DE102018203283A1

DE102018203283A1 - Verfahren zur Herstellung eines optischen Systems einer Projektionsbestimmungsanlage für die Projektionslithographie

Info

Publication number: DE102018203283A1
Application number: DE102018203283.1A
Authority: DE
Inventors: Stefan Hembacher; Olaf Conradi; Marwene Nefzi; Daniel Golde; Bernhard Kneer
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2018-03-06
Filing date: 2018-03-06
Publication date: 2018-05-17
Also published as: DE102019201062A1

Abstract

Zur Herstellung eines optischen Systems einer Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithographie wird eine Soll-Oberflächenform einer Reflexionsfläche (20) eines Spiegels (M6) als optischer Komponente für das optische System bestimmt. Der Spiegel (M6) wird am Herstellort unter Berücksichtigung der bestimmten Soll-Oberflächenform gefertigt. Eine Passe (P) des Spiegels (M6) wird durch Vergleich einer Oberflächenform der Reflexionsfläche (20) des Spiegels (M6) am Einsatzort für das optische System mit der bestimmten Soll-Oberflächenform bestimmt. Eine optische Korrekturfläche wird unter Berücksichtigung der bestimmten Passe (P) gefertigt. Das optische System wird dann mit dem gefertigten Spiegel (M6) und der gefertigten Korrekturfläche fertiggestellt. Es resultiert ein optisches System mit möglichst geringen Abbildungsfehlern am Einsatzort.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optischen Systems einer Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithographie. Ferner betrifft die Erfindung ein derart hergestelltes optisches System, eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen optischen System, ein Verfahren zur Herstellung eines mikro- beziehungsweise nanostrukturierten Bauteils mit einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage sowie ein mit diesem Verfahren hergestelltes mikro- beziehungsweise nanostrukturiertes Bauteil.
Ein derartiges optisches Element ist bekannt aus der DE 10 2013 214 989 A1 . Abbildende Optiken der eingangs genannten Art sind bekannt aus der DE 10 2012 202 675 A1 , der WO 2016/188934 A1 und der WO 2016/166080 A1 .
Es ist eine Aufgabe der Erfindung, ein optisches System mit möglichst geringen Abbildungsfehlern an einem Einsatzort des Spiegels bereitzustellen.
Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch ein Herstellungsverfahren mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen.
Erfindungsgemäß wurde erkannt, dass in Kenntnis einer insbesondere aufgrund eines Gravitationsunterschiedes zwischen dem Herstellort und dem Einsatzort auftretenden Passe eines zu fertigenden Spiegels eine optische Korrekturfläche angefertigt werden kann. Diese Korrekturfläche kann dazu genutzt werden, um Abbildungsfehler des optischen Systems zu korrigieren, die aufgrund der Passe des zu fertigenden Spiegels entstehen würden.
Alternativ oder zusätzlich kann eine maximale Passe, also eine maximale Abweichung einer Oberflächenform einer Spiegel-Reflexionsfläche von einem Sollwert, bei ansonsten identischen Herstellungsbedingungen verringert werden, wenn bei der Herstellung des Spiegels eine Abweichung einer Gravitationskonstante am Herstellort von einer Gravitationskonstante am Einsatzort des Spiegels berücksichtigt wird.
Insbesondere ein Defokus-Fehler des Spiegels kann durch das Herstellungsverfahren deutlich verringert werden.
Ein Tausch der gemäß dem Herstellungsverfahren gefertigten Korrekturfläche mit einer Roh-Korrekturfläche nach Anspruch 2 kann den Einsatz einer zusätzlichen optischen Fläche im optischen System vermeiden. Bei der Roh-Korrekturfläche kann es sich um eine ohnehin im optischen System vorhandene optische Fläche einer anderen optischen Komponente des optischen Systems, beispielsweise um eine Reflexionsfläche eines weiteren Spiegels, handeln. Alternativ ist es möglich, eine zusätzliche optische Korrekturfläche, zum Beispiel einen zusätzlichen Spiegel, vorzusehen.
Eine Passebestimmung nach Anspruch 3 ist präzise und kann neben gravitationsbedingten Passe-Effekten auch andere Effekte berücksichtigen, die zwischen der Herstellung des Spiegels am Herstellort und dem Verbringen des Spiegels an den Einsatzort auf den Spiegel wirken. Alternativ zu einer Vermessung der Passe am Einsatzort kann eine Oberflächenform der Reflexionsfläche des gefertigten Spiegels am Einsatzort auch in Kenntnis des Gravitationsunterschiedes zwischen dem Herstellort und dem Einsatzort berechnet werden. Es ist in diesem Fall nicht notwendig, den Spiegel zum Bestimmen der Passe an den Einsatzort zu verbringen.
Vorteile eines optischen Systems nach Anspruch 4, einer Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 5, eines Herstellungsverfahrens für mikrobeziehungsweise nanostrukturierte Bauteile nach Anspruch 6 und eines mikro- beziehungsweise nanostrukturieren Bauteils nach Anspruch 7 entsprechen denjenigen, die vorstehend unter Bezugnahme auf das erfindungsgemäße optische Element bereits erläutert wurden. Hergestellt kann mit der Projektionsbelichtungsanlage insbesondere ein Halbleiter-Bauteil, beispielsweise ein Speicherchip, werden.
Bei der Lichtquelle kann es sich um eine EUV-Lichtquelle handeln. Auch eine DUV-Lichtquelle, also beispielsweise eine Lichtquelle mit einer Wellenlänge von 193 nm, kann alternativ zum Einsatz kommen.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. In dieser zeigen:

1 schematisch eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Mikrolithographie;
2 in einem Meridionalschnitt eine Ausführung einer abbildenden Optik, die als Projektionsobjektiv in der Projektionsbelichtungsanlage nach 1 einsetzbar ist, wobei ein Abbildungsstrahlengang für Hauptstrahlen und für einen oberen und einen unteren Komastrahl dreier ausgewählter Feldpunkte dargestellt ist;
3 perspektivisch ein Spiegel der abbildenden Optik nach 2;
4 eine Abweichung einer Ist-Oberflächenform einer Reflexionsfläche eines Spiegelsubstrats des Spiegels nach 3 von einer Soll-Oberflächenform;
5 den Spiegel nach 3 nach dessen Fertigung am Herstellort und Verbringung an einen Einsatzort mit einer Gravitationskonstanten, die von derjenigen des Herstellorts abweicht.

