DE102020116091A1

DE102020116091A1 - Abstimmbare beleuchtungsvorrichtung fürlithographiesysteme

Info

Publication number: DE102020116091A1
Application number: DE102020116091.7A
Authority: DE
Inventors: Ken-Hsien Hsieh; Shih-Ming Chang; Wen Lo; Wei-Shuo Su; Hua-Tai Lin
Original assignee: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Current assignee: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Priority date: 2019-10-30
Filing date: 2020-06-18
Publication date: 2021-05-06
Also published as: CN112748643B; CN112748643A

Abstract

In einem Beispiel weist eine Einrichtung eine Extremultraviolett-Beleuchtungsquelle und eine Beleuchtungsvorrichtung auf. Die Extremultraviolett-Beleuchtungsquelle ist angeordnet, um einen Strahl einer Extremultraviolett-Beleuchtung zu erzeugen, um eine Fotolackschicht auf einem Substrat zu strukturieren. Die Beleuchtungsvorrichtung ist angeordnet, um den Strahl einer Extremultraviolett-Beleuchtung auf eine Oberfläche einer Fotomaske zu lenken. In einem Beispiel weist die Beleuchtungsvorrichtung einen Feldfacettenspiegel und einen Pupillenfacettenspiegel auf. Der Feldfacettenspiegel weist eine erste Vielzahl von Facetten auf, die angeordnet sind, den Strahl einer Extremultraviolett-Beleuchtung in mehrere Lichtkanäle zu teilen. Der Pupillenfacettenspiegel weist eine zweite Vielzahl von Facetten auf, die angeordnet sind, um die Vielzahl von Lichtkanälen auf die Oberfläche der Fotomaske zu lenken. Die Verteilung der zweiten Vielzahl von Facetten an einer Peripherie des Pupillenfacettenspiegels ist dichter als an einem Mittelpunkt des Pupillenfacettenspiegels.

Description

QUERVERWEIS AUF VERWANDTE ANMELDUNGEN
Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der vorläufigen US-Patentanmeldung, Seriennr. 62/928,236, eingereicht am 30. Oktober 2019, die durch Bezugnahme in die vorliegende Anmeldung aufgenommen wird.
ALLGEMEINER STAND DER TECHNIK
Extremultraviolett-Lithografie (EUV-Lithografie) ist eine optische Lithografietechnik, in der der Scanner Licht im Extremultraviolettbereich verwendet (der z.B. Wellenlängen von etwa ein bis einhundert Nanometer überspannt). Eine Lichtquelle ist konfiguriert, EUV-Strahlung auszustrahlen. Beispielsweise kann die Lichtquelle ein geschmolzenes Metall wie Zinn zu hoch ionisiertem Plasma verdampfen, das die EUV-Strahlung ausstrahlt. Die EUV-Strahlung wird anschließend unter Verwendung einer Reihe von optischen Elementen (z.B. mehrschichtige Spiegel enthaltend) in den Scanner geführt. In dem Scanner wird die EUV-Strahlung zum Projizieren einer Struktur, die in eine Fotomaske geätzt ist, auf einen Halbleiterwafer verwendet. Der EUV-Prozess kann zur Fertigung einer hochauflösenden Struktur von Merkmalen auf den Halbleiterwafer verwendet werden, möglicherweise bei einem Maßstab von sieben Nanometern oder darüber hinaus.
Figurenliste
Aspekte der vorliegenden Offenbarung lassen sich am besten anhand der folgenden detaillierten Beschreibung in Verbindung mit den beiliegenden Zeichnungen verstehen. Es ist zu beachten, dass gemäß der branchenüblichen Praxis verschiedene Merkmale nicht maßstabsgetreu dargestellt sind. Tatsächlich können die Abmessungen der verschiedenen Merkmale zugunsten einer klaren Erläuterung willkürlich vergrößert oder verkleinert sein.

1 veranschaulicht das Konzept einer achsfernen Beleuchtung, wie in Beispielen der vorliegenden Offenbarung verwendet;
2 ist ein vereinfachtes schematisches Diagramm eines beispielhaften Lithografiesystems gemäß Beispielen der vorliegenden Offenbarung;
3 ist eine Draufsicht eines Beispiels des Pupillenfacettenspiegels von 2 gemäß Beispielen der vorliegenden Offenbarung; und
4 veranschaulicht ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zur Fertigung einer Halbleitervorrichtung gemäß mindestens einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.

AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
Die folgende Offenbarung sieht viele verschiedene Ausführungsformen oder Beispiele zur Implementierung verschiedener Merkmale des bereitgestellten Gegenstands vor. Spezielle Beispiele von Komponenten und Anordnungen sind in der Folge zur Vereinfachung der vorliegenden Offenbarung beschrieben. Diese sind natürlich lediglich Beispiele und nicht als Einschränkung gedacht. Zum Beispiel kann die Bildung eines ersten Merkmals über oder auf einem zweiten Merkmal in der folgenden Beschreibung Ausführungsformen enthalten, in welchen das erste und zweite Merkmal in direktem Kontakt gebildet sind, und kann auch Ausführungsformen enthalten, in welchen zusätzliche Merkmale zwischen dem ersten und zweiten Merkmal gebildet sein können, so dass das erste und zweite Merkmal nicht in direktem Kontakt sein mögen. Zusätzlich kann die vorliegende Offenbarung Bezugsnummern und/oder -buchstaben in den verschiedenen Beispielen wiederholen. Diese Wiederholung dient der Einfachheit und Klarheit und legt selbst kein Verhältnis zwischen den verschiedenen besprochenen Ausführungsformen und/oder Konfigurationen fest.
Ferner können raumbezogene Begriffe, wie „unterhalb“, „unter“, „niedriger“, „oberhalb“, „oberer“ und dergleichen hier zur einfachen Beschreibung verwendet werden, um ein Verhältnis eines Elements oder Merkmals zu einem oder mehreren anderen Element(en) oder Merkmal(en) zu beschreiben, die in den Figuren dargestellt sind. Die raumbezogenen Begriffe sollen unterschiedliche Orientierungen der Vorrichtung in Verwendung oder Betrieb zusätzlich zu der in den Figuren dargestellten Orientierung beinhalten. Die Vorrichtung kann anders orientiert (90 Grad oder in anderen Orientierungen gedreht) sein und die raumbezogenen Deskriptoren, die hier verwendet werden, können ebenso dementsprechend interpretiert werden.
