CN111133358B - 用于将物场成像至像场的成像光学单元 - Google Patents
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Abstract
一种用于将物场成像至像场的成像光学单元此处，多个反射镜用以沿成像光束路径引导成像光。多个反射镜包含用于掠入射的数个反射镜(GI反射镜)，其偏转具有大于45°的入射角的中心物场点的主射线。GI反射镜中的至少两个配置于成像光束路径中作为基本GI反射镜(M2至M7)，使得其偏转效果针对主射线加总。至少一个另外的GI反射镜(M2至M8)配置在成像光束路径中作为反GI反射镜(M8)，使得其偏转效果相对基本GI反射镜(M2至M7)的偏转效果以减法的方式对主射线作用。这产生了成像光学单元，其相对于成像光学单元的反射镜的反射镜主体所要求的安装空间的配置灵活性增加。
Description
本申请要求德国专利申请案DE 10 2017 216 893.5的优先权，其内容以引用的方式并入本文。
技术领域
本发明关于用于将物场成像至像场的成像光学单元或投射光学单元。此外，本发明关于包含此成像光学单元和照明物场的照明光学单元的光学系统(物场位于其中或其与物场重合)、包含此光学系统和EUV光源的投射曝光装置、使用此投射曝光装置产生微结构或纳米结构部件的方法、以及使用此方法所产生的微结构或纳米结构部件。
背景技术
一开始所提出的类型的投射光学单元已揭露于WO 2016/166 080 A1(特别是其中根据图26以后的实施例)、JP 2002/048977 A、US 5,891,806(其描述“接近式类型”投射曝光装置)、以及揭露于WO 2008/141 686 A1及WO 2015/014 753 A1。
发明内容
本发明的目的为发展在一开始所提出类型的成像光学单元，使得相对于成像光学单元的反射镜的反射镜主体所要求的安装空间，增加了其配置灵活性。
根据本发明，此目的由具有下文所述特征的成像光学单元来实现。
一种用于将物场成像至像场的成像光学单元，
-包含用以沿成像光束路径从该物场至该像场引导成像光的多个反射镜，
-其中该多个反射镜包含用于掠入射的数个GI反射镜，其偏转具有大于45°的入射角的中心物场点的主射线，
-其中所述GI反射镜中的至少两个配置于该成像光束路径中作为基本GI反射镜，使得其偏转效果针对该主射线加总，
-其中至少一个另外的GI反射镜配置在该成像光束路径中作为反GI反射镜，使得其偏转效果相对该基本GI反射镜的偏转效果以减法的方式对该主射线作用。
根据本发明，已认识到使用至少一个反GI反射镜可用于影响整体GI反射镜所产生的整体偏转效果，其中相对于由成像光束路径所预先决定的光管，至少一个反GI反射镜的反射镜表面在与基本GI反射镜的反射镜表面相对的一侧上反射成像光。在采用预定数量的GI反射镜的情况下，那么有可能获得GI反射镜的校正效果与GI反射镜的整体偏转效果的理想组合。在给定的针对成像光学单元的反射镜的反射镜本体的成像品质和安装空间规定的最低要求的情况下，通过使用至少一个反GI反射镜所开启的额外设计自由度可用于设计具有良好整体传输的成像光学单元。反GI反射镜可实施为纯偏转反射镜，即平面反射镜。或者，反GI反射镜也可对成像光学单元的成像特性产生影响。
刚好一个反GI反射镜从许多设计输出中证明了它的价值。
多于三个的基本GI反射镜有助于良好的校正，同时具有较低的总传输损耗。
这特别适用于刚好六个基本GI反射镜。
在一个实施方式中，反GI反射镜为在该成像光束路径中在该像场上游的最终GI反射镜。上述反GI反射镜的配置使得有可能求助于用于前面的GI反射镜的现有设计。
包含至少一个下游基本GI反射镜的反GI反射镜有助于反GI反射镜相对于直接跟随的基本GI反射镜和相对于可能配置在上游的基本GI反射镜的紧凑布置。原则上，所有基本GI反射镜也可设置在反GI反射镜的下游，然后在光束路径中引导。
在一个实施方式中，数个另外的基本GI反射镜仍配置于该成像光束路径中的该反GI反射镜的下游。上述的反GI反射镜的配置已发现特别适合于某些安装空间要求。
这特别适用于根据下面的反射镜配置。刚好三个基本GI反射镜配置于该成像光束路径中的该反GI反射镜的下游。
包含至少一个另外的NI反射镜的成像光学单元已证明其价值。成像光学单元的成像光束路径中的最终反射镜可配置为NI反射镜。成像光学单元的成像光束路径中的第一反射镜可配置为NI反射镜。成像光学单元的成像光束路径中的倒数第二个反射镜可配置为NI反射镜。成像光学单元的成像光束路径中的最终反射镜可包含用于成像光的通道开口。成像光学单元的成像光束路径中的倒数第二个反射镜可配置成不具此通道开口。
在一个实施方式中，倒数第二个反射镜不具有用于该成像光的通道开口，该倒数第二个反射镜在光管的一侧上配置于该成像光束路径中，该光管由在该成像光束路径中的最终反射镜与该像场之间的成像光束路径所预先决定，其中该倒数第二个反射镜配置于其上的光管的该侧背离该第一反射镜。上述的反射镜配置避免了成像光学单元的第一和倒数第二个反射镜在成像光学单元的最终反射镜和像场之间配置在光管的同一侧。这可避免安装空间冲突。