Eine Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikrolithographie hat eine Lichtquelle 2 für Beleuchtungslicht beziehungsweise Abbildungslicht 3. Bei der Lichtquelle 2 handelt es sich um eine EUV-Lichtquelle, die Licht in einem Wellenlängenbereich beispielsweise zwischen 5 nm und 30 nm, insbesondere zwischen 5 nm und 15 nm, erzeugt. Bei der Lichtquelle 2 kann es sich um eine plasmabasierte Lichtquelle (lasererzeugtes Plasma (laser-produced plasma, LPP), gasentladungserzeugtes Plasma (gasdischarge produced plasma, GDP)) oder auch um eine synchrotronbasierte Lichtquelle, zum Beispiel einen Freie-Elektronen-Laser (FEL) handeln. Bei der Lichtquelle 2 kann es sich insbesondere um eine Lichtquelle mit einer Wellenlänge von 13,5 nm oder um eine Lichtquelle mit einer Wellenlänge von 6,9 nm handeln. Auch andere EUV-Wellenlängen sind möglich. Generell sind sogar beliebige Wellenlängen, zum Beispiel sichtbare Wellenlängen oder auch andere Wellenlängen, die in der Mikrolithographie Verwendung finden können (zum Beispiel DUV, tiefes Ultraviolett) und für die geeigneten Laserlichtquellen und/oder LED-Lichtquellen zur Verfügung stehen (beispielsweise 365 nm, 248 nm, 193 nm, 157 nm, 129 nm, 109 nm), für das in der Projektionsbelichtungsanlage 1 geführte Beleuchtungslicht bzw. Abbildungslicht 3 möglich. Ein Strahlengang des Beleuchtungslichts 3 ist in der 1 äußerst schematisch dargestellt.
Zur Führung des Beleuchtungslichts 3 von der Lichtquelle 2 hin zu einem Objektfeld 4 in einer Objektebene 5 dient eine Beleuchtungsoptik 6. Mit einer Projektionsoptik beziehungsweise abbildenden Optik 7 wird das Objektfeld 4 in ein Bildfeld 8 in einer Bildebene 9 mit einem vorgegebenen Verkleinerungsmaßstab abgebildet. Die Projektionsoptik 7 kann beispielsweise um einen Faktor 4 verkleinern. Auch andere Verkleinerungsmaßstäbe sind möglich, zum Beispiel 5x, 8x oder auch Verkleinerungsmaßstäbe, die größer sind als 8x.
Zur Erleichterung der Beschreibung der Projektionsbelichtungsanlage 1 sowie der verschiedenen Ausführungen der Projektionsoptik 7 ist in der Zeichnung ein kartesisches xyz-Koordinatensystem angegeben, aus dem sich die jeweilige Lagebeziehung der in den Figuren dargestellten Komponenten ergibt. In der 1 verläuft die x-Richtung senkrecht zur Zeichenebene in diese hinein. Die y-Richtung verläuft nach links und die z-Richtung nach oben.
Das Objektfeld 4 und das Bildfeld 8 sind bei der Projektionsoptik 7 gebogen beziehungsweise gekrümmt und insbesondere teilringförmig ausgeführt. Ein Krümmungsradius dieser Feldkrümmung kann bildseitig 81 mm betragen. Ein entsprechender Ringfeldradius des Bildfeldes ist definiert in der WO 2009/053023 A2 . Eine Grundform einer Randkontur des Objektfeldes 4 beziehungsweise des Bildfeldes 8 ist entsprechend gebogen. Alternativ ist es möglich, das Objektfeld 4 und das Bildfeld 8 rechteckförmig auszuführen. Das Objektfeld 4 und das Bildfeld 8 haben ein xy-Aspektverhältnis größer als 1. Das Objektfeld 4 hat also eine längere Objektfelddimension in der x-Richtung und eine kürzere Objektfelddimension in der y-Richtung. Diese Objektfelddimensionen verlaufen längs der Feldkoordinaten x und y.
Das Objektfeld 4 ist dementsprechend aufgespannt von der ersten kartesischen Objektfeldkoordinate x und der zweiten kartesischen Objektfeldkoordinate y. Die dritte kartesische Koordinate z, die senkrecht auf diesen beiden Objektfeldkoordinaten x und y steht, wird nachfolgend auch als Normalkoordinate bezeichnet.
Die Projektionsoptik 7 hat eine x-Abmessung des Bildfeldes von 26 mm und eine y-Abmessung des Bildfeldes 8 von 1,2 mm.
Für die Projektionsoptik 7 kann das in der 2 dargestellte Ausführungsbeispiel eingesetzt werden. Das optische Design der Projektionsoptik 7 nach 2 ist bekannt aus der DE 10 2012 202 675 A1 , auf deren Inhalt vollumfänglich Bezug genommen wird.
Die Bildebene 9 ist bei der Projektionsoptik 7 in der Ausführung nach 2 parallel zur Objektebene 5 angeordnet. Abgebildet wird hierbei ein mit dem Objektfeld 4 zusammenfallender Ausschnitt einer Reflexionsmaske 10, die auch als Retikel bezeichnet wird. Das Retikel 10 wird von einem Retikelhalter 10a getragen. Der Retikelhalter 10a wird von einem Retikelverlagerungsantrieb 10b verlagert.
Die Abbildung durch die Projektionsoptik 7 erfolgt auf die Oberfläche eines Substrats 11 in Form eines Wafers, der von einem Substrathalter 12 getragen wird. Der Substrathalter 12 wird von einem Wafer- beziehungsweise Substratverlagerungsantrieb 12a verlagert.
In der 1 ist schematisch zwischen dem Retikel 10 und der Projektionsoptik 7 ein in diese einlaufendes Strahlenbündel 13 des Beleuchtungslichts 3 und zwischen der Projektionsoptik 7 und dem Substrat 11 ein aus der Projektionsoptik 7 auslaufendes Strahlenbündel 14 des Beleuchtungslichts 3 dargestellt. Eine bildfeldseitige numerische Apertur (NA) der Projektionsoptik 7 ist in der 1 nicht maßstäblich wiedergegeben.
Die Projektionsbelichtungsanlage 1 ist vom Scannertyp. Sowohl das Retikel 10 als auch das Substrat 11 werden beim Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage 1 in der y-Richtung gescannt. Auch ein Steppertyp der Projektionsbelichtungsanlage 1, bei dem zwischen einzelnen Belichtungen des Substrats 11 eine schrittweise Verlagerung des Retikels 10 und des Substrats 11 in der y-Richtung erfolgt, ist möglich. Diese Verlagerungen erfolgen synchronisiert zueinander durch entsprechende Ansteuerung der Verlagerungsantriebe 10b und 12a.
2 zeigt das optische Design der Projektionsoptik 7. Dargestellt ist in der 2 der Strahlengang jeweils dreier Einzelstrahlen 15, die von drei in der 2 zueinander in der y-Richtung beabstandeten Objektfeldpunkten ausgehen. Die Zeichenebene der 2 stellt einen Meridionalschnitt dar. In der Zeichenebene nach 2 liegt also der Verlauf des Hauptstrahls 16 des zentralen Objektfeldpunktes. Eine Hauptstrahlebene liegt also parallel zur yz-Ebene. Beim zentralen Hauptstrahl handelt es sich um den Hauptstrahl 16 eines zentralen Punkts des Objektfelds 4. Dieser zentrale Punkt ist definiert als der Punkt, der in der Mitte zwischen den beiden randseitigen Objektfeldpunkten im Meridionalschnitt liegt.
