TWI542938B - 成像光學系統與包含此類型成像光學系統之用於微影的投影曝光裝置 - Google Patents

成像光學系統與包含此類型成像光學系統之用於微影的投影曝光裝置 Download PDF

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TWI542938B
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威爾漢 優里奇
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Description

成像光學系統與包含此類型成像光學系統之用於微影的投影曝光裝置
本發明係關於具有複數鏡之成像光學系統，其將在物件平面之物場成像到在影像平面之影像場。再者，本發明關於安裝有此類型成像光學系統的投影曝光裝置、用此類型投影曝光系統產生微結構或奈米結構組件的方法、以及用此方法生產的微結構或奈米結構組件。
一開始所述類型的成像光學系統可由US 2006/0232867 A1及US 2008/0170310 A1得知。
本發明之一目的在於發展一開始所述類型的成像光學系統，而達到可處理的小成像誤差組合、可管理的生產、以及成像光良好的產能。
根據本發明第一觀點，本發明目的是藉由具有申請專利範圍第1項所揭露特徵的成像光學系統來達成。
根據本發明，應了解於瞳遮蔽系統(pupil-obscured system)中，即在具有瞳遮蔽的成像光學系統中，在不損失相對大的成像品質之下，可將倒數第二個鏡組態成具有連續反射面，即倒數第二個鏡的光學所用區內沒有通孔。如此促進生產具有適當鏡厚度的倒數第二個鏡，也容許倒數第二個鏡面對影像平面之側與影像平面之間有適當大的間距，同時最小化瞳遮蔽的尺寸。若倒數第二個鏡設置在鏡本體及/或相較於其他鏡是薄的鏡載體上，此促進生產尤其重要。
根據本發明第二觀點，本發明一開始所述的目的是藉由具有申請專利範圍第2項所揭露特徵的成像光學系統來達成。
瞳遮蔽的數值為：因瞳遮蔽而遮罩之出射瞳內的面積相對於成像光學系統的出射瞳總面積的比例。小於5%的瞳遮蔽可得到具有相當高光產能的瞳遮蔽成像光學系統。再者，根據本發明小遮蔽可導致對成像光學系統的影像品質很小或可忽視的影響，尤其是對成像對比而言。瞳遮蔽可小於10%。舉例而言，瞳遮蔽可為4.4%或4.0%。瞳遮蔽可小於4%、可小於3%、可小於2%、以及甚至可小於1%。成像光學系統的瞳遮蔽可由眾多鏡其中之一來預定，例如由其通孔或其外緣，或由遮蔽光闌或光圈，其係設置在物場與影像場之間的成像光的光束路徑中。
根據本發明上述兩個觀點其中之一，成像光學系統的至少一個鏡可具有反射面，設計成不能用旋轉對稱函數描述的自由形式面。
根據申請專利範圍第3項，倒數第二個鏡的工作間距額外促進生產。工作間距可至少為22mm、至少為40mm、至少為60mm、至少為80mm、甚至可至少為85mm。甚至可得到更大的工作間距值。工作間距定義為影像平面與最靠近的鏡(即投影光學系統的倒數第二個鏡)所用反射面的部分之間的間距。影像平面為成像系統鄰近倒數第二個鏡的場平面。
根據申請專利範圍第4項，最大入射角促進此鏡上高反射塗層的組態。尤其是若使用小波長的成像光，例如深紫外光(DUV)、真空紫外光(VUV)、或極紫外光(EUV)波長，則更有其優勢。尤其是可使用具有小接受帶寬的入射角與相應高反射的多層塗層。在成像光學系統之子午截面(meridional section)，成像光在光束路徑入射到倒數第二個鏡之最大入射角可為34.5°、30°、25°、20°、16.9°、或15.9°。
根據申請專利範圍第5項，倒數第二個鏡的配置導致支托器可能在設計上相當精簡的可能性，其中支托器是支托倒數第二個鏡與介於到數第三個及倒數第二個鏡之間的成像光束路徑區段前之成像光束路徑的鏡。
選替地，倒數第二個鏡的配置可根據申請專利範圍第6項。
根據申請專利範圍第7項，倒數第三個鏡及倒數第六個鏡背對背的配置，導致成像光學系統善加利用安裝空間的精簡結構。
基本上，除了背對背鏡配置，也可提供反射面於單石基體的兩側之配置，其對應取代的鏡配置的鏡面。
根據申請專利範圍第8項，至少一中間影像導致將物場與影像場間之成像光的光束路徑之成像光束路徑區段，導引成密切通過成像光學系統的其他組件。尤其是中間影像可配置在最後一個鏡的通孔區域，而可達到小瞳遮蔽。成像光學系統亦可具有比一個還多的中間影像，且尤其可在物場與影像場間之成像光的光束路徑具有兩個中間影像。亦可使用複數中間影像，用於校正成像誤差或簡化所涉及的鏡形式設計。
根據申請專利範圍第9項，至少有一相交或交會區容許精簡的光束導引。成像光學系統亦可在成像光束路徑區段之間具有比一個還多的交會區，尤其是兩個、三個、或四個交會區。一個或全部的交會區可在空間上至少部份彼此重疊。交會區意指成像光束路徑區段總共交會的區域。根據定義，於鏡上的反射中的成像光束路徑區段不在此類型的交會區交會。
根據申請專利範圍第10項，數值孔徑容許成像光學系統有高解析度。數值孔徑可至少為0.4，且亦可至少為0.5。
根據申請專利範圍第11項，當使用成像光學系統時，矩形場促進執行微影程序。尤其可藉由使用非旋轉對稱自由形式面作為成像光學系統的鏡的反射面，來達到此類型的矩形場。至少一個鏡可組態成此類型的自由形式面。影像場可具有2mm x 26mm或2.5mm x 26mm的尺寸。
根據申請專利範圍第12項，當使用成像光學系統作為投影光學系統時，優勢尤其突出。
根據本發明的成像光學系統可恰好具有6個鏡。
根據本發明之投影曝光裝置的優點對應於上述關於本發明成像光學系統的優點。投影曝光裝置的光源在設計上可為寬帶，例如可具有大於1nm、大於10nm、大於100nm的帶寬。此外，投影曝光裝置可設計成可利用不同波長的光源來操作。尤其是針對微影所用的其他波長的光源，可配合本發明的成像光學系統使用，例如具有波長365nm、248nm、193nm、157nm、126nm、109nm、以及尤其是具有波長小於100nm，例如在5nm及30nm之間的光源。
可組態投影曝光裝置的光源，以產生具有波長在5nm至30nm之間的照射光。此類型的光源在鏡上需要反射塗層，為了實現最小反射率，可僅具有小入射角接受帶寬。利用本發明的成像光學系統，可實現小入射角接受帶寬的需求。
相應的優點可應用於根據本發明的產生方法以及藉此產生的微結構 或奈米結構組件。
1‧‧‧投影曝光裝置
2‧‧‧光源
3‧‧‧成像光
4‧‧‧物場
5‧‧‧物件平面
