CN102257421A - 用于引导辐射束的光学模块 - Google Patents

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Abstract

一光学模块用于引导EUV辐射束。该光学模块具有：能被抽空的腔室(32)和容纳在腔室(32)中的至少一个反射镜。反射镜具有：多个个体反射镜(27)，它们的反射面(34)彼此互补以形成总反射镜反射面；支承结构，各自通过导热部(37)机械连到各个体反射镜(27)的反射镜本体(35)；反射镜本体(35)的至少一些具有关联致动器(50)，用于实现反射镜本体(35)相对支承结构(36)在至少一个自由度上的预定位移。导热部(37)设计成将反射镜本体(35)吸收的至少1kW/m2的热功率密度散失到支承结构(36)。在光学模块的一方面，集成电子位移电路与空间邻近的可发生位移的个体反射镜(27)的每一个关联。此变型例中，中央控制装置与可发生位移的个体反射镜(27)的集成电子位移电路有信号连接。结果得到一种光学模块，可用于构造即使个体反射镜上有不可忽视的热负荷也能确保高EUV辐射吞吐量的照明光学系统。

Description

用于引导辐射束的光学模块
技术领域
本发明涉及用于引导极紫外(EUV)辐射束的光学模块。本发明还涉及：用于激励这种类型的光学模块的个体反射镜的方法；用于这种类型的光学模块中的反射镜；用于微光刻投射曝光系统的照明光学系统，所述照明光学系统利用来自辐射源的照明光来照明物场；照明系统，所述照明系统具有这种类型的照明光学系统和辐射源；具有这种类型的照明系统的投射曝光系统；利用这种类型的投射曝光系统来产生微结构的部件的方法；和由这种类型的方法所产生的微结构的或纳米结构的部件。
背景技术
由US 6,658,084 B2已知一种带反射镜的光学模块，该光学模块包括能通过致动器发生位移的多个个体反射镜。
在用于微光刻投射曝光系统的照明光学系统，在投射曝光系统的工作过程中，特别是在以5nm和30nm之间范围的极紫外(Extreme Ultra Violet，EUV)辐射工作的过程中，热能沉积在各反射镜中，所述照明光学系统要么仅以令人无法忍受的低辐射输出工作于要求的照明任务，要么对于辐射吞吐量，即对于所使用的和所产生的EUV辐射之间的比，有着令人无法忍受的高损失。
发明内容
因此，本发明的目的是开发一种在一开始所提及的类型的光学模块，使得利用所述光学模块能构造一种照明光学系统，所述照明光学系统即使在个体反射镜上有不可忽视的热负荷也能确保高辐射或照明光吞吐量。
此目的根据本发明由具有权利要求1所公开的特征的光学模块、具有权利要求14所公开的特征的光学模块、和具有权利要求26所公开的特征的光学模块实现。
根据本发明的第一方面，如本发明权利要求1所述的光学模块，减少了中央控制装置与个体反射镜的致动器之间的信号传送的要求。与空间临近的个体反射镜相关联的集成电子位移电路承担信号处理任务的至少一些，所述信号处理任务要不然将落在中央控制装置上。结果，电路布置能被实现用于致动器，其中，总体地在光学模块的区域中，实现了寄生电磁场、残余热的发生和紧凑结构的更适宜的比例。借助于所述光学模块被引导的辐射束可以是部分辐射束，也就是总辐射束的一部分。能经由所述光学模块引导的所述辐射束可以是EUV辐射束。
根据权利要求2构造的集成电子位移电路使得可以实现多个这种类型的位移电路的共同激励，例如借助于串行总线系统。这容许以进一步简化的结构来激励所述光学模块的致动器。
如权利要求3所述的容纳容许实现所述光学模块的紧凑结构。
致动器借助于保护性超低电压所实现的激励避免了来自更高电压的危险。保护性超低电压在此情况下用于表示小于48V的电压。集成电子位移电路的激励可借助于小于20V、小于10V和特别是小于5V的电压来实现。特别是，可采用+/-1V的激励电压。于是，借助于所述集成电子位移电路，使得洛伦兹致动器的功率要求就地释除，从而可采用具有每单位长度匝数较少的线圈的洛伦兹致动器来产生磁场。
如权利要求5所述的线布置避免不期望的干扰磁场的产生。
如权利要求6所述的布置容许在集成电子位移电路与洛伦兹致动器的个体线圈之间短连接线的使用。
如权利要求7所述的激励电路板的多层结构容许紧凑的电连接技术。
如权利要求8所述的基板层容许散失热量而同时具有高的机械稳定性。基板层的材料的示例为陶瓷材料、硅、二氧化硅、氮化铝和氧化铝，例如Al2O3-陶瓷。这种基板层的激励电路板可借助于铜镀覆陶瓷(Copper PlatedCeramic，CPC)技术、借助于低温共烧陶瓷(Low Temperature CofiredCeramics，LTCC)技术或借助于高温共烧陶瓷(High Temperature CofiredCeramics，HTCC)技术或类似的相关类型技术进行生产。
如权利要求9所述的散热器容许热输入的良好散热，所述热输入一方面对由光学模块的反射镜所反射的有用辐射的残余吸收而输入，另一方面由致动器的供电而输入。
如权利要求10所述的散热指状件容许来自激励电路板的热的有效散失。
如权利要求11所述的永磁体已被证明成功用于洛伦兹致动器中。所述永磁体可构造成钐钴磁体。所有适合用于真空的、高度磁性的磁体材料组合都是可能的替代。根据布置有洛伦兹致动器的、可选地呈现低压的环境中的填充气体，也可使用其它的磁性材料例如铷铁硼(NdFeB)。
如权利要求12所述的关联，是一种有利的折中，该折中高效地使用集成电子位移电路的效能并且容许紧凑的布置。
如权利要求13所述的划分成局部个体反射镜阵列，这改善个体反射镜激励的可变性。
根据本发明第二方面认识到，因为避免了由于大气所造成的照明光损失，所以在真空中的工作显著增大吞吐量，特别是EUV范围内的小波长照明光的情况下。在此情况下不再需要气体作为热传导媒介。在根据本发明权利要求14所述的光学模块中，因为所述具有至少1kW/m2的散热功率密度的导热部，所以确保了被反射镜本体所吸收的光能或电能，也就是非反射的能量，被反射镜本体有效地散失到支承结构。尽管反射镜本体在抽空的腔室中工作，但是避免了反射镜本体的过热，所述过热可能例如导致反射镜本体上的高反射性涂层的破坏。因为所述根据本发明具有高散热功率密度的导热部，所以来自反射镜本体的热的对流散热或从反射镜本体通过气体媒介以热传导方式的散热不是要紧的。因此，所述光学模块的反射镜的真空操作导致较低EUV辐射损失而不发生个体反射镜的过热是可能的。反射镜本体相对于支承结构的位移自由度为至少一个倾斜自由度和/或平移自由度。反射镜本体之一的反射面可具有0.5mm x 0.5mm、1mm x 1mm、4mm x 4mm、8mmx 8mm或10mm x 10mm的范围。反射镜本体之一的反射面也可偏离正方形样式。所述导热部也可构造成散失反射镜本体所吸收的更大功率密度。例如借由所述导热部之一，每个反射镜本体可被散失2kW/m2、5kW/m2、10kW/m2、20kW/m2、50kW/m2或100kW/m2的功率密度到所述支承结构。所述导热部可构造成将反射镜本体所吸收的至少50mW的热能散失到支承结构。例如借由所述导热部之一，每个反射镜本体可被散失100mW、150mW或160mW的能量到支承结构。
如权利要求15所述的致动器容许相对刚性的导热部的使用，导热部从而可有利地具有高散热能力。
这尤其适用于如权利要求16所述的、可实现高致动器力的洛伦兹致动器。洛伦兹致动器大体上由US 7,145,269 B2已知。
如权利要求17所述的载流致动器部件使一种具有高集成密度的致动器结构成为可能。
如权利要求18所述的印刷上的导体通路的多个层，例如容许每个印刷上的层具有不同方向的导体通路和/或每个印刷上的层具有不同导体通路横截面。因此能实现致动器的不同力方向，所述致动器的各种力方向用于实现不同位移自由度和/或位移的不同力等级。
如权利要求19所述的磁阻致动器，同样地容许高的致动器力，所述磁阻致动器例如由WO2007/134574A已知。
这相同地适用于如权利要求20所述的压电致动器。
该光学元件可借助于基于实心体联接的承载系统安装，使得该光学元件在致动的自由度上具有适当的弹性，以便利用可用的致动器力以实现所需要的偏转。同时，所述承载可以使得非致动的自由度具有适当的刚度，并且所述轴承系统能散失适当的热功率密度或适当的绝对热能。为了增大导热性，可构想使用附加的可具有相对低的机械刚度的导热元件或导热部。
如权利要求21所述的多个导热条确保导热条的必要的弹性，以使反射镜本体发生位移，同时借助于所述多个导热条可实现良好的散热。
如权利要求22所述的支承结构的主动冷却再次改善所述光学模块的热平衡。所述主动冷却可以是例如水冷却和/或帕耳帖(Peltier)冷却。
如权利要求23所述的至少0.5的集成密度确保反射镜本体之间的中间间隔区域中较低的照明光损失。
如权利要求24所述的反射镜本体的矩阵式的也即按行和按列的布置可以非常高的集成密度实现。
如果如权利要求25所述的反射镜本体是分面反射镜的分面，则具有带这种类型的反射镜本体的光学模块的曝光光学系统的构造是可能的，在所述曝光光学系统中物场被反射镜本体之一各自完全照明。或者，可以由这种类型的多个个体反射镜实现分面反射镜的这种类型的单个分面。这增大所述照明光学系统的灵活性。
根据本发明第三方面，如权利要求26所述的光学模块导致在一方面良好的可动性与另一方面良好的热传导之间的非常好的折中。根据此第三方面的所述导热部可构造成将反射镜本体所吸收的至少1kW/m2的热功率密度散失到支承结构。每个导热部可具有两个、三个或其它更大数量的导热条。所述导热部可以是有槽隔板的一部分。相邻的导热条可借助于这种类型的隔板中的槽而相互隔开。所述致动器可具有连接到反射镜本体、且垂直于反射镜平面和/或垂直于有槽隔板的隔板平面延伸的致动器销。这种类型的致动器销的调节力可平行于隔板平面延伸。具有所述导热条的导热部，特别是当它构造成隔板时，可构造成使得在这种类型的致动力平行于所述隔板平面而作用时，所述致动器销不会由于致动器销的总体平移式位移而不期望地让路。
如权利要求27所述的导热条布置容许导热部的设计成使得对于个体反射镜的激励，可确保关于导热部的反应力与致动器从外部施加的力具有易控制的力比率。
如权利要求28所述的中间间隔确保导热部以及由此反射镜本体相对于支承结构的可动性。两个、三或其它更大数量的导热条可在内连接部与外连接部之间彼此相随。因此，在这种构造中，多个导热条沿周向方向围绕内连接部彼此相随。
如权利要求29所述的螺旋形构造，例如，每个导热部可采用两个至四个这种类型的螺旋形导热条。每个导热条可形成在围绕中心或中心轴线的一个和两个回转体之间。围绕所述螺旋形的中心的各导热条的周向延伸优选在360°与540°之间，特别是在420°的区域中。作为对螺旋形构造的替代，导热部的径向内连接部和导热部的径向外连接部之间的导热条可构造成在平面视图中呈C形或S形。“螺旋形”、“C形”和“S形”构造的组合也可能。
如权利要求30所述的电极布置容许个体反射镜的静电致动。
如权利要求31所述的多个对向电极容许在各个体反射镜的若干倾斜自由度上实现可再现的预定。
根据本发明第一至第三方面所述光学模块的上述特征可彼此结合。
本发明进一步的目的是公开一种用于光学模块的激励方法或控制方法，所述光学模块具有按行和按列布置的个体反射镜，并具有关联的集成电子位移电路。
根据本发明，此目的通过具有权利要求32所公开的特征的方法而实现。所述方法可用于激励根据本发明第一方面的光学模块。
根据本发明的所述激励方法避免各个体反射镜透镜被分开激励。对总的个体反射镜列的激励减小了被传送用来激励个体反射镜的控制字的复杂性。这简化了控制逻辑。
如权利要求33所述的对多个局部个体反射镜阵列的激励增大用于所述光学模块的激励灵活性。
如权利要求34所述的对被传送的控制值的校验容许对通信或发生的硬件故障的识别。
如权利要求35所述的反射镜、如权利要求36所述的照明光学系统、如权利要求37所述的照明系统、如权利要求38所述的投射曝光系统、如权利要求39所述的生产方法和如权利要求40所述的结构化部件的优点对应于参考根据本发明的光学模块在上面已描述的那些。当使用带EUV辐射源且所述辐射源所产生的有用辐射在5nm至30nm范围内的照明系统时，根据本发明的光学模块的优点将特别好地表现出来。
附图说明
下面将借助于附图更详细地描述本发明的实施例，在附图中：
图1示意性地示出：一种用于微光刻的在子午面(meridional section)中具有所示照明光学系统的投射曝光系统，和一种投射光学系统；