Die drei Einzelstrahlen 15, die zu einem der drei Objektfeldpunkte gehören, sind jeweils drei unterschiedlichen Beleuchtungsrichtungen für die drei Objektfeldpunkte zugeordnet. Eine Pupillenebene 17 der Projektionsoptik 7 nach 2 liegt im Abbildungsstrahlengang zwischen den Spiegeln M1 und M2. Eine weitere Pupillenebene der Projektionsoptik 7 nach 2 liegt im Abbildungsstrahlengang zwischen den Spiegeln M5 und M6. Die Hauptstrahlen 16, die durch das Zentrum einer Pupille in der Pupillenebene 17 der Projektionsoptik 7 verlaufen, sind in der 2 nur aus darstellerischen Gründen eingezeichnet, da es sich aufgrund einer zentralen Pupillenobskuration der Projektionsoptik 7, die also ein pupillenobskuriertes System darstellt, nicht um reale, sondern um virtuelle bzw. obskurierte Abbildungsstrahlengänge der Projektionsoptik 7 handelt. Die Hauptstrahlen 16 verlaufen, ausgehend von der Objektebene 5, zunächst divergent. Dies wird nachfolgend auch als negative Schnittweite einer Eintrittspupille der Projektionsoptik 7 bezeichnet. Eine Eintrittspupille der Projektionsoptik 7 nach 2 liegt nicht innerhalb der Projektionsoptik 7, sondern im Strahlengang vor der Objektebene 5. Dies ermöglicht es beispielsweise, im Strahlengang vor der Projektionsoptik 7 eine Pupillenkomponente der Beleuchtungsoptik 6 in der Eintrittspupille der Projektionsoptik 7 anzuordnen, ohne dass zwischen dieser Pupillenkomponente und der Objektebene 5 weitere abbildende optische Komponenten vorhanden sein müssen.
Die Projektionsoptik 7 nach 2 hat insgesamt sechs Spiegel, die von den Einzelstrahlen 15 mit Einfallswinkeln kleiner als 45° beaufschlagt werden und auch als NI-Spiegel bezeichnet werden. Diese NI-Spiegel sind in der Reihenfolge des Strahlengangs der Einzelstrahlen 15, ausgehend vom Objektfeld 4, mit M1 bis M6 durchnummeriert.
Zwischen den Spiegel M4 und M5 ist ein Spiegel GI für streifenden Einfall (grazing incidence) des Abbildungslichts 3 angeordnet. Der Spiegel GI für streifenden Einfall ist also im Abbildungs-Strahlengang der Projektionsoptik 7 zwischen zwei weiteren das Abbildungslicht 3 führenden optischen Komponenten, nämlich zwischen den Spiegeln M4 und M5 angeordnet. Dieser Spiegel GI wird mit einem Einfallswinkel von den Einzelstrahlen 15 des Abbildungslichts 3 beaufschlagt, der größer ist als 70°. Bei der dargestellten Ausführung wird der Spiegel GI mit einem minimalen Einfallswinkel von 77° beaufschlagt. Je nach Ausführung der Projektionsoptik 7 kann der Spiegel GI die Einzelstrahlen 15 mit Einfallswinkeln reflektieren, die größer sind als 70°, die größer sind als 75° oder die größer sind als 80°.
Der Spiegel GI ist in erster Näherung ein Faltspiegel für den Abbildungsstrahlengang der Projektionsoptik 7. Ohne diesen Spiegel GI, also ohne die mit dem Spiegel GI verbundene Faltung, entspricht die Projektionsoptik 7 der Projektionsoptik, die in der 3 WO 2010/091800 A1 beschrieben ist.
Dargestellt sind in der 2 die berechneten Reflexionsflächen der Spiegel M1 bis M6 und GI. Genutzt wird, wie in der Darstellung nach 2 ersichtlich ist, nur ein Teilbereich dieser berechneten Reflexionsflächen. Lediglich dieser tatsächlich genutzte Bereich der Reflexionsflächen ist bei den realen Spiegeln M1 bis M6 und GI tatsächlich vorhanden. Diese Nutz-Reflexionsflächen werden in bekannter Weise von Spiegelkörpern getragen.
Wie bereits erwähnt, ist die Projektionsoptik 7 ein pupillenobskuriertes System. Der letzte Spiegel M6 im Strahlengang des Abbildungslichts 3 vor dem Bildfeld 8 hat eine Durchgangsöffnung 17a für das Abbildungslicht 3.
Im Bereich dieser Durchgangsöffnung 17a liegt eine Zwischenbildebene der Projektionsoptik 7.
Der Spiegel GI für streifenden Einfall ist nahe der Durchgangsöffnungs-Zwischenbildebene, also feldnah, im Abbildungsstrahlengang der Projektionsoptik 7 angeordnet. Ein tangentiales bzw. meridionales Zwischenbild liegt im Abbildungsstrahlengang der Projektionsoptik 7 im Bereich der Reflexion des Abbildungslichts 3 auf dem Spiegel GI. Ein sagittales Zwischenbild liegt im Abbildungsstrahlengang der Projektionsoptik 7 zwischen dem Spiegel M4 und dem Spiegel GI.
Der Spiegel GI erfüllt dabei die Parameterbedingung: $P (GI) < 0,4.$
Es gilt für den Pupillenparameter P: $P = D (SA) / (D (SA) + D (CR)) .$
D (SA) ist dabei der maximale Durchmesser einer Subapertur eines Abbildungs-Strahlenbündels, das von einem Objektfeldpunkt ausgeht, auf einer reflektierenden Oberfläche des jeweiligen Spiegels M. D (CR) ist ein maximaler Abstand von Hauptstrahlen, die vom Objektfeld 4 ausgehen, wobei der Abstand D (CR) in einer Referenzebene der Projektionsoptik 7 auf der reflektierenden Oberfläche des Spiegels M gemessen wird. Dieser maximale Abstand muss nicht in der Zeichenebene der 2 liegen, sondern kann insbesondere auch in der x-Richtung senkrecht zur Zeichenebene im Objektfeld 4 vorliegen. In den Feldebenen der Projektionsoptik 7 gilt D (SA) = 0 und damit P = 0. In den Pupillenebenen der Projektionsoptik 7 gilt D (CR) = 0 und damit P = 1.
Die Spiegel M2, M5 und M6 sind pupillennah, also in der Nähe von Pupillenebenen im Abbildungsstrahlengang der Projektionsoptik 7 angeordnet. Die Spiegel M2, M5 und M6 erfüllen dabei die Parameterbedingung: $P (M2, M5, M6) > 0,6.$
Zumindest einer der Spiegel M2, M5 oder M6 ist als Kompensationselement ausgeführt, das einen pupillenabhängigen Durchsatzverlauf für das Abbildungslicht 3 aufweist.
Alle sechs NI-Spiegel M1 bis M6 und der Spiegel GI für streifenden Einfall der Projektionsoptik 7 sind als nicht durch eine rotationssymmetrische Funktion beschreibbare Freiformflächen ausgeführt. Es sind auch andere Ausführungen der Projektionsoptik 7 möglich, bei denen mindestens einer oder auch keiner der Spiegel M1 bis M6, GI eine derartige Freiform-Reflexionsfläche aufweist.
Eine derartige Freiformfläche kann aus einer rotationssymmetrischen Referenzfläche erzeugt werden. Derartige Freiformflächen für Reflexionsflächen der Spiegel von Projektionsoptiken von Projektionsbelichtungsanlagen für die Mikrolithographie sind bekannt aus der US 2007-0058269 A1 .
Die Freiformflächen der Spiegel M1 bis M6, GI berechnen sich anhand folgender Gleichung: $z = \frac{x^{2} / R D X + y^{2} / R D Y}{1 + \sqrt{1 - (1 + C C X) {(x / R D X)}^{2} - (1 + C C Y) {(y / R D X)}^{2}}} + F F F$
$\begin{matrix} FFF = & c1*x + c2*y \\ + c3*x**2 + c4*x*y + c5*y**2 \\ + c6*x**3 + \dots + c9*y**3 \\ + c10*x**4 + .. + c 12 *x** 2 *y** 2 + .. + c14*y**4 \\ + c15*x**5 + \dots + c20*y**5 \\ + c21*x**6 + .. + c24*x**3*y**3 + .. + c27*y**6 \dots \end{matrix}$
x und y bezeichnen dabei die Koordinaten auf der Fläche, ausgehend von einer Referenzachse. z bezeichnet eine Pfeilhöhe der jeweiligen Freiformfläche. RDX und RDY sowie CCX und CCY sind die Radien und konischen Konstanten der Grundasphäre. FFF beschreibt den auf die Grundasphäre gelegten Freiformanteil.
Die Flächen weisen Dezentrierungen auf, die folgenden Regeln genügen:

DEC : Achs-Dezentrierung
DAR : Einzel-Dezentrierung einer Fläche.
GLO : globaler Bezug auf die Bildebene

Die Translationen werden über die Parameter XDE, YDE, ZDE und die Drehwinkel über die Parameter ADE, BDE, CDE eingegeben. Die Bedeutung dieser Parameter entspricht derjenigen, die aus dem optischen Designprogramm CODE V® bekannt ist. Diese Bedeutung wird nachfolgend nochmals kurz erläutert. In Bezug auf die Dezentrierungen ist zu beachten, dass im Unterschied zu den aus CODE V® bekannten Beschreibungen noch eine zusätzliche Drehung um 180° um die y-Achse vorgenommen wird. Dies führt zu positiven Abstandswerten zwischen den Spiegeln bzw. zwischen den Referenzflächen.
Für die Typen DEC und GLO sind zusätzlich noch Translationen XDH, YDH, ZDH und Drehwinkel ADH, BDH, CDH hinter der Fläche spezifiziert.

ADE Drehung der Fläche mit Winkel alpha in Grad um die x-Achse.
BDE Drehung der Fläche mit Winkel beta in Grad um die y'-Achse.
CDE Drehung der Fläche mit Winkel gamma in Grad um die z"-Achse.
XDE Translation der Fläche in der x-Achse in mm.
YDE Translation der Fläche in der y-Achse in mm.
ZDE Translation der Fläche in der z-Achse in mm.
ADH Drehung des Koordinatensystems nach der Fläche mit Winkel alpha in Grad um die x"-Achse
BDH Drehung des Koordinatensystems nach der Fläche mit Winkel beta in Grad um die y'-Achse.
CDH Drehung des Koordinatensystems nach der Fläche mit Winkel gamma in Grad um die z-Achse
XDH Translation des Koordinatensystems nach der Fläche in der x-Achse in mm
YDH Translation des Koordinatensystems nach der Fläche in der y-Achse in mm.
ZDH Translation des Koordinatensystems nach der Fläche in der z-Achse in mm.

Die Achsen der Koordinatensysteme x', y', z' und x", y", z" sind die jeweils aus den vorhergehenden Dreh- und Verschiebeoperationen hervorgegangenen Achsen.
Die optischen Designdaten der Reflexionsflächen der Spiegel M1 bis M6 und GI der Projektionsoptik 7 können den nachfolgenden Tabellen entnommen werden. Diese optischen Designdaten gehen jeweils von der Bildebene 9 aus, beschreiben die Projektionsoptik 7 also in umgekehrter Laufrichtung des Abbildungslichts 3 zwischen der Bildebene 9 und der Objektebene 5.
Flächendaten:

Nr.	Radius	Dicke
Bildebene (BE)	0.000000000000	635.592185834912
M6	-697.324542049600	571.520181703339
M5	353.230203853982	571.520181703339
HF	0	217.718562271856
GI	-1334.429781753643	1111.664014624771
M4	-4625.506567737336	1012.187814371928
M3	-2078.164541511372	921.918909401685
M2	431.564016638290	1075.234696944930
M1	-1475.325607892267	1364.283032398024
Objektebene (OE)	0	0

HF bezeichnet hierbei eine Hilfs-Referenzfläche, die die Lage der Durchgangsöffnung 17a im Spiegel M6 repräsentiert.
Dezentrierungen:

DEZ M6	DAR
XDE M6	0.00000	YDE M6	-22.80126	ZDE M6	2.26178
ADE M6	7.16687	BDE M6	0.00000	CDE M6	0.00000

DEZ M5	DAR
XDE M5	0.00000	YDE M5	105.51244	ZDE M5	-8.61661
ADE M5	-11.32612	BDE M5	0.00000	CDE M5	0.00000

DEZ HF	DAR
XDE HF	0.00000	YDE HF	-10.16945	ZDE HF	0.00000
ADE HF	7.16687	BDE HF	0.00000	CDE HF	0.00000

DEZ GI	DEC
XDE GI	0.00000	YDE GI	-77.44727	ZDE GI	0.00000
ADE GI	93.19329	BDE GI	0.00000	CDE GI	0.00000
ADH GI	86.80670	BDH GI	0.00000	CDH GI	0.00000

DEZ M4	DEC
XDE M4	0.00000	YDE M4	-97.19109	ZDE M4	0.00000
ADE M4	-2.19306	BDE M4	0.00000	CDE M4	0.00000
ADH M4	-2.19306	BDH M4	0.00000	CDH M4	0.00000

DEZ M3	DEC
XDE M3	0.00000	YDE M3	-102.24326	ZDE M3	0.00000
ADE M3	-3.91365	BDE M3	0.00000	CDE M3	0.00000
ADH M3	-3.91365	BDH M3	0.00000	CDH M3	0.00000

DEZ M2	DEC
XDE M2	0.00000	YDE M2	-93.10606	ZDE M2	0.00000
ADE M2	-8.46145	BDE M2	0.00000	CDE M2	0.00000
ADH M2	-8.46145	BDH M2	0.00000	CDH M2	0.00000

DEZ M1	DEC
XDE M1	0.00000	YDE M1	-108.70428	ZDE M1	0.00000
ADE M1	-8.13349	BDE M1	0.00000	CDE M1	0.00000
ADH M1	-8.13349	BDH M1	0.00000	CDH M1	0.00000

DEZ OE	GLO	BE
XDEOE	0.00000	YDE OE	905.68748	ZDE OE	2199.93035

Asphärendaten:
Fläche: M6
Konstanten:

RDX = -917.332775	CCX = 0.179583210
RDY = -697.324542	CCY = 0.168431398

Entwicklungskonstanten:

c1 = 0.00000000E+00	c2 = 0.00000000E+00	c3 = -4.02473677E-05
c4 = 0.00000000E+00	c5 = -6.09879197E-06	c6 = 0.00000000E+00
c7 = 6.04072748E-09	c8 = 0.00000000E+00	c9 = -1.04586750E-08
c10 = -4.77578782E-11	c11 = 0.00000000E+00	c12 = -3.98011969E-11
c13 = 0.00000000E+00	c14 = 2.45428959E-11	c15 = 0.00000000E+00
c16 = 1.47721389E-15	c17 = 0.00000000E+00	c18 = 1.39564413E-14
c19 = 0.00000000E+00	c20 = -2.15641508E-14	c21 = -6.71591163E-17
c22 = 0.00000000E+00	c23 = -1.88232796E-16	c24 = 0.00000000E+00
c25 = -5.41994570E-17	c26 = 0.00000000E+00	c27 = 5.63677811E-17
c28 = 0.00000000E+00	c29 = 1.41168978E-20	c30 = 0.00000000E+00
c31 = 4.45415210E-21	c32 = 0.00000000E+00	c33 = 1.01046574E-20
c34 = 0.00000000E+00	c35 = -2.77920084E-20	c36 = -1.11232196E-22
c37 = 0.00000000E+00	c38 = -4.46332085E-22	c39 = 0.00000000E+00
c40 = -5.09205105E-22	c41 = 0.00000000E+00	c42 = -4.50757930E-23
c43 = 0.00000000E+00	c44 = 1.31010481E-22	c45 = 0.00000000E+00
c46 = 3.97840221E-26	c47 = 0.00000000E+00	c48 = 4.80957498E-26
c49 = 0.00000000E+00	c50 = -1.09593883E-26	c51 = 0.00000000E+00
c52 = -9.64563074E-26	c53 = 0.00000000E+00	c54 = -7.38111927E-26
c55 = -6.36923759E-29	c56 = 0.00000000E+00	c57 = -6.20104807E-28
c58 = 0.00000000E+00	c59 = -1.28891117E-27	c60 = 0.00000000E+00
c61 = -8.14395528E-28	c62 = 0.00000000E+00	c63 = 1.40754785E-28
c64 = 0.00000000E+00	c65 = 2.16012977E-28	c66 = 0.00000000E+00
c67 = -3.43709137E-32	c68 = 0.00000000E+00	c69 = 1.45762003E-31
c70 = 0.00000000E+00	c71 = 1.47006833E-31	c72 = 0.00000000E+00
c73 = -3.75554498E-31	c74 = 0.00000000E+00	c75 = -6.33156588E-31
c76 = 0.00000000E+00	c77 = -2.79666410E-31	c78 = -6.35008308E-34
c79 = 0.00000000E+00	c80 = -3.15709777E-33	c81 = 0.00000000E+00
c82 = -7.73163615E-33	c83 = 0.00000000E+00	c84 = -1.00398379E-32
c85 = 0.00000000E+00	c86 = -5.57346733E-33	c87 = 0.00000000E+00
c88 = 2.56628299E-34	c89 = 0.00000000E+00	c90 = 9.88843170E-34