6‧‧‧照射光學系統
7‧‧‧成像光學系統
8‧‧‧影像場
9‧‧‧影像平面
10‧‧‧光罩
11‧‧‧基板
12‧‧‧基板支托器
13‧‧‧聚光器
14‧‧‧聚光器
15‧‧‧光束
16‧‧‧主光束
17‧‧‧瞳平面
18‧‧‧通孔
19‧‧‧中間影像平面
20‧‧‧瞳平面
21‧‧‧成像光束路徑區段
22‧‧‧成像光束
23‧‧‧主平面
24‧‧‧成像光束路徑區段
25‧‧‧成像光束路徑區段
26‧‧‧中間影像平面
27‧‧‧成像光束路徑區段
28‧‧‧成像光束路徑區段
29‧‧‧第一交會區
30‧‧‧交會區
31‧‧‧交會區
32‧‧‧交會區
33‧‧‧光圈
dw‧‧‧工作間距
M1-M6‧‧‧鏡
在圖式的協助下詳細說明本發明的實施例，其中：圖1示意地顯示用於EUV微影的投影曝光裝置；圖2為以截面圖顯示成像光學系統的實施例，其可用作圖1之投影曝光裝置的投影透鏡系統，虛擬地顯示主光束及複數所選場點的上/下暈束的成像光束路徑；圖3至圖21以類似圖2之視圖顯示成像光學系統的其他實施例。
用於微影的投影曝光裝置1具有照射光或成像光3的光源2。光源2為EUV光源，其產生波長範圍在5nm及30nm之間的光，尤其是5nm及15nm之間。具體而言，光源2可為具有13.5nm波長的光源，或具有6.9nm波長的光源。也可以是其他EUV波長。一般而言，在投影曝光裝置1中導引的照射光3甚至可能是任何波長，例如可見光波長或可用於微影以及適當雷射光源及/或LED光源可得的其他波長(例如365nm、248nm、193nm、157nm、129nm、109nm)。照射光3的光束路徑極示意地顯示於圖1。
照射光學系統6用於將照射光3從光源2導引到物件平面5的物場4。利用投影光學系統或成像光學系統7，以預定的縮減尺度將物場4成像到影像平面9的影像場8。影像場8於X方向具有26mm的範圍，於Y方向具有2mm的範圍。物場4及影像場8為矩形。圖2之後所示的實施例之一可用於投影光學系統7。根據圖2之投影光學系統7縮減了4倍。亦可有其它縮減尺度，例如5x、8x、或大於8x的其他縮減尺度。於圖2之後的實施例中的投影光學系統7中的影像平面9，設置成平行於物件平面5。於此成像的是反射式光罩10(亦稱光罩)與物場4一致的部分。
利用投影光學系統7的成像發生於晶圓形式的基板11的表面，其中基板11是由基板支托器12所承載。圖1示意地顯示在光罩10與投影光學系統7之間讓照射光3行經的聚光器13，以及在投影光學系統7與基板11之間讓照射光3離開投影光學系統7的聚光器14。根據圖2的實施例，投影光學系統7的影像場側的數值孔徑 (NA)為0.50。此並未依比例顯示於圖1。
為了有助於投影曝光裝置1與投影光學系統7的各種實施例的說明，於圖式中使用笛卡兒xyz座標系統，藉此於圖中顯示組件的各自位置參考。於圖1中，x座標垂直穿越於圖面。Y座標向右延伸，而z座標向下延伸。
投影曝光裝置1為掃描機類型。在投影曝光裝置1於y方向操作期間，皆掃瞄光罩10及基板11。也可以是步進式的投影曝光裝置1，其中光罩10及基板11在y方向的逐步位移發生在基板11的個別曝光期間。
圖2顯示投影光學系統7的第一實施例的光學設計。圖2顯示三個分別個別光束15從圖2的y方向彼此相隔的5個物場點發射出的光束路徑。屬於5個物場點的三個個別光束15各與兩個物場點的三個不同照射方向有關。在圖2所繪示通過投影光學系統7的瞳平面17中的瞳中心的主光束16，僅針對繪圖理由並非實際的，而是因為投影光學系統7的中央瞳遮蔽所產生的投影光學系統7的虛擬成像光束路徑。這些主光束16首先從物件平面5發散地前進。此於下亦稱為投影光學系統7的入射瞳的負背焦距。根據圖2投影光學系統7的入射瞳不位在投影光學系統7內，而是在物件平面5前的光束路徑。舉例而言，可將照射光學系統6的瞳組件設置在投影光學系統7的入射瞳，且在投影光學系統7之前的光束路徑，而不需要其他的成像光學組件呈現在此瞳組件與物件平面5之間。
根據圖2的投影光學系統7具有總共6個鏡，從物場4前進利用在個別光束15的光學路徑設置順序依序編號為M1至M6。圖2顯示鏡M1至M6或M5、M6精心設計的反射面。由圖2可見，僅使用這些精心設計的反射面的小區域。僅在真實鏡M1至M6中實際呈現這些反射面實際使用的區域。這些有用的反射面以已知方式實現為鏡本體。
投影光學系統7所有的6個鏡M1至M6設計成不能由旋轉對稱函數描述的自由形式面。投影光學系統7也可有其他實施例，其中鏡M1至M6至少其中之一具有此類型的自由形式反射面。
此類型的自由形式面也可由旋轉對稱參考面所產生。針對用於微影的投影曝光裝置之投影光學系統的鏡的反射面的此類自由形式面，可由US 2007-0058269 A1所得知。
自由形式面可藉由以下方程式數學地描述：
其中：
Z為在點x,y(x2+y2=r2)之自由形式面的上升高度(弓形高(sagitta))。
c為常數，其對應相應非球面的頂點曲率。k對應相應非球面的圓錐常數。Cj為單項式XmYn的係數。典型上，c、k、及Cj的值是基於投影光學系統7中鏡所需的光學性質而決定。單項式的級數m+n可視需要變化。較高級數的單項式可導致具有改善影像誤差校正的投影光學系統設計，但計算卻更複雜。m+n可使用3及大於20之間的值。
自由形式面亦可利用任尼克(Zernike)多項式數學地描述，其描述於例如光學設計程式CODE V®的手冊中。選替地，自由形式面亦可藉助於二維樣條曲面(spline surface)來描述。其範例為貝茲曲線(Bezier curves)或不均勻旋轉基礎樣條曲線(NURBS)。舉例而言，二維樣條曲面可藉由xy平面中的網絡點及相關z值描述，或藉由這些點以及與其相關的梯度描述。依據樣條曲面的個別類型，可藉由在網絡點間利用例如關於連續性及可導性具有特定性質的多項式或函數內插而得到完整的表面。
鏡M1至M6具有多個反射層，而使照射的EUV照射光3的反射最佳化。反射可全部最佳化越佳，鏡表面上個別光束15的照射角離垂直入射越接近。投影光學系統7對所有個別光束15整體具有小反射角。
投影光學系統7的鏡M1至M6的反射面的光學設計資料可參考以下的表。第一個表針對光學組件的光學表面與孔徑光闌，提出頂點曲率的個別倒數值(半徑)以及間距值(厚度)，其對應從物件平面前進在光束路徑中相鄰元件的z間距。第二個表提出上述鏡M1至M6的自由形式面方程式中單項式XmYn的係數Cj。於此案例Nradius為標準化因子。根據第二個表，量的單位為mm，以及已將從鏡參考設計著手的個別鏡偏心(Y偏心)並旋轉(X旋轉)。此對應於自由形式面設計方法中的傾斜以及平行位移。於 此位移發生在y方向，而傾斜繞著x軸。於此旋轉角的單位為度。
