WO2019145125A1 - Abbildende optik für die euv-mikrolithographie - Google Patents

Abbildende optik für die euv-mikrolithographie Download PDF

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WO2019145125A1
WO2019145125A1 PCT/EP2019/050056 EP2019050056W WO2019145125A1 WO 2019145125 A1 WO2019145125 A1 WO 2019145125A1 EP 2019050056 W EP2019050056 W EP 2019050056W WO 2019145125 A1 WO2019145125 A1 WO 2019145125A1
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mirror
imaging
image
imaging light
plane
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PCT/EP2019/050056
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Johannes Ruoff
Hubert Holderer
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Carl Zeiss Smt Gmbh
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    • G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems

Definitions

  • the invention relates to an imaging optics for EUV microlithography. Furthermore, the invention relates to an optical system with such an imaging optical system, a projection exposure apparatus with such an optical system, a method for producing a micro- or nano-structured component with such a projection exposure apparatus and a microstructure produced by this method. or nanostructured component.
  • An imaging optic for EUV microlithography is known, for example, from WO 2016/166 080 A1, from DE 10 2011 076 752 A1, from US Pat. No. 6,081,578, from US Pat. No. 5,353,322 and from US Pat
  • this object is achieved, on the one hand, by an imaging optic having the features specified in claim 1 and, on the other hand, by an imaging optic having the features specified in claim 2.
  • imaging optics in which an object plane mirror half space opens in essentially the same direction as an image plane mirror half space, can interpret it in such a way and combine it with an illumination optical unit illuminating the object field, such that guidance of Illumination and imaging light with high throughput can be achieved with good imaging quality of the imaging optics.
  • the half-spaces can open upwards or alternatively downwards.
  • the imaging optics can be designed to image a reflecting object.
  • the specified condition of the half-space direction angle between the mirror half-space directions of the object plane on the one hand and the image plane on the other hand smaller than 30 ° leads to a relative position of the object field on the one hand and the image field on the other hand, in which the imaging light from the object field in a direction towards the first mirror is radiated and then reflected by the last mirror in substantially the opposite direction to the image field.
  • the object field, on the one hand, and the image field, on the other hand, are therefore not opposite one another with respect to an arrangement of the mirrors of the imaging optics, but are arranged lying substantially in the same direction in relation to the mirrors of the imaging optics.
  • the object plane mirror half-space opens in the negative z-direction in FIG. 2 and the image plane mirror half-space opens in this FIG. 2 shows a positive z-direction, so that there is a half-space directional angle of exactly 180 ° between the two half-space directions.
  • the execution of at least one mirror as a mirror for grazing incidence makes it possible to provide the imaging optics with low light losses due to the higher reflectivity of the at least one GI mirror.
  • the GI mirror makes it possible to design an imaging light beam path such that the object field and the image field of the imaging optics are spatially separated from one another.
  • the imaging optics can have more than one GI mirror and, for example, two GI mirrors, three GI mirrors, four GI mirrors, five GI mirrors, six GI mirrors, or even more GI mirrors.
  • the half-space direction angle between the object plane mirror half space direction and the image plane mirror half space direction can be at most 20 °, can be at most 10 °, can be at most 5 ° and can be exactly exactly 0 in particular.
  • An illumination optics for such imaging optics can do with we nigen mirrors, since due to a corresponding construction of the light source due to an odd number of mirrors of the illumination optics, in particular exactly three mirrors, is preferred.
  • An imaging optic according to claim 2 can be realized, in particular, with essentially perpendicular imaging light beam path to the object field and starting from the object field, ie with perpendicular illumination of the object field, so that the angle to the normal to the object plane is exactly 0 ° is. Illumination of the object field with a correspondingly small angle of incidence of less than 3 ° enables a high image-side numerical aperture with an absolute value even with a reflecting object.
  • the illustration / reduction scale is, for example, at most 8x.
  • the half-space direction angle is exactly 0.
  • the object plane can coincide with the image plane.
  • a spatial distance between the object field and the image field according to claim 4 makes it possible to accommodate components which are also demanding requirements for conditioning an object to be arranged in the object field, for example a reticle, and an object to be arranged in the image field, for example a substrate, in particular special of a wafer.
  • Such conditioning components may include holding and / or displacement and / or air conditioning and / or vacuum components.
  • the distance between the object field and the image field may be greater than 450 mm, may be greater than 500 mm and may be even greater.
  • a crossing course of the imaging light beam path according to claims 5 to 9 enables a compact mirror arrangement of the imaging optics.
  • An image-side numerical aperture according to claim 10 enables a high resolution of the imaging optics.
  • the image-side numerical aperture may be larger than 0.7 and may be larger than 0.75.
  • An optical system according to claim 11 has advantages corresponding to those already explained above with reference to the imaging optics.
  • an imaging optics with a small angle the image sub-beam originating from the first mirror to the object plane normal ie with a small or even vertical failure angle of the imaging light from the object field, can guide the illumination or imaging light in the area of the object field with optical components take place, whose basic structure is known from US 9,678,439 B2.
  • An optical system according to claim 12 enables a high throughput of the EUV illumination or imaging light.
  • a projection exposure apparatus according to claim 13
  • a production method according to claim 14 and a micro- or nano-structured component according to claim 15 correspond to those which have already been explained above with reference to the imaging optics and the optical system.
  • a semiconductor chip for example a memory chip, can be produced.
  • FIG. 1 shows very schematically a beam path of illumination and imaging light in a projection exposure apparatus, the components of which are respectively indicated in this beam path between an EUV light source and a wafer as the substrate to be structured;
  • FIG. 2 shows in a meridional section a beam path for the imaging and illumination light within a further embodiment of a projection exposure apparatus, starting with a collector for illuminating light emanating from an EUV light source, in turn, to a wafer;
  • FIG. 3 shows, in a representation similar to FIG. 2, a further embodiment of a projection exposure apparatus which, in contrast to the embodiment according to FIG. 2, illuminates a mask to be imaged not vertically, but obliquely, ie with an angle of incidence different from 0;
  • FIG. 4 schematically shows in a meridional section a beam path for imaging light within a further embodiment of imaging optics which can be used instead of the imaging optics illustrated therein in the projection exposure systems according to FIGS. 1 to 3.
  • An illumination system 2 of the projection exposure apparatus 1 comprises, in addition to an EUV spruce or radiation source 3, illumination optics 4 for exposing an object field 5 in an object plane 6.
  • a reticle 7 arranged in the object field 5 is exposed here, which is also referred to as a mask is held by a reticle holder 8, which is shown only in sections, and which can be displaced via a reticle displacement drive 8a, in particular driven parallel to the object plane 6.
  • the reticle 7 is designed as a reflective reticle.
  • a projection optical system 9 is used to image the object field 5 into an image field 10 in an image plane 1 1.
  • the image plane 1 1 coincides with the object plane 6.
  • a spatial distance A between the object field 5 and the image field 10 is greater than 400 mm.
  • a structure on the reticle 7 is imaged on a photosensitive layer of a wafer 12 arranged in the region of the image field 10 in the image plane 11, which wafer is held by a wafer holder 13, which is likewise shown schematically.
  • the latter can be displaced in a driven manner parallel to the image plane 11, in this case via a wafer displacement drive 13a.
  • the radiation source 3 is an EUV radiation source which emits EUV radiation 14.
  • the wavelength of the emitted useful radiation of the EUV radiation source 3 is in the range from 5 nm to 30 nm.
  • Other wavelengths which are used in lithography and for which suitable light sources are available are also possible in the case of the Radiation source 3 can be a plasma source, for example a DPP source or an LPP source.
  • a radiation source based on a synchrotron can also be used as the radiation source 3. Information about such a radiation source is found by the person skilled in the art, for example, in US Pat. No. 6,859,515 B2.
  • a collector for bundling the EUV radiation 14 from the EUV radiation source 3, a collector, not shown in FIG. 1, is provided.
  • the EUV radiation 14 is also referred to as illuminating light and as imaging light.
  • the illumination optics 4 comprises a field facet mirror 16 with a plurality of field facets, not shown.
  • the field facet mirror 16 is arranged in a plane of the illumination optics 4, which is optically conjugate to the object plane 6. From the field facet mirror 16, the EUV radiation 14 is reflected to a pupil facet mirror 18 of the illumination optics 4.
  • the pupil facet mirror 18 has a multiplicity of pupil facets, likewise not shown. With the aid of the pupil facet mirror 18, the field facets of the field facet mirror 16 are imaged superimposed on one another in the object field 5.
  • each field facet on the field facet mirror 16 there is at least one associated pupil facet on the pupil facet mirror 18. Between each field facet and one pupil facet a sprue channel or radiation channel is formed.
  • the facets of at least one of the facet mirrors 16, 18 may be switchable. In particular, they can be arranged tiltably on the facet mirror 16, 18. In this case it is possible to make not all facets, but only a part, for example at most 30%, at most 50% or at most 70% of the facets, tiltable. It can also be provided to make all facets tiltable.
  • the switchable facets are, in particular, the field facets. By tilting the field facets, the assignment of the same to the respective pupil facets and thus the formation of the spruce channels can be varied. A specific assignment of the field facets to the respective pupil facets is also referred to as a lighting setting.
  • the illumination optics 4 may be designed such that, after the EUV light source 3 or after one of these subsequent intermediate focuses, it has no more than three mirrors which successively reflect the imaging light 14. In the exemplary embodiment according to FIG. 1, these are the mirrors 16, 18 as well as a condenser 19 arranged in the illumination beam path between the pupil facet mirror 18 and the object field 5.
  • a Cartesian xyz coordinate system is used below.
  • the x-direction is perpendicular to the plane of the drawing and runs out of it, ie towards the viewer.
  • the y-direction runs in Fig. 1 to the right.
  • the z-direction extends in Fig. 1 upwards.
  • the object plane 6 and the image plane 11 lie parallel in the xy plane.
  • the reflecting or bundle-guiding components of all the optical components of the illumination optics 4 and of the projection optics 9 are above the object plane 6 and the image plane 11, ie in the direction of positive z coordinates.
  • an object-image offset d 0 is, which reproduces the distance between the projections of a central object field point and a central image field point on the xy plane.
  • This object image offset d 0 is, for example, in Fig. 2 located.
  • the reticle holder 8 is displaceable in such a way that, in the projection exposure, the reticle 7 can be displaced in a direction of displacement parallel to the y direction in the object plane 6.
  • the wafer holder 13 is controlled so as to be displaceable via the wafer displacement drive 13a in such a way that the wafer 12 is operated in a manner storage direction in the image plane 11 is displaced.
  • the reticle 7 and the wafer 12 can be scanned on the one hand by the object field 5 and, on the other hand, the image field 10.
  • the displacement direction y is also referred to as the scan direction.
  • the displacement of the reticle 7 and the wafer 12 in the scan direction may preferably take place synchronously with one another.
  • the projection optics 9 comprises a plurality of projection mirrors M1 to M7.
  • the projection optics 9 can also have a different number of projection mirrors Mi and in particular comprises at least three, in particular at least five projection mirrors M1 to M5. In particular, it can have at least six, seven or eight projection mirrors M1 to M8.
  • the mirrors M1 to M7 of the projection optics 9 image the object field 5 into the image field 10 and guide the imaging light 14 along an imaging beam path in the order of their numbering in FIG. 1.
  • Mirrors M1, M4, M6 and M7 are designed as steep incidence mirrors (normal incidence mirrors, NI mirrors), with an angle of incidence of a main beam of a central field point in the imaging beam path being smaller at this Nl mirror as 45 °.
  • the projection optics 9 thus has four such NI levels.
  • a different number of NI levels is possible, e.g. two NI mirrors, three NI mirrors, five NI mirrors, or an even greater number of NI mirrors.
  • the angle of incidence may be less than 30 °.
  • An image-side numerical aperture which is predetermined by the last mirror M7 in the beam path of the projection optics 9, is not shown in FIG reproduced to scale and is significantly larger than shown in FIG. 1.
  • This image-side numerical aperture can be at least 0.4 and can be even greater and can be, for example, at least 0.5, at least 0.55 or even at least 0.6.
  • the mirrors M2, M3, M5 of the projection optics 9 are designed as mirrors for grazing incidence mirrors (GI mirrors).
  • An incidence angle of the main beam of the central field point in the imaging beam path is greater than 45 ° in the case of these GI mirrors and can in particular be greater than 60 °.
  • the projection optics 9 thus has a total of three GI mirrors.
  • the projection optics 9 may also have a different number of GI mirrors, such as a GI mirror, two GI mirrors, four GI mirrors, five GI mirrors, six GI mirrors, or an even greater number of Gl mirrors ,
  • mirror M5 instead of the mirror M5, it is also possible to use a pair of mirrors with two Gl mirrors M5a, M5b (cf. also the embodiments according to FIGS. 2 and 3).
  • the first mirror M1 in the imaging light beam path of the projection optics 9 is arranged in relation to the object plane 6 in an object plane mirror half space 20.
  • the object plane mirror half space 20 thus occupies the space of positive z coordinates of the xyz coordinate system in FIG. 1.
  • the last mirror M7 of the projection optics 9 is arranged in the image light beam path with respect to the image plane 11 in an image plane mirror half space 21 which, since the object plane 6 coincides with the image plane 11 and the mirror M7 on the same side of the object.
  • Project level 6 and the image plane 11 is arranged as the mirror Ml, with the object plane half space 20 in the embodiment of the projection exposure system 1 of FIG. 1 is identical.
  • An object plane mirror half-space direction into which the object plane mirror half space 20 opens is predetermined by the direction of a normal originating from the object plane 6 to the object plane which extends into the object plane mirror half space 20.
  • this normal runs in the z direction, which thus specifies the object plane mirror half-space direction.
  • the image plane mirror half space 21 opens in a lighting plane mirror half-space direction which is predetermined by the direction of a normal originating from the image plane 11 to the image plane which extends into the image plane mirror half space 21. Due to the fact that the object plane 6 and the image plane 11 in the embodiment of FIG.