In einem Beispiel stellt die vorliegende Offenbarung eine abstimmbare Beleuchtungsvorrichtung für Lithografiesysteme bereit, die Extremultraviolett-Lithografiesysteme (EUV-Lithografiesysteme) enthalten. Wie oben besprochen, kann ein EUV-Lithografiesystem EUV-Strahlung verwenden, um eine Struktur, die in einer Fotomaske gebildet ist, auf einen Halbleiterwafer zu projizieren, und die Struktur kann dann in den Wafer geätzt werden. Der EUV-Prozess kann zur Fertigung einer hochauflösenden Struktur von Merkmalen auf dem Halbleiterwafer verwendet werden, möglicherweise in einem Maßstab von sieben Nanometern oder darüber hinaus für die kritischen Abmessungen der Merkmale. Die kritischen Abmessungen können durch Steuern der Belichtungsenergie des Lithografiesystems (die die Größe der Merkmalabmessungen variiert) und der Tiefenschärfe (DOF, Depth of Focus) am Halbleiterwafer gesteuert werden. Gemeinsam können die Belichtungsenergie und die DOF ein Prozessfenster definieren, in dem Merkmale mit den kritischen Abmessungen auf den Halbleiterwafer gedruckt werden können.
Eine Technik, die als eine effektive Möglichkeit in Erscheinung getreten ist, das Prozessfenster für Lithografiesysteme zu vergrößern, ist Freiformquellenoptimierung. Freiformquellenoptimierung beinhaltet Modifizieren der Intensität jedes Quellpixels, sodass eine flexible, Freiformquellenform für jede Schicht des Halbleiterwafers definiert werden kann, der gedruckt wird. In EUV-Lithografiesystemen (die typischerweise komplexere Beleuchtungssysteme als Nicht-EUV-Lithografiesysteme aufweisen), machen des Designeinschränkungen der Beleuchtungsvorrichtung herausfordernder, die Intensität der Quellpixel anzupassen, um effektive Freiformquellenoptimierung zu erreichen.
Beispiele der vorliegenden Offenbarung stellen eine abstimmbare Beleuchtungsvorrichtung für Lithografiesysteme bereit, enthaltend EUV-Lithografiesysteme. In einem Beispiel weist die abstimmbare Beleuchtungsvorrichtung einen Pupillenfacettenspiegel auf, dessen Facetten in einer Gitterstruktur angeordnet sind. Die Zellen des Gitters (z.B. die Facetten) variieren in Größe und Form und die Verteilung der Zellen über das Gitter ist ebenso nicht gleichförmig. In einem besonderen Beispiel ist die Dichte der Zellen an den Außenrändern der Gitterstruktur (z.B. an den Außenrändern des Pupillenfacettenspiegels) größer als die Dichte der Zellen am Mittelpunkt der Gitterstruktur (z.B. am Mittelpunkt des Pupillenfacettenspiegels). Diese Anordnung von Facetten stellt sicher, dass die Lichtstrahlen, die zu den Rändern der Beleuchtungsebene (z.B. den Rändern der Oberfläche der Fotomaske) gelenkt sind, auf die Beleuchtungsebene in größeren Winkeln fallen als die Lichtstrahlen, die zum Mittelpunkt der Beleuchtungsebene gelenkt sind. Dies stellt wiederum eine stärkere Beleuchtung bei den effektiven Bereichen der Projektionslinse bereit, was ermöglicht, dass Merkmale mit kleineren Teilungen auf dem Halbleiterwafer aufgelöst werden.
Im Kontext der vorliegenden Offenbarung ist der „effektive Bereich“ einer Projektionslinse so zu verstehen, dass er sich auf den Bereich der Projektionslinse bezieht, in dem eine Zielmerkmalteilung aufgelöst werden kann. Mit anderen Worten, zum Auflösen der Zielmerkmalteilung sollte das Licht von der Beleuchtungsvorrichtung winkelig sein, um auf die Projektionslinse in dem effektiven Bereich zu fallen. Der effektive Bereich variiert mit der Größe der Zielmerkmalteilung. Typischerweise, wenn die Zielmerkmalteilung schrumpft, gilt dies auch für den effektiven Bereich (obwohl das Verhältnis zwischen der Teilung und dem effektiven Bereich nicht unbedingt linear ist).
In einem Beispiel kann die Beleuchtungsvorrichtung der vorliegenden Offenbarung angeordnet sein, um den effektiven Bereich unter Verwendung achsferner Beleuchtung (OAI) zu beleuchten. In diesem Fall fällt das Licht, das durch die Beleuchtungsvorrichtung auf die Fotomaske gelenkt wird, auf die Fotomaske in einer Richtung, die zu der Oberfläche der Fotomaske nicht normal ist (d.h. ein Winkel zwischen dem Lichtstrahl und der Fotomaskenoberfläche ist schräg). Die Beugungsstruktur der Fotomaske verschiebt sich wiederum innerhalb des Objektivs der Projektionslinse. Wenn das Fotomaskenraster eine periodische oder regelmäßige Form hat, weist die Beugungsstruktur der Fotomaske mehrere Beugungsordnungen (z.B. Lichtpunkte) auf, in die das Licht geteilt werden kann. Je kleiner die Teilung des Rasters ist, desto geringer ist die Anzahl von Beugungsordnungen, die durch die Projektionslinse gehen.
1 veranschaulicht beispielsweise das Konzept achsferner Beleuchtung, wie in Beispielen der vorliegenden Offenbarung verwendet. Wie veranschaulicht, kann ein Lichtstrahl 102 von einer Beleuchtungsvorrichtung102 und auf eine Oberfläche einer Fotomaske 104 gelenkt werden. Der Winkel θ, in dem der Lichtstrahl 100 auf die Oberfläche der Fotomaske 104 fällt, kann schräg sein (d.h. nicht parallel zu einer imaginären Linie A-A', die normal zu der Oberfläche der Fotomaske 104 ist). Infolgedessen gehen die -1, 0, und +1 Beugungsordnungen (n) durch die Fotomaske 104; es fallen jedoch nur die 0 und -1 Beugungsordnungen auf die Projektionslinse 106 (und werden somit von dieser gesammelt). Das Licht von der 0 und der -1 Beugungsordnung interferiert anschließend miteinander, um ein stetes Bild auf dem Halbleiterwafer 108 zu bilden. Andere (höhere) Beugungsordnungen können vorliegen (z.B. +2, -2, +3, -3 und so weiter), können aber aufgrund der Größenbegrenzungen des optischen Systems verloren gehen.
