CN117441122A - 成像光学单元 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 147
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 65
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 23
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 230000004075 alteration Effects 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 claims description 2
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 238000009304 pastoral farming Methods 0.000 description 9
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 7
- 206010010071 Coma Diseases 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 description 2
- 229920002430 Fibre-reinforced plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- ZGHDMISTQPRNRG-UHFFFAOYSA-N dimolybdenum Chemical compound [Mo]#[Mo] ZGHDMISTQPRNRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011151 fibre-reinforced plastic Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- FTIMWVSQXCWTAW-UHFFFAOYSA-N ruthenium Chemical compound [Ru].[Ru] FTIMWVSQXCWTAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/08—Mirrors
- G02B5/0891—Ultraviolet [UV] mirrors
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/02—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system
- G02B17/06—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror
- G02B17/0647—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using more than three curved mirrors
- G02B17/0663—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using more than three curved mirrors off-axis or unobscured systems in which not all of the mirrors share a common axis of rotational symmetry, e.g. at least one of the mirrors is warped, tilted or decentered with respect to the other elements
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70233—Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B13/00—Optical objectives specially designed for the purposes specified below
- G02B13/08—Anamorphotic objectives
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Abstract
一种成像光学单元(7)，包含多个反射镜(M1至M8)，其用于将物面(5)中的物场(4)成像到像面(9)中的像场(8)中。像侧数值孔径大于0.55。物/像偏移a与子午横向方向c之间的比率为至少0.5。物面(5)与反射镜(M4)之一的最接近于物面的反射部位之间的工作距离b，与子午横向尺寸c之间的比率为至少0.05。该工作距离b为至少270mm。这产生成像光学单元，其在投射曝光设备中的使用是尽可能可管理的，特别是对于EUV投射光刻。
Description
相关申请的引用
本专利申请案主张德国专利申请案DE 10 2021 205 774.8的优先权，其内容通过引用并入本文中。
