DE102012202675A1 - Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithografie mit einer derartigen abbildenden Optik - Google Patents

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Abstract

Eine abbildende Optik (7) dient zur Abbildung eines Objektfeldes (4) in einer Objektebene (5) in ein Bildfeld (8) in einer Bildebene (9). Die abbildende Optik (7) hat eine Mehrzahl von Abbildungslicht (3) führenden Komponenten (M1 bis M6, GI). Die abbildende Optik (7) ist als pupillenobskuriertes System ausgeführt. Die abbildende Optik (7) hat mindestens einen Spiegel (GI) für streifenden Einfall des Abbildungslichts (3). Es resultiert eine abbildende Optik mit einer handhabbaren Kombination aus geringen Abbildungsfehlern und kompaktem Aufbau.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in einer Objektebene in ein Bildfeld in einer Bildebene. Ferner betrifft die Erfindung ein optisches System mit einer derartigen abbildenden Optik, eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen optischen System, ein Verfahren zur Herstellung eines mikro- bzw. nanostrukturierten Bauteils mit einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage sowie ein mit diesem Verfahren hergestelltes mikro- bzw. nanostrukturiertes Bauelement.
  • Abbildende Optiken der eingangs genannten Art sind bekannt aus der WO 2010/091800 A1 und der WO 2009/024164 A1 .
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine abbildende Optik der eingangs genannten Art derart weiterzubilden, dass eine handhabbare Kombination aus geringen Abbildungsfehlern und kompaktem Aufbau erreicht ist.
  • Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch eine abbildende Optik mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen.
  • Die erfindungsgemäße Kombination aus einem pupillenobskurierten System mit mindestens einem Spiegel für streifenden Einfall ermöglicht eine kompakte abbildende Optik, bei der der Spiegel für streifenden Einfall aufgrund seiner Faltwirkung für das Abbildungslicht zu einem nochmals kompakteren System führen kann. Durchsatzverluste am Spiegel für streifenden Einfall sind gering, da dort im Vergleich zu anderen Spiegeln höhere Reflektivitäten erreicht werden können. Dieser Vorteil kommt besonders dann zum Tragen, wenn sehr kurzwelliges Abbildungslicht, beispielsweise Abbildungslicht im Bereich von EUV-(Extremes Ultraviolett)Wellenlängen zum Einsatz kommt. Der Spiegel für streifenden Einfall kann zur zusätzlichen Abbildungsfehlerkorrektur herangezogen werden und diesbezüglich als Korrekturelement geformt sein. Die Anzahl der weiteren optischen Komponenten der abbildenden Optik kann gering sein. Neben dem Spiegel für streifenden Einfall können beispielsweise noch sechs weitere optische Komponenten, insbesondere sechs weitere Spiegel, zum Einsatz kommen. Eine Reflexionsfläche des Spiegels für streifenden Einfall kann in einer Ebene liegen, wobei die Mittelpunkte aller optischen Komponenten der abbildenden Optik auf der gleichen Seite dieser Ebene zu liegen kommen. Dies kann die Kompaktheit der abbildenden Optik begünstigen. Auch vier oder acht weitere optische Komponenten können zum Einsatz kommen.
  • Ein Einfallswinkel auf dem Spiegel für streifenden Einfall kann für alle Einzelstrahlen des Abbildungslichts mindestens 70°, kann mindestens 75°, kann mindestens 80°, kann mindestens 85° oder kann auch mindestens 88° betragen. Die abbildende Optik kann zwei Spiegel für streifenden Einfall des Abbildungslichts aufweisen.
  • Eine Anordnung des Spiegels für streifenden Einfall nach Anspruch 2 ermöglicht eine besonders kompakte Faltung des Abbildungsstrahlengangs.
  • Eine feldnahe Anordnung des Spiegels für streifenden Einfall nach Anspruch 3 ermöglicht es, diesen Spiegel mit relativ kleiner Reflexionsfläche auszuführen, da der Spiegel für streifenden Einfall dann im Bereich eines relativ eng geführten Abbildungsstrahlenbündels der abbildenden Optik angeordnet ist. Der Spiegel für streifenden Einfall kann im Bereich einer Zwischenbildebene der abbildenden Optik angeordnet sein. Feldnah ist die Anordnung dann, wenn ein Pupillenparameter P für diesen Spiegel kleiner ist als 0,4. Der Pupillenparameter P ist beispielsweise in der WO 2009/024164 A1 definiert.
  • Ein Kompensationselement nach Anspruch 4 ermöglicht eine Kompensation von Reflektivitätsunterschieden am Spiegel für streifenden Einfall. Ein pupillenabhängiger Durchsatzverlauf für das Abbildungslicht liegt dann vor, wenn das Abbildungslicht abhängig vom Ort auf einer Pupille der abbildenden Optik, den das Abbildungslicht passiert, beeinflusst wird, also abhängig von einer Pupillenkoordinate. Als Durchsatz wird die Transmission von transmittierenden Komponenten oder die Reflexion von reflektierenden Komponenten der das Abbildungslicht führenden Komponenten der abbildenden Optik bezeichnet. Als Kompensationselement kann eine spezifisch gestaltete Reflexionsbeschichtung, ein Graufilter, eine Rauheitsvariation auf einer der das Abbildungslicht führenden Komponenten, beispielsweise auf einem pupillennahen Spiegel, genutzt werden. Pupillennah ist eine optische Komponente dann, wenn für den Pupillenparameter P gilt P > 0,6.
  • Eine Freiform-Reflexionsfläche nach Anspruch 5 ermöglicht eine Abbildungsfehlerkorrektur mit Hilfe des Spiegels für streifenden Einfall. Alternativ oder zusätzlich kann der Spiegel für streifenden Einfall auch zur Feldformung genutzt werden.
  • Eine katoptrische Optik nach Anspruch 6 erlaubt die Nutzung von kurzwelligem Abbildungslicht, für das nicht ohne weiteres transmittierende optische Materialien zur Verfügung gestellt werden können. Die Spiegel der abbildenden Optik können eine Mehrschicht-Reflexionsbeschichtung tragen.
  • Ein maximaler Einfallswinkel nach Anspruch 7 führt zu einem optimierten Durchsatz der abbildenden Optik. Diejenigen Spiegel, auf die das Abbildungslicht nicht streifend einfällt, werden nachfolgend auch als NI-Spiegel bezeichnet. Der maximale Einfallswinkel auf den NI-Spiegeln kann höchstens 25° sein und kann beispielsweise 22°, 20°, 18° oder 16° betragen.
  • Eine Reflektivitätskompensation nach Anspruch 8 führt zu einer Vergleichmäßigung der Intensitätsbedingungen über das Bildfeld.
  • Entsprechendes gilt für eine Mehrschicht-Reflektivitätsbeschichtung bzw. Mehrschicht-Reflexionsbeschichtung nach Anspruch 9. Alternativ oder zusätzlich zu einer derartigen Mehrschicht-Reflexionsbeschichtung kann die abbildende Optik so ausgelegt werden, dass auf dem Kompensationselement bzw. auf dem Kompensationsspiegel eine Bandbreite von Einfallswinkel des Abbildungslichts auftritt. Der Kompensationsspiegel wird dann so betrieben, dass Abbildungslicht-Strahlen, die vom Spiegel für streifenden Einfall mit geringerer Reflektivität reflektiert werden als andere Abbildungs-Strahlen, aufgrund einer Abhängigkeit der Kompensationsspiegel-Reflektivität vom Einfallswinkel vom Kompensationsspiegel mit höherer Reflektivität reflektiert werden als die anderen Abbildungslicht-Strahlen. Die Abhängigkeit der Kompensationsspiegel-Reflektivität R vom Einfallswinkel α kann durch Wahl einer entsprechenden Reflektivitätsbeschichtung, insbesondere einer Mehrschicht-Reflektivitätsbeschichtung, vorgegeben oder unterstützt werden. Beispielsweise kann der Kompensationsspiegel in einer Flanke einer R(α)-Abhängigkeit der Mehrschicht-Reflektivitätsbeschichtung, also in einer Flanke der Abhängigkeit der Reflektivität vom Einfallswinkel, betrieben werden.
  • Die Vorteile eines optischen Systems nach Anspruch 10, einer Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 11, eines Herstellungsverfahren nach Anspruch 12 und eines Mikrobzw. Nanostrukturierten Bauteils nach Anspruch 13 entsprechen denen, die vorstehend mit Bezugnahme auf die erfindungsgemäße abbildende Optik bereits erläutert wurden.
  • Die Lichtquelle der Projektionsbelichtungsanlage kann breitbandig ausgeführt sein und beispielsweise eine Bandbreite haben, die größer ist als 1nm, die größer ist als 10 nm oder die größer ist als 100 nm. Zudem kann die Projektionsbelichtungsanlage so ausgeführt sein, dass sie mit Lichtquellen unterschiedlicher Wellenlängen betrieben werden kann. Auch Lichtquellen für andere, insbesondere für die Mikrolithographie eingesetzte Wellenlängen, sind im Zusammenhang mit der erfindungsgemäßen abbildenden Optik einsetzbar, beispielsweise Lichtquellen mit den Wellenlängen 365 nm, 248 nm, 193 nm, 157 nm, 126 nm, 109 nm und insbesondere auch mit EUV-Wellenlängen, die kleiner sind als 100 nm, beispielsweise zwischen 5 nm und 30 nm.
