DE102018201170A1

DE102018201170A1 - Abbildende Optik für die EUV-Mikrolithographie

Info

Publication number: DE102018201170A1
Application number: DE102018201170.2A
Authority: DE
Inventors: Johannes Ruoff; Hubert Holderer
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2018-01-25
Filing date: 2018-01-25
Publication date: 2019-07-25
Also published as: JP7284766B2; US11422470B2; JP2021511552A; WO2019145125A1; US20200348602A1; KR20200111237A

Abstract

Eine abbildende Optik (9) für die EUV-Mikrolithographie hat eine Mehrzahl von Spiegeln (M1 bis M7), die Abbildungslicht (14) zwischen einem Objektfeld (5) und einem Bildfeld (10) führen. Bei einem ersten Aspekt der abbildenden Optik ist mindestens einer der Spiegel (M2, M3, M5) als Spiegel für streifenden Einfall ausgeführt. Ein erster Spiegel (M1) ist in einem Objektebenen-Spiegelhalbraum (20) angeordnet. Ein letzter Spiegel (M7) ist in einem Bildebenen-Spiegelhalbraum angeordnet. Beide Halbräume (20, 21) öffnen sich jeweils in eine Spiegel-Halbraumrichtung (z), die vorgegeben ist durch die Richtung einer von der jeweiligen Feldebene (6, 11) ausgehenden Normalen, die in den jeweiligen Spiegelhalbraum (20, 21) hinein verläuft. Zwischen der Objektebenen-Spiegelhalbraum-Richtung (z) und der Bildebenen-Spiegelhalbraum-Richtung (z) liegt ein Halbraum-Richtungswinkel vor, der kleiner ist als 30°. Bei einem zweiten Aspekt verläuft ein Abbildungslicht-Teilstrahl zwischen dem Objektfeld und dem ersten Spiegel im Abbildungslicht-Strahlengang und einem Winkel zu einer Normalen auf die Objektebene der kleiner ist 3°. Es resultieren bei beiden Aspekten abbildende Optiken, mit denen ein optisches System für die EUV-Mikrolithographie mit möglichst hohem EUV-Durchsatz bei gleichzeitig hoher Abbildungsqualität ausgerüstet werden kann.

Description

Die Erfindung betrifft eine abbildende Optik für die EUV-Mikrolithographie. Ferner betrifft die Erfindung ein optisches System mit einer derartigen abbildenden Optik, eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen optischen System, ein Verfahren zur Herstellung eines mikro- oder nanostrukturierten Bauteils mit einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage sowie ein mit diesem Verfahren hergestelltes mikro- bzw. nanostrukturiertes Bauteil.
Eine abbildende Optik für die EUV-Mikrolithographie ist bekannt beispielsweise aus der US 6,081,578 und der US 5,353,322 sowie aus der US 9,678,439 B2 .
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine abbildende Optik bereitzustellen, mit der ein optisches System für die EUV-Mikrolithographie mit möglichst hohem EUV-Durchsatz bei gleichzeitig hoher Abbildungsqualität ausgerüstet werden kann.
Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst einerseits durch eine abbildende Optik mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen und andererseits durch eine abbildende Optik mit den im Anspruch 2 angegebenen Merkmalen.
Erfindungsgemäß wurde erkannt, dass eine abbildende Optik, bei der sich ein Objektebenen-Spiegelhalbraum in im Wesentlichen der gleichen Richtung öffnet wie ein Bildebenen-Spiegelhalbraum, derart auslegen und mit einer das Objektfeld beleuchtenden Beleuchtungsoptik kombinieren lassen kann, dass eine Führung von EUV-Beleuchtungs- und Abbildungslicht mit hohem Durchsatz bei gleichzeitig guter Abbildungsqualität der abbildenden Optik erzielt werden kann. Bei montierter abbildender Optik können sich die Halbräume nach oben oder alternativ nach unten öffnen. Die abbildende Optik kann zur Abbildung eines reflektierenden Objekts ausgeführt sein.
Bei der abbildenden Optik nach Anspruch 1 wird durch die Ausführung mindestens eines Spiegels als Spiegel für streifenden Einfall die Möglichkeit geschaffen, die abbildende Optik mit geringen Lichtverlusten aufgrund der höheren Reflektivität des mindestens einen GI-Spiegels bereitzustellen.
Zudem ermöglicht es der GI-Spiegel, einen Abbildungslicht-Strahlengang derart auszulegen, dass das Objektfeld und das Bildfeld der abbildenden Optik räumlich voneinander ausreichend getrennt vorliegen. Die abbildende Optik kann mehr als einen GI-Spiegel und beispielsweise zwei GI-Spiegel, drei GI-Spiegel, vier GI-Spiegel, fünf GI-Spiegel, sechs GI-Spiegel oder noch mehr GI-Spiegel aufweisen.
Der Halbraum-Richtungswinkel zwischen der Objektebenen-Spiegel-Halbraumrichtung und der Bildebenen-Spiegel-Halbraumrichtung kann höchstens 20°, kann höchstens 10° betragen, kann höchstens 5° betragen und kann insbesondere exakt gleich 0 sein.
Eine Beleuchtungsoptik für eine derartige abbildende Optik kann mit wenigen Spiegeln auskommen, da durch eine entsprechende Konstruktion der Lichtquelle bedingt eine ungeradzahlige Anzahl der Spiegel der Beleuchtungsoptik, insbesondere genau drei Spiegel, bevorzugt ist.
Eine abbildende Optik nach Anspruch 2 lässt sich insbesondere mit im Wesentlichen senkrechten Abbildungslicht-Strahlengang hin zum Objektfeld und ausgehend vom Objektfeld realisieren, also mit senkrechter Beleuchtung des Objektfeldes, so dass der Winkel zur Normalen auf die Objektebene genau 0° beträgt. Eine Beleuchtung des Objektfeldes mit entsprechend kleinem Einfallswinkel kleiner als 3° ermöglicht auch bei reflektierendem Objekts eine hohe bildseitige numerische Apertur mit einem absoluten Abbildungs-/Verkleinerungsmaßstab, der beispielsweise höchstens 8x beträgt.
Bei einer Ausführung der abbildenden Optik nach Anspruch 3 ist der Halbraum-Richtungswinkel exakt 0. Die Objektebene kann mit der Bildebene zusammenfallen.
Ein räumlicher Abstand zwischen dem Objektfeld und dem Bildfeld nach Anspruch 4 ermöglicht eine Unterbringung von auch anspruchsvollen Anforderungen genügenden Komponenten zur Konditionierung eines im Objektfeld anzuordnenden Objektes, beispielsweise eines Retikels, und eines im Bildfeld anzuordnenden Objekts, beispielsweise eines Substrats, insbesondere eines Wafers. Zu derartigen Konditionierungskomponenten können Halte- und/oder Verlagerungs- und/oder Klimatisierungs- und/oder Vakuumkomponenten gehören. Der Abstand zwischen dem Objektfeld und dem Bildfeld kann größer sein als 450 mm, kann größer sein als 500 mm und kann noch größer sein.
Ein Kreuzungsverlauf des Abbildungslicht-Strahlengangs nach den Ansprüchen 5 bis 9 ermöglicht eine kompakte Spiegelanordnung der abbildenden Optik.
Eine bildseitige numerische Apertur nach Anspruch 10 ermöglicht eine hohe Auflösung der abbildenden Optik. Die bildseitige numerische Apertur kann größer sein als 0,7 und kann auch größer sein 0,75.
Ein optisches System nach Anspruch 11 hat Vorteile, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die abbildende Optik bereits erläutert wurden. Soweit eine abbildende Optik mit kleinem Winkel des vom ersten Spiegel ausgehenden Abbildungs-Teilstrahls zur Objektebenen-Normalen, also mit kleinem oder sogar senkrechtem Ausfallswinkel des Abbildungslichts vom Objektfeld zum Einsatz kommt, kann eine Führung des Beleuchtungs- bzw. Abbildungslichts im Bereich des Objektfeldes mit optischen Komponenten erfolgen, deren prinzipieller Aufbau bekannt ist aus der US 9,678,439 B2 .
Ein optisches System nach Anspruch 12 ermöglicht einen hohen Durchsatz des EUV-Beleuchtungs- bzw. Abbildungslichtes.
Die Vorteile einer Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 13, eines Herstellungsverfahrens nach Anspruch 14 sowie eines mikro- bzw. nanostrukturierten Bauteils nach Anspruch 15 entsprechen denen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die abbildende Optik und das optische System bereits erläutert wurden. Hergestellt werden kann insbesondere ein Halbleiterchip, beispielsweise ein Speicherchip.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. In dieser zeigen:

1 stark schematisch einen Strahlengang von Beleuchtungs- und Abbildungslicht in einer Projektionsbelichtungsanlage, deren Komponenten in diesem Strahlengang zwischen einer EUV-Lichtquelle und einem Wafer als zu strukturierendem Substrat jeweils angedeutet sind;
2 in einem Meridionalschnitt einen Strahlengang für das Abbildungs- und Beleuchtungslicht innerhalb einer weiteren Ausführung einer Projektionsbelichtungsanlage, beginnend mit einem Kollektor für von einer EUV-Lichtquelle ausgehenden Beleuchtungslicht, wiederum bis hin zu einem Wafer;
3 in einer zu 2 ähnlichen Darstellung eine weitere Ausführung einer Projektionsbelichtungsanlage, die im Unterschied zur Ausführung nach 2 eine abzubildende Maske nicht senkrecht, sondern schräg, also mit einem von 0 verschiedenen Einfallswinkel beleuchtet;
4 schematisch in einem Meridionalschnitt einen Strahlengang für Abbildungslicht innerhalb einer weiteren Ausführung einer abbildenden Optik, die anstelle der dort dargestellten abbildenden Optiken in den Projektionsbelichtungsanlagen nach den 1 bis 3 zum Einsatz kommen kann.