技术领域
本专利申请案关于一种成像光学单元，包含多个反射镜，其用于将物场成像到像场中，前述成像光学单元的反射镜能够借助测试光学单元来测量。又，本发明关于一种包含此类成像光学单元的光学系统、一种包含此类光学系统的照明系统、一种包含此类照明系统的投射曝光设备、一种用于生成微结构化或纳米结构化部件的方法、和一种通过任何此类方法而生成的微结构化或纳米结构化部件。
背景技术
一开始所阐述的类型的成像光学单元或投射光学单元从DE 10 2019 219 209A1、DE 10 2019 208 961 A1、WO 2009/010213 A1、US2016/0085061 A1、DE 10 2012 202675 A1、DE 10 2009 011 328 A1、US 8,027,022 B2和US 6,577,443 B2已知。用于投射曝光设备的照明光学单元从DE 10 2009 045 096 A1已知。
发明内容
本发明的目的是开发引言中所提及的类型的成像光学单元，使得：其在投射曝光设备中的使用是尽可能可管理的，特别是对于EUV投射光刻。
依据本发明，认可具有一方面在物/像偏移与子午横向尺寸之间以及另一方面在工作距离与子午横向尺寸之间尽可能大的比率的成像光学单元的尺寸比率导致成像光学单元确保晶片夹持器不会与成像光学单元的上游的照明光学单元的光学部件碰撞(相对较大物/像偏移的条件)、确保与用于视需要设计用于更换物体的物体夹持器的物面相邻的可用安装空间足够(相对较大工作距离)、以及其中容置投射曝光设备的整个光学单元的可能真空容器无需采用非所需大尺寸(相对较小子午横向尺寸)制作。
具有待成像的结构的物体或其一部位可设置在物场中。物体结构成像的基板或基板部位可设置在像场中。
如权利要求1的成像光学单元由于给定的尺寸比率，而以可管理形式满足这三项基准(criteria)。
如权利要求2至权利要求4的用于物/像偏移、用于工作距离、并用于子午横向尺寸的绝对尺寸被发现是特别具有优势。
本发明的优势在如权利要求5的变形(anamorphic)成像光学单元的情况下为特别明显。对应变形光学单元从US 9,366,968已知。
如权利要求6的成像光学单元提供用于高品质结构成像。
如权利要求7的成像光学单元促进对整个给定像场大小的良好成像校正。
如权利要求8和权利要求9的成像光学单元已证明其在实践中的价值。可有超过四个GI反射镜，例如这些可能总共六个或八个。可有超过三个NI反射镜，例如这些可能总共四个。
如权利要求10的光学系统、如权利要求11的照明系统、如权利要求12的投射曝光设备、如权利要求13的生成方法、和如权利要求14的微结构化或纳米结构化部件的优势，对应于已在以上参照依据本发明的成像光学单元所解说的那些。
特别是，可生成半导体部件(例如存储器晶片)。
附图说明
本发明的示例性具体实施例在以下参照所附图式更详细解说，其中：
图1示意性显示用于EUV微光刻的投射曝光设备；
图2以子午截面显示可在依据图1的投射曝光设备中用作投射镜头的成像光学单元的具体实施例，其中用于主光线并用于三个所选择场点的上彗形像差(coma)光线和下彗形像差光线的成像波束路径被描绘；
图3以类似于图2的例示图显示可在图1中投射曝光设备中用作投射光学单元的成像光学单元的又一具体实施例；以及
图4以类似于图2的例示图显示可在图1中投射曝光设备中用作投射光学单元的成像光学单元的又一具体实施例。
具体实施方式
微光刻投射曝光设备1包含光源2，其用于照明光或成像光3。光源2是EUV光源，其生成例如在5nm至30nm之间、特别是在5nm至15nm之间波长范围内的光。特别是，光源2可为具有13.5nm的波长的光源或具有6.9nm的波长的光源。其他EUV波长也为可能。一般来说，在投射曝光设备1中所引导的照明光3甚至可能具有任何所需波长，例如可见波长或者可能在微光刻(如DUV、深紫外线)中找到用途并可使用合适激光光源和/或LED光源的其他波长(如365nm、248nm、193nm、157nm、129nm、109nm)。照明光3的波束路径在图1中非常示意性描绘出。
照明光学单元6用于将来自光源2的照明光3引导到物面5中的物场4。使用投射光学单元或成像光学单元7，物场4采用给定可能变形缩减比例(scale)成像到像面9中的像场8。
为了促进对投射曝光设备1以及投射光学单元7的各种具体实施例进行说明，笛卡尔xyz坐标系统在所附图式中指示，从该系统，所述图式中所例示的部件的各自定位关系为显而易见的。在图1中，x方向垂直于所附图式的平面延伸到平面中。y方向朝向左侧延伸，而z方向向上延伸。
物场4和像场8是矩形的。或者，物场4和像场8也可能具有有弯折或弯曲具体实施例，即，特别是部分环形。物场4和像场8具有有大于1的x/y深宽比。因此，物场4在x方向上具有较长物场尺寸，而在y方向上具有较短物场尺寸。这些物场尺寸沿着场坐标x和y延伸。
图2、图3、和图4中所描绘出的示例性具体实施例之一(这仍然将在以下更详细解说)可用于投射光学单元7。
依据图2的投射光学单元7具有变形具体实施例。在yz平面中，即在依据图2的截面的子午平面中，投射光学单元7具有8的缩减比例|βy|。因此，在子午平面yz中，物场4缩减8倍成像到像场8上。在垂直于子午平面的弧矢平面xz中，投射光学单元7的缩减比例|βx|为4。在此xz平面中，物场4因此缩减4倍成像到物面5与像面9之间的像场8中。其他整数或非整数绝对缩减比例βx、βy也是可能的，如将依然在以下基于又一示例性具体实施例解说。