Im Gegensatz dazu, wenn der Lichtstrahl 100 auf die Fotomaske 104 in einem Winkel von neunzig Grad relativ zu der Fotomaskenoberfläche auftrifft (z.B. sodass der Lichtstrahl 100 parallel zur Linie A-A' ist), würden alle der Beugungsordnungen gleich in einer Weise verschoben werden, die die 0 Beugungsordnung zu der Linie A-A' parallel macht. Infolgedessen könnten die +1 und -1 Beugungsordnung nicht durch die Projektionslinse 106 gesammelt werden (z.B. würden sowohl die +1 als auch die -1 Beugungsordnung außerhalb des Bereichs der Projektionslinse 106 fallen, wie durch die gestrichelten Linien in 1 dargestellt).
Wenn der Lichtstrahl 100 auf die Fotomaske 104 in einem Winkel 0 trifft, ist der Winkel zwischen benachbarten Beugungsordnungen (z.B. zwischen der -1 und 0 Ordnung und zwischen der 0 und +1 Ordnung) gleich dem Winkel θ. Typischerweise, je größer der Wert von 0 (und insbesondere, je größer der Winkel zwischen den benachbarten Beugungsordnungen), desto größer die Anzahl von Quellpunkten, die an den Rändern der Projektionslinse 106 gebildet wird. Daher, wenn θ zunimmt, gilt dies auch für die Beleuchtung des effektiven Bereichs der Projektionslinse. Infolgedessen können Merkmale mit kleinerer Teilung auf dem Halbleiterwafer 108 gedruckt werden. Anders gesagt, je größer der Winkel zwischen den benachbarten Beugungsordnungen, die durch die Projektionslinse 106 gesammelt werden, desto kleiner die Merkmale, die auf dem Halbleiterwafer 108 gedruckt werden können. Dieses Verhältnis kann durch: $sin θ = \frac{n \times λ}{T e i l u n g}$
quantifiziert werden, wo n die Beugungsordnung ist und λ die Wellenlänge des Lichts ist, das auf die Fotomaske 104 fällt.
Daher kann OAI in Beispielen der vorliegenden Offenbarung zur Verstärkung der Auflösung der Strukturen verwendet werden, die auf Halbleiterwafer unter gegebenen numerischen Aperturen (NAs) für die Projektionsoptik gedruckt werden. Die NA kann durch den konvergierenden Winkel zwischen der Projektionslinse und dem Halbleiterwafer definiert sein. Beispielsweise kann NA definiert sein als: $N A = r \times sin θ$
Wo r den Brechungsindex zwischen der endgültigen Projektionslinse und dem Halbleiterwafer darstellt (z.B. m= 1 für Luft, 1,43 für Eintauchen in Wasser usw.). Somit stellt NA die Fähigkeit der Projektionslinse 106 bereit, gebeugtes Licht zu sammeln. Um die feinste Auflösung (z.B. die kleinste Teilung) unter Verwendung von OAI zu erreichen, würde der maximale Einfallswinkel zwischen der Beleuchtungsvorrichtung und der Fotomaske durch den NA-Wert bestimmt werden. In einem lithographischen System mit einer 4x Vergrößerung von der Fotomaske zum Halbleiterwaferbild wäre die NA der Beleuchtungsvorrichtung gleich der NA der Projektionslinse dividiert durch vier. Im Allgemeinen, je höher die NA der Projektionslinse 106, je größer die Projektionslinse 106 ist, desto besser ist die Auflösung der Merkmale, die gedruckt werden können, und desto niedriger ist die DoF der Projektionsoptik.
Zusätzliche Merkmale können der hier offenbarten Beleuchtungsvorrichtung hinzugefügt werden. Einige der unten beschriebenen Merkmale können auch für verschiedene Beispiele ersetzt oder eliminiert werden. Obwohl manche unten offenbarten Beispiele Vorgänge besprechen, die in einer bestimmten Reihenfolge durchgeführt werden, können diese Vorgänge auch in anderen Reihenfolgen durchgeführt werden, ohne vom Umfang der vorliegenden Offenbarung abzuweichen.
Ferner können die hier offenbarte Beleuchtungsvorrichtung und die Verfahren in mehreren Anwendungen eingesetzt werden, enthaltend die Fertigung von finnenartigen Feldeffekttransistoren (FinFETs). Beispielsweise können Beispiele der vorliegenden Offenbarung gut zur Strukturierung der Finnen eines FinFET verwendet werden, um einen relativ engen Abstand zwischen Merkmalen zu erzeugen. In weiteren Beispielen können Abstandhalter, die beim Bilden der Finnen des FinFET verwendet werden, gemäß Beispielen der vorliegenden Offenbarung bearbeitet werden.
2 ist ein vereinfachtes schematisches Diagramm eines beispielhaften Lithografiesystems 200 gemäß Beispielen der vorliegenden Offenbarung. Das Lithografiesystem 200 kann hier auch als ein „Scanner“ bezeichnet werden, der betätigbar ist, Lithografiebelichtungsprozesse mit entsprechenden Strahlungsquellen und Belichtungsmodi durchzuführen.
In einem Beispiel weist das Lithografiesystem 200 im Allgemeinen eine Lichtquelle hoher Helligkeit 202, eine Beleuchtungsvorrichtung 204, eine Maskenplattform 206, eine Fotomaske 208, ein Projektionsoptikmodul 210 und eine Substratplattform 212 auf. In manchen Beispielen kann das Lithografiesystem zusätzliche Komponenten aufweisen, die in 2 nicht veranschaulicht sind, wie Gaszuleitungsmodule, Ableitungsmodule und/oder andere Komponenten. In weiteren Beispielen können eines oder mehrere der Lichtquelle hoher Helligkeit 202, der Beleuchtungsvorrichtung 204, der Maskenplattform 206, der Fotomaske 208, des Projektionsoptikmoduls 210 und der Substratplattform 212 in dem Lithografiesystem 200 fehlen oder können in kombinierte Komponenten integriert sein.
Die Lichtquelle hoher Helligkeit 202 kann konfiguriert sein, Strahlung mit Wellenlängen im Bereich von etwa einem Nanometer bis 250 Nanometern auszustrahlen. In einem besonderen Beispiel erzeugt die Lichtquelle hoher Helligkeit 202 EUV-Licht mit einer Wellenlänge, die bei etwa 13,5 Nanometer zentriert ist; daher kann in manchen Beispielen die Lichtquelle hoher Helligkeit 202 auch als eine „EUV-Lichtquelle“ bezeichnet werden. Es ist jedoch klar, dass die Lichtquelle hoher Helligkeit 202 nicht auf Ausstrahlen von EUV-Licht beschränkt sein soll. Beispielsweise kann die Lichtquelle hoher Helligkeit 202 verwendet werden, um Photonenemission hoher Intensität aus angeregtem Zielmaterial durchzuführen.