1 zeigt schematisch in einem Meridionalschnitt die Komponenten einer Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikrolithographie. Diesbezüglich sei auf die DE 10 2010 041 623 A1 und die DE 10 2011 086 345.1 verwiesen, die hiermit vollständig Bestandteil der vorliegenden Anmeldung sind. Ein Beleuchtungssystem 2 der Projektionsbelichtungsanlage 1 umfasst neben einer EUV-Licht- bzw. Strahlungsquelle 3 eine Beleuchtungsoptik 4 zur Belichtung eines Objektfeldes 5 in einer Objektebene 6. Belichtet wird hierbei ein im Objektfeld 5 angeordnetes Retikel 7, das auch als Maske bezeichnet ist und von einem lediglich ausschnittsweise dargestellten Retikelhalter 8 gehalten ist, der über einen Retikelverlagerungsantrieb 8a insbesondere parallel zur Objektebene 6 angetrieben verlagerbar ist. Das Retikel 7 ist als reflektierendes Retikel ausgeführt.
Eine Projektionsoptik 9 dient zur Abbildung des Objektfeldes 5 in ein Bildfeld 10 in einer Bildebene 11. Die Bildebene 11 fällt mit der Objektebene 6 zusammen. Ein räumlicher Abstand A zwischen dem Objektfeld 5 und dem Bildfeld 10 ist größer als 400 mm.
Abgebildet wird eine Struktur auf dem Retikel 7 auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 10 in der Bildebene 11 angeordneten Wafers 12, der von einem ebenfalls schematisch dargestellten Waferhalter 13 gehalten ist. Letzter ist parallel zur Bildebene 11 angetrieben verlagerbar, in diesem Fall über einen Waferverlagerungsantrieb 13a.
Bei der Strahlungsquelle 3 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle, welche EUV-Strahlung 14 emittiert. Die Wellenlänge der emittierten Nutzstrahlung der EUV-Strahlungsquelle 3 liegt im Bereich von 5 nm bis 30 nm. Auch andere Wellenlängen, die in der Lithographie Verwendung finden, und für die geeignete Lichtquellen zur Verfügung stehen, sind möglich, bei der Strahlungsquelle 3 kann es sich um eine Plasmaquelle, beispielsweise um eine DPP-Quelle oder um eine LPP-Quelle, handeln. Auch eine Strahlungsquelle, die auf einem Synchrotron basiert, ist als Strahlungsquelle 3 einsetzbar. Informationen zu einer derartigen Strahlungsquelle findet der Fachmann beispielsweise in der US 6,859,515 B2 . Zur Bündelung der EUV-Strahlung 14 von der EUV-Strahlungsquelle 3 ist ein in der 1 nicht dargestellter Kollektor vorgesehen.
Die EUV-Strahlung 14 wird auch als Beleuchtungslicht bzw. -strahlung und als Abbildungslicht bezeichnet.
Die Beleuchtungsoptik 4 umfasst einen Feldfacettenspiegel 16 mit einer Vielzahl von nicht dargestellten Feldfacetten. Der Feldfacettenspiegel 16 ist in einer Ebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet, die zur Objektebene 6 optisch konjugiert ist. Vom Feldfacettenspiegel 16 wird die EUV-Strahlung 14 zu einem Pupillenfacettenspiegel 18 der Beleuchtungsoptik 4 reflektiert. Der Pupillenfacettenspiegel 18 weist eine Vielzahl von ebenfalls nicht dargestellten Pupillenfacetten auf. Mit Hilfe des Pupillenfacettenspiegels 18 werden die Feldfacetten des Feldfacettenspiegels 16 einander überlagernd in das Objektfeld 5 abgebildet.
Zu jeder Feldfacette auf dem Feldfacettenspiegel 16 gibt es mindestens eine zugehörige Pupillenfacette auf dem Pupillenfacettenspiegel 18. Zwischen je einer Feldfacette und je einer Pupillenfacette wird ein Lichtkanal oder Strahlungskanal ausgebildet. Die Facetten mindestens eines der Facettenspiegel 16, 18 können schaltbar ausgebildet sein. Sie können insbesondere verkippbar auf dem Facettenspiegel 16, 18 angeordnet sein. Hierbei ist es möglich, nicht alle Facetten, sondern nur einen Teil, beispielsweise höchstens 30 %, höchstens 50 % oder höchstens 70 % der Facetten verkippbar auszubilden. Es kann auch vorgesehen sein, sämtliche Facetten verkippbar auszubilden. Bei den schaltbaren Facetten handelt es sich insbesondere um die Feldfacetten. Durch eine Verkippung der Feldfacetten kann die Zuordnung derselben zu den jeweiligen Pupillenfacetten und damit die Ausbildung der Lichtkanäle variiert werden. Eine bestimmte Zuordnung der Feldfacetten zu den jeweiligen Pupillenfacetten wird auch als Beleuchtungssetting bezeichnet. Für weitere Details der Facettenspiegel 16, 18 mit verkippbaren Facetten sei auf die DE 10 2008 009 600 A1 verwiesen.
Für weitere Details der Beleuchtungsoptik 4 sei ebenfalls auf die DE 10 2008 009 600 A1 verwiesen, die verschiedene Ausführungen einer derartigen Beleuchtungsoptik beschreibt.
Die Beleuchtungsoptik 4 kann so ausgeführt sein, dass sie nach der EUV-Lichtquelle 3 bzw. nach einem dieser nachgeordneten Zwischenfokus nicht mehr als drei Spiegel aufweist, die das Abbildungslicht 14 nacheinander reflektieren. Im Ausführungsbeispiel nach 1 sind dies die Spiegel 16, 18 sowie ein im Beleuchtungsstrahlengang zwischen dem Pupillenfacettenspiegel 18 und dem Objektfeld 5 angeordneter Kondensor 19.
Zur Erleichterung der Beschreibung von Lagebeziehungen wird nachfolgend ein kartesisches xyz-Koordinatensystem verwendet. Die x-Richtung steht in der 1 senkrecht auf der Zeichenebene und verläuft aus dieser heraus, also auf den Betrachter zu. Die y-Richtung verläuft in der 1 nach rechts. Die z-Richtung verläuft in der 1 nach oben. Die Objektebene 6 und die Bildebene 11 liegen parallel in der xy-Ebene. Die reflektierenden bzw. bündelführenden Komponenten aller optischen Komponenten der Beleuchtungsoptik 4 und der Projektionsoptik 9 liegen oberhalb der Objektebene 6 und der Bildebene 11, also in Richtung positiver z-Koordinaten.
Als Maß für einen Abstand A zwischen dem Objektfeld 5 und dem Bildfeld 10 kann auch ein Objekt-Bild-Versatz d_ois herangezogen werden, der den Abstand zwischen den Projektionen eines zentralen Objektfeldpunktes und eines zentralen Bildfeldpunktes auf die xy-Ebene wiedergibt. Dieser Objekt-Bild-Versatz d_ois ist beispielsweise in der 2 eingezeichnet.
Der Retikelhalter 8 ist über den Retikelverlagerungsantrieb 8a gesteuert so verlagerbar, dass bei der Projektionsbelichtung das Retikel 7 in einer Verlagerungsrichtung parallel zur y-Richtung in der Objektebene 6 verlagert werden kann. Entsprechend ist der Waferhalter 13 über den Waferverlagerungsantrieb 13a gesteuert so verlagerbar, dass der Wafer 12 in einer Verlagerungsrichtung in der Bildebene 11 verlagerbar ist. Hierdurch können das Retikel 7 und der Wafer 12 einerseits durch das Objektfeld 5 und andererseits das Bildfeld 10 gescannt werden. Die Verlagerungsrichtung y wird auch als Scan-Richtung bezeichnet. Die Verschiebung des Retikels 7 und des Wafers 12 in Scan-Richtung kann vorzugsweise synchron zueinander erfolgen.
Die Projektionsoptik 9 umfasst eine Mehrzahl von Projektionsspiegeln M1 bis M7. Die Projektionsoptik 9 kann auch eine andere Anzahl von Projektionsspiegel Mi aufweisen und umfasst insbesondere mindestens drei, insbesondere mindestens fünf Projektionsspiegel M1 bis M5. Sie kann insbesondere mindestens sechs, sieben oder acht Projektionsspiegel M1 bis M8 aufweisen.
Die Spiegel M1 bis M7 der Projektionsoptik 9 bilden das Objektfeld 5 in das Bildfeld 10 ab und führen das Abbildungslicht 14 längs eines Abbildungs-Strahlengangs in der Reihenfolge ihrer Nummerierung in der 1.
Die Spiegel M1, M4, M6 und M7 sind als Spiegel mit steilem Einfallswinkel (normal incidence-Spiegel, NI-Spiegel) ausgeführt, wobei ein Einfallswinkel eines Hauptstrahls eines zentralen Feldpunktes im Abbildungsstrahlengang auf diesen NI-Spiegel kleiner ist als 45°. Insgesamt hat die Projektionsoptik 9 also vier derartige NI-Spiegel. Auch eine andere Anzahl von NI-Spiegeln ist möglich, z.B. zwei NI-Spiegel, drei NI-Spiegel, fünf NI-Spiegel oder eine noch größere Anzahl von NI-Spiegeln. Der Einfallswinkel kann insbesondere kleiner sein als 30°.
Eine bildseitige numerische Apertur, die durch den letzten Spiegel M7 im Strahlengang der Projektionsoptik 9 vorgegeben ist, ist in der 1 nicht maßstabsgetreu wiedergegeben und ist deutlich größer als in der 1 dargestellt. Diese bildseitige numerische Apertur kann mindestens 0,4 betragen und kann noch größer sein und kann beispielsweise mindestens 0,5, mindestens 0,55 oder auch mindestens 0,6 betragen.
Die Spiegel M2, M3, M5 der Projektionsoptik 9 sind als Spiegel für streifenden Einfall (grazing incidence-Spiegel, GI-Spiegel) ausgeführt. Ein Einfallswinkel des Hauptstrahl des zentralen Feldpunktes im Abbildungsstrahlengang ist bei diesen GI-Spiegeln größer als 45° und kann insbesondere größer sein als 60°. Die Projektionsoptik 9 hat also insgesamt drei Gl-Spiegel. Die Projektionsoptik 9 kann auch eine andere Anzahl von GI-Spiegeln aufweisen, beispielsweise einen Gl-Spiegel, zwei GI-Spiegel, vier Gl-Spiegel, fünf Gl-Spiegel, sechs Gl-Spiegel oder eine noch größere Anzahl von GI-Spiegeln.
Anstelle des Spiegels M5 kann auch ein Spiegelpaar mit zwei GI-Spiegeln M5a, M5b eingesetzt werden (vgl. auch die Ausführungen nach den 2 und 3).
Der erste Spiegel M1 im Abbildungslicht-Strahlengang der Projektionsoptik 9 ist in Bezug auf die Objektebene 6 in einem Objektebenen-Spiegelhalbraum 20 angeordnet. Der Objektebenen-Spiegelhalbraum 20 belegt also den Raum positiver z-Koordinaten des xyz-Koordinatensystems in der 1.
Der letzte Spiegel M7 der Projektionsoptik 9 ist im Abbildungslicht-Strahlengang in Bezug auf die Bildebene 11 in einem Bildebenen-Spiegelhalbraum 21 angeordnet, der, da die Objektebene 6 mit der Bildebene 11 zusammenfällt und der Spiegel M7 auf der gleichen Seite der Objektebene 6 und der Bildebene 11 angeordnet ist wie der Spiegel M1, mit dem Objektebenen-Halbraum 20 bei der Ausführung der Projektionsbelichtungsanlage 1 nach 1 identisch ist.