鏡M1、M2、M4、以及M6組態為凹面鏡。在圖2中，鏡M2的曲率半徑大到足以看起來幾乎像平面鏡。鏡M3及M5組態為凸面鏡。
鏡M1與M6以及M3與M6關於反射面的方位是設置成背對背。
鏡M1至M5的光學所用區域於光學所用區域內不具有讓成像光通過的通孔，亦即並未遮蔽。鏡M5即物場4與影像場8之間的成像光3的光束路徑中倒數第二個鏡也沒有讓成像光或照射光3通過的通孔。換言之，鏡M5具有未中斷所用反射面。
在鏡M4與M5之間的成像光束路徑中，個別光束15通過鏡M6的通孔18。鏡M6用在通孔18周圍。因此，鏡M6為遮蔽鏡(obscured mirror)。
在投影光學系統7之成像光束路徑中的瞳平面17是在鏡M2及M3之間。瞳平面17也在物場4與鏡M6之通孔18之間的成像光束路徑中。用於遮蔽投影光學系統7之瞳的遮蔽光闌或光圈，可設置在瞳平面17。因此遮蔽光闌遮蔽在瞳平面17中成像光3的中央區，因有通孔18而不會對物場4的成像有貢獻。
投影光學系統7的中間影像平面19位在鏡M4及M5之間的成像光束路徑中。關聯的中間影像鄰近於鏡M6的通孔18。結果相較於鏡M6所用的反射面，可使通孔18較小。於投影光學系統7中之中央瞳遮蔽，即在投影光學系統7之出射瞳內由通孔18或瞳平面17中的遮蔽光闌所掩蓋的面積相對於出射瞳的總面的比例，為4.4%。
影像平面9與靠近鏡M5所用的反射面之影像平面的部分之間的工作間距dw是22mm。此工作間距dw與投影光學系統7的總長(即物場4與影像場8之間的間距)的比例，為1.3%。
投影光學系統7的另一瞳平面20位在鏡M5區域的成像光束路徑中。於此亦可設置光圈。
個別光束15射到在子午平面的鏡M3之入射角如圖2所示最大為 34.5°。
成像光束路徑區段21運行在成像光束路徑中的倒數第三個鏡M4以及成像光束路徑中的倒數第二個鏡M5之間。成像光束路徑區段21從鏡M4的反射開始，而在鏡M5的反射結束。一方面，在成像光束路徑區段21之前的投影光學系統7的成像光束路徑，即物場4與鏡M4之間的成像光束路徑，以及另一方面在影像場8區域中的成像光束22，是導引於成像光束路徑區段21的相同側。因此，物場4與倒數第二個鏡M5設置在主平面23的不同側，其中主平面23居中延伸過影像場8且垂直於子午平面，即圖2至圖4中之圖面。
圖3顯示投影光學系統7的另一實施例。對應圖2之投影光學系統7的組件具有相同的參考符號且不再詳細討論。
根據圖3之投影光學系統7的光學設計資料可參考下表，其在結構方面對應圖2之投影光學系統7的表。
於圖3之投影光學系統7中，相較於圖2的投影光學系統7，鏡M5對主平面23是呈現鏡像的。倒數第二個鏡M5與物場4設置在主平面23的相同側。一方面，物場4與鏡M2之間的成像光束路徑，以及另一方面圖3之投影光學系統7的影像場8區域中的成像光束22，是導引於成像光束路徑區段21的不同側。成像光束路徑區段21與鏡M2及M3之間的另一成像光束路徑區段24，在圖3之投影光學系統7之成像光束路徑交會。
於圖3之投影光學系統7中，鏡M2組態成凸面鏡。因為鏡M2具有非常大的曲率半徑，所以在圖3中視覺上呈現為平面鏡。
根據圖3之投影光學系統7中的中間影像平面19實際上精確地位在鏡M6的通孔18之水平處。
圖3之投影光學系統7的中央瞳遮蔽為4.0%。影像平面9與靠近影像平面之鏡M5所用的反射面的部分之間的工作間距dw是85mm。此工作間距dw與圖3之投影光學系統7的總長的比例為3.7%。個別光束15射到在子午平面的鏡M3之入射角如圖3所示最大為16.9°。
圖4顯示投影光學系統7的另一實施例。對應圖2及圖3之投影光學系統7的組件具有相同的參考符號且不再詳細討論。
根據圖4之投影光學系統7的光學設計資料可參考以下列表，其在結構方面對應圖2及圖3之投影光學系統7的列表。
於圖4之投影光學系統7中，中間影像平面19與影像場8之間的成像光束路徑對應於圖3之投影光學系統7。
物場4與鏡M5設置在主平面23的不同側。
圖4之投影光學系統7中，一方面鏡M1及M4，以及另一方面鏡M3及M6，是設置成背對背。
鏡M1、M3、及M6為凹面鏡。鏡M5為凸面鏡。鏡M2及M4具有非常大的曲率半徑，所以在圖4中視覺上呈現為平面鏡。
於圖4之投影光學系統7中，孔徑光闌可設置在鏡M2及M3之間的瞳平面17區域。
圖4之投影光學系統7的中央瞳遮蔽為4.0%。於圖4之投影光學系統7中，影像平面9與靠近影像平面之鏡M5所用的反射面的部分之間的工作間距dw是85mm。此工作間距dw與圖4之投影光學系統7的總長的比例為4.25%。個別光束15射到在子午平面的鏡M3之入射角如圖4所示最大為15.9°。
於下表中，再次摘要圖2、圖3、及圖4之投影光學系統(PO)的特性。
主光束為物場4之中心點的主光束16。此中心點定義為位在子午截面中兩邊緣物場點之間的中心的點。
圖5顯示投影光學系統7的另一實施例。對應圖2至圖4之投影光學系統7的組件具有相同的參考符號且不再詳細討論。
於圖5之投影光學系統7中，物場4與影像場8之間的成像光束路徑回憶圖4實施例之成像光束路徑。相較於圖4組態的成像光束路徑，關於在物場4與鏡M4之間成像光束的導引，圖5中對虛擬平行xz平面的平面呈現為鏡像的。圖5之投影光學系統7的成像光束路徑中，鄰近鏡M3的部分成像光束路徑與影像場8區域中的成像光束22，位在成像光束區段21的相同側。於圖5的實施例中，瞳平面17位在鏡M2及M3之間的成像光束路徑中，而中間影像平面19位在鏡M4及M5之間。
圖5之投影光學系統7在影像側具有的數值孔徑NA為0.33。影像場8在x方向具有的範圍為26mm，而在y方向具有的範圍為2.5mm。影像場8為矩形。圖5之投影光學系統7之波前誤差是在0.2及0.5 λ(rms，均方根)範圍之間。此波前誤差是針對13.5mm的波長而言。
圖6顯示投影光學系統7的另一實施例。對應圖2至圖5之投影光學 系統7的組件具有相同的參考符號且不再詳細討論。
於圖6之投影光學系統7中，物場4與影像場8之間的成像光束路徑可比擬圖5實施例之成像光束路徑。在影像側之數值孔徑及影像場尺寸與影像場形式對應於圖5之實施例相關敘述。
圖6之投影光學系統7在影像側具有的數值孔徑NA為0.33。影像場8在x方向具有的範圍為26mm，而在y方向具有的範圍為2.5mm。影像場8為矩形。
圖6之投影光學系統7在物件平面5與影像平面9之間具有總長為1180mm。
於圖6之實施例中，鏡M2及M3之間的成像光束路徑中的瞳平面17可從所有側邊通達。