In einem Beispiel ist der Begriff „etwa“ so zu verstehen, dass er +/- zwanzig Prozent des angegebenen Werts und noch typischer +/- zehn Prozent des angegebenen Werts und noch typischer +/- fünf Prozent des angegebenen Werts und noch typischer +/- drei Prozent des angegebenen Werts und noch typischer +/- zwei Prozent des angegebenen Werts und noch typischer +/- ein Prozent des angegebenen Werts und sogar noch typischer +/- 0,5 Prozent des angegebenen Werts bedeutet. Der angegebene Wert ist daher ein ungefährer Wert. Falls nicht im Speziellen beschrieben, ist jeder angegebene Wert ein ungefährer gemäß der obenstehenden Definition.
In manchen Beispielen (z.B. wo das Lithografiesystem 200 ein UV-Lithografiesystem ist), weist die Beleuchtungsvorrichtung 204 verschiedene brechende optische Komponenten auf, wie eine einzelne Linse oder ein Linsensystem, das mehrere Linsen (Zonenplatten) aufweist. In einem anderen Beispiel (z.B. wo das Lithografiesystem 200 ein EUV-Lithografiesystem ist), weist die Beleuchtungsvorrichtung 204 verschiedene reflektierende optische Komponenten auf, wie einen einzelnen Spiegel oder ein Spiegelsystem, das mehrere Spiegel aufweist. Die Beleuchtungsvorrichtung204 kann Licht von der Lichtquelle hoher Helligkeit 202 auf die Maskenplattform 206 und insbesondere auf die Fotomaske 208 lenken, die auf der Maskenplattform 206 befestigt ist. Somit fokussiert und formt die Beleuchtungsvorrichtung204 die Strahlung, die durch die Beleuchtungsquelle hoher Helligkeit 202 produziert wird, entlang des Lichtwegs, um eine gewünschte Beleuchtungsstruktur auf der Fotomaske 208 zu produzieren.
In einem Beispiel, wo die Lichtquelle hoher Helligkeit 202 Licht im EUV-Wellenlängenbereich erzeugt, weist die Beleuchtungsvorrichtung 202 reflektierende Optik auf, wie einen Feldfacettenspiegel 218, einen Pupillenfacettenspiegel 220 und verschiedene Relaisspiegel (nicht dargestellt). Wie unten in näherer Einzelheit besprochen ist, kann jeder von dem Feldfacettenspiegel 218 und dem Pupillenfacettenspiegel 220 mehrere reflektierende Facetten aufweisen (z.B. kann der Feldfacettenspiegel eine erste Vielzahl von reflektierenden Facetten aufweisen, während der Pupillenfacettenspiegel eine zweite Vielzahl von reflektierenden Facetten aufweisen kann). Allgemein kann eine EUV-Strahlung von der Lichtquelle hoher Helligkeit 202 gesammelt und als ein Strahl auf den Feldfacettenspiegel 218 fokussiert werden, wo die Facetten des Feldfacettenspiegels den Strahl in mehrere Lichtkanäle teilen. Die Vielzahl von Lichtkanälen wird zu entsprechenden Facetten des Pupillenfacettenspiegels 220 reflektiert, wodurch Bilder der Facetten des Feldfacettenspiegels 218 erzeugt werden. Die Relaisspiegel (z.B. konische Relaisspiegel) können anschließend die Bilder der Facetten des Feldfacettenspiegels auf die Ebene der Fotomaske 208 lenken.
Die Maskenplattform 206 kann konfiguriert sein, die Fotomaske 208 zu sichern. In manchen Beispielen kann die Maskenplattform 206 eine elektrostatische Einspannvorrichtung (e-Einspannvorrichtung) aufweisen, um die Fotomaske 208 zu sichern. Der Grund ist, dass die Gasmoleküle EUV-Licht absorbieren und das Lithografiesystem 200 für EUV-Lithografiestrukturierung in einer Vakuumumgebung gehalten wird, um EUV-Intensitätsverlust zu minimieren. Hier können die Begriffe „Fotomaske“, „Maske“ und „Fadenkreuz“ untereinander austauschbar verwendet werden. In einem Beispiel ist die Fotomaske 208 eine reflektierende Maske.
In manchen Beispielen kann die Fotomaske 208 eine reflektierende Maske aufweisen. Eine beispielhafte Struktur der Fotomaske 208 weist ein Substrat auf, das aus einem geeigneten Material gebildet ist, wie einem Material mit geringer Wärmeausdehnung (LTEM, Low Thermal Expansion Material) oder Quarzglas. In verschiedenen Beispielen kann das LTEM Ti02, dotiertes Si02 oder andere geeignete Materialien mit geringer Wärmeausdehnung aufweisen. Die Fotomaske 208 kann ferner eine reflektierende Mehrfachschicht aufweisen, die auf dem Substrat abgeschieden ist.
Die reflektierende Mehrfachschicht kann mehrere Filmpaare aufweisen, wie in gewissen Beispielen Molybdän-Silizium-Filmpaare (Mo/Si-Filmpaare) (z.B. eine Schicht Molybdän über oder unter einer Schicht Silizium in jedem Filmpaar). Alternativ kann die reflektierende Mehrfachschicht Molybdän-Beryllium-Filmpaare (Mo/Be-Filmpaare) oder andere geeignete Materialien aufweisen, die konfigurierbar sind, um das EUV-Licht stark zu reflektieren. Die Fotomaske 208 kann ferner eine Abdeckschicht aufweisen, wie eine Abdeckschicht, die aus Ruthenium (Ru) gebildet ist, die auf der reflektierenden Mehrfachschicht zum Schutz angeordnet ist. Die Fotomaske 108 kann ferner eine Absorptionsschicht aufweisen, wie eine Tantalbornitridschicht (TaBN-Schicht), die über der reflektierenden Mehrfachschicht abgeschieden ist. Die Absorptionsschicht kann strukturiert sein, um eine Schicht einer integrierten Schaltung (IC) zu bilden. Alternativ kann eine andere reflektierende Schicht über der reflektierenden Mehrfachschicht abgeschieden werden und kann strukturiert werden, um eine Schicht eines IC-Bauteils zu bilden, wodurch eine EUV-Phasenverschiebungsmaske gebildet wird.