图2示出常规照明设置形式的、投射光学系统的入瞳的照明；
图3示出环状也即环状照明设置形式的、投射光学系统的入瞳的照明；
图4示出45°四极照明设置形式的、投射光学系统的入瞳的照明；
图5示出具有多反射镜阵列(MMA)的、图1所示投射曝光系统的照明光学系统的另一种构造和由此被照明的光瞳分面反射镜；
图6示意性地示出具有对应于一种照明设置的光瞳分面照明的、根据图5的光瞳分面反射镜的平面视图；
图7示出根据图5的照明光学系统，其中多反射镜阵列与光瞳分面反射镜之间具有重定位的通道关联；
图8示意性地示出具有对应于环形照明设置的光瞳分面照明的、根据图7的光瞳分面反射镜的平面视图；
图9示出根据图5的照明光学系统，其中多反射镜阵列与光瞳分面反射镜之间具有重定位的通道关联；
图10示意性地示出具有对应于偶极子照明设置的光瞳分面照明的、根据图9的光瞳分面反射镜的平面视图；
图11示意性地示出根据图1的照明光学系统的分面反射镜之一的个体反射镜的构造，并且以剖面侧视图示出根据图6的多反射镜阵列的个体反射镜；
图12示出根据图11的反射镜布置在具有永磁体的致动器销的自由端区域中的细节放大透视图；
图13示出根据图11和图12的个体反射镜的安装实施例；
图14以类似于图11的视图，在剖面侧视图中示意性地示出：根据图1的照明光学系统的分面反射镜之一的另一种构造的两个相邻的个体反射镜或根据图6的多反射镜阵列，图14左侧所示个体反射镜示出处于非倾斜的中立位置，图14右侧所示个体反射镜示出处于被致动器倾斜的位置；
图15示出沿图14中的线XV-XV取得的截面；
图16示意性地示出产生致动器的对向电极用于使根据图14和图15的构造中的个体反射镜的反射镜本体发生位移的方法序列的方法步骤；
图17示意性地示出用于在根据图14和图15的构造的个体反射镜中集成具有低粗糙度反射镜面的反射镜本体的方法的方法序列；
图18以类似于图15的视图局部示出根据图14和图15的个体反射镜的构造的导热部；
图19以类似于图18的视图示出在导热部之内的导热条的另一构造；
图20以类似于图18的视图示出在导热部之内的导热条的另一构造；
图21以类似于图18的视图示出在导热部之内的导热条的另一构造；
图22以类似于图14的视图示出个体反射镜在分隔件和致动器销以及在位于它们之间的导热部的区域中的另一构造的细节放大图；
图23以类似于图22的视图示出分隔件与致动器销和导热部的连接的另一构造；
图24示意性地示出垂直于个体反射镜的反射面穿过光学模块的实施例的横截面；除示意性地示出带个体反射镜阵列布置的反射镜板以外，还示出用以激励个体反射镜的致动器的激励电路板；
图25以类似于图14的视图示出光学模块的彼此相邻的多个个体反射镜的另一构造，而布置在个体反射镜的相反于反射面的一侧的激励电路板示意性地示出在个体反射镜的支承结构的下方；
图26示出用以配置构造成个体反射镜之一的洛伦兹致动器的致动器的导体通路的平面视图，所述导体通路被应用于具有总计四个个体线圈的线圈板形式的激励电路板，所述四个线圈板被按对激励；
图27示意性地示出集成电子位移电路(ASIC)与作为个体反射镜阵列的待激励个体反射镜列的一部分的四个关联的线圈板的互连；
图28和图29分别在平面视图中示意性地示出线圈板的两种构造；
图30示出根据图28或图29的线圈板的侧视图；
图31在平面视图中示出根据图28的四个线圈板的布置，所述四个线圈板与集成电子位移电路(ASIC)之一相关联；
图32示出垂直于板平面穿过线圈板之一的截面，其中示出具有堆叠结构的线圈板的一种构造；
图33示出集成电子位移电路(ASIC)的功能电路图；
图34以类似于图31的视图，在激励电路板的平面视图中示出安装有集成电子位移电路(ASIC)的线圈板组；
图35示出用于所述光学模块的局部个体反射镜阵列的激励电路板的平面视图，所述激励电路板具有密集填装的线圈板组和关联的集成电子位移电路(ASIC)；
图36放大且不成比例地示出沿图35中线XXXVI-XXXVI取得的截面；
图37示意性地示出用于光学模块的多个局部个体反射镜阵列的激励方案；和
图38示意性地示出经过根据图35的激励电路板的数据流。
具体实施方式
图1在子午面中示意性地示出用于微光刻的投射曝光系统1。投射曝光系统1的照明系统2，除辐射源3之外，具有用以曝光物平面6中的物场5的照明光学系统4。物场5可设计成x/y方向比值例如为13/1的弓形或矩形形式。这里被曝光的是反射式掩模母版，图1中未示出，该反射式掩模母版布置在物场5中并且承载着一种结构，所述结构将要被投射曝光系统1投射以生产微结构的或纳米结构的半导体部件。投射光学系统7用于将物场5成像在像平面9中的像场8中。该掩模母版上的结构成像在晶片的光敏层上，所述晶片布置在像平面9中的像场8的区域中，而在附图中未示出。
由掩模母版保持器保持而未示出的所述掩模母版，和由晶片保持器保持而未示出的所述晶片，在投射曝光系统1的工作过程中沿y方向被同步扫描。根据投射光学系统7的成像比例，也可相对于所述晶片沿相反方向对掩模母版实施扫描。
辐射源3是发射的有用辐射在5nm和30nm之间范围内的EUV辐射源。这可以是等离子体源，例如气体放电产生的等离子体(Gas DischargedProduced Plasma，GDPP)源或激光产生的等离子体(Laser Produced Plasma，LPP)源。其它的EUV辐射源，例如那些基于同步加速器或基于自由电子激光(free electron laser，FEL)的，也是可能的。
从辐射源3发射的EUV辐射10，由集光器11收集成束。一种对应的集光器例如由EP 1 225 48 1A已知。在集光器11之后，EUV辐射10在照射在场分面反射镜13上之前传播经过一中间焦平面12。场分面反射镜13布置在照明光学系统4的与物平面6光学共轭的平面中。
EUV辐射10在下文中也将被称为有用辐射、照明光或成像光。
在场分面反射镜13之后，EUV辐射10被光瞳分面反射镜14反射。光瞳分面反射镜14位于照明光学系统7的入瞳平面中或者位于与所述入瞳平面光学共轭的平面中。场分面反射镜13和光瞳分面反射镜14由多个个体反射镜构成，所述个体反射镜将在下文中更详细地描述。在此情形下，场分面反射镜13可以如下方式被划分成个体反射镜，即使得独立地照明整个物场5的每个场分面由个体反射镜中的恰好一个表示。或者，可以通过这种类型的多个个体反射镜构成场分面的至少一些或全部。这同样适用于与场分面分别关联的光瞳分面反射镜14的光瞳分面的构造，其中所述场分面可分别由单个个体反射镜或由这种类型的多个个体反射镜形成。
EUV辐射10以小于或等于25°的入射角度照射在两个分面反射镜13、14上。因此，所述两个分面反射镜在法向入射工作区域中被EUV辐射10照射。掠入射(Grazing incidence)照射也是可能的。光瞳分面反射镜14布置在照明光学系统4的一平面中，该平面是投射光学系统7的光瞳平面或者与投射光学系统7的光瞳平面光学共轭。借助于光瞳分面反射镜14和成像光学模块，其中所述成像光学模块为具有按照EUV辐射10的光束路径顺序而标称的反射镜16、17和18的透射光学系统15的形式，场分面反射镜13的场分面彼此重叠地成像在物场5中。透射光学系统15的最终反射镜18是掠入射反射镜。透射光学系统15，与光瞳分面反射镜14一起，也称为后继光学系统，用于将EUV辐射10从场分面反射镜13传递到物场5。照明光10从辐射源3经由多个照明通道而引导到物场5。与这些照明通道的每一个相关联的是场分面反射镜13的场分面和布置在场分面反射镜13的下游的光瞳分面反射镜14的光瞳分面。场分面反射镜13的个体反射镜和光瞳分面反射镜14的个体反射镜可在致动器的作用下倾斜，因此能改变光瞳分面与场分面的关联，以及相应地改变照明通道的构造。不同的照明设置导致物场5上方照明光10的照明角度的分布不同。
为了帮助说明位置关系，除其它事物之外，下文将采用全局笛卡尔xyz坐标系统。x轴线在图1中垂直于附图的平面向观察者延伸。y轴线在图1中向右伸展。z轴线在图1中向上伸展。
局部笛卡尔xyz坐标系统在以下附图的所选择的图中绘出，x轴线平行于如图1的x轴线伸展，y轴线与此x轴线张成对应的光学元件的光学面。
图2示出第一种照明设置，该第一种照明设置能利用根据图1的照明光学系统4实现，并且该第一种照明设置被称为常规照明设置或小型常规照明设置。照明光10在投射光学系统7的入瞳中的强度分布被示出。该入瞳最大可被照明达到圆形光瞳边缘20。
在该常规照明设置中，在光瞳边缘20以内，与光瞳边缘20同心的圆形光瞳区域21被照明。该常规光瞳照明区域的外半径Sout相对于光瞳边缘20的半径Smax表现如下：Sout/Smax＝0.8。
图3示出在另一种照明设置中的照明情况，该照明设置可利用根据图1的照明光学系统4进行调节，并且该照明设置被称为环形照明设置。这里，环状光瞳区域22被照明。这里，光瞳区域22的外半径Sout与根据图2的常规照明环中的光瞳区域21的外半径一样大。在环形光瞳区域22中，内半径Sin相对于光瞳边缘20的半径表现如下：Sin/Smax＝0.6。
图4示出另一种照明设置，该照明设置可利用根据图1的照明光学系统4进行调节，并且该照明设置被称为45°四极或45°类星状(类星状)照明设置。在投射光学系统7的入瞳中被照明的是在光瞳边缘20之内的四个环扇状光瞳区域23，所述四个环扇状光瞳区域23布置在入瞳的四个象限中。在本例中，每个光瞳区域23围绕光瞳边缘20的中心越过45°的周向角。该类星状光瞳区域23朝向光瞳边缘20的中心受到内半径Sin的限制，所述内半径Sin对应于根据图3的环形光瞳区域22的内半径。类星状光瞳区域23向外受到光瞳边缘20的限制。
根据图2至图4的各种照明设置和预定的其它照明设置可借助于场分面反射镜13的个体反射镜的对应倾斜和场分面反射镜13的这些个体反射镜与光瞳分面反射镜14的个体反射镜的关联的对应变化而实现。根据场分面反射镜13的个体反射镜的倾斜，与这些个体反射镜新近关联的光瞳分面反射镜14的个体反射镜通过倾斜重新定位，使得从而确保物场5中的场分面反射镜13的场分面的成像。
图5示出用于投射曝光系统1的照明光学系统24的替代构造。与以上参考图1至图4已描述的那些相对应的部件具有相同的附图标记并且不再详细讨论。
从也可构造成LPP源的辐射源3发射的有用辐射10首先由第一集光器25收集。集光器25可以是抛物形(parabolic)反射镜，该抛物形反射镜将辐射源3成像在中间焦平面12中或者将辐射源3的光聚焦在中间焦平面12中的中间焦点上。集光器25可以以下述方式工作，即有用辐射10以接近于0°的入射角度照射于其上。集光器25于是在接近于法线入射的情况下工作，因此也称为法线入射(normal incidence，NI)反射镜。也可以使用在掠入射下工作的集光器，以替代集光器25。
在照明光学系统24中，在中间焦平面12的下游布置呈多反射镜或微反射镜阵列(MMA)形式的场分面反射镜26，其作为用于引导有用辐射10也即EUV辐射束的光学模块的示例。场分面反射镜26构造成微机电系统(MEMS)。它具有以矩阵式方式按行和按列布置成阵列的多个个体反射镜27。个体反射镜27能通过致动器被倾斜，如下文将更详细地说明。大体上，场分面反射镜26具有大约100,000个个体反射镜27。根据个体反射镜27的尺寸，场分面反射镜26也可具有例如1,000、5,000、7,000或几十万个例如500,000个个体反射镜27。
光谱过滤器可布置在场分面反射镜26的前方，并且将有用辐射10与辐射源3发射的其它不能用于投射曝光的波长成分分开。该光谱过滤器未示出。
场分面反射镜26受840W功率和6.5kW/m2功率密度的有用辐射10照射。
分面反射镜26的全部的个体反射镜阵列具有500mm的直径并且密集地装有个体反射镜27。只要场分面由恰好一个个体反射镜实现，个体反射镜27除去比例因素外总是表示出物场5的形式。分面反射镜26可由表示场分面的500个个体反射镜形成，个体反射镜分别具有大约沿y方向5mm和沿x方向100mm的尺寸。作为通过恰好一个个体反射镜27实现每个场分面的替代，每个场分面可由成组的较小的个体反射镜27来近似。一个具有沿y方向5mm且沿x方向100mm尺寸的场分面可以例如借助于5mm x 5mm尺寸的个体反射镜27的1 x 20阵列直到0.5mm x 0.5mm尺寸的个体反射镜27的10 x 200阵列来构造。个体反射镜27对整个场分面阵列的表面覆盖可为70％至80％。