於圖6之實施例中，入射到鏡M4的最大入射角可為21°。入射角為入射到圖6之圖面的鏡M4上最大的入射角。
圖7顯示投影光學系統7的另一實施例。對應圖2至圖6之投影光學系統7的組件具有相同的參考符號且不再詳細討論。
於圖7之投影光學系統7中，物場4與影像場8之間的成像光束路徑全部運行在成像光束路徑區段21相對於鏡M4及M5之間的成像光束22之一側。
圖7實施例之成像光束路徑中，在物場4及鏡M4之間沒有整體交會成像光束路徑區段。在鏡M1至M4的反射期間，成像光束路徑區段的個別光束交會於反射路徑的事實，不代表整體成像光束路徑有交會成像光束路徑區段。
於圖7之實施例中，在鏡M3及M4之間延伸的成像光束路徑區段25導引經過鏡M6。在成像光束路徑區段25的另一中間影像平面26是位在導引經過的區域。因此，圖7之投影光學系統7除了靠近成像光束路徑之通孔18的中間影像平面19，還具有另一個中間影像平面26。因此，圖7之投影光學系統7中，在物場4及影像場8之間的成像光束路徑上出現兩個中間影像。
圖8顯示投影光學系統7的另一實施例。對應圖2至圖7之投影光學系統7的組件具有相同的參考符號且不再詳細討論。
於圖8之投影光學系統7中，關聯於鏡M3之反射的部分成像光束路徑，是導引於成像光束路徑區段21相對於成像光束22的一側。
中間影像平面26位在鏡M1及M2之間的成像光束路徑區段27中。 第二中間影像平面19如上述實施例所述是設置在通孔18的區域。
於圖8實施例之成像光束路徑中，鏡M2及M3之間的成像光束路徑區段24，與第一交會區29中在物場4與鏡M1之間的成像光束路徑區段28交會。而鏡M4及M5之間的成像光束路徑區段21，於另一交會區30中與在鏡M2及M3之間的成像光束路徑區段24交會。
圖8至圖17之投影光學系統可具有數值孔徑NA為0.33。這些投影光學系統的影像場尺寸在x方向可為2.5mm，而在y方向可具有的範圍為26mm。
圖9顯示投影光學系統7的另一實施例。對應圖2至圖8之投影光學系統7的組件具有相同的參考符號且不再詳細討論。
圖9之投影光學系統7實施例中的成像光束路徑實質上對應圖8實施例之成像光束路徑。差異在於導引成像光束路徑區段28：圖9實施例中在物場4與鏡M1之間的成像光束路徑區段28，不僅與在鏡M2及M3之間的成像光束路徑區段24交會，還與在鏡M3及M4之間的成像光束路徑區段25以及在鏡M4及M5之間的成像光束路徑區段21交會。在成像光束路徑區段28及成像光束路徑區段24之間最後提及交會的交會區31，部分重疊於交會區29及30。於圖9實施例之成像光束路徑中，交會區29及30也彼此重疊。
成像光束路徑區段28及25之間交會的交會區32與交會區29及30分開，且部分重疊於交會或相交區31。
圖10顯示投影光學系統7的另一實施例。對應圖2至圖9之投影光學系統7的組件具有相同的參考符號且不再詳細討論。
圖10之投影光學系統7實施例之成像光束路徑除了針對xz平面鏡像配置，是類似於圖2實施例的成像光束路徑。相對於圖2的成像光束路徑，圖10的實施例中，鏡M3比鏡M1更靠近鏡M6。於圖2之投影光學系統7實施例中，狀況是剛好相反：鏡M1比鏡M3更靠近鏡M6。此外，於圖10之投影光學系統7的實施例中，鏡M2比鏡M4顯著靠近物件平面5。
於圖10之實施例中，在鏡M2及M3之間的成像光學路徑區段24，可設置光闌或光圈33於圖10之投影光學系統7的瞳平面區域。成像光學路徑區段24在設置光闌33的區域可自由地從所有側邊通達。
圖11顯示投影光學系統7的另一實施例。對應圖2至圖10之投影光 學系統7的組件具有相同的參考符號且不再詳細討論。
圖11之投影光學系統7實施例之成像光束路徑對應圖8實施例的成像光束路徑。
於圖11至圖14之投影光學系統7中，可使用在彼此正交的兩方向具有不同曲率半徑的鏡M1至M6，兩正交方向即xz平面及yz平面。
於圖11之投影光學系統7在物件側為遠心的。
圖12顯示投影光學系統7的另一實施例。對應圖2至圖11之投影光學系統7的組件具有相同的參考符號且不再詳細討論。
圖12之投影光學系統7實施例之成像光束路徑對除了針對xz平面鏡像反向配置，是類似於圖2實施例的成像光束路徑。相對於圖2的成像光束路徑，圖12之投影光學系統7的實施例中，除了在靠近通孔18之中間影像平面19的中間影像外，在鏡M1及M2之間的成像光學路徑區段27中，還有在中間影像平面26的中間影像。於圖12的投影光學系統7的實施例中，鏡M3比鏡M1更靠近鏡M6。如此也使得圖12的投影光學系統7的成像光束路徑不同於於圖2之實施例，圖2的狀況是鏡M1比鏡M3更靠近鏡M6。
於圖12之投影光學系統7在物件側為遠心的。
圖13顯示投影光學系統7的另一實施例。對應圖2至圖12之投影光學系統7的組件具有相同的參考符號且不再詳細討論。
於圖13的投影光學系統7實施例中，成像光束路徑類似於圖8實施例之成像光束路徑。相對於圖8的實施例，圖13之投影光學系統7的成像光束路徑中，除了在靠近通孔18區域之中間影像平面19外，在鏡M3及M4之間的成像光束路徑區段25中，還有在中間影像平面26的中間影像。
於圖13之投影光學系統7在物件側為遠心的。
圖14顯示投影光學系統7的另一實施例。對應圖2至圖13之投影光學系統7的組件具有相同的參考符號且不再詳細討論。
於圖14的投影光學系統7實施例中，成像光束路徑類似於圖9實施例之成像光束路徑。相對於圖9的實施例，圖14之投影光學系統7的成像光束路徑中，除了在靠近通孔18區域之中間影像平面19外，在鏡M3及M4之間而不是在鏡M1及M2之間的成像光束路徑區段25中，出現在中間影像平面26之中間影像。
圖15顯示投影光學系統7的另一實施例。對應圖2至圖14之投影光學系統7的組件具有相同的參考符號且不再詳細討論。
圖15之投影光學系統7在鏡M2及影像場8之間的成像光學路徑，類似於圖5實施例之成像光束路徑。
於圖15之投影光學系統7實施例中，在鏡M1及M2之間的成像光束路徑導引經過鏡M6及鏡M4。除了靠近通孔18的中間影像平面19的中間影像外，在成像光束路徑區段27中設置鄰近鏡M4的是中間影像平面26中的中間影像。
圖16顯示投影光學系統7的另一實施例。對應圖2至圖15之投影光學系統7的組件具有相同的參考符號且不再詳細討論。
圖16之投影光學系統7的成像光學路徑類似於圖13的成像光束路徑。相對於圖13實施例的成像光束路徑，圖16之投影光學系統7中，在鏡M2及M3之間的成像光束路徑區段24導引經過鏡M6。於圖13的實施例中，鏡M3及M6設置成背對背。