像场8具有例如26mm的x范围，以及例如2mm的y范围。
在依据图2以及下列等等的投射光学单元7的具体实施例中，像面9平行于物面5设置。在这种情况下，成像的是与物场4重合的反射掩模10(也指称为掩模母版)的一部位。掩模母版10通过掩模母版夹持器10a来承载。掩模母版夹持器10a通过掩模母版位移驱动器10b来移位。
通过投射光学单元7的成像系实行在形式为晶片(其通过基板夹持器12承载)的基板11的表面上。基板夹持器12通过晶片或基板位移驱动器12a来移位。
图1示意性描绘出(在掩模母版10与投射光学单元7之间)进入到前述投射光学单元中的照明光3的波束13，以及(在投射光学单元7与基板11之间)从投射光学单元7发出的照明光3的波束14。在图1中，投射光学单元7的像场侧数值孔径(NA)未按比例再现。
投射曝光设备1是扫描仪的类型。在投射曝光设备1的操作期间，掩模母版10和基板11皆在y方向上被扫描。投射曝光设备1的步进器类型(其中掩模母版10和基板11在y方向上的步进式移位在基板11的个别曝光之间实行)也为可能的。这些移位通过位移驱动器10b和12a的适当致动而彼此同步实行。
图2显示投射光学单元7的第一具体实施例的光学设计。图2描绘出从图2中y方向上彼此间隔开的三个物场点发出的三个个别光线29(在每种情况下)的波束路径。所描绘出的是：主光线30，即通过投射光学单元7的光瞳平面中光瞳的中心的个别光线29，以及(在每种情况下)上彗形像差(coma)光线和下彗形像差光线，即这两个物场点的、分别通过光瞳的上与下边缘的光线。从物场4开始，主光线30包含与在物面5上的一法线形成的一角度CRAO，为5.05°。
投射光学单元7具有0.75的像侧数值孔径。
依据图2的投射光学单元7具有总共八个反射镜，其(从物场4开始)在所述个别光线29的波束路径的顺序中编号M1至M8。成像光学单元7也可具有不同数量的反射镜，例如四个反射镜、六个反射镜、九个反射镜、十个反射镜、十一个反射镜、或甚至更多个反射镜。
图2描绘出反射镜M1至M8的所计算出反射面。视需要，仅使用这些所计算出反射面的一部位。所述反射面的仅此实际上所使用区域实际上存在于真实反射镜M1至M8中。这些所使用反射面以就其本身已知的方式，通过反射镜本体来承载。
在依据图2的投射光学单元7中，反射镜M1、M4、M7、和M8配置为用于法线入射(normal incidence)的反射镜(NI反射镜)，即成像光3以小于45°的入射角照射到其上的反射镜。因此，整体而言，依据图2的投射光学单元7具有用于法线入射的四个反射镜M1、M4、M7、和M8。
反射镜M2、M3、M5、和M6是用于照明光3的掠入射(grazing incidence)的反射镜(GI反射镜)，即照明光3以大于60°的入射角照射到其上的反射镜。成像光3的个别光线29在用于掠入射的反射镜M2、M3、M5、和M6上的一般入射角在于80°的区域中。整体而言，依据图2的投射光学单元7恰好具有四个用于掠入射的反射镜M2、M3、M5、和M6。
一方面的反射镜M2、M3以及另一方面的M5、M6设计为成对连续反射镜并反射成像光3使得：个别光线29在一方面的成对M2、M3以及另一方面的成对M5、M6的相应反射镜处的反射角相加求和(summate)，即在偏转(deflection)效应方面放大。
反射镜M1至M8承载最佳化反射镜M1至M8对于成像光3的反射率的涂层。这可为钌(ruthenium)涂层、钼(molybdenum)涂层、或具有钌的最上层的钼涂层。在用于掠入射的反射镜M2、M3、M5、和M6中，可使用具有例如一层钼或钌的涂层。特别是，用于法线入射的反射镜M1、M4、M7、和M8的这些高度反射层可配置为多层，其中连续层可由不同材料制造。也可使用交替材料层。一般多层可具有五十个双层，分别由一层钼和一层硅制成。多层可能提供有附加帽盖层，例如由钌制成。
为了计算投射光学单元7的整体反射率之目的，系统传输率可如下计算：反射镜反射率基于引导光线(即中心物场点的主光线)的入射角在每个反射镜表面处被确定，并通过乘法而组合以形成系统传输率。
关于系统传输率的更多信息，可在US2016/0085061A1中找到。
关于GI反射镜(grazing incidence mirror，掠入射反射镜)处的反射的更多信息，可在WO 2012/126867 A中找到。关于NI反射镜(法线入射反射镜)的反射率的更多信息，可在DE 101 55 711A中找到。
反射镜M8(即成像波束路径中像场8上游的最终反射镜)具有用于从倒数第三反射镜M6朝向倒数第二反射镜M7反射的成像光3的通道的通道开口30a。反射镜M8在通道开口30a周围以反射方式使用。所有其他反射镜M1至M7皆没有通道开口，并在以无间隙方式所连接的区域中以反射方式使用。
光阑AS布置在反射镜M6与M7之间的成像波束路径中，前述光阑同时具有孔径光阑的功能以及遮蔽光阑的功能。因此，该光阑AS首先指定投射光学单元7的像侧数值孔径，并其次指定内光瞳遮蔽的大小。
该光阑AS可设计为分离光阑，如从US10,527,832已知。
投射光学单元7在物体侧上为大致远心(telecentric)。若成像波束路径仅关于通过物场4的个别光线而被列入考虑，则入射光瞳位于xz平面中物场4的下游4052.44mm，以及yz平面中物场4的下游41876.50mm。