本申请还提供了一种光学系统，其包含如上文所述的成像光学单元以及用以照明照明场的照明光学单元，其中该物场配置于该照明场中。本申请还提供了一种投射曝光装置，其包含如上文所述的光学系统并包含用以产生该成像光的EUV光源。本申请还提供了一种用以产生结构化部件的方法，其包含以下方法步骤：-提供掩模母版和晶片；-在如上文所述的投射曝光装置的协助下，将该掩模母版上的结构投射至该晶片的光敏感层上，以及-于该晶片上产生微结构或纳米结构。本申请还提供了一种结构化部件，其由如上文所述的方法所生产。上文所述的光学系统、上文所述的投射曝光装置、上文所述的制造方法以及上文所述的微结构或纳米结构部件的优点对应于在前文中已参照成像光学单元进行描述的优点。照明场可与物体重合。特别地，可使用投射曝光装置生产半导体部件，例如存储器芯片。成像光学单元可设计用于EUV投射光刻。
成像光学单元的反射镜可具有对EUV成像光具有高反射性的涂层。此涂层可实施为单层或多层涂层。
附图说明
下文将参照示图更详细地解释本发明的示例实施例。图中：
图1示意性地显示用于EUV微光刻的投射曝光装置；
图2显示了成像光学单元的实施例的示意侧视图，其可用作根据图1的投射曝光装置中的投射镜头，其中显示了成像光学单元的反射镜本体而无保持器，用以说明物场和像场之间的成像光束路径；以及
图3至图5以类似于图2的示意图显示了成像光学单元的另外的实施例，其可用于代替图1所示的投射曝光装置中的根据图2的成像光学单元。
具体实施方式
微光刻投射曝光装置1具有用以提供照明光或成像光3的光源2。光源2为EUV光源，其产生波长范围在例如5nm和30nm之间、特别是在5nm和15nm之间的光。光源2可为基于等离子体的光源(激光产生等离子体(LPP))、气体放电产生等离子体(GDP))或基于同步加速器的光源，例如自由电子激光器(FEL)。特别地，光源2可为波长为13.5nm的光源或波长为6.9nm的光源。其他EUV波长也是可能的。一般来说，对于在投射曝光装置1中引导的照明光3，甚至任意波长也是可能的，例如可见光波长或可在微光刻中使用的其他波长(例如DUV、深紫外光)并有可使用的合适激光光源和/或LED光源的其他波长(例如365nm、248nm、193nm、157nm、129nm、109nm)。图1以非常示意性的方式显示照明光3的光束路径。
照明光学单元6用以将来自光源2的照明光3引导到物平面5中的物场4。使用投射光学单元或成像光学单元7，将物场4以预定的缩小比例成像至像平面9中的像场8。
为了便于描述投射曝光装置1和投射光学单元7的各种实施例，在示图中显示了笛卡尔xyz坐标系统，从该系统可清楚看出图中所示部件的相应位置关系。在图1中，x方向垂直于绘图平面并延伸进入绘图平面。y方向向左，且z方向向上。
在投射光学单元7中，物场4和像场8具有弯曲或弧形的实施例，特别是形状像部分环形的实施例。物场4或像场8的边界轮廓的基本形式具有相应的弯曲。或者，有可能将物场4和像场8实施为矩形。物场4和像场8具有大于1的x/y纵横比。因此，物场4在x方向上具有较长的物场尺寸，而在y方向上具有较短的物场尺寸。这些物场尺寸沿场坐标x和y延伸。
因此，物场4由第一笛卡尔物场坐标x和第二笛卡尔物场坐标y展开。垂直于这两个物场坐标x和y的第三笛卡尔坐标z在下文中也称作法线坐标。
根据图2的投射光学单元7在弧矢平面(sagittal plane)xz中缩小4倍并且在子午平面(meridional plane)yz中缩小-8倍。投射光学单元7是变形投射光学单元。两个成像光平面xz、yz中的其他缩小比例也是可能的，例如3x、5x、6x、7x或者大于8x的缩小比例。或者，投射光学单元7也可在两个成像光平面xz、yz中具有相应的相同缩小比例，例如缩小8倍。然后，其他缩小比例也是可能的，例如4x、5x或甚至大于8x的缩小比例。相应的缩小比例可伴随或不伴随像翻转，其随后也通过缩小比例的适当符号说明进行阐明。
在根据图2的投射光学单元7的实施例中，像平面9配置为平行于物平面5。在此情况下所成像的是与物场4重合的反射掩模10(也称作掩模母版)的一部分。掩模母版10由掩模母版保持器10a所承载。掩模母版保持器10a由掩模母版位移驱动器10b来位移。
通过投射光学单元7的成像实现于形式为晶片的基板11的表面上，其中基板11由基板保持器12承载。基板保持器12由晶片或基板位移驱动器12a来位移。
图1示意性地显示在掩模母版10和投射光学单元7之间进入该投射光学单元的照明光3的射线光束13，以及在投射光学单元7和基板11之间从投射光学单元7所发出的照明光3的射线光束14。投射光学单元7的像场侧数值孔径(NA)在图1中未按比例再现。
投射曝光装置1为扫描仪类型。在投射曝光装置1的操作期间，在y方向上扫描掩模母版10和基板11。步进式的投射曝光装置1也是可能的，其中在基板11的各个曝光之间实现掩模母版10和基板11在y方向上的逐步位移。通过位移驱动器10b和12a的适当致动，这些位移将彼此同步地进行。
图2显示投射光学单元7的侧视图。图2的绘图平面平行于对应于图1的yz平面。成像光3的光束路径包含中心场点的主射线16，并包含(作为另外的个别射线)孔径或彗差射线，其限定了yz平面(也称作子午平面)中光束路径的边缘。图中显示了物场4和像场8之间的成像光3的成像光束路径的范围。
主射线16延伸穿过投射光学单元7的光瞳平面中的光瞳的中心。从物场4出发，主射线16包含与物平面5的法线成5.0°的一角度CRA。范围在例如3°到8°之间的其他这类角度CRA也是可能的。