  • Die Lichtquelle der Projektionsbelichtungsanlage kann zur Erzeugung von EUV-Beleuchtungslicht mit einer Wellenlänge zwischen 5 nm und 30 nm ausgebildet sein. Eine derartige Lichtquelle erfordert Reflexionsbeschichtungen auf den Spiegeln, die, um eine Mindestreflektivität zu erfüllen, nur eine geringe Einfallswinkel-Akzeptanzbandbreite haben. Zusammen mit der erfindungsgemäßen abbildenden Optik kann diese Forderung einer geringen Einfallswinkel-Akzeptanzbandbreite erfüllt werden.
  • Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. In dieser zeigen:
  • 1 schematisch eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Mikrolithografie;
  • 2 in einem Meridionalschnitt eine Ausführung einer abbildenden Optik, die als Projektionsobjektiv in der Projektionsbelichtungsanlage nach 1 einsetzbar ist, wobei der Abbildungsstrahlengang für die Hauptstrahlen (obskuriert) und für den oberen und unteren Komastrahl dreier ausgewählter Feldpunkte dargestellt ist;
  • 3 die Abhängigkeit einer Reflektivität eines ausgewählten Spiegels der Projektionsoptik von einer zu einer Objektverlagerungsrichtung (y) parallelen Koordinate; und
  • 4 in einem Diagramm die Abhängigkeit einer Reflektivität einer Mulitlayer-Reflexionsbeschichtung auf einem der Spiegel der Projektionsoptik vom Einfallswinkel des Abbildungslichts.
  • Eine Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikrolithographie hat eine Lichtquelle 2 für Beleuchtungslicht bzw. Abbildungslicht 3. Bei der Lichtquelle 2 handelt es sich um eine EUV-Lichtquelle, die Licht in einem Wellenlängenbereich beispielsweise zwischen 5 nm und 30 nm, insbesondere zwischen 5 nm und 15 nm, erzeugt. Bei der Lichtquelle 2 kann es sich insbesondere um eine Lichtquelle mit einer Wellenlänge von 13,5 nm oder um eine Lichtquelle mit einer Wellenlänge von 6,9 nm handeln. Auch andere EUV-Wellenlängen sind möglich. Generell sind sogar beliebige Wellenlängen, zum Beispiel sichtbare Wellenlängen oder auch andere Wellenlängen, die in der Mikrolithographie Verwendung finden können und für die geeigneten Laserlichtquellen und/oder LED-Lichtquellen zur Verfügung stehen (beispielsweise 365 nm, 248 nm, 193 nm, 157 nm, 129 nm, 109 nm), für das in der Projektionsbelichtungsanlage 1 geführte Beleuchtungslicht 3 möglich. Ein Strahlengang des Beleuchtungslichts 3 ist in der 1 äußerst schematisch dargestellt.
  • Zur Führung des Beleuchtungslichts 3 von der Lichtquelle 2 hin zu einem Objektfeld 4 in einer Objektebene 5 dient eine Beleuchtungsoptik 6. Mit einer Projektionsoptik bzw. abbildenden Optik 7 wird das Objektfeld 4 in ein Bildfeld 8 in einer Bildebene 9 mit einem vorgegebenen Verkleinerungsmaßstab abgebildet. Das Bildfeld 8 hat in der x-Richtung eine Erstreckung von 26 mm und in der y-Richtung eine Erstreckung von 2 mm. Das Objektfeld 4 und das Bildfeld 8 sind rechteckförmig. Alternativ können das Objektfeld 4 und das Bildfeld 8 auch als Teile bzw. als Abschnitte eines Ringes ausgeführt werden. Für die Projektionsoptik 7 wird das in der 2 dargestellte Ausführungsbeispiel eingesetzt. Bei der Projektionsoptik 7 handelt es sich um eine reine Spiegeloptik, also um eine katoptrische abbildende Optik.
  • Die Projektionsoptik 7 nach 2 verkleinert um einen Faktor 4. Auch andere Verkleinerungsmaßstäbe sind möglich, zum Beispiel 5x, 8x oder auch Verkleinerungsmaßstäbe, die größer sind als 8x. Die Bildebene 9 ist bei der Projektionsoptik 7 parallel zur Objektebene 5 angeordnet. Abgebildet wird hierbei ein mit dem Objektfeld 4 zusammenfallender Ausschnitt einer Reflexionsmaske 10, die auch als Retikel bezeichnet wird. Das Retikel 10 wird von einem Retikelhalter 10a getragen.
  • Die Abbildung durch die Projektionsoptik 7 erfolgt auf die Oberfläche eines Substrats 11 in Form eines Wafers, der von einem Substrat- oder Waferhalter 12 getragen wird. In der 1 ist schematisch zwischen dem Retikel 10 und der Projektionsoptik 7 ein in diese einlaufendes Strahlenbündel 13 des Beleuchtungslichts 3 und zwischen der Projektionsoptik 7 und dem Substrat 11 ein aus der Projektionsoptik 7 auslaufendes Strahlenbündel 14 des Beleuchtungslichts 3 dargestellt. Eine bildfeldseitige numerische Apertur (NA) der Projektionsoptik 7 in der Ausführung nach 2 beträgt 0,45. Dies ist in der 1 nicht maßstäblich wiedergegeben.
  • Zur Erleichterung der Beschreibung der Projektionsbelichtungsanlage 1 sowie der verschiedenen Ausführungen der Projektionsoptik 7 ist in der Zeichnung ein kartesisches xyz-Koordinatensystem angegeben, aus dem sich die jeweilige Lagebeziehung der in den Figuren dargestellten Komponenten ergibt. In der 1 verläuft die x-Richtung senkrecht zur Zeichenebene in diese hinein. Die y-Richtung verläuft nach rechts und die z-Richtung nach unten.
  • Die Projektionsbelichtungsanlage 1 ist vom Scannertyp. Sowohl das Retikel 10 als auch das Substrat 11 werden beim Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage 1 in der y-Richtung gescannt. Auch ein Steppertyp der Projektionsbelichtungsanlage 1, bei dem zwischen einzelnen Belichtungen des Substrats 11 eine schrittweise Verlagerung des Retikels 10 und des Substrats 11 in der y-Richtung erfolgt, ist möglich. Die y-Richtung wird auch als Objektverlagerungsrichtung bezeichnet.
  • 2 zeigt das optische Design der Projektionsoptik 7. Dargestellt ist in der 2 der Strahlengang jeweils dreier Einzelstrahlen 15, die von drei in der 2 zueinander in der y-Richtung beabstandeten Objektfeldpunkten ausgehen. Die Zeichenebene der 2 stellt einen Meridionalschnitt dar. In der Zeichenebene nach 2 liegt also der Verlauf des Hauptstrahls 16 des zentralen Objektfeldpunktes. Eine Hauptstrahlebene liegt also parallel zur yz-Ebene. Beim zentralen Hauptstrahl handelt es sich um den Hauptstrahl 16 eines zentralen Punkts des Objektfelds 4. Dieser zentrale Punkt ist definiert als der Punkt, der in der Mitte zwischen den beiden randseitigen Objektfeldpunkten im Meridionalschnitt liegt.
  • Die drei Einzelstrahlen 15, die zu einem der drei Objektfeldpunkte gehören, sind jeweils drei unterschiedlichen Beleuchtungsrichtungen für die drei Objektfeldpunkte zugeordnet. Eine Pupillenebene 17 der Projektionsoptik 7 nach 2 liegt im Abbildungsstrahlengang zwischen den Spiegeln M1 und M2. Eine weitere Pupillenebene der Projektionsoptik 7 nach 2 liegt im Abbildungsstrahlengang zwischen den Spiegeln M5 und M6. Die Hauptstrahlen 16, die durch das Zentrum einer Pupille in der Pupillenebene 17 der Projektionsoptik 7 verlaufen, sind in der 2 nur aus darstellerischen Gründen eingezeichnet, da es sich aufgrund einer zentralen Pupillenobskuration der Projektionsoptik 7, die also ein pupillenobskuriertes System darstellt, nicht um reale, sondern um virtuelle bzw. obskurierte Abbildungsstrahlengänge der Projektionsoptik 7 handelt. Die Hauptstrahlen 16 verlaufen, ausgehend von der Objektebene 5, zunächst divergent. Dies wird nachfolgend auch als negative Schnittweite einer Eintrittspupille der Projektionsoptik 7 bezeichnet. Eine Eintrittspupille der Projektionsoptik 7 nach 2 liegt nicht innerhalb der Projektionsoptik 7, sondern im Strahlengang vor der Objektebene 5. Dies ermöglicht es beispielsweise, im Strahlengang vor der Projektionsoptik 7 eine Pupillenkomponente der Beleuchtungsoptik 6 in der Eintrittspupille der Projektionsoptik 7 anzuordnen, ohne dass zwischen dieser Pupillenkomponente und der Objektebene 5 weitere abbildende optische Komponenten vorhanden sein müssen.
  • Die Projektionsoptik 7 nach 2 hat insgesamt sechs Spiegel, die von den Einzelstrahlen 15 mit Einfallswinkeln kleiner als 45° beaufschlagt werden und auch als NI-Spiegel bezeichnet werden. Diese NI-Spiegel sind in der Reihenfolge des Strahlengangs der Einzelstrahlen 15, ausgehend vom Objektfeld 4, mit M1 bis M6 durchnummeriert.