在投射光学单元7中，光瞳平面存在于成像光3在所述反射镜M1与M2之间的波束路径中。
第一中间像面存在于反射镜M2与M3之间的波束路径中。又一中间像面存在于反射镜M5与M6之间的波束路径中。在投射光学单元7的情况下，通道开口30a的区域中没有中间像面。中间像面的数量不同于依据图2的子午平面中的中间像的数量，不同于与其垂直的平面中的中间像的数量。在相互垂直平面中具有中间像的不同数量的此类投射光学单元，原则上从WO 2016/166080 A1和DE 10 2015 226 531 A1已知。
光阑AS位于投射光学单元7的又一光瞳平面的区域中，在反射镜M7与M8之间的波束路径中。
反射镜M1至M8体现为无法通过旋转对称函数描述的自由曲面(free-formsurfaces)。投射光学单元7的其他具体实施例(其中反射镜M1至M8中至少一者体现为旋转对称非球面)也为可能的。所有反射镜M1至M8也可能体现为此类非球面。
自由曲面可通过下列自由曲面方程式(方程式1)来描述：
下列适用于此方程式(1)的参数：
Z是点x、y处自由曲面的弧矢高度，其中x2+y2＝r2。在此，r是与自由曲面方程式的参考轴(x＝0；y＝0)的距离。
在自由曲面方程式(1)中，C1、C2、C3…表示x和y的幂的自由曲面级数展开的系数。
在圆锥底面积的情况下，cx、cy是对应于对应非球面的顶点曲率的常数。因此，cx＝1/Rx和cy＝1/Ry适用。kx和ky每个皆对应于对应非球面的圆锥常数。因此，方程式(1)描述双锥自由曲面。
替代性可能自由曲面可从旋转对称参考表面生成。用于微光刻投射曝光设备的投射光学单元的反射镜的反射面的此类自由曲面，从US 2007-0058269 A1已知。
或者，自由曲面也可借助于二维样条曲面(spline surfaces)说明。这方面的范例是贝塞尔(Bezier)曲线或非均匀有理B样条(Non-uniform rational basis spline，NURBS)。举例来说，二维样条曲面可通过xy平面中的点网格及相关联z值，或通过这些点以及与其相关联的梯度来说明。依样条曲面的各自类型而定，完整表面通过使用例如在其连续性和可微分性方面具有指定性质的多项式或函数在网格点之间插值而得到。这方面的范例是分析函数。
投射光学单元7的反射镜M1至M8(＝M01至M08)的反射面的光学设计数据可从下列表格收集。
这些表格的第一个提供用于光学部件的光学表面的顶点半径(Radiusx＝Rx,Radiusy＝Ry)和屈光能力值(Powerx,Powery)。半径的负值意指，在相应表面与由具有曲率的相应方向的顶点(x,y)处的表面法线跨越的所考虑平面(xz,yz)的截面中，朝向入射照明光3凹入的曲线。两个半径Radiusx、Radiusy明确可能具有有不同符号。
每个光学表面处的顶点定义为从物场中心沿着对称平面x＝0(即图2的所附图式的平面(子午平面(meridional plane)))行进到像场8的引导光线的入射点。
所述顶点处的屈光能力Powerx(Px)、Powery(Py)被定义为：
在此，AOI表示引导光线关于表面法线的入射角。
第二个表格明确说明从参考表面开始的各反射镜在y方向上的偏心(Dy)、在z方向上的位移(Dz)、以及倾斜(αx,αy,αz)所具有的绝对值。这在自由曲面设计方法的情况下，对应于平行移位和倾斜。在此，位移以mm为单位沿着y方向上并在z方向上进行，且倾斜绕着x轴、绕着y轴、并绕着z轴进行。在这种情况下，旋转的角度以度数来指定。首先进行偏心，接着是倾斜。偏心期间的参考表面在每种情况下皆是所指定光学设计数据的第一表面。y方向上以及z方向上的偏心也被指定用于物场4(掩模母版)。除了分派给个别反射镜M1至M8的值外，此表格也将物面(掩模母版)制表为第一表面、将像面(晶片)制表为最终表面，并将光阑表面(表示“光阑”)制表为用于孔径或遮蔽光阑的设置平面。
第三个表格(表3a至表3c)明确说明用于反射镜M1至M8的自由形式表面系数Cn(分别分派给多项式xk、yl)。未制表的系数Cn每个皆具有0值。
第四个表格将光阑AS的边界明确说明为局部坐标xy中的多边形链(polygonalline)。如以上所说明，光阑偏心且倾斜。在此表格中，坐标在两行中明确说明。第一列(由x与y坐标构成)内含多边形的角落1至M/2的坐标，且第二列内含角落N/2+1至N的坐标。因此，每行皆内含四个数量，具体而言xi、yi、xi+N/2、yi+N/2。
表面的半径
图2的表1
偏心(位置、角度)表面
图2的表2
表面的自由形式系数
图2的表3a
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图2的表3b
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图2的表3c
光阑边缘的坐标
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图2的表4
反射镜M1、M3、M4、M5、和M8对于半径具有负值，即原则上是凹面镜。反射镜M2、M6、和M7对于半径具有正值，即原则上是凸面镜。依据图2的投射光学单元的反射镜M1至M8在每种情况下皆没有具有不同符号的Rx、Ry半径值。因此，反射镜M1至M8原则上皆没有鞍形。