Eine Objektebenen-Spiegel-Halbraumrichtung, in die sich der Objektebenen-Spiegelhalbraum 20 öffnet, ist vorgegeben durch die die Richtung einer von der Objektebene 6 ausgehenden Normalen auf die Objektebene, die in den Objektebenen-Spiegelhalbraum 20 hinein verläuft. Beim Ausführungsbeispiel nach 1 verläuft diese Normale in der z-Richtung, die somit die Objektebenen-Spiegelhalbraumrichtung vorgibt. Entsprechend öffnet sich der Bildebenen-Spiegelhalbraum 21 in eine Beleuchtungsebenen-Spiegelhalbraumrichtung, die vorgegeben ist durch die Richtung einer von der Bildebene 11 ausgehenden Normalen auf die Bildebene, die in den Bildebenen-Spiegel-Halbraum 21 hinein verläuft. Aufgrund der Tatsache, dass die Objektebene 6 und die Bildebene 11 bei der Ausführung nach 1 zusammenfallen, wird die Bildebenen-Spiegelhalbraumrichtung wiederum vorgegeben durch die Richtung der z-Achse.
Die Objektebenen-Spiegel-Halbraumrichtung und die Bildebenen-Spiegel-Halbraumrichtung schließen zueinander einen Halbraum-Richtungswinkel ein, der kleiner ist als 30°. Beim Ausführungsbeispiel nach 1 ist dieser Halbraum-Richtungswinkel exakt 0, da die Objektebenen-Spiegel-Halbraumrichtung und die Bildebenen-Spiegel-Halbraumrichtung beide exakt in der z-Richtung verlaufen.
Aufgrund der Tatsache, dass sich beide Spiegelhalbräume 20, 21 entweder genau in die gleiche Richtung oder in Richtungen öffnen, die einen Winkel zueinander haben, der kleiner ist als 30° ergibt sich, dass aus Sicht der Maske 7 und/oder aus Sicht des Wafers 12 die optischen Komponenten der Beleuchtungsoptik 4 und der Projektionsoptik 9 entweder alle oder zum Großteil auf der gleichen Seite der Objektebene 6 und der Bildebene 11 angeordnet sind. Anders als bei vielen Ausgestaltungen von Projektionsoptiken im Stand der Technik liegen die Komponenten der Projektionsoptik 9, also die Spiegel Mi, nicht zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 11.
Bei montierter Projektionsoptik 9 öffnen sich beide Halbräume 20, 21 nach oben. Alternativ ist es möglich, das optische System mit der Beleuchtungsoptik 4 und der Projektionsoptik 9 so zu montieren, dass sich beide Halbräume 20, 21 nach unten öffnen, so dass dieses optische System dann im Vergleich zur Anordnung nach 1 auf dem Kopf stehend montiert ist.
Bei der Projektionsoptik 9 nach 1 verläuft der durchgezogene Abbildungslicht-Strahlengang derart, dass ein Abbildungslicht-Teilstrahl 22 zwischen dem letzten Spiegel M7 im Abbildungslicht-Strahlengang und dem Bildfeld 10 mindestens zwei weitere Kreuzungs-Abbildungslicht-Teilstrahlen zwischen dem ersten Spiegel M1 im Abbildungslicht-Strahlengang und dem vorletzten Spiegel M6 im Abbildungslicht-Strahlengang kreuzt.
Beim gemäß 1 durchgezogen dargestellten Abbildungslicht-Strahlengang der Produktionsoptik 9 kreuzt der Abbildungslicht-Teilstrahl 22 einerseits einen Kreuzungs-Abbildungslicht-Teilstrahl 23 zwischen dem zweiten Spiegel M2 und dem dritten Spiegel M3 im Abbildungslicht-Strahlengang, also zwischen einem sechstletzten und fünftletzten Spiegel im Abbildungslicht-Strahlengang, und andererseits einen Kreuzungs-Abbildungslicht-Teilstrahl 24 zwischen dem Spiegel M5 und dem Spiegel M6, also zwischen einem drittletzten und einem vorletzten Spiegel im Abbildungslicht-Strahlengang. Ein Kreuzungspunkt K1 zwischen den Abbildungslicht-Teilstrahlen 22 und 23 liegt näher an der Bildebene 11 als ein Kreuzungspunkt K2 zwischen den Abbildungslicht-Teilstrahlen 22 und 24. Im Abbildungslicht-Strahlengang wird nach Reflektion des Abbildungslichts 14 am Spiegel M7 also zunächst der Kreuzungspunkt K2 und dann der Kreuzungspunkt K1 durchlaufen, bevor das Abbildungslicht 14 im Objektfeld 10 auf den Wafer 12 trifft.
Gestrichelt ist in der 1 eine Variante der Projektionsoptik 9 mit in positiver y-Richtung verlagertem letztem Spiegel M7 angedeutet. Es ergibt sich ein entsprechend verlagerter Abbildungslicht-Strahlengang, bei dem der Abbildungslicht-Teilstrahl 22 einen Kreuzungs-Abbildungslicht-Teilstrahl 23a zwischen dem fünftletzten Spiegel M3 und dem viertletzten Spiegel M4 im Abbildungs-Strahlengang und einen weiteren Kreuzungs-Abbildungslicht-Teilstrahl 24a zwischen dem vierletzten Spiegel M4 und dem drittletzten Spiegel M5 im Abbildungslicht-Strahlengang in Kreuzungspunkten K1a und K2a kreuzt.
Anhand der 2 wird nachfolgend eine weitere Ausführung einer Projektionsbelichtungsanlage mit einem optischen System beschrieben, welches anstelle des optischen Systems nach 1 zum Einsatz kommen kann. Komponenten und Funktionen, die denjenigen entsprechen, die vorstehend insbesondere unter Bezugnahme auf die 1 bereits erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals diskutiert.
Bei der Projektionsbelichtungsanlage mit dem optischen System nach 2 hat die Beleuchtungsoptik 4 zunächst einen Kollektor 25, der das Beleuchtungs- bzw. Abbildungslicht 14, welches von der in der 2 nicht dargestellten Lichtquelle 3 ausgeht, sammelt. Das Abbildungslicht 14 durchläuft nach Reflektion am Kollektor 25 zunächst einen Zwischenfokus 26 und trifft anschließend auf den Feldfacettenspiegel 16.
Beim optischen System nach 2 stellt der Pupillenfacettenspiegel 18 der Beleuchtungsoptik 4 gleichzeitig den Spiegel M2 einer Projektionsoptik 27 dar, die anstelle der Projektionsoptik 9 zum Einsatz kommt. Ein derartiges Konzept des optischen Systems, bei dem der Pupillenfacettenspiegel gleichzeitig den zweiten Spiegel der Projektionsoptik darstellt, ist bekannt aus der US 9,678,439 B2 .
Hierüber lässt sich, wie in der US 9,678,439 B2 beschrieben, ein Einfallswinkel CRA (chief ray angle) eines Hauptstrahls eines zentralen Feldpunktes der EUV-Strahlung 14 von 0°, also eine senkrechte Beleuchtung des Objektfeldes 5 und damit des Retikels 7, gewährleisten.
Nach Reflexion am Pupillenfacettenspiegel 18 wird das Beleuchtungs- bzw. Abbildungslicht 14 über den Spiegel M1 der Projektionsoptik 27 hin zum Objektfeld 5 geführt und beaufschlagt dieses wie vorstehend beschrieben, mit CRA = 0°. Anschließend wird das Abbildungslicht 14 über die Spiegel Mi der Projektionsoptik 27 in der Reihenfolge ihrer Nummerierung bis hin zum Bildfeld 10 geführt. Die Projektionsoptik 27 hat insgesamt elf Spiegel M1 bis M4, M5a, M5b und M6 bis M10. Die Spiegel M1, M2, M9 und M10 sind als NI-Spiegel ausgeführt. Die Spiegel M3, M4, M5a, M5b, M6, M7 und M8 sind als GI-Spiegel ausgeführt. Der letzte, die bildgebende numerische Apertur vorgebende Spiegel M10 ist als obskurierter Spiegel ausgeführt und hat eine Durchtrittsöffnung 28 für das Abbildungslicht 14 im Abbildungslicht-Teilstrahl zwischen den Spiegeln M8 und M9. Der vorletzte Spiegel M9 der Projektionsoptik 27 ist ohne Durchtrittsöffnung für das Abbildungslicht 14 ausgeführt.
In Bezug auf eine xz-Ebene, die durch den zentralen Objektfeldpunkt verläuft, liegt der Spiegel M2 in einem der über diese xz-Ebene definierten Halbräume und die Spiegel M3 bis M10 liegen im anderen Halbraum, der über diese, durch den zentralen Objektfeldpunkt verlaufenden xz-Ebene vorgegeben wird. In der Anordnung nach 2 liegt also ausschließlich der Spiegel M2 links vom Objektfeld 5 und die Spiegel M3 bis M10 liegen rechts vom Objektfeld 5.
Der Spiegel M1 ist im Objekt-Spiegelhalbraum 20 angeordnet. Der Spiegel M10, also der letzte Spiegel im Abbildungslicht-Strahlengang der Projektionsoptik 27 ist im Bildebenen-Spiegelhalbraum 21 angeordnet. Beide Spiegelhalbräume 20, 21 öffnen sich wiederum in die gleiche Richtung, nämlich in die xz-Richtung.
Die Objektebene 6 liegt parallel zur Bildebene 11 und ist zu dieser in positiver z-Richtung beabstandet. Die Objektebenen-Spiegel-Halbraumrichtung und die Bildebenen-Spiegel-Halbraumrichtung verlaufen bei der Projektionsoptik 27 also in die gleiche Richtung. Entsprechend ist der Halbraum-Richtungswinkel wieder 0°.
Aufgrund der Beabstandung der Objektebene 6 zur Bildebene 11 liegen die Spiegel M9 und M10 nicht im Objektebenen-Spiegelhalbraum 20.
Ein Abbildungslicht-Teilstrahl 29 zwischen dem Objektfeld 5 und dem ersten Spiegel M1 im Abbildungslicht-Strahlengang der Projektionsoptik 27 verläuft unter einem Winkel von CRA = 0° zur Normalen auf die Objektebene 6. Auch andere Winkel CRA, die kleiner sind als 3°, sind mit einer Anordnung des optischen Systems nach 2 möglich. Es ist also nicht zwingend erforderlich, dass das Beleuchtungs- bzw. Abbildungslicht 14 bei der Reflexion am Objektfeld 5 in sich zurück reflektiert wird.
Ein Abstand Z_E zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 11 kann mehr als 10 % eines maximalen z-Abstandes Z_M zwischen Reflektionsflächen des optischen Systems der Projektionsbelichtungsanlage nach 2 betragen. Bei der Ausführung nach 2 wird der Abstand Z_M vorgegeben durch den maximalen Abstand zwischen den Reflektionsflächen des Feldfacettenspiegels 16 einerseits und des vorletzten Spiegels M9 der Projektionsoptik 27 andererseits. Bei der Ausführung nach 2 beträgt das Verhältnis Z_E etwa 50 %. Auch andere Abstandsverhältnisse Z_E /Z_M im Bereich zwischen 10 % und 50 %, beispielsweise 15 %, 20 %, 25 %, 30 %, 35 %, 40 %, 45 % oder auch Abstandsverhältnisse Z_E /Z_M die größer sind als 50%, sind möglich.
Anhand der 3 wird nachfolgend eine weitere Ausführung eines optischen Systems für eine Projektionsbelichtungsanlage beschrieben, die anstelle der Projektionsbelichtungsanlage 1 nach 1 zum Einsatz kommen kann. Komponenten und Funktionen, die denjenigen entsprechend, die vorstehend unter Bezugnahme auf die 1 und 2 bereits erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.