  • Zwischen den Spiegel M4 und M5 ist ein Spiegel GI für streifenden Einfall (grazing incidence) des Abbildungslichts 3 angeordnet. Der Spiegel GI für streifenden Einfall ist also im Abbildungs-Strahlengang der Projektionsoptik 7 zwischen zwei weiteren das Abbildungslicht 3 führenden optischen Komponenten, nämlich zwischen den Spiegeln M4 und M5 angeordnet. Dieser Spiegel GI wird mit einem Einfallswinkel von den Einzelstrahlen 15 des Abbildungslichts 3 beaufschlagt, der größer ist als 70°. Bei der dargestellten Ausführung wird der Spiegel GI mit einem minimalen Einfallswinkel von 77° beaufschlagt. Je nach Ausführung der Projektionsoptik 7 kann der Spiegel GI die Einzelstrahlen 15 mit Einfallswinkeln reflektieren, die größer sind als 70°, die größer sind als 75° oder die größer sind als 80°.
  • Der Spiegel GI ist in erster Näherung ein Faltspiegel für den Abbildungsstrahlengang der Projektionsoptik 7. Ohne diesen Spiegel GI, also ohne die mit dem Spiegel GI verbundene Faltung, entspricht die Projektionsoptik 7 der Projektionsoptik, die in der 3 WO 2010/091800 A1 beschrieben ist.
  • Dargestellt sind in der 2 die berechneten Reflexionsflächen der Spiegel M1 bis M6 und GI. Genutzt wird, wie in der Darstellung nach 2 ersichtlich ist, nur ein Teilbereich dieser berechneten Reflexionsflächen. Lediglich dieser tatsächlich genutzte Bereich der Reflexionsflächen ist bei den realen Spiegeln M1 bis M6 und GI tatsächlich vorhanden. Diese Nutz-Reflexionsflächen werden in bekannter Weise von Spiegelkörpern getragen.
  • Wie bereits erwähnt, ist die Projektionsoptik 7 ein pupillenobskuriertes System. Der letzte Spiegel M6 im Strahlengang des Abbildungslichts 3 vor dem Bildfeld 8 hat eine Durchgangsöffnung 17a für das Abbildungslicht 3. Im Bereich dieser Durchgangsöffnung 17a liegt eine Zwischenbildebene 18 der Projektionsoptik 7.
  • Der Spiegel GI für streifenden Einfall ist nahe der Zwischenbildebene 18, also feldnah, im Abbildungsstrahlengang der Projektionsoptik 7 angeordnet. Ein tangentiales bzw. meridionales Zwischenbild liegt im Abbildungsstrahlengang der Projektionsoptik 7 im Bereich der Reflexion des Abbildungslichts 3 auf dem Spiegel GI. Ein sagittales Zwischenbild liegt im Abbildungsstrahlengang der Projektionsoptik 7 zwischen dem Spiegel M4 und dem Spiegel GI.
  • Der Spiegel GI erfüllt dabei die Parameterbedingung: P(GI) < 0,4.
  • Es gilt für den Pupillenparameter P: P = D(SA)/(D(SA) + D(CR)).
  • D(SA) ist dabei der maximale Durchmesser einer Subapertur eines Abbildungs-Strahlenbündels, das von einem Objektfeldpunkt ausgeht, auf einer reflektierenden Oberfläche des jeweiligen Spiegels M. D(CR) ist ein maximaler Abstand von Hauptstrahlen, die vom Objektfeld 4 ausgehen, wobei der Abstand D(CR) in einer Referenzebene der Projektionsoptik 7 auf der reflektierenden Oberfläche des Spiegels M gemessen wird. Dieser maximale Abstand muss nicht in der Zeichenebene der 2 liegen, sondern kann insbesondere auch in der x-Richtung senkrecht zur Zeichenebene im Objektfeld 4 vorliegen. In den Feldebenen der Projektionsoptik 7 gilt D(SA) = 0 und damit P = 0. In den Pupillenebenen der Projektionsoptik 7 gilt D(CR) = 0 und damit P = 1.
  • Die Spiegel M2, M5 und M6 sind pupillennah, also in der Nähe von Pupillenebenen im Abbildungsstrahlengang der Projektionsoptik 7 angeordnet. Die Spiegel M2, M5 und M6 erfüllen dabei die Parameterbedingung: P(M2, M5, M6) > 0,6.
  • Zumindest einer der Spiegel M2, M5 oder M6 ist als Kompensationselement ausgeführt, das einen pupillenabhängigen Durchsatzverlauf für das Abbildungslicht 3 aufweist.
  • Alle sechs NI-Spiegel M1 bis M6 und der Spiegel GI für streifenden Einfall der Projektionsoptik 7 sind als nicht durch eine rotationssymmetrische Funktion beschreibbare Freiformflächen ausgeführt. Es sind auch andere Ausführungen der Projektionsoptik 7 möglich, bei denen mindestens einer oder auch keiner der Spiegel M1 bis M6, GI eine derartige Freiform-Reflexionsfläche aufweist.
  • Eine derartige Freiformfläche kann aus einer rotationssymmetrischen Referenzfläche erzeugt werden. Derartige Freiformflächen für Reflexionsflächen der Spiegel von Projektionsoptiken von Projektionsbelichtungsanlagen für die Mikrolithographie sind bekannt aus der US 2007-0058269 A1 .
  • Die Freiformflächen der Spiegel M1 bis M6, GI berechnen sich anhand folgender Gleichung:
    Figure 00110001
  • x und y bezeichnen dabei die Koordinaten auf der Fläche, ausgehend von einer Referenzachse. z bezeichnet eine Pfeilhöhe der jeweiligen Freiformfläche. RDX und RDY sowie CCX und CCY sind die Radien und konischen Konstanten der Grundasphäre. FFF beschreibt den auf die Grundasphäre gelegten Freiformanteil.
  • Die Flächen weisen Dezentrierungen auf, die folgenden Regeln genügen:
    • DEC:
    Achs-Dezentrierung
    DAR:
    Einzel-Dezentrierung einer Fläche.
    GLO:
    globaler Bezug auf die Bildebene
  • Die Translationen werden über die Parameter XDE, YDE, ZDE und die Drehwinkel über die Parameter ADE, BDE, CDE eingegeben. Die Bedeutung dieser Parameter entspricht derjenigen, die aus dem optischen Designprogramm CODE V® bekannt ist. Diese Bedeutung wird nachfolgend nochmals kurz erläutert. In Bezug auf die Dezentrierungen ist zu beachten, dass im Unterschied zu den aus CODE V® bekannten Beschreibungen noch eine zusätzliche Drehung um 180° um die y-Achse vorgenommen wird. Dies führt zu positiven Abstandswerten zwischen den Spiegeln bzw. zwischen den Referenzflächen.
  • Für die Typen DEC und GLO sind zusätzlich noch Translationen XDH, YDH, ZDH und Drehwinkel ADH, BDH, CDH hinter der Fläche spezifiziert.
    • ADE
    Drehung der Fläche mit Winkel alpha in Grad um die x-Achse.
    BDE
    Drehung der Fläche mit Winkel beta in Grad um die y‘-Achse.
    CDE
    Drehung der Fläche mit Winkel gamma in Grad um die z‘‘-Achse.
    XDE
    Translation der Fläche in der x-Achse in mm.
    YDE
    Translation der Fläche in der y-Achse in mm.
    ZDE
    Translation der Fläche in der z-Achse in mm.
    ADH
    Drehung des Koordinatensystems nach der Fläche mit Winkel alpha in Grad um die x''-Achse
    BDH
    Drehung des Koordinatensystems nach der Fläche mit Winkel beta in Grad um die y'-Achse.
    CDH
    Drehung des Koordinatensystems nach der Fläche mit Winkel gamma in Grad um die z-Achse
    XDH
    Translation des Koordinatensystems nach der Fläche in der x-Achse in mm
    YDH
    Translation des Koordinatensystems nach der Fläche in der y-Achse in mm.
    ZDH
    Translation des Koordinatensystems nach der Fläche in der z-Achse in mm.