In manchen Beispielen kann ein Pellikel 214 über der Fotomaske 208, z.B. zwischen der Fotomaske 208 und der Substratplattform 212 positioniert sein. Das Pellikel 214 kann die Fotomaske 208 vor Partikeln schützen und kann die Partikeln aus dem Brennpunkt halten, sodass die Partikel kein Bild erzeugen (was während des Lithografieprozesses Defekte auf einem Wafer erzeugen kann).
Das Projektionsoptikmodul 210 kann zur Abbildung der Struktur der Fotomaske 208 auf einen Halbleiterwafer 216 konfiguriert sein, der auf der Substratplattform 212 gesichert ist, z.B. durch Projizieren eines strukturierten Strahlenbündels auf den Halbleiterwafer 216. In einem Beispiel weist das Projektionsoptikmodul 210 brechende Optik auf (wie für ein UV-Lithografiesystem). In einem anderen Beispiel weist das Projektionsoptikmodul 210 reflektierende Optik auf (wie für ein EUV-Lithografiesystem). Das Licht, das von der Fotomaske 208, die das Bild der Struktur trägt, die auf der Fotomaske 208 definiert ist, gelenkt wird, kann von dem Projektionsoptikmodul 210 gesammelt werden. Die Beleuchtungsvorrichtung 204 und das Projektionsoptikmodul 210 können gemeinsam als ein „optisches Modul“ des Lithografiesystems 200 bezeichnet werden.
In manchen Beispielen kann der Halbleiterwafer 216 ein Bulk-Halbleiterwafer sein. Beispielsweise kann der Halbleiterwafer 216 einen Siliziumwafer aufweisen. Der Halbleiterwafer 216 kann Silizium oder ein anderes elementares Halbleitermaterial wie Germanium aufweisen. In manchen Beispielen kann der Halbleiterwafer 216 einen Verbindungshalbleiter aufweisen. Der Verbindungshalbleiter kann Galliumarsenid, Siliziumcarbid, Indiumarsenid, Indiumphosphid, ein anderes geeignetes Material oder eine Kombination davon aufweisen. In einem weiteren Beispiel kann der Halbleiterwafer 216 einen Legierungshalbleiter, wie Siliziumgermanium, Siliziumgermaniumcarbid, Galliumarsenphosphid oder Galliumindiumphosphid aufweisen. In anderen Beispielen kann der Halbleiterwafer 216 ein Silizium-auf-Isolator-Substrat (SOI-Substrat) oder ein Germanium-auf-Isolator-Substrat (GOI-Substrat) aufweisen. Das SOI-Substrat kann unter Verwendung eines Prozesses zur Trennung durch Implantation von Sauerstoff, (Separation by Implantation of Oxygen, SIMOX-Prozess), eines Waferbondingprozesses, eines anderen anwendbaren Prozesses oder einer Kombination davon gefertigt werden.
In manchen Beispielen weist der Halbleiterwafer 216 ein undotiertes Substrat auf. In anderen Beispielen jedoch weist das Halbleitersubstrat 216 ein dotiertes Substrat, wie ein p-Substrat oder ein n-Substrat, auf.
In manchen Beispielen weist der Halbleiterwafer 216 verschiedene dotierte Gebiete (nicht dargestellt) auf, abhängig von den Designanforderungen der Halbleitervorrichtungsstruktur. Die dotierten Gebiete können zum Beispiel, p-Wannen und/oder n-Wannen aufweisen. In manchen Beispielen sind die dotierten Gebiete mit p-Dotierstoffen dotiert. Zum Beispiel können die dotierten Gebiete mit Bor oder Borfluorid dotiert sein. In anderen Beispielen sind die dotierten Gebiete mit n-Dotierstoffen dotiert. Zum Beispiel können die dotierten Gebiete mit Phosphor oder Arsen dotiert sein. In manchen Beispielen sind manche der dotierten Gebiete p-dotiert und andere dotierte Gebiete sind n-dotiert.
In manchen Beispielen kann eine Zwischenverbindungsstruktur über dem Halbleiterwafer 216 gebildet sein. Die Zwischenverbindungsstruktur kann mehrere Zwischenschichtdielektrikumschichten aufweisen, die Dielektrikumschichten aufweisen. Die Zwischenverbindungsstruktur kann auch mehrere leitfähige Merkmale aufweisen, die in den Zwischenschichtdielektrikumschichten gebildet sind. Die leitfähigen Merkmale können leitfähige Leitungen, leitfähige Durchkontaktierungen und/oder leitfähige Kontakte aufweisen.
In manchen Beispielen sind verschiedene Vorrichtungselemente in dem Halbleiterwafer 216 gebildet. Beispiele der verschiedenen Vorrichtungselemente können Transistoren (z.B. Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs, Metal Oxid Semiconductor Field Effect Transistors), komplementäre Metalloxid-Halbleiter-Transistoren (CMOS-Transistoren) bipolare Transistoren (BJTs, Bipolar Junction Transistors), Hochspannungstransistoren, Hochfrequenztransistoren, p-Kanal- und/oder n-Kanal-Feldeffekttransistoren (PFETs und/oder NFETs), Dioden oder andere geeignete Elemente enthalten. Verschiedene Prozesse können verwendet werden, um die verschiedenen Vorrichtungselemente zu bilden, enthaltend Abscheiden, Ätzen, Implantation, Fotolithografie, Tempern und/oder andere anwendbare Prozesse.
Die Vorrichtungselemente können durch die Zwischenverbindungsstruktur über dem Halbleiterwafer 216 verbunden sein, um IC-Bauteile zu bilden. Die IC-Bauteile können logische Vorrichtungen, Speichervorrichtungen (z.B. statische Direktzugriffsspeichervorrichtungen (Static Random Access Memory, SRAM-Vorrichtungen), Hochfrequenzvorrichtungen (Radio Frequency, RF-Vorrichtungen) Eingabe-/Ausgabevorrichtungen (Input/Output, I/O-Vorrichtungen) System-auf-Chip-Vorrichtungen (System-on-Chip, SoC-Vorrichtungen), Bildsensorvorrichtungen, andere anwendbare Vorrichtungen oder eine Kombination davon enthalten.
In manchen Beispielen kann der Halbleiterwafer 216 mit einer Fotolackschicht beschichtet sein, die für EUV-Licht empfindlich ist. Verschiedene Komponenten, enthaltend jene, die oben beschrieben sind, können gemeinsam integriert sein und betreibbar sein, um die Lithografiebelichtungsprozesse durchzuführen.
Es ist klar, dass 2 eine vereinfachte Form eines Lithografiesystems 200 darstellt. In manchen Beispielen kann das Lithografiesystem 200 zusätzliche Komponenten aufweisen, die nicht veranschaulicht sind, wie zusätzliche Optik, eine Plasmaquelle und andere Komponenten.