Im Unterschied zum optischen System nach 2 liegt beim optischen System nach 3 ein Einfallswinkel eines Hauptstrahls eines zentralen Objektfeldpunktes auf die Objektebene 6, CRA, vor, der größer ist als 3° und der beispielsweise bei 6° liegen kann.
Beim optischen System nach 3 fallen der Pupillenfacettenspiegel 18 und der Spiegel M2 nicht zusammen, sondern sind zwei voneinander separate Komponenten vergleichbar zu dem, was vorstehend im Zusammenhang mit der Ausführung nach 1 erläutert wurde. Nach dem Pupillenfacettenspiegel 18 hat die Beleuchtungsoptik 4 des optischen Systems nach 3 im Beleuchungslicht-Strahlengang noch einen Kondensor 19 entsprechend der Ausführung nach 1.
Abgesehen vom anderen Hauptstrahlwinkel CRA auf die Objektebene entspricht eine Projektionsoptik 30 des optischen Systems nach 3 der Projektionsoptik 27 nach 2. Dies führt dazu, dass eine Bildebene 11 zur Objektebene 6 um diesen Unterschied im Einfallswinkel CRA verkippt ist. Die Bildebene 11 ist beim optischen System nach 3 also nicht mehr parallel zur Objektebene 6 und entsprechend nicht parallel zur xy-Ebene, zu der die Objektebene 6 parallel ist. Trotz dieser Verkippung der Bildebene 11 zur Objektebene 6 liegt der erste Spiegel M1 im Objektebenen-Halbraum 20 und der letzte Spiegel M10 der Projektionsoptik 30 im Bildebenen-Spiegelhalbraum 21.
Eine Objektebenen-Spiegel-Halbraumrichtung, in die sich der Objektebenen-Spiegelhalbraum 20 öffnet, ist wiederum durch die z-Richtung vorgegeben. Eine Bildebenen-Spiegel-Halbraumrichtung, in die sich der Bildebenen-Spiegelhalbraum 21 öffnet, ist im Falle des optischen Systems nach 3 vorgegeben durch die Richtung einer von der Bildebene 11 ausgehenden Normalen N_BE , die in den Bildebenen-Spiegelhalbraum 21 hinein verläuft. Zwischen der Objektebenen-Spiegel-Halbraumrichtung, also der z-Richtung und der Bildebenen-Spiegel-Halbraumrichtung, also der Richtung der Normalen N_BE , liegt ein Halbraum-Richtungswinkel H vor, der beim optischen System nach 3 8° beträgt. Auch andere derartige Halbraum-Richtungswinkel im Bereich zwischen 0° und 30° sind möglich.
Eine bildseitige numerische Apertur der Projektionsoptiken 27 bzw. 30, jeweils vorgegeben durch den letzten Spiegel M10, kann größer sein als 0,6 und kann insbesondere mindestens 0,7, mindestens 0,75 betragen oder auch noch größer sein.
Die Spiegel M1 bis M10 können jeweils eine ihre Reflektivität optimierende Beschichtung tragen, die als Einlagen- oder als Mehrlagen-Beschichtung ausgeführt sein kann. Eine entsprechende Mehrlagen-Beschichtung kann eine Mehrzahl von alternierenden Bilagen aus zwei unterschiedlichen Beschichtungsmaterialien, beispielsweise Molybdän und Silizium aufweisen. Eine Einlagen-Beschichtung kann beispielsweise als Ruthenium-Beschichtung ausgeführt sein.
Anhand der 4 wird nachfolgend eine weitere Ausführung einer abbildenden Optik bzw. Projektionsoptik 31 beschrieben, die anstelle der Projektionsoptiken 9, 27 und 30 bei den Projektionsbelichtungsanlagen nach den 1 bis 3 zum Einsatz kommen kann. Komponenten und Funktionen, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die 1 bis 3 bereits erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert.
Diese Darstellung nach 4 zeigt den Verlauf von Einzelstrahlen, die von drei in der y-Richtung voneinander beabstandeten Feldpunkten ausgehen, wobei jeweils der Verlauf eines durch ein Zentrum einer Pupille der Projektionsoptik 31 verlaufenden Hauptstrahls und der Verlauf zweier Randstrahlen dargestellt ist.
Auch die Projektionsoptik 31 hat elf Spiegel zur Abbildung des Objektfeldes 5 in das Bildfeld 10, die von M1 bis M11 durchnummeriert sind.
Wie bei der Ausführung nach 2 liegt auch bei der Projektionsoptik 31 ein Einfallswinkel CRA des Hauptstrahls des zentralen Feldpunktes des Abbildungslichts 14 von 0°, also eine senkrechte Beleuchtung des Objektfeldes 5 und damit des Retikels 7, vor.
Die Projektionsoptik 31 hat eine vom letzten Spiegel M11 im Abbildungsstrahlengang bereitgestellte bildseitige nummerische Apertur von 0,55. Die Projektionsoptik 31 ist ausgelegt auf eine Designwellenlänge für das Abbildungslicht 14 von 13,5 nm. Das Bildfeld hat eine Erstreckung in x-Richtung von 26 mm und in y-Richtung von 1,2 mm. Das Bildfeld 10 ist plan, also ohne Feldkrümmung.
Die abbildende Optik 31 hat einen Verkleinerungsfaktor von 4x.
Ein Wellenfrontfehler (rms) liegt bei 15 mλ. Die abbildende Optik 31 ist sowohl objektseitig als auch bildseitig telezentrisch.
Eine sowohl die randseitige Aperturbegrenzung als auch eine Obskuration aufgrund der Durchtrittsöffnung 28 in einer Pupillenebene definierende Blende, die also gleichzeitig als Aperturblende und als Obskurationsblende dient, liegt direkt auf dem zweiten Spiegel M2 im Abbildungsstrahlengang des Abbildungslichts 14.
Die Spiegel M1 bis M11 sind als nicht durch eine rotationssymmetrische Funktion beschreibbare Freiformflächen ausgeführt. Es sind auch andere Ausführungen der Projektionsoptik 7 möglich, bei denen mindestens einer der Spiegel M1 bis M11 als rotationssymmetrische Asphäre ausgeführt ist. Eine Asphärengleichung für eine solche rotationssymmetrische Asphäre ist bekannt aus der DE 10 2010 029 050 A1 . Auch alle Spiegel M1 bis M11 können als derartige Asphären ausgeführt sein.
Eine Freiformfläche kann durch folgende Freiformflächengleichung (Gleichung 1) beschrieben werden: $\begin{array}{l} Z = \frac{c_{x} x^{2} + c_{y} y^{2}}{1 + \sqrt{1 - (1 + k_{x}) {(c_{x} x)}^{2} - (1 + k_{y}) {(c_{y} y)}^{2}}} \\ + C_{1} x + C_{2} y \\ + C_{3} x^{2} + C_{4} xy + C_{5} y^{2} \\ + C_{6} x^{3} + \dots + C_{9} y^{3} \\ + C_{10} x^{4} + \dots + C_{12} x^{2} y^{2} + \dots C_{14} y^{4} \\ C_{15} x^{5} + \dots C_{20} y^{5} \\ + C_{21} x^{6} + C_{24} x^{3} y^{3} + \dots + C_{27} y^{6} \\ + \dots \end{array}$
Für die Parameter dieser Gleichung (1) gilt:
Z ist die Pfeilhöhe der Freiformfläche am Punkt x, y, wobei x² + y² = r². r ist hierbei der Abstand zur Referenzachse der Freiformflächengleichung (x = 0; y = 0).
In der Freiformflächengleichung (1) bezeichnen C₁ , C₂ , C₃ ... die Koeffizienten der Freiformflächen-Reihenentwicklung in den Potenzen von x und y.
Im Falle einer konischen Grundfläche ist c_x , c_y eine Konstante, die der Scheitelpunktkrümmung einer entsprechenden Asphäre entspricht. Es gilt also c_x = 1/R_x und c_y = 1/R_y. k_x und k_y entsprechen jeweils einer konischen Konstante einer entsprechenden Asphäre. Die Gleichung (1) beschreibt also eine bikonische Freiformfläche.
Eine alternativ mögliche Freiformfläche kann aus einer rotationssymmetrischen Referenzfläche erzeugt werden. Derartige Freiformflächen für Reflexionsflächen der Spiegel von Projektionsoptiken von Projektionsbelichtungsanlagen für die Mikrolithographie sind bekannt aus der
US 2007-0058269 A1 .
Alternativ können Freiformflächen auch mit Hilfe zweidimensionaler Spline-Oberflächen beschrieben werden. Beispiele hierfür sind Bezier-Kurven oder nichtuniforme rationale Basis-Splines (non-uniform rational basis splines, NURBS). Zweidimensionale Spline-Oberflächen können beispielsweise durch ein Netz von Punkten in einer xy-Ebene und zugehörige z-Werte oder durch diese Punkte und ihnen zugehörige Steigungen beschrieben werden. Abhängig vom jeweiligen Typ der Spline-Oberfläche wird die vollständige Oberfläche durch Interpolation zwischen den Netzpunkten unter Verwendung zum Beispiel von Polynomen oder Funktionen, die bestimmte Eigenschaften hinsichtlich ihrer Kontinuität und Differenzierbarkeit haben, gewonnen. Beispiele hierfür sind analytische Funktionen.
Die optischen Designdaten der Reflexionsflächen der Spiegel M1 bis M11 der Projektionsoptik 31 können den nachfolgenden Tabellen entnommen werden. Diese optischen Designdaten gehen jeweils von der Bildebene 11 aus, beschreiben die jeweilige Projektionsoptik also in umgekehrter Laufrichtung des Abbildungslichts 14 zwischen der Bildebene 11 und der Objektebene 6.
Die erste dieser Tabellen gibt einen Überblick über die Designdaten der Projektionsoptik 31 und fasst zusammen die numerische Apertur NA, die gerechnete Designwellenlänge für das Abbildungslicht 14, die Größen des Bildfeldes 10 in x- und y-Richtung und eine Bildfeldkrümmung. Diese Krümmung ist definiert als der inverse Krümmungsradius des Feldes.
Die zweite dieser Tabellen gibt zu den optischen Oberflächen der optischen Komponenten Scheitelpunktsradien (Radius_x = R_x , Radius_y = R_y ) und Brechkraftwerte (Power_x, Power_y) an. Negative Radienwerte bedeuten zum einfallenden Beleuchtungslicht 14 hin konkave Kurven im Schnitt der jeweiligen Oberfläche mit der betrachteten Ebene (xz, yz), die von einer Flächennormalen im Scheitelpunkt mit der jeweiligen Krümmungsrichtung (x, y) aufgespannt wird. Die beiden Radien Radius_x, Radiux_y können explizit verschiedene Vorzeichen haben.
Die Scheitelpunkte an jeder optischen Fläche sind definiert als Auftreffpunkte eines Führungsstrahls, der von einer Objektfeldmitte entlang einer Symmetrieebene x=0, also der Zeichenebene der 4 (Meridionalebene) hin zum Bildfeld 11 geht.
Die Brechkräfte Power_x (P_x ), Power_y (P_y ) an den Scheitelpunkten sind definiert als: $P_{x} = - \frac{2 cos A O I}{R_{x}}$
$P_{y} = - \frac{2}{R_{y} cos A O I}$
AOI bezeichnet hierbei einen Einfallswinkel des Führungsstrahls zur Oberflächennormalen.
Die dritte Tabelle gibt für die Spiegel M1 bis M11 in mm die konischen Konstanten k_x und k_y , den Scheitelpunktradius R_x (= Radius_x) und die Freiformflächen-Koeffizienten C_n an. Koeffizienten C_n , die nicht tabelliert sind, haben jeweils den Wert 0.