有用光10从分面反射镜26的个体反射镜27被反射到光瞳分面反射镜28。该光瞳分面反射镜28具有大约2,000个静态的光瞳分面29。这些光瞳分面29彼此相邻布置成多个同心环，因此，最内环的光瞳分面29设计成扇状(sector-like)，并且与最内环紧接相邻的环的光瞳分面29设计成环扇状(ring sector-like)。在每个环中，12个光瞳分面29可彼此相邻地存在于光瞳分面反射镜28的一个象限内。图6所示的每个环扇相应地由多个个体反射镜27形成。
有用光10被光瞳分面29反射到布置在物平面6中的反射式掩模母版30。投射光学系统7则跟随其后，如以上结合根据图1的投射曝光系统所说明的。透射光学系统可相应地设置在分面反射镜28与掩模母版30之间，如以上结合根据图1的照明光学系统4所说明的。
图6以示例方式示出光瞳分面反射镜28的光瞳分面29的照明，利用该照明可近似实现根据图2的常规照明设置。在光瞳分面反射镜28的两个内光瞳分面环中，沿周向方向光瞳分面29每隔一个被照明。图6中这种交替的照明视图用于表征(symbolise)：在这种照明设置中所实现的填充密度相比环形照明设置中的填充密度以因子2被减小。在两个内光瞳分面环中也以均匀照明分布为目标，但具有以因子2被减小的占位密度。图6中示出的两个外光瞳分面环未被照明。
图7示意性地示出照明光学系统24中如果在该处调节得到环形照明设置的情况。场分面反射镜26的个体反射镜27借助于下文将说明的致动器通过所述致动器被倾斜，从而，在光瞳分面反射镜28上，环扇状光瞳分面29的外环被有用光10照明。光瞳分面反射镜28的这种照明在图8中示出。用于产生这种照明的这些个体反射镜27的倾斜在图7中以示例的方式利用个体反射镜27作为示例来表示。
图9示意性地示出在照明光学系统24中如果在该处调节得到偶极子设置的情况。
图10示出属于这种偶极子照明设置的光瞳分面反射镜28的照明。在光瞳分面反射镜28的第一与第四象限之间的过渡处和在第二与第三象限之间的过渡处的两个环扇部被照明。在此情况中，三个最外侧光瞳分面环的光瞳分面29在此在两个相连的、分别围绕光瞳分面反射镜28的中心32a大约55°的周向范围的环扇区域31中被照明。
光瞳分面反射镜28的这种偶极子照明，相应地通过场分面反射镜26的个体反射镜27的致动器的对应倾斜而实现，如图9中以示例的方式利用个体反射镜27作为示例所表示的。
为了调节根据图5、图7和图9的照明设置，要求±50mrad范围内的个体反射镜27的倾斜角度。用于待调节的照明设置的各倾斜位置需要维持0.2mrad的精确度。
场分面反射镜26的个体反射镜27，或根据图1的照明光学系统4的实施例中场分面反射镜13的对应构造的个体反射镜和光瞳分面反射镜14的对应构造的个体反射镜，具有用以优化它们在有用辐射10的波长下的反射率的多层涂层。在投射曝光系统1的工作过程中所述多层涂层的温度不应超过425K。
这通过个体反射镜的结构实现，所述的个体反射镜结构(参考图11)将在下文中借助于场分面反射镜26的个体反射镜27之一以示例的方式描述。
照明光学系统4或24的个体反射镜27容纳在能被抽空的腔室32中，所述腔室32的一个限制壁33表示在图5和图11中。腔室32经由流体管路33a与真空泵33c连通，在所述流体管路33a中装有止回阀33b。能被抽空的腔室32中的工作压力是几Pa(分压力H2)。所有其它的分压力明显低于1 x 10-7 mbar。
具有多个个体反射镜27的反射镜，与能被抽空的腔室32一起，形成用于引导EUV辐射10束的光学模块。个体反射镜27可以是分面反射镜13、14或26、28之一的一部分。
每个个体反射镜可具有能被照射的、0.5mm x 0.5mm或5mm x 5mm及更大尺寸的反射面34。反射面34是个体反射镜27的反射镜本体35的一部分。反射镜本体35载有多层涂层。
个体反射镜27的反射面34彼此互补以形成场分面反射镜26的总体反射镜反射面。相应地，反射面34也可彼此互补以形成场分面反射镜13的总体反射镜反射面或光瞳分面反射镜14的总体反射镜反射面。
个体反射镜27的基板或支承结构36通过导热部37机械连接至反射镜本体35(参考图11)。导热部37的一部分是联接体38，该联接体38容许反射镜本体35相对于支承结构36的倾斜。联接体38可构造成实体联接，该实体联接容许反射镜本体35围绕所限定的倾斜自由度的倾斜，例如围绕一个或围绕两个倾斜轴线。联接体38具有固定到支承结构36的外保持环39。此外，联接体38具有以关节联结方式连接到保持环39的内保持体40。所述保持体居中地布置在反射面34下方。分隔件41布置在中央保持体40与反射镜本体35之间。
存积在反射镜本体35中的热，也即具体为有用辐射10照射在个体反射镜27上、被反射镜本体35所吸收的部分，通过导热部37，也就是通过分隔件41、中央保持体40和联接体38，以及通过保持器39散失到支承结构36。借助于导热部37，能将10kW/m2的热功率密度或至少160mW的热能散失到支承结构36。导热部37或者构造成将至少1kW/m2的热功率密度或反射镜本体35所吸收的至少50mW的能量散失到支承结构36。除了所吸收的辐射源3的发射能量之外，所吸收的能量例如也可以是吸收的电能。支承结构36具有冷却通道42，主动冷却流体被引导通过所述冷却通道42。
在保持体40上，以较小外直径伸展分隔件41的致动器销43安装在所述保持体的远离分隔件41的一侧。致动器销43的一个自由端载有永磁体44。永磁体44的北极和南极布置成沿致动器销43彼此相邻，从而产生一系列磁场线45，如图11所示。支承结构36构造成包围致动器销43的套筒。支承结构36可以是例如硅晶片，呈图11所示个体反射镜27方式的个体反射镜27的整个阵列布置在支承结构36上。
冷却板46布置在支承结构36和致动器销43的远离反射镜本体35的一侧。冷却板46可连续地设置用于场分面反射镜26的全部个体反射镜27。在冷却板46中进一步布置冷却通道42，冷却液体受主动引导经过该冷却通道42。
支承结构36和冷却板46确保个体反射镜27的载热部件的补充的辐射冷却，特别是用于致动器销43的辐射冷却。
导体通路48印制在冷却板46的面向致动器销43的表面47上。冷却板46用作印上导体通路48的基体。流经导体通路48的电流将洛伦兹(Lorentz)力49传送到永磁体44，为此在图11中以示例方式表明力的方向。因此，通过流经导体通路48的相应电流，能使致动器销43偏转，并且相应地使反射镜本体35倾斜。
个体反射镜27因此具有以电磁方式操作的致动器形式的致动器50，特别是洛伦兹致动器形式的致动器。洛伦兹致动器从例如US 7,145,269 B2基本上已知。这种类型的洛伦兹致动器能作为微机电系统(MEMS)以批处理生产。使用这种类型的洛伦兹致动器，能实现20kPa的力密度。所述力密度定义为致动器力与致动器的用以施加致动器力的面之比。致动器销43的横截面可用作待观察的致动器本身的、用以施加致动器力的侧面的量度(measurement)。
作为洛伦兹致动器构造的替代，个体反射镜27也可例如以WO2007/134574A的方式构造成磁阻致动器，或构造成压电致动器。利用磁阻致动器能实现50kPa的力密度。依据构造，可利用压电致动器实现50kPa至1Mpa的力密度。
印制成彼此相邻的三组形式的导体通路48示出在根据图11的构造中。或者，可以在冷却板46上彼此叠置地印制多层彼此绝缘的导体通路，就表面47上个体导体的方向和/或导体通路的横截面而言，所述导体通路是不同的。根据经过这些彼此叠置的导体通路之一的电流，通过洛伦兹力49可产生不同的偏转方向。
图12示出导体通路48的彼此叠置的层51至54的这种类型的布置。最上面的导体通路层51被设计用于负x方向的电流。因此，层51的个体导体通路48沿x方向伸展。未详细示出的位于层51之下的导体通路层52至54的导体通路，例如沿对分x轴线和y轴线所跨越的象限的角度、以相对于该对分角度的90°角、和沿y方向伸展。由于经过以层52至54的这种方式定向的导体通路的相应电流的缘故，分别产生洛伦兹力49的不同方向，并从而产生永磁体44和与之连接而图12中未示出的致动器销43的不同偏转。永磁体44是图12中未示出的致动器销43的一部分，从而也是致动器50的杠杆臂(lever arm)的一部分。
图13示出在保持环39与中央保持体40之间的联接体的变型38’。联接体38具有多个相邻的实体联接55，所述实体联接55用作导热条并且具有足够小的条形横截面以使它们是弹性和柔性的。彼此直接相邻的实体联接55被相互分开从而将保持环39连接到中央保持体40。在实体联接55到外保持环39的过渡区域中，实体联接55近似切线地延伸。在实体联接55到中央保持体40的过渡区域中，实体联接55近似径向地延伸。
实体联接55在保持环39与中央保持体40之间具有弯曲形迹。
由于实体联接55的这种形迹，由这些实体联接55所形成的联接体38产生关于反力的特征刚度，联接体38利用该特征刚度来对抗施加在致动器销43上的致动器力。
作为对图13所示实体联接55的弯曲形迹的替代，它们也可以被不同地形成以及/或者具有不同的形迹，这取决于在保持环39的平面和垂直于保持环39的平面中对于联接体38的刚度，有什么样的刚度要求。
实体联接55总体产生构造成为有槽隔板的实体联接装置。由于隔板的所示条形结构的缘故，实现了沿致动方向的显著改善的机械弹性而不导热性的较大丧失，特别是在可被散失的热功率密度方面。所述改善的机械弹性导致中央保持体40所需的致动力的减小，并因此导致与中央保持体40连接的个体反射镜所需的致动力的减小。
反射镜本体35的反射面34的总和大于场分面反射镜26的总反射面所占据的总面(overall face)的0.5倍。所述总面在此情形中定义为反射面34加上反射面34之间的中间间隔所占据的表面的总和。一方面，反射镜本体的反射面与此总面之比也称为集成密度。该集成密度也可以大于0.6和大于0.7。
借助于投射曝光系统1，掩模母版30的至少一部分成像在用于微结构的或纳米结构的部件特别是半导体部件例如微芯片的光刻生产的晶片上的光敏层区域上。根据投射曝光系统1的构造，作为扫描器或作为步进器，掩模母版30和晶片以时间同步方式沿y方向在扫描器操作中连续地发生位移或在步进器操作中步进式地发生位移。
根据图11的光学模块在超高真空中工作。在典型的利用EUV辐射10对反射面34的照射中，反射镜本体35具有最大425K的温度。跨越分隔件41，至保持体40以及至保持环39此温度下降100K。在保持环39与支承结构36中的冷却通道42之间，有进一步的30K的温度下降。直到导体通路48，所述光学模块于是大致具有室温。
在冷却板46中有大约300K的温度。
电磁操作的致动器50的阻尼可通过表现为绕组的导体通路48中的自感应阻尼或涡流阻尼来实现。通过导体通路48实现的自感应阻尼假定存在用于导体通路48的、具有非常低的欧姆电阻的电流或电压源，从而如果导体通路48没有电流或电压，则导体通路48被所述源大致短路，因此可利用相对于导体通路48(参考图11)运动的永磁体44在导体通路48中感应出阻尼电流。
用于构造成绕组的导体通路48的供电线和消去线(removal line)可以以逆平行方式引导，使得一方面到构造成绕组的各导体通路48的供电配线，和另一方面来自构造成绕组的导体通路的消去线，被引导成彼此相邻地平行伸展。这导致的一个事实是，提供电流和消去电流的磁场彼此消除，使得相邻的导体通路48之间没有馈通。用于构造成绕组的导体通路48的供电线或消去线可彼此叠置地布置在不同层中或彼此相邻地布置在一层内。
下面将结合图14和图15描述个体反射镜的另外的构造，并且将在下面借助于场分面反射镜26的两个个体反射镜27以示例的方式说明该构造。与参考图1至图13特别是参考图11和12已说明的那些部件相对应的部件，具有相同的附图标记并且不再详细讨论。
根据图14和图15的个体反射镜27的构造与根据图11至图13的构造的不同首先在于导热部37的设计。在根据图14和图15的构造中，由总计三个螺旋形的导热条56、57和58构成并且是有槽隔板。图15的截面视图显示以彼此嵌合的三个螺旋形弹簧的方式布置的导热条56至58的更详细的结构。导热条56至58围绕个体反射镜27的中心59被径向地引导。相对于导热部37的径向内连接部60的中心59，根据图14和15，布置有各导热条56、57、58与反射镜本体35的连接过渡56i、57i、58i。导热部37的径向内连接部60同时是保持体40。各导热条56至58借助于连接过渡56i、57i和58i、中央保持体40和分隔件41而连接到反射镜本体35。