  • the image plane mirror half-space direction is again given by the direction of the z-axis.
  • the object plane mirror half-space direction and the image plane mirror half space direction include a half-space direction angle to each other which is smaller than 30 °. In the embodiment according to FIG. 1, this half-space direction angle is exactly 0, since the object plane mirror half-space direction and the image plane mirror half-space direction both run exactly in the z-direction.
  • both mirror half-spaces 20, 21 open either exactly in the same direction or in directions which have an angle to each other which is smaller than 30 °, it results that from the viewpoint of the mask 7 and / or from the viewpoint of the wafer 12 the optical components of Illumination optics 4 and the projection optics 9 are arranged all or mostly on the same side of the object plane 6 and the image plane 11. In contrast to many designs of projection optics in the prior art, the components of the projection optics 9, ie the mirrors Mi, are not located between the object plane 6 and the image plane 11.
  • both half-spaces 20, 21 open upwards.
  • the continuous imaging light beam path runs in such a way that an imaging light partial beam 22 between the last mirror M7 in the imaging light beam path and the image field 10 interleaves at least two further crossing imaging light partial beams the first mirror Ml in the imaging light beam path and the penultimate mirror M6 in the imaging light beam path crosses.
  • the imaging light partial beam 22 intersects, on the one hand, an intersection imaging light sub-beam 23 between the second mirror M2 and the third mirror M3 in the imaging light beam path, ie between a sixth last and the fifth last mirror in the imaging light beam path, and on the other hand a crossing imaging light sub-beam 24 between the mirror M5 and the mirror M6, ie between a third last and a penultimate mirror in Abtrucklichtlicht beam path.
  • a crossing point K1 between the figures The partial light beams 22 and 23 lie closer to the image plane 11 than a crossing point K2 between the imaging light partial beams 22 and 24.
  • the crossing point K2 and then the intersection point K1 before the imaging light 14 strikes the wafer 12 in the object field 10.
  • Dashed lines in FIG. 1 indicate a variant of the projection optics 9 with the last mirror M7 displaced in the positive y-direction. This results in a correspondingly displaced imaging light beam path, in which the imaging light partial beam 22 a crossing imaging light partial beam 23 a between the fifth last mirror M3 and the fourth last mirror M4 in the imaging beam path and another cross-sectional light partial beam 24a between the fourth last mirror M4 and the third last mirror M5 in the image light beam path at crossing points Kla and K2a.
  • the illumination optics 4 initially has a collector 25, which collects the illumination or imaging light 14 which emanates from the light source 3 (not shown in FIG. 2).
  • the image light 14 after reflection at the collector 25 first passes through an intermediate focus 26 and then strikes the field facet mirror 16.
  • the pupil facet mirror 18 of the illumination optics 4 simultaneously represents the mirror M2 of a projection optics 27 which is used instead of the projection optics 9.
  • a concept of the optical system, in which the pupil facet mirror simultaneously represents the second mirror of the projection optics is known from US Pat. No. 9,678,439 B2.
  • the imaging light 14 is guided via the mirrors Mi of the projection optics 27 in the sequence of their numbering up to the image field 10.
  • the projection optics 27 has a total of eleven mirrors M1 to M4, M5a, M5b and M6 to MIO.
  • the mirrors M1, M2, M9 and MIO are designed as Nl mirrors.
  • the mirrors M3, M4, M5a, M5b, M6, M7 and M8 are designed as GI mirrors.
  • the last mirror MIO which predetermines the imaging numerical aperture, is designed as an obscured mirror and has an aperture 28 for the imaging light 14 in the imaging light partial beam between the mirrors M8 and M9.
  • the penultimate mirror M9 of the projection optics 27 is designed without passage opening for the imaging light 14. With respect to an xz-plane passing through the central object field point, the mirror M2 lies in one of the half-spaces defined above this xz-plane, and the mirrors M3 to Ml 0 are in the other half-space, and above this, by the central one Object field point extending xz plane is specified. In the arrangement according to FIG.
  • the mirror M1 is arranged in the object mirror half space 20.
  • the mirror M10 that is to say the last mirror in the imaging light beam path of the projection optics 27, is arranged in the image plane mirror half space 21. Both mirror halves 20, 21 in turn open in the same direction, namely in the xz direction.
  • the object plane 6 lies parallel to the image plane 11 and is spaced therefrom in a positive z-direction.
  • the object plane mirror half space direction and the image plane mirror half space direction therefore run in the same direction in projection optics 27. Accordingly, the half-space direction angle is again 0 °.
  • a distance Z E between the object plane 6 and the image plane 11 can amount to more than 10% of a maximum z-distance Z M between reflection surfaces of the optical system of the projection exposure apparatus according to FIG. 2.
  • the distance Z M is predetermined by the maximum distance between the reflection surfaces of the field facet mirror 16 on the one hand and the penultimate mirror M9 of the projection optics 27 on the other hand.
  • the ratio Z E is about 50%.
  • FIG. 1 A further embodiment of an optical system for a projection exposure apparatus which can be used instead of the projection exposure apparatus 1 according to FIG. 1 is described below with reference to FIG. Components and functions corresponding to those already explained above with reference to FIGS. 1 and 2 bear the same reference numerals and will not be discussed again in detail.
  • the pupil facet mirror 18 and the mirror M2 do not coincide, but are two separate components comparable to what was explained above in connection with the embodiment according to FIG.
  • the illumination optics 4 of the optical system according to FIG. 3 in the illumination light beam path also have a condenser 19 corresponding to the embodiment according to FIG. 1.
  • a projection optics 30 of the optical system according to FIG. 3 corresponds to the projection optics 27 according to FIG. 2.
  • the image plane 11 in the optical system according to FIG. 3 is therefore no longer parallel to the object plane 6 and correspondingly not parallel to the xy plane, to which the object plane 6 is parallel.
  • the first mirror M1 lies in the object plane half space 20 and the last mirror M10 of the projection optics 30 in the image plane mirror half space 21.
  • An object plane mirror half-space direction into which the object plane mirror half space 20 opens is in turn given by the z direction.
  • An image plane mirror half-space direction into which the image plane mirror half space 21 opens is, in the case of the optical system according to FIG. 3, predetermined by the direction of a normal NBE originating from the image plane 11, which is in the image plane mirror half space 21 into it.
  • a half-space direction angle H which in the optical system of Fig. 3 is 8 °.
  • Other such half-space directional angles in the range between 0 ° and 30 ° are possible.
  • An image-side numerical aperture of the projection optics 27 or 30, in each case predetermined by the last mirror M10, can be greater than 0.6 and can in particular be at least 0.7, at least 0.75 or even larger.
  • the mirrors M1 to M1 can each carry a coating which optimizes their reflectivity and which can be embodied as a deposit coating or as a multilayer coating.
  • a corresponding multi-layer coating may have a plurality of alternating bilages of two different coating materials, for example molybdenum and silicon.
  • a deposit coating can be embodied, for example, as a ruthenium coating.
  • imaging optics or projection optics 31 is described below, which can be used instead of the projection optics 9, 27 and 30 in the projection exposure apparatuses according to FIGS. 1 to 3.
  • FIG. 4 shows the course of individual beams emanating from three field points spaced apart from one another in the y-direction, wherein in each case the profile of a main beam passing through a center of a pupil of the projection optics 31 and the course of two edge beams are shown is.
  • the projection optics 31 also have eleven mirrors for imaging the object field 5 into the image field 10, which are numbered consecutively from M1 to M1.
  • an angle of incidence CRA of the main beam of the central field point of the imaging light 14 of 0 °, ie a vertical illumination of the object field 5 and thus of the reticle 7, is also present in the projection optics 31.
  • the projection optics 31 has an image-side numerical aperture of 0.55 provided by the last mirror M1 in the imaging beam path.
  • the projection optics 31 is designed for a design wavelength for the imaging light 14 of 13.5 nm.
  • the image field has an extension in the x direction of 26 mm and in the y direction of 1.2 mm.
  • the image field 10 is flat, without field curvature.
  • the imaging optic 31 has a reduction factor of 4x.
  • a wavefront error (rms) is 15 mk.
  • the imaging optics 31 is telecentric both on the object side and on the image side.
  • a both the edge-side aperture boundary and an obscuration due to the passage opening 28 in a pupil plane defining aperture which thus serves as an aperture diaphragm and ob as skurationsb siren, lies directly on the second mirror M2 in the imaging beam path of the imaging light fourteenth
  • the mirrors M1 to M1 are designed as freeform surfaces which can not be described by a rotationally symmetrical function. There are others too Embodiments of the projection optics 7 possible in which at least one of the mirrors Ml to Ml 1 is designed as a rotationally symmetric asphere.
  • An aspherical equation for such a rotationally symmetric asphere is known from DE 10 2010 029 050 A1. All mirrors M1 to M1 can also be embodied as such aspheres.
  • a free-form surface can be described by the following free-form surface equation (equation 1):
  • r is the distance to the reference axis of the free-form surface equation
  • Ci, C 2 , C3 ... denote the coefficients of the free-form surface series expansion in the powers of x and y.
  • the equation (1) thus describes a biconical freeform surface.
  • freeform surfaces can also be described using two-dimensional spline surfaces.
  • examples include Bezier curves or non-uniform rational base splines (NURBS).
  • NURBS non-uniform rational base splines
  • two-dimensional spline surfaces may be described by a network of points in an xy plane and associated z-values, or by these points and their associated slopes.
  • the complete surface is obtained by interpolation between the mesh points using, for example, polynomials or functions that have certain continuity and differentiability properties. Examples of this are analytical functions.
  • optical design data of the reflection surfaces of the mirrors M1 to M1 of the projection optics 31 can be found in the following tables. These optical design data each depart from the image plane 11, thus describe the respective projection optics in the opposite direction. direction of the imaging light 14 between the image plane 11 and the object plane 6.
  • the first of these tables gives an overview of the design data of the projection optics 31 and together summarizes the numerical aperture NA, the calculated design wavelength for the imaging light 14, the magnitudes of the image field 10 in the x and y directions and a field curvature.
  • This curvature is defined as the inverse radius of curvature of the field.
  • Negative radii values mean for the incident illuminating light 14 concave curves in the section of the respective surface with the considered plane (xz, yz), which is spanned by a surface normal at the vertex with the respective direction of curvature (x, y).
  • the two radii Radius x, Radiux y can explicitly have different signs.
  • the powers Power x (P x ), Power y (P y ) at the vertices are defined as:
  • AOI here denotes a Rinfallswinkel of the guide beam to Oberflä normal normal.
  • the third table gives the conical ones for the mirrors M1 to M1.1 in mm
  • Coefficients C n which are not tabulated, each have the value 0.
  • the fourth table also indicates the amount along which the respective mirror, centered on a reference surface in the y direction (DCY), is displaced in the z direction (DCZ) and tilted (TLA, TLB, TLC). This corresponds to a parallel shift and a tilt in the freeform surface design process. Moves in mm in y- and z-direction and tilts around the x-axis, around the y-axis and around the z-axis. The angle of rotation is given in degrees. It is decentered first, then tilted. The reference surface at the decentering is in each case the first surface of the specified optical design data. Also for the object field 5, a decentering in the y and in the z direction is indicated.
  • the imaging optics 9, 27, 30, 31 can have a reduction factor of 4x, 6x or 8x. Also anamorphic Gestal direction of the imaging optics is possible, in which the reduction factor in the xz-dimension is different than in the yz-dimension.
  • the reticle 7 is illuminated with EUV radiation 14 such that, as described, a main beam of the EUV radiation 14 un ter an incidence angle CRA of at most 6 °, in particular at most 3 °, in particular at most 1 °, in particular 0 ° meets the reticle 7.
  • the angle of incidence CRA of the main beam is smaller than the object-side numerical aperture (NAO), CRA ⁇ arcsin (NAO).
  • the light-sensitive layer exposed to the illumination light is developed on the wafer 12.

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Abstract

Eine abbildende Optik (9) für die EUV-Mikrolithographie hat eine Mehrzahl von Spiegeln (M1l bis M7), die Abbildungslicht (14) zwischen einem Objektfeld (5) und einem Bildfeld (10) führen. Bei einem ersten Aspekt der abbildenden Optik ist mindestens einer der Spiegel (M2, M3, M5) als Spiegel für streifenden Einfall ausgeführt. Ein erster Spiegel (M1) ist in einem Objektebenen- Spiegelhalbraum (20) angeordnet. Ein letzter Spiegel (M7) ist in einem Bildebenen-Spiegelhalbraum angeordnet. Beide Halbräume (20, 21) öffnen sich jeweils in eine Spiegel-Halbraumrichtung (z), die vorgegeben ist durch die Richtung einer von der jeweiligen Feldebene (6, 11) ausgehenden Normalen, die in den jeweiligen Spiegelhalbraum (20, 21) hinein verläuft. Zwischen der Objektebenen-Spiegelhalbraum-Richtung (z) und der Bildebenen-Spiegelhalbraum-Richtung (z) liegt ein Halbraum-Richtungswinkel vor, der kleiner ist als 30°. Bei einem zweiten Aspekt verläuft ein Abbildungslicht-Teilstrahl zwischen dem Objektfeld und dem ersten Spiegel im Abbildungslicht- Strahlengang und einem Winkel zu einer Normalen auf die Objektebene der kleiner ist 3°. Es resultieren bei beiden Aspekten abbildende Optiken, mit denen ein optisches System für die EUV- Mikrolithographie mit möglichst hohem EUV-Durchsatz bei gleichzeitig hoher Abbildungsqualität ausgerüstet werden kann.

Description

Abbildende Optik für die EUV-Mikrolithographie
Die vorliegende Patentanmeldung nimmt die Priorität der deutschen Pa- tentanmeldung DE 10 2018 201 170.2 in Anspruch, deren Inhalt durch Be- zugnahme hierin aufgenommen wird.