Fläche: M5

RDX = 3915.137333	CCX = 0.000000000
RDY = 353.230204	CCY = 0.000000000

Entwicklungskonstanten:

c1 = 0.00000000E+00	c2 = 0.00000000E+00	c3 = 5.29920535E-05
c4 = 0.00000000E+00	c5 = -2.93078961E-04	c6 = 0.00000000E+00
c7 = -4.93884752E-08	c8 = 0.00000000E+00	c9 = 7.87285048E-07
c10 = 4.45614854E-10	c11 = 0.00000000E+00	c12 = 3.16806753E-09
c13 = 0.00000000E+00	c14 = 4.81357208E-09	c15 = 0.00000000E+00
c16 = 9.41429364E-13	c17 = 0.00000000E+00	c18 = 6.21216113E-13
c19 = 0.00000000E+00	c20 = 1.37582681E-11	c21 = 1.27107652E-15
c22 = 0.00000000E+00	c23 = 8.59481684E-15	c24 = 0.00000000E+00
c25 = 3.61553153E-14	c26 = 0.00000000E+00	c27 = 1.78109958E-15
c28 = 0.00000000E+00	c29 = 1.37830695E-18	c30 = 0.00000000E+00
c31 = 9.30564894E-18	c32 = 0.00000000E+00	c33 = -2.26973380E-16
c34 = 0.00000000E+00	c35 = -3.57185085E-16	c36 = 3.06857815E-21
c37 = 0.00000000E+00	c38 = 2.60556554E-20	c39 = 0.00000000E+00
c40 = 6.56101074E-21	c41 = 0.00000000E+00	c42 = 6.21555699E-19
c43 = 0.00000000E+00	c44 = 2.46292188E-18	c45 = 0.00000000E+0
c46 = 2.56489872E-23	c47 = 0.00000000E+00	c48 = -1.12842117E-22
c49 = 0.00000000E+00	c50 = 1.49690753E-22	c51 = 0.00000000E+00
c52 = 1.10932162E-20	c53 = 0.00000000E+00	c54 = 2.88400249E-20
c55 = 7.63178495E-26	c56 = 0.00000000E+00	c57 = 4.36427023E-25
c58 = 0.00000000E+00	c59 = 8.15412615E-25	c60 = 0.00000000E+00
c61 = 8.37878581E-24	c62 = 0.00000000E+00	c63 = 5.71155554E-23
c64 = 0.00000000E+00	c65 = 8.50307305E-23

Fläche: GI
Konstanten:

RDX = -644.171559	CCX = 0.000000000
RDY = -1334.429782	CCY = 0.000000000

Entwicklungskonstanten:

c1 = 0.00000000E+00	c2 = 0.00000000E+00	c3 = 8.07672990E-04
c1 = 0.00000000E+00	c2 = 0.00000000E+00	c3 = 8.07672990E-04
c4 = 0.00000000E+00	c5 = 3.72700079E-04	c6 = 0.00000000E+00
c7 = -4.63644654E-08	c8 = 0.00000000E+00	c9 = 3.67344477E-09
c10 = 4.68885092E-10	c11 = 0.00000000E+00	c12 = 4.01268956E-10
c13 = 0.00000000E+00	c14 = 4.46985613E-11	c15 = 0.00000000E+00
c16 = -3.49421282E-14	c17 = 0.00000000E+00	c18 = -5.77192291E-14
c19 = 0.00000000E+00	c20 = 9.36083562E-15	c21 = -1.42382435E-16
c22 = 0.00000000E+00	c23 = 1.05187032E-15	c24 = 0.00000000E+00
c25 = 8.72635125E-17	c26 = 0.00000000E+00	c27 = 6.52399426E-17
c28 = 0.00000000E+00	c29 = 4.89972278E-18	c30 = 0.00000000E+00
c31 = -2.70005564E-18	c32 = 0.00000000E+00	c33 = 9.04462881E-19
c34 = 0.00000000E+00	c35 = -5.17662264E-19	c36 = 5.96341023E-20
c37 = 0.00000000E+00	c38 = -7.92638082E-21	c39 = 0.00000000E+00
c40 = 1.08196566E-20	c41 = 0.00000000E+00	c42 = -3.84269412E-21
c43 = 0.00000000E+00	c44 = 2.24997535E-21	c45 = 0.00000000E+00
c46 = -1.22265103E-22	c47 = 0.00000000E+00	c48 = 6.45794429E-23
c49 = 0.00000000E+00	c50 = -1.08005807E-23	c51 = 0.00000000E+00
c52 = 8.13883017E-24	c53 = 0.00000000E+00	c54 = -4.94043024E-24
c55 = -2.11326698E-24	c56 = 0.00000000E+00	c57 = -6.17811094E-26
c58 = 0.00000000E+00	c59 = -2.33699745E-25	c60 = 0.00000000E+00
c61 = 5.24220267E-28	c62 = 0.00000000E+00	c63 = -5.94133137E-27
c64 = 0.00000000E+00	c65 = 4.43307544E-27

Fläche: M4
Konstanten:

RDX = -4082.646385	CCX = 0.000000000
RDY = -4625.506568	CCY = 0.000000000

Entwicklungskonstanten:

c1 = 0.00000000E+00	c2 = 0.00000000E+00	c3 = 1.85251433E-05
c4 = 0.00000000E+00	c5 = 2.25195346E-05	c6 = 0.00000000E+00
c7 = 5.47050183E-08	c8 = 0.00000000E+00	c9 = 5.60435081E-08
c10 = 5.32099048E-11	c11 = 0.00000000E+00	c12 = 1.00618622E-10
c13 = 0.00000000E+00	c14 = 8.15546185E-11	c15 = 0.00000000E+00
c16 = 2.65401594E-14	c17 = 0.00000000E+00	c18 = -4.16264147E-15
c19 = 0.00000000E+00	c20 = 9.76262100E-14	c21 = 5.34858263E-17
c22 = 0.00000000E+00	c23 = 5.52714903E-17	c24 = 0.00000000E+00
c25 = -1.33753059E-16	c26 = 0.00000000E+00	c27 = 6.73451977E-16
c28 = 0.00000000E+00	c29 = 5.17817385E-20	c30 = 0.00000000E+00
c31 = -3.86385897E-20	c32 = 0.00000000E+00	c33 = -6.37810309E-19
c34 = 0.00000000E+00	c35 = 3.23251521E-18	c36 = -1.33220128E-21
c37 = 0.00000000E+00	c38 = -1.86463397E-21	c39 = 0.00000000E+00
c40 = -4.03043950E-22	c41 = 0.00000000E+00	c42 = -1.83446745E-21
c43 = 0.00000000E+00	c44 = 4.16198967E-21	c45 = 0.00000000E+00
c46 = -2.16664402E-23	c47 = 0.00000000E+00	c48 = -2.23909426E-23
c49 = 0.00000000E+00	c50 = -6.94055066E-24	c51 = 0.00000000E+00
c52 = -8.28261199E-24	c53 = 0.00000000E+00	c54 = -3.35070919E-24
c55 = -8.25226331E-27	c56 = 0.00000000E+00	c57 = -8.61854917E-26
c58 = 0.00000000E+00	c59 = 5.60291069E-26	c60 = 0.00000000E+00
c61 = -2.27579602E-26	c62 = 0.00000000E+00	c63 = -1.69481816E-26
c64 = 0.00000000E+00	c65 = -8.29941948E-27