投射光学单元7具有例如0.55的像侧数值孔径。范围在例如0.4到0.7之间的其他像侧数值孔径也是可能的。
图2所示的投射光学单元7一共有十个反射镜，其从物场4开始，按照成像光3的光束路径的顺序编号为M1到M10。
图2显示了反射镜M1至M10的反射镜本体。这些反射镜本体承载用于反射成像光3的反射镜反射表面。反射镜M1至M10的反射镜表面以平面的方式被示意性地示出，但它们实际上通常具有弯曲的配置。
在图2所示的投射光学单元7的例子中，反射镜M1、M9和M10实施为法线入射反射镜，即成像光3以小于45°的入射角入射于其上的反射镜。整体而言，图2所示的投射光学单元7具有三个法线入射反射镜M1、M9和M10。这些用于法线入射的反射镜也称作NI(法线入射(normal incidence))反射镜。
反射镜M2到M8为用于照明光3的掠入射的反射镜，即照明光3以大于45°、特别是大于60°的入射角入射于其上的反射镜。在用于掠入射的反射镜M2至M8上的成像光3的个别射线15的典型入射角落在80°的范围。整体而言，图2中的投射光学单元7具有刚好七个反射镜M2至M8用于掠入射。这些用于掠入射的反射镜也称作GI(掠入射(grazing incidence))反射镜。
反射镜M2到M7反射成像光3，使得个别射线15在相应的反射镜M2至M7上的反射角加总。因此，除了影响投射光学单元7的成像特性的效果以外，反射镜M2至M7都具有相同的反射镜偏转效果方向。因此，针对反射镜M2至M7，主射线16的偏转效果在各个情况下加总在一起。在下文中，这些反射镜M2至M7也称作基本GI反射镜。
反射镜M8配置使得其偏转效果相对于基本GI反射镜M2至M7的偏转效果以减法的方式对主射线16作用。因此，反射镜M8也称作反GI反射镜。
投射光学单元7具有刚好一个反GI反射镜，即反射镜M8。
反GI反射镜M8为投射光学单元7在像场8上游的成像光束路径中的的最终GI反射镜。
用于掠入射的反射镜M2至M8各自具有非常大的半径绝对值，也就是说它们与平面表面具有相对小的偏差。这些用于掠入射的反射镜M2至M8各自具有相对较弱的折射率，即与整体上为凹形或凸形的反射镜相比具有较低的光束形成效果。反射镜M2至M8有助于特定的成像像差校正，特别是有助于局部的成像像差校正。
反射镜M1至M10带有涂层，其最佳化了反射镜M1至M10对成像光3的反射率。在此处，这可为单层钌涂层、或在各个情况下具有由例如钌制成的最上层的多层。在掠入射反射镜M2至M8的情况中，可使用包括例如钼或钌层的涂层。这些高反射层(特别是用于法线入射的反射镜M1、M9和M10)可配置为多层层，其中连续层可以由不同材料制造。也可使用交替材料层。典型的多层层可具有五十个双层，其分别由钼层和硅层制成。这些可包含由例如C(碳)、B4C(碳化硼)制成的额外分离层，且可由朝向真空的保护层或保护层系统来终止。
为了计算投射光学单元7的整体反射率，系统传输被计算如下：根据引导射线(即中心物场点(central object field point)的主射线(chief ray))的入射角，决定在每个反射镜表面的反射镜反射率，并通过乘法组合而形成系统传输。
WO 2015/014 753 A1解释了关于计算反射率的细节。
关于在GI反射镜(用于掠入射的反射镜)处的反射的进一步信息可在WO 2012/126867 A1中找到。关于NI反射镜(法线入射反射镜)的反射率的进一步信息可以在DE 101 55711 A1中找到。
举例来说，投射光学单元7的整体反射率或系统传输为R＝6.5％，其为投射光学单元7的所有反射镜M1至M10的反射率的乘积。
反射镜M10(即成像光束路径中的像场8上游的最终反射镜)具有供成像光3通过的通道开口17，其中成像光3从倒数第三个反射镜M8反射朝向倒数第二反射镜M9。围绕通道开口17以反射的方式使用反射镜M10。其他反射镜M1至M9中没有一个具有通道开口，且在无间隙的连续区域中以反射的方式使用所述反射镜。
投射光学单元7的整个成像光束路径预先确定光管18，成像光3在光管18内被引导。相对于由成像光3的成像光束路径所预先决定的光管18，反GI反射镜M8的反射镜或反射表面在与基本GI反射镜M2至M7的反射镜表面相对的一侧上反射成像光3。
特别地，倒数第二个反射镜M9在无间隙的连续区域中以反射的方式被使用，其将通过通道开口17引导的成像光3反射朝向预先决定像侧数值孔径的反射镜M10。此倒数第二个反射镜M9配置在最终反射镜M10和像场8之间的光管18一侧上的成像光束路径中，该侧背离第一反射镜M1。因此，在投射光学单元7的成像光束路径中的最终反射镜M10与像场8之间的光管18位于成像光束路径中的第一反射镜M1和成像光束路径中的倒数第二反射镜M9之间。
反射镜M1到M10实施为自由形式表面，其无法由旋转对称函数描述。反射镜M1到M10中的至少一个实施为旋转对称非球面的投射光学单元7的其他实施例也是可能的。DE10 2010 029 050 A1揭露了用于这种旋转对称非球面的非球面方程式。所有反射镜M1到M10也有可能都实施为这样的非球面
自由形式的表面可由以下的自由形式表面方程式(1)来描述：
以下适用于此方程式(1)的参数：
Z为自由形式表面在点x、y的矢高(sag)，其中x2+y2＝r2。在此处，r为与自由形式方程式的参考轴(x＝0；y＝0)之间的距离。