  • Die Achsen der Koordinatensysteme x‘, y‘, z‘ und x‘‘, y‘‘, z‘‘ sind die jeweils aus den vorhergehenden Dreh- und Verschiebeoperationen hervorgegangenen Achsen. Die optischen Designdaten der Reflexionsflächen der Spiegel M1 bis M6 und GI der Projektionsoptik 7 können den nachfolgenden Tabellen entnommen werden. Diese optischen Designdaten gehen jeweils von der Bildebene 9 aus, beschreiben die Projektionsoptik 7 also in umgekehrter Laufrichtung des Abbildungslichts 3 zwischen der Bildebene 9 und der Objektebene 5. Flächendaten:
    Nr. Radius Dicke
    Bildebene (BE) 0.000000000000 635.592185834912
    M6 –697.324542049600 571.520181703339
    M5 353.230203853982 571.520181703339
    HF 0 217.718562271856
    GI –1334.429781753643 1111.664014624771
    M4 –4625.506567737336 1012.187814371928
    M3 –2078.164541511372 921.918909401685
    M2 431.564016638290 1075.234696944930
    M1 –1475.325607892267 1364.283032398024
    Objektebene (OE) 0 0
  • HF bezeichnet hierbei eine Hilfs-Referenzfläche, die die Lage der Durchgangsöffnung 17a im Spiegel M6 repräsentiert. Dezentrierungen:
    DEZ M6 DAR
    XDE M6 0.00000 YDE M6 –22.80126 ZDE M6 2.26178
    ADE M6 7.16687 BDE M6 0.00000 CDE M6 0.00000
    DEZ M5 DAR
    XDE M5 0.00000 YDE M5 105.51244 ZDE M5 –8.61661
    ADE M5 –11.32612 BDE M5 0.00000 CDE M5 0.00000
    DEZ HF DAR
    XDE HF 0.00000 YDE HF –10.16945 ZDE HF 0.00000
    ADE HF 7.16687 BDE HF 0.00000 CDE HF 0.00000
    DEZ GI DEC
    XDE GI 0.00000 YDE GI –77.44727 ZDE GI 0.00000
    ADE GI 93.19329 BDE GI 0.00000 CDE GI 0.00000
    ADH GI 86.80670 BDH GI 0.00000 CDH GI 0.00000
    DEZ M4 DEC
    XDE M4 0.00000 YDE M4 –97.19109 ZDE M4 0.00000
    ADE M4 –2.19306 BDE M4 0.00000 CDE M4 0.00000
    ADH M4 –2.19306 BDH M4 0.00000 CDH M4 0.00000
    DEZ M3 DEC
    XDE M3 0.00000 YDE M3 –102.24326 ZDE M3 0.00000
    ADE M3 –3.91365 BDE M3 0.00000 CDE M3 0.00000
    ADH M3 –3.91365 BDH M3 0.00000 CDH M3 0.00000
    DEZ M2 DEC
    XDE M2 0.00000 YDE M2 –93.10606 ZDE M2 0.00000
    ADE M2 –8.46145 BDE M2 0.00000 CDE M2 0.00000
    ADH M2 –8.46145 BDH M2 0.00000 CDH M2 0.00000
    DEZ M1 DEC
    XDE M1 0.00000 YDE M1 –108.70428 ZDE M1 0.00000
    ADE M1 –8.13349 BDE M1 0.00000 CDE M1 0.00000
    ADH M1 –8.13349 BDH M1 0.00000 CDH M1 0.00000
    DEZ OE GLO BE
    XDEOE 0.00000 YDE OE 905.68748 ZDE OE 2199.93035
  • Asphärendaten:
  • Fläche: M6 Konstanten:
    RDX = –917.332775 CCX = 0.179583210
    RDY = –697.324542 CCY = 0.168431398
    Entwicklungskonstanten:
    c1 = 0.00000000E+00 c2 = 0.00000000E+00 c3 = –4.02473677E–05
    c4 = 0.00000000E+00 c5 = –6.09879197E–06 c6 = 0.00000000E+00
    c7 = 6.04072748E–09 c8 = 0.00000000E+00 c9 = –1.04586750E–08
    c10 = –4.77578782E–11 c11 = 0.00000000E+00 c12 = –3.98011969E–11
    c13 = 0.00000000E+00 c14 = 2.45428959E–11 c15 = 0.00000000E+00
    c16 = 1.47721389E–15 c17 = 0.00000000E+00 c18 = 1.39564413E–14
    c19 = 0.00000000E+00 c20 = –2.15641508E–14 c21 = –6.71591163E–17
    c22 = 0.00000000E+00 c23 = –1.88232796E–16 c24 = 0.00000000E+00
    c25 = –5.41994570E–17 c26 = 0.00000000E+00 c27 = 5.63677811E–17
    c28 = 0.00000000E+00 c29 = 1.41168978E–20 c30 = 0.00000000E+00
    c31 = 4.45415210E–21 c32 = 0.00000000E+00 c33 = 1.01046574E–20
    c34 = 0.00000000E+00 c35 = –2.77920084E–20 c36 = –1.11232196E–22
    c37 = 0.00000000E+00 c38 = –4.46332085E–22 c39 = 0.00000000E+00
    c40 = –5.09205105E–22 c41 = 0.00000000E+00 c42 = –4.50757930E–23
    c43 = 0.00000000E+00 c44 = 1.31010481E–22 c45 = 0.00000000E+00
    c46 = 3.97840221E–26 c47 = 0.00000000E+00 c48 = 4.80957498E–26
    c49 = 0.00000000E+00 c50 = –1.09593883E–26 c51 = 0.00000000E+00
    c52 = –9.64563074E–26 c53 = 0.00000000E+00 c54 = –7.38111927E–26
    c55 = –6.36923759E–29 c56 = 0.00000000E+00 c57 = –6.20104807E–28
    c58 = 0.00000000E+00 c59 = –1.28891117E–27 c60 = 0.00000000E+00
    c61 = –8.14395528E–28 c62 = 0.00000000E+00 c63 = 1.40754785E–28
    c64 = 0.00000000E+00 c65 = 2.16012977E–28 c66 = 0.00000000E+00
    c67 = –3.43709137E–32 c68 = 0.00000000E+00 c69 = 1.45762003E–31
    c70 = 0.00000000E+00 c71 = 1.47006833E–31 c72 = 0.00000000E+00
    c73 = –3.75554498E–31 c74 = 0.00000000E+00 c75 = –6.33156588E–31
    c76 = 0.00000000E+00 c77 = –2.79666410E–31 c78 = –6.35008308E–34
    c79 = 0.00000000E+00 c80 = –3.15709777E–33 c81 = 0.00000000E+00
    c82 = –7.73163615E–33 c83 = 0.00000000E+00 c84 = –1.00398379E–32
    c85 = 0.00000000E+00 c86 = –5.57346733E–33 c87 = 0.00000000E+00
    c88 = 2.56628299E–34 c89 = 0.00000000E+00 c90 = 9.88843170E–34
    Fläche: M5
    RDX = 3915.137333 CCX = 0.000000000
    RDY = 353.230204 CCY = 0.000000000
    Entwicklungskonstanten:
    c1 = 0.00000000E+00 c2 = 0.00000000E+00 c3 = 5.29920535E–05
    c4 = 0.00000000E+00 c5 = –2.93078961E–04 c6 = 0.00000000E+00
    c7 = –4.93884752E–08 c8 = 0.00000000E+00 c9 = 7.87285048E–07
    c10 = 4.45614854E–10 c11 = 0.00000000E+00 c12 = 3.16806753E–09
    c13 = 0.00000000E+00 c14 = 4.81357208E–09 c15 = 0.00000000E+00
    c16 = 9.41429364E–13 c17 = 0.00000000E+00 c18 = 6.21216113E–13
    c19 = 0.00000000E+00 c20 = 1.37582681E–11 c21 = 1.27107652E–15
    c22 = 0.00000000E+00 c23 = 8.59481684E–15 c24 = 0.00000000E+00
    c25 = 3.61553153E–14 c26 = 0.00000000E+00 c27 = 1.78109958E–15
    c28 = 0.00000000E+00 c29 = 1.37830695E–18 c30 = 0.00000000E+00
    c31 = 9.30564894E–18 c32 = 0.00000000E+00 c33 = –2.26973380E–16
    c34 = 0.00000000E+00 c35 = –3.57185085E–16 c36 = 3.06857815E–21
    c37 = 0.00000000E+00 c38 = 2.60556554E–20 c39 = 0.00000000E+00
    c40 = 6.56101074E–21 c41 = 0.00000000E+00 c42 = 6.21555699E–19
    c43 = 0.00000000E+00 c44 = 2.46292188E–18 c45 = 0.00000000E+0
    c46 = 2.56489872E–23 c47 = 0.00000000E+00 c48 = –1.12842117E–22
    c49 = 0.00000000E+00 c50 = 1.49690753E–22 c51 = 0.00000000E+00
    c52 = 1.10932162E–20 c53 = 0.00000000E+00 c54 = 2.88400249E–20
    c55 = 7.63178495E–26 c56 = 0.00000000E+00 c57 = 4.36427023E–25
    c58 = 0.00000000E+00 c59 = 8.15412615E–25 c60 = 0.00000000E+00
    c61 = 8.37878581E–24 c62 = 0.00000000E+00 c63 = 5.71155554E–23
    c64 = 0.00000000E+00 c65 = 8.50307305E–23
    Fläche: GI Konstanten:
    RDX = –644.171559 CCX = 0.000000000
    RDY = –1334.429782 CCY = 0.000000000
    Entwicklungskonstanten:
    c1 = 0.00000000E+00 c2 = 0.00000000E+00 c3 = 8.07672990E–04
    c1 = 0.00000000E+00 c2 = 0.00000000E+00 c3 = 8.07672990E–04
    c4 = 0.00000000E+00 c5 = 3.72700079E–04 c6 = 0.00000000E+00
    c7 = –4.63644654E–08 c8 = 0.00000000E+00 c9 = 3.67344477E–09
    c10 = 4.68885092E–10 c11 = 0.00000000E+00 c12 = 4.01268956E–10
    c13 = 0.00000000E+00 c14 = 4.46985613E–11 c15 = 0.00000000E+00
    c16 = –3.49421282E–14 c17 = 0.00000000E+00 c18 = –5.77192291E–14
    c19 = 0.00000000E+00 c20 = 9.36083562E–15 c21 = –1.42382435E–16