光阑的光阑表面的边界(也参见图2的表4)从照明光3的所有光线(其在像侧上在具有完整像侧远心孔径的光阑表面的方向上的场中心点处传播)的光阑表面上的相交点显现。当光阑体现为孔径光阑时，该边界是内边界。
光阑AS可位于平面中或者具有三维具体实施例。光阑AS的范围可在扫描方向(y)上比在交叉扫描方向(x)上小。
投射光学单元7的更多数据出于以下的表5：
图2的表5
投射光学单元7在分隔平面31a与像场8的中心之间具有物/像偏移a。物场4的中心位于分隔平面31a中。分隔平面31a平行于xz平面延伸。分隔平面31a垂直于成像光学单元7的yz子午平面。物/像偏移a在投射光学单元7的情况下为1650mm。
反射镜M4的所使用反射面是最靠近物面5的相邻面。因此，反射镜M4的所使用反射面定义该反射镜M4的此所使用反射面与物面5之间的工作距离b。为最靠近物面5的相邻面的反射镜M4的反射部位被视为在工作距离b的定义的范围内。工作距离b在投射光学单元7的情况下为275mm。
子午横向尺寸c被定义在分隔平面31a与反射镜之一(在这种情况下又再次是与前述分隔平面相距最远的反射镜M4)的反射部位之间。子午横向尺寸c在投射光学单元7的情况下为2154mm。
尺寸比率a/c在投射光学单元7的情况下为0.76。尺寸比率b/c在投射光学单元7的情况下为0.128。
投射光学单元7被设计用于13.5nm的照明光3的波长。
平均波前像差RMS(扫描波前偏差)是用于投射光学单元7的成像品质的度量。
投射光学单元7在像侧上为至少大致远心。
图3显示可在投射曝光设备1中使用的投射光学单元或成像光学单元31(而非投射光学单元7)的又一具体实施例。对应于以上参照图1至图2已解说者的部件和功能具有相同元件符号，并系将不再详细讨论。
投射光学单元31具有有0.75的像侧数值孔径。
投射光学单元31具有总共十一个反射镜M1至M11。反射镜M1、M10、和M11体现为用于法线入射的反射镜。反射镜M2至M9体现为用于照明光3的掠入射的反射镜。投射光学单元31恰好具有八个用于掠入射的反射镜。
反射镜M2至M8(即投射光学单元31的八个GI反射镜中的七个)反射成像光3使得：个别光线29在各反射镜M2至M8处的反射角相加，即导致其偏转效应的放大。后续GI反射镜M9是所谓的反向(counter)反射镜并反射成像光3，使得这产生抵抗反射镜M2至M8的偏转效应所导向的偏转效应，即这对GI反射镜M2至M8的偏转效应具有减法效应。依据对于有关DE10 2019 219 209 A1中投射光学单元的解说的上下文中所明确说明的反射镜的周围效应的规则，投射光学单元31具有下列对于所述反射镜M1至M11的偏转效应的顺序：RLLLLLLLR0L。
投射光学单元31在物体侧上为大致远心。若成像波束路径仅关于通过物场4的个别光线被列入考虑，则入射光瞳位于xz平面中物场4的下游4014.30mm，以及yz平面中物场4的下游5750.64mm。
投射光学单元31在反射镜M1与M2之间的波束路径中具有光瞳平面。中间像面位于反射镜M5上的反射区域中。又一光瞳平面位于成像光束路径中反射镜M5与M6之间。又一中间像面位于反射镜M6与M7之间。中间像面的数量不同于依据图3的子午平面中的中间像的数量，不同于与其垂直的平面中的中间像的数量。在相互垂直平面中具有中间像的不同数量的此类投射光学单元，原则上从WO 2016/166080 A1和DE 10 2015 226 531 A1已知。
用于投射光学单元31的光学设计数据从下列表1至表5显现，这进而在基本结构方面对应于与依据图2的具体实施例相关的表1至表5。
表面的半径
图3的表1
偏心(位置、角度)表面
图3的表2
表面的自由形式系数
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图3的表3a
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图3的表3b
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图3的表3c
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图3的表3d
光阑边缘的坐标
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图3的表4
反射镜M1、M4、M5、M6、M7、和M11对于半径具有负值，即其原则上是凹面镜。反射镜M10具有正半径值，即原则上是凸面镜。反射镜M2、M3、M8、和M9具有在每种情况下皆具有不同符号的Rx、Ry半径值，即原则上是鞍形。
投射光学单元7的更多数据出于以下的表5：
图3的表5
投射光学单元31具有3468mm的物/像偏移a。工作距离b存在于物面5与在投射光学单元31的情况下与其最接近的反射镜M5的反射部位之间，并为277mm。子午横向尺寸c存在于分隔平面31a与在投射光学单元31的情况下与其相距最远的反射镜M11的反射部位之间，并为4112mm。
比率a/c在投射光学单元31的情况下为0.84。比率b/c在投射光学单元31的情况下为0.067。
图4显示可在投射曝光设备1中使用的投射光学单元或成像光学单元32(而非投射光学单元7)的又一具体实施例。对应于以上参照图1至图3并特别是与图2和图3搭配已解说者的部件和功能，由相同元件符号而表示并不再详细讨论。