Fläche: M3
Konstanten:

RDX = -1887.288302	CCX = 0.000000000
RDY = -2078.164542	CCY = 0.000000000

Entwicklungskonstanten:

c1 = 0.00000000E+00	c2 = 0.00000000E+00	c3 = -2.92033297E-05
c4 = 0.00000000E+00	c5 = -3.54484027E-05	c6 = 0.00000000E+00
c7 = -1.25542622E-08	c8 = 0.00000000E+00	c9 = -1.41035320E-08
c10 = -1.32924391E-11	c11 = 0.00000000E+00	c12 = -1.64612949E-11
c13 = 0.00000000E+00	c14 = -1.68068310E-11	c15 = 0.00000000E+00
c16 = 2.30073021E-15	c17 = 0.00000000E+00	c18 = 1.81436248E-14
c19 = 0.00000000E+00	c20 = -1.27693774E-15	c21 = -8.48090968E-18
c22 = 0.00000000E+00	c23 = -1.27548438E-17	c24 = 0.00000000E+00
c25 = 9.25543551E-19	c26 = 0.00000000E+00	c27 = -9.90176393E-17
c28 = 0.00000000E+00	c29 = 2.28137205E-20	c30 = 0.00000000E+00
c31 = 3.64318681E-20	c32 = 0.00000000E+00	c33 = 1.09005054E-19
c34 = 0.00000000E+00	c35 = -2.27111064E-19	c36 = 4.94712966E-24
c37 = 0.00000000E+00	c38 = 5.02807168E-23	c39 = 0.00000000E+00
c40 = -1.03115229E-23	c41 = 0.00000000E+00	c42 = 8.31801106E-23
c43 = 0.00000000E+00	c44 = 4.58532779E-22	c45 = 0.00000000E+00
c46 = 6.06916220E-26	c47 = 0.00000000E+00	c48 = 2.62857201E-25
c49 = 0.00000000E+00	c50 = 1.65899510E-25	c51 = 0.00000000E+00
c52 = -5.48370499E-25	c53 = 0.00000000E+00	c54 = 9.83834584E-25
c55 = 9.95978887E-29	c56 = 0.00000000E+00	c57 = -1.48457495E-28
c58 = 0.00000000E+00	c59 = 4.15183863E-28	c60 = 0.00000000E+00
c61 = 7.01954472E-28	c62 = 0.00000000E+00	c63 = -9.24941655E-28
c64 = 0.00000000E+00	c65 = 7.94667554E-29

Fläche: M2
Konstanten:

RDX = 1276.899447	CCX = 0.000000000
RDY = 431.564017	CCY = 0.000000000

Entwicklungskonstanten :

c1 = 0.00000000E+00	c2 = 0.00000000E+00	c3 = 1.11313380E-04
c4 = 0.00000000E+00	c5 = 2.14647773E-04	c6 = 0.00000000E+00
c7 = -3.03467553E-06	c8 = 0.00000000E+00	c9 = -1.70130264E-06
c10 = 3.26179145E-09	c11 = 0.00000000E+00	c12 = -9.02665432E-09
c13 = 0.00000000E+00	c14 = 5.71663297E-09	c15 = 0.00000000E+00
c16 = -3.47934319E-11	c17 = 0.00000000E+00	c18 = -8.34418700E-12
c19 = 0.00000000E+00	c20 = -5.59174256E-11	c21 = -1.75860911E-14
c22 = 0.00000000E+00	c23 = 2.82181782E-13	c24 = 0.00000000E+00
c25 = -2.44935539E-13	c26 = 0.00000000E+00	c27 = 5.73915888E-13
c28 = 0.00000000E+00	c29 = -2.58379099E-16	c30 = 0.00000000E+00
c31 = -7.23238163E-16	c32 = 0.00000000E+00	c33 = -4.43545777E-16
c34 = 0.00000000E+00	c35 = 3.81426897E-15	c36 = 1.28360226E-19
c37 = 0.00000000E+00	c38 = 8.75713044E-18	c39 = 0.00000000E+00
c40 = 1.83541997E-17	c41 = 0.00000000E+00	c42 = -2.72798014E-17
c43 = 0.00000000E+00	c44 = -5.92604691E-17	c45 = 0.00000000E+00
c46 = 3.71301848E-20	c47 = 0.00000000E+00	c48 = -5.19525052E-21
c49 = 0.00000000E+00	c50 = -8.78422864E-20	c51 = 0.00000000E+00
c52 = -3.35110906E-19	c53 = 0.00000000E+00	c54 = -1.95141962E-19
c55 = -3.00156653E-22	c56 = 0.00000000E+00	c57 = -5.57643556E-22
c58 = 0.00000000E+00	c59 = 4.42175766E-23	c60 = 0.00000000E+00
c61 = 9.58753094E-22	c62 = 0.00000000E+00	c63 = 1.21980710E-21
c64 = 0.00000000E+00	c65 = 1.86834029E-21

Fläche: M1
Konstanten:

RDX = -1579.063390	CCX = 0.000000000
RDY = -1475.325608	CCY = 0.000000000

Entwicklungskonstanten

c1 = 0.00000000E+00	c2 = 0.00000000E+00	c3 = 0.00000000E+00
c4 = 0.00000000E+00	c5 = 0.00000000E+00	c6 = 0.00000000E+00
c7 = -2.68327321E-08	c8 = 0.00000000E+00	c9 = -1.91801651E-08
c10 = -3.66552981E-12	c11 = 0.00000000E+00	c12 = -3.82777603E-13
c13 = 0.00000000E+00	c14 = 8.62803943E-12	c15 = 0.00000000E+00
c16 = -1.34436497E-14	c17 = 0.00000000E+00	c18 = -2.62422138E-14
c19 = 0.00000000E+00	c20 = -7.74167732E-15	c21 = -1.40385167E-18
c22 = 0.00000000E+00	c23 = -6.99085149E-18	c24 = 0.00000000E+00
c25 = 1.58855230E-17	c26 = 0.00000000E+00	c27 = 9.83820627E-17
c28 = 0.00000000E+00	c29 = -8.15873695E-21	c30 = 0.00000000E+00
c31 = -1.53254148E-20	c32 = 0.00000000E+00	c33 = -2.46991965E-20
c34 = 0.00000000E+00	c35 = 5.56202200E-20	c36 = -7.62334687E-24
c37 = 0.00000000E+00	c38 = -6.22654015E-24	c39 = 0.00000000E+00
c40 = -6.66341030E-23	c41 = 0.00000000E+00	c42 = -6.94753708E-23
c43 = 0.00000000E+00	c44 = -5.48149098E-22	c45 = 0.00000000E+00
c46 = 1.23529899E-26	c47 = 0.00000000E+00	c48 = -2.82595551E-26
c49 = 0.00000000E+00	c50 = -1.08751675E-25	c51 = 0.00000000E+00
c52 = 2.80187735E-25	c53 = 0.00000000E+00	c54 = 2.56650230E-25
c55 = 4.36596748E-29	c56 = 0.00000000E+00	c57 = -1.09458826E-28
c58 = 0.00000000E+00	c59 = 2.99374019E-28	c60 = 0.00000000E+00
c61 = 1.34192743E-27	c62 = 0.00000000E+00	c63 = 1.21228052E-27
c64 = 0.00000000E+00	c65 = 1.69942336E-27