在径向外连接部61上布置的是各导热条56、57、58与支承结构36的连接过渡56a、57a、58a。导热条56至58借助于连接过渡56a、57a和58a、外连接部61、和支承结构36的套筒而连接到支承结构36，其中外连接部61同时是保持环39。
导热条56至58彼此分开中间间隔地延伸。每个导热条56至58，独立于其它导热条，将反射镜本体35连接到支承结构36。支承结构36，如图15所示，可以被限制为外部呈矩形形式。
导热条56至58布置成使得它们在内连接部60与外连接部61之间的半径上彼此相随，中间间隔分别存在于相邻的导热条56至58之间。
总共三个电极62、63、64集成在支承结构36的套筒中，所述三个电极62、63、64布置成彼此电绝缘且分别围绕中心59沿周向方向延伸过正好120°。电极62至64是通往致动器销43的对向电极，致动器销43在根据图14和图15的构造的情况中形成为电极销。致动器销43可构造成中空的柱体。在个体反射镜27的另一实施例中，也可有四个或更多个电极，而不是三个电极62至64。
在图14的右边，根据图14和图15的构造中的个体反射镜27被示出处于倾斜位置，其中，对向电极64连接到相对于致动器销43的负电位V-的正电位V+。由于此电位差V+/V-而产生力FE，该力FE将致动器销43的自由端拉向对向电极64，这导致个体反射镜27的对应倾斜。在此情形中由三个导热条56、57、58构成的弹性隔板安装确保个体反射镜27的弹性且受控的倾斜。另外，这种弹性隔板安装确保个体反射镜27相对于在弹性隔板安装的隔板平面中的平移运动的高刚度，这也称为高面内刚度。相对于隔板平面中的平移运动的这种高度刚性完全地或大致地抑制了致动器销43也即电极销沿电极62至64方向的不期望的平移运动。以此方式，避免了致动器销43以及反射镜本体35的可能倾斜角度范围的不期望的减小。
导热条56围绕中心59沿周向方向伸展，在图15中布置在相对于中心59在三点钟位置的外连接部56a与图15中布置在近似五点钟位置的内连接部56i之间经过大约420°。导热条57在外连接过渡57a与内连接过渡57i之间在图15中七点钟位置与九点钟位置之间也沿周向方向沿顺时针方向伸展经过大约420°。导热条58在外连接过渡58a与内连接过渡58i之间在图15中十一点钟位置与一点钟位置之间也沿周向方向延伸经过大约420°。
依据对向电极62至64的相对电位相对于致动器销43的电极的电位是如何选择的，根据图14和图15的构造的个体反射镜27可以预定的倾斜角度倾斜。在此情形中，不仅对应于致动器销43精确地向三个对向电极62至64之一倾斜的倾斜角度是可能的，而且，依据对向电极62至64的预定的电位组合，任何其它所期望的倾斜角度方向也是可能的。
分隔件41、致动器销43和带导热条56至58的导热部37、内连接部60和外连接部61，与反射镜本体35一起，由单晶硅产生。或者，包括连接部60至61的导热条56至58也可借助于微细加工由多晶金刚石制成。
也可以选择具有椭圆形横截面的致动器销，代替具有圆形横截面的致动器销43。所述横截面的椭圆的两个半轴选择成使得致动器销的电极与对向电极62至64之间沿第一轴线的间隔小于沿垂直于第一轴线的第二轴线的间隔，其中沿第一轴线期望较大的倾斜角度范围，而沿第二轴线期望较小的倾斜角度范围。所述较大的倾斜角度范围可以是100mrad，而较小的倾斜角度范围可以是50mrad。
现在将借助于图16描述用于产生对向电极62至64的方法。
在预备步骤65中，设置起始基板。该起始基板是单晶硅晶片，该晶片的厚度优选在300μm和750μm之间。该硅晶片的厚度也可低于或高于此范围。下文中，在起始基板上稍后应用导热部37的一侧将称为起始基板的正面66。对向电极62至64由起始基板的相反于正面66的基板背面67构成。
在蚀刻步骤68中，基础结构从基板背面67被蚀刻到起始基板中，也即被蚀刻到产生以后的支承结构36的未经最后加工的载体基板中。根据图11至图15所示的构造，这可以是环状的或套筒形状的支承结构36。在蚀刻步骤68中所蚀刻的支承结构36在对向电极62至64之间的分开点中断。蚀刻步骤68借助于标准方法例如光刻和硅深度蚀刻实施。利用蚀刻步骤68，对向电极62至64的形状被确定，并且以浇铸模板(casting form)的方式被反向蚀刻(negative etched)，所述浇铸模板用于后面将设置的对向电极62至64。蚀刻深度69确定对向电极62至64的高度。此蚀刻深度可以小于起始基板的厚度。在未示出的一种构造中，蚀刻深度也可以是与起始基板的厚度相同的尺寸。
在施加步骤70中，介电层这时被施加到起始基板的在蚀刻步骤68中已被蚀刻形成的铸模71中，用于后面的对向电极62至64的电绝缘。该介电层可以是二氧化硅。所述施加可借助于标准方法例如热氧化作用或化学气相沉积(Chemical Vapour Deposition，CVD)实施。该介电层的厚度是几微米。该介电层可构造成掺杂的氧化硅层，由此可为对向电极62至64的稍后掺杂做准备。
在填充步骤72中，衬有介电层的铸模71以多晶硅进行填充。这里可采用低压化学气相沉积(Low Pressure CVD，LPCVD)方法。所述多晶硅是掺杂的且导电的。多晶硅的掺杂能借助于扩散直接在涂敷过程中实施或随后实施。
在抛光步骤73中，过量的多晶硅被抛光除去，此抛光步骤73可通过化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing，CMP)方法实现，所述过量的多晶硅在填充步骤72中已生长在铸造基板上在铸模71外部。
在构建步骤74中，导热部37这时在起始基板的正面66上被施加到起始基板。这可借助于薄层方法实现。如上所述，在根据图14和图1的构造中，导热部37将致动器销43也即中央电极连接到支承结构36。多晶金刚石层可用作所述薄层。所述多晶金刚石层可借助于CVD方法来施加。所述构建步骤74对于对向电极生产方法不是绝对必要的，而是用来为可运动的中央电极的施加做准备。
在施加步骤75中，将反射镜本体35从正面66施加。该施加以下述方式实施，即使得各反射镜本体35在它们分开之后在中央区域中也即在以后的中央分隔件41的区域中分别连接到起始基板。所述施加步骤75可设计成熔接过程。
在另一构建步骤77中，从起始基板的背面，借助于光刻和深度蚀刻方法而构建中央的且优选是可运动的电极也即致动器销43。该构建通过蚀刻掉中央电极也即致动器销43与支承结构36的套筒之间的中间间隔76而实现。起始基板因此被完全地蚀刻穿通。所述中央电极于是仅通过导热部37，换句话说，通过先前施加到正面66的弹簧附接件，而仍然连接到起始基板。在施加步骤70中施加的氧化层，在此另一构建步骤77中用作面蚀刻停止层(side etching stop)并且保护在填充步骤72中为对向电极62至64所准备的由多晶硅所制成的元件。
在曝光步骤78中，对向电极62至64的内侧79上的被曝光的氧化层这时被蚀刻去除。此曝光步骤78也可省略。
以这种方式准备的微反射镜致动器可以在附接步骤80中以电学和机械的方式附接到另外的基板。这可借助于倒装芯片方法实施，所生产的电极布置借助于该方法接合在集成电路(ASIC)上。这从基板背面67实施。在此情况中，对向电极62至64电连接至所述集成电路上对应的电路。这种类型的构造容许对向电极62至64的整体激励，并因此允许对各个体反射镜27的倾斜的相应控制。
通过这种方法生产的对向电极62至64集成在起始基板中的支承结构36中，但对向电极62至64与起始基板机械上未分离。因此，在对向电极62至64的集成之后，支承结构36也是整体式单元，这为另外的处理步骤特别是为附接步骤80中的连接确保充分的稳定性。
在附接步骤80的过程中，对向电极62至64可以从背面67，即，从图14中竖直且垂直于处在中间位置的反射面34延伸的方向，通过倒装芯片方法在接触步骤81中被直接接触。来自例如图14中水平延伸方向的接触不是必要的。
借助于图17，以下将描述集成具有有着极低粗糙度的反射面34的反射镜本体35的方法。
对反射面34的表面构成的要求非常高，特别是它的微观粗糙度。对此典型的值是0.2nm rms的粗糙度。此微观粗糙度值要求对反射面34进行外部抛光，该反射面34在抛光之后连接到另一个个体反射镜27。在以下描述的生产方法的过程中，预抛光的高灵敏度反射面34在典型的微制造方法中所应用的全部的处理步骤中得到保护。
在抛光步骤82中，具有适合于微制造的样式(例如直径为100mm或150mm的圆形基板)和抛光处理所要求的厚度(例如10mm的厚度)的硅基板，被抛光以实现EUV照明所需要的表面粗糙度。
这种类型的抛光方法也称为“超级抛光”。在涂覆步骤83中，借助于热方法利用薄的二氧化硅层覆盖被抛光的硅基板。
在联接步骤84中，氧化的经超级抛光的基板与未经超级抛光的具有相同样式的第二硅基板联接在一起。在此情形下，经超级抛光的反射面34依靠在第二硅基板上，所述第二硅基板也称为载体基板。在联接步骤84中，可采用与所谓的“绝缘体上覆硅”(silicon-on-insulator，SOI)的晶片生产结合使用的熔接法。
在另一抛光步骤85中，借助于化学机械方法将如此生产的基板多层结构抛光。这样，未来的反射镜基板被研磨至所需的厚度。反射镜本体35的典型厚度在30μm和200μm之间的范围内。
因为高度抛光且灵敏的反射面34在机械和化学方面受位于它上方的二氧化硅层和硅载体基板的保护，所以这时形成所需厚度的基板能被进一步处理。
在构建步骤86中，这时借助于深度蚀刻方法构建反射镜基板的相反于反射面34的背面。分隔件41因此可被蚀刻，该分隔件41此后与导热部37也即与弹簧安装座相连接，所述弹簧安装座也称为隔板悬架。在构建步骤86中，还可通过深度蚀刻预定反射面34的侧向反射镜界限，使得在以后移除载体基板的过程中，个体反射镜27的反射镜本体35已被分开。
现在将这样准备好的基板多层结构在连接步骤87中连接至中央电极，换句话说，连接至致动器销43。这在根据图16的生产方法的施加步骤75中实施。连接步骤87可为熔接或共晶接合。分隔件41可在此连接到致动器销43。
在曝光步骤88中，利用深度蚀刻方法将到目前为止保护反射面34的载体基板蚀刻除去。此蚀刻过程在此停止于将被施加到反射面34的二氧化硅层上。
在另一曝光步骤89中，所述二氧化硅层被蚀刻除去，例如借助于气相的氢氟酸。此另一曝光步骤89可在非氧化性气氛中进行以防止反射面34的硅的再次氧化。
涂覆步骤83也可省略。替代利用薄的二氧化硅层作为涂层，可以通过深度蚀刻方法将多个凹痕蚀刻到载体基板中。这些凹痕具有一定的尺寸和布置，使得当载体基板联接到预抛光的反射镜本体35时，未来的反射面34不与该载体基板形成接触。反射镜基板与载体基板之间的接触面于是由载体基板的包围所述凹痕的框架面的形迹唯一预定。这些框架面对应于个体反射镜27的以后的反射镜界限。在载体基板联接到反射镜基板之前，预构建的载体基板也即具有所述凹痕的载体基板，被热氧化。如此施加的二氧化硅层在以后移除载体基板的过程中被用作蚀刻停止层。这种没有涂覆步骤83的变型也可用于具有非水平(non-level)反射面34的个体反射镜27中，例如具有凹形或凸形反射面34的个体反射镜27中。
为示出导热条56至58的构造，图18再次示出导热部37的区域。中央保持体40，亦即内连接部60，和包围该内连接部60的导热条56至58被示出。
图19示出用于在未示出的支承结构与未示出的反射镜本体之间的导热部37的导热条90的设计的变型。与具体关于根据图14、图15和图18的个体反射镜的导热部的设计而在以上已做描述的那些部件相对应的部件，具有相同的附图标记并且不再详细讨论。
在内连接部60与外连接部61之间，有24个弯曲成C形状的导热条90。相邻的导热条90借助于也呈C形状的槽91而彼此隔开。如同在根据图15和图18的构造中，在根据图19的构造中，导热部37也作为隔板存在，其中，导热条，在根据图19的构造的情况中亦即导热条90，通过结合槽91而形成。
下面将借助于图20和图21描述用于导热部37的两种另外的设计可能。与具体关于根据图14、图15和图18的个体反射镜的导热部的设计而在以上已做描述的那些部件相对应的部件，具有相同的附图标记并且不再详细讨论。