Die Erfindung betrifft eine abbildende Optik für die EUV-Mikrolitho- graphie. Ferner betrifft die Erfindung ein optisches System mit einer derar- tigen abbildenden Optik, eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem der- artigen optischen System, ein Verfahren zur Herstellung eines mikro- oder nano strukturierten Bauteils mit einer derartigen Projektionsbelichtungsan- lage sowie ein mit diesem Verfahren hergestelltes mikro- bzw. nanostruk- turiertes Bauteil.
Eine abbildende Optik für die EUV-Mikrolithographie ist bekannt bei- spielsweise aus der WO 2016/166 080 Al, aus der DE 10 2011 076 752 Al, aus der US 6,081,578, aus der US 5,353,322 sowie aus der US
9,678,439 B2.
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine abbildende Optik bereitzustellen, mit der ein optisches System für die EUV-Mikrolitho- graphie mit möglichst hohem EUV-Durchsatz bei gleichzeitig hoher Ab- bildungsqualität ausgerüstet werden kann.
Diese Aufgabe ist erfmdungsgemäß gelöst einerseits durch eine abbildende Optik mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen und andererseits durch eine abbildende Optik mit den im Anspruch 2 angegebenen Merkma- len. Erfmdungsgemäß wurde erkannt, dass eine abbildende Optik, bei der sich ein Objektebenen- Spiegelhalbraum in im Wesentlichen der gleichen Rich- tung öffnet wie ein Bildebenen-Spiegelhalbraum, derart auslegen und mit einer das Objektfeld beleuchtenden Beleuchtungsoptik kombinieren lassen kann, dass eine Führung von EUV-Beleuchtungs- und Abbildungslicht mit hohem Durchsatz bei gleichzeitig guter Abbildungsqualität der abbildenden Optik erzielt werden kann. Bei montierter abbildender Optik können sich die Halbräume nach oben oder alternativ nach unten öffnen. Die abbilden- de Optik kann zur Abbildung eines reflektierenden Objekts ausgeführt sein.
Die angegebene Bedingung des Halbraum-Richtungswinkels zwischen den Spiegel-Halbraumrichtungen der Objektebene einerseits und der Bildebene andererseits kleiner als 30° führt zu einer relativen Lage des Objektfeldes einerseits und des Bildfeldes andererseits, bei der das Abbildungslicht vom Objektfeld aus in eine Richtung hin zum ersten Spiegel abgestrahlt wird und dann vom letzten Spiegel in im Wesentlichen die Gegenrichtung zum Bildfeld reflektiert wird. Das Objektfeld einerseits und das Bildfeld ande- rerseits liegen in Bezug auf eine Anordnung der Spiegel der abbildenden Optik also nicht einander gegenüber, sondern sind im Verhältnis zu den Spiegeln der abbildenden Optik im Wesentlichen in der gleichen Richtung liegend angeordnet.
Bei abbildenden Optiken des Standes der Technik, beispielsweise bei einer abbildenden Optik nach Figur 2 der WO 2016/166 080 Al, öffnet sich der Objektebenen- Spiegelhalb raum in in dieser Figur 2 negativer z-Richtung und der Bildebenen-Spiegelhalbraum öffnet sich in in dieser Figur 2 positi- ver z-Richtung, so dass zwischen den beiden Halbraumrichtungen ein Halbraum-Richtungswinkel von exakt 180° vorliegt. Bei der abbildenden Optik nach Anspruch 1 wird durch die Ausführung mindestens eines Spiegels als Spiegel für streifenden Einfall die Möglich- keit geschaffen, die abbildende Optik mit geringen Lichtverlusten aufgrund der höheren Reflektivität des mindestens einen GI-Spiegels bereitzustellen.
Zudem ermöglicht es der GI-Spiegel, einen Abbildungslicht- Strahlengang derart auszulegen, dass das Objektfeld und das Bildfeld der abbildenden Optik räumlich voneinander ausreichend getrennt vorliegen. Die abbilden- de Optik kann mehr als einen GI-Spiegel und beispielsweise zwei GI-Spie- gel, drei GI-Spiegel, vier GI-Spiegel, fünf GI-Spiegel, sechs GI-Spiegel oder noch mehr GI-Spiegel aufweisen.
Der Halbraum-Richtungswinkel zwischen der Objektebenen- Spiegel- Halbraumrichtung und der Bildebenen-Spiegel-Halbraumrichtung kann höchstens 20°, kann höchstens 10° betragen, kann höchstens 5° betragen und kann insbesondere exakt gleich 0 sein.
Eine Beleuchtungsoptik für eine derartige abbildende Optik kann mit we nigen Spiegeln auskommen, da durch eine entsprechende Konstruktion der Lichtquelle bedingt eine ungeradzahlige Anzahl der Spiegel der Beleuch- tungsoptik, insbesondere genau drei Spiegel, bevorzugt ist.
Eine abbildende Optik nach Anspruch 2 lässt sich insbesondere mit im We- sentlichen senkrechten Abbildungslicht- Strahlengang hin zum Objektfeld und ausgehend vom Objektfeld realisieren, also mit senkrechter Beleuch- tung des Objektfeldes, so dass der Winkel zur Normalen auf die Objekt- ebene genau 0° beträgt. Eine Beleuchtung des Objektfeldes mit entspre- chend kleinem Einfallswinkel kleiner als 3° ermöglicht auch bei reflektie- rendem Objekts eine hohe bildseitige numerische Apertur mit einem abso- luten Abbildungs-/V erkleinerungsmaßstab, der beispielsweise höchstens 8x beträgt.
Bei einer Ausführung der abbildenden Optik nach Anspruch 3 ist der Halb- raum-Richtungswinkel exakt 0. Die Objektebene kann mit der Bildebene zusammenfallen.
Ein räumlicher Abstand zwischen dem Objektfeld und dem Bildfeld nach Anspruch 4 ermöglicht eine Unterbringung von auch anspruchsvollen An- forderungen genügenden Komponenten zur Konditionierung eines im Ob- jektfeld anzuordnenden Objektes, beispielsweise eines Retikels, und eines im Bildfeld anzuordnenden Objekts, beispielsweise eines Substrats, insbe- sondere eines Wafers. Zu derartigen Konditionierungskomponenten kön- nen Halte- und/oder Verlagerungs- und/oder Klimatisierungs- und/oder Vakuumkomponenten gehören. Der Abstand zwischen dem Objektfeld und dem Bildfeld kann größer sein als 450 mm, kann größer sein als 500 mm und kann noch größer sein.
Ein Kreuzungsverlauf des Abbildungslicht- Strahlengangs nach den An- sprüchen 5 bis 9 ermöglicht eine kompakte Spiegelanordnung der abbil- denden Optik.
Eine bildseitige numerische Apertur nach Anspruch 10 ermöglicht eine hohe Auflösung der abbildenden Optik. Die bildseitige numerische Apertur kann größer sein als 0,7 und kann auch größer sein 0,75.
Ein optisches System nach Anspruch 11 hat Vorteile, die denjenigen ent- sprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die abbildende Optik be- reits erläutert wurden. Soweit eine abbildende Optik mit kleinem Winkel des vom ersten Spiegel ausgehenden Abbildungs-Teilstrahls zur Objekt- ebenen-Normalen, also mit kleinem oder sogar senkrechtem Ausfallswin- kel des Abbildungslichts vom Objektfeld zum Einsatz kommt, kann eine Führung des Beleuchtungs- bzw. Abbildungslichts im Bereich des Objekt- feldes mit optischen Komponenten erfolgen, deren prinzipieller Aufbau bekannt ist aus der US 9,678,439 B2.
Ein optisches System nach Anspruch 12 ermöglicht einen hohen Durchsatz des EUV-Beleuchtungs- bzw. Abbildungslichtes.
Die Vorteile einer Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 13, eines Herstellungsverfahrens nach Anspruch 14 sowie eines mikro- bzw. nano- strukturierten Bauteils nach Anspruch 15 entsprechen denen, die vorste- hend unter Bezugnahme auf die abbildende Optik und das optische System bereits erläutert wurden. Hergestellt werden kann insbesondere ein Halb- leiterchip, beispielsweise ein Speicherchip.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. In dieser zeigen:
Fig. 1 stark schematisch einen Strahlengang von Beleuchtungs- und Ab- bildungslicht in einer Projektionsbelichtungsanlage, deren Kompo- nenten in diesem Strahlengang zwischen einer EUV-Lichtquelle und einem Wafer als zu strukturierendem Substrat jeweils ange- deutet sind;
Fig. 2 in einem Meridionalschnitt einen Strahlengang für das Abbildungs- und Beleuchtungslicht innerhalb einer weiteren Ausführung einer Projektionsbelichtungsanlage, beginnend mit einem Kollektor für von einer EUV-Lichtquelle ausgehenden Beleuchtungslicht, wie- derum bis hin zu einem Wafer;
Fig. 3 in einer zu Fig. 2 ähnlichen Darstellung eine weitere Ausführung einer Projektionsbelichtungsanlage, die im Unterschied zur Aus- führung nach Fig. 2 eine abzubildende Maske nicht senkrecht, son- dern schräg, also mit einem von 0 verschiedenen Einfallswinkel beleuchtet;
Fig. 4 schematisch in einem Meridionalschnitt einen Strahlengang für Abbildungslicht innerhalb einer weiteren Ausführung einer abbil- denden Optik, die anstelle der dort dargestellten abbildenden Opti- ken in den Projektionsbelichtungsanlagen nach den Fig. 1 bis 3 zum Einsatz kommen kann.
Fig. 1 zeigt schematisch in einem Meridionalschnitt die Komponenten ei- ner Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikrolithographie. Diesbezüg- lich sei auf die DE 10 2010 041 623 Al und die DE 10 2011 086 345.1 verwiesen, die hiermit vollständig Bestandteil der vorliegenden Anmel- dung sind. Ein Beleuchtungssystem 2 der Projektionsbelichtungsanlage 1 umfasst neben einer EUV-Ficht- bzw. Strahlungsquelle 3 eine Beleuch- tungsoptik 4 zur Belichtung eines Objektfeldes 5 in einer Objektebene 6. Belichtet wird hierbei ein im Objektfeld 5 angeordnetes Retikel 7, das auch als Maske bezeichnet ist und von einem lediglich ausschnittsweise darge- stellten Retikelhalter 8 gehalten ist, der über einen Retikelverlagerungsan- trieb 8a insbesondere parallel zur Objektebene 6 angetrieben verlagerbar ist. Das Retikel 7 ist als reflektierendes Retikel ausgeführt. Eine Projektionsoptik 9 dient zur Abbildung des Objektfeldes 5 in ein Bild- feld 10 in einer Bildebene 1 1. Die Bildebene 1 1 fällt mit der Objektebene 6 zusammen. Ein räumlicher Abstand A zwischen dem Objektfeld 5 und dem Bildfeld 10 ist größer als 400 mm.
Abgebildet wird eine Struktur auf dem Retikel 7 auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 10 in der Bildebene 1 1 angeordne- ten Wafers 12, der von einem ebenfalls schematisch dargestellten Wafer- halter 13 gehalten ist. Letzter ist parallel zur Bildebene 1 1 angetrieben ver- lagerbar, in diesem Fall über einen Waferverlagerungsantrieb l3a.
Bei der Strahlungsquelle 3 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle, welche EUV-Strahlung 14 emittiert. Die Wellenlänge der emittierten Nutz- strahlung der EUV-Strahlungsquelle 3 hegt im Bereich von 5 nm bis 30 nm. Auch andere Wellenlängen, die in der Lithographie Verwendung fin den, und für die geeignete Lichtquellen zur Verfügung stehen, sind mög- lich, bei der Strahlungsquelle 3 kann es sich um eine Plasmaquelle, bei- spielsweise um eine DPP-Quelle oder um eine LPP-Quelle, handeln. Auch eine Strahlungsquelle, die auf einem Synchrotron basiert, ist als Strah- lungsquelle 3 einsetzbar. Informationen zu einer derartigen Strahlungsquel- le findet der Fachmann beispielsweise in der US 6,859,515 B2. Zur Bünde - lung der EUV-Strahlung 14 von der EUV-Strahlungsquelle 3 ist ein in der Fig. 1 nicht dargestellter Kollektor vorgesehen.
Die EUV-Strahlung 14 wird auch als Beleuchtungslicht bzw. -Strahlung und als Abbildungslicht bezeichnet.
Die Beleuchtungsoptik 4 umfasst einen Feldfacettenspiegel 16 mit einer Vielzahl von nicht dargestellten Feldfacetten. Der Feldfacettenspiegel 16 ist in einer Ebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet, die zur Objektebene 6 optisch konjugiert ist. Vom Feldfacettenspiegel 16 wird die EUV-Strah- lung 14 zu einem Pupillenfacettenspiegel 18 der Beleuchtungsoptik 4 re- flektiert. Der Pupillenfacettenspiegel 18 weist eine Vielzahl von ebenfalls nicht dargestellten Pupillenfacetten auf. Mit Hilfe des Pupillenfacetten- spiegels 18 werden die Feldfacetten des Feldfacettenspiegels 16 einander überlagernd in das Objektfeld 5 abgebildet.
Zu jeder Feldfacette auf dem Feldfacettenspiegel 16 gibt es mindestens eine zugehörige Pupillenfacette auf dem Pupillenfacettenspiegel 18. Zwi- schen je einer Feldfacette und je einer Pupillenfacette wird ein Fichtkanal oder Strahlungskanal ausgebildet. Die Facetten mindestens eines der Facet- tenspiegel 16, 18 können schaltbar ausgebildet sein. Sie können insbeson- dere verkippbar auf dem Facettenspiegel 16, 18 angeordnet sein. Hierbei ist es möglich, nicht alle Facetten, sondern nur einen Teil, beispielsweise höchstens 30 %, höchstens 50 % oder höchstens 70 % der Facetten ver- kippbar auszubilden. Es kann auch vorgesehen sein, sämtliche Facetten verkippbar auszubilden. Bei den schaltbaren Facetten handelt es sich insbe- sondere um die Feldfacetten. Durch eine Verkippung der Feldfacetten kann die Zuordnung derselben zu den jeweiligen Pupillenfacetten und damit die Ausbildung der Fichtkanäle variiert werden. Eine bestimmte Zuordnung der Feldfacetten zu den jeweiligen Pupillenfacetten wird auch als Beleuch- tungssetting bezeichnet. Für weitere Details der Facettenspiegel 16, 18 mit verkippbaren Facetten sei auf die DE 10 2008 009 600 Al verwiesen.
Für weitere Details der Beleuchtungsoptik 4 sei ebenfalls auf die
DE 10 2008 009 600 Al verwiesen, die verschiedene Ausführungen einer derartigen Beleuchtungsoptik beschreibt. Die Beleuchtungsoptik 4 kann so ausgeführt sein, dass sie nach der EUV- Lichtquelle 3 bzw. nach einem dieser nachgeordneten Zwischenfokus nicht mehr als drei Spiegel aufweist, die das Abbildungslicht 14 nacheinander reflektieren. Im Ausführungsbeispiel nach Fig. 1 sind dies die Spiegel 16, 18 sowie ein im Beleuchtungsstrahlengang zwischen dem Pupillenfacetten- spiegel 18 und dem Objektfeld 5 angeordneter Kondensor 19.
Zur Erleichterung der Beschreibung von Lagebeziehungen wird nachfol- gend ein kartesisches xyz-Koordinatensystem verwendet. Die x-Richtung steht in der Fig. 1 senkrecht auf der Zeichenebene und verläuft aus dieser heraus, also auf den Betrachter zu. Die y-Richtung verläuft in der Fig. 1 nach rechts. Die z-Richtung verläuft in der Fig. 1 nach oben. Die Objekt- ebene 6 und die Bildebene 11 liegen parallel in der xy-Ebene. Die reflektie- renden bzw. bündelführenden Komponenten aller optischen Komponenten der Beleuchtungsoptik 4 und der Projektionsoptik 9 liegen oberhalb der Objektebene 6 und der Bildebene 11, also in Richtung positiver z-Koor- dinaten.
Als Maß für einen Abstand A zwischen dem Objektfeld 5 und dem Bild- feld 10 kann auch ein Objekt-Bild- Versatz d0is herangezogen werden, der den Abstand zwischen den Projektionen eines zentralen Objektfeldpunktes und eines zentralen Bildfeldpunktes auf die xy-Ebene wiedergibt. Dieser Objekt-Bild-Versatz d0is ist beispielsweise in der Fig. 2 eingezeichnet. Der Retikelhalter 8 ist über den Retikelverlagerungsantrieb 8a gesteuert so verlagerbar, dass bei der Projektionsbelichtung das Retikel 7 in einer Ver- lagerungsrichtung parallel zur y-Richtung in der Objektebene 6 verlagert werden kann. Entsprechend ist der Waferhalter 13 über den Waferverlage- rungsantrieb 13a gesteuert so verlagerbar, dass der Wafer 12 in einer Ver- lagerungsrichtung in der Bildebene 11 verlagerbar ist. Hierdurch können das Retikel 7 und der Wafer 12 einerseits durch das Objektfeld 5 und ande- rerseits das Bildfeld 10 gescannt werden. Die Verlagerungsrichtung y wird auch als Scan-Richtung bezeichnet. Die Verschiebung des Retikels 7 und des Wafers 12 in Scan-Richtung kann vorzugsweise synchron zueinander erfolgen.
Die Projektionsoptik 9 umfasst eine Mehrzahl von Projektionsspiegeln Ml bis M7. Die Projektionsoptik 9 kann auch eine andere Anzahl von Projek- tionsspiegel Mi aufweisen und umfasst insbesondere mindestens drei, ins- besondere mindestens fünf Projektionsspiegel Ml bis M5. Sie kann insbe- sondere mindestens sechs, sieben oder acht Projektionsspiegel Ml bis M8 aufweisen. Die Spiegel Ml bis M7 der Projektionsoptik 9 bilden das Objektfeld 5 in das Bildfeld 10 ab und führen das Abbildungslicht 14 längs eines Abbil- dungs- Strahlengangs in der Reihenfolge ihrer Nummerierung in der Fig. 1.
Die Spiegel Ml, M4, M6 und M7 sind als Spiegel mit steilem Einfallswin- kel (normal incidence- Spiegel, NI- Spiegel) ausgeführt, wobei ein Einfalls- winkel eines Hauptstrahls eines zentralen Feldpunktes im Abbildungsstrah- lengang auf diesen Nl-Spiegel kleiner ist als 45°. Insgesamt hat die Projek- tionsoptik 9 also vier derartige Nl-Spiegel. Auch eine andere Anzahl von Nl-Spiegeln ist möglich, z.B. zwei Nl-Spiegel, drei Nl-Spiegel, fünf NI- Spiegel oder eine noch größere Anzahl von Nl-Spiegeln. Der Einfallswin- kel kann insbesondere kleiner sein als 30°.
Eine bildseitige numerische Apertur, die durch den letzten Spiegel M7 im Strahlengang der Projektionsoptik 9 vorgegeben ist, ist in der Fig. 1 nicht maßstabsgetreu wiedergegeben und ist deutlich größer als in der Fig. 1 dargestellt. Diese bildseitige numerische Apertur kann mindestens 0,4 be- tragen und kann noch größer sein und kann beispielsweise mindestens 0,5, mindestens 0,55 oder auch mindestens 0,6 betragen.
Die Spiegel M2, M3, M5 der Projektionsoptik 9 sind als Spiegel für strei- fenden Einfall (grazing incidence-Spiegel, GI-Spiegel) ausgeführt. Ein Ein- fallswinkel des Hauptstrahl des zentralen Feldpunktes im Abbildungsstrah- lengang ist bei diesen Gl-Spiegeln größer als 45° und kann insbesondere größer sein als 60°. Die Projektionsoptik 9 hat also insgesamt drei GI- Spiegel. Die Projektionsoptik 9 kann auch eine andere Anzahl von GI- Spiegeln aufweisen, beispielsweise einen GI-Spiegel, zwei GI-Spiegel, vier GI-Spiegel, fünf GI-Spiegel, sechs GI-Spiegel oder eine noch größere An- zahl von Gl- Spiegeln.
Anstelle des Spiegels M5 kann auch ein Spiegelpaar mit zwei Gl-Spiegeln M5a, M5b eingesetzt werden (vgl. auch die Ausführungen nach den Fig. 2 und 3).
Der erste Spiegel Ml im Abbildungslicht- Strahlengang der Projektionsop- tik 9 ist in Bezug auf die Objektebene 6 in einem Objektebenen- Spiegel- halbraum 20 angeordnet. Der Objektebenen- Spiegelhalbraum 20 belegt also den Raum positiver z-Koordinaten des xyz-Koordinatensystems in der Fig. 1.
Der letzte Spiegel M7 der Projektionsoptik 9 ist im Abbildungslicht- Strahlengang in Bezug auf die Bildebene 11 in einem Bildebenen- Spiegelhalbraum 21 angeordnet, der, da die Objektebene 6 mit der Bild- ebene 11 zusammenfällt und der Spiegel M7 auf der gleichen Seite der Ob- jektebene 6 und der Bildebene 11 angeordnet ist wie der Spiegel Ml, mit dem Objektebenen-Halbraum 20 bei der Ausführung der Projektionsbelich- tungsanlage 1 nach Fig. 1 identisch ist.
Eine Objektebenen- Spiegel-Halb raumrichtung, in die sich der Objektebe- nen-Spiegelhalbraum 20 öffnet, ist vorgegeben durch die die Richtung ei- ner von der Objektebene 6 ausgehenden Normalen auf die Objektebene, die in den Objektebenen- Spiegelhalbraum 20 hinein verläuft. Beim Ausfüh- rungsbeispiel nach Fig. 1 verläuft diese Normale in der z-Richtung, die somit die Objektebenen- Spiegelhalbraumrichtung vorgibt. Entsprechend öffnet sich der Bildebenen-Spiegelhalbraum 21 in eine Beleuchtungsebe- nen-Spiegelhalbraumrichtung, die vorgegeben ist durch die Richtung einer von der Bildebene 11 ausgehenden Normalen auf die Bildebene, die in den Bildebenen-Spiegel-Halbraum 21 hinein verläuft. Aufgrund der Tatsache, dass die Objektebene 6 und die Bildebene 11 bei der Ausführung nach Fig.
1 zusammenfallen, wird die Bildebenen-Spiegelhalbraumrichtung wiede - rum vorgegeben durch die Richtung der z- Achse.
Die Objektebenen- Spiegel-Halbraumrichtung und die Bildebenen-Spiegel- Halbraumrichtung schließen zueinander einen Halbraum-Richtungswinkel ein, der kleiner ist als 30°. Beim Ausführungsbeispiel nach Fig. 1 ist dieser Halbraum-Richtungswinkel exakt 0, da die Objektebenen- Spiegel-Halb- raumrichtung und die Bildebenen- Spiegel-Halbraumrichtung beide exakt in der z-Richtung verlaufen.
Aufgrund der Tatsache, dass sich beide Spiegelhalbräume 20, 21 entweder genau in die gleiche Richtung oder in Richtungen öffnen, die einen Winkel zueinander haben, der kleiner ist als 30° ergibt sich, dass aus Sicht der Maske 7 und/oder aus Sicht des Wafers 12 die optischen Komponenten der Beleuchtungsoptik 4 und der Projektionsoptik 9 entweder alle oder zum Großteil auf der gleichen Seite der Objektebene 6 und der Bildebene 11 angeordnet sind. Anders als bei vielen Ausgestaltungen von Projektionsop- tiken im Stand der Technik liegen die Komponenten der Projektionsoptik 9, also die Spiegel Mi, nicht zwischen der Objektebene 6 und der Bildebe- ne 11.
Bei montierter Projektionsoptik 9 öffnen sich beide Halbräume 20, 21 nach oben. Alternativ ist es möglich, das optische System mit der Beleuchtungs- optik 4 und der Projektionsoptik 9 so zu montieren, dass sich beide Halb- räume 20, 21 nach unten öffnen, so dass dieses optische System dann im Vergleich zur Anordnung nach Fig. 1 auf dem Kopf stehend montiert ist.
Bei der Projektionsoptik 9 nach Fig. 1 verläuft der durchgezogene Abbil- dungslicht- Strahlengang derart, dass ein Abbildungslicht-Teilstrahl 22 zwi- schen dem letzten Spiegel M7 im Abbildungslicht-Strahlengang und dem Bildfeld 10 mindestens zwei weitere Kreuzungs-Abbildungslicht-Teilstrah- len zwischen dem ersten Spiegel Ml im Abbildungslicht- Strahlengang und dem vorletzten Spiegel M6 im Abbildungslicht-Strahlengang kreuzt.
Beim gemäß Fig. 1 durchgezogen dargestellten Abbildungslicht-Strahlen- gang der Produktionsoptik 9 kreuzt der Abbildungslicht-Teilstrahl 22 ei- nerseits einen Kreuzungs- Abbildungslicht-Teilstrahl 23 zwischen dem zweiten Spiegel M2 und dem dritten Spiegel M3 im Abbildungslicht- Strahlengang, also zwischen einem sechstletzten und fünftletzten Spiegel im Abbildungslicht- Strahlengang, und andererseits einen Kreuzungs- Abbildungslicht-Teilstrahl 24 zwischen dem Spiegel M5 und dem Spiegel M6, also zwischen einem drittletzten und einem vorletzten Spiegel im Ab- bildungslicht-Strahlengang. Ein Kreuzungspunkt Kl zwischen den Abbil- dungslicht-Teilstrahlen 22 und 23 liegt näher an der Bildebene 11 als ein Kreuzungspunkt K2 zwischen den Abbildungslicht-Teilstrahlen 22 und 24. Im Abbildungslicht- Strahlengang wird nach Reflektion des Abbildungs- lichts 14 am Spiegel M7 also zunächst der Kreuzungspunkt K2 und dann der Kreuzungspunkt Kl durchlaufen, bevor das Abbildungslicht 14 im Ob- jektfeld 10 auf den Wafer 12 trifft.
Gestrichelt ist in der Fig. 1 eine Variante der Projektionsoptik 9 mit in po- sitiver y-Richtung verlagertem letztem Spiegel M7 angedeutet. Es ergibt sich ein entsprechend verlagerter Abbildungslicht-Strahlengang, bei dem der Abbildungslicht-Teilstrahl 22 einen Kreuzungs-Abbildungslicht-Teil- strahl 23 a zwischen dem fünftletzten Spiegel M3 und dem viertletzten Spiegel M4 im Abbildungs- Strahlengang und einen weiteren Kreuzungs- Abbildungslicht-Teilstrahl 24a zwischen dem vierletzten Spiegel M4 und dem drittletzten Spiegel M5 im Abbildungslicht-Strahlengang in Kreu- zungspunkten Kla und K2a kreuzt.
Anhand der Fig. 2 wird nachfolgend eine weitere Ausführung einer Projek- tionsbelichtungsanlage mit einem optischen System beschrieben, welches anstelle des optischen Systems nach Fig. 1 zum Einsatz kommen kann.
Komponenten und Funktionen, die denjenigen entsprechen, die vorstehend insbesondere unter Bezugnahme auf die Fig. 1 bereits erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals diskutiert. Bei der Projektionsbelichtungsanlage mit dem optischen System nach Fig. 2 hat die Beleuchtungsoptik 4 zunächst einen Kollektor 25, der das Be- leuchtungs- bzw. Abbildungslicht 14, welches von der in der Fig. 2 nicht dargestellten Lichtquelle 3 ausgeht, sammelt. Das Abbildungslicht 14 durchläuft nach Reflektion am Kollektor 25 zunächst einen Zwischenfokus 26 und trifft anschließend auf den Feldfacettenspiegel 16.
Beim optischen System nach Fig. 2 stellt der Pupillenfacettenspiegel 18 der Beleuchtungsoptik 4 gleichzeitig den Spiegel M2 einer Projektionsoptik 27 dar, die anstelle der Projektionsoptik 9 zum Einsatz kommt. Ein derartiges Konzept des optischen Systems, bei dem der Pupillenfacettenspiegel gleichzeitig den zweiten Spiegel der Projektionsoptik darstellt, ist bekannt aus der US 9,678,439 B2.