In der vierten Tabelle ist noch der Betrag angegeben, längs dem der jeweilige Spiegel, ausgehend von einer Bezugsfläche in der y-Richtung dezentriert (DCY), in der z-Richtung verschoben (DCZ) und verkippt (TLA, TLB, TLC) wurde. Dies entspricht einer Parallelverschiebung und einer Verkippung beim Freiformflächen-Designverfahren. Verschoben wird dabei in y- und in z-Richtung in mm und verkippt um die x-Achse, um die y-Achse und um die z-Achse. Der Verdrehwinkel ist dabei in Grad angegeben. Es wird zunächst dezentriert, dann verkippt. Die Bezugsfläche bei der Dezentrierung ist jeweils die erste Fläche der angegebenen optischen Designdaten. Auch für das Objektfeld 5 ist eine Dezentrierung in y- und in z-Richtung angegeben. Tabelle 1 zu Fig. 4

Name
NA	0.55
Wellenlaenge	13.5 nm
Feldgroesse_x	26.0 mm
Feldgroesse_y	1.2 mm
Feldkruemmung	0.0 1/mm

Tabelle 2 zu Fig. 4

Oberfläche	Radius_x[mm]	Power_x[1/mm]	Radius_y[mm]	Power_y[1/mm]	Betriebsmodus
M11	-756.9467624	0.0026233	-693.9682345	0.0029027	REFL
M10	1026.5546115	-0.0019482	378.2678915	-0.0052873	REFL
M9	2988.9044714	-0.0001005	18635.1528610	-0.0007147	REFL
M8	335314.5538635	-0.0000011	-5468.1379836	0.0020516	REFL
M7	-1336.4567198	0.0003589	-1555.2553836	0.0053621	REFL
M6	-1132.7932542	0.0002988	-3891.7536502	0.0030367	REFL
M5	-1521.8444738	0.0002745	-7352.7144952	0.0013021	REFL
M4	-1262.4278499	0.0003293	15656.0241412	-0.0006146	REFL
M3	-2908.2841528	0.0000959	2743.1099063	-0.0052288	REFL
M2	2396.7576153	-0.0008157	-3041.0477740	0.0006728	REFL
M1	-1467.1820756	0.0013429	-1439.7941565	0.0014101	REFL

Tabelle 3a zu Fig. 4

Koeffizient	M11	M10	M9
KY	0.00000000	0.00000000	0.00000000
KX	0.00000000	0.00000000	0.00000000
RX	-756.94676240	1026.55461200	2988.90447100

C2	0.00325052601	-0.0185315282	0.00456356417
C3	-1.37670119e-06	4.75378668e-06	3.06419328e-05
C5	-1.57518394e-05	0.000528151013	-5.54249069e-05
C7	-1.75091951e-08	1.90333931e-06	-2.57920193e-07
C9	1.99195814e-09	4.53182799e-07	-9.73197093e-08
C10	-5.01197411e-11	2.20490738e-09	4.14663974e-10
C12	-1.04478485e-10	1.24129006e-08	-6.4216962e-10
C14	-4.52593414e-11	8.21502092e-09	-4.47397877e-10
C16	-1.45021211 e-14	1.42670028e-11	-2.43720792e-13
C18	-2.51794779e-14	2.98395365e-11	-1.87947072e-12
C20	-9.4454907e-16	2.09430675e-11	-2.283886e-12
C21	-1.01685877e-16	1.5166695e-14	3.04910964e-17
C23	-3.2139507e-16	1.41485135e-13	-3.54146117e-15
C25	-3.17696194e-16	3.48250878e-13	-7.93302631e-15
C27	-9.34052953e-17	3.1989133e-13	-1.13750492e-14
C29	-2.94012057e-20	1.19487528e-16	-7.33923503e-18
C31	-8.77600474e-20	5.16965852e-16	-8.97270914e-18
C33	-5.91310283e-20	8.23013894e-16	-3.79644691e-17
C35	9.07342008e-21	-4.31727504e-15	-5.42582637e-17
C36	-1.25812988e-22	1.33221946e-19	9.37626826e-20
C38	-6.3110518e-22	1.42773592e-18	2.49994776e-19
C40	-1.03800553e-21	3.25409946e-18	8.93256098e-20
C42	-6.9665674e-22	-2.34740548e-17	-2.31082317e-19
C44	-1.52319585e-22	-3.6443614e-17	-3.07267999e-19
C46	-7.41247465e-26	2.60075491e-21	-2.27412869e-21
C48	-2.5776936e-25	3.10297632e-20	-2.80686396e-21
C50	-3.28814059e-25	7.55851078e-20	-8.88756713e-22
C52	-4.65115003e-26	-1.11343577e-19	-1.96005107e-21
C54	-4.26380734e-26	4.5402163e-19	-2.15677974e-21
C55	-1.51091067e-27	2.34055911e-25	-9.50250592e-24
C57	-5.85512306e-27	5.02350906e-23	-6.81895337e-23
C59	-9.96386568e-27	6.80054963e-22	-5.26986807e-23
C61	-9.39950014e-27	3.28241758e-21	-2.579089e-23
C63	-5.23821785e-27	1.16129755e-20	-1.02924251e-23
C65	-1.31722935e-27	1.12331127e-20	-9.17639532e-24
C67	4.64219066e-31	-6.06374021e-26	8.91056262e-25
C69	1.26562054e-30	-1.5639977e-24	7.59119923e-25
C71	2.23989182e-30	-1.24619289e-23	3.69945452e-25
C73	1.04489436e-30	-2.34443511e-23	-1.17716995e-25
C75	-1.99572737e-31	3.01306901e-23	1.93255754e-26
C77	2.4873769e-31	-4.46461202e-23	5.33155192e-27
C78	1.33635051e-32	7.17411529e-29	-4.38405077e-28
C80	5.56174724e-32	-1.24626109e-27	8.39548784e-27
C82	1.03491225e-31	-4.4135398e-26	5.18388863e-27
C84	1.22292546e-31	-3.65306932e-25	5.93111806e-27
C86	9.62696597e-32	-1.20521234e-24	6.70088164e-28
C88	4.8853026e-32	-2.8353219e-24	1.30051963e-28
C90	1.16309079e-32	-1.71491039e-24	2.08283579e-29
C92	-5.87758981e-36	3.07508895e-30	-1.0967946e-28
C94	-2.77776905e-35	8.31388202e-29	-1.70269927e-28
C96	-7.3164304e-35	7.64977802e-28	-5.42140072e-29
C98	-9.28287506e-35	3.38686975e-27	-8.3312432e-30
C100	-4.62430682e-35	3.39524162e-27	9.90481221e-30
C102	-1.04383225e-35	-5.48282746e-27	-5.71166168e-30
C104	-2.79893524e-36	5.64406531e-29	-2.64376824e-30
C105	-9.88233673e-38	-1.7261832e-33	6.99575289e-32
C107	-5.08794629e-37	5.48382198e-32	1.5891639e-32
C109	-1.16885012e-36	1.88722451e-30	1.20914695e-31
C111	-1.70919755e-36	2.01523209e-29	-3.16860944e-31
C113	-1.73738865e-36	9.5193564e-29	-3.24558124e-31
C115	-1.2082249e-36	2.27445552e-28	4.57450389e-32
C117	-5.14992021e-37	4.05467803e-28	-5.98079996e-32
C119	-1.0250481e-37	1.7051789e-28	-2.21025859e-32
C121	2.82155804e-41	-3.34537322e-35	4.09158956e-33
C123	1.66939974e-40	-1.27807255e-33	1.44211213e-32
C125	5.13968298e-40	-1.56469331e-32	2.03104401e-33
C127	8.52481185e-40	-9.13627612e-32	2.71943208e-33
C129	7.17260666e-40	-2.95442743e-31	-1.54699381e-33
C131	2.5462981e-40	-8.73244364e-32	8.85981445e-35
C133	5.14272451e-41	3.94754197e-31	-2.24527756e-34
C135	2.18871797e-41	2.59587986e-31	-7.02018913e-35
C136	3.66084152e-43	2.75064445e-38	2.65843646e-36
C138	2.17777701e-42	-5.81421719e-37	-4.5388478e-35
C140	5.75483274e-42	-2.90939742e-35	-5.83356633e-35
C142	9.80558773e-42	-3.84477691e-34	2.74536062e-36
C144	1.21920596e-41	-2.51586171e-33	1.36182906e-35
C146	1.08176307e-41	-8.12834521e-33	-2.66266215e-36
C148	6.7797428e-42	-1.64335803e-32	4.85417775e-38
C150	2.52943211e-42	-2.40883915e-32	-3.01774391e-37
C152	4.30867129e-43	-8.72891365e-33	-8.16121173e-38
C154	-5.45247137e-47	0	0
C156	-3.78309875e-46	0	0
C158	-1.39610326e-45	0	0
C160	-2.99276176e-45	0	0
C162	-3.79572677e-45	0	0
C164	-2.43481356e-45	0	0
C166	-6.56242603e-46	0	0
C168	-1.00931535e-46	0	0
C170	-6.38145448e-47	0	0
C171	-5.85160979e-49	0	0
C173	-4.02478586e-48	0	0
C175	-1.22756072e-47	0	0
C177	-2.41227488e-47	0	0
C179	-3.46549197e-47	0	0
C181	-3.74321532e-47	0	0
C183	-2.89915611e-47	0	0
C185	-1.66375557e-47	0	0
C187	-5.46113051e-48	0	0
C189	-7.72825824e-49	0	0