在根据图20的构造中，内连接部60与外连接部61之间有总计25个导热条92，这些导热条92以轮辐的方式大致径向地布置。在内连接部60与外连接部61之间，每个导热条92弯曲成S形状。相邻的导热条92借助于槽93而彼此隔开。
根据图21的构造与根据图20的构造不同在于导热条的弯曲的形状，在根据图21的构造中导热条具有附图标记94。在根据图21的构造中，导热条94在导热部37的平面中也弯曲成C形状。相邻的导热条94也借助于同样弯曲成C形状的槽95隔开。
由于根据图14、图15和图18、根据图20以及根据图21的个体反射镜的上述实施例中的导热条的构造，以及由于布置在相邻的导热条之间的槽关于导热条的形状、宽度、数量和槽的形状、宽度和数量的设计，由此构造的在内连接部60与外连接部61之间的各隔板弹簧的刚度和导热性能可被调节到预定值。
下面将借助于图22和图23描述关于分隔件41到中央保持体40或导热部37的内连接部60的热耦合的两种不同的设计可能。与参考特别是图14而在以上已做描述的那些相对应的部件，具有相同的附图标记并且不再详细讨论。
在根据图22的构造中，导热部37的中央保持体40布置在分隔件41与致动器销43之间，使得分隔件41被附接在导热部37的中央保持体40的一侧并且致动器销43附接到中央保持体40的另一侧。分隔件41因此通过保持体40而连接到致动器销43。
在根据图23的构造中，分隔件41被直接连接到致动器销43。导热部37的中央保持体40具有中央开口96，分隔件41的面向致动器销43的一端延伸经过该中央开口96。包围分隔件41的此端部区域的中央保持体40依靠在致动器销43的面向分隔件41的端壁上并且由此而连接到致动器销43。导热部37上分隔件41的热耦合以及由此反射镜本体35的热耦合在根据图23的构造中不直接发生，而是通过致动器销43发生。
图24利用场分面反射镜13的示例示意性地示出一光学模块，其中在垂直于总反射镜反射面的截面中，个体反射镜按行和按列也即以阵列方式布置，并且为了形成所述总反射镜反射面，个体反射镜的反射面34彼此互补。与以上参考图1至图23已描述的那些部件相对应的部件和功能，具有相同的附图标记并且不再详细讨论。
以阵列方式布置的个体反射镜27在图24中被示意性地组合以形成反射镜板97。借助于导热反射镜板固定销98(图28中仅示出其中之一)，反射镜板97被固定到陶瓷载体99，该陶瓷载体99同时具有散热器的功能，由例如残余吸收或电能引起的热被引导离开反射镜板97而进入陶瓷载体99中。
陶瓷载体99是位移激励电路板100的一部分，所述位移激励电路板100布置在反射镜板97的相反于反射面34也即相反于个体反射镜27的一侧。陶瓷基板101层首先在面向反射镜板97的一侧施加到激励电路板100的散热器99上。或者，陶瓷基板101也可由硅材料制成。陶瓷基板101继而载有线圈板102和集成电子位移电路(ASICs)103。集成电子位移电路103之一与场分面反射镜13的各可发生位移的个体反射镜27在空间上相关联。这里每个集成电子位移电路103与一组个体反射镜27相关联，即分别与恰好四个个体反射镜27相关联，如下面将描述。陶瓷基板101通过多个弹性的基板固定销104而紧固到散热器99。
激励电路板100借助于连接夹具105连接到图24中未示出的中央控制装置。激励电路板100的地线106也连接到连接夹具105。
图25以不同的视图再次示出具有反射镜板97和激励电路板100的场分面反射镜13的结构，在该视图中更详细地示出反射镜板97并且更示意性地示出激励电路板100。
个体反射镜27的结构，除了细节上的差异之外，与以上结合图11和图14已描述的个体反射镜的结构相对应。位于根据图25的个体反射镜27中的致动器销43的端部的永磁体44，构造成钐钴磁体。支承结构36的邻近于激励电路板100的部分被设置成无阴影线的。这些无阴影线的部分，一方面具有导热功能，另一方面用作对个体反射镜27的支承框架。
一组导体通路48或线圈板102的线圈分别布置成面向激励电路板100上的永磁体44之一并且与之相关联。
图25中示意性地示出，个体反射镜27的反射面34具有用于有用辐射10的高反射性涂层。
图26在平面视图中示出线圈板102之一的更详细的结构。在根据图26的平面视图中，线圈板102呈每组四个的对称十字形，并且具有总计四个个体线圈106、107、108、109，所述四个个体线圈106、107、108、109作为用于洛伦兹致动器系统的导体通路布置成方螺旋形状，并且在图26中从图右边所示的个体线圈106开始沿逆时针方向连续编号。所述致动器构造成洛伦兹致动器，该致动器的位移运动由于永磁体44与对应线圈板102之一的个体线圈106至109的交互作用而产生。每个个体线圈106至109具有中央电触点。所述中央触点在个体线圈106中标示为C1.1、在个体线圈107中标示为C2.1、在个体线圈108中标示为C1.4、在个体线圈109中标示为C2.4。每个个体线圈106至109在螺旋形外端还具有朝向线圈板102的中心布置的旁侧电触点。个体线圈106的旁侧电触点标示为C1.2，个体线圈107的旁侧电触点标示为C2.2，个体线圈108的旁侧电触点标示为C1.3，以及个体线圈109的旁侧电触点标示为C2.3。
在根据图26的平面视图中，线圈板102可被刻在边长几毫米的正方形中，例如典型边长为5mm。
线圈板102能借助于倒装芯片(flip-chip)技术安装和接触。这种技术的描述可在书《Baugruppentechnologie der Elektronik-Montage》(出版者：Wolfgang Scheel，第二版，Verlag Technik，Berlin，1999)中找到。倒装芯片技术的细节在瑞士比尔市HMT Microelectronic AG公司的简介“Flipchiptechnologie(可通过链接：http://www.hmt.ch/techdetail.jsp？ID_Page＝10000H10000F&ID_Group＝100001获得)”中公开，以及由Rao Tummala，“FUNDAMENIALS OF MICROSYSTEMS PACKAGING”，McGraw-Hill，2001，ISBN 0-07-137169-9公开。
图34示意性地示出ASIC 103关于与它关联的四个线圈板102的组110的具体布置。与每个ASIC 103相关联的是四个线圈板102所属的四个个体反射镜27的组。在图34的平面视图中，组110的四个线圈板102，界定呈方形形式的自由安装空间，ASIC 103布置在该自由安装空间中。
图27示出ASIC 103和与它关联的线圈板102的组110的电互连。组110的线圈板102的各个体线圈106至109由两个主控制线111和112激励。主控制线111和112的形迹预先确定个体反射镜27的阵列的列方向。施加于平行于反射镜板97的反射镜列伸展的主控制线111的是相对于地电位的-1V电压。主控制线112布置成与主控制线111关于列中央平面113镜面对称，所述列中央平面113同时是反射镜对称面并且垂直于图27的图面伸展。相对于地电位的+1V的控制电压施加于主控制线112。经由主控制线111、112的激励由此借助于保护性超低电压来实现。
主激励线111通过接触销114连接到ASIC 103。主控制线112通过接触销115连接到ASIC 103。ASIC 103分别通过接触销L1至L8连接到组110的线圈板102的两个个体线圈的接触销之一。接触销L1连接到图27左上方示出的线圈板102的个体线圈106的接触销C1.1。接触销L2连接到该相同线圈板102的个体线圈109的接触销C2.4。接触销L3连接到图27右上方示出的线圈板102的个体线圈108的接触销C1.4。接触销L4连接到该相同线圈板102的个体线圈109的接触销C2.4。接触销L5连接到图27左下方示出的线圈板102的个体线圈106的接触销C1.1。接触销L6连接到该相同线圈板102的个体线圈107的接触销C2.1。接触销L7连接到图27右下方示出的线圈板102的个体线圈108的接触销C1.4。接触销L8连接到该相同线圈板的个体线圈107的接触销C2.1。
各同一线圈板102的个体线圈106的接触销C1.2和个体线圈108的接触销C1.3直接彼此连接。个体线圈106、108因此形成一对个体线圈。相应地，各同一线圈板102的个体线圈109的接触销C2.3和个体线圈107的接触销C2.2直接彼此连接。个体线圈107、109因此形成一对个体线圈。
布置成横向于列方向的各个体线圈对106、108因此能通过激励接触销L1、L3、L5和L7而被激励。布置在平行于列方向的个体线圈对107、109能通过激励接触销L2、L4、L6和L8而被激励。
地线115的同样沿列方向伸展的部分分别布置成邻近于主控制线111、112。地线115的这些部分借助于对应的接触点连接到：布置于图27右边的两个底板102的个体线圈106的接触销C1.1；布置于图27右上方的基板102的个体线圈107的接触销C2.1；和布置于图27右下方的基板102的个体线圈109的接触销C2.4。地线115的这些部分借助于另外的接触点连接到：布置于图27左边的两个基板102的个体线圈108的接触销C1.4；布置于图27左上方的基板102的个体线圈107的接触销C2.1；和布置于图27左下方的基板102的个体线圈109的接触销C2.4。
产生关于反射镜对称平面113的、对与ASIC 103相关联的线圈板102的组110的个体线圈106至109的总体近似镜面对称的激励。
邻近于主控制线111布置的是同样沿列方向伸展的复位线116，该复位线116借助于接触销117连接到ASIC 103。串行时钟发生器线118平行于复位线116伸展，该串行时钟发生器线118借助于接触销119连接到ASIC 103。邻近于主控制线112同样沿列方向伸展的是串行数据输入线120，该串行数据输入线120借助于接触销121连接到ASIC 103。串行数据输出线122邻近于串行数据输入线120伸展，该串行数据输出线122借助于接触销123连接到ASIC 103。+5V供电线124也沿列方向邻近于两条数据线120、122伸展，该+5V供电线124借助于接触销125连接到ASIC 103。或者，ASIC 103的供电也可以以3.3V来实施。
图28和图29以类似于图26的视图示出线圈板102、102’之一的两种构造。
根据图28的线圈板102对应于图26的线圈板102，根据图28的线圈板102中的个体线圈106至109以少量绕线示出。
对比于根据图28的线圈板102，根据图29的线圈板102’在平面视图中不是呈十字形，而是在平面视图中呈方形。根据图29的线圈板102’的结构和互连对应于根据图28的线圈板102的结构和互连。图30示出线圈板102或102’的侧视图。个体线圈106至109印制在线圈板102、102’的陶瓷载体126上。接触销CX.Y形成在板状陶瓷载体126的下侧，在图30的视图中从左到右可见接触销C1.4、C1.3、C2.4、C1.2和C2.2。
图31示出线圈板组110中根据图28的线圈板102的布置。在这种类型的布置中，与布置在中央安装空间(也参考图34)中的ASIC 103的互连是可能的，如以上关于图27所述。
图32以垂直于板平面的横截面示出用于线圈板102或102’的堆叠结构的一种变型。图32中最上面的线圈层127形成根据图31的个体线圈107。绝缘的基板载体层128布置在线圈层127的下面。另一线圈层129布置在基板载体层128的下面，该线圈层129形成根据图31的个体线圈109。另一线圈层131继而借助于另一基板载体层130而与所述另一线圈层129分开，该线圈层131形成根据图31的个体线圈106。另一线圈层133借助于另一基板载体层132而与所述另一线圈层131分开，该另一线圈层133形成根据图31的个体线圈108。
在图32的平面中邻近于图32中最上面的线圈层127布置的是接触部134、135、136，接触部134、135、136分别通过连接材料(过孔材料)导电地连接到线圈层129、131和133。因此，图32中的全部线圈层127、129、131、133可从上方接通电接触以激励个体线圈106至109。接触部134至136彼此电绝缘且相对于线圈层127电绝缘。线圈层127、129通过桥接基板载体层128的接触通道137而彼此电连接。两个线圈层131和133通过桥接基板载体层132的接触通道138而彼此导电地连接。两个接触通道137、138继而由过孔材料制成。线圈层127、129、131、133或接触部134至136，在它们的边缘，在它们各自的平面内，被填充材料139包围。