在自由形式表面方程式(1)中，C1，C2，C3...表示以x和y的幂次展开的自由形式表面级数的系数。
在锥形底面积的情况下，cx、cy为对应于相应非球面的顶点曲率的常数。因此，适用cx＝l/Rx且cy＝1/Ry。在此处，kx和ky各对应于相应非球面的锥形常数。因此，方程式(1)描述双锥形自由形式表面。
另一可能的自由形式表面可由旋转对称的参考表面产生。用于微光刻投射曝光装置的投射光学单元的反射镜的反射表面的这类自由形式表面已揭露于US 2007 0 058 269A1。
或者，也可使用二维样条曲面来描述自由形式表面。其示例为Bezier曲线或非均匀有理的基本样条曲线(NURBS)。举例来说，二维样条曲面可由在xy平面中的点的网格及相关z数值、或由这些点及与其相关的斜率来描述。取决于样条曲面的相应类型，使用例如在其连续性及可微分性方面具有特定特性的多项式或函数，通过网格点之间的内插来获得完整的表面。其示例为解析函数。
光瞳定义孔径光阑AS配置于投射光学单元7中的反射镜M9和M10之间的成像光束路径中。除了此孔径光阑AS以外，投射光学单元7也可仍包含至少一个另外的孔径光阑和至少一个遮蔽光阑，用于预先决定投射光学单元7的光瞳遮蔽(pupil obscuration)。
参考图3，下文将描述投射光学单元19的另一实施例，其可用以取代投射曝光装置1中的投射光学单元7。对应于已经在关于图1及图2(特别是关于图2)的前文中进行解释的那些部件的部件将以相同的元件符号表示，且不再详细讨论。
在投射光学单元19中，反GI反射镜M8在空间上非常接近前面的基本GI反射镜M7，因此在yz平面中看到的光管18在反射镜M7和M8的偏转区域中非常窄。反射镜M7和M8的反射表面之间的距离小于这些反射镜M7和M8在yz平面中的较小反射表面的反射表面尺寸的一半。实际上，该距离小于此反射表面尺寸的四分之一、甚至小于五分之一。反射镜M7和M8的相互相对的反射表面与两个反射镜M7和M8在yz平面中的较大者的反射表面尺寸的三分之一重叠。此重叠可大于两个反射镜在yz平面中的较大者的反射表面尺寸的40％。
投射光学单元19的反射镜M1至M10的反射表面的光学设计数据可从以下表格收集。这些光学设计数据在各个情况下从像平面9开始，即在像平面9和物体平面5之间沿成像光3的反向传播方向描述相应的投射光学单元。
这些表格中的第一个提供了投射光学单元19的设计数据的概述，并总结数值孔径NA、成像光3的计算的设计波长、两个成像光平面xz和yz中的缩小因子βx和βy、x方向和y方向上的像场的尺寸、图像像差值rms、像场曲率和光阑位置。此曲率被定义为场的曲率的倒数半径。图像像差值以mλ(ml)表示，即取决于设计波长。在此处，这是波前像差的rms(均方根)值。
这些表格中的第二个提供光学部件的光学表面的顶点半径(Radius_x＝Rx，Radius_y＝Ry)以及折射率数值(Power_x，Power_y)。负的半径值表示在相应表面与考虑平面(xz，yz)的交叉处朝入射照明光3成凹形的曲线，该考虑平面由在顶点的表面法线与相应的曲率方向(x，y)展开。两个半径Radius_x、Radius_y可明确地具有不同的正负号。
在每一光学表面的顶点被定义为引导射线的入射点，其中引导射线沿对称平面x＝0(即图3的绘图平面(子午平面))从物场中心行进至像场8。
在顶点的折射率Power_x(Px)、Power_y(Py)定义为：
在此处，AOI表示引导射线相对表面法线的入射角。
第三表格指定了以毫米为单位的反射镜M1到M10的圆锥常数kx和ky、顶点半径Rx(＝Radius_x)及自由形式表面系数Cn。表格中未列出的系数Cn的值皆为0。
第四表格仍指定相应反射镜从参考表面开始在y方向上的离心(DCY)、在z方向上的位移(DCZ)及倾斜(TLA、TLB、TLC)的大小。这对应于在自由表面设计方法情况下的平行偏移和倾斜。在此处，位移在y方向且在z方向上以毫米为单位进行，且倾斜相对x轴、相对y轴且相对z轴进行。在此情况下，旋转角度以度为单位。先偏离中心，再进行倾斜。偏离中心期间的参考表面在各个情况下为指定光学设计数据的第一表面。在y方向及z方向上的偏离中心也指定用于物场4。除了指派给个别反射镜的表面，第四表格也将像平面列表为第一表面、物平面列表为最后表面且选择性地列表光阑表面(具有标记“AS”)。
图3的表格1
图3的表格2
图3的表格3a
图3的表格3b
图3的表格3c
图3的表格3d
图3的表格4a
图3的表格4b
参考图4，下文将解释投射光学单元20的另一实施例，其可用于代替投射曝光装置1中的投射光学单元7。对应于已经在关于图1至图3(特别是关于图2及图3)的前文中进行解释的那些部件的部件将以相同的元件符号表示，且不再详细讨论。
关于反射镜M7和M8的空间接近度以及关于其反射表面重叠，投射光学单元20可以被理解为在投射光学单元7和19的实施例之间的实施例。投射光学单元20的反射镜M7和M8的空间接近度比在投射光学单元7中更明显，但不如在投射光学单元19中那样明显。投射光学单元20的反射表面重叠比在投射光学单元7中更明显，但不如在投射光学单元19中那样明显。
总体而言，投射光学单元19和20具有刚好六个基本GI反射镜M2至M7。
投射光学单元20的光学设计数据可从下面的表格中获得，这些表格在其设计方面对应于根据图3的投射光学单元19的表格。