圖17顯示投影光學系統7的另一實施例。對應圖2至圖16之投影光學系統7的組件具有相同的參考符號且不再詳細討論。
圖17之投影光學系統7來自鏡M3的成像光學路徑類似於圖13的成像光束路徑。相對於此，在物場4及鏡M1之間的成像光束路徑區段28，與在鏡M2及M3之間的成像光束路徑區段24交會。圖17及圖3之實施例間的另一差異在於，在圖17的實施例中在鏡M3及M4之間的成像光束路徑區段25中，在中間影像平面26設置中間影像。除了靠近通孔18的中間影像平面19外，呈現此中間影像。
圖18顯示投影光學系統7的另一實施例。對應圖2至圖17之投影光學系統7的組件具有相同的參考符號且不再詳細討論。
圖18之投影光學系統7在物場4及鏡M4之間的成像光學路徑，全部導引於成像光束路徑區段21相對於鏡M4及M5之間的成像光束22之一側。圖18實施例之成像光束路徑於此點與圖2的實施例不同。物場4及鏡M4之間的成像光束路徑的路線則回憶圖2之投影光學系統7中成像光束路徑。另一差異在於圖18的實施例中瞳平面17設置在鏡M1及M2之間的成像光學路徑區段27中。在這兩個鏡之間，可從各側邊以廣區域通達成像光學路徑區段27。
圖18之投影光學系統7在影像側具有的數值孔徑NA為0.33。影像 場8在x方向具有的範圍為26mm而在y方向具有的範圍為2.5mm。影像場8為矩形。
圖18之投影光學系統7於影像場8之波前誤差是在0.03及0.10λ(rms)範圍之間。
鏡M1至M6設計成10級數的自由形式面。
鏡M6具有直徑460mm。圖18之投影光學系統7在物件平面5與影像平面9之間具有總長1630mm。
在鏡M1至M6其中之一的最大入射角為17°。於此入射角為圖18的圖面的最大入射角。
成像光束路徑區段27導引經過鏡M6。鏡M3及M6設置成背對背。
圖19顯示投影光學系統7的另一實施例。對應圖2至圖18之投影光學系統7的組件具有相同的參考符號且不再詳細討論。
圖19之投影光學系統7實施例中的成像光束路徑類似於圖18的實施例。
圖19之投影光學系統7在影像側具有的數值孔徑NA為0.50。影像場在x方向具有的範圍為26mm，而在y方向具有的範圍為2.5mm。影像場8為矩形。
圖19實施例中於影像場8之波前誤差最大為0.25λ(rms)範圍之間。
鏡M1至M6設計成10級數的自由形式面。
圖19之實施例中鏡M6具有直徑700mm。圖19之投影光學系統7在物件平面5與影像平面9之間具有總長1800mm。
圖20顯示投影光學系統7的另一實施例。對應圖2至圖19之投影光學系統7的組件具有相同的參考符號且不再詳細討論。
圖20之投影光學系統7的成像光束路徑對應圖18的實施例。
圖21顯示投影光學系統7的另一實施例。對應圖2至圖20之投影光學系統7的組件具有相同的參考符號且不再詳細討論。
圖21之投影光學系統7的成像光束路徑對應圖18的實施例。
在圖18至圖21的實施例中，在物場4及鏡M4之間的成像光束路徑中沒有背對背的設置。具體而言，鏡M1及M4相對於彼此不設置成背對背。
為了產生微結構或奈米結構，投影曝光裝置1使用如下：首先，提供反射式光罩10或遮罩及基板或晶圓11。然後，藉助於投影曝光裝置，將光罩10上的結 構投射到晶圓11的感光層。藉由顯影感光層，然後在晶圓11上產生微結構或奈米結構，而形成微結構組件。
4‧‧‧物場
5‧‧‧物件平面
7‧‧‧成像光學系統
8‧‧‧影像場
9‧‧‧影像平面
15‧‧‧光束
16‧‧‧主光束
17‧‧‧瞳平面
18‧‧‧通孔
19‧‧‧中間影像平面
20‧‧‧瞳平面
21‧‧‧成像光束路徑區段
22‧‧‧成像光束
23‧‧‧主平面
Dw‧‧‧工作間距
M1-M6‧‧‧鏡

Claims (16)

  1. 一種具有複數鏡之成像光學系統，以將在一物件平面之一物場成像到在一影像平面之一影像場；其中，在該物場與該影像場間之成像光的光束路徑中，僅有最後一個鏡具有讓該成像光通過的一通孔。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之成像光學系統，其中，該成像光學系統之光學組件的配置造成小於20%的一瞳遮蔽。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之成像光學系統，其中該成像光學系統在該成像光的光束路徑中的倒數第二個鏡與該影像場間之一工作間距至少為20mm。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所述之成像光學系統，其中於該成像光入射到在該光束路徑之倒數第二個鏡之一入射角最多為35°。
  5. 如申請專利範圍第1或2項所述之成像光學系統，其中：在該物場與該影像場間之該成像光的光束路徑中的倒數第三個鏡及該光束路徑中的倒數第二個鏡之間，具有一成像光束路徑區段；其中在該成像光束路徑區段前之該成像光束路徑的至少一部分以及在該影像場之區域中的一成像光束，係導引到該成像光束路徑區段的相對側。
  6. 如申請專利範圍第1或2項所述之成像光學系統，其中：在該物場與該影像場間之該成像光的光束路徑中的倒數第三個鏡及該光束路徑中的倒數第二個鏡之間，具有一成像光束路徑區段； 其中在該成像光束路徑區段前之該成像光束路徑的至少一部分以及在該影像場之區域中的一成像光束，係導引到該成像光束路徑區段的相同側。
  7. 如申請專利範圍第1或2項所述之成像光學系統，其中：在該物場與該影像場間之該成像光的光束路徑中的倒數第三個鏡及該光束路徑中的倒數第六個鏡，係背對背配置。
  8. 如申請專利範圍第1或2項所述之成像光學系統，其中：至少一中間影像呈現在該物場與該影像場間之該成像光的光束路徑中。
  9. 如申請專利範圍第1或2項所述之成像光學系統，其中：在成像光束路徑區段之間至少有一交會區。
  10. 如申請專利範圍第1或2項所述之成像光學系統，其中：一數值孔徑至少為0.3。
  11. 如申請專利範圍第1或2項所述之成像光學系統，其中：該影像場組態成一矩形場。
  12. 如申請專利範圍第1或2項所述之成像光學系統，其中：該成像光學系統組態成用於微影之一投影光學系統。
  13. 一種用於微影之投影曝光裝置，具有：如申請專利範圍第12項所述之投影光學系統；用於照射及成像光之一光源； 一照射光學系統，用於將該照射光導引到該成像光學系統之該物場。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之投影曝光裝置，其中：該光源用於產生波長在5nm至30nm之間的照射光。