3 ist eine Draufsicht eines Beispiels des Pupillenfacettenspiegels 220 von 2, gemäß Beispielen der vorliegenden Offenbarung. Wie veranschaulicht, kann der Pupillenfacettenspiegel eine im Allgemeinen kreisförmige Form aufweisen und kann mehrere Facetten 3001-300m (in der Folge hier einzeln als eine „Facette 300“ bezeichnet oder gemeinsam als „Facetten 300“ bezeichnet) aufweisen, die in der im Allgemeinen kreisförmigen Form angeordnet sind. Es sollte festgehalten werden, dass der Einfachheit wegen nur einige der Facetten 300 in 3 markiert sind.
In manchen Beispielen sind die Facetten 300 in einer Gitterstruktur angeordnet, wie dargestellt. Daher können die Facetten 300 auch als „Zellen“ der Gitterstruktur bezeichnet werden. Wie in 3 dargestellt, kann die Verteilung der Facetten 300 auf dem Pupillenfacettenspiegel 220 nicht gleichförmig sein. Insbesondere, obwohl die Verteilung der Facetten 300 örtlich über örtliche Bereiche des Pupillenfacettenspiegels 220 gleichförmig sein kann (z.B. können die Facetten 300, die gleiche Abstände zum Mittelpunkt des Pupillenfacettenspiegels 220 aufweisen, in gleichförmiger Weise relativ zueinander verteilt sein), ist die Verteilung der Facetten 300 allgemein nicht gleichförmig (d.h. über die gesamte Oberfläche des Pupillenfacettenspiegels 220 nicht gleichförmig). Beispielsweise kann die Dichte der Gitterstruktur vom Mittelpunkt der Gitterstruktur zur Peripherie der Gitterstruktur (z.B. entlang der Richtungen der Pfeile 302) zunehmen. Folglich können die Größen der Facetten 300 vom Mittelpunkt der Gitterstruktur zu der Peripherie der Gitterstruktur abnehmen. Mit anderen Worten, die Facetten 300, die um die Peripherie des Pupillenfacettenspiegels 220 (z.B. wie Facette 300" und ihre benachbarten Facetten 300) angeordnet sind, können kleiner und dichter gepackt sein als die Facetten 300, die näher beim Mittelpunkt des Pupillenfacettenspiegels 220 angeordnet sind (z.B. wie Facette 300₁ und ihre benachbarten Facetten 300).
Die Facetten 300 können eine beliebige Form annehmen. Ferner können die Formen und/oder Abmessungen der Facetten 300 über die Fläche des Pupillenfacettenspiegels 220 variieren. Das heißt, die Facetten 300 haben nicht unbedingt alle dieselbe Form und/oder Abmessungen. Beispielsweise sind in dem Beispiel, das in 3 veranschaulicht ist, die Facetten 300, die dem Mittelpunkt des Pupillenfacettenspiegels 220 am nächsten sind (z.B. enthaltend Facette 300₁) keilförmig; die Facetten 300 jedoch, die weiter weg vom Mittelpunkt des Pupillenfacettenspiegels 220 sind (z.B. enthaltend Facetten 300₂-300_m), können mehr wie gekrümmte Vielecke (z.B. Rechtecke, Trapezoide oder dergleichen) geformt sein. Ferner können die Größen und Abmessungen dieser gekrümmten Vielecke variieren. Beispielsweise können die gekrümmten Vielecke der Facetten 300, die der Peripherie des Pupillenfacettenspiegels 220 am nächsten sind, die kleinsten sein (d.h. die kleinsten entsprechenden Flächen aufweisen). Somit können die Facetten 300 Facetten in mindestens zwei verschiedenen Größen und/oder mindestens zwei verschiedenen Formen aufweisen. Es sollte festgehalten werden, dass, obwohl die Facetten 300 mit verschiedenen Formen und Anordnungen in 3 veranschaulicht sind, die Facetten 300 in anderen Weisen geformt und angeordnet sein können als veranschaulicht ist, solange die Verteilung der Facetten 300 an der Peripherie des Pupillenfacettenspiegels 220 dichter ist als am Mittelpunkt des Pupillenfacettenspiegels.
Die Anordnung von Facetten 300 auf dem Pupillenfacettenspiegel 220 garantiert eine stärkere Beleuchtung in den effektiven Bereichen einer Projektionslinse. Insbesondere bewirkt die dichtere Verteilung von Facetten 300 an der Peripherie des Pupillenfacettenspiegels 220, dass das Licht zu einer Fotomaske gelenkt wird, um auf die Ränder der Fotomaske in größeren Winkeln einzufallen. Dies erlaubt wiederum eine stärkere Beleuchtung (z.B. eine größere Anzahl von Beugungsordnungen), die in den effektiven Bereichen (z.B. an den Rändern) der Projektionslinse gesammelt wird, wie oben beschrieben. Infolge der stärkeren Beleuchtung in den effektiven Bereichen können Merkmale mit kleineren Teilungen auf einem Halbleiterwafer aufgelöst werden.
4 veranschaulicht ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens 400 zur Fertigung einer Halbleitervorrichtung gemäß mindestens einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Mindestens einige Schritte des Verfahrens 400 können durch ein Steuergerät eines EUV-Lithografiesystems durchgeführt werden, wie des in 2 veranschaulichten Lithografiesystems.
Während das Verfahren 400 in der Folge als eine Reihe von Vorgängen oder Ereignissen veranschaulicht und beschrieben ist, ist klar, dass die veranschaulichte Reihung solcher Vorgänge oder Ereignisse nicht in einem einschränkenden Sinn zu interpretieren ist. Zum Beispiel können einige Vorgänge in anderen Reihenfolgen und/oder gleichzeitig mit anderen Vorgängen oder Ereignissen abgesehen von den hier veranschaulichten und/oder beschriebenen erfolgen. Zusätzlich können nicht alle Vorgänge notwendig sein, um einen oder mehrere Aspekte oder Ausführungsformen der vorliegenden Beschreibung zu implementieren. Ferner können einer oder mehrere der hier gezeigten Vorgänge in einem oder mehreren separaten Vorgängen und/oder einer oder mehreren separaten Phasen ausgeführt werden.
Das Verfahren 400 beginnt in Schritt 402. In Schritt 404 kann eine EUV-Lichtquelle aktiviert werden, um eine Fotolackschicht auf einem Substrat zu strukturieren (wo das Substrat ein Halbleiterwafer sein kann). Zum Beispiel kann die EUV-Lichtquelle Teil eines Lithografiesystems sein, wie des in 1 veranschaulichten und oben besprochenen Systems. Somit kann die EUV-Lichtquelle Licht in Extremultraviolettwellenlängen erzeugen (möglicherweise durch Verdampfen von Metalltröpfchen zu einem hoch ionisierten Plasma).