图4的表格1
图4的表格2
图4的表格3a
图4的表格3b
图4的表格3c
图4的表格3d
图4的表格4a
图4的表格4b
参考图5，下文将描述投射光学单元21的另一实施例，其可用于代替投射曝光装置1中的投射光学单元7。对应于已经在关于图1至图4(特别是关于图2至图4)的前文中进行解释的那些部件和功能的部件和功能将以相同的元件符号表示，且不再详细讨论。
在投射光学单元21中，反射镜M5实施为反GI反射镜。在成像光束路径中配置于反射镜M5上游的基本GI反射镜M2至M4最初对主射线16具有附加的偏转效果。然后接下来的反GI反射镜M5的偏转效果相对基本GI反射镜M2至M4的偏转效果为削减的。随后的GI反射镜M6至M8的偏转效果再次与基本GI反射镜M2至M4的偏转效果相加，因此这些反射镜也是基本GI反射镜。
因此，投射光学单元21也具有刚好六个基本GI反射镜，特别是反射镜M2至M4以及M6至M8。在投射光学单元21中，三个另外的基本反射镜(即GI反射镜M6至M8)仍配置在反GI反射镜M5下游的成像光束路径中。
在投射光学单元21中，反GI反射镜M5配置在非常靠近两个反射镜M4和M6，其中反射镜M4和M6在成像光束路径中彼此接近地配置。一方面反射镜M4和M5的反射表面之间的距离以及另一方面反射镜M5和M6之间的距离仅是三个反射镜M4、M5、M6在yz平面中的最小反射表面的尺寸的一部分，且其小于这个尺寸的一半，实际上也小于这个尺寸的五分之一。一方面反射镜M4和M5以及另一方面反射镜M5和M6都具有在yz平面中彼此重叠的反射表面。在成像光束路径中与反GI反射镜M5相邻的基本GI反射镜M4和M6配置为非常地接近，因此这些反射镜M4和M6的两个反射镜本体之间的距离小于较小的反射镜M6的反射镜本体在yz平面中的尺寸的一半。实际上，此距离小于反射镜M6的此尺寸的四分之一。
投射光学单元21的光学设计数据可从下面的表格中获得，这些表格在其设计方面对应于根据图3的投射光学单元19的表格。
图5的表格1
图5的表格2
图5的表格3a
图5的表格3b
图5的表格3c
图5的表格3d
图5的表格4a
图5的表格4b
在此处未示出的可用以代替所示的投射曝光装置1中的投射光学单元7和19至21的投射光学单元的其他实施例中，GI反射镜M2至M4、M6或M7中的另一个实施为反GI反射镜。
由于反GI反射镜的作用，主射线16的主射线范围出现在反射镜M8和M9之间，其相对物平面5的法线的角度大于主射线角度CRA。
为了产生微结构或纳米结构部件，投射曝光装置1的使用如下：首先，提供反射掩模10或掩模母版及基板或晶片11。接着，在投射曝光装置1的协助下，将掩模母版10上的结构投射至晶片11的光敏感层上。接着，通过显影光敏感层而在晶片11上产生微结构或纳米结构，并因此产生微结构化部件。
Claims (15)
1.一种用于将物场(4)成像至像场(8)的成像光学单元(7；19；20；21)，
-包含用以沿成像光束路径从该物场(4)至该像场(8)引导成像光(3)的多个反射镜(M1至M10)，
-其中该多个反射镜(M1至M10)包含用于掠入射的数个GI反射镜(M2至M8)，其偏转具有大于45°的入射角的中心物场点的主射线(16)，
-其中所述GI反射镜(M2至M8)中的多于三个配置于该成像光束路径中作为基本GI反射镜(M2至M7；M2至M4,M6至M8)，使得其偏转效果针对该主射线(16)加总，
-其中至少一个另外的GI反射镜(M2至M8)配置在该成像光束路径中作为反GI反射镜(M8；M5)，使得其偏转效果相对该基本GI反射镜(M2至M7；M2至M4,M6至M8)的偏转效果以减法的方式对该主射线(16)作用，
-包含不具有用于该成像光(3)的通道开口的倒数第二个反射镜(M9)，该倒数第二个反射镜在光管(18)的一侧上配置于该成像光束路径中，该光管由在该成像光束路径中的最终反射镜(M10)与该像场(8)之间的成像光束路径所预先决定，其中该倒数第二个反射镜配置于其上的该光管的该侧背离来自于该物场的成像光束首先入射其上的第一反射镜(M1)。
2.如权利要求1所述的成像光学单元，其特征在于刚好一个反GI反射镜(M8；M5)。
3.一种用于将物场(4)成像至像场(8)的成像光学单元(7；19；20；21)，
-包含用以沿成像光束路径从该物场(4)至该像场(8)引导成像光(3)的多个反射镜(M1至M10)，
-其中该多个反射镜(M1至M10)包含用于掠入射的数个GI反射镜(M2至M8)，其偏转具有大于45°的入射角的中心物场点的主射线(16)，
-其中所述GI反射镜(M2至M8)中的多于三个配置于该成像光束路径中作为基本GI反射镜(M2至M7；M2至M4,M6至M8)，使得其偏转效果针对该主射线(16)加总，
-其中仅一个另外的GI反射镜(M2至M8)配置在该成像光束路径中作为反GI反射镜(M8；M5)，使得其偏转效果相对该基本GI反射镜(M2至M7；M2至M4,M6至M8)的偏转效果以减法的方式对该主射线(16)作用。
4.如权利要求1或3所述的成像光学单元，其特征在于所述反GI反射镜实施为对所述成像光学单元的成像特性产生影响。
5.如权利要求4所述的成像光学单元，其特征在于刚好六个基本GI反射镜(M2至M7；M2至M4,M6至M8)。
6.如权利要求1或3所述的成像光学单元，其特征在于该反GI反射镜(M8)为在该成像光束路径中在该像场(8)上游的最终GI反射镜。
7.如权利要求1或3所述的成像光学单元，其特征在于至少一个另外的基本GI反射镜(M6至M8)仍配置于该成像光束路径中的该反GI反射镜(M5)的下游。
8.如权利要求7所述的成像光学单元，其特征在于数个另外的基本GI反射镜(M6至M8)仍配置于该成像光束路径中的该反GI反射镜(M5)的下游。
9.如权利要求8所述的成像光学单元，其特征在于刚好三个基本GI反射镜(M6至M8)配置于该成像光束路径中的该反GI反射镜(M5)的下游。
10.如权利要求1或3所述的成像光学单元，其特征在于至少一个用于法线入射的NI反射镜(M1,M9,M10)，其偏转具有小于45°的入射角的中心物场点的主射线(16)。
11.如权利要求3所述的成像光学单元，其特征在于倒数第二个反射镜(M9)不具有用于该成像光(3)的通道开口，该倒数第二个反射镜在光管(18)的一侧上配置于该成像光束路径中，该光管由在该成像光束路径中的最终反射镜(M10)与该像场(8)之间的成像光束路径所预先决定，其中该倒数第二个反射镜配置于其上的该光管的该侧背离来自于该物场的成像光束首先入射其上的第一反射镜(M1)。
12.一种光学系统，包含如权利要求1至11中任一项所述的成像光学单元(7)以及用以照明照明场的照明光学单元(6)，其中该物场(4)配置于该照明场中。
13.一种投射曝光装置，包含如权利要求12所述的光学系统并包含用以产生该成像光(3)的EUV光源(2)。
14.一种用以产生结构化部件的方法，包含以下方法步骤：
-提供掩模母版(10)和晶片(11)；
-在如权利要求13所述的投射曝光装置的协助下，将该掩模母版(10)上的结构投射至该晶片(11)的光敏感层上，以及
-于该晶片(11)上产生微结构或纳米结构。
15.一种结构化部件，由如权利要求14所述的方法所生产。
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|---|---|
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|---|---|---|---|
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Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102019208961A1 (de) | 2019-06-19 | 2020-12-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsoptik und Projektionsbelichtungsanlage mit einer solchen Projektionsoptik |
Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6198793B1 (en) * | 1998-05-05 | 2001-03-06 | Carl-Zeiss-Stiftung Trading As Carl Zeiss | Illumination system particularly for EUV lithography |
| CN102257421A (zh) * | 2008-10-20 | 2011-11-23 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 用于引导辐射束的光学模块 |
| CN102317866A (zh) * | 2009-02-12 | 2012-01-11 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 成像光学系统和具有此类型的成像光学系统的用于微光刻的投射曝光设备 |
| CN102449526A (zh) * | 2009-03-30 | 2012-05-09 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 成像光学部件以及具有此类型的成像光学部件的用于微光刻的投射曝光设备 |
| DE102012202675A1 (de) * | 2012-02-22 | 2013-01-31 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithografie mit einer derartigen abbildenden Optik |
| DE102012213515A1 (de) * | 2012-08-01 | 2014-02-06 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Betreiben einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
| CN103842883A (zh) * | 2011-09-30 | 2014-06-04 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | Euv反射式成像投射光学单元 |