Tabelle 3b zu Fig. 4

Koeffizient	M8	M7	M6
KY	0.00000000	0.00000000	0.00000000
KX	0.00000000	0.00000000	0.00000000
RX	335314.55390000	-1336.45672000	-1132.79325400

C2	-0.00934477002	-0.00319931533	-0.00924098709
C3	-5.28674539e-07	-1.76420599e-05	-5.77521025e-06
C5	0.000253783415	1.00263195e-05	-2.48058598e-05
C7	-6.82771579e-07	-1.65734802e-07	-1.00876904e-08
C9	6.31363484e-07	3.14468114e-07	-1.21324764e-07
C10	7.70009917e-10	-1.51407885e-10	1.43554678e-10
C12	-4.20478233e-10	1.13440214e-09	-4.22848947e-10
C14	2.77198568e-09	-7.7708489e-10	2.20823534e-10
C16	-4.43361749e-12	8.38735197e-13	-4.50109714e-13
C18	-2.07561905e-11	-4.65185261e-12	1.76767547e-13
C20	6.5541556e-12	2.69958641e-12	-1.15250337e-12
C21	6.13104877e-15	4.76090065e-16	-5.08513478e-16
C23	6.75105487e-14	-6.86107077e-15	4.47674693e-16
C25	8.54516082e-14	1.77013918e-14	-2.76455936e-15
C27	1.04404202e-13	-1.31571735e-14	2.54210161e-15
C29	-1.06315028e-16	-6.62502022e-18	1.01298466e-18
C31	-7.15151455e-16	4.81457319e-17	-5.48520419e-18
C33	-7.67567294e-16	-9.49830761e-17	1.50722911e-17
C35	-1.19920577e-16	4.60964936e-17	-1.13668406e-16
C36	5.31562538e-20	-3.13756534e-21	6.04583024e-22
C38	1.69007629e-18	4.87008386e-20	-9.28288968e-21
C40	-3.32578007e-19	-3.09626922e-19	4.5511045e-20
C42	-1.27052849e-17	6.65762777e-19	-2.96163741e-20
C44	1.53403729e-17	1.38470765e-19	6.41344709e-19
C46	-2.75616307e-21	3.35346413e-23	-6.9892699e-25
C48	1.50480725e-20	-4.6569225e-22	7.13009691e-23
C50	1.44516638e-19	2.332696e-21	2.59714278e-22
C52	-5.1390504e-20	-3.4726867e-21	-8.03142253e-22
C54	3.87854384e-19	4.470418e-21	2.40034346e-20
C55	3.75342753e-24	-1.98492517e-25	1.18040293e-26
C57	4.27516608e-23	-5.19028749e-25	8.11061947e-26
C59	-1.57464385e-23	4.46959627e-24	-9.2971759e-26
C61	1.67934488e-21	-1.3352712e-23	-4.77329015e-24
C63	1.09671639e-20	-9.33716012e-24	1.43217969e-23
C65	-1.44543057e-20	-6.29203846e-23	-3.0965402e-23
C67	4.08789122e-26	8.61352897e-28	-7.31012016e-29
C69	-1.66977787e-24	6.42752536e-27	-7.16391228e-28
C71	-2.17957504e-23	-5.05714323e-26	-8.90285198e-27
C73	-1.67662776e-22	5.34645152e-26	-9.67772685e-26
C75	7.40895888e-23	1.13680338e-25	2.65578316e-25
C77	-2.47543364e-22	-7.36972753e-25	-3.35082658e-24
C78	-1.42425862e-28	8.71063877e-30	-1.96811187e-31
C80	-4.62835474e-27	5.5406969e-30	-9.54163826e-31
C82	1.78274941e-26	-3.81160438e-29	-9.95828853e-30
C84	8.43458936e-25	2.46353784e-28	-6.70862883e-29
C86	-6.11794472e-25	-4.67883125e-28	2.42072109e-28
C88	-1.27539398e-24	3.29921559e-27	-3.68091077e-27
C90	6.85310447e-24	3.50398021e-27	-5.45637301e-27
C92	-1.67985973e-30	-4.60174319e-32	4.87317962e-34
C94	7.07234276e-29	-1.98663483e-31	4.00220396e-33
C96	-3.72466267e-28	1.08736804e-30	-3.24422091e-32
C98	4.48202693e-27	-2.23137944e-30	1.19842994e-30
C100	4.78418354e-26	9.40746235e-30	8.16974556e-30
C102	-4.2518919e-26	-3.01713122e-29	-5.05373933e-29
C104	3.9685556e-26	8.37373732e-29	2.26636758e-28
C105	2.15793431e-33	-1.46943869e-34	-1.31330079e-37
C107	2.77240339e-31	1.71102468e-34	1.04034954e-35
C109	1.55553711e-30	6.953809e-34	9.29006679e-35
C111	-3.79640708e-29	-1.05446996e-32	1.21189092e-33
C113	-2.92852127e-28	4.36061126e-32	1.18011501e-32
C115	3.51030565e-29	-1.2167107e-31	2.18403273e-32
C117	-2.29274817e-28	-5.49243828e-32	1.53158932e-31
C119	-1.25884661e-27	-3.60566281e-32	8.12205092e-31
C121	-4.9835303e-35	6.39026668e-37	-7.49054244e-40
C123	-5.64296865e-33	3.19462202e-36	-6.74381479e-39
C125	-9.30112205e-33	-1.64139174e-35	1.13738118e-36
C127	9.38289929e-31	6.63217275e-35	1.17809652e-35
C129	1.24275202e-30	-2.48574521e-34	-7.25224641e-36
C131	-3.8641767e-30	2.85508736e-34	-3.55107519e-35
C133	1.15218716e-29	6.53662819e-34	3.61380722e-33
C135	4.10277317e-30	-3.20948537e-33	-5.73774758e-33
C136	6.21842361e-38	7.6520911e-40	1.15114618e-41
C138	-1.68949959e-36	-4.47009065e-39	-6.77224516e-41
C140	4.74273299e-35	-1.62510744e-38	5.74738217e-41
C142	-2.88854175e-34	2.00050656e-37	4.06675697e-39
C144	-4.48958554e-33	-7.86112067e-37	3.37781599e-38
C146	5.41381439e-33	1.12478959e-36	-2.40809456e-37
C148	4.59135366e-33	2.61652129e-36	1.58144339e-37
C150	-4.79402894e-32	8.96757693e-38	1.1084516e-35
C152	8.26439198e-33	-7.16832554e-36	-2.7485602e-35

Tabelle 3c zu Fig. 4

Koeffizient	M5	M4	M3
KY	0.00000000	0.00000000	0.00000000
KX	0.00000000	0.00000000	0.00000000
RX	-1521.84447400	-1262.42785000	-2908.28415300