  15. 一種產生一結構化組件之方法，包含下步驟：提供一光罩及一晶圓；利用如申請專利範圍第13項所述之投影曝光裝置，將該光罩上之一結構投射到該晶圓之一感光層；產生一微結構或奈米結構於該晶圓上。
  16. 一種結構化組件，係利用如申請專利範圍第15項所述之方法所產生。
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Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005042005A1 (de) 2004-12-23 2006-07-06 Carl Zeiss Smt Ag Hochaperturiges Objektiv mit obskurierter Pupille
DE102009008644A1 (de) 2009-02-12 2010-11-18 Carl Zeiss Smt Ag Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithografie mit einer derartigen abbildenden Optik
KR101383479B1 (ko) 2010-04-22 2014-04-08 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 이미징 옵틱스 및 이러한 이미징 옵틱스를 가지는 마이크로리소그래피를 위한 투영 노광 장치
EP2598931B1 (en) 2010-07-30 2020-12-02 Carl Zeiss SMT GmbH Imaging optical system and projection exposure installation for microlithography with an imaging optical system of this type
DE102010039745A1 (de) * 2010-08-25 2012-03-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik
DE102010040811A1 (de) 2010-09-15 2012-03-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik
DE102010041746A1 (de) * 2010-09-30 2012-04-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage der EUV-Mikrolithographie und Verfahren zur mikrolithographischen Belichtung
DE102011083888A1 (de) * 2011-09-30 2013-04-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende katoptrische EUV-Projektionsoptik
DE102011088980A1 (de) 2011-12-19 2012-10-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Projektlithografie mit einer derartigen abbildenden Optik
JP5967946B2 (ja) * 2012-01-23 2016-08-10 株式会社アドテックエンジニアリング 露光描画装置、露光描画システム、プログラム及び露光描画方法
CN102540435A (zh) * 2012-02-07 2012-07-04 中国科学院光电技术研究所 一种反射型投影光学系统
DE102012202675A1 (de) 2012-02-22 2013-01-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithografie mit einer derartigen abbildenden Optik
DE102012208793A1 (de) 2012-05-25 2013-11-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithographie mit einer derartigen abbildenden Optik
DE102012217800A1 (de) * 2012-09-28 2014-04-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Diffraktives optisches Element sowie Messverfahren
DE102012218558A1 (de) 2012-10-11 2013-08-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithographie mit einer derartigen abbildenden Optik
US9291751B2 (en) 2013-06-17 2016-03-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Imaging optical unit and projection exposure apparatus for projection lithography comprising such an imaging optical unit
US9606605B2 (en) 2014-03-07 2017-03-28 Apple Inc. Dynamic voltage margin recovery
CN107111242B (zh) * 2014-11-18 2020-04-24 卡尔蔡司Smt有限责任公司 Euv投射光刻的照明光学单元
DE102014223811B4 (de) 2014-11-21 2016-09-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik für die EUV-Projektionslithographie, Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zur Herstellung eines strukturierten Bauteils
DE102015221983A1 (de) * 2015-11-09 2017-05-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik
DE102017215664A1 (de) 2017-09-06 2019-03-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System für eine Projektionsbelichtungsanlage
DE102017216893A1 (de) * 2017-09-25 2019-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld
DE102018203283A1 (de) 2018-03-06 2018-05-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optischen Systems einer Projektionsbestimmungsanlage für die Projektionslithographie
DE102019203423A1 (de) 2019-03-13 2020-01-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik
CN112286010B (zh) * 2020-10-23 2021-07-27 北京理工大学 超高数值孔径组合变倍率极紫外光刻物镜及优化方法

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3316036A1 (de) * 1983-05-03 1984-11-22 Th Steffens Fa Mikroskop
US4653880A (en) 1985-03-01 1987-03-31 Spectra-Tech Inc. Reflective beam splitting objective
US5003567A (en) * 1989-02-09 1991-03-26 Hawryluk Andrew M Soft x-ray reduction camera for submicron lithography
US5144496A (en) * 1989-07-19 1992-09-01 Olympus Optical Co., Ltd. Reflecting objective system including a negative optical power second mirror with increasing negative optical power off-axis
JPH0562877A (ja) * 1991-09-02 1993-03-12 Yasuko Shinohara 光によるｌｓｉ製造縮小投影露光装置の光学系
US5815310A (en) * 1995-12-12 1998-09-29 Svg Lithography Systems, Inc. High numerical aperture ring field optical reduction system
US5956192A (en) * 1997-09-18 1999-09-21 Svg Lithography Systems, Inc. Four mirror EUV projection optics
JP4238390B2 (ja) * 1998-02-27 2009-03-18 株式会社ニコン 照明装置、該照明装置を備えた露光装置および該露光装置を用いて半導体デバイスを製造する方法
AU2549899A (en) * 1998-03-02 1999-09-20 Nikon Corporation Method and apparatus for exposure, method of manufacture of exposure tool, device, and method of manufacture of device
US6072852A (en) 1998-06-09 2000-06-06 The Regents Of The University Of California High numerical aperture projection system for extreme ultraviolet projection lithography
US6985210B2 (en) * 1999-02-15 2006-01-10 Carl Zeiss Smt Ag Projection system for EUV lithography
US6033079A (en) * 1999-03-15 2000-03-07 Hudyma; Russell High numerical aperture ring field projection system for extreme ultraviolet lithography
EP1093021A3 (en) 1999-10-15 2004-06-30 Nikon Corporation Projection optical system as well as equipment and methods making use of said system
JP2001185480A (ja) * 1999-10-15 2001-07-06 Nikon Corp 投影光学系及び該光学系を備える投影露光装置
JP2001343589A (ja) * 2000-03-31 2001-12-14 Canon Inc 投影光学系、および該投影光学系による投影露光装置、デバイス製造方法
JP2004512552A (ja) 2000-10-20 2004-04-22 カール　ツァイス　シュティフトゥング　トレイディング　アズ　カール　ツァイス ８反射鏡型マイクロリソグラフィ用投影光学系
DE10052289A1 (de) * 2000-10-20 2002-04-25 Zeiss Carl 8-Spiegel-Mikrolithographie-Projektionsobjektiv