    c22 = 0.00000000E+00 c23 = 1.05187032E–15 c24 = 0.00000000E+00
    c25 = 8.72635125E–17 c26 = 0.00000000E+00 c27 = 6.52399426E–17
    c28 = 0.00000000E+00 c29 = 4.89972278E–18 c30 = 0.00000000E+00
    c31 = –2.70005564E–18 c32 = 0.00000000E+00 c33 = 9.04462881E–19
    c34 = 0.00000000E+00 c35 = –5.17662264E–19 c36 = 5.96341023E–20
    c37 = 0.00000000E+00 c38 = –7.92638082E–21 c39 = 0.00000000E+00
    c40 = 1.08196566E–20 c41 = 0.00000000E+00 c42 = –3.84269412E–21
    c43 = 0.00000000E+00 c44 = 2.24997535E–21 c45 = 0.00000000E+00
    c46 = –1.22265103E–22 c47 = 0.00000000E+00 c48 = 6.45794429E–23
    c49 = 0.00000000E+00 c50 = –1.08005807E–23 c51 = 0.00000000E+00
    c52 = 8.13883017E–24 c53 = 0.00000000E+00 c54 = –4.94043024E–24
    c55 = –2.11326698E–24 c56 = 0.00000000E+00 c57 = –6.17811094E–26
    c58 = 0.00000000E+00 c59 = –2.33699745E–25 c60 = 0.00000000E+00
    c61 = 5.24220267E–28 c62 = 0.00000000E+00 c63 = –5.94133137E–27
    c64 = 0.00000000E+00 c65 = 4.43307544E–27
    Fläche: M4 Konstanten:
    RDX = –4082.646385 CCX = 0.000000000
    RDY = –4625.506568 CCY = 0.000000000
    Entwicklungskonstanten:
    c1 = 0.00000000E+00 c2 = 0.00000000E+00 c3 = 1.85251433E–05
    c4 = 0.00000000E+00 c5 = 2.25195346E–05 c6 = 0.00000000E+00
    c7 = 5.47050183E–08 c8 = 0.00000000E+00 c9 = 5.60435081E–08
    c10 = 5.32099048E–11 c11 = 0.00000000E+00 c12 = 1.00618622E–10
    c13 = 0.00000000E+00 c14 = 8.15546185E–11 c15 = 0.00000000E+00
    c16 = 2.65401594E–14 c17 = 0.00000000E+00 c18 = –4.16264147E–15
    c19 = 0.00000000E+00 c20 = 9.76262100E–14 c21 = 5.34858263E–17
    c22 = 0.00000000E+00 c23 = 5.52714903E–17 c24 = 0.00000000E+00
    c25 = –1.33753059E–16 c26 = 0.00000000E+00 c27 = 6.73451977E–16
    c28 = 0.00000000E+00 c29 = 5.17817385E–20 c30 = 0.00000000E+00
    c31 = –3.86385897E–20 c32 = 0.00000000E+00 c33 = –6.37810309E–19
    c34 = 0.00000000E+00 c35 = 3.23251521E–18 c36 = –1.33220128E–21
    c37 = 0.00000000E+00 c38 = –1.86463397E–21 c39 = 0.00000000E+00
    c40 = –4.03043950E–22 c41 = 0.00000000E+00 c42 = –1.83446745E–21
    c43 = 0.00000000E+00 c44 = 4.16198967E–21 c45 = 0.00000000E+00
    c46 = –2.16664402E–23 c47 = 0.00000000E+00 c48 = –2.23909426E–23
    c49 = 0.00000000E+00 c50 = –6.94055066E–24 c51 = 0.00000000E+00
    c52 = –8.28261199E–24 c53 = 0.00000000E+00 c54 = –3.35070919E–24
    c55 = –8.25226331E–27 c56 = 0.00000000E+00 c57 = –8.61854917E–26
    c58 = 0.00000000E+00 c59 = 5.60291069E–26 c60 = 0.00000000E+00
    c61 = –2.27579602E–26 c62 = 0.00000000E+00 c63 = –1.69481816E–26
    c64 = 0.00000000E+00 c65 = –8.29941948E–27
    Fläche: M3 Konstanten:
    RDX = –1887.288302 CCX = 0.000000000
    RDY = –2078.164542 CCY = 0.000000000
    Entwicklungskonstanten:
    c1 = 0.00000000E+00 c2 = 0.00000000E+00 c3 = –2.92033297E–05
    c4 = 0.00000000E+00 c5 = –3.54484027E–05 c6 = 0.00000000E+00
    c7 = –1.25542622E–08 c8 = 0.00000000E+00 c9 = –1.41035320E–08
    c10 = –1.32924391E–11 c11 = 0.00000000E+00 c12 = –1.64612949E–11
    c13 = 0.00000000E+00 c14 = –1.68068310E–11 c15 = 0.00000000E+00
    c16 = 2.30073021E–15 c17 = 0.00000000E+00 c18 = 1.81436248E–14
    c19 = 0.00000000E+00 c20 = –1.27693774E–15 c21 = –8.48090968E–18
    c22 = 0.00000000E+00 c23 = –1.27548438E–17 c24 = 0.00000000E+00
    c25 = 9.25543551E–19 c26 = 0.00000000E+00 c27 = –9.90176393E–17
    c28 = 0.00000000E+00 c29 = 2.28137205E–20 c30 = 0.00000000E+00
    c31 = 3.64318681E–20 c32 = 0.00000000E+00 c33 = 1.09005054E–19
    c34 = 0.00000000E+00 c35 = –2.27111064E–19 c36 = 4.94712966E–24
    c37 = 0.00000000E+00 c38 = 5.02807168E–23 c39 = 0.00000000E+00
    c40 = –1.03115229E–23 c41 = 0.00000000E+00 c42 = 8.31801106E–23
    c43 = 0.00000000E+00 c44 = 4.58532779E–22 c45 = 0.00000000E+00
    c46 = 6.06916220E–26 c47 = 0.00000000E+00 c48 = 2.62857201E–25
    c49 = 0.00000000E+00 c50 = 1.65899510E–25 c51 = 0.00000000E+00
    c52 = –5.48370499E–25 c53 = 0.00000000E+00 c54 = 9.83834584E–25
    c55 = 9.95978887E–29 c56 = 0.00000000E+00 c57 = –1.48457495E–28
    c58 = 0.00000000E+00 c59 = 4.15183863E–28 c60 = 0.00000000E+00
    c61 = 7.01954472E–28 c62 = 0.00000000E+00 c63 = –9.24941655E–28
    c64 = 0.00000000E+00 c65 = 7.94667554E–29
    Fläche: M2 Konstanten:
    RDX = 1276.899447 CCX = 0.000000000
    RDY = 431.564017 CCY = 0.000000000
    Entwicklungskonstanten:
    c1 = 0.00000000E+00 c2 = 0.00000000E+00 c3 = 1.11313380E–04
    c4 = 0.00000000E+00 c5 = 2.14647773E–04 c6 = 0.00000000E+00
    c7 = –3.03467553E–06 c8 = 0.00000000E+00 c9 = –1.70130264E–06
    c10 = 3.26179145E–09 c11 = 0.00000000E+00 c12 = –9.02665432E–09
    c13 = 0.00000000E+00 c14 = 5.71663297E–09 c15 = 0.00000000E+00
    c16 = –3.47934319E–11 c17 = 0.00000000E+00 c18 = –8.34418700E–12
    c19 = 0.00000000E+00 c20 = –5.59174256E–11 c21 = –1.75860911E–14
    c22 = 0.00000000E+00 c23 = 2.82181782E–13 c24 = 0.00000000E+00
    c25 = –2.44935539E–13 c26 = 0.00000000E+00 c27 = 5.73915888E–13
    c28 = 0.00000000E+00 c29 = –2.58379099E–16 c30 = 0.00000000E+00
    c31 = –7.23238163E–16 c32 = 0.00000000E+00 c33 = –4.43545777E–16
    c34 = 0.00000000E+00 c35 = 3.81426897E–15 c36 = 1.28360226E–19
    c37 = 0.00000000E+00 c38 = 8.75713044E–18 c39 = 0.00000000E+00
    c40 = 1.83541997E–17 c41 = 0.00000000E+00 c42 = –2.72798014E–17
    c43 = 0.00000000E+00 c44 = –5.92604691E–17 c45 = 0.00000000E+00
    c46 = 3.71301848E–20 c47 = 0.00000000E+00 c48 = –5.19525052E–21
    c49 = 0.00000000E+00 c50 = –8.78422864E–20 c51 = 0.00000000E+00
    c52 = –3.35110906E–19 c53 = 0.00000000E+00 c54 = –1.95141962E–19
    c55 = –3.00156653E–22 c56 = 0.00000000E+00 c57 = –5.57643556E–22
    c58 = 0.00000000E+00 c59 = 4.42175766E–23 c60 = 0.00000000E+00
    c61 = 9.58753094E–22 c62 = 0.00000000E+00 c63 = 1.21980710E–21
    c64 = 0.00000000E+00 c65 = 1.86834029E–21
    Fläche: M1 Konstanten:
    RDX = –1579.063390 CCX = 0.000000000
    RDY = –1475.325608 CCY = 0.000000000
    Entwicklungskonstanten
    c1 = 0.00000000E+00 c2 = 0.00000000E+00 c3 = 0.00000000E+00
    c4 = 0.00000000E+00 c5 = 0.00000000E+00 c6 = 0.00000000E+00
    c7 = –2.68327321E–08 c8 = 0.00000000E+00 c9 = –1.91801651E–08
    c10 = –3.66552981E–12 c11 = 0.00000000E+00 c12 = –3.82777603E–13
    c13 = 0.00000000E+00 c14 = 8.62803943E–12 c15 = 0.00000000E+00
    c16 = –1.34436497E–14 c17 = 0.00000000E+00 c18 = –2.62422138E–14
    c19 = 0.00000000E+00 c20 = –7.74167732E–15 c21 = –1.40385167E–18
    c22 = 0.00000000E+00 c23 = –6.99085149E–18 c24 = 0.00000000E+00
    c25 = 1.58855230E–17 c26 = 0.00000000E+00 c27 = 9.83820627E–17
    c28 = 0.00000000E+00 c29 = –8.15873695E–21 c30 = 0.00000000E+00
    c31 = –1.53254148E–20 c32 = 0.00000000E+00 c33 = –2.46991965E–20
    c34 = 0.00000000E+00 c35 = 5.56202200E–20 c36 = –7.62334687E–24
    c37 = 0.00000000E+00 c38 = –6.22654015E–24 c39 = 0.00000000E+00
    c40 = –6.66341030E–23 c41 = 0.00000000E+00 c42 = –6.94753708E–23
    c43 = 0.00000000E+00 c44 = –5.48149098E–22 c45 = 0.00000000E+00
    c46 = 1.23529899E–26 c47 = 0.00000000E+00 c48 = –2.82595551E–26
    c49 = 0.00000000E+00 c50 = –1.08751675E–25 c51 = 0.00000000E+00
    c52 = 2.80187735E–25 c53 = 0.00000000E+00 c54 = 2.56650230E–25
    c55 = 4.36596748E–29 c56 = 0.00000000E+00 c57 = –1.09458826E–28
    c58 = 0.00000000E+00 c59 = 2.99374019E–28 c60 = 0.00000000E+00
    c61 = 1.34192743E–27 c62 = 0.00000000E+00 c63 = 1.21228052E–27
    c64 = 0.00000000E+00 c65 = 1.69942336E–27
  • 3 zeigt schematisch die Reflektivität R (M2) des Spiegels M2 abhängig von der y-Koordinate. Bei einem kleinsten y-Wert y1 ist die Reflektivität R (M2) am größten und beträgt R1. Etwa im Zentrum des Spiegels M2, bei der Koordinate y2 beträgt die Reflektivität R(M2) = R2, wobei R2 < R1. Im Bereich größter y-Werte, also bei y3, beträgt die Reflektivität R(M2) = R3, wobei gilt R3 < R2. Dieser Reflektivitätsverlauf am Spiegel M2 kompensiert Reflektivitätsunterschiede für die Einzelstrahlen 15 des Abbildungslichts 3 am Spiegel GI für streifenden Einfall. Alternativ oder zusätzlich können die Spiegel M5 oder M6 Beschichtungen mit entsprechenden Reflektivitätsverläufen tragen. Der Reflektivitätsverlauf R (M2) nach 3 kann durch einen entsprechenden Schichtdickenverlauf der Reflexionsbeschichtung auf dem Spiegel M2 erreicht werden.
  • Auch die pupillennahen Spiegel M5 oder M6 eignen sich für den Einsatz eines entsprechenden R(y)-Reflektivitätsverlaufes zur Kompensation.
  • Alternativ zu einer Beschichtung mit einem Reflektivitätsverlauf entsprechen dem, der schematischen in der 3 dargestellt ist, kann mindestens einer der Spiegel M2, M5 oder M6 durch andere Maßnahmen als Kompensationselement mit einem pupillenabhängigen Durchsatzverlauf für das Abbildungslicht 3 ausgeführt sein. Beispielsweise kann eine Oberfläche der Spiegel M2, M5 und M6 mit einer Rauheitsvariation versehen sein. Alternativ kann als Kompensationselement mit einem pupillenabhängigen Durchsatzverlauf für das Abbildungslicht 3 auch im Bereich einer der Pupillenebenen der Projektionsoptik 7 ein Graufilter mit einem Transmissionsverlauf angeordnet sein, dessen Wirkung dem Reflektivitätsverlauf nach 3 entspricht. Auch mindestens einer der Spiegel M2, M5 oder M6 kann eine entsprechende Graufilter-Beschichtung tragen.
  • Prinzipiell kommt jeder der NI-Spiegel für eine der vorstehend erläuterten Varianten einer Beschichtung in Frage, insbesondere die Spiegel M1, M2, M3, M5 und M6.
  • Die Spiegel M1 bis M6 tragen Mehrfach-Reflexionsschichten zur Optimierung ihrer Reflexion für das auftreffende EUV-Beleuchtungslicht 3. Die Mehrfach-Reflexionsschichten sind für eine Arbeitswellenlänge von 13,5 nm ausgelegt. Die Reflexion kann umso besser optimiert werden, je näher der Auftreffwinkel der Einzelstrahlen 15 auf der Spiegeloberfläche an der senkrechten Inzidenz liegt. Die Projektionsoptik 7 hat insgesamt für alle Einzelstrahlen 15 auf den NI-Spiegel M1 bis M6 kleine Reflexionswinkel. Ein maximaler Einfallswinkel des Abbildungslichts 3 auf den NI-Spiegeln M1 bis M6 beträgt höchstens 25°. Am Spiegel M1 beträgt der maximale Einfallswinkel der Einzelstrahlen 15 13°. Am Spiegel M2 beträgt der maximale Einfallswinkel der Einzelstrahlen 15 16°. Am Spiegel M3 beträgt der maximale Einfallswinkel der Einzelstrahlen 15 13°. Am Spiegel M4 beträgt der maximale Einfallswinkel der Einzelstrahlen 15 8°. Am Spiegel M5 beträgt der maximale Einfallswinkel der Einzelstrahlen 15 15°. Am Spiegel M6 beträgt der maximale Einfallswinkel der Einzelstrahlen 15 8°.
  • Auf dem Spiegel M3 kann eine Reflexionsbeschichtung mit einer größeren Anzahl von Einzelschichten so ausgelegt sein, dass diese Beschichtung sehr kritisch auf den Einfallswinkel ist. Da auf dem Spiegel M3 die Einzelstrahlen 15 mit einer Bandbreite an Einfallswinkeln auftreffen, lässt sich auch hierüber eine Kompensation der einfallswinkelabhängigen Reflektivität des Spiegels GI für streifenden Einfall herbeiführen. Die Mehrlagen-Reflexionsbeschichtung auf dem Spiegel M3 kann dabei so ausgeführt sein, dass sie am Ort M31 eine höhere Reflektivität hat als an einem Ort M32, an dem dann wiederum eine höhere Reflektivität vorliegt als am Ort M33 (vergleiche 2).
  • Diese Abhängigkeit R (M3) der Reflektivität R vom Einfallswinkel α auf dem Spiegel M3 verdeutlicht die 4. Im Bereich kleinster Einfallswinkel, also bei α = α1, ist die Reflektivität am größten und beträgt dort R1. Diese kleinsten Einfallswinkel α1 liegen im Spiegelbereich M31 vor. Im Bereich mittlerer Einfallswinkel α2 liegt eine mittlere Reflektivität R2 < R1 vor. Diese mittleren Einfallswinkel α2 liegen im Spiegelbereich M32 vor. Im Bereich größter Einfallswinkel α3 liegt die geringste Reflektivität R3 vor. Diese größten Einfallswinkel α3 liegen im Spiegelbereich M33 vor.
  • Bei einer alternativen Ausführung ist der Spiegel GI für streifenden Einfall im Bereich einer Pupillenebene der Projektionsoptik 7 angeordnet. Eine hierdurch gegebenenfalls hervorgerufene Variation einer Intensität des Abbildungslichts über das Bildfeld 8 kann durch Vorkompensation einer Verteilung der Beleuchtungsintensität ausgeglichen werden.
  • Prinzipiell kann jeder der NI-Spiegel M1 bis M6 als Kompensationsspiegel bzw. Kompensationselement gemäß einer der vorstehenden Varianten ausgeführt sein.
  • Bei einer weiteren Variante der Projektionsoptik, die anstelle der Projektionsoptik 7 zum Einsatz kommen kann, kommen mehrere Spiegel GI für streifenden Einfall zum Einsatz.
  • Zur Herstellung eines mikro- oder nanostrukturierten Bauteils wird die Projektionsbelichtungsanlage 1 folgendermaßen eingesetzt: Zunächst werden die Reflexionsmaske 10 bzw. das Retikel und das Substrat bzw. der Wafer 11 bereitgestellt. Anschließend wird eine Struktur auf dem Retikel 10 auf eine lichtempfindliche Schicht des Wafers 11 mithilfe der Projektionsbelichtungsanlage projiziert. Durch Entwicklung der lichtempfindlichen Schicht wird dann eine Mikro- oder Nanostruktur auf dem Wafer 11 und somit das mikrostrukturierte Bauteil erzeugt.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • WO 2010/091800 A1 [0002, 0033]
    • WO 2009/024164 A1 [0002, 0008]
    • US 2007-0058269 A1 [0043]

Claims (13)

  1. Abbildende Optik (7) zur Abbildung eines Objektfeldes (4) in einer Objektebene (5) in ein Bildfeld (8) in einer Bildebene (9), – mit einer Mehrzahl von Abbildungslicht (3) führenden Komponenten (M1 bis M6, GI), – wobei die abbildende Optik (7) als pupillenobskuriertes System ausgeführt ist, – mit mindestens einem Spiegel (GI) für streifenden Einfall des Abbildungslichts (3).