图33是ASIC 103的功能电路图。
接触销L1至L8连接到各个相关联的驱动器单元140。因此，ASIC 103有总计八个能彼此独立地被激励的驱动器单元140。每个驱动器单元140连接到数据接口141。在ASIC 103中总计有八个这种类型的数据接口141。ASIC 103的这八个数据接口141各具有用于与驱动器单元140的连接的12位带宽、串行输入和并行输出。这八个数据接口141在输入侧串联连接，并且一方面具有经由接触销121与串行数据输入线120的信号连接，另一方面具有经由接触销123与串行数据输出线122的信号连接。数据接口141具有经由接触销119与串行时钟发生器线118的信号连接。
ASIC 103还具有用于将ASIC 103接地的接地接触销142。ASIC 103借助于该接地接触销142连接到地线115a(参考图27)。
图34示意性地示出与一组110线圈板102分别关联的激励电路板100部件的机械布置。ASIC 103布置在组110中央的安装空间中。围绕组110布置的是总计八个呈等距栅格样式的冷却/装配孔143。散热指状件144可布置在孔103中，散热指状件144一方面在线圈板102的底侧与ASIC 103之间、另一方面在线圈板102的底侧与陶瓷基板101之间提供具有良好导热的连接。或者，冷却/装配孔144也可用作用于固定销98或104的通道(参考图24)。
图36还示出激励电路板100的ASIC 103的线圈板102布置所处的部件平面145与陶瓷基板101之间的、具有交替的绝缘体层147和导电层148的多层结构146。导电层148分别连接到各种控制线、数据线和供电线，这已结合图27说明。导电层148可借助于铜镀覆陶瓷(Copper Plated Ceramic，CPC)方法或借助于丝网印刷方法来施加。CPC方法的描述可通过http://www.keramik-substrat.de/seite1.htm找到。
朝向反射镜板97，部件平面145覆盖有保护性覆盖层149。覆盖层149由溅射上的氧化硅实现。
根据图32或图36的层结构能借助于低温共烧陶瓷(Low TemperatureCo-fired Ceramics，LTCC)技术实现。关于LTCC方法的应用的细节可在微电子学会议的会议录ME08，ISBN 978-3-85133-049-6中找到。
图37示出用于呈分面反射镜13形式的光学模块的激励方案，所述分面反射镜13例如被划分成由按行和按列布置的个体反射镜27构成的多个局部个体反射镜阵列。图35中总体示出用于这种类型的局部个体反射镜阵列150的激励电路板100的平面视图。该局部个体反射镜阵列具有十列反射镜，每列具有五个反射镜，也即包括五行而每行具有十个个体反射镜27的个体反射镜阵列，根据图35的激励电路板100是该局部个体反射镜阵列的部件。
在根据图37的激励方案中，主控制线111、112，数据线120、122，复位线116和串行时钟发生器线118组合以形成串行数据总线151。借助于总线接口152，局部个体反射镜阵列150具有经由数据总线151与中央控制装置153的信号连接。中央控制装置153可以是微控制器或可编程集成电路、场可编程门阵列或特殊的可编程逻辑模块(可编程逻辑装置(ProgrammableLogic Device，PLD))。中央控制装置153具有经由双向信号线154通往目标应用接口155的信号连接。由此控制投射曝光系统1，并且可由此预先确定各照明设置。目标应用接口155具有信号模块156和供电模块157。信号模块156连接到信号线154。目标应用接口155的供电模块157借助于供电线158连接到集成在中央控制装置153中的中央供电装置159。中央供电装置159由供电线160连接到局部个体反射镜阵列150的供电接口161。供电接口161在阵列一侧连接到个体阵列的列的供电线124(参考图27)。
图38示出局部个体反射镜阵列150内的个体ASIC 103的激励。总线接口152被连接，具体地，到串行数据输入线120。一个相应列的ASIC 103是可级联的，因此局部个体反射镜阵列150的一个相应列的ASIC 103能被顺次编址。
下面将借助于局部个体反射镜阵列150之一的激励，通过规定光学模块的个体反射镜27的个体位置，来说明光学模块的激励：
首先通过目标应用接口155预先确定照明设置，如偶极子照明。将每个个体反射镜27在局部个体反射镜阵列150内的确定位置与该偶极子照明相关联。中央控制装置153将位置信息经由总线接口152送到关联的局部个体反射镜阵列150。在数据总线151上进行传送的控制字包括：待寻址的局部个体反射镜阵列150的地址、该局部个体反射镜阵列150内待寻址的列的列地址、用于能被寻址列内的每个ASIC 103激励的线圈板102的完整控制数据、和测验号。被寻址的ASIC列的ASIC 103经由它们的串行数据输入线120读入(read in)控制数据。每个ASIC 103处理供它使用的控制数据并且将对应的控制值传给控制接触销L1至L8，从而以预定的方式为线圈板102的个体线圈对106、108和/或107、109提供电流以产生偏转磁场(参考图11中的磁场线45)。根据线圈板102的个体线圈106至109的该电流供给，发生永磁体44的偏转，并由此发生相关联的个体反射镜27的反射镜本体35的倾斜。借助于与控制字一起传递的校验值，各ASIC可检验是否已正确读入分配给它的控制字。被辨识为错误的读入处理经由数据输出线122和数据总线151被报告给中央控制装置153，使得可实施相应的错误校验。
由于经过控制线111、112的电流的缘故，沿列伸展的主控制线111、112以及地线115a相邻部分的相邻布置避免产生不期望的磁场。
对各线圈流的精细规定可通过ASIC 103的驱动器单元140和数据接口141以高分辨率深度来实现，该ASIC 103包括桥电路构造的允许大电流的自调节线性控制器。控制器的线性可基于脉宽调制而得到。

Claims (40)

1.一种用于引导辐射束的光学模块，
-具有至少一个反射镜(13，14；26，28)，所述至少一个反射镜(13，14；26，28)
--具有多个个体反射镜(27)，所述个体反射镜(27)的反射面(34)彼此互补以形成总反射镜反射面，
--具有支承结构(36)，所述支承结构(36)各自通过导热部(37)机械地连接到各个体反射镜(27)的反射镜本体(35)，
--其中，所述反射镜本体(35)中的至少一些具有用于实现反射镜本体(35)相对于所述支承结构(36)在至少一个自由度上的预定位移的关联的致动器(50)，
--其中，集成电子位移电路(103)与空间上邻近的、可发生位移的个体反射镜(27)的每一个相关联，
-具有中央控制装置(153)，所述中央控制装置(153)具有与所述可发生位移的个体反射镜(27)的所述集成电子位移电路(103)的信号连接(151，152，120)。
2.如权利要求1所述的光学模块，其特征在于，所述集成电子位移电路(103)实施成使得它们能够被级联。
3.如权利要求1或2所述的光学模块，其特征在于，所述集成电子位移电路(103)容纳在位移激励电路板(100)中，所述位移激励电路板(100)布置在个体反射镜(27)的相反于反射面(34)的一侧。
4.如权利要求1至3中任一项所述的光学模块，其特征在于，各自与可发生位移的个体反射镜(27)之一相关联的所述致动器(50)构造成洛伦兹致动器，所述洛伦兹致动器(50)的集成电子位移电路(103)通过保护性的超低电压来激励。
5.如权利要求1至4中任一项所述的光学模块，其特征在于，用于激励所述集成电子位移电路(103)的控制线(111、112)引导成平行于地线(115a)，所述各控制线(111、112)之一布置成与地线(154a)之一直接相邻。
6.如权利要求4或5所述的光学模块，其特征在于，邻近于集成电子供电电路(103)的每一个布置多个个体线圈(106至109)，所述多个个体线圈是洛伦兹致动器(50)的一部分，所述集成电子位移电路(103)具有与这些个体线圈(106至109)的信号连接。
7.如权利要求3至6中任一项所述的光学模块，其特征在于，所述位移激励电路板(100)具有多层构造，导电层(127，129，131，133；148)通过绝缘层(128，130，132；147)而彼此分隔。
8.如权利要求3至7中任一项所述的光学模块，其特征在于，所述位移激励电路板(100)的基板层(101)由陶瓷和/或硅材料制成。
9.如权利要求3至8中任一项所述的光学模块，其特征在于，在所述位移激励电路板(100)的相反于个体反射镜(27)的一侧具有散热器(99)。
10.如权利要求3至9中任一项所述的光学模块，其特征在于，具有多个散热指状件(144)，所述散热指状件(144)从所述散热器(99)引出并穿过所述位移激励电路板(100)进入所述个体线圈(106至109)或所述集成电子位移电路(103)的区域。
11.如权利要求4至10中任一项所述的光学模块，其特征在于，所述洛伦兹致动器(50)具有永磁体(44)。
12.如权利要求1至11中任一项所述的光学模块，其特征在于，每个集成电子位移电路(103)与一组个体反射镜(27)相关联。
13.如权利要求1至12中任一项所述的光学模块，其特征在于，所述光学模块被划分成多个局部个体阵列(150)，所述局部个体阵列(150)各自由按行和按列布置的个体反射镜(27)构成。
14.一种用于引导EUV辐射束的光学模块
-具有能被抽空的腔室(32)；
-具有能容纳在所述腔室(32)中的至少一个反射镜(13，14；26)，所述至少一个反射镜(13，14；26)
--具有多个个体反射镜(27)，所述个体反射镜(27)的反射面(34)彼此互补以形成总体的反射镜反射面，
--具有支承结构(36)，所述支承结构(36)各自通过导热部(37)机械地连接到各个体反射镜(27)的反射镜本体(35)，
--其中，反射镜本体(35)的至少一些具有用于实现所述反射镜本体(35)相对于所述支承结构(36)在至少一个自由度上的预定位移的关联的致动器(50)，
-其中，所述导热部(37)构造成将所述反射镜本体(35)所吸收的至少1kW/m2的热功率密度耗散到所述支承结构(36)。
15.如权利要求14所述的光学模块，其特征在于，所述致动器(50)构造成电磁操作的致动器。
16.如权利要求15所述的光学模块，其特征在于，所述致动器(50)构造成洛伦兹致动器。
17.如权利要求16所述的光学模块，其特征在于，所述洛伦兹致动器(50)的载流致动器部件由印刷在基体(26)上的导体通路(48)构成。
18.如权利要求17所述的光学模块，其特征在于，在所述基体上(46)布置有印刷上去的导体通路(48)的多个彼此叠置的层(51至54)。
19.如权利要求14所述的光学模块，其特征在于，所述致动器构造成磁阻致动器。
20.如权利要求14所述的光学模块，其特征在于，所述致动器构造成压电致动器。
21.如权利要求14至20中任一项所述的光学模块，其特征在于，每个导热部(37)具有多个导热条(55)，相邻的所述导热条(55)彼此分隔，并且每个导热条(55)将所述反射镜本体(35)连接到所述支承结构(36)。
22.如权利要求14至21中任一项所述的光学模块，其特征在于，所述支承结构(36)被主动冷却。
23.如权利要求14至22中任一项所述的光学模块，其特征在于，所述反射镜本体(35)的反射面(34)的总和大于所述反射镜(13，14；26)的总反射面所占据的总面的0.5倍。
24.如权利要求14至23中任一项所述的光学模块，其特征在于，所述反射镜本体(35)以矩阵状方式布置。
25.如权利要求14至24中任一项所述的光学模块，其特征在于，所述反射镜本体(35)是分面反射镜(13，14，26，28)的分面(19；29)。
26.一种用于引导EUV辐射束的光学模块
-具有能被抽空的腔室(32)；
-具有容纳在所述腔室(32)中的至少一个反射镜(13，14；26)，所述至少一个反射镜(13，14；26)
--具有多个个体反射镜(27)，所述多个个体反射镜(27)的反射面(34)彼此互补以形成总反射镜反射面，
--具有支承结构(36)，所述支承结构(36)各自通过导热部(37)机械地连接到各个体反射镜(27)的反射镜本体(35)，