Die Reflektivität R (M2) des Spiegels M2 ist abhängig von der y-Koordinate. Bei einem kleinsten y-Wert y₁ ist die Reflektivität R (M2) am größten und beträgt R₁. Etwa im Zentrum des Spiegels M2, bei der Koordinate y₂ beträgt die Reflektivität R (M2) = R₂, wobei R₂ < R₁. Im Bereich größter y-Werte, also bei y₃, beträgt die Reflektivität R (M2) = R₃, wobei gilt R₃ < R₂. Dieser Reflektivitätsverlauf am Spiegel M2 kompensiert Reflektivitätsunterschiede für die Einzelstrahlen 15 des Abbildungslichts 3 am Spiegel GI für streifenden Einfall. Alternativ oder zusätzlich können die Spiegel M5 oder M6 Beschichtungen mit entsprechenden Reflektivitätsverläufen tragen. Der Reflektivitätsverlauf R (M2) kann durch einen entsprechenden Schichtdickenverlauf der Reflexionsbeschichtung auf dem Spiegel M2 erreicht werden.
Auch die pupillennahen Spiegel M5 oder M6 eignen sich für den Einsatz eines entsprechenden R(y)-Reflektivitätsverlaufes zur Kompensation.
Alternativ zu einer Beschichtung mit einem Reflektivitätsverlauf entsprechend dem, der vorstehend beschrieben wurde, kann mindestens einer der Spiegel M2, M5 oder M6 durch andere Maßnahmen als Kompensationselement mit einem pupillenabhängigen Durchsatzverlauf für das Abbildungslicht 3 ausgeführt sein. Beispielsweise kann eine Oberfläche der Spiegel M2, M5 und M6 mit einer Rauheitsvariation versehen sein. Alternativ kann als Kompensationselement mit einem pupillenabhängigen Durchsatzverlauf für das Abbildungslicht 3 auch im Bereich einer der Pupillenebenen der Projektionsoptik 7 ein Graufilter mit einem Transmissionsverlauf angeordnet sein, dessen Wirkung dem vorstehend beschriebenen Reflektivitätsverlauf entspricht. Auch mindestens einer der Spiegel M2, M5 oder M6 kann eine entsprechende Graufilter-Beschichtung tragen.
Prinzipiell kommt jeder der NI-Spiegel für eine der vorstehend erläuterten Varianten einer Beschichtung in Frage, insbesondere die Spiegel M1, M2, M3, M5 und M6.
Die Spiegel M1 bis M6 tragen Mehrfach-Reflexionsschichten zur Optimierung ihrer Reflexion für das auftreffende EUV-Beleuchtungslicht 3. Die Mehrfach-Reflexionsschichten sind für eine Arbeitswellenlänge von 13,5 nm ausgelegt. Die Reflexion kann umso besser optimiert werden, je näher der Auftreffwinkel der Einzelstrahlen 15 auf der Spiegeloberfläche an der senkrechten Inzidenz liegt. Die Projektionsoptik 7 hat insgesamt für alle Einzelstrahlen 15 auf den NI-Spiegel M1 bis M6 kleine Reflexionswinkel. Ein maximaler Einfallswinkel des Abbildungslichts 3 auf den NI-Spiegeln M1 bis M6 beträgt höchstens 25°. Am Spiegel M1 beträgt der maximale Einfallswinkel der Einzelstrahlen 15 13°. Am Spiegel M2 beträgt der maximale Einfallswinkel der Einzelstrahlen 15 16°. Am Spiegel M3 beträgt der maximale Einfallswinkel der Einzelstrahlen 15 13°. Am Spiegel M4 beträgt der maximale Einfallswinkel der Einzelstrahlen 15 8°. Am Spiegel M5 beträgt der maximale Einfallswinkel der Einzelstrahlen 15 15°. Am Spiegel M6 beträgt der maximale Einfallswinkel der Einzelstrahlen 15 8°.
Auf dem Spiegel M3 kann eine Reflexionsbeschichtung mit einer größeren Anzahl von Einzelschichten so ausgelegt sein, dass diese Beschichtung sehr kritisch auf den Einfallswinkel ist. Da auf dem Spiegel M3 die Einzelstrahlen 15 mit einer Bandbreite an Einfallswinkeln auftreffen, lässt sich auch hierüber eine Kompensation der einfallswinkelabhängigen Reflektivität des Spiegels GI für streifenden Einfall herbeiführen. Die Mehrlagen-Reflexionsbeschichtung auf dem Spiegel M3 kann dabei so ausgeführt sein, dass sie am Ort M3₁ eine höhere Reflektivität hat als an einem Ort M3₂, an dem dann wiederum eine höhere Reflektivität vorliegt als am Ort M3₃ (vergleiche 2).
Diese Abhängigkeit R (M3) der Reflektivität R vom Einfallswinkel α auf dem Spiegel M3 ist derart, dass im Bereich kleinster Einfallswinkel, also bei α = α₁, die Reflektivität am größten ist und dort R₁ beträgt. Diese kleinsten Einfallswinkel α₁ liegen im Spiegelbereich M3₁ vor. Im Bereich mittlerer Einfallswinkel α₂ liegt eine mittlere Reflektivität R₂ < R₁ vor. Diese mittleren Einfallswinkel α₂ liegen im Spiegelbereich M3₂ vor. Im Bereich größter Einfallswinkel α₃ liegt die geringste Reflektivität R₃ vor. Diese größten Einfallswinkel α₃ liegen im Spiegelbereich M3₃ vor.
Bei einer alternativen Ausführung ist der Spiegel GI für streifenden Einfall im Bereich einer Pupillenebene der Projektionsoptik 7 angeordnet. Eine hierdurch gegebenenfalls hervorgerufene Variation einer Intensität des Abbildungslichts über das Bildfeld 8 kann durch Vorkompensation einer Verteilung der Beleuchtungsintensität ausgeglichen werden.
Prinzipiell kann jeder der NI-Spiegel M1 bis M6 als Kompensationsspiegel bzw. Kompensationselement gemäß einer der vorstehenden Varianten ausgeführt sein.
Bei einer weiteren Variante der Projektionsoptik, die anstelle der Projektionsoptik 7 zum Einsatz kommen kann, kommen mehrere Spiegel GI für streifenden Einfall zum Einsatz.
Die genutzten Reflexionsflächen der Spiegel M1 bis M6 werden von Grundkörpern getragen.
3 zeigt perspektivisch einen der Spiegel der Projektionsoptik 7, nämlich den Spiegel M6, wobei die Durchtrittsöffnung 17a weggelassen ist.
Ein Spiegelsubstrat bzw. Grundkörper 18 des Spiegels M6 hat drei Montageöffnungen 19 zur Halterung des Spiegelsubstrats 18 an einem Spiegelhalter.
Der Grundkörper 18 kann aus Glas, aus Keramik oder aus Glaskeramik gefertigt sein. Das Material des Grundkörpers 18 kann so abgestimmt sein, dass dessen thermischer Expansionskoeffizient bei einer gewählten Betriebstemperatur des Spiegels M sehr nahe beim Wert 0 liegt und idealerweise exakt 0 ist. Ein Beispiel für ein derartiges Material ist Zerodur^®.
4 veranschaulicht eine Passe des Spiegels M6, also eine Abweichung einer Ist-Oberflächenform einer Reflexionsfläche 20 des Spiegels M6 von einer optimalen Soll-Oberflächenform. Ein gesamter Absolut-Wertbereich der dargestellten Passe ist unterteilt in eine Mehrzahl von jeweils unterschiedlich schraffiert wiedergegebenen Wertebereichsabschnitten, zwischen denen Iso-Passelinien verlaufen. Die entsprechenden Passewerte sind in der 4 links von unten nach oben absolut aufsteigend in willkürlichen Einheiten wiedergegeben.
Aufgrund der dreizähligen Anordnung der Montagepunkte des Spiegelsubstrats 18 über die Montageöffnungen 19 resultiert ein entsprechend dreizähliger Verlauf der Passe. Im Bereich der Montageöffnungen 19 ist die Passe minimal und steigt jeweils kontinuierlich bis zum Zentrum der Reflexionsfläche 20, wo die Passe maximal ist. In Umfangsrichtung um das Spiegelsubstrat 18 ist die Passe in den Umfangspositionen jeweils zwischen zwei Montageöffnungen 19 maximal und beträgt dort etwa die Hälfte der maximalen Passe im Zentrum der Reflexionsfläche 20.
Eine typische Größenordnung der maximalen Passe liegt bei 10 µm. Abhängig vom Durchmesser des Spiegels, abhängig von der Anzahl, der Anordnung und der Art der Montagepunkte, abhängig vom Material und von der Stärke des Spiegelsubstrats sowie abhängig von der Einbaulage des Spiegels kann auch eine größere maximale Passe, beispielsweise im Bereich von 100 µm, oder auch eine kleinere Passe, beispielsweise in der Größenordnung von 1 µm, resultieren.
Der Spiegel M6 wird folgendermaßen hergestellt:
Zunächst wird eine Soll-Oberflächenform der Reflexionsfläche 20 des Spiegels M6 bestimmt. Dies erfolgt unter Einsatz eines üblichen optischen Designprogramms. Ein Beispiel für ein solches optisches Designprogramm ist Code V^®.
Anschließend wird der Spiegel M6 am Herstellort unter Berücksichtigung der bestimmten Soll-Oberflächenform gefertigt.
Im Anschluss hieran wird eine Oberflächenform der Reflexionsfläche 20 des Spiegels M6 am Einsatzort für das optische System, dessen Bestandteil der Spiegel M6 ist, verglichen mit der im ersten Schritt bestimmten Soll-Oberflächenform. Dieser Vergleich kann durch Berechnung der Oberflächenform am Einsatzort in Kenntnis insbesondere des Gravitationsunterschiedes zwischen dem Herstellort einerseits und dem Einsatzort andererseits erfolgen. Für eine derartige Rechnung ist es nicht erforderlich, dass der Spiegel nach dem Fertigen schon an den Einsatzort verbracht wird. Alternativ ist es möglich, zur Bestimmung der Passe des Spiegels M6 diesen nach der Fertigung an den Einsatzort für das optische System zu verbringen und anschließend die Passe des Spiegels M6 durch Vergleich einer Ist-Oberflächenform der Reflexionsfläche 20 des Spiegels M6 am Einsatzort für das optische System, wohin der Spiegel M6 verbracht wurde, mit der eingangsbestimmten Soll-Oberflächenform zu vermessen. Eine derartige Vermessung kann mithilfe dem Fachmann geläufiger Verfahren, beispielsweise interferometrisch, erfolgen.
5 zeigt beispielhaft die Passe P in der Mitte der Reflexionsfläche 20, die sich aufgrund des Gravitationsunterschiedes ergibt, in starker Übertreibung.
Anschließend wird eine optische Korrekturfläche unter Berücksichtigung der bestimmten Passe gefertigt. Bei dieser optischen Korrekturfläche kann es sich um einen zusätzlichen Spiegel handeln oder beispielsweise um die Korrekturbearbeitung eines anderen der Spiegel M1 bis M5 der Projektionsoptik 7.
Der Einsatz von Korrekturflächen innerhalb optischer Systeme ist grundsätzlich aus dem Stand der Technik bekannt, beispielsweise aus dem Fachartikel „Nikon Projection Lens Update“ von T. Matsuyama et al., Optical Microlithography XVII, Proceedings of SPIE Vol. 5377, S. 730 bis 741).
Nach Fertigung der optischen Korrekturfläche wird das optische System mit dem gefertigten Spiegel M6 und der ebenfalls gefertigten Korrekturfläche, beispielsweise auf dem Spiegel M5, fertiggestellt. Die optische Korrekturfläche ist Teil des optischen Systems.
Mit dem beschriebenen Verfahren können auch weitere Spiegel der Projektionsoptik 7 und insbesondere alle Spiegel der Projektionsoptik 7 gefertigt werden.
Alternativ oder zusätzlich zum Einsatz einer zusätzlichen Korrekturfläche kann bei der Auslegung des optischen Systems auch eine Roh-Korrekturfläche vorgesehen sein, die beim Fertigstellen des optischen Systems mit der gefertigten Korrekturfläche ausgetauscht wird. Hierbei kann beispielsweise der Spiegel M5 herangezogen werden, der dann im Rahmen der Fertigung der Korrekturfläche im Vergleich zur ursprünglichen Soll-Form überarbeitet wird.
Zur Herstellung eines mikro- oder nanostrukturierten Bauteils wird die Projektionsbelichtungsanlage 1 folgendermaßen eingesetzt: Zunächst werden die Reflexionsmaske 10 beziehungsweise das Retikel und das Substrat beziehungsweise der Wafer 11 bereitgestellt. Anschließend wird eine Struktur auf dem Retikel 10 auf eine lichtempfindliche Schicht des Wafers 11 mithilfe der Projektionsbelichtungsanlage 1 projiziert. Durch Entwicklung der lichtempfindlichen Schicht wird dann eine Mikro- oder Nanostruktur auf dem Wafer 11 und somit das mikrostrukturierte Bauteil erzeugt.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