  2. Abbildende Optik nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Spiegel (GI) für streifenden Einfall im Abbildungs-Strahlengang der abbildenden Optik (7) zwischen zwei weiteren, das Abbildungslicht (3) führenden optischen Komponenten (M4, M5) angeordnet ist.
  3. Abbildende Optik nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Spiegel (GI) für streifenden Einfall feldnah im Abbildungsstrahlengang der abbildenden Optik (7) angeordnet ist.
  4. Abbildende Optik nach einem der Ansprüche 1 bis 3, gekennzeichnet durch ein Kompensationselement (M2; M3; M5; M6), welches einen pupillenabhängigen Durchsatzverlauf für das Abbildungslicht (3) aufweist.
  5. Abbildende Optik nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Spiegel (GI) für streifenden Einfall eine Freiform-Reflexionsfläche aufweist.
  6. Abbildende Optik (7) nach einem der Ansprüche 1 bis 5, gekennzeichnet durch eine Ausführung als katoptrische Optik.
  7. Abbildende Optik nach einem der Ansprüche 1 bis 6, gekennzeichnet durch einen maximalen Einfallswinkel (α) des Abbildungslichts (3) auf denjenigen Spiegeln (M1 bis M6), auf denen das Abbildungslicht (3) nicht streifend einfällt, von höchstens 25°.
  8. Abbildende Optik nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Spiegel (GI) für streifenden Einfall so angeordnet ist, dass das Abbildungslicht (3) mit unterschiedlichen Einfallswinkeln auf den Spiegel (GI) für streifenden Einfall auftrifft, wobei mindestens einer der weiteren Spiegel (M1; M2; M3; M5; M6) der abbildenden Optik (7) als Kompensationsspiegel so ausgeführt ist, dass Abbildungslicht-Strahlen (15), die vom Spiegel (GI) für streifenden Einfall mit geringerer Reflektivität reflektiert werden als andere Abbildungs-Strahlen (15), vom Kompensationsspiegel (M1; M2; M3; M5; M6) mit höherer Reflektivität reflektiert werden als die anderen Abbildungs-Strahlen (15).
  9. Abbildende Optik nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass der mindestens eine Kompensationsspiegel (M2; M3; M5; M6) eine Mehrschicht-Reflektivitätsbeschichtung aufweist, deren Schichtdickenverteilung über eine Reflexionsfläche des Kompensationsspiegels (M2; M3; M5; M6) variiert.
  10. Optisches System – mit einer abbildenden Optik (7) nach einem der Ansprüche 1 bis 9, – mit einer Beleuchtungsoptik (6) zur Führung des Beleuchtungslichts (3) hin zum Objektfeld (4) der abbildenden Optik (7).
  11. Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithografie – mit einem optischen System nach Anspruch 10, – mit einer Lichtquelle (2) für das Beleuchtungs- und Abbildungslicht (3), – mit einem Objekthalter (10a) zur Halterung eines Objekts (10) im Objektfeld (4), – mit einem Waferhalter (11, 12) zur Halterung eines Wafers (11) im Bildfeld (8).
  12. Verfahren zur Herstellung eines strukturierten Bauteils mit folgenden Verfahrensschritten: – Bereitstellen eines Retikels (10) und eines Wafers (11), – Projizieren einer Struktur auf dem Retikel (10) auf eine lichtempfindliche Schicht des Wafers (11) mithilfe der Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 11, – Erzeugen einer Mikro- bzw. Nanostruktur auf dem Wafer (11).
  13. Strukturiertes Bauteil, hergestellt nach einem Verfahren nach Anspruch 12.
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Cited By (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014208770A1 (de) 2013-07-29 2015-01-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsoptik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Projektionsoptik
WO2015135726A1 (en) 2014-03-13 2015-09-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Mirror for a microlithographic projection exposure apparatus
DE102014206589A1 (de) 2014-04-04 2015-10-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Justieren eines Spiegels einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102014210609A1 (de) 2014-06-04 2015-12-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
US9291751B2 (en) 2013-06-17 2016-03-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Imaging optical unit and projection exposure apparatus for projection lithography comprising such an imaging optical unit
DE102014223452A1 (de) 2014-11-18 2016-05-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Teilsystem für die Projektionslithographie sowie Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie
WO2016166080A1 (de) * 2015-04-14 2016-10-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende optik zur abbildung eines objektfeldes in ein bildfeld sowie projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden optik
DE102015213253A1 (de) 2015-07-15 2017-01-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
DE102017204104A1 (de) 2017-03-13 2017-05-11 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Kollektor zum Einsatz in einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage
DE102015225262A1 (de) 2015-12-15 2017-06-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
DE102016201850A1 (de) 2016-02-08 2017-08-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Element
DE102016225220A1 (de) 2016-02-09 2017-08-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie sowie optisches System mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
DE102017212622A1 (de) 2017-07-24 2017-09-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Messvorrichtung zur Bestimmung einer räumlichen Lage eines Beleuchtungslicht-Strahlengangs einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage
DE102017212867A1 (de) 2017-07-26 2017-09-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System
DE102017201078A1 (de) 2016-03-14 2017-09-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie
WO2017174423A1 (en) 2016-04-08 2017-10-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Euv collector for use in an euv projection exposure apparatus
DE102016209359A1 (de) 2016-05-31 2017-11-30 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Kollektor
WO2018007081A1 (en) 2016-07-07 2018-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system, in particular for a microlithographic projection exposure apparatus
DE102016217633A1 (de) 2016-09-15 2018-03-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Anordnung, insbesondere in einer Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Lithographie
DE102018203283A1 (de) 2018-03-06 2018-05-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optischen Systems einer Projektionsbestimmungsanlage für die Projektionslithographie
US9983484B2 (en) 2014-11-18 2018-05-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination optical unit for EUV projection lithography
DE102017209162A1 (de) 2017-05-31 2018-06-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Retardierungselement, sowie optisches System
DE102017200667A1 (de) 2017-01-17 2018-07-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage oder ein Inspektionssystem
DE102017217867A1 (de) 2017-10-09 2018-07-26 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Facettenspiegel für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage
WO2018210691A1 (en) 2017-05-17 2018-11-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection exposure method and projection lens with setting of the pupil transmission
DE102018218981A1 (de) 2018-11-07 2018-12-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Gitter
DE102019200698A1 (de) 2019-01-21 2019-12-05 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Kollektor zum Einsatz in einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage
DE102019219209A1 (de) 2019-12-10 2020-01-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Oberflächenprofil-Messeinrichtung zur Vermessung der Spiegel einer abbildenden Optik
CN111133358A (zh) * 2017-09-25 2020-05-08 卡尔蔡司Smt有限责任公司 用于将物场成像至像场的成像光学单元
DE102019200376A1 (de) 2019-01-15 2020-07-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Beugungskomponente zur Unterdrückung mindestens einer Ziel-Wellenlänge durch destruktive Interferenz
WO2020207768A1 (en) 2019-04-11 2020-10-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Imaging optical unit for imaging an object field into an image field, and projection exposure apparatus comprising such an imaging optical unit
DE102019210450A1 (de) * 2019-07-16 2021-01-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Beugungskomponente zur Unterdrückung mindestens einer Ziel-Wellenlänge durch destruktive Interferenz
WO2021037437A1 (de) 2019-08-30 2021-03-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische beugungskomponente
WO2021073813A1 (en) 2019-10-15 2021-04-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Euv collector mirror
DE102022200526A1 (de) 2022-01-18 2022-10-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Struktur auf einem Substrat sowie Vorrichtung zur Strukturherstellung mit einem derartigen Verfahren
DE102021205774A1 (de) 2021-06-08 2022-12-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik
DE102021208674A1 (de) 2021-08-10 2023-02-16 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Kollektor zum Einsatz in einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage
DE102022214434A1 (de) 2022-01-17 2023-07-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Herstellung einer optischen Gitterstruktur zur gezielten Beugung von Licht mindestens einer Ziel-Wellenlänge
DE102022209573A1 (de) 2022-09-13 2023-11-23 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Kollektor zur Verwendung in einer EUV-Projektionsbelichtungsvorrichtung
WO2024002672A1 (en) 2022-06-28 2024-01-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Euv collector for an euv projection exposure apparatus
DE102022207374A1 (de) 2022-07-19 2024-01-25 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Kollektor für eine EUV-Projektionsbelichtungsvorrichtung

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19923609A1 (de) * 1998-05-30 1999-12-02 Zeiss Carl Fa Ringfeld-4-Spiegelsysteme mit konvexem Primärspiegel für die EUV-Lithographie
US20070058269A1 (en) 2005-09-13 2007-03-15 Carl Zeiss Smt Ag Catoptric objectives and systems using catoptric objectives
DE102008033341A1 (de) * 2007-07-24 2009-01-29 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv
WO2009024164A1 (en) 2007-08-20 2009-02-26 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective having mirror elements with reflective coatings
DE102007051671A1 (de) * 2007-10-26 2009-05-07 Carl Zeiss Smt Ag Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einer derartigen abbildenden Optik
WO2010091800A1 (en) 2009-02-12 2010-08-19 Carl Zeiss Smt Ag Imaging optical system and projection exposure installation for microlithography with an imaging optical system of this type

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19923609A1 (de) * 1998-05-30 1999-12-02 Zeiss Carl Fa Ringfeld-4-Spiegelsysteme mit konvexem Primärspiegel für die EUV-Lithographie
US20070058269A1 (en) 2005-09-13 2007-03-15 Carl Zeiss Smt Ag Catoptric objectives and systems using catoptric objectives
DE102008033341A1 (de) * 2007-07-24 2009-01-29 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv
WO2009024164A1 (en) 2007-08-20 2009-02-26 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective having mirror elements with reflective coatings
DE102007051671A1 (de) * 2007-10-26 2009-05-07 Carl Zeiss Smt Ag Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einer derartigen abbildenden Optik