--其中，所述反射镜本体(35)的至少一些具有用于是实现所述反射镜本体(35)相对于所述支承结构(36)在至少一个自由度上的预定位移的关联的致动器(50)，
-其中，所述导热部(37)的至少一个具有多个导热条(56至58)，其中，所述导热部(37)之一的相邻导热条(56至58)彼此分离，并且其中，每个导热条(56至58)将所述反射镜本体(35)连接到所述支承结构(36)。
27.如权利要求26所述的光学模块，其特征在于，所述导热条(56至58)径向地围绕中心(59)构成，其中
-在所述导热部(37)的径向内连接部(60)上布置有所述导热条(56至58)与所述支承结构(36)或反射镜本体(35)的连接过渡(56i至58i)，
-在径向外连接部(61)上布置有所述导热条(56至58)与所述反射镜本体(35)或支承结构(36)的连接过渡(56a至58a)。
28.如权利要求27所述的光学模块，其特征在于，所述导热条(56至58)布置成使得多个导热条(58至60)在所述内连接部(60)与所述外连接部(61)之间的半径上彼此相随，相邻的导热条(58至60)之间存在相应的中间间隔。
29.如权利要求26至28中任一项所述的光学模块，其特征在于，导热条(56至58)具有螺旋形构造。
30.如权利要求26至29中任一项所述的光学模块，其特征在于，垂直于所述个体反射镜(27)的反射镜平面延伸的中央电极销(43)连接到所述反射镜本体(35)，并且为了实现对所述个体反射镜(27)的致动，该中央电极销(43)与连接至所述支承体(36)的至少一个对向电极(62至64)协作。
31.如权利要求30所述的光学模块，其特征在于，具有沿周向方向围绕所述电极销(43)并且彼此电绝缘的多个对向电极(62至64)。
32.一种用于控制具有多个个体反射镜(27)并具有各关联的集成电子位移电路(103)的光学模块的方法，所述多个个体反射镜(27)按行和按列地布置并且能够以受控制的方式发生位移，所述方法具有以下步骤：
-指定要被激励的个体反射镜列，
-将控制值传送到与该个体反射镜列相关联的电子位移电路(103)。
33.如权利要求32所述的方法，其特征在于，所述光学模块被划分成多个局部个体阵列(150)，所述局部个体阵列(150)各自由按行和按列布置的个体反射镜(27)构成，对要被激励的局部个体反射镜阵列(150)的选择在所述指定要被激励的个体反射镜(27)之前进行。
34.如权利要求32或33所述的方法，其特征在于，在传送所述控制值之后，对这些传送的控制值进行校验。
35.用于如权利要求1至31中任一项所述的光学模块的反射镜(13，14；26)。
36.一种用于微光刻投射曝光系统(1)的照明光学系统(4；24)，所述照明光学系统(4；24)利用来自辐射源(3)的EUV照明光(10)来照明物场(5)，所述照明光学系统(4；24)具有至少一个如权利要求1至31中任一项所述的光学模块。
37.一种照明系统，所述照明系统具有如权利要求36所述的照明光学系统(4；24)和用于产生照明光(10)的EUV辐射源(3)。
38.一种投射曝光系统
-具有如权利要求37所述的照明系统(2)，
-具有投射光学系统(7)，所述投射光学系统(7)用于将存在于物平面(6)中的物场(5)成像在像平面(9)的像场(8)中。
39.一种用于产生结构化部件的方法，所述方法具有以下步骤：
-提供晶片，在所述晶片上至少部分地施加有光敏材料层，
-提供掩模母版(30)，所述掩模母版(30)具有待成像的结构，
-提供如权利要求38所述的投射曝光系统(1)，
-通过所述投射曝光系统(1)将所述掩模母版(30)的至少一部分投射到所述晶片的所述层的一个区域上。
40.通过如权利要求39所述的方法所产生的结构化部件。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104380202A (zh) * 2012-02-17 2015-02-25 卡尔蔡司Smt有限责任公司 光学部件
CN105026975A (zh) * 2013-02-25 2015-11-04 卡尔蔡司Smt有限责任公司 光学模块
CN105706003A (zh) * 2013-09-11 2016-06-22 卡尔蔡司Smt有限责任公司 用于euv投射光刻的照明光学装置以及照明系统
CN106030410A (zh) * 2014-02-14 2016-10-12 卡尔蔡司Smt有限责任公司 移动至少一个光学部件的方法
CN107015341A (zh) * 2016-01-27 2017-08-04 佳能株式会社 光学设备、投影光学系统、曝光装置及物品制造方法
US9785051B2 (en) 2012-10-15 2017-10-10 Asml Netherlands B.V. Actuation mechanism, optical apparatus, lithography apparatus and method of manufacturing devices
US9804501B2 (en) 2012-02-17 2017-10-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical component
CN107430267A (zh) * 2015-03-18 2017-12-01 卡尔蔡司Smt有限责任公司 以两个旋转自由度旋转反射镜元件的装置
CN111133358A (zh) * 2017-09-25 2020-05-08 卡尔蔡司Smt有限责任公司 用于将物场成像至像场的成像光学单元
CN113632010A (zh) * 2019-03-26 2021-11-09 卡尔蔡司Smt有限责任公司 光学装置和光刻设备

Families Citing this family (81)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009008209A1 (de) * 2009-02-10 2010-08-19 Carl Zeiss Smt Ag Aktuator mit mindestens einem Magneten für eine Projektionsbelichtungsanlage sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einem Magneten und Herstellungsverfahren hierfür
CN103140782B (zh) * 2010-07-28 2018-11-27 卡尔蔡司Smt有限责任公司 分面反射镜装置
WO2012025132A1 (en) * 2010-08-25 2012-03-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Multi facet mirror of a microlithographic projection exposure apparatus
DE102010041468A1 (de) * 2010-09-27 2012-03-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Baugruppe einer Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Lithographie
DE102011003928B4 (de) 2011-02-10 2012-10-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie
DE102011006100A1 (de) 2011-03-25 2012-09-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel-Array
EP2697688B1 (en) 2011-04-14 2018-12-19 Carl Zeiss SMT GmbH Facet mirror device
DE102011076145B4 (de) * 2011-05-19 2013-04-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Zuordnen einer Pupillenfacette eines Pupillenfacettenspiegels einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage zu einer Feldfacette eines Feldfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik
JP5960806B2 (ja) * 2011-06-21 2016-08-02 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー ファセットミラーデバイス
DE102011081914A1 (de) 2011-08-31 2012-09-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik zur Beleuchtung eines in einem Objektfeld anordenbaren, strukturierten Objektes
DE102011086345A1 (de) 2011-11-15 2013-05-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel
DE102012200736A1 (de) * 2012-01-19 2013-07-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegelanordnung, insbesondere zum Einsatz in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102012203950A1 (de) 2012-03-14 2013-09-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für eine Projektionsbelichtungsanlage
DE102012206612A1 (de) 2012-04-23 2013-10-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Bauelement zur Führung eines Strahlungsbündels
DE102012206609B4 (de) 2012-04-23 2023-08-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Strahlführungsoptik für ein Vielstrahlsystem sowie Verfahren
DE102012209132A1 (de) 2012-05-31 2013-12-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie
EP2708308A1 (de) * 2012-09-14 2014-03-19 Trumpf Laser Marking Systems AG Laserbearbeitungsvorrichtung
DE102012218219A1 (de) 2012-10-05 2014-04-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Regelung der Verkippung eines Spiegelelements
NL2011456A (en) * 2012-10-15 2014-04-16 Asml Netherlands Bv Actuation mechanism, optical apparatus, lithography apparatus and method of manufacturing devices.