Hierüber lässt sich, wie in der US 9,678,439 B2 beschrieben, ein Einfalls- winkel CRA (chief ray angle) eines Hauptstrahls eines zentralen Feldpunk- tes der EUV-Strahlung 14 von 0°, also eine senkrechte Beleuchtung des Objektfeldes 5 und damit des Retikels 7, gewährleisten.
Nach Reflexion am Pupillenfacettenspiegel 18 wird das Beleuchtungs- bzw. Abbildungslicht 14 über den Spiegel Ml der Projektionsoptik 27 hin zum Objektfeld 5 geführt und beaufschlagt dieses wie vorstehend beschrie- ben, mit CRA = 0°. Anschließend wird das Abbildungslicht 14 über die Spiegel Mi der Projektionsoptik 27 in der Reihenfolge ihrer Nummerierung bis hin zum Bildfeld 10 geführt. Die Projektionsoptik 27 hat insgesamt elf Spiegel Ml bis M4, M5a, M5b und M6 bis MIO. Die Spiegel Ml, M2, M9 und MIO sind als Nl-Spiegel ausgeführt. Die Spiegel M3, M4, M5a, M5b, M6, M7 und M8 sind als Gl-Spiegel ausgeführt. Der letzte, die bildgeben- de numerische Apertur vorgebende Spiegel MIO ist als obskurierter Spie- gel ausgeführt und hat eine Durchtrittsöffnung 28 für das Abbildungslicht 14 im Abbildungslicht-Teilstrahl zwischen den Spiegeln M8 und M9. Der vorletzte Spiegel M9 der Projektionsoptik 27 ist ohne Durchtrittsöffnung für das Abbildungslicht 14 ausgeführt. In Bezug auf eine xz-Ebene, die durch den zentralen Objektfeldpunkt ver- läuft, liegt der Spiegel M2 in einem der über diese xz-Ebene definierten Halbräume und die Spiegel M3 bis Ml 0 liegen im anderen Halbraum, der über diese, durch den zentralen Objektfeldpunkt verlaufenden xz-Ebene vorgegeben wird. In der Anordnung nach Fig. 2 liegt also ausschließlich der Spiegel M2 links vom Objektfeld 5 und die Spiegel M3 bis Ml 0 liegen rechts vom Objektfeld 5. Der Spiegel Ml ist im Objekt- Spiegelhalb raum 20 angeordnet. Der Spiegel M10, also der letzte Spiegel im Abbildungslicht-Strahlengang der Projekti- onsoptik 27 ist im Bildebenen-Spiegelhalbraum 21 angeordnet. Beide Spiegelhalbräume 20, 21 öffnen sich wiederum in die gleiche Richtung, nämlich in die xz-Richtung.
Die Objektebene 6 liegt parallel zur Bildebene 11 und ist zu dieser in posi- tiver z-Richtung beabstandet. Die Objektebenen-Spiegel-Halbraumrichtung und die Bildebenen-Spiegel-Halbraumrichtung verlaufen bei der Projekti- onsoptik 27 also in die gleiche Richtung. Entsprechend ist der Halbraum- Richtungswinkel wieder 0°.
Aufgrund der Beabstandung der Objektebene 6 zur Bildebene 11 liegen die Spiegel M9 und M10 nicht im Objektebenen- Spiegelhalb raum 20. Ein Abbildungslicht-Teilstrahl 29 zwischen dem Objektfeld 5 und dem ersten Spiegel Ml im Abbildungslicht- Strahlengang der Projektions optik 27 verläuft unter einem Winkel von CRA = 0° zur Normalen auf die Ob- jektebene 6. Auch andere Winkel CRA, die kleiner sind als 3°, sind mit einer Anordnung des optischen Systems nach Fig. 2 möglich. Es ist also nicht zwingend erforderlich, dass das Beleuchtungs- bzw. Abbildungslicht 14 bei der Reflexion am Objektfeld 5 in sich zurück reflektiert wird.
Ein Abstand ZE zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 11 kann mehr als 10 % eines maximalen z- Abstandes ZM zwischen Reflektionsflä- chen des optischen Systems der Projektionsbelichtungsanlage nach Fig. 2 betragen. Bei der Ausführung nach Fig. 2 wird der Abstand ZM vorgegeben durch den maximalen Abstand zwischen den Reflektionsflächen des Feld- facettenspiegels 16 einerseits und des vorletzten Spiegels M9 der Projekti- onsoptik 27 andererseits. Bei der Ausführung nach Fig. 2 beträgt das Ver- hältnis ZE etwa 50 %. Auch andere Abstandsverhältnisse ZE / ZM im Be- reich zwischen 10 % und 50 %, beispielsweise 15 %, 20 %, 25 %, 30 %,
35 %, 40 %, 45 % oder auch Abstandsverhältnisse ZE / ZM die größer sind als 50%, sind möglich.
Anhand der Fig. 3 wird nachfolgend eine weitere Ausführung eines opti- schen Systems für eine Projektionsbelichtungsanlage beschrieben, die an- stelle der Projektionsbelichtungsanlage 1 nach Fig. 1 zum Einsatz kommen kann. Komponenten und Funktionen, die denjenigen entsprechend, die vor- stehend unter Bezugnahme auf die Fig. 1 und 2 bereits erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.
Im Unterschied zum optischen System nach Fig. 2 hegt beim optischen System nach Fig. 3 ein Einfallswinkel eines Hauptstrahls eines zentralen Objektfeldpunktes auf die Objektebene 6, CRA, vor, der größer ist als 3° und der beispielsweise bei 6° hegen kann. Beim optischen System nach Fig. 3 fallen der Pupillenfacettenspiegel 18 und der Spiegel M2 nicht zusammen, sondern sind zwei voneinander sepa- rate Komponenten vergleichbar zu dem, was vorstehend im Zusammen- hang mit der Ausführung nach Fig. 1 erläutert wurde. Nach dem Pupillen- facettenspiegel 18 hat die Beleuchtungsoptik 4 des optischen Systems nach Fig. 3 im Beleuchungslicht-Strahlengang noch einen Kondensor 19 ent- sprechend der Ausführung nach Fig. 1.
Abgesehen vom anderen Hauptstrahlwinkel CRA auf die Objektebene ent- spricht eine Projektions optik 30 des optischen Systems nach Fig. 3 der Pro- jektionsoptik 27 nach Fig. 2. Dies führt dazu, dass eine Bildebene 11 zur Objektebene 6 um diesen Unterschied im Rinfallswinkel CRA verkippt ist. Die Bildebene 11 ist beim optischen System nach Fig. 3 also nicht mehr parallel zur Objektebene 6 und entsprechend nicht parallel zur xy-Ebene, zu der die Objektebene 6 parallel ist. Trotz dieser Verkippung der Bildebe- ne 11 zur Objektebene 6 liegt der erste Spiegel Ml im Objektebenen- Halbraum 20 und der letzte Spiegel MIO der Projektionsoptik 30 im Bild- ebenen- Spiegelhalbraum 21.
Eine Objektebenen- Spiegel-Halbraumrichtung, in die sich der Objektebe- nen-Spiegelhalbraum 20 öffnet, ist wiederum durch die z-Richtung vorge- geben. Eine Bildebenen-Spiegel-Halbraumrichtung, in die sich der Bild- ebenen- Spiegelhalbraum 21 öffnet, ist im Falle des optischen Systems nach Fig. 3 vorgegeben durch die Richtung einer von der Bildebene 11 ausge- henden Normalen NBE, die in den Bildebenen-Spiegelhalbraum 21 hinein verläuft. Zwischen der Objektebenen- Spiegel-Halbraumrichtung, also der z-Richtung und der Bildebenen-Spiegel-Halbraumrichtung, also der Rich- tung der Normalen NBE, liegt ein Halbraum-Richtungswinkel H vor, der beim optischen System nach Fig. 3 8° beträgt. Auch andere derartige Halb- raum-Richtungswinkel im Bereich zwischen 0° und 30° sind möglich.
Eine bildseitige numerische Apertur der Projektionsoptiken 27 bzw. 30, jeweils vorgegeben durch den letzten Spiegel M10, kann größer sein als 0,6 und kann insbesondere mindestens 0,7, mindestens 0,75 betragen oder auch noch größer sein.
Die Spiegel Ml bis Ml 0 können jeweils eine ihre Reflektivität optimieren- de Beschichtung tragen, die als Einlagen- oder als Mehrlagen-Beschich- tung ausgeführt sein kann. Eine entsprechende Mehrlagen-Beschichtung kann eine Mehrzahl von alternierenden Bilagen aus zwei unterschiedlichen Beschichtungsmaterialien, beispielsweise Molybdän und Silizium aufwei- sen. Eine Einlagen-Beschichtung kann beispielsweise als Ruthenium- Beschichtung ausgeführt sein.
Anhand der Fig. 4 wird nachfolgend eine weitere Ausführung einer abbil- denden Optik bzw. Projektionsoptik 31 beschrieben, die anstelle der Pro- jektionsoptiken 9, 27 und 30 bei den Projektionsbelichtungsanlagen nach den Fig. 1 bis 3 zum Einsatz kommen kann. Komponenten und Funktionen, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die Fig.
1 bis 3 bereits erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.
Diese Darstellung nach Fig. 4 zeigt den Verlauf von Einzelstrahlen, die von drei in der y-Richtung voneinander beabstandeten Feldpunkten ausgehen, wobei jeweils der Verlauf eines durch ein Zentrum einer Pupille der Pro- jektionsoptik 31 verlaufenden Hauptstrahls und der Verlauf zweier Rand- strahlen dargestellt ist. Auch die Projektionsoptik 31 hat elf Spiegel zur Abbildung des Objektfel- des 5 in das Bildfeld 10, die von Ml bis Ml 1 durchnummeriert sind. Wie bei der Ausführung nach Fig. 2 liegt auch bei der Projektionsoptik 31 ein Einfallswinkel CRA des Hauptstrahls des zentralen Feldpunktes des Abbildungslichts 14 von 0°, also eine senkrechte Beleuchtung des Objekt- feldes 5 und damit des Retikels 7, vor. Die Projektions optik 31 hat eine vom letzten Spiegel Ml 1 im Abbildungs- strahlengang bereitgestellte bildseitige nummerische Apertur von 0,55. Die Projektions optik 31 ist ausgelegt auf eine Designwellenlänge für das Ab- bildungslicht 14 von 13,5 nm. Das Bildfeld hat eine Erstreckung in x- Richtung von 26 mm und in y-Richtung von 1,2 mm. Das Bildfeld 10 ist plan, also ohne Feldkrümmung.
Die abbildende Optik 31 hat einen Verkleinerungsfaktor von 4x.
Ein Wellenfrontfehler (rms) liegt bei 15 mk. Die abbildende Optik 31 ist sowohl objektseitig als auch bildseitig telezentrisch.
Eine sowohl die randseitige Aperturbegrenzung als auch eine Obskuration aufgrund der Durchtrittsöffnung 28 in einer Pupillenebene definierende Blende, die also gleichzeitig als Aperturblende und als Ob skurationsb lende dient, liegt direkt auf dem zweiten Spiegel M2 im Abbildungsstrahlengang des Abbildungslichts 14.
Die Spiegel Ml bis Ml 1 sind als nicht durch eine rotationssymmetrische Funktion beschreibbare Freiformflächen ausgeführt. Es sind auch andere Ausführungen der Projektionsoptik 7 möglich, bei denen mindestens einer der Spiegel Ml bis Ml 1 als rotationssymmetrische Asphäre ausgeführt ist. Eine Asphärengleichung für eine solche rotationssymmetrische Asphäre ist bekannt aus der DE 10 2010 029 050 Al . Auch alle Spiegel Ml bis Ml 1 können als derartige Asphären ausgeführt sein.
Eine Freiformfläche kann durch folgende Freiformflächengleichung (Glei- chung 1) beschrieben werden:
Figure imgf000023_0001
+ Cjx + C2y
+ C3x2 + C4xy + C5y2
+ C6x3 + ... + C9y3
+ C10x4 + ... + C12x2y2 + ... + C14y4
+ C15x5 + ... + C20y5
+ C21 X 6 + ... + C24x3y3 + ... + C27y6
+ ...
(1)
Für die Parameter dieser Gleichung (1) gilt:
Z ist die Pfeilhöhe der Freiformfläche am Punkt x, y, wobei x2 + y2 = r2. r ist hierbei der Abstand zur Referenzachse der Freiformflächengleichung
(x = 0; y = 0).
In der Freiformflächengleichung (1) bezeichnen Ci, C2, C3... die Koeffi- zienten der Freiformflächen-Reihenentwicklung in den Potenzen von x und y. Im Falle einer konischen Grundfläche ist cx, cy eine Konstante, die der Scheitelpunktkrümmung einer entsprechenden Asphäre entspricht. Es gilt also cx = l/Rx und cy = l/Ry. kx und ky entsprechen jeweils einer konischen Konstante einer entsprechenden Asphäre. Die Gleichung (1) beschreibt also eine bikonische Freiformfläche.
Eine alternativ mögliche Freiformfläche kann aus einer rotationssymmetri- schen Referenzfläche erzeugt werden. Derartige Freiformflächen für Re- flexionsflächen der Spiegel von Projektionsoptiken von Projektionsbelich- tungsanlagen für die Mikro lithographie sind bekannt aus der
US 2007-0058269 Al .
Alternativ können Freiformflächen auch mit Hilfe zweidimensionaler Spli- ne-Oberflächen beschrieben werden. Beispiele hierfür sind Bezier-Kurven oder nicht-uniforme rationale Basis-Splines (non-uniform rational basis splines, NURBS). Zweidimensionale Spline-Oberflächen können beispiels- weise durch ein Netz von Punkten in einer xy- Ebene und zugehörige z- Werte oder durch diese Punkte und ihnen zugehörige Steigungen beschrie- ben werden. Abhängig vom jeweiligen Typ der Spline-Oberfläche wird die vollständige Oberfläche durch Interpolation zwischen den Netzpunkten unter Verwendung zum Beispiel von Polynomen oder Funktionen, die be- stimmte Eigenschaften hinsichtlich ihrer Kontinuität und Differenzierbar- keit haben, gewonnen. Beispiele hierfür sind analytische Funktionen.