| DE102013012956A1 (de) * | 2013-08-02 | 2015-02-05 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Kollektoranordnung für EUV- und/oder weiche Röntgenstrahlung |
| CN104380169A (zh) * | 2012-05-25 | 2015-02-25 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 成像光学系统和投射曝光设备 |
| CN105408796A (zh) * | 2013-07-29 | 2016-03-16 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 将物场成像于像场的投射光学单元以及包含这种投射光学单元的投射曝光设备 |
| CN105745579A (zh) * | 2013-09-25 | 2016-07-06 | Asml荷兰有限公司 | 束传输设备和方法 |
| DE102016218996A1 (de) * | 2016-09-30 | 2017-09-07 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik für die Projektionslithographie |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2766385A (en) * | 1952-09-11 | 1956-10-09 | Herrnring Gunther | Optical image-forming plural reflecting mirror systems |
| US5891806A (en) | 1996-04-22 | 1999-04-06 | Nikon Corporation | Proximity-type microlithography apparatus and method |
| JP2002048977A (ja) | 2000-08-01 | 2002-02-15 | Nikon Corp | 反射光学系及びこの光学系を用いたプロキシミティ露光装置 |
| DE10155711B4 (de) | 2001-11-09 | 2006-02-23 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Im EUV-Spektralbereich reflektierender Spiegel |
| KR101149267B1 (ko) | 2005-09-13 | 2012-05-25 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 마이크로리소그라피 투영 광학 시스템, 디바이스 제작 방법 및 광학 표면을 설계하기 위한 방법 |
| DE102007023884A1 (de) | 2007-05-23 | 2008-11-27 | Carl Zeiss Ag | Spiegeloptik und Abbildungsverfahren zum seitenrichtigen und aufrechten Abbilden eines Objektes in ein Bildfeld |
| KR101388330B1 (ko) * | 2009-03-06 | 2014-04-22 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 이미징 광학기기 및 이러한 유형의 이미징 광학기기를 갖는 마이크로리소그래피용 투영 노광 설비 |
| DE102010029050A1 (de) | 2010-05-18 | 2011-03-31 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Vergrößernde abbildende Optik sowie Metrologiesystem mit einer derartigen abbildenden Optik |
| DE102010039745A1 (de) * | 2010-08-25 | 2012-03-01 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik |
| DE102011075579A1 (de) | 2011-05-10 | 2012-11-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einem solchen Spiegel |
| DE102013224435A1 (de) * | 2013-11-28 | 2015-05-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Messanordnung zur Messung optischer Eigenschaften eines reflektiven optischen Elements, insbesondere für die Mikrolithographie |