DE102012220596A1 (de) * 2012-11-13 2014-05-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Zuordnen einer Pupillenfacette eines Pupillenfacettenspiegels einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage zu einer Feldfacette eines Feldfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik
DE102012221831A1 (de) * 2012-11-29 2014-06-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Anordnung zur Aktuierung wenigstens eines optischen Elementes in einem optischen System
DE102013203034A1 (de) 2013-02-25 2014-03-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Baugruppe für eine Halbleiter-Projektionsbelichtungsanlage und deren Beleuchtungssystem
DE102013203032A1 (de) 2013-02-25 2014-02-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Anordnung mit einem optischen Element und einem zusätzlichen Wärmeleitelement
DE102013203364A1 (de) 2013-02-28 2014-09-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Reflektierende Beschichtung mit optimierter Dicke
JP6410741B2 (ja) 2013-03-14 2018-10-24 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 投影リソグラフィのための照明光学ユニット
DE102014204388A1 (de) 2013-03-14 2014-09-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie
JP6453251B2 (ja) 2013-03-14 2019-01-16 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 投影リソグラフィのための照明光学ユニット
DE102013204546A1 (de) 2013-03-15 2014-09-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Bauteil
DE102013206531A1 (de) 2013-04-12 2014-05-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung zur Verlagerung eines Spiegelelements
DE102013206529A1 (de) 2013-04-12 2014-04-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Mikroaktuator
DE102013209442A1 (de) 2013-05-22 2014-11-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Bauelement
DE102013218748A1 (de) 2013-09-18 2014-10-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Bauelement
JP6246907B2 (ja) * 2013-05-22 2017-12-13 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 光学素子及び当該光学素子に対する放射の影響を低減する手段を備えた光学コンポーネント
DE102013211269A1 (de) 2013-06-17 2014-04-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik zur Beleuchtung eines in einem Objektfeld anordenbaren, strukturierten Objektes sowie Metrologiesystem für die Untersuchung eines strukturierten Objektes
WO2014202585A2 (en) 2013-06-18 2014-12-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic method
DE102013212363A1 (de) 2013-06-27 2014-07-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel, insbesondere für die EUV-Projektionslithografie
DE102013213842A1 (de) 2013-07-16 2015-01-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Bauelement
DE102013217146A1 (de) 2013-08-28 2015-03-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Bauelement
EP2687906A3 (de) 2013-11-21 2015-12-02 Carl Zeiss SMT GmbH Einrichtung und Verfahren zur Steuerung der Positionierung eines verlagerbaren Einzelspiegels
WO2015104099A1 (en) * 2014-01-13 2015-07-16 Asml Netherlands B.V. Actuation mechanism, optical apparatus and lithography apparatus
DE102014203188A1 (de) 2014-02-21 2015-08-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Beleuchtung eines Objektfeldes einer Projektionsbelichtungsanlage
DE102014203189A1 (de) 2014-02-21 2015-08-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel-Array
DE102014204818A1 (de) 2014-03-14 2015-09-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Bauelement
DE102014207866A1 (de) 2014-04-25 2015-10-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Regelung der Positionierung einer Vielzahl von verstellbaren Spiegel-Elementen einer Vielspiegel-Anordnung
DE102014219112A1 (de) * 2014-09-23 2016-03-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie sowie Hohlwellenleiter-Komponente hierfür
EP3006975A3 (en) * 2014-10-08 2016-05-25 Optotune AG Device for tilting an optical element, particularly a mirror
DE102014226309A1 (de) * 2014-12-17 2016-06-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Komponente; optisches System und Lithographieanlage
DE102014226272A1 (de) 2014-12-17 2016-06-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel-Einrichtung
DE102015205404A1 (de) 2015-03-25 2016-09-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Vielspiegel-Anordnung
DE102015209176A1 (de) * 2015-05-20 2016-11-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie
DE102015212658A1 (de) 2015-07-07 2017-01-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Lithographieanlage und verfahren zum betreiben einer lithographieanlage
JP6659827B2 (ja) * 2015-08-21 2020-03-04 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ方法及び装置
DE102015216438A1 (de) 2015-08-27 2017-03-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Sensoranordnung für eine Lithographieanlage, Lithographieanlage und Verfahren zum Betreiben einer Lithographieanlage
DE102015220018A1 (de) 2015-10-15 2016-10-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Herstellung eines mikroelektromechanischen Bauelements mit mindestens einem beweglichen Bestandteil
DE102015224742B4 (de) 2015-12-09 2020-06-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Anlage und Verfahren zum Betreiben einer Anlage
DE102015225535A1 (de) 2015-12-17 2016-10-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Vielspiegel-Anordnung mit einer Vielzahl von verlagerbaren Einzelspiegeln
EP3192770B1 (de) * 2016-01-12 2019-07-17 TRUMPF Schweiz AG Vorrichtung zur zweidimensionalen ablenkung eines laserstrahls
JP6357505B2 (ja) * 2016-06-23 2018-07-11 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー ファセットミラーデバイス
DE102016213026A1 (de) 2016-07-18 2018-01-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Sensor-Einrichtung
DE102016216188A1 (de) 2016-08-29 2018-03-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Steuereinrichtung
DE102016219357A1 (de) * 2016-10-06 2018-04-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie mit reduzierter thermischer Deformation
WO2018141382A1 (de) 2017-02-01 2018-08-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Anlage und verfahren zum betreiben einer anlage
US10845706B2 (en) 2017-04-12 2020-11-24 Asml Netherlands B.V. Mirror array
DE102018201169A1 (de) 2018-01-25 2018-03-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Beleuchtung eines Retikels in einer Projektionsbelichtungsanlage
DE102018211077A1 (de) 2018-07-05 2018-10-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Lithographieanlage und verfahren zum betreiben einer lithographieanlage
EP4018264A1 (en) * 2019-08-19 2022-06-29 ASML Netherlands B.V. Micromirror arrays
US11543753B2 (en) 2019-10-30 2023-01-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Tunable illuminator for lithography systems
DE102020116091A1 (de) * 2019-10-30 2021-05-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Abstimmbare beleuchtungsvorrichtung fürlithographiesysteme
US11477350B2 (en) * 2021-01-15 2022-10-18 Raytheon Company Active imaging using a micro-electro-mechanical system (MEMS) micro-mirror array (MMA)
US11550146B2 (en) 2021-01-19 2023-01-10 Raytheon Company Small angle optical beam steering using micro-electro-mechanical system (MEMS) micro-mirror arrays (MMAS)
DE102022200264A1 (de) 2022-01-12 2022-12-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung zur Verkippung eines Spiegels, optisches Bauelement, optische Baugruppe, Verfahren zur Verkippung eines Spiegels, Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung zur Verkippung eines Spiegels und EUV-Projektionsbelichtungsanlage
DE102022213753A1 (de) 2022-05-04 2023-11-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung zum Schutz einer Oberfläche vor Schädigung durch auftreffende Ionen
DE102023204477A1 (de) 2022-05-12 2023-11-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Mikroelektromechanisches System (MEMS)
WO2024037916A1 (en) 2022-08-16 2024-02-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Micro-optical element
DE102022209413A1 (de) 2022-09-09 2024-03-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Mikroelektromechanische Vorrichtung mit Heizelement
DE102022209447A1 (de) 2022-09-09 2024-03-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Vereinzeln eines Wafers und geeignete Vorrichtung
DE102022209402A1 (de) 2022-09-09 2024-03-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Mikroelektromechanische Vorrichtung
DE102022209451A1 (de) 2022-09-09 2024-03-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Mikroelektromechanische Vorrichtung
DE102022209935A1 (de) 2022-09-21 2024-03-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung zur stressreduzierten Lagerung von MEMS-basierten Mikrospiegeln
DE102022210285A1 (de) 2022-09-28 2024-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Tragevorrichtung für ein oder mehrere MEMS-Bauelemente
DE102022212904A1 (de) 2022-11-30 2023-10-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Einzelspiegel eines Facettenspiegels einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10053587A1 (de) 2000-10-27 2002-05-02 Zeiss Carl Beleuchtungssystem mit variabler Einstellung der Ausleuchtung
DE10138313A1 (de) 2001-01-23 2002-07-25 Zeiss Carl Kollektor für Beleuchtugnssysteme mit einer Wellenlänge < 193 nm
JP2001154371A (ja) 1999-11-30 2001-06-08 Nikon Corp 回路デバイスや表示デバイスの製造方法、及び大型ディスプレー装置
US6717715B2 (en) * 2000-07-27 2004-04-06 Holl Technologies Company Flexureless magnetic micromirror assembly
DE10050125A1 (de) * 2000-10-11 2002-04-25 Zeiss Carl Vorrichtung zum Temperaturausgleich für thermisch belastete Körper mit niederer Wärmeleitfähigkeit, insbesondere für Träger reflektierender Schichten oder Substrate in der Optik
US6922499B2 (en) * 2001-07-24 2005-07-26 Lucent Technologies Inc. MEMS driver circuit arrangement
US6809851B1 (en) * 2001-10-24 2004-10-26 Decicon, Inc. MEMS driver
KR20030050798A (ko) * 2001-12-19 2003-06-25 주식회사 엘지이아이 자기구동 마이크로미러 및 그 제조방법과, 그를 이용한광스위치
DE10200244A1 (de) 2002-01-05 2003-07-17 Zeiss Carl Smt Ag Vorrichtung zur Aufnahme eines optischen Elements
US6894823B2 (en) * 2002-04-26 2005-05-17 Corning Intellisense Llc Magnetically actuated microelectromechanical devices and method of manufacture
DE10302664A1 (de) 2003-01-24 2004-07-29 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Herstellung eines Facettenspiegels
US7061591B2 (en) 2003-05-30 2006-06-13 Asml Holding N.V. Maskless lithography systems and methods utilizing spatial light modulator arrays
DE10324796A1 (de) 2003-05-31 2004-12-16 Carl Zeiss Smt Ag Facettenspiegel mit Spiegelfacetten
US7145269B2 (en) 2004-03-10 2006-12-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, Lorentz actuator, and device manufacturing method
JP2005276932A (ja) 2004-03-23 2005-10-06 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
US7136214B2 (en) * 2004-11-12 2006-11-14 Asml Holding N.V. Active faceted mirror system for lithography
US7812930B2 (en) * 2005-03-21 2010-10-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method using repeated patterns in an LCD to reduce datapath volume
US7591561B2 (en) * 2005-10-13 2009-09-22 Nikon Corporation Liquid cooled mirror for use in extreme ultraviolet lithography
JP2007234717A (ja) * 2006-02-28 2007-09-13 Nikon Corp 露光装置
US7649613B2 (en) 2006-03-03 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, method of controlling a component of a lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102006023652B4 (de) 2006-05-18 2008-10-30 Esa Patentverwertungsagentur Sachsen-Anhalt Gmbh Elektromotorische Einrichtung zur Betätigung von Gaswechselventilen
US7697115B2 (en) * 2006-06-23 2010-04-13 Asml Holding N.V. Resonant scanning mirror
DE102007008448A1 (de) * 2007-02-19 2008-08-21 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Herstellung von Spiegelfacetten für einen Facettenspiegel
EP2009501B1 (de) * 2007-06-26 2013-02-27 Carl Zeiss SMT GmbH Verfahren und Vorrichtung für die Steuerung einer Vielzahl von Aktuatoren einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie
DE102008049556B4 (de) * 2008-09-30 2011-07-07 Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9804501B2 (en) 2012-02-17 2017-10-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical component
CN104380202A (zh) * 2012-02-17 2015-02-25 卡尔蔡司Smt有限责任公司 光学部件
US10078271B2 (en) 2012-02-17 2018-09-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical component
US9785051B2 (en) 2012-10-15 2017-10-10 Asml Netherlands B.V. Actuation mechanism, optical apparatus, lithography apparatus and method of manufacturing devices
CN104871090B (zh) * 2012-10-15 2017-10-20 Asml荷兰有限公司 致动机构、光学设备、光刻设备以及制造器件的方法
CN105026975A (zh) * 2013-02-25 2015-11-04 卡尔蔡司Smt有限责任公司 光学模块
CN105026975B (zh) * 2013-02-25 2019-11-26 卡尔蔡司Smt有限责任公司 光学模块
CN105706003B (zh) * 2013-09-11 2019-06-28 卡尔蔡司Smt有限责任公司 用于euv投射光刻的照明光学装置以及照明系统
CN105706003A (zh) * 2013-09-11 2016-06-22 卡尔蔡司Smt有限责任公司 用于euv投射光刻的照明光学装置以及照明系统
CN106030410A (zh) * 2014-02-14 2016-10-12 卡尔蔡司Smt有限责任公司 移动至少一个光学部件的方法
CN106030410B (zh) * 2014-02-14 2018-09-18 卡尔蔡司Smt有限责任公司 移动至少一个光学部件的方法
CN107430267A (zh) * 2015-03-18 2017-12-01 卡尔蔡司Smt有限责任公司 以两个旋转自由度旋转反射镜元件的装置
US10761317B2 (en) 2015-03-18 2020-09-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Device for swiveling a mirror element with two degrees of swiveling freedom
CN107015341A (zh) * 2016-01-27 2017-08-04 佳能株式会社 光学设备、投影光学系统、曝光装置及物品制造方法
CN107015341B (zh) * 2016-01-27 2020-08-21 佳能株式会社 光学设备、投影光学系统、曝光装置及物品制造方法
CN111133358A (zh) * 2017-09-25 2020-05-08 卡尔蔡司Smt有限责任公司 用于将物场成像至像场的成像光学单元
CN111133358B (zh) * 2017-09-25 2024-02-13 卡尔蔡司Smt有限责任公司 用于将物场成像至像场的成像光学单元
CN113632010A (zh) * 2019-03-26 2021-11-09 卡尔蔡司Smt有限责任公司 光学装置和光刻设备

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