Die optischen Designdaten der Reflexionsflächen der Spiegel Ml bis Ml 1 der Projektionsoptik 31 können den nachfolgenden Tabellen entnommen werden. Diese optischen Designdaten gehen jeweils von der Bildebene 11 aus, beschreiben die jeweilige Projektionsoptik also in umgekehrter Lauf- richtung des Abbildungslichts 14 zwischen der Bildebene 11 und der Ob- jektebene 6.
Die erste dieser Tabellen gibt einen Überblick über die Designdaten der Projektionsoptik 31 und fasst zusammen die numerische Apertur NA, die gerechnete Designwehenlänge für das Abbildungslicht 14, die Größen des Bildfeldes 10 in x- und y-Richtung und eine Bildfeldkrümmung. Diese Krümmung ist definiert als der inverse Krümmungsradius des Feldes.
Die zweite dieser Tabellen gibt zu den optischen Oberflächen der optischen Komponenten Scheitelpunktsradien (Radius x = Rx, Radius y = Ry) und Brechkraftwerte (Power_x, Power_y) an. Negative Radienwerte bedeuten zum einfallenden Beleuchtungslicht 14 hin konkave Kurven im Schnitt der jeweiligen Oberfläche mit der betrachteten Ebene (xz, yz), die von einer Flächennormalen im Scheitelpunkt mit der jeweiligen Krümmungsrichtung (x, y) aufgespannt wird. Die beiden Radien Radius x, Radiux y können explizit verschiedene Vorzeichen haben.
Die Scheitelpunkte an jeder optischen Fläche sind definiert als Auftreff punkte eines Führungsstrahls, der von einer Objektfeldmitte entlang einer Symmetrieebene x=0, also der Zeichenebene der Fig. 4 (Meridionalebene) hin zum Bildfeld 11 geht.
Die Brechkräfte Power x (Px), Power y (Py) an den Scheitelpunkten sind definiert als:
2 cos AOI
P
R
Figure imgf000026_0001
AOI bezeichnet hierbei einen Rinfallswinkel des Führungsstrahls zur Ober- flä eben normalen.
Die dritte Tabelle gibt für die Spiegel Ml bis Ml 1 in mm die konischen
Konstanten kx und ky, den Scheitelpunktradius Rx (= Radius x) und die
Freiformflächen-Koeffizienten Cn an. Koeffizienten Cn, die nicht tabelliert sind, haben jeweils den Wert 0.
In der vierten Tabelle ist noch der Betrag angegeben, längs dem der jewei- lige Spiegel, ausgehend von einer Bezugsfläche in der y-Richtung de- zentriert (DCY), in der z-Richtung verschoben (DCZ) und verkippt (TLA, TLB, TLC) wurde. Dies entspricht einer Parallelverschiebung und einer Verkippung beim Freiformflächen-Designverfahren. Verschoben wird da- bei in y- und in z-Richtung in mm und verkippt um die x-Achse, um die y- Achse und um die z- Achse. Der Verdrehwinkel ist dabei in Grad angege- ben. Es wird zunächst dezentriert, dann verkippt. Die Bezugsfläche bei der Dezentrierung ist jeweils die erste Fläche der angegebenen optischen De- signdaten. Auch für das Objektfeld 5 ist eine Dezentrierung in y- und in z- Richtung angegeben.
Name
NA 0.55
Wellenlaenge 13.5 nm
Feldgroesse_x 26.0 mm
Feldgroesse_y 1.2 mm
Feldkruemmung 0.0 1/mm
Tabelle 1 zu Fig. 4
Oberfläche Radius_x[mm]Power_x[1/mm]Radius_y[mm]Power_y[1/mm]Betriebsmodus Oberfläche Radius_x[mm]Power_x[1/mm]Radius_y[mm]Power_y[1/mm]Betriebsmodus
M1 1 -756.9467624 0.0026233 -693.9682345 0.0029027 REFL
M10 1026.55461 15 -0.0019482 378.2678915 -0.0052873 REFL
M9 2988.9044714 -0.0001005 18635.1528610 -0.0007147 REFL M8 335314.5538635 -0.000001 1 -5468.1379836 0.0020516 REFL M7 -1336.4567198 0.0003589 -1555.2553836 0.0053621 REFL M6 -1 132.7932542 0.0002988 -3891.7536502 0.0030367 REFL M5 -1521.8444738 0.0002745 -7352.7144952 0.0013021 REFL M4 -1262.4278499 0.0003293 15656.0241412 -0.0006146 REFL M3 -2908.2841528 0.0000959 2743.1099063 -0.0052288 REFL M2 2396.7576153 -0.0008157 -3041.0477740 0.0006728 REFL M1 -1467.1820756 0.0013429 -1439.7941565 0.0014101 REFL Tabelle 2 zu Fig. 4
Koeffizient M11 M10 M9
KY 0.00000000 0.00000000 0.00000000
KX 0.00000000 0.00000000 0.00000000
RX -756.94676240 1026.55461200 2988.90447100
C2 0.00325052601 -0.0185315282 0.00456356417
C3 -1.376701 19e-06 4.75378668e-06 3.06419328e-05
C5 -1.57518394e-05 0.000528151013 -5.54249069e-05
C7 -1.75091951 e-08 1.90333931 e-06 -2.57920193e-07
C9 1.99195814e-09 4.53182799e-07 -9.73197093e-08
C10 -5.01 19741 1 e-1 1 2.20490738e-09 4.14663974e-10
C12 -1.04478485e-10 1.24129006e-08 -6.4216962e-10
C14 -4.52593414e-1 1 8.21502092e-09 -4.47397877e-10
C16 -1.4502121 1 e-14 1.42670028e-1 1 -2.43720792e-13
C18 -2.51794779e-14 2.98395365e-1 1 -1.87947072e-12
C20 -9.4454907e-16 2.09430675e-1 1 -2.283886e-12
C21 -1.01685877e-16 1.5166695e-14 3.04910964e-17
C23 -3.2139507e-16 1.41485135e-13 -3.541461 17e-15
C25 -3.17696194e-16 3.48250878e-13 -7.93302631 e-15
C27 -9.34052953e-17 3.1989133e-13 -1.13750492e-14
C29 -2.94012057e-20 1.19487528e-16 -7.33923503e-18
C31 -8.77600474e-20 5.16965852e-16 -8.97270914e-18
C33 -5.91310283e-20 8.23013894e-16 -3.79644691 e-17
C35 9.07342008e-21 -4.31727504e-15 -5.42582637e-17
C36 -1.25812988e-22 1.33221946e-19 9.37626826e-20
C38 -6.31 10518e-22 1.42773592e-18 2.49994776e-19
C40 -1.03800553e-21 3.25409946e-18 8.93256098e-20
C42 -6.9665674e-22 -2.34740548e-17 -2.31082317e-19
C44 -1.52319585e-22 -3.6443614e-17 -3.07267999e-19
C46 -7.41247465e-26 2.60075491 e-21 -2.27412869e-21
C48 -2.5776936e-25 3.10297632e-20 -2.80686396e-21
C50 -3.28814059e-25 7.55851078e-20 -8.88756713e-22
C52 -4.651 15003e-26 -1.1 1343577e-19 -1.96005107e-21
C54 -4.26380734e-26 4.5402163e-19 -2.15677974e-21
C55 -1.51091067e-27 2.3405591 1 e-25 -9.50250592e-24
C57 -5.85512306e-27 5.02350906e-23 -6.81895337e-23
C59 -9.96386568e-27 6.80054963e-22 -5.26986807e-23
C61 -9.39950014e-27 3.28241758e-21 -2.579089e-23
C63 -5.23821785e-27 1.16129755e-20 -1.02924251 e-23 Koeffizient M11 M10 M9
C65 -1.31722935e-27 1.12331 127e-20 -9.17639532e-24
C67 4.64219066e-31 -6.06374021 e-26 8.91056262e-25
C69 1 26562054e-30 -1.5639977e-24 7.591 19923e-25
C71 2.23989182e-30 -1.24619289e-23 3.69945452e-25
C73 1 04489436e-30 -2.3444351 1 e-23 -1.17716995e-25
C75 -1.99572737e-31 3.01306901 e-23 1 93255754e-26
C77 2.4873769e-31 -4.46461202e-23 5.33155192e-27
C78 1.33635051 e-32 7.1741 1529e-29 -4.38405077e-28
C80 5.56174724e-32 -1.24626109e-27 8.39548784e-27
C82 1.03491225e-31 -4.4135398e-26 5.18388863e-27
C84 1.22292546e-31 -3.65306932e-25 5.931 1 1806e-27
C86 9.62696597e-32 -1.20521234e-24 6.70088164e-28
C88 4.8853026e-32 -2.8353219e-24 1.30051963e-28
C90 1.16309079e-32 -1.71491039e-24 2.08283579e-29
C92 -5.87758981 e-36 3.07508895e-30 -1.0967946e-28
C94 -2.77776905e-35 8.31388202e-29 -1.70269927e-28
C96 -7.3164304e-35 7.64977802e-28 -5.42140072e-29
C98 -9.28287506e-35 3.38686975e-27 -8.3312432e-30
C100 -4.62430682e-35 3.39524162e-27 9.90481221 e-30
C102 -1.04383225e-35 -5.48282746e-27 -5.71 166168e-30
C104 -2.79893524e-36 5.64406531 e-29 -2.64376824e-30
C105 -9.88233673e-38 -1.7261832e-33 6.99575289e-32
C107 -5.08794629e-37 5.48382198e-32 1.5891639e-32
C109 -1.16885012e-36 1.88722451 e-30 1.20914695e-31 cm -1.70919755e-36 2.01523209e-29 -3.16860944e-31
C1 13 -1.73738865e-36 9.5193564e-29 -3.24558124e-31
C1 15 -1.2082249e-36 2.27445552e-28 4.57450389e-32
C1 17 -5.14992021 e-37 4.05467803e-28 -5.98079996e-32
C1 19 -1.0250481 e-37 1.7051789e-28 -2.21025859e-32
C121 2.82155804e-41 -3.34537322e-35 4.09158956e-33
C123 1 66939974e-40 -1.27807255e-33 1.4421 1213e-32
C125 5.13968298e-40 -1.56469331 e-32 2.03104401 e-33
C127 8.52481 185e-40 -9.13627612e-32 2.71943208e-33
C129 7.17260666e-40 -2.95442743e-31 -1.54699381 e-33
C131 2.5462981 e-40 -8.73244364e-32 8.85981445e-35
C133 5.14272451 e-41 3.94754197e-31 -2.24527756e-34
C135 2.18871797e-41 2.59587986e-31 -7.02018913e-35
C136 3.66084152e-43 2.75064445e-38 2.65843646e-36
C138 2.17777701 e-42 -5.81421719e-37 -4.5388478e-35
C140 5.75483274e-42 -2.90939742e-35 -5.83356633e-35
C142 9.80558773e-42 -3.84477691 e-34 2.74536062e-36
C144 1.21920596e-41 -2.51586171 e-33 1.36182906e-35
C146 1.08176307e-41 -8.12834521 e-33 -2.66266215e-36
C148 6.7797428e-42 -1.64335803e-32 4.85417775e-38
C150 2.5294321 1 e-42 -2.40883915e-32 -3.01774391 e-37
C152 4.30867129e-43 -8.72891365e-33 -8.16121 173e-38
C154 -5.45247137e-47 0 0
C156 -3.78309875e-46 0 0
C158 -1.39610326e-45 0 0
C160 -2.99276176e-45 0 0
C162 -3.79572677e-45 0 0
C164 -2.43481356e-45 0 0 Koeffizient M11 M10 M9
C166 -6.56242603e-46 0 0
C168 -1.00931535e-46 0 0
C170 -6.38145448e-47 0 0
C171 -5.85160979e-49 0 0
C173 -4.02478586e-48 0 0
C175 -1.22756072e-47 0 0
C177 -2.41227488e-47 0 0
C179 -3.46549197e-47 0 0
C181 -3.74321532e-47 0 0
C183 -2.8991561 1 e-47 0 0
C185 -1.66375557e-47 0 0
C187 -5.461 13051 e-48 0 0
C189 -7.72825824e-49 0 0
Tabelle 3a zu Fig.