In Schritt 406 kann Licht, das von der EUV-Lichtquelle ausgestrahlt wird, unter Verwendung einer Beleuchtungsvorrichtung, die mehrere reflektierende Facetten aufweist, die in einer nicht gleichförmigen Gitterstruktur angeordnet sind auf eine Fotomaske gelenkt werden. In einem Beispiel ist die Vielzahl von reflektierenden Facetten als ein Pupillenfacettenspiegel der Beleuchtungsvorrichtung angeordnet. In einem anderen Beispiel kann die nicht gleichförmige Gitterstruktur variieren, sodass die Facetten an der Peripherie des Pupillenfacettenspiegels dichter verteilt sind als am Mittelpunkt des Pupillenfacettenspiegels. Beispielsweise kann die Vielzahl von Facetten wie in 3 dargestellt angeordnet sein. Die Richtung des Lichts durch die oben beschriebene Beleuchtungsvorrichtung kann bewirken, dass das Licht in schrägen Winkeln auf die Oberfläche der Fotomaske fällt.
In Schritt 408 können mehrere Beugungsordnungen des Lichts, die durch die Fotomaske gehen, durch eine Projektionslinse in den effektiven Bereichen der Projektionslinse gesammelt werden. Die effektiven Bereiche der Projektionslinse können relativ zu einer Zielteilung für Merkmale definiert sein, die auf dem Substrat gedruckt werden sollen. Je kleiner beispielsweise, wie oben besprochen, die Zielteilung ist, desto kleiner ist der entsprechende effektive Bereich zum Drucken der Zielteilung.
In Schritt 410 kann das Licht von der Projektionslinse auf die Fotolackschicht gelenkt werden, um die Fotolackschicht zu strukturieren. Beispielsweise kann Belichtung der Fotolackschicht mit dem Licht bewirken, dass Merkmale mit der Zielteilung in dem Fotolack gedruckt werden.
In einer Ausführungsform können die Blöcke 404-410 ständig während des Betriebs der EUV-Lichtquelle wiederholt werden (z.B. für mehrere Schichten des Substrats). In Block 412 kann das Verfahren 400 enden.
Somit ermöglichen Beispiele der vorliegenden Offenbarung, dass Merkmale mit sehr kleinen Teilungen durch ein EUV-Lithografiesystem, das eine Freiformquelle verwendet, auf Halbleiterwafern gedruckt werden. In einem Beispiel stellt die vorliegende Offenbarung eine Einrichtung bereit, die eine Extremultraviolett-Beleuchtungsquelle und eine Beleuchtungsvorrichtung aufweist. Die Extremultraviolett-Beleuchtungsquelle ist angeordnet, um einen Strahl einer Extremultraviolett-Beleuchtung zu erzeugen, um eine Fotolackschicht auf einem Substrat zu strukturieren. Die Beleuchtungsvorrichtung ist angeordnet, um den Strahl einer Extremultraviolett-Beleuchtung auf die Oberfläche einer Fotomaske zu lenken. In einem Beispiel weist die Beleuchtungsvorrichtung einen Feldfacettenspiegel und einen Pupillenfacettenspiegel auf. Der Feldfacettenspiegel weist eine erste Vielzahl von Facetten auf, die angeordnet ist, den Strahl einer Extremultraviolett-Beleuchtung in mehrere Lichtkanäle zu teilen. Der Pupillenfacettenspiegel weist eine zweite Vielzahl von Facetten auf, die angeordnet ist, die Vielzahl von Lichtkanälen auf eine Oberfläche der Fotomaske zu lenken. Die Verteilung der zweiten Vielzahl von Facetten ist an einer Peripherie des Pupillenfacettenspiegels dichter als an einem Mittelpunkt des Pupillenfacettenspiegels.
In einem anderen Beispiel wird eine Extremultraviolett-Lichtquelle aktiviert, um eine Fotolackschicht auf einem Substrat zu strukturieren. Licht, das von der Extremultraviolett-Lichtquelle ausgestrahlt wird, wird unter Verwendung einer Beleuchtungsvorrichtung, die mehrere reflektierende Facetten aufweist, die in einer nicht gleichförmigen Gitterstruktur angeordnet sind, auf eine Fotomaske gelenkt. Eine Vielzahl von Beugungsordnungen des Lichts, die durch die Fotomaske gehen, wird in einem effektiven Bereich einer Projektionslinse gesammelt. Licht der Vielzahl von Beugungsordnungen wird dann auf die Fotolackschicht gelenkt.
In einem anderen Beispiel stellt die vorliegende Offenbarung eine Einrichtung bereit, die eine Lichtquelle hoher Helligkeit, eine Beleuchtungsvorrichtung, eine Fotomaske und eine Projektionslinse aufweist. Die Lichtquelle hoher Helligkeit ist angeordnet, um Beleuchtung zu erzeugen, um eine Fotolackschicht auf einem Substrat zu strukturieren. Die Beleuchtungsvorrichtung lenkt die Beleuchtung unter Verwendung mehrerer reflektierender Facetten, die in einer nicht gleichförmigen Gitterstruktur angeordnet sind, auf eine Oberfläche der Fotomaske. Die Fotomaske erzeugt mehrere Beugungsordnungen von der Beleuchtung. Die Projektionslinse sammelt mindestens einige Beugungsordnungen der Vielzahl von Beugungsordnungen und fokussiert die mindestens einigen Beugungsordnungen auf die Fotolackschicht.
Zuvor wurden Merkmale von mehreren Ausführungsformen angeführt, so dass Fachleute auf dem Gebiet die Aspekte der vorliegenden Offenbarung besser verstehen können. Fachleute auf dem Gebiet sollten zu schätzen wissen, dass sie die vorliegende Offenbarung leicht als Basis zur Gestaltung oder Modifizierung anderer Prozesse und Strukturen zur Ausführung derselben Zwecke und/oder zum Erreichen derselben Vorteile der hier vorgestellten Ausführungsformen verwenden können. Fachleute auf dem Gebiet sollten auch erkennen, dass solche äquivalenten Konstruktionen nicht vom Wesen und Umfang der vorliegenden Offenbarung abweichen und dass sie hier verschiedene Änderungen, Ersetzungen und Abänderungen vornehmen können, ohne vom Wesen und Umfang der vorliegenden Offenbarung abzuweichen.