| WO2016078818A1 (en) * | 2014-11-18 | 2016-05-26 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optical subsystem for projection lithography and illumination optical unit for projection lithography |
| DE102015226531A1 (de) | 2015-04-14 | 2016-10-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik |
| DE102015221984A1 (de) | 2015-11-09 | 2017-05-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik |
-
2017
- 2017-09-25 DE DE102017216893.5A patent/DE102017216893A1/de not_active Withdrawn
-
2018
- 2018-09-20 JP JP2020516566A patent/JP7411542B2/ja active Active
- 2018-09-20 CN CN201880061964.3A patent/CN111133358B/zh active Active
- 2018-09-20 WO PCT/EP2018/075420 patent/WO2019057803A1/en active Application Filing
- 2018-09-21 TW TW107133406A patent/TWI805619B/zh active
-
2020
- 2020-03-17 US US16/821,267 patent/US11119413B2/en active Active
Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6198793B1 (en) * | 1998-05-05 | 2001-03-06 | Carl-Zeiss-Stiftung Trading As Carl Zeiss | Illumination system particularly for EUV lithography |
| CN102257421A (zh) * | 2008-10-20 | 2011-11-23 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 用于引导辐射束的光学模块 |
| CN102317866A (zh) * | 2009-02-12 | 2012-01-11 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 成像光学系统和具有此类型的成像光学系统的用于微光刻的投射曝光设备 |
| CN102449526A (zh) * | 2009-03-30 | 2012-05-09 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 成像光学部件以及具有此类型的成像光学部件的用于微光刻的投射曝光设备 |
| CN103842883A (zh) * | 2011-09-30 | 2014-06-04 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | Euv反射式成像投射光学单元 |
| DE102012202675A1 (de) * | 2012-02-22 | 2013-01-31 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithografie mit einer derartigen abbildenden Optik |
| CN104380169A (zh) * | 2012-05-25 | 2015-02-25 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 成像光学系统和投射曝光设备 |
| DE102012213515A1 (de) * | 2012-08-01 | 2014-02-06 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Betreiben einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
| CN105408796A (zh) * | 2013-07-29 | 2016-03-16 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 将物场成像于像场的投射光学单元以及包含这种投射光学单元的投射曝光设备 |
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