DE10139177A1 (de) * 2001-08-16 2003-02-27 Zeiss Carl Objektiv mit Pupillenobskuration
JP2003233001A (ja) * 2002-02-07 2003-08-22 Canon Inc 反射型投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法
US6975385B2 (en) 2002-11-08 2005-12-13 Canon Kabushiki Kaisha Projection optical system and exposure apparatus
JP2004252363A (ja) * 2003-02-21 2004-09-09 Canon Inc 反射型投影光学系
JP2004252359A (ja) * 2003-02-21 2004-09-09 Canon Inc 反射型投影光学系及び当該反射型投影光学系を有する露光装置
US7154586B2 (en) * 2003-02-21 2006-12-26 Canon Kabushiki Kaisha Catoptric projection optical system and exposure apparatus having the same
US20070058146A1 (en) * 2004-02-04 2007-03-15 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, position control method, and method for producing device
CN100582861C (zh) * 2004-12-23 2010-01-20 卡尔蔡司Smt股份公司 具有暗化光瞳的大孔径物镜
DE102005042005A1 (de) 2004-12-23 2006-07-06 Carl Zeiss Smt Ag Hochaperturiges Objektiv mit obskurierter Pupille
DE102006043251A1 (de) * 2005-09-13 2007-03-15 Carl Zeiss Smt Ag Mikrolithographie-Projektionsobjektiv, Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Objektiv, Herstellungsverfahren mikrostrukturierter Bauteile mit einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage sowie mit diesem Verfahren hergestelltes Bauteil
KR101127346B1 (ko) 2005-09-13 2012-03-29 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그라피 투영 광학 시스템, 디바이스 제작 방법 및 광학 표면을 설계하기 위한 방법
US20080118849A1 (en) * 2006-11-21 2008-05-22 Manish Chandhok Reflective optical system for a photolithography scanner field projector
EP1930771A1 (en) 2006-12-04 2008-06-11 Carl Zeiss SMT AG Projection objectives having mirror elements with reflective coatings
EP1950594A1 (de) * 2007-01-17 2008-07-30 Carl Zeiss SMT AG Abbildende Optik, Projektionsbelichtunsanlage für die Mikrolithographie mit einer derartigen abbildenden Optik, Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils mit einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage, durch das Herstellungsverfahren gefertigtes mikrostrukturiertes Bauelement sowie Verwendung einer derartigen abbildenden Optik
US7929114B2 (en) * 2007-01-17 2011-04-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection optics for microlithography
SG10201602750RA (en) 2007-10-16 2016-05-30 Nikon Corp Illumination Optical System, Exposure Apparatus, And Device Manufacturing Method
DE102009008644A1 (de) 2009-02-12 2010-11-18 Carl Zeiss Smt Ag Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithografie mit einer derartigen abbildenden Optik
DE102010062597A1 (de) * 2010-12-08 2012-06-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Reflektives optisches Abbildungssystem
CN104653880B (zh) * 2015-03-13 2017-02-01 国家电网公司 一种堵泥成型设备及成型封堵方法

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