C2	0.0219740073	-0.0254785928	-0.00518024147
C3	1.67873801e-05	3.37223876e-05	-1.54008935e-05
C5	7.70290351e-06	-3.99642044e-05	5.75103929e-05
C7	-2.5016547e-08	-2.60807474e-07	-1.84606952e-07
C9	5.14855455e-08	2.11332745e-07	-4.38755885e-07
C10	-1.35437128e-10	8.65015648e-11	2.02401057e-10
C12	-4.14996764e-10	5.02489518e-10	-1.31723029e-10
C14	-2.41590158e-10	-3.05573821e-10	7.26268815e-10
C16	2.08808394e-13	-8.09782428e-14	7.15013833e-13
C18	-4.35601519e-13	2.29483725e-13	1.26409466e-12
C20	7.60060404e-13	1.31281615e-12	3.01323591e-13
C21	2.46229128e-16	-2.55632968e-16	-6.02302942e-16
C23	-1.30814638e-15	-1.02426425e-15	1.2645573e-15
C25	-6.13132831e-15	-2.26034629e-15	-6.6795358e-15
C27	3.36674001e-16	-4.99010847e-15	-9.31923431e-16
C29	-2.15354381e-19	-3.46101969e-19	-3.6008001e-18
C31	-2.1574579e-18	1.34849042e-17	-1.22088795e-17
C33	-3.1694303e-17	4.90516379e-18	-3.53352439e-17
C35	2.83823582e-17	3.94687403e-17	-5.13594848e-17
C36	-7.05292788e-23	2.27345938e-21	-3.11092637e-21
C38	2.89593146e-21	-2.40900889e-21	2.5534562e-20
C40	-2.71613589e-20	3.97507158e-20	2.36502738e-19
C42	-3.61487884e-19	-3.92649498e-20	5.68353487e-19
C44	2.93149482e-19	-5.25605838e-20	4.80941096e-19
C46	-1.08268211e-23	-3.24199121e-24	-2.38814565e-23
C48	-2.35339207e-23	-7.8894836e-23	-1.7327779e-22
C50	1.82014311e-22	4.62955732e-22	-1.34928768e-21
C52	-1.0703055e-21	1.39462926e-21	-3.60804049e-21
C54	2.15196082e-21	-5.47641275e-21	-2.82412035e-21
C55	6.86861049e-27	-3.11474016e-26	9.14987827e-26
C57	-1.73580871e-26	5.25600252e-26	-1.59236509e-25
C59	-4.06400718e-25	-4.15811336e-24	-1.1463791e-25
C61	9.36251432e-25	-2.134624e-23	3.13560403e-24
C63	1.85158385e-23	1.27406466e-23	1.11446927e-23
C65	-7.03743603e-25	3.57688552e-23	2.03094339e-23
C67	1.05127636e-28	1.25352976e-28	-5.33736179e-29
C69	9.17899941e-28	3.23054075e-27	-1.85615007e-27
C71	-4.7533087e-27	4.88085881e-26	-8.9644788e-28
C73	-9.13287858e-26	4.07682205e-26	1.12160196e-26
C75	1.4293095e-25	-4.16188198e-25	-2.30777537e-26
C77	-6.9201048e-26	3.51126156e-25	-1.45036501e-25
C78	-1.24804861e-31	4.71091483e-31	-1.30140818e-30
C80	1.23013617e-31	-2.62465485e-30	7.40511051e-30
C82	7.84946299e-30	3.84157604e-29	1.11417638e-29
C84	7.37604676e-29	6.40533654e-28	1.99704409e-29
C86	-1.37563301e-27	2.76021636e-27	1.51838301e-28
C88	-5.35103866e-28	2.69244999e-27	1.10595999e-28
C90	-2.19749605e-28	-4.03472828e-27	6.81467582e-28
C92	-3.64259479e-34	-2.73543627e-33	4.36981856e-33
C94	-1.8556083e-32	-3.8794945e-32	1.0096515e-31
C96	-3.99751691e-32	-1.81462931e-30	1.40854747e-31
C98	2.30502824e-30	-1.5173947e-29	-4.01639723e-31
C100	-7.45011546e-30	-3.06411372e-29	-2.09296988e-30
C102	-6.06778293e-30	5.25255226e-30	-4.79766988e-31
C104	-2.02797928e-31	-4.03104926e-30	-1.92968377e-30
C105	1.74447575e-36	-2.80352743e-36	4.96833835e-36
C107	-3.28930997e-36	4.99181514e-35	-2.30388821e-34
C109	-1.10532411e-34	9.07148271e-34	-5.03664879e-34
C111	-1.28004342e-33	1.85763912e-32	-5.55829555e-34
C113	1.41209408e-32	1.13730106e-31	7.06898573e-35
C115	-2.51068469e-32	1.30604217e-31	6.67232081e-33
C117	-4.87962603e-35	-1.33108342e-31	1.20724267e-33
C119	-3.42092506e-33	2.00243079e-31	3.27564659e-33
C121	-9.11175034e-40	9.78526314e-39	-4.76402144e-38
C123	1.12968922e-37	-4.50947841e-37	-1.38407239e-36
C125	5.01887076e-37	-5.23699161e-36	-3.24897631e-36
C127	-1.58515981e-35	-7.82195066e-35	6.35978331e-36
C129	-1.31690353e-35	-4.00266509e-34	7.54895748e-36
C131	-1.31697018e-34	-1.74653526e-34	-1.73454309e-36
C133	5.8164012e-35	5.36109712e-34	-1.95545657e-36
C135	-5.1029857e-36	-9.12983797e-34	-3.05811041e-36
C136	-8.86244634e-42	2.55553215e-42	4.09705463e-41
C138	3.67125475e-41	-4.08187469e-41	2.48939804e-39
C140	6.84466064e-40	1.80889812e-39	9.84539628e-39
C142	3.24985317e-39	4.21614038e-39	8.11615583e-39
C144	-6.81393015e-38	1.42859251e-37	-2.54886633e-38
C146	-2.17748444e-37	5.25975165e-37	3.09077489e-40
C148	-4.25006659e-37	-1.10944999e-37	-2.20819356e-38
C150	-2.08877647e-38	-6.48251681e-37	3.4302672e-40
C152	3.69033651e-38	1.30969821e-36	1.20590406e-39

Tabelle 3d zu Fig. 4

Koeffizient	M2	M1
KY	0.00000000	0.00000000
KX	0.00000000	0.00000000
RX	2396.75761500	-1467.18207600

C2	0.0009861144	0
C3	-1.32471892e-06	0
C5	-3.22512531e-06	0
C7	2.60211284e-07	-8.51199354e-08
C9	1.5922243e-07	-5.60253526e-08
C10	2.30979529e-09	-2.32025464e-11
C12	4.15798121e-10	-1.11483933e-10
C14	4.83848232e-11	1.13968715e-10
C16	-1.89727819e-12	2.13553489e-15
C18	-4.85026444e-12	1.87437861e-13
C20	-3.3060428e-12	2.1994585e-13
C21	1.96583942e-14	-2.62366851e-17
C23	-1.31000592e-15	-8.3941652e-17
C25	-1.56014478e-14	-4.00022141e-16
C27	-1.99538448e-14	8.84019254e-16
C29	8.69150601 e-18	2.43460131e-20
C31	9.33443804e-18	4.24759587e-20
C33	-5.44101637e-17	-2.60369242e-18
C35	-6.53903583e-17	2.5308602e-17
C36	2.04983683e-19	-1.39838383e-21
C38	-1.11746467e-19	-6.24868081e-21
C40	-5.71760188e-19	-1.67703692e-20
C42	-2.21378751e-19	2.62161068e-22
C44	1.20108695e-19	-4.35547258e-20
C46	6.29278193e-22	2.40152331e-23
C48	1.91238072e-21	1.08316391e-22
C50	1.46293532e-21	2.32574208e-22
C52	-1.96984802e-22	5.18466041e-22
C54	3.15132652e-21	-8.96760575e-22
C55	8.85342451e-24	1.41365863e-25
C57	1.63488052e-23	7.76420195e-25
C59	1.18421258e-23	2.45358082e-24
C61	-1.08658636e-22	6.06306225e-24
C63	-2.10765514e-23	6.80860425e-24
C65	2.21027596e-23	1.14870786e-23
C67	-3.51841012e-26	-1.84603867e-27
C69	-3.49868503e-26	-1.07883178e-26
C71	2.998165e-25	-2.47642458e-26
C73	8.58242213e-26	-4.24141461e-26
C75	2.05959721e-25	-7.7181693e-26
C77	1.04319708e-25	4.50303217e-26
C78	2.43938068e-28	-8.89492415e-30
C80	1.21740676e-27	-5.94113101e-29
C82	-1.87514176e-27	-2.04818012e-28
C84	-3.8786987e-27	-5.93632828e-28
C86	7.02432365e-27	-1.12087376e-27
C88	1.33922008e-27	-1.12006364e-27
C90	-1.76118306e-27	-1.42712591e-27
C92	-5.1467963e-31	7.94887765e-32
C94	6.85921754e-30	5.62753203e-31
C96	3.14955042e-29	1.6670079e-30
C98	4.23711385e-29	2.76620742e-30
C100	2.7121401e-29	4.42605024e-30
C102	1.32314289e-29	6.86061959e-30
C104	-3.38425116e-29	-2.27424368e-30
C105	1.76008308e-33	3.29276353e-34
C107	5.44390706e-32	2.58595983e-33
C109	5.82158481e-32	1.02657943e-32
C111	-5.59130008e-32	3.05913579e-32
C113	-4.53096343e-31	7.35035847e-32
C115	-6.37108524e-31	1.0456151e-31
C117	-5.36487557e-31	9.00761349e-32
C119	-3.86472353e-32	9.85808779e-32
C121	4.83457083e-35	-1.83828936e-36
C123	-3.55980089e-34	-1.51759121e-35
C125	-7.1977159e-34	-5.4361518e-35
C127	1.90268546e-33	-1.14009345e-34
C129	-1.64419091e-35	-1.53685536e-34
C131	5.28696223e-33	-2.39447901e-34
C133	-5.2029879e-33	-3.16635328e-34
C135	1.31133316e-33	1.11104394e-34
C136	3.51778556e-38	-6.60503723e-39
C138	-9.17291792e-38	-5.87376514e-38
C140	-2.03734313e-36	-2.75123813e-37
C142	-5.12240498e-37	-8.57500779e-37
C144	-1.63361366e-35	-2.28686329e-36
C146	1.66545286e-36	-4.25558622e-36
C148	-9.00644261e-36	-4.84909875e-36
C150	7.82432098e-36	-3.64577172e-36
C152	5.22574505e-36	-3.61997763e-36
C154	-2.06610689e-39	1.75774314e-41
C156	-2.04374262e-39	1.65196011e-40
C158	-1.36778337e-38	6.91104629e-40
C160	2.21986742e-38	1.72414768e-39
C162	8.88757453e-38	2.98071839e-39
C164	2.43966022e-37	3.35402181e-39
C166	-3.1289099e-37	5.23468463e-39
C168	4.76639758e-37	5.88549291e-39
C170	2.65697927e-38	-2.57066341e-39
C171	2.55122174e-43	5.52989344e-44
C173	1.81870101e-41	5.4139575e-43
C175	2.33158832e-42	2.96467481e-42
C177	2.07645435e-40	1.02962481e-41
C179	-2.72919011e-40	2.7804227e-41
C181	-1.64669661e-40	6.36323085e-41
C183	1.97192555e-39	9.10048005e-41
C185	2.36540387e-39	9.01621558e-41
C187	2.8442117e-39	5.93632157e-41
C189	9.69654371e-41	5.59364422e-41