投射光学单元32具有0.75的像侧数值孔径。
依据图4的投射光学单元32具有总共九个反射镜M1至M9。反射镜M1、M8、和M9体现为用于法线入射的反射镜(NI反射镜)。反射镜M2至M7每个皆体现为用于掠入射的反射镜(GI反射镜)。因此，投射光学单元32包含三个NI反射镜和六个GI反射镜。
NI反射镜M2至M7反射成像光3使得：个别光线29在各反射镜M2至M7处的反射角相加，即导致其偏转效应的放大。投射光学单元32没有反向GI图像。
投射光学单元32在物体侧上为大致远心。若成像波束路径仅关于通过物场4的个别光线被列入考虑，则入射光瞳位于xz平面中物场4的下游4161.14mm，以及yz平面中物场4的上游8870.82mm。
在投射光学单元32中，光瞳平面位于反射镜M1与M2之间的成像波束路径中。第一中间像面位于反射镜M2与M3之间的波束路径中。又一光瞳平面位于反射镜M3与M4之间。又一中间像面位于反射镜M5上的反射区域中。中间像面的数量不同于依据图47的子午平面中的中间像的数量，不同于与其垂直的平面中的中间像的数量。在相互垂直平面中具有中间像的不同数量的此类投射光学单元，原则上从WO 2016/166080 A1和DE 10 2015 226 531A1已知。
除了GI反射镜的数量并欠缺反向GI反射镜的设置外，投射光学单元32(在其基本结构方面)对应于投射光学单元31。
用于依据图4的投射光学单元32的光学设计数据从下列表1至表5显现，这对应于与依据图2和图3的具体实施例相关的表1至表5。
表面的半径
图4的表1
偏心(位置、角度)表面
图4的表2
表面的自由形式系数
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图4的表3a
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图4的表3b
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图4的表3c
光阑边缘的坐标
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图4的表4
投射光学单元7的更多数据出于以下的表5：
图4的表5
依据图4的投射光学单元32具有3731mm的物/像偏移a。工作距离b存在于物面5与在投射光学单元32的情况下与其最接近的反射镜M5的反射部位之间，并为275mm。子午横向尺寸c存在于分隔平面31a与在投射光学单元32的情况下与前述分隔平面31a相距最远的反射镜M9的反射部位之间，并在投射光学单元32的情况下为4397mm。
比率a/c在投射光学单元32的情况下为0.85。比率b/c在投射光学单元32的情况下为0.063。
比率a/c在三个以上所说明投射光学单元7、31、和32的每个中皆大于0.5。
尺寸比率b/c在投射光学单元7、31、和32的每个中皆大于0.05。
投射光学单元7、31、和32每个皆具有至少1500mm的物/像偏移a。
投射光学单元7、31、和32每个皆具有至少270mm的工作距离b。投射光学单元7、31、和32每个皆具有至多4500mm的子午横向尺寸。
投射光学单元7、31、32的重要特性在以下在特性表中再次汇总：
依据图2、图3、和图4的投射光学单元的特性
为了生成微结构化或纳米结构化部件，投射曝光设备1如下使用：首先，提供反射掩模10或掩模母版和基板或晶片11。其后，掩模母版10上的结构借助于投射曝光设备1投射到晶片11的光敏层上。然后，晶片11上的微结构或纳米结构，以及因此微结构化部件，通过显影光敏层而生成。
Claims (14)
1.一种成像光学单元(7、31、32)
-包含多个反射镜(M1至M8、M1至M11、M1至M9)，其用于将物面(5)中的物场(4)成像到像面(9)中的像场(8)中，
-具有大于0.55的像侧数值孔径，
-具有物/像偏移a，其介于
--该物场(5)的中心位于其中并垂直于该成像光学单元(7、31、32)的子午平面(yz)的分隔平面(31a)与
--该像场(8)的中心之间，
-具有工作距离b，其介于
--该物面(5)与
--所述反射镜(M4、M5)其中之一者的最接近于该物面的反射部位之间，
-具有子午横向尺寸c，其介于
--该分隔平面(31a)与
--所述反射镜(M4、M11、M9)其中之一者的与该分隔平面(31a)相距最远的反射部位之间，
-其中下列适用：
--比率a/c为至少0.5，
--比率b/c为至少0.05，
-其中该工作距离b为至少270mm。
2.如权利要求1的成像光学单元，其特征在于，该物/像偏移a为至少1500mm。
3.如权利要求1或权利要求2的成像光学单元，其特征在于，该工作距离b为至少275mm。
4.如权利要求1至3中任一者的成像光学单元，其特征在于，该子午横向尺寸c为至多4500mm。
5.如权利要求1至4中任一者的成像光学单元，其特征在于，作为一变形光学单元的实施例。
6.如权利要求1至5中任一者的成像光学单元，其特征在于，未超过20mλ的波前像差。
7.如权利要求1至6中任一者的成像光学单元，其特征在于，所述反射镜(M1至M8、M1至M11、M1至M9)总共至少八个。
8.如权利要求1至7中任一者的成像光学单元，其特征在于，至少四个GI反射镜。
9.如权利要求1至8中任一者的成像光学单元，其特征在于，至少三个NI反射镜。