Claims

Einrichtung, aufweisend: eine Extremultraviolett-Beleuchtungsquelle, die angeordnet ist, um einen Strahl einer Extremultraviolett-Beleuchtung zu erzeugen, um eine Fotolackschicht auf einem Substrat zu strukturieren; und eine Beleuchtungsvorrichtung, die angeordnet ist, um den Strahl einer Extremultraviolett-Beleuchtung auf eine Oberfläche einer Fotomaske zu lenken, wobei die Beleuchtungsvorrichtung aufweist: einen Feldfacettenspiegel, der eine erste Vielzahl von Facetten aufweist, die angeordnet sind, um den Strahl einer Extremultraviolett-Beleuchtung in mehrere Lichtkanäle zu teilen; und einen Pupillenfacettenspiegel, der eine zweite Vielzahl von Facetten aufweist, die angeordnet sind, um die Vielzahl von Lichtkanälen auf die Oberfläche der Fotomaske zu lenken, und wobei eine Verteilung der zweiten Vielzahl von Facetten an einer Peripherie des Pupillenfacettenspiegels dichter ist als an einem Mittelpunkt des Pupillenfacettenspiegels.
Einrichtung nach Anspruch 1, weiter aufweisend: die Fotomaske, wobei die Fotomaske ein Raster aufweist, um jeden Lichtkanal der Vielzahl von Lichtkanälen in mehrere Beugungsordnungen zu teilen; und eine Projektionslinse, um mindestens einige Beugungsordnungen der Vielzahl von Beugungsordnungen zu sammeln und die mindestens einigen Beugungsordnungen auf die Fotolackschicht zu fokussieren.
Einrichtung nach Anspruch 2, wobei die zweite Vielzahl von Facetten angeordnet ist, um die Vielzahl von Lichtkanälen so zu lenken, dass mindestens einige Lichtkanäle der Vielzahl von Lichtkanälen in einem Winkel auf die Oberfläche der Fotomaske fallen, der relativ zu der Oberfläche der Fotomaske schräg ist.
Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei der Pupillenfacettenspiegel eine kreisförmige Form hat.
Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die zweite Vielzahl von Facetten Facetten in mindestens zwei unterschiedlichen Größen aufweist.
Einrichtung nach Anspruch 5, wobei Facetten einer kleineren Größe der mindestens zwei unterschiedlichen Größen an der Peripherie des Pupillenfacettenspiegels positioniert sind, und Facetten einer größeren Größe der mindestens zwei unterschiedlichen Größen am Mittelpunkt des Pupillenfacettenspiegels positioniert sind.
Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die zweite Vielzahl von Facetten Facetten in mindestens zwei unterschiedlichen Größen aufweist.
Verfahren, umfassend: Aktivieren einer Extremultraviolett-Lichtquelle, um eine Fotolackschicht auf einem Substrat zu strukturieren; Lenken von Licht, das von der Extremultraviolett-Lichtquelle ausgestrahlt wird, auf eine Fotomaske unter Verwendung einer Beleuchtungsvorrichtung, die mehrere reflektierende Facetten aufweist, die in einer nicht gleichförmigen Gitterstruktur angeordnet sind; Sammeln mehrerer Beugungsordnungen des Lichts, die durch die Fotomaske gehen, in einem effektiven Bereich einer Projektionslinse; und Lenken von Licht der Vielzahl von Beugungsordnungen auf die Fotolackschicht.
Verfahren nach Anspruch 8, wobei die nicht gleichförmige Gitterstruktur mehrere Zellen aufweist und jede Zelle der Vielzahl von Zellen einer Facette der Vielzahl von reflektierenden Facetten entspricht.
Verfahren nach Anspruch 9, wobei eine Verteilung der Vielzahl von Zellen an einer Peripherie der nicht gleichförmigen Gitterstruktur dichter ist als an einem Mittelpunkt der gleichförmigen Gitterstruktur.
Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 10, wobei die nicht gleichförmige Gitterstruktur eine kreisförmige Form hat.
Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 11, wobei die Vielzahl von Zellen Zellen in mindestens zwei unterschiedlichen Größen aufweist.
Verfahren nach Anspruch 12, wobei Zellen einer kleineren Größe der mindestens zwei unterschiedlichen Größen an der Peripherie der nicht gleichförmigen Gitterstruktur positioniert sind und Zellen einer größeren Größe der mindestens zwei unterschiedlichen Größen am Mittelpunkt der nicht gleichförmigen Gitterstruktur positioniert sind.
Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 13, wobei die Vielzahl von Zellen Zellen in mindestens zwei verschiedenen Formen enthält.
Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 14, wobei das Lenken des Lichts auf die Fotomaske derartiges Lenken des Lichts umfasst, dass mindestens einige Strahlen des Lichts auf eine Oberfläche der Fotomaske in einem Winkel fallen, der relativ zu der Oberfläche der Fotomaske schräg ist.
Einrichtung, aufweisend: eine Lichtquelle hoher Helligkeit, die angeordnet ist, Beleuchtung zu erzeugen, um eine Fotolackschicht auf einem Substrat zu strukturieren; eine Beleuchtungsvorrichtung, um die Beleuchtung unter Verwendung mehrerer reflektierender Facetten, die in einer nicht gleichförmigen Gitterstruktur angeordnet sind, auf eine Oberfläche einer Fotomaske zu lenken; die Fotomaske, um mehrere Beugungsordnungen von der Beleuchtung zu erzeugen; und eine Projektionslinse, um mindestens einige Beugungsordnungen der Vielzahl von Beugungsordnungen zu sammeln und die mindestens einigen Beugungsordnungen auf die Fotolackschicht zu fokussieren.
Einrichtung nach Anspruch 16, wobei die nicht gleichförmige Gitterstruktur mehrere Zellen aufweist und jede Zelle der Vielzahl von Zellen einer Facette der Vielzahl von reflektierenden Facetten entspricht.
Einrichtung nach Anspruch 17, wobei die Vielzahl von Zellen Zellen in mindestens zwei verschiedenen Formen enthält.
Einrichtung nach einem der Ansprüche 16 bis 18, wobei die Lichtquelle hoher Helligkeit eine Extremultraviolett-Lichtquelle ist.
Einrichtung nach einem der Ansprüche 16 bis 19, wobei die Vielzahl von reflektierenden Facetten angeordnet ist, die Beleuchtung so zu lenken, dass mindestens etwas der Beleuchtung in einem Winkel, der relativ zu der Oberfläche der Fotomaske schräg ist, auf die Oberfläche der Fotomaske fällt.