Tabelle 4a zu Fig. 4

Oberfläche	DCX	DCY	DCZ
Bildfeld	0.00000000	0.00000000	0.00000000
M11	0.00000000	0.00000000	658.59735966
M10	0.00000000	129.86904917	106.36091582
M9	0.00000000	-127.31577135	1183.08975457
M8	0.00000000	-108.43999449	1439.04675030
M7	0.00000000	5.20219938	1705.29339367
M6	0.00000000	450.04822440	2094.83607397
M5	0.00000000	852.17416364	2216.60599355
M4	0.00000000	1125.96974524	2169.68463032
M3	0.00000000	1429.47721413	2003.98048928
M2	0.00000000	2041.38740910	1372.02067880
M1	0.00000000	1786.46005601	2072.43484793
Objektfeld	0.00000000	1786.45728238	1211.74242378

Tabelle 4b zu Fig. 4

Oberfläche	TLA[deg]	TLB[deg]	TLC[deg]
Bildfeld	-0.00000000	0.00000000	-0.00000000
M11	6.61687125	0.00000000	-0.00000000
M10	13.33378381	180.00000000	0.00000000
M9	94.60806581	0.00000000	-0.00000000
M8	76.33401887	0.00000000	180.00000000
M7	54.04685456	0.00000000	-0.00000000
M6	29.02754876	0.00000000	180.00000000
M5	3.56129750	0.00000000	-0.00000000
M4	-19.17873719	0.00000000	180.00000000
M3	-37.27820273	-0.00000000	-0.00000000
M2	32.03817982	180.00000000	0.00000000
M1	9.99981536	0.00000000	-0.00000000
Objektfeld	-0.00018464	180.00000000	0.00000000

Die abbildenden Optiken 9, 27, 30, 31 können einen Verkleinerungsfaktor von 4x, von 6x oder von 8x aufweisen. Auch eine anamorphotische Gestaltung der abbildenden Optik ist möglich, bei der der Verkleinerungsfaktor in der xz-Dimension ein anderer ist als in der yz-Dimension.
Beim Einsatz der Projektionsbelichtungsanlage 1 werden das Retikel 7 und der Wafer 12, der eine für das Beleuchtungslicht 14 lichtempfindliche Beschichtung trägt, bereitgestellt. Anschließend wird zumindest ein Abschnitt des Retikels 7 mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage 1 auf den Wafer 12 projiziert. Hierbei wird das Retikel 7 derart mit EUV-Strahlung 14 beleuchtet, dass, wie beschrieben, ein Hauptstrahl der EUV-Strahlung 14 unter einem Einfallswinkel CRA von höchstens 6°, insbesondere höchstens 3°, insbesondere höchstens 1°, insbesondere 0° auf das Retikel 7 trifft. Der Einfallswinkel CRA des Hauptstrahls ist insbesondere kleiner als die objektseitige numerische Apertur (NAO), CRA < arcsin (NAO).
Schließlich wird die mit dem Beleuchtungslicht belichtete lichtempfindliche Schicht auf dem Wafer 12 entwickelt. Auf diese Weise wird ein mikro- bzw. nanostrukturiertes Bauelement, insbesondere ein Halbleiterchip, hergestellt.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

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US 5353322 [0002]
US 9678439 B2 [0002, 0015, 0048, 0049]
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US 20070058269 A1 [0078]

Claims

Abbildende Optik (9; 27; 30; 31) für die EUV-Mikrolithographie - mit einer Mehrzahl von Spiegeln (M1 bis M7; M1 bis M10; M1 bis M11), die ein Objektfeld (5) in einer Objektebene (6) in ein Bildfeld (10) in einer Bildebene (11) abbilden und hierbei Abbildungslicht (14) längs eines Abbildungslicht-Strahlengangs führen, - wobei mindestens einer der Spiegel (M1 bis M7; M1 bis M10; M1 bis M11) als Spiegel (M2, M3, M5; M3 bis M8, M3 bis M9) für streifenden Einfall ausgeführt ist, - wobei ein erster Spiegel (M1) im Abbildungslicht-Strahlengang in Bezug auf die Objektebene (6) in einem Objektebenen-Spiegelhalbraum (20) angeordnet ist, - wobei ein letzter Spiegel (M7; M10; M11) im Abbildungslicht-Strahlengang in Bezug auf die Bildebene (11) in einem Bildebenen-Spiegelhalbraum (21) angeordnet ist, - wobei sich der Objektebenen-Spiegelhalbraum (20) in eine Objektebenen-Spiegel-Halbraumrichtung (z) öffnet, die vorgegeben ist durch die Richtung einer von der Objektebene (6) ausgehenden Normalen auf die Objektebene (6), die in den Objektebenen-Spiegelhalbraum (20) hinein verläuft, - wobei sich der Bildebenen-Spiegelhalbraum (21) in eine Bildebenen-Spiegel-Halbraumrichtung (z; N_BE) öffnet, die vorgegeben ist durch die Richtung einer von der Bildebene (11) ausgehenden Normalen auf die Bildebene (11), die in den Bildebenen-Spiegelhalbraum (21) hinein verläuft, - wobei zwischen der Objektebenen-Spiegel-Halbraumrichtung (z) und der Bildebenen-Spiegel-Halbraumrichtung (z; N_BE) ein Halbraum-Richtungswinkel (H) vorliegt, der kleiner ist als 30°.
Abbildende Optik (27) für die EUV-Mikrolithographie - mit einer Mehrzahl von Spiegeln (M1 bis M10), die ein Objektfeld (5) in einer Objektebene (6) in ein Bildfeld (10) in einer Bildebene (11) abbilden und hierbei Abbildungslicht (14) längs eines Abbildungslicht-Strahlengangs führen, - wobei ein Abbildungslicht-Teilstrahl (29) zwischen dem Objektfeld (5) und einem ersten Spiegel (M1) im Abbildungslicht-Strahlengang unter einem Winkel zu einer Normalen (z) auf die Objektebene (6) verläuft, der kleiner ist als 3°, - wobei der erste Spiegel (M1) im Abbildungslicht-Strahlengang in Bezug auf die Objektebene (6) in einem Objektebenen-Spiegelhalbraum (20) angeordnet ist, - wobei ein letzter Spiegel (M10) im Abbildungslicht-Strahlengang in Bezug auf die Bildebene (11) in einem Bildebenen-Spiegelhalbraum (21) angeordnet ist, - wobei sich der Objektebenen-Spiegelhalbraum (20) in eine Objektebenen-Spiegel-Halbraumrichtung (z) öffnet, die vorgegeben ist durch die Richtung einer von der Objektebene (6) ausgehenden Normalen auf die Objektebene (6), die in den Objektebenen-Spiegelhalbraum (20) hinein verläuft, - wobei sich der Bildebenen-Spiegelhalbraum (21) in eine Bildebenen-Spiegel-Halbraumrichtung (z; N_BE) öffnet, die vorgegeben ist durch die Richtung einer von der Bildebene (11) ausgehenden Normalen auf die Bildebene (11), die in den Bildebenen-Spiegelhalbraum (21) hinein verläuft, - wobei zwischen der Objektebenen-Spiegel-Halbraumrichtung (z) und der Bildebenen-Spiegel-Halbraumrichtung (z; N_BE) ein Halbraum-Richtungswinkel (H) vorliegt, der kleiner ist als 30°.
Abbildende Optik nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Objektebene (6) parallel zur Bildebene (11) verläuft.
Abbildende Optik nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass ein räumlicher Abstand (A) zwischen dem Objektfeld (5) und dem Bildfeld (10) größer ist als 400 mm.
Abbildende Optik nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass ein Abbildungslicht-Teilstrahl (22) zwischen dem letzten Spiegel (M7) im Abbildungslicht-Strahlengang und dem Bildfeld (10) mindestens zwei weitere Kreuzungs-Abbildungslicht-Teilstrahlen (24, 23) zwischen dem ersten Spiegel (M1) im Abbildungslicht-Strahlengang und einem vorletzten Spiegel (M6) im Abbildungslicht-Strahlengang kreuzt.
Abbildende Optik nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass einer der Kreuzungs-Abbildungslicht-Teilstrahlen (24) zwischen einem drittletzten (M5) und einem vorletzten (M6) Spiegel im Abbildungslicht-Strahlengang verläuft.
Abbildende Optik nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass einer der Kreuzungs-Abbildungslicht-Teilstrahlen (23) zwischen einem sechstletzten (M2) und einem fünftletzten (M3) Spiegel im Abbildungslicht-Strahlengang verläuft.
Abbildende Optik nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass einer der Kreuzungs-Abbildungslicht-Teilstrahlen (24a) zwischen einem viertletzten (M4) und einem drittletzten (M5) Spiegel im Abbildungslicht-Strahlengang verläuft.
Abbildende Optik nach Anspruch 5 oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass einer der Kreuzungs-Abbildungslicht-Teilstrahlen (23a) zwischen einem fünftletzten (M3) und einem viertletzten (M4) Spiegel im Abbildungslicht-Strahlengang verläuft.
Abbildende Optik nach einem der Ansprüche 1 oder 9, gekennzeichnet, durch eine bildseitige numerische Apertur, die größer ist als 0,6.
Optisches System mit einer Beleuchtungsoptik (4) zur Beleuchtung des Objektfeldes (5) mit Beleuchtungs-/Abbildungslicht (14) und mit einer abbildenden Optik (9; 27; 30; 31) nach einem der Ansprüche 1 bis 10.
Optisches System nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Beleuchtungsoptik (4) nicht mehr als drei Spiegel (16, 18, 19; 16, 18, M1) aufweist, die nach einer Lichtquelle (3) bzw. nach einem diesem nachgeordneten Zwischenfokus (26) das Beleuchtungs-/Abbildungslicht (14) nacheinander reflektieren.
Projektionsbelichtungsanlage (1) mit einem optischen System nach Anspruch 11 oder 12 und mit einer EUV-Lichtquelle (3).
Verfahren zur Herstellung eines mikro- oder nanostrukturierten Bauteils umfassend die folgenden Schritte: - Bereitstellen eines Retikels (7), - Bereitstellen eines Wafers (12) mit einer lichtempfindlichen Beschichtung, - Projizieren zumindest eines Abschnitts des Retikels (7) auf den Wafer (12) mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage (1) nach Anspruch 13, - Entwickeln der belichteten lichtempfindlichen Beschichtung auf dem Wafer (12).
Bauteil, hergestellt mit einem Verfahren nach Anspruch 14.