Koeffizient M8 M7 M6
KY 0.00000000 0.00000000 0.00000000
KX 0.00000000 0.00000000 0.00000000
RX 335314.55390000 -1336.45672000 -1 132.79325400
C2 -0.00934477002 -0.00319931533 -0.00924098709
C3 -5.28674539e-07 -1.76420599e-05 -5.77521025e-06
C5 0.000253783415 1.00263195e-05 -2.48058598e-05
C7 -6.82771579e-07 -1.65734802e-07 -1.00876904e-08
C9 6.31363484e-07 3.144681 14e-07 -1.21324764e-07
C10 7.70009917e-10 -1.51407885e-10 1.43554678e-10
C12 -4.20478233e-10 1.13440214e-09 -4.22848947e-10
C14 2.77198568e-09 -7.7708489e-10 2.20823534e-10
C16 -4.43361749e-12 8.38735197e-13 -4.50109714e-13
C18 -2.07561905e-1 1 -4.65185261 e-12 1.76767547e-13
C20 6.5541556e-12 2.69958641 e-12 -1.15250337e-12
C21 6.13104877e-15 4.76090065e-16 -5.08513478e-16
C23 6.75105487e-14 -6.86107077e-15 4.47674693e-16
C25 8.54516082e-14 1.77013918e-14 -2.76455936e-15
C27 1.04404202e-13 -1.31571735e-14 2.54210161 e-15
C29 -1.06315028e-16 -6.62502022e-18 1.01298466e-18
C31 -7.15151455e-16 4.81457319e-17 -5.48520419e-18
C33 -7.67567294e-16 -9.49830761 e-17 1.5072291 1 e-17
C35 -1.19920577e-16 4.60964936e-17 -1.13668406e-16
C36 5.31562538e-20 -3.13756534e-21 6.04583024e-22
C38 1.69007629e-18 4.87008386e-20 -9.28288968e-21
C40 -3.32578007e-19 -3.09626922e-19 4.551 1045e-20
C42 -1.27052849e-17 6.65762777e-19 -2.96163741 e-20
C44 1.53403729e-17 1.38470765e-19 6.41344709e-19
C46 -2.75616307e-21 3.35346413e-23 -6.9892699e-25
C48 1 50480725e-20 -4.6569225e-22 7.13009691 e-23
C50 1.44516638e-19 2.332696e-21 2.59714278e-22
C52 -5.1390504e-20 -3.4726867e-21 -8.03142253e-22
C54 3.87854384e-19 4.470418e-21 2.40034346e-20
C55 3.75342753e-24 -1.98492517e-25 1.18040293e-26
C57 4.27516608e-23 -5.19028749e-25 8.1 1061947e-26
C59 -1.57464385e-23 4.46959627e-24 -9.2971759e-26 Koeffizient M8 M7 M6
C61 1.67934488e-21 -1.3352712e-23 -4.77329015e-24
C63 1.09671639e-20 -9.33716012e-24 1.43217969e-23
C65 -1.44543057e-20 -6.29203846e-23 -3.0965402e-23
C67 4.08789122e-26 8.61352897e-28 -7.31012016e-29
C69 -1.66977787e-24 6.42752536e-27 -7.16391228e-28
C71 -2.17957504e-23 -5.05714323e-26 -8.90285198e-27
C73 -1.67662776e-22 5.34645152e-26 -9.67772685e-26
C75 7.40895888e-23 1.13680338e-25 2.65578316e-25
C77 -2.47543364e-22 -7.36972753e-25 -3.35082658e-24
C78 -1.42425862e-28 8.71063877e-30 -1.9681 1 187e-31
C80 -4.62835474e-27 5.5406969e-30 -9.54163826e-31
C82 1.78274941 e-26 -3.81 160438e-29 -9.95828853e-30
C84 8.43458936e-25 2.46353784e-28 -6.70862883e-29
C86 -6.1 1794472e-25 -4.67883125e-28 2.42072109e-28
C88 -1.27539398e-24 3.29921559e-27 -3.68091077e-27
C90 6.85310447e-24 3.50398021 e-27 -5.45637301 e-27
C92 -1.67985973e-30 -4.60174319e-32 4.87317962e-34
C94 7.07234276e-29 -1.98663483e-31 4.00220396e-33
C96 -3.72466267e-28 1 08736804e-30 -3.24422091 e-32
C98 4.48202693e-27 -2.23137944e-30 1.19842994e-30
C100 4.78418354e-26 9.40746235e-30 8.16974556e-30
C102 -4.2518919e-26 -3.01713122e-29 -5.05373933e-29
C104 3.9685556e-26 8.37373732e-29 2.26636758e-28
C105 2.15793431 e-33 -1.46943869e-34 -1.31330079e-37
C107 2.77240339e-31 1.71 102468e-34 1 04034954e-35
C109 1.5555371 1 e-30 6.953809e-34 9.29006679e-35 cm -3.79640708e-29 -1.05446996e-32 1.21 189092e-33
C1 13 -2.92852127e-28 4.36061 126e-32 1.1801 1501 e-32
C1 15 3.51030565e-29 -1.2167107e-31 2.18403273e-32
C1 17 -2.29274817e-28 -5.49243828e-32 1.53158932e-31
C1 19 -1.25884661 e-27 -3.60566281 e-32 8.12205092e-31
C121 -4.9835303e-35 6.39026668e-37 -7.49054244e-40
C123 -5.64296865e-33 3.19462202e-36 -6.74381479e-39
C125 -9.301 12205e-33 -1.64139174e-35 1.137381 18e-36
C127 9.38289929e-31 6.63217275e-35 1.17809652e-35
C129 1 24275202e-30 -2.48574521 e-34 -7.25224641 e-36
C131 -3.8641767e-30 2.85508736e-34 -3.55107519e-35
C133 1.15218716e-29 6.53662819e-34 3.61380722e-33
C135 4.10277317e-30 -3.20948537e-33 -5.73774758e-33
C136 6.21842361 e-38 7.652091 1 e-40 1.151 14618e-41
C138 -1.68949959e-36 -4.47009065e-39 -6.77224516e-41
C140 4.74273299e-35 -1.62510744e-38 5.74738217e-41
C142 -2.88854175e-34 2.00050656e-37 4.06675697e-39
C144 -4.48958554e-33 -7.861 12067e-37 3.37781599e-38
C146 5.41381439e-33 1.12478959e-36 -2.40809456e-37
C148 4.59135366e-33 2.61652129e-36 1.58144339e-37
C150 -4.79402894e-32 8.96757693e-38 1.1084516e-35
C152 8.26439198e-33 -7.16832554e-36 -2.7485602e-35
Tabelle 3b zu Fig. 4
Koeffizient M5 M4 M3 Koeffizient M5 M4 M3
KY 0.00000000 0.00000000 0.00000000
KX 0.00000000 0.00000000 0.00000000
RX -1521.84447400 -1262.42785000 -2908.28415300
C2 0.0219740073 -0.0254785928 -0.00518024147
C3 1.67873801 e-05 3.37223876e-05 -1.54008935e-05
C5 7.70290351 e-06 -3.99642044e-05 5.75103929e-05
C7 -2.5016547e-08 -2.60807474e-07 -1.84606952e-07
C9 5.14855455e-08 2.1 1332745e-07 -4.38755885e-07
C10 -1.35437128e-10 8.65015648e-1 1 2.02401057e-10
C12 -4.14996764e-10 5.02489518e-10 -1.31723029e-10
C14 -2.41590158e-10 -3.05573821 e-10 7.26268815e-10
C16 2.08808394e-13 -8.09782428e-14 7.15013833e-13
C18 -4.35601519e-13 2.29483725e-13 1.26409466e-12
C20 7.60060404e-13 1.31281615e-12 3.01323591 e-13
C21 2.46229128e-16 -2.55632968e-16 -6.02302942e-16
C23 -1.30814638e-15 -1.02426425e-15 1.2645573e-15
C25 -6.13132831 e-15 -2.26034629e-15 -6.6795358e-15
C27 3.36674001 e-16 -4.99010847e-15 -9.31923431 e-16
C29 -2.15354381 e- 19 -3.46101969e-19 -3.6008001 e-18
C31 -2.1574579e-18 1.34849042e-17 -1.22088795e-17
C33 -3.1694303e-17 4.90516379e-18 -3.53352439e-17
C35 2.83823582e-17 3.94687403e-17 -5.13594848e-17
C36 -7.05292788e-23 2.27345938e-21 -3.1 1092637e-21
C38 2.89593146e-21 -2.40900889e-21 2.5534562e-20
C40 -2.71613589e-20 3.97507158e-20 2.36502738e-19
C42 -3.61487884e-19 -3.92649498e-20 5.68353487e-19
C44 2.93149482e-19 -5.25605838e-20 4.80941096e-19
C46 -1.0826821 1 e-23 -3.24199121 e-24 -2.38814565e-23
C48 -2.35339207e-23 -7.8894836e-23 -1.7327779e-22
C50 1.8201431 1 e-22 4.62955732e-22 -1.34928768e-21
C52 -1.0703055e-21 1.39462926e-21 -3.60804049e-21
C54 2.15196082e-21 -5.47641275e-21 -2.82412035e-21
C55 6.86861049e-27 -3.1 1474016e-26 9.14987827e-26
C57 -1.73580871 e-26 5.25600252e-26 -1.59236509e-25
C59 -4.06400718e-25 -4.1581 1336e-24 -1.1463791 e-25
C61 9.36251432e-25 -2.134624e-23 3.13560403e-24
C63 1.85158385e-23 1 27406466e-23 1.1 1446927e-23
C65 -7.03743603e-25 3.57688552e-23 2.03094339e-23
C67 1.05127636e-28 1 25352976e-28 -5.33736179e-29
C69 9.17899941 e-28 3.23054075e-27 -1.85615007e-27
C71 -4.7533087e-27 4.88085881 e-26 -8.9644788e-28
C73 -9.13287858e-26 4.07682205e-26 1.12160196e-26
C75 1 4293095e-25 -4.16188198e-25 -2.30777537e-26
C77 -6.9201048e-26 3.51 126156e-25 -1.45036501 e-25
C78 -1.24804861 e-31 4.71091483e-31 -1.30140818e-30
C80 1.23013617e-31 -2.62465485e-30 7.4051 1051 e-30
C82 7.84946299e-30 3.84157604e-29 1.1 1417638e-29
C84 7.37604676e-29 6.40533654e-28 1 99704409e-29
C86 -1.37563301 e-27 2.76021636e-27 1.51838301 e-28
C88 -5.35103866e-28 2.69244999e-27 1.10595999e-28
C90 -2.19749605e-28 -4.03472828e-27 6.81467582e-28 Koeffizient M5 M4 M3
C92 -3.64259479e-34 -2.73543627e-33 4.36981856e-33
C94 -1.8556083e-32 -3.8794945e-32 1.0096515e-31
C96 -3.99751691 e-32 -1.81462931 e-30 1.40854747e-31
C98 2.30502824e-30 -1.5173947e-29 -4.01639723e-31
C100 -7.4501 1546e-30 -3.0641 1372e-29 -2.09296988e-30
C102 -6.06778293e-30 5.25255226e-30 -4.79766988e-31
C104 -2.02797928e-31 -4.03104926e-30 -1.92968377e-30
C105 1 74447575e-36 -2.80352743e-36 4.96833835e-36
C107 -3.28930997e-36 4.99181514e-35 -2.30388821 e-34
C109 -1.1053241 1 e-34 9.07148271 e-34 -5.03664879e-34 cm -1.28004342e-33 1.85763912e-32 -5.55829555e-34
C1 13 1.41209408e-32 1.13730106e-31 7.06898573e-35
C1 15 -2.51068469e-32 1.30604217e-31 6.67232081 e-33
C1 17 -4.87962603e-35 -1.33108342e-31 1 20724267e-33
C1 19 -3.42092506e-33 2.00243079e-31 3.27564659e-33
C121 -9.1 1 175034e-40 9.78526314e-39 -4.76402144e-38
C123 1.12968922e-37 -4.50947841 e-37 -1.38407239e-36
C125 5.01887076e-37 -5.23699161 e-36 -3.24897631 e-36
C127 -1.58515981 e-35 -7.82195066e-35 6.35978331 e-36
C129 -1.31690353e-35 -4.00266509e-34 7.54895748e-36
C131 -1.31697018e-34 -1.74653526e-34 -1.73454309e-36
C133 5.8164012e-35 5.36109712e-34 -1.95545657e-36
C135 -5.1029857e-36 -9.12983797e-34 -3.0581 1041 e-36
C136 -8.86244634e-42 2.55553215e-42 4.09705463e-41
C138 3.67125475e-41 -4.08187469e-41 2.48939804e-39
C140 6.84466064e-40 1.80889812e-39 9.84539628e-39
C142 3.24985317e-39 4.21614038e-39 8.1 1615583e-39
C144 -6.81393015e-38 1.42859251 e-37 -2.54886633e-38
C146 -2.17748444e-37 5.25975165e-37 3.09077489e-40
C148 -4.25006659e-37 -1.10944999e-37 -2.20819356e-38
C150 -2.08877647e-38 -6.48251681 e-37 3.4302672e-40
C152 3.69033651 e-38 1.30969821 e-36 1 20590406e-39
Tabelle 3c zu Fig. 4
Koeffizient M2 M1
KY 0.00000000 0.00000000
KX 0.00000000 0.00000000
RX 2396.75761500 -1467.18207600
C2 0.0009861 144
C3 -1.32471892e-06
C5 -3.22512531 e-06
C7 2.6021 1284e-07
C9 1 5922243e-07
C10 2.30979529e-09
C12 4.15798121 e-10
C14 4.83848232e-1 1
Figure imgf000032_0001
Koeffizient M2 M1
C16 -1.89727819e-12 2.13553489e-15
C18 -4.85026444e-12 1.87437861 e-13
C20 -3.3060428e-12 2.1994585e-13
C21 1.96583942e-14 -2.62366851 e-17
C23 -1.31000592e-15 -8.3941652e-17
C25 -1.56014478e-14 -4.00022141 e-16
C27 -1.99538448e-14 8.84019254e-16
C29 8.69150601 e-18 2.43460131 e-20
C31 9.33443804e-18 4.24759587e-20
C33 -5.44101637e-17 -2.60369242e-18
C35 -6.53903583e-17 2.5308602e-17
C36 2.04983683e-19 -1.39838383e-21
C38 -1.1 1746467e-19 -6.24868081 e-21
C40 -5.71760188e-19 -1.67703692e-20
C42 -2.21378751 e-19 2.62161068e-22
C44 1.20108695e-19 -4.35547258e-20
C46 6.29278193e-22 2.40152331 e-23
C48 1.91238072e-21 1.08316391 e-22
C50 1.46293532e-21 2.32574208e-22
C52 -1.96984802e-22 5.18466041 e-22
C54 3.15132652e-21 -8.96760575e-22
C55 8.85342451 e-24 1.41365863e-25
C57 1 63488052e-23 7.76420195e-25
C59 1.18421258e-23 2.45358082e-24
C61 -1.08658636e-22 6.06306225e-24
C63 -2.10765514e-23 6.80860425e-24
C65 2.21027596e-23 1.14870786e-23
C67 -3.51841012e-26 -1.84603867e-27
C69 -3.49868503e-26 -1.07883178e-26
C71 2.998165e-25 -2.47642458e-26
C73 8.58242213e-26 -4.24141461 e-26
C75 2.05959721 e-25 -7.7181693e-26
C77 1.04319708e-25 4.50303217e-26
C78 2.43938068e-28 -8.89492415e-30
C80 1.21740676e-27 -5.941 13101 e-29
C82 -1.87514176e-27 -2.04818012e-28
C84 -3.8786987e-27 -5.93632828e-28
C86 7.02432365e-27 -1.12087376e-27
C88 1 33922008e-27 -1.12006364e-27
C90 -1.761 18306e-27 -1.42712591 e-27
C92 -5.1467963e-31 7.94887765e-32
C94 6.85921754e-30 5.62753203e-31
C96 3.14955042e-29 1.6670079e-30
C98 4.2371 1385e-29 2.76620742e-30
C100 2.7121401 e-29 4.42605024e-30
C102 1.32314289e-29 6.86061959e-30