WO2010091800A1 (en) 2009-02-12 2010-08-19 Carl Zeiss Smt Ag Imaging optical system and projection exposure installation for microlithography with an imaging optical system of this type

Cited By (71)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9291751B2 (en) 2013-06-17 2016-03-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Imaging optical unit and projection exposure apparatus for projection lithography comprising such an imaging optical unit
US10558026B2 (en) 2013-07-29 2020-02-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection optical unit for imaging an object field into an image field, and projection exposure apparatus comprising such a projection optical unit
DE102014208770A1 (de) 2013-07-29 2015-01-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsoptik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Projektionsoptik
US10146033B2 (en) 2013-07-29 2018-12-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection optical unit for imaging an object field into an image field, and projection exposure apparatus comprising such a projection optical unit
CN111708256A (zh) * 2013-07-29 2020-09-25 卡尔蔡司Smt有限责任公司 投射光学单元、光学系统以及投射曝光设备
WO2015135726A1 (en) 2014-03-13 2015-09-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Mirror for a microlithographic projection exposure apparatus
DE102014204660A1 (de) 2014-03-13 2015-09-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
US10061204B2 (en) 2014-03-13 2018-08-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Mirror, in particular for a microlithographic projection exposure apparatus
DE102014206589A1 (de) 2014-04-04 2015-10-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Justieren eines Spiegels einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
US10101667B2 (en) 2014-04-04 2018-10-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Method for aligning a mirror of a microlithographic projection exposure apparatus
US10359703B2 (en) 2014-04-04 2019-07-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Method for aligning a mirror of a microlithographic projection exposure apparatus
DE102014210609A1 (de) 2014-06-04 2015-12-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
DE102014223452A1 (de) 2014-11-18 2016-05-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Teilsystem für die Projektionslithographie sowie Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie
US9983484B2 (en) 2014-11-18 2018-05-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination optical unit for EUV projection lithography
US10656400B2 (en) 2015-04-14 2020-05-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Imaging optical unit and projection exposure unit including same
WO2016166080A1 (de) * 2015-04-14 2016-10-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende optik zur abbildung eines objektfeldes in ein bildfeld sowie projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden optik
US10331048B2 (en) 2015-07-15 2019-06-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Mirror, in particular for a microlithographic projection exposure apparatus
WO2017009185A1 (de) 2015-07-15 2017-01-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische projektionsbelichtungsanlage
DE102015213253A1 (de) 2015-07-15 2017-01-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
DE102015225262A1 (de) 2015-12-15 2017-06-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
WO2017102599A1 (en) 2015-12-15 2017-06-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system, in particular for a microlithographic projection exposure apparatus
US10838306B2 (en) 2015-12-15 2020-11-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system, in particular for a microlithographic projection exposure apparatus
WO2017137216A1 (de) 2016-02-08 2017-08-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel für den euv spektralbereich
DE102016201850A1 (de) 2016-02-08 2017-08-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Element
DE102016225220A1 (de) 2016-02-09 2017-08-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie sowie optisches System mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
DE102017201078A1 (de) 2016-03-14 2017-09-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie
WO2017174423A1 (en) 2016-04-08 2017-10-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Euv collector for use in an euv projection exposure apparatus
US10578972B2 (en) 2016-04-08 2020-03-03 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV collector for use in an EUV projection exposure apparatus
DE102016205893A1 (de) 2016-04-08 2017-10-12 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Kollektor zum Einsatz in einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage
US10503075B2 (en) 2016-05-31 2019-12-10 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV Collector
DE102016209359A1 (de) 2016-05-31 2017-11-30 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Kollektor
WO2017207401A1 (de) 2016-05-31 2017-12-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Euv-kollektor
DE102016212373A1 (de) 2016-07-07 2018-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
US10520827B2 (en) 2016-07-07 2019-12-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system, in particular for a microlithographic projection exposure apparatus
WO2018007081A1 (en) 2016-07-07 2018-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system, in particular for a microlithographic projection exposure apparatus
DE102016217633A1 (de) 2016-09-15 2018-03-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Anordnung, insbesondere in einer Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Lithographie
US11086055B2 (en) 2017-01-17 2021-08-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Mirror, in particular for a microlithographic projection exposure apparatus or an inspection system
WO2018134077A1 (de) 2017-01-17 2018-07-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische projektionsbelichtungsanlage oder ein inspektionssystem
DE102017200667A1 (de) 2017-01-17 2018-07-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage oder ein Inspektionssystem
DE102017204104A1 (de) 2017-03-13 2017-05-11 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Kollektor zum Einsatz in einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage
WO2018210691A1 (en) 2017-05-17 2018-11-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection exposure method and projection lens with setting of the pupil transmission
US11906904B2 (en) 2017-05-17 2024-02-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection exposure method and projection lens with setting of the pupil transmission
US11143967B2 (en) 2017-05-17 2021-10-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection exposure method and projection lens with setting of the pupil transmission
DE102017209162A1 (de) 2017-05-31 2018-06-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Retardierungselement, sowie optisches System
DE102017212622A1 (de) 2017-07-24 2017-09-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Messvorrichtung zur Bestimmung einer räumlichen Lage eines Beleuchtungslicht-Strahlengangs einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage
DE102018212073A1 (de) 2017-07-24 2019-01-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Messvorrichtung zur Bestimmung einer räumlichen Lage eines Beleuchtungslicht-Strahlengangs einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage
DE102017212867A1 (de) 2017-07-26 2017-09-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System
CN111133358B (zh) * 2017-09-25 2024-02-13 卡尔蔡司Smt有限责任公司 用于将物场成像至像场的成像光学单元
CN111133358A (zh) * 2017-09-25 2020-05-08 卡尔蔡司Smt有限责任公司 用于将物场成像至像场的成像光学单元
DE102017217867A1 (de) 2017-10-09 2018-07-26 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Facettenspiegel für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage
DE102019201062A1 (de) 2018-03-06 2019-09-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optischen Systems einer Projektionsbestimmungsanlage für die Projektionslithographie
DE102018203283A1 (de) 2018-03-06 2018-05-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optischen Systems einer Projektionsbestimmungsanlage für die Projektionslithographie
DE102019214243A1 (de) 2018-11-07 2020-05-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Gitter
DE102018218981A1 (de) 2018-11-07 2018-12-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Gitter
DE102019200376A1 (de) 2019-01-15 2020-07-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Beugungskomponente zur Unterdrückung mindestens einer Ziel-Wellenlänge durch destruktive Interferenz
DE102019200698A1 (de) 2019-01-21 2019-12-05 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Kollektor zum Einsatz in einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage
WO2020207768A1 (en) 2019-04-11 2020-10-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Imaging optical unit for imaging an object field into an image field, and projection exposure apparatus comprising such an imaging optical unit
DE102019210450A1 (de) * 2019-07-16 2021-01-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Beugungskomponente zur Unterdrückung mindestens einer Ziel-Wellenlänge durch destruktive Interferenz
WO2021037437A1 (de) 2019-08-30 2021-03-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische beugungskomponente
US11947265B2 (en) 2019-08-30 2024-04-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical diffraction component
WO2021073813A1 (en) 2019-10-15 2021-04-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Euv collector mirror
DE102019219209A1 (de) 2019-12-10 2020-01-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Oberflächenprofil-Messeinrichtung zur Vermessung der Spiegel einer abbildenden Optik
DE102021205774A1 (de) 2021-06-08 2022-12-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik
WO2022258529A1 (en) 2021-06-08 2022-12-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Imaging optical unit
WO2023016882A1 (en) 2021-08-10 2023-02-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Euv collector for use in an euv projection exposure apparatus
DE102021208674A1 (de) 2021-08-10 2023-02-16 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Kollektor zum Einsatz in einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage
DE102022214434A1 (de) 2022-01-17 2023-07-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Herstellung einer optischen Gitterstruktur zur gezielten Beugung von Licht mindestens einer Ziel-Wellenlänge
DE102022200526A1 (de) 2022-01-18 2022-10-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Struktur auf einem Substrat sowie Vorrichtung zur Strukturherstellung mit einem derartigen Verfahren
WO2024002672A1 (en) 2022-06-28 2024-01-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Euv collector for an euv projection exposure apparatus
DE102022207374A1 (de) 2022-07-19 2024-01-25 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Kollektor für eine EUV-Projektionsbelichtungsvorrichtung
DE102022209573A1 (de) 2022-09-13 2023-11-23 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Kollektor zur Verwendung in einer EUV-Projektionsbelichtungsvorrichtung

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