DE 102013214989 A1 [0002]
DE 102012202675 A1 [0002, 0019]
WO 2016/188934 A1 [0002]
WO 2016/166080 A1 [0002]
WO 2009/053023 A2 [0016]
WO 2010/091800 A1 [0028]
US 20070058269 A1 [0039]

Claims

Verfahren zur Herstellung eines optischen Systems einer Projektionsbelichtungsanlage (1) für die Projektionslithographie mit folgenden Schritten: - Bestimmen einer Soll-Oberflächenform einer Reflexionsfläche (20) eines Spiegels (M6) als optischer Komponente für das optische System, - Fertigen des Spiegels (M6) am Herstellort unter Berücksichtigung der bestimmten Soll-Oberflächenform, - Bestimmen einer Passe (P) des Spiegels (M6) durch Vergleich einer Oberflächenform der Reflexionsfläche (20) des Spiegels (M6) am Einsatzort für das optische System mit der bestimmten Soll-Oberflächenform, - Fertigen einer optischen Korrekturfläche (M5) als Teil des optischen Systems unter Berücksichtigung der bestimmten Passe (P), - Fertigstellen des optischen Systems mit dem gefertigten Spiegel (M6) und der gefertigten Korrekturfläche (M5).
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass bei der Auslegung des optischen Systems eine Roh-Korrekturfläche vorgesehen ist, die beim Fertigstellen des optischen Systems mit der gefertigten Korrekturfläche (M5) ausgetauscht wird.
Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass zum Bestimmen der Passe (P) des Spiegels (M6) folgendermaßen vorgegangen wird: - Verbringen des Spiegels (M6) an den Einsatzort für das optische System, - Vermessen der Passe (P) des Spiegels (M6) durch Vergleich einer Ist-Oberflächenform der Reflexionsfläche (20) des Spiegels (M6) am Einsatzort für das optische System mit der bestimmten Soll-Oberflächenform.
Optisches System (M1 bis M6), hergestellt nach einem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3.
Projektionsbelichtungsanlage mit einem optischen System nach Anspruch 4 und mit einer Lichtquelle (2) zur Erzeugung des Beleuchtungslichts (3).
Verfahren zur Herstellung eines strukturierten Bauteils mit folgenden Verfahrensschritten: - Bereitstellen eines Retikels (10) und eines Wafers (11), - Projizieren einer Struktur auf dem Retikel (10) auf eine lichtempfindliche Schicht des Wafers (11) mithilfe der Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 5, - Erzeugen einer Mikro- beziehungsweise Nanostruktur auf dem Wafer (11).
Strukturiertes Bauteil, hergestellt nach einem Verfahren nach Anspruch 6.