C104 -3.384251 16e-29 -2.27424368e-30
C105 1 76008308e-33 3.29276353e-34
C107 5.44390706e-32 2.58595983e-33
C109 5.82158481 e-32 1 02657943e-32 cm -5.59130008e-32 3.05913579e-32
C1 13 -4.53096343e-31 7.35035847e-32 Koeffizient M2 M1
C1 15 -6.37108524e-31 1.0456151 e-31
C1 17 -5.36487557e-31 9.00761349e-32
C1 19 -3.86472353e-32 9.85808779e-32
C121 4.83457083e-35 -1.83828936e-36
C123 -3.55980089e-34 -1.51759121 e-35
C125 -7.1977159e-34 -5.4361518e-35
C127 1 90268546e-33 -1.14009345e-34
C129 -1.64419091 e-35 -1.53685536e-34
C131 5.28696223e-33 -2.39447901 e-34
C133 -5.2029879e-33 -3.16635328e-34
C135 1.31 133316e-33 1.1 1 104394e-34
C136 3.51778556e-38 -6.60503723e-39
C138 -9.17291792e-38 -5.87376514e-38
C140 -2.03734313e-36 -2.75123813e-37
C142 -5.12240498e-37 -8.57500779e-37
C144 -1.63361366e-35 -2.28686329e-36
C146 1 66545286e-36 -4.25558622e-36
C148 -9.00644261 e-36 -4.84909875e-36
C150 7.82432098e-36 -3.64577172e-36
C152 5.22574505e-36 -3.61997763e-36
C154 -2.06610689e-39 1.75774314e-41
C156 -2.04374262e-39 1.6519601 1 e-40
C158 -1.36778337e-38 6.91 104629e-40
C160 2.21986742e-38 1.72414768e-39
C162 8.88757453e-38 2.98071839e-39
C164 2.43966022e-37 3.35402181 e-39
C166 -3.1289099e-37 5.23468463e-39
C168 4.76639758e-37 5.88549291 e-39
C170 2.65697927e-38 -2.57066341 e-39
C171 2.55122174e-43 5.52989344e-44
C173 1.81870101 e-41 5.4139575e-43
C175 2.33158832e-42 2.96467481 e-42
C177 2.07645435e-40 1.02962481 e-41
C179 -2.7291901 1 e-40 2.7804227e-41
C181 -1.64669661 e-40 6.36323085e-41
C183 1.97192555e-39 9.10048005e-41
C185 2.36540387e-39 9.01621558e-41
C187 2.84421 17e-39 5.93632157e-41
C189 9.69654371 e-41 5.59364422e-41
Tabelle 3d zu Fig. 4
Oberfläche DCX DCY DCZ
Bildfeld 0.00000000 0.00000000 0.00000000
M1 1 0.00000000 0.00000000 658.59735966
M10 0.00000000 129.86904917 106.36091582
M9 0.00000000 -127.31577135 1 183.08975457
M8 0.00000000 -108.43999449 1439.04675030
M7 0.00000000 5.20219938 1705.29339367
M6 0.00000000 450.04822440 2094.83607397
M5 0.00000000 852.17416364 2216.60599355 Oberfläche DCX DCY DCZ
M4 0.00000000 1125.96974524 2169.68463032
M3 0.00000000 1429.47721413 2003.98048928
M2 0.00000000 2041.38740910 1372.02067880
M1 0.00000000 1786.46005601 2072.43484793
Objektfeld 0.00000000 1786.45728238 1211.74242378
Tabelle 4a zu Fig. 4
Oberfläche TLA[deg] TLB[deg] TLC[deg]
Bildfeld -0.00000000 0.00000000 -0.00000000
M11 6.61687125 0.00000000 -0.00000000
M10 13.33378381 180.00000000 0.00000000
M9 94.60806581 0.00000000 -0.00000000
M8 76.33401887 0.00000000 180.00000000
M7 54.04685456 0.00000000 -0.00000000
M6 29.02754876 0.00000000 180.00000000
M5 3.56129750 0.00000000 -0.00000000
M4 -19.17873719 0.00000000 180.00000000
M3 -37.27820273 -0.00000000 -0.00000000
M2 32.03817982 180.00000000 0.00000000
M1 9.99981536 0.00000000 -0.00000000
Objektfeld -0.00018464 180.00000000 0.00000000
Tabelle 4b zu Fig. 4 Die abbildenden Optiken 9, 27, 30, 31 können einen Verkleinerungsfaktor von 4x, von 6x oder von 8x aufweisen. Auch eine anamorphotische Gestal tung der abbildenden Optik ist möglich, bei der der Verkleinerungsfaktor in der xz-Dimension ein anderer ist als in der yz-Dimension. Beim Einsatz der Projektionsbelichtungsanlage 1 werden das Retikel 7 und der Wafer 12, der eine für das Beleuchtungslicht 14 lichtempfindliche Be schichtung trägt, bereitgestellt. Anschließend wird zumindest ein Abschnitt des Retikels 7 mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage 1 auf den Wafer 12 projiziert. Hierbei wird das Retikel 7 derart mit EUV-Strahlung 14 be- leuchtet, dass, wie beschrieben, ein Hauptstrahl der EUV-Strahlung 14 un ter einem Einfallswinkel CRA von höchstens 6°, insbesondere höchstens 3°, insbesondere höchstens 1°, insbesondere 0° auf das Retikel 7 trifft. Der Einfallswinkel CRA des Hauptstrahls ist insbesondere kleiner als die ob- jektseitige numerische Apertur (NAO), CRA < arcsin (NAO).
Schließlich wird die mit dem Beleuchtungslicht belichtete lichtempfmdli- che Schicht auf dem Wafer 12 entwickelt. Auf diese Weise wird ein mikro- bzw. nano strukturiertes Bauelement, insbesondere ein Halbleiterchip, her- gestellt.

Claims

Patentansprüche
1. Abbildende Optik (9; 27; 30; 31) für die EUV-Mikrolithographie - mit einer Mehrzahl von Spiegeln (Ml bis M7; Ml bis Ml 0; Ml bis
Ml 1), die ein Objektfeld (5) in einer Objektebene (6) in ein Bild- feld (10) in einer Bildebene (11) abbilden und hierbei Abbildungs- licht (14) längs eines Abbildungslicht- Strahlengangs führen, - wobei mindestens einer der Spiegel (Ml bis M7; Ml bis Ml 0; Ml bis Ml 1) als Spiegel (M2, M3, M5; M3 bis M8, M3 bis M9) für streifenden Einfall ausgeführt ist, wobei ein erster Spiegel (Ml) im Abbildungslicht-Strahlengang in Bezug auf die Objektebene (6) in einem Objektebenen- Spiegel- halbraum (20) angeordnet ist, wobei ein letzter Spiegel (M7; Ml0; Ml l) im Abbildungslicht- Strahlengang in Bezug auf die Bildebene (11) in einem Bildebe- nen-Spiegelhalbraum (21) angeordnet ist, wobei sich der Objektebenen- Spiegelhalbraum (20) in eine Objekt- ebenen- Spiegel-Halbraumrichtung (z) öffnet, die vorgegeben ist durch die Richtung einer von der Objektebene (6) ausgehenden Normalen auf die Objektebene (6), die in den Objektebenen-
Spiegelhalbraum (20) hinein verläuft, wobei sich der Bildebenen-Spiegelhalbraum (21) in eine Bildebe- nen-Spiegel-Halbraumrichtung (z; NBE) öffnet, die vorgegeben ist durch die Richtung einer von der Bildebene (11) ausgehenden Normalen auf die Bildebene (11), die in den Bildebenen- Spiegelhalbraum (21) hinein verläuft, wobei zwischen der Objektebenen- Spiegel-Halbraumrichtung (z) und der Bildebenen-Spiegel-Halbraumrichtung (z; NBE) ein Halb- raum-Richtungswinkel (H) vorliegt, der kleiner ist als 30°.
2. Abbildende Optik (27) für die EUV-Mikrolithographie mit einer Mehrzahl von Spiegeln (Ml bis MIO), die ein Objektfeld (5) in einer Objektebene (6) in ein Bildfeld (10) in einer Bildebene (11) abbilden und hierbei Abbildungslicht (14) längs eines Abbil- dungslicht- Strahlengangs führen, wobei ein Abbildungslicht-Teilstrahl (29) zwischen dem Objekt- feld (5) und einem ersten Spiegel (Ml) im Abbildungslicht- Strahlengang unter einem Winkel zu einer Normalen (z) auf die Objektebene (6) verläuft, der kleiner ist als 3°, wobei der erste Spiegel (Ml) im Abbildungslicht-Strahlengang in Bezug auf die Objektebene (6) in einem Objektebenen- Spiegel- halbraum (20) angeordnet ist, wobei ein letzter Spiegel (MIO) im Abbildungslicht-Strahlengang in Bezug auf die Bildebene (11) in einem Bildebenen-Spiegelhalb- raum (21) angeordnet ist, wobei sich der Objektebenen- Spiegelhalbraum (20) in eine Objekt- ebenen- Spiegel-Halbraumrichtung (z) öffnet, die vorgegeben ist durch die Richtung einer von der Objektebene (6) ausgehenden Normalen auf die Objektebene (6), die in den Objektebenen- Spiegelhalbraum (20) hinein verläuft, wobei sich der Bildebenen-Spiegelhalbraum (21) in eine Bildebe- nen-Spiegel-Halbraumrichtung (z; NBE) öffnet, die vorgegeben ist durch die Richtung einer von der Bildebene (11) ausgehenden Normalen auf die Bildebene (11), die in den Bildebenen- Spie- gelhalbraum (21) hinein verläuft, wobei zwischen der Objektebenen- Spiegel-Halbraumrichtung (z) und der Bildebenen-Spiegel-Halbraumrichtung (z; NBE) ein Halb- raum-Richtungswinkel (H) vorliegt, der kleiner ist als 30°.
3. Abbildende Optik nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Objektebene (6) parallel zur Bildebene (11) verläuft.
4. Abbildende Optik nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch ge
kennzeichnet, dass ein räumlicher Abstand (A) zwischen dem Objekt- feld (5) und dem Bildfeld (10) größer ist als 400 mm.
5. Abbildende Optik nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch ge
kennzeichnet, dass ein Abbildungslicht-Teilstrahl (22) zwischen dem letzten Spiegel (M7) im Abbildungslicht- Strahlengang und dem Bild- feld (10) mindestens zwei weitere Kreuzungs- Abbildungslicht- Teilstrahlen (24, 23) zwischen dem ersten Spiegel (Ml) im Abbil- dungslicht- Strahlengang und einem vorletzten Spiegel (M6) im Abbil- dungslicht-Strahlengang kreuzt.
6. Abbildende Optik nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass einer der Kreuzungs- Abbildungslicht-Teilstrahlen (24) zwischen einem drittletzten (M5) und einem vorletzten (M6) Spiegel im Abbildungs- licht-Strahlengang verläuft.
7. Abbildende Optik nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass einer der Kreuzungs- Abbildungslicht-Teilstrahlen (23) zwischen einem sechstletzten (M2) und einem fünftletzten (M3) Spiegel im Ab- bildungslicht- Strahlengang verläuft.
8. Abbildende Optik nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass einer der Kreuzungs- Abbildungslicht-Teilstrahlen (24a) zwischen ei- nem viertletzten (M4) und einem drittletzten (M5) Spiegel im Abbil- dungslicht- Strahlengang verläuft.
9. Abbildende Optik nach Anspruch 5 oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass einer der Kreuzungs-Abbildungslicht-Teilstrahlen (23a) zwischen einem fünftletzten (M3) und einem viertletzten (M4) Spiegel im Ab- bildungslicht- Strahlengang verläuft.
10. Abbildende Optik nach einem der Ansprüche 1 oder 9, gekennzeich net, durch eine bildseitige numerische Apertur, die größer ist als 0,6.
11. Optisches System mit einer Beleuchtungsoptik (4) zur Beleuchtung des Objektfeldes (5) mit Beleuchtungs-/ Abbildungslicht (14) und mit einer abbildenden Optik (9; 27; 30; 31) nach einem der Ansprüche 1 bis 10.
12. Optisches System nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Beleuchtungsoptik (4) nicht mehr als drei Spiegel (16, 18, 19; 16, 18, Ml) aufweist, die nach einer Lichtquelle (3) bzw. nach einem die- sem nachgeordneten Zwischenfokus (26) das Beleuchtungs-/Abbil- dungslicht (14) nacheinander reflektieren.
13. Projektionsbelichtungsanlage (1) mit einem optischen System nach Anspruch 11 oder 12 und mit einer EUV-Lichtquelle (3).
14. Verfahren zur Herstellung eines mikro- oder nano strukturierten Bau- teils umfassend die folgenden Schritte:
- Bereitstellen eines Retikels (7),
- Bereitstellen eines Wafers (12) mit einer lichtempfindlichen Be- schichtung,
- Projizieren zumindest eines Abschnitts des Retikels (7) auf den
Wafer (12) mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage (1) nach Anspruch 13,
- Entwickeln der belichteten lichtempfindlichen Beschichtung auf dem Wafer (12).
15. Bauteil, hergestellt mit einem Verfahren nach Anspruch 14.
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