-07-04 中国科学院光电技术研究所 一种反射型投影光学系统
DE102012202675A1 (de) 2012-02-22 2013-01-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithografie mit einer derartigen abbildenden Optik
DE102012208793A1 (de) 2012-05-25 2013-11-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithographie mit einer derartigen abbildenden Optik
DE102012217800A1 (de) * 2012-09-28 2014-04-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Diffraktives optisches Element sowie Messverfahren
DE102012218558A1 (de) 2012-10-11 2013-08-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithographie mit einer derartigen abbildenden Optik
US9291751B2 (en) 2013-06-17 2016-03-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Imaging optical unit and projection exposure apparatus for projection lithography comprising such an imaging optical unit
US9606605B2 (en) 2014-03-07 2017-03-28 Apple Inc. Dynamic voltage margin recovery
CN107111242B (zh) * 2014-11-18 2020-04-24 卡尔蔡司Smt有限责任公司 Euv投射光刻的照明光学单元
DE102014223811B4 (de) 2014-11-21 2016-09-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik für die EUV-Projektionslithographie, Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zur Herstellung eines strukturierten Bauteils
DE102015221983A1 (de) * 2015-11-09 2017-05-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik
DE102017215664A1 (de) 2017-09-06 2019-03-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System für eine Projektionsbelichtungsanlage
DE102017216893A1 (de) * 2017-09-25 2019-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld
DE102018203283A1 (de) 2018-03-06 2018-05-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optischen Systems einer Projektionsbestimmungsanlage für die Projektionslithographie
DE102019203423A1 (de) 2019-03-13 2020-01-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik
CN112286010B (zh) * 2020-10-23 2021-07-27 北京理工大学 超高数值孔径组合变倍率极紫外光刻物镜及优化方法

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3316036A1 (de) * 1983-05-03 1984-11-22 Th Steffens Fa Mikroskop
US4653880A (en) 1985-03-01 1987-03-31 Spectra-Tech Inc. Reflective beam splitting objective
US5003567A (en) * 1989-02-09 1991-03-26 Hawryluk Andrew M Soft x-ray reduction camera for submicron lithography
US5144496A (en) * 1989-07-19 1992-09-01 Olympus Optical Co., Ltd. Reflecting objective system including a negative optical power second mirror with increasing negative optical power off-axis
JPH0562877A (ja) * 1991-09-02 1993-03-12 Yasuko Shinohara 光によるｌｓｉ製造縮小投影露光装置の光学系
US5815310A (en) * 1995-12-12 1998-09-29 Svg Lithography Systems, Inc. High numerical aperture ring field optical reduction system
US5956192A (en) * 1997-09-18 1999-09-21 Svg Lithography Systems, Inc. Four mirror EUV projection optics
JP4238390B2 (ja) * 1998-02-27 2009-03-18 株式会社ニコン 照明装置、該照明装置を備えた露光装置および該露光装置を用いて半導体デバイスを製造する方法
AU2549899A (en) * 1998-03-02 1999-09-20 Nikon Corporation Method and apparatus for exposure, method of manufacture of exposure tool, device, and method of manufacture of device
US6072852A (en) 1998-06-09 2000-06-06 The Regents Of The University Of California High numerical aperture projection system for extreme ultraviolet projection lithography
US6985210B2 (en) * 1999-02-15 2006-01-10 Carl Zeiss Smt Ag Projection system for EUV lithography
US6033079A (en) * 1999-03-15 2000-03-07 Hudyma; Russell High numerical aperture ring field projection system for extreme ultraviolet lithography
EP1093021A3 (en) 1999-10-15 2004-06-30 Nikon Corporation Projection optical system as well as equipment and methods making use of said system
JP2001185480A (ja) * 1999-10-15 2001-07-06 Nikon Corp 投影光学系及び該光学系を備える投影露光装置
JP2001343589A (ja) * 2000-03-31 2001-12-14 Canon Inc 投影光学系、および該投影光学系による投影露光装置、デバイス製造方法
JP2004512552A (ja) 2000-10-20 2004-04-22 カール　ツァイス　シュティフトゥング　トレイディング　アズ　カール　ツァイス ８反射鏡型マイクロリソグラフィ用投影光学系
DE10052289A1 (de) * 2000-10-20 2002-04-25 Zeiss Carl 8-Spiegel-Mikrolithographie-Projektionsobjektiv
DE10139177A1 (de) * 2001-08-16 2003-02-27 Zeiss Carl Objektiv mit Pupillenobskuration
JP2003233001A (ja) * 2002-02-07 2003-08-22 Canon Inc 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法
US6975385B2 (en) 2002-11-08 2005-12-13 Canon Kabushiki Kaisha Projection optical system and exposure apparatus
JP2004252363A (ja) * 2003-02-21 2004-09-09 Canon Inc 反射型投影光学系
JP2004252359A (ja) * 2003-02-21 2004-09-09 Canon Inc 反射型投影光学系及び当該反射型投影光学系を有する露光装置
US7154586B2 (en) * 2003-02-21 2006-12-26 Canon Kabushiki Kaisha Catoptric projection optical system and exposure apparatus having the same
US20070058146A1 (en) * 2004-02-04 2007-03-15 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, position control method, and method for producing device
CN100582861C (zh) * 2004-12-23 2010-01-20 卡尔蔡司Smt股份公司 具有暗化光瞳的大孔径物镜
DE102005042005A1 (de) 2004-12-23 2006-07-06 Carl Zeiss Smt Ag Hochaperturiges Objektiv mit obskurierter Pupille
DE102006043251A1 (de) * 2005-09-13 2007-03-15 Carl Zeiss Smt Ag Mikrolithographie-Projektionsobjektiv, Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Objektiv, Herstellungsverfahren mikrostrukturierter Bauteile mit einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage sowie mit diesem Verfahren hergestelltes Bauteil
KR101127346B1 (ko) 2005-09-13 2012-03-29 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그라피 투영 광학 시스템, 디바이스 제작 방법 및 광학 표면을 설계하기 위한 방법
US20080118849A1 (en) * 2006-11-21 2008-05-22 Manish Chandhok Reflective optical system for a photolithography scanner field projector
EP1930771A1 (en) 2006-12-04 2008-06-11 Carl Zeiss SMT AG Projection objectives having mirror elements with reflective coatings
EP1950594A1 (de) * 2007-01-17 2008-07-30 Carl Zeiss SMT AG Abbildende Optik, Projektionsbelichtunsanlage für die Mikrolithographie mit einer derartigen abbildenden Optik, Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils mit einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage, durch das Herstellungsverfahren gefertigtes mikrostrukturiertes Bauelement sowie Verwendung einer derartigen abbildenden Optik
US7929114B2 (en) * 2007-01-17 2011-04-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection optics for microlithography
SG10201602750RA (en) 2007-10-16 2016-05-30 Nikon Corp Illumination Optical System, Exposure Apparatus, And Device Manufacturing Method
DE102009008644A1 (de) 2009-02-12 2010-11-18 Carl Zeiss Smt Ag Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithografie mit einer derartigen abbildenden Optik
DE102010062597A1 (de) * 2010-12-08 2012-06-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Reflektives optisches Abbildungssystem
CN104653880B (zh) * 2015-03-13 2017-02-01 国家电网公司 一种堵泥成型设备及成型封堵方法

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