10.一种光学系统
-包含如权利要求1至9中任一者的成像光学单元，以及
-包含照明光学单元(6)，其用于采用照明与成像光(3)照明该物场(4)。
11.一种照明系统，包含如权利要求10的光学系统并包含EUV光源(2)，其用于生成该照明与成像光(3)。
12.一种用于投射光刻的投射曝光设备(50)，包含如权利要求11的照明系统。
13.一种用于生成结构化部件的方法，包含下列方法步骤：
-提供掩模母版(10)和晶片(11)，
-借助于如权利要求12的投射曝光设备将该掩模母版(10)上的结构投射到该晶片(11)的光敏层上，
-在该晶片(11)上生成微结构和/或纳米结构。
14.一种结构化部件，根据如权利要求13的方法生成。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102021205774.8A DE102021205774A1 (de) | 2021-06-08 | 2021-06-08 | Abbildende Optik |
| DE102021205774.8 | 2021-06-08 | ||
| PCT/EP2022/065226 WO2022258529A1 (en) | 2021-06-08 | 2022-06-03 | Imaging optical unit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117441122A true CN117441122A (zh) | 2024-01-23 |
Family
ID=82117637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202280040900.1A Pending CN117441122A (zh) | 2021-06-08 | 2022-06-03 | 成像光学单元 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20240094637A1 (zh) |
| EP (1) | EP4352563A1 (zh) |
| JP (1) | JP2024522609A (zh) |
| KR (1) | KR20240017167A (zh) |
| CN (1) | CN117441122A (zh) |
| DE (1) | DE102021205774A1 (zh) |
| TW (1) | TW202307520A (zh) |
| WO (1) | WO2022258529A1 (zh) |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6577443B2 (en) | 1998-05-30 | 2003-06-10 | Carl-Zeiss Stiftung | Reduction objective for extreme ultraviolet lithography |
| DE10155711B4 (de) | 2001-11-09 | 2006-02-23 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Im EUV-Spektralbereich reflektierender Spiegel |
| EP1924888B1 (en) | 2005-09-13 | 2013-07-24 | Carl Zeiss SMT GmbH | Microlithography projection optical system, method for manufacturing a device and method to design an optical surface |
| DE102007033967A1 (de) | 2007-07-19 | 2009-01-29 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv |
| US8027022B2 (en) | 2007-07-24 | 2011-09-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection objective |
| DE102009011328A1 (de) | 2009-03-05 | 2010-08-19 | Carl Zeiss Smt Ag | Abbildende Optik |
| DE102009045096A1 (de) | 2009-09-29 | 2010-10-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungssystem mit einer Spiegelanordnung aus zwei Spiegeln |
| DE102010040811A1 (de) | 2010-09-15 | 2012-03-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik |
| DE102011075579A1 (de) | 2011-05-10 | 2012-11-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einem solchen Spiegel |
| DE102012202675A1 (de) | 2012-02-22 | 2013-01-31 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik sowie Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithografie mit einer derartigen abbildenden Optik |
| DE102014208770A1 (de) | 2013-07-29 | 2015-01-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsoptik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Projektionsoptik |
| DE102015226531A1 (de) | 2015-04-14 | 2016-10-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik |
| KR20180014740A (ko) | 2015-05-28 | 2018-02-09 | 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 | 대물 필드를 이미지 필드 내로 이미징하기 위한 이미징 광학 유닛, 및 이러한 이미징 광학 유닛을 포함하는 투영 노광 장치 |
| DE102015221984A1 (de) * | 2015-11-09 | 2017-05-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Abbildende Optik zur Abbildung eines Objektfeldes in ein Bildfeld sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen abbildenden Optik |
| DE102019208961A1 (de) | 2019-06-19 | 2020-12-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsoptik und Projektionsbelichtungsanlage mit einer solchen Projektionsoptik |
| DE102019219209A1 (de) | 2019-12-10 | 2020-01-23 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Oberflächenprofil-Messeinrichtung zur Vermessung der Spiegel einer abbildenden Optik |
-
2021
- 2021-06-08 DE DE102021205774.8A patent/DE102021205774A1/de active Pending
-
2022
- 2022-06-03 WO PCT/EP2022/065226 patent/WO2022258529A1/en active Application Filing
- 2022-06-03 KR KR1020247000236A patent/KR20240017167A/ko unknown
- 2022-06-03 JP JP2023575767A patent/JP2024522609A/ja active Pending
- 2022-06-03 EP EP22732142.9A patent/EP4352563A1/en active Pending
- 2022-06-03 CN CN202280040900.1A patent/CN117441122A/zh active Pending
- 2022-06-07 TW TW111121054A patent/TW202307520A/zh unknown
-
2023
- 2023-11-21 US US18/516,648 patent/US20240094637A1/en active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2022258529A1 (en) | 2022-12-15 |
| DE102021205774A1 (de) | 2022-12-08 |
| TW202307520A (zh) | 2023-02-16 |
| US20240094637A1 (en) | 2024-03-21 |
| JP2024522609A (ja) | 2024-06-21 |
| KR20240017167A (ko) | 2024-02-06 |
| EP4352563A1 (en) | 2024-04-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |