DE102016224113A1

DE102016224113A1 - Intensitätsanpassungsfilter für die euv - mikrolithographie und verfahren zur herstellung desselben sowie beleuchtungssystem mit einem entsprechenden filter

Info

Publication number: DE102016224113A1
Application number: DE102016224113.3A
Authority: DE
Inventors: Hartmut Enkisch; Ulrich Müller
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2016-12-05
Filing date: 2016-12-05
Publication date: 2018-06-07
Also published as: CN110050231B; WO2018104250A1; US10809625B2; CN110050231A; US20190285989A1

Abstract

Die Erfindung betrifft ein optisches Element für ein optisches System, welches mit Arbeitslicht im Wellenlängenspektrum des extrem ultravioletten Lichts oder weicher Röntgenstrahlung arbeitet, insbesondere ein optisches System für die EUV - Mikrolithographie mit einer Absorberschicht (12) für EUV - oder weiche Röntgenstrahlung, die sich entlang einer optisch wirksamen Fläche erstreckt und eine Dicke aufweist, die quer zur optisch wirksamen Fläche definiert ist, wobei die Dicke der Absorberschicht über der optisch wirksamen Fläche variiert sowie einen Spiegel, der durch mindestens eine aufgeraute Fläche des Spiegels gebildet ist, deren Rauheit über der Fläche variiert. Außerdem betrifft die Erfindung ein Beleuchtungssystem für eine EUV - Projektionsbelichtungsanlage, ein Verfahren zur Herstellung eines entsprechenden Intensitätsanpassungsfilters sowie die Verwendung eines entsprechenden Filters.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG
GEBIET DER ERFINDUNG
Die vorliegende Erfindung betrifft einen Intensitätsanpassungsfilter für die EUV - Mikrolithographie sowie ein Beleuchtungssystem für eine EUV - Projektionsbelichtungsanlage mit einem Intensitätsanpassungsfilter sowie ein Verfahren zur Herstellung eines Intensitätsanpassungsfilters und die Verwendung eines entsprechenden Intensitätsanpassungsfilters.
STAND DER TECHNIK
Zur Herstellung von mikro - und nanostrukturierten Bauteilen der Mikroelektronik und Mikrosystemtechnik werden Projektionsbelichtungsanlagen für die Mikrolithographie eingesetzt, bei welchen ein Retikel mit einem Beleuchtungssystem beleuchtet und mittels eines Projektionsobjektivs auf einem Wafer abgebildet wird, so dass die auf dem Retikel enthaltenen Strukturen in verkleinerter Weise auf dem Wafer abgebildet werden, um so über lithographische Prozesse die entsprechenden Strukturen auf dem Wafer auszubilden. Da die Strukturgrößen der abzubildenden Strukturen immer kleiner werden, muss auch das Auflösungsvermögen der Projektionsbelichtungsanlagen entsprechend gesteigert werden. Zu diesem Zweck kann bei Projektionsbelichtungsanlagen Licht mit immer kleineren Wellenlängen, beispielsweise im Bereich des extrem ultravioletten (EUV) Wellenlängenspektrums, mit Wellenlängen von 5 nm bis 15 nm oder im Bereich der weichen Röntgenstrahlung von 20 bis 250 pm eingesetzt werden.
Um die kleinen Strukturen mikrolithographisch erzeugen zu können, muss sichergestellt werden, dass das Retikel in einer definierten Weise beleuchtet wird. Entsprechend muss das von einer Lichtquelle bereitgestellte Arbeitslicht im Beleuchtungssystem aufbereitet werden, um die geforderten Eigenschaften bei der Beleuchtung des Retikels aufzuweisen. Beispielsweise soll durch das Beleuchtungssystem eine möglichst homogene Beleuchtung des Retikels erreicht werden, sodass mögliche Intensitätsunterschiede des von der Lichtquelle bereit gestellten Lichts in der Retikel - Ebene ausgeglichen werden müssen.
Darüber hinaus ist es wünschenswert die Lichtquelle einer Projektionsbelichtungsanlage oder Teile davon austauschen zu können, sodass Möglichkeiten zur Anpassung einer dann veränderten Abstrahlcharakterisitik einer neuen Lichtquelle an das Beleuchtungssystem erforderlich sind. Wird beispielsweise eine andere Lichtquelle verwendet oder ein unterschiedlicher Kollektorspiegel eingesetzt, so kann dies neben einer Anpassung der numerischen Apertur auch eine Anpassung der Fernfeldintensitäten der Lichtquelle im Beleuchtungssystem erforderlich machen.
OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
AUFGABE DER ERFINDUNG
Es ist deshalb Aufgabe der vorliegenden Erfindung eine Möglichkeit zu schaffen, insbesondere für EUV - Beleuchtungssysteme für EUV - Projektionsbelichtungsanlagen Anpassungen der Abstrahlcharakterisitik einer Lichtquelle besonders hinsichtlich der erzielbaren Intensitätsverteilung des Lichts in der Retikelebene vornehmen zu können, um vorzugsweise unterschiedliche Lichtquellen für das EUV - Beleuchtungssystem einsetzen zu können. Dies gilt in gleicher Weise für Anlagen, die mit Arbeitslicht im Wellenlängenspektrum der weichen Röntgenstrahlung arbeiten. Die Anpassung der Abstrahlcharakterisitk auf die gewünschten Beleuchtungseigenschaften insbesondere hinsichtlich der Intensitätsverteilung in der Retikel - Ebene bzw. die Kompensation des Einflusses unterschiedlicher Lichtquellen für Beleuchtungssysteme soll jedoch mit möglichst geringem Aufwand einfach durchführbar sein und gleichwohl zufriedenstellende Ergebnisse liefern.
TECHNISCHE LÖSUNG
Diese Aufgabe wird gelöst durch ein optisches Element mit den Merkmalen des Anspruchs 1 und einen Spiegel mit Intensitätsanpassungsfunktion nach Anspruch 17 sowie ein Verfahren zur Herstellung eines Intensitätsanpassungsfilters mit den Merkmalen des Anspruchs 20. Darüber hinaus betrifft die Erfindung ein Beleuchtungssystem für eine EUV - Projektionsbelichtungsanlage mit den Merkmalen des Anspruchs 19 sowie ein Verfahren zur Verwendung eines Intensitätsanpassungsfilters mit den Merkmalen des Anspruchs 22. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
Die Erfindung schlägt vor, zur Kompensation von Unterschieden der Lichtintensität und/oder Lichtintensitätsverteilung des in einem -Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie verwendeten Arbeitslichts, insbesondere EUV - Lichts, einen Intensitätsanpassungsfilter zu verwenden, ähnlich einem Graufilter beziehungsweise Neutraldichtefilter im Bereich des sichtbaren Lichts, der durch Absorption des verwendeten Arbeitslichts eine Intensitätsanpassung ermöglicht, und zwar wellenlängenunabhängig im verwendeten Wellenlängenbereich. Dazu wird ein optisches Element, insbesondere ein Intensitätsanpassungsfilter mit einer Absorberschicht für das verwendete Arbeitslicht, insbesondere EUV - Strahlung vorgeschlagen, die sich entlang einer optisch wirksamen Fläche des optischen Elements erstreckt und eine Dicke aufweist, die quer zur optisch wirksamen Fläche definiert ist. Diese Dicke der Absorberschicht kann über der optisch wirksamen Fläche variiert werden, um unterschiedliche Intensitätsverteilungen durch unterschiedliche Arbeitslichtquellen zu kompensieren. Unter optisch wirksamen Fläche wird hierbei die Fläche des optischen Elements bzw. Filters verstanden, die durch Arbeitslicht bzw. das zu filternde Licht bestrahlt wird.
Die Absorberschicht kann auf einem Substrat aufgebracht sein oder die Absorberschicht kann selbsttragend ausgebildet sein, insbesondere wenn das optische Element als Intensitätsanpassungsfilter in Form eines Durchstrahlungsfilters ausgebildet ist, also das zu filternde Arbeitslicht das optische Element im Strahlengang des Beleuchtungssystems durchstrahlt.
Die Absorberschicht kann insbesondere bei der Ausbildung als Durchstrahlungsfilter mindestens eine Teilschicht aufweisen, die eine reflexionsmindernde Wirkung für eine oder mehrere Wellenlängen des Arbeitslichts aufweist.
Die mindestens eine reflexionsmindernde Schicht kann entlang der Schicht so unterschiedlich ausgebildet sein, dass die reflexionsmindernde Wirkung in Abhängigkeit vom lokalen Einfallswinkel des Arbeitslichts optimiert ist
Alternativ zu einem Durchstrahlungsfilter kann das optische Element auch als Intensitätsanpassungsfilter in Form eines reflektiven Intensitätsanpassungsfilters ausgebildet sein, der im Strahlengang des Beleuchtungssystems -das Arbeitslicht reflektiert. Entsprechend kann das Substrat des optischen Elements bzw. des Intensitätsanpassungsfilters, auf dem die Absorberschicht aufgebracht ist, als Spiegel, insbesondere EUV - Spiegel ausgebildet sein.
Die Absorberschicht kann einteilig ausgebildet sein oder aus mehreren Teilschichten zusammengesetzt sein, die sich insbesondere hinsichtlich der Absorptionswirkung unterscheiden können. Da die Absorberschicht eine unterschiedliche Absorptionswirkung verteilt über der optisch wirksamen Fläche, auf welche das Arbeitslicht im Strahlengang des Beleuchtungssystems auftrifft, bereitstellen soll, kann durch Verwendung mehrerer Teilschichten der Absorberschicht eine vorteilhafte Anpassung der unterschiedlichen Absorptionswirkung verwirklicht werden. So kann beispielsweise eine Teilschicht aus einem Material mit einer hohen Absorptionswirkung gebildet sein, während die andere Teilschicht aus einem Material mit geringer Absorptionswirkung gebildet sein kann. Die Einstellung der Dicke der Absorberschicht zur Anpassung der unterschiedlichen Absorptionswirkung kann dann überwiegend in der Teilschicht mit geringerer Absorptionswirkung vorgenommen werden, so dass die Genauigkeit der Dickeneinstellung reduziert werden kann. Entsprechend kann die Teilschicht aus einem Material mit geringer Absorptionswirkung insbesondere an der Oberfläche eines entsprechenden optischen Elements bzw. Intensitätsanpassungsfilters ausgebildet sein, um in entsprechend einfacher Weise die Dickenkontur der oberflächlichen Teilschicht bearbeiten zu können, während eine darunter angeordnete Teilschicht mit höherer Absorptionswirkung eine Basiseinstellung der Absorptionswirkung ermöglicht
Darüber hinaus kann die Ausbildung der Absorberschicht aus mehreren Teilschichten auch dazu verwendet werden, dass an der Oberfläche des optischen Elements bzw. Intensitätsanpassungsfilters eine Absorberteilschicht aus einem Material gebildet wird, die Funktionen einer Deckschicht übernimmt und insbesondere unempfindlich gegenüber Umgebungseinflüssen und beispielsweise chemische Reaktionen mit Wasserstoff und Sauerstoff ist. Darüber hinaus kann das Material einer Deckschicht auch so gewählt werden, dass die Oberfläche leicht zu reinigen ist.
Die Absorberschicht kann Molybdän, Ruthenium, Silizium, Si₃N₄, ZrN, SiC, B₄C und/oder Nickel umfassen.
Das optische Element bzw. der Intensitätsanpassungsfilter kann weitere Funktionen aufweisen, wie beispielsweise die Funktion eines Diffusors, wobei die entsprechende Diffusorwirkung durch Strukturierung des Substrats des optischen Elements bzw. Intensitätsanpassungsfilters oder Aufbringen einer entsprechenden Strukturierungsschicht realisiert werden kann. Eine Strukturierung oder Strukturierungsschicht kann zur Aufbringung nachfolgender Schichten, beispielsweise der Absorberschicht, mit einer geeigneten Glättungsschicht wieder eingeebnet werden.
Bei der Ausbildung des optischen Elements bzw. Intensitätsanpassungsfilters als reflektiver Filter kann die Spiegelfunktion durch eine Reflexionsschicht in Form eines Bragg - Reflektors mit einer Vielzahl von alternierend angeordneten Schichten unterschiedlichen Brechungsindex realisiert werden. Die Reflexionsschicht, die sich ebenfalls wie die Absorberschicht entlang der optisch wirksamen Fläche erstreckt, kann über der optisch wirksamen Fläche an die unterschiedlichen Einfallswinkel -des Arbeitslichts angepasst sein, indem die Dickenverhältnisse der Reflexionsschicht beziehungsweise der Teilschichten davon in geeigneter Weise über der optisch wirksamen Fläche angepasst sind.
Darüber hinaus kann auch die Bandbreite von Wellenlängen, die durch die Reflexionsschicht reflektiert werden können, über der optisch wirksamen Fläche variiert werden.
Die Oberfläche der Absorberschicht bzw. eine einer Einfallsseite des Arbeitslichts zugewandten Seite kann eine Mikrostruktur aufweisen oder eine definierte Rauheit aufweisen. Bei einer strukturierten Oberfläche oder Seite der Absorberschicht kann die charakteristische Höhe der Mikrostruktur größer oder gleich einem Viertel der Wellenlänge des Arbeitslichts sein. Unter charakteristischer Höhe wird dabei der maximale oder mittlere Abstand einer maximalen Erhebung zu einer minimalen Vertiefung quer zur Oberfläche verstanden. Bei einer mit einer definierten Rauheit versehenen Oberfläche oder Seite der Absorberschicht kann die mittlere oder quadratische Rauheit (RMS root-mean-squared roughness) der Oberfläche größer oder gleich einem Viertel der Wellenlänge des Arbeitslichts sein.
Bei der Ausbildung des optischen Elements bzw. Intensitätsanpassungsfilters als reflektiver Intensitätsanpassungsfilter kann die Oberfläche des Intensitätsanpassungsfilters an der Einfallsseite -des Arbeitslichts so rau ausgebildet sein, dass Interferenzen mit dem stehenden Wellenfeld des Bragg - Reflektors vermieden werden. Entsprechend sollte die Rauheit, insbesondere die quadratische Rauheit RMS größer als ein Viertel der Wellenlänge des Arbeitslichts sein. Gleiches gilt bei der Ausbildung als Durchstrahlungsfilter, mit dem Unterschied, dass hier beide Außenflächen zum Vakuum hin eine Rauheit größer als ein Viertel der Wellenlänge aufweisen sollten.
Nach einem weiteren Aspekt der Erfindung, für den selbständig und in Kombination mit anderen Aspekten der Erfindung Schutz begehrt wird, wird ein Spiegel vorgeschlagen, in den die Funktion eines Intensitätsanpassungsfilters integriert ist.
Der Spiegel kann hierzu eine Absorberschicht aufweisen, wie sie bereits für einen reflektiven Intensitätsanpassungsfilter beschrieben worden ist, wobei die Absorberschicht oberhalb der äußersten Schicht einer Reflexionsschicht in Form eines Bragg - Reflektors mit einer Vielzahl von Teilschichten abgeschieden ist oder als dicker ausgebildete äußerste Schicht eines Bragg - Reflektors
Wird die Absorberschicht durch eine dicker als für die Bragg - Reflexion notwendige äußerste Schicht gebildet, kann die Dicke der äußersten Schicht des Bragg - Reflektors dadurch bestimmt werden, dass zunächst die für die maximale Bragg - Reflexion notwendige Dicke der äußersten Schicht bestimmt wird und anschließend eine für die erforderliche Intensitätsanpassung notwendige zusätzliche Dicke definiert wird, wobei dadurch die Gesamtdicke der äußersten Schicht bestimmt wird.
Für die Herstellung kann die äußerste Schicht des Bragg - Reflektors zunächst mit einer Dicke abgeschieden werden, die der Dicke für die maximale Intensitätsminderung der reflektierten Strahlung, die erreicht werden soll, entspricht, wobei dann durch Materialabtrag in den Bereichen der optischen Fläche, in der eine geringere Intensitätsminderung der reflektierten Strahlung erforderlich ist, die Dicke der äußersten Schicht des Bragg - Reflektors reduziert werden kann. Der Materialabtrag kann hierbei in jeder geeigneten Form durch bekannte Verfahren durchgeführt werden. Alternativ kann die Dicke der äußersten Schicht des Bragg - Reflektors ortsabhängig durch lokale Abscheidung von zusätzlichem Material variiert werden. Auch die Abscheidung einer zusätzlichen Absorberschicht insbesondere aus einem zur äußersten Schicht des Bragg - Reflektors unterschiedlichem Material kann ortsabhängig durch lokale Abscheidung erfolgen, um über der optisch wirksamen Fläche eine variierende Intensitätsanpassung zu erzielen. Eine ortsabhängige Abscheidung unterschiedlich dicker Schichten kann beispielsweise durch Molekularstrahlabscheidung mit Hilfe einer Knudsen - Zelle realisiert werden.
Die Integration der Intensitätsanpassung in einen Spiegel kann weiterhin dadurch erreicht werden, dass die Reflektivität des Spiegels durch Ausbildung einer rauen Grenzfläche reduziert wird, wobei zur lokal variierten Intensitätsanpassung die Rauheit der Grenzfläche über der Grenzfläche variiert werden kann. Dies kann beispielsweise durch Bearbeitung der Fläche mit lonenstrahlbearbeitung (Ion Beam Figuring IBF) erreicht werden. Aber auch andere Verfahren zur Aufrauung einer Fläche können eingesetzt werden. Die Grenzfläche kann eine Oberfläche oder eine innere Grenzfläche sein.
Die aufgeraute Fläche kann insbesondere die Oberfläche eines Grundkörpers des Spiegels sein, auf der der Bragg - Reflektor abgeschieden wird, wobei sich durch die unmittelbare Abscheidung der Teilschichten des Bragg - Reflektors auf der aufgerauten Oberfläche die Rauigkeit der aufgerauten Fläche des Grundkörpers in den Bragg - Reflektor fortsetzt und durch eine dadurch verminderte Reflektivität des Bragg - Reflektors die Intensitätsanpassung in den Spiegel integriert werden kann.
In einem entsprechenden EUV - Beleuchtungssystem, welches beispielsweise als Messsystem mit unterschiedlichen Lichtquellen eingesetzt werden kann, kann das optische Element bzw. der Intensitätsanpassungsfilter zwischen Lichtquelle und einem Kollektorspiegel oder im Strahlengang ausgehend von der Lichtquelle nach einem Kollektorspiegel beziehungsweise vor und in der Nähe eines Feldfacettenspiegels angeordnet sein. Letztere Möglichkeit gilt nur für einen Intensitätsanpassungsfilter, der als Durchstrahlungsfilter ausgebildet ist. Für einen reflektiven Intensitätsanpassungsfilter besteht weiterhin die Möglichkeit diesen in dem Kollektorspiegel zu integrieren.
Die unterschiedlichen Schichtdicken der Absorberschicht eines optischen Elements bzw. Intensitätsanpassungsfilters können bereits bei der Herstellung, also der Abscheidung der Absorberschicht erzeugt werden, indem die entsprechenden Abscheideverfahren entsprechend angepasst werden. Dies kann beispielsweise dadurch erfolgen, dass das Substrat, auf dem die Absorberschicht abgeschieden werden soll, in geeigneter Weise in Bezug auf die Beschichtungsquelle angeordnet oder relativ zu dieser bewegt wird, beziehungsweise, dass entsprechende Blenden zur Abschattung vorgesehen werden, um verschiedene Schichtdicken der Absorberschicht zu erzeugen.
Darüber hinaus kann die unterschiedliche Schichtdicke der Absorberschicht beziehungsweise die Schichtdickenverteilung auch durch nachträgliche Bearbeitung einer bereits hergestellten Absorberschicht realisiert werden, beispielsweise durch unterschiedlichen Abtrag mittels lonendünnung (Ion beam figuring IBF).
Die unterschiedlichen Dicken der Absorberschicht über der optisch wirksamen Fläche können rechnerisch und/oder experimentell durch iterative Messungen bestimmt werden.
Figurenliste
Die beigefügten Zeichnungen zeigen in rein schematischer Weise in

1 einen Teil eines ersten Beleuchtungssystems für eine EUV - Projektionsbelichtungsanlage;
2 einen Teil eines Beleuchtungssystems einer Projektionsbelichtungsanlage gemäß einer zweiten Ausführungsform;
3 einen Teil eines Beleuchtungssystems für eine EUV - Projektionsbelichtungsanlage gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
4 eine Darstellung eines Teils eines Beleuchtungssystems für eine EUV - Projektionsbelichtungsanlage gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
5 eine Darstellung eines Teils eines Beleuchtungssystems einer EUV - Projektionsbelichtungsanlage nach einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
6 eine Darstellung eines Teils eines Beleuchtungssystems einer EUV - Projektionsbelichtungsanlage gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
7 eine Darstellung eines Teils eines Beleuchtungssystems einer EUV - Projektionsbelichtungsanlage gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
8 eine Darstellung eines Teils eines Beleuchtungssystems einer EUV - Projektionsbelichtungsanlage gemäß einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
9 eine Querschnittansicht einer Ausführungsform eines Intensitätsanpassungsfilters gemäß der vorliegenden Erfindung;
10 ein Diagramm, welches die Transmission von EUV - Strahlung durch einen Filter der vorliegenden Erfindung entlang einer Linie darstellt;
11 ein Diagramm, welches die Abhängigkeit der relativen Reflektivität eines Intensitätsanpassungsfilters in Form eines Spiegelelements für unterschiedliche Absorbermaterialien zeigt;
12 ein Diagramm, welches den Verlauf der Dicke einer Absorberschicht entlang einer Linie über den Filter beziehungsweise den Dickenfaktor (rechtes Teilbild) der entsprechenden Absorberschicht zeigt;
13 ein Diagramm, welches die Abhängigkeit der Reflektivität für ein Filterelement gemäß der vorliegenden Erfindung auf Basis eines Spiegels mit einer Ruthenium - Absorberschicht von der Dicke bei verschiedenen Oberflächenrauheiten zeigt;
14 ein Diagramm, das die Schichtdickenveränderung entlang einer Linie für eine Reflexionsschicht eines erfindungsgemäßen Intensitätsanpassungs - filters zeigt;
15 in den Teilbildern a) und b) Diagramme, die die Abhängigkeit der Reflektivität von der Rauigkeit der Grenzfläche zwischen Substrat und Bragg - Reflektor und die Abhängigkeit der Rauigkeit einer Oberfläche vom Materialabtrag durch lonenstrahlbearbeitung zeigen; und in
16 ein Ablaufdiagramm für ein Herstellungsverfahren eines erfindungsgemäßen Intensitätsanpassungsfilters.

AUSFÜHRUNGSBEISPIEL
Weitere Vorteile, Kennzeichen und Merkmale der vorliegenden Erfindung werden bei der nachfolgenden detaillierten Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der beigefügten Zeichnungen deutlich. Allerdings ist die Erfindung nicht auf diese Ausführungsbeispiele beschränkt. Insbesondere sind einzelne Merkmale und Komponenten, auch wenn sie in einem funktionalen oder strukturellen Zusammenhang mit anderen Merkmalen oder Komponenten beschrieben sind, nicht nur in diesen beschriebenen funktionalen oder strukturellen Zusammenhängen offenbart, sondern auch für sich alleine und in Kombination mit allen anderen Merkmalen und/ oder Komponenten.
Die 1 zeigt einen Teil eines herkömmlichen Beleuchtungssystems für eine EUV - Projektionsbelichtungsanlage mit einer Plasma - Lichtquelle 1, das EUV - Licht zur Verfügung stellt, und einem Ellipsoid - Spiegel 2, welcher das EUV - Licht der Plasma-Lichtquelle auf einen Feldfacettenspiegel 4 lenkt. Bei 3 ist ein Zwischenfokus gezeigt.
Die 2 zeigt einen Teil eines ähnlichen Beleuchtungssystems für eine EUV - Projektionsbelichtungsanlage, wobei wiederum eine Plasma - Lichtquelle 1' für EUV - Licht sowie ein Kollektorspiegel 5 und ein Feldfacettenspiegel 4 vorgesehen sind. Auch hier existiert bei 3 ein Zwischenfokus.
Das Beleuchtungssystem der 2 unterscheidet sich von dem Beleuchtungssystem der 1 dadurch, dass eine andere EUV - Lichtquelle 1' Verwendung findet und dass darüber hinaus ein gegenüber dem Ellipsoid - Spiegel 2 unterschiedlicher Kollektorspiegel 5 eingesetzt wird. Außerdem ist in dem Beleuchtungssystem der 2 eine Kühlvorrichtung für die Plasma - Lichtquelle 1' vorgesehen.
Durch die unterschiedliche Gestaltung der Beleuchtungssysteme mit unterschiedlichen Plasma-Lichtquellen 1, 1' und unterschiedlichen Spiegeln 2, 5 ergibt sich eine unterschiedliche Intensitätsverteilung des EUV - Lichts im Beleuchtungssystem, die durch die Verwendung eines Intensitätsanpassungsfilters ausgeglichen werden soll, um vergleichbare Bedingungen bei beiden Beleuchtungssystemen zu erzielen. Beispielsweise kann das Beleuchtungssystem der 1 ein Messsystem sein, mit dem EOS - Messungen durchgeführt werden sollen, während das Beleuchtungssystem der 2 ein Teil eines Beleuchtungssystems sein kann, welches in einer Projektionsbelichtungsanlage im Einsatz ist. Um Messungen an dem Messsystem der 1 auf das Beleuchtungssystem der 2 übertragen zu können und Einflüsse unterschiedlicher Intensitäten und verschiedener Intensitätsverteilungen zu vermeiden, kann ein entsprechender Intensitätsanpassungsfilter eingesetzt werden. Dies ist in den 3 bis 8 dargestellt, welche unterschiedliche Ausführungsformen von Beleuchtungssystemen zeigen, in denen unterschiedliche Intensitätsanpassungsfilter an unterschiedlichen Positionen eingesetzt sind.
So zeigt die 3 einen Teil eines Beleuchtungssystems, welches wiederrum eine Plasma - Lichtquelle 1, einen Kollektorspiegel 5 einen Zwischenfokus 3 und einen Feldfacettenspiegel 4 aufweist. Der Intensitätsanpassungsfilter 8 in Form eines durchstrahlbaren Filters ist im Bereich des im Strahlengang nach dem Kollektorspiegel 5 angeordnete Fernfeldes 10 vorgesehen, während zwischen Plasma - Lichtquelle 1 und Kollektorspiegel 5 eine sogenannter Debris - Filter 7 angeordnet ist, der Verunreinigungen, die von der Plasma - Lichtquelle 1 in den Strahlengang gelangen könnten, herausfiltert.
Die 4 zeigt im Wesentlichen den gleichen Teil eines identischen Beleuchtungssystems wie die 3, wobei jedoch der Intensitätsanpassungsfilter 8, der wiederrum in Form eines Durchstrahlungsfilters ausgebildet ist, in der Nähe des Fernfeldes 11 am Feldfacettenspiegel 4 angeordnet ist.
Eine weitere Möglichkeit der Anordnung des Intensitätsanpassungsfilters 8 in einem Beleuchtungssystem einer EUV - Projektionsbeleuchtungsanlage ist in 5 gezeigt. Hier ist der Intensitätsanpassungsfilter 8 in der Nähe des Fernfeldes 9 der Plasma - Lichtquelle 1 angeordnet. Die Position des Intensitätsanpassungsfilters 8 bei der Ausführungsform der 5 entspricht der Position der Anordnung des Debris - Filters 7 in den Ausführungsformen der 3 und 4, so dass vorzugsweise der Intensitätsanpassungsfilter 8 zusätzlich die Funktion eines Debris - Filters aufweist, so dass die Funktionen des Debris - Filters 7 und des Intensitätsanpassungsfilters 8 in einem einzigen Filter integriert sein können. Allerdings kann der Intensitätsanpassungsfilter 8 auch ohne zusätzliche Debris - Filterfunktion in der entsprechenden Position der 5 angeordnet sein.
Die 6 und 7 zeigen wiederum Teile von EUV - Beleuchtungssystemen mit der Anordnung von Intensitätsanpassungsfiltern, wobei jedoch der jeweilige Intensitätsanpassungsfilter 18 kein Durchstrahlungsfilter, wie in den vorangegangenen Ausführungsbeispielen ist, bei dem also die Lichtstrahlung durch den Filter hindurchgeht, sondern es handelt sich hierbei um einen reflektiven Intensitätsanpassungsfilter 18, bei dem die auftreffende Lichtstrahlung entsprechend einem Spiegel reflektiert wird. Entsprechend ist die Absorberschicht 12 zur Bildung des Intensitätsanpassungsfilters auf einem Planspiegel angeordnet, wie dies nachfolgend noch näher beschrieben wird.
Wie aus den 6 und 7 zu entnehmen ist, kann der Intensitätsanpassungsfilter 18 ebenfalls an unterschiedlichen Stellen eines EUV - Beleuchtungssystems angeordnet werden. In dem Ausführungsbeispiel der 6 ist der Intensitätsanpassungsfilter 18 zwischen der Plasma - Lichtquelle 1 und dem Kollektorspiegel 5 in der Nähe des Fernfeldes 9 der Plasma - Lichtquelle 1 angeordnet, wobei zwischen dem Intensitätsanpassungsfilter 18 und der Plasma - Lichtquelle 1 zusätzlich ein Debris - Filter 7 vorgesehen ist. Im Übrigen unterscheidet sich die Ausführungsform der 6 nicht von denjenigen der Ausführungsformen der 3 bis 5.
Bei der Ausführungsform des EUV - Beleuchtungssystems, die in 7 gezeigt ist, besteht der Unterschied gegenüber der Ausführungsform der 6 lediglich darin, dass der Intensitätsanpassungsfilter 18 im Strahlengang nach dem Kollektorspiegel 5 angeordnet ist.
Die 8 zeigt eine weitere Ausführungsform eines Intensitätsanpassungsfilters 15. In diesem Beispiel ist der Intensitätsanpassungsfilter mit dem Kollektorspiegel zu einem Bauteil 15 Kombiniert, wobei die Absorberschicht 12 zur Verwirklichung der Intensitätsanpassung auf dem Kollektorspiegel angeordnet ist.
Obwohl die Integration der Funktion der Intensitätsanpassung in Bauteile mit anderen Funktionen, wie beispielsweise Debris - Filter oder Kollektorspiegel, hinsichtlich der Verringerung der Anzahl der Bauteile vorteilhaft ist, ergeben sich auch Nachteile dahingehend, dass die Herstellung komplexer wird und bei fehlerhaften Bauteilen entsprechend komplexe Bauteile mit mehreren Funktionen ausgewechselt werden müssen. Entsprechend ist eine Abwägung der erzielbaren Vorteile und der dadurch bedingten Nachteile erforderlich.
Die 9 zeigt einen Intensitätsanpassungsfilter 18, wie er in den Ausführungsformen der 6 und 7 eingesetzt werden kann. Beim Intensitätsanpassungsfilter 18 handelt es sich um einen reflektiven Intensitätsanpassungsfilter, bei dem die einfallende Lichtstrahlung, also das EUV - Licht 24 an einer Reflexionsschicht 21 reflektiert wird.
Der Intensitätsanpassungsfilter 18 weist dementsprechend ein Substrat 19 auf, welches als planare Platte ausgebildet ist. Auf dem Substrat 19 ist eine Reflexionsschicht in Form eines Bragg - Reflektors 21 mit abwechselnden Schichten aus unterschiedlichen Materialien, wie beispielsweise Molybdän und Silizium bereitzustellen. Durch die Reflexion des einfallenden Lichts 24 an den Teilschichten der Reflexionsschicht 21 und einer geeigneten Wahl der Dicke der Teilschichten kommt es zu einer konstruktiven Interferenz der reflektierten EUV - Lichtstrahlen. Durch eine entsprechende Wahl der Anzahl der Schichtpaare aus Molybdän und Silizium beziehungsweise Perioden, eine Änderung der Schichtdickenverhältnisse im Mo/Si - Schichtsystem, die Verwendung anderer Materialien oder durch Übergang auf höhere Harmonische des Multilagen - Schichtsystems beziehungsweise durch einen aperiodischen vertikalen Schichtaufbau, ein sogenanntes Z-grading, kann die Bandbreite des reflektierten Lichts verändert werden und die Reflexionsschicht kann entsprechend schmalbandig beziehungsweise breitbandig ausgelegt werden, so dass nur Licht in einem engen Wellenlängen - und Einfallswinkelbereich (schmalbandig) oder in einem großen Wellenlängen - und Einfallswinkelbereich (breitbandig) reflektiert wird. Durch Variation der oben genannten Parameter der Reflexionsschicht 21 über der optisch wirksamen Fläche des Intensitätsanpassungsfilters kann auch eine Variation der Bandbreite der reflektierten Strahlung über dem Intensitätsanpassungsfilter realisiert werden.
Unterhalb der Reflexionsschicht 21 ist eine Strukturierungsschicht 20 vorgesehen, welche Strukturen bereit stellt, die sich bei der Abscheidung der Teilschichten des Bragg - Reflektors in diesen fortsetzen, sodass eine Wirkung als Diffusor für das einfallende Licht 24 bereitgestellt wird und dadurch die reflektierte Intensität des einfallenden Lichts beeinflusst wird. Die Strukturen der Strukturierungsschicht 20 können durch eine Glättungsschicht auf der äußersten Schicht des Bragg - Reflektors nivelliert werden, um oberhalb der Strukturierungsschicht 20 eine glatte Oberfläche insbesondere für die nachfolgende Absorberschicht 12 bereitzustellen.
Oberhalb der Reflexionsschicht 21 in Richtung des einfallenden EUV - Lichts ist eine zweiteilige Absorberschicht 12 vorgesehen, die eine untere Teilschicht 22 und eine Oberflächenschicht 23 umfasst. Die Oberflächenschicht 23 unterscheidet sich hinsichtlich der unteren Teilschicht 22 dadurch, dass sie so ausgebildet ist, dass sie leichter von Kontaminationen gereinigt werden kann und resistent gegenüber Wasserstoff und Sauerstoff ist. Darüber hinaus kann die Oberflächenschicht 23 auch mit ihrem Absorptionsverhalten unterschiedlich gegenüber der unteren Teilschicht 22 sein und insbesondere eine geringere Absorption des EUV - Lichts bewirken.
Wie sich aus der Darstellung der 9 ergibt, weist die Absorberschicht 12 eine unterschiedliche Schichtdicke d auf, die quer zur Oberfläche, in der das EUV - Licht auf den Intensitätsanpassungsfilter 18 trifft, definiert ist. Durch die unterschiedliche Schichtdicke d ergibt sich ein über der optisch wirksamen Fläche des Intensitätsanpassungsfilters 18 unterschiedliches Absorptionsverhalten, so dass die Intensitätsverteilung bei unterschiedlichen Komponenten des Beleuchtungssystems, wie unterschiedlichen Plasma - Lichtquellen oder Kollektorspiegeln ausgeglichen werden kann.
Die 10 zeigt ein Beispiel des Transmissionsverhaltens einer Absorberschicht 12 entlang einer Linie über der optisch wirksamen Fläche des Intensitätsanpassungsfilters 18, die der Schnittebene der 9 entsprechen kann. Die optisch wirksame Fläche des Intensitätsanpassungsfilters 18 erstreckt sich bei dem Ausführungsbeispiel der 9 quer zur Bildebene.
Das Transmissionsdiagramm der 10 zeigt, dass die Absorberschicht 12 des Ausführungsbeispiels der 9 in der Mitte des Intensitätsanpassungsfilters 18 eine nahezu 100%ige Transmission ermöglicht, während in den Randbereichen die Transmission deutlich abgesenkt ist.
Die 11 zeigt in einem Diagramm das unterschiedliche Absorptionsverhalten unterschiedlicher Materialien in Abhängigkeit von der Schichtdicke d der Absorberschicht. Das Diagramm der 11 zeigt eine relative Reflektivität beispielsweise des Intensitätsanpassungsfilters 18 aus 9 bei unterschiedlich dicken Absorberschichten für die Materialien Molybdän, Ruthenium und Nickel. Wie sich unmittelbar aus dem Diagramm der 11 ergibt, weist Nickel die höchste Absorption für EUV - Licht auf, während Molybdän die geringste Absorption für EUV - Licht der drei betrachteten Materialien besitzt.
Die 12 zeigt in der linken Kurve, die sich auf die linke Achse bezieht, die Dicke einer Absorberschicht entlang einer Linie über der optisch wirksamen Fläche des Intensitätsanpassungsfilters, während die rechte Kurve, die sich auf die rechte Achse bezieht, den Dickenfaktor c einer entsprechenden Absorberschicht entlang einer Linie über der optisch wirksamen Fläche des Intensitätsanpassungsfilters 18 der 9 zeigt. Der Dickenfaktor ist hier definiert als die lokale Dicke geteilt durch die minimal Dicke. Die Kurven der 12 offenbaren, dass beispielsweise mit Ruthenium als Absorbermaterial Schichtdicken der Absorberschicht zwischen 2 - 3 nm und 70 nm erforderlich sind, um den in 10 gezeigten Transmissionsverlauf zu erzeugen. Diese Variation der Absolutdicke entsprcht einer relativen Schichtdickenänderung (Dickenfaktor c) von bis zu 22. Dies zeigt, dass Absorberschichten mit sehr unterschiedlichen Schichtdicken hergestellt werden müssen. Aus diesem Grund kann es sinnvoll sein, einen zweiteiligen oder mehrteiligen Aufbau der Absorberschicht 12, wie in 9 gezeigt, zu wählen, um beispielsweise durch eine untere Teilschicht 22 mit einem starken Absorptionsverhalten, beispielsweise einer Absorberschicht aus Nickel, bereits einen hohen Grad des erforderlichen Absorptionsverlaufs zu gewährleisten und mit der weiteren Absorberteilschicht mir geringerem Absorptionsgrad 23 eine Feinjustierung des Absorptionsverlaufs zu ermöglichen. Je geringer der Absorptionsgrad ist, um so größer ist der Dickenfehler, den man sich bei einer geforderten Unsicherheit der Transmission erlauben darf. Diese Ausführung ist daher im Hinblick auf Robustheit gegen Fertigungsschwankungen vorteilhaft.
Um die Schichtdickenverläufe der Absorberschicht herzustellen, können übliche PVD - Verfahren (Physikalische Dampfphasenabscheidung PVD physical vapour deposition) oder Molekularstrahlabscheidungen eingesetzt werden.
Zusätzlich oder alternativ kann die Absorberschicht auch nach der Herstellung durch entsprechende Bearbeitung auf den gewünschten Schichtdickenverlauf eingestellt werden, beispielsweise durch IBF (Ion beam figuring) - Bearbeitung.
Bei der Gestaltung der Absorberschicht 12 des Intensitätsanpassungsfilters 18 gemäß dem Ausführungsbeispiel der 9 mit einem zweiteiligen Schichtaufbau kann die äußere Deckschicht 23 beispielsweise aus Ruthenium gebildet sein, welche einerseits eine geringere Absorption des EUV - Lichts bewirkt (siehe oben) und andererseits gegenüber Umwelteinflüssen unempfindlich ist. Durch die geringere Absorption besteht auch der Vorteil, dass die Anforderungen an die Genauigkeit der Schichtdicke im Oberflächenbereich geringer ist.
Darüber hinaus lässt sich mit einer entsprechenden Deckschicht 23 auch die Oberflächenrauigkeit in der gewünschten Weise einstellen. Wie sich aus 13 ergibt, kann es bei der Ausbildung des reflektiven Intensitätsanpassungsfilters in Form eines Planspiegels und bei zu glatten Oberflächen zu Interferenzen mit dem stehenden Wellenfeld der Reflexionsschicht 21 kommen, so dass die Reflektivität mit zunehmender Absorberschicht nicht exponentiell abnehmen würde, sondern um den exponentiellen Verlauf oszillieren würde, wie in Kurve 30 für eine Oberflächenrauheit rms = 0nm in 13 gezeigt ist (rms root mean square (quadratische Rauheit (Mittel der Abweichungsquadrate)). Eine nahezu exponentielle Abnahme der Reflektivität mit der Schichtdicke der Absorberschicht, wie in Kurve 31 in 13 gezeigt, ergibt sich somit nur, wenn, wie bei Kurve 33 gezeigt, die Oberflächenrauheit einen gewissen Wert, beispielsweise rms = 3nm aufweist.
Darüber hinaus kann ein Intensitätsanpassungsfilter 18 mit einer zweiteiligen Absorberschicht 12 leichter einer Reinigung oder Nachbearbeitung unterzogen werden, wenn die Deckschicht 23 dick genug ist und/oder in einfacher Weise erneuert werden kann. Außerdem besteht die Möglichkeit die Transmission des Intensitätsanpassungsfilters an veränderte Anforderungen leichter anzupassen, wenn beispielsweise eine Anpassung durch AIterung von entsprechenden Komponenten, wie beispielsweise der EUV - Reflexionsschicht auf dem Kollektorspiegel oder der Reflexionsschicht des Intensitätsanpassungsfilters eine Anpassung erforderlich macht. Insbesondere können auch Schichtdickenfehler und Reflektivitätsverläufe auf dem Kollektorspiegel eines EUV - Beleuchtungssystems mit dem Graufilter kompensiert werden.
Die 14 zeigt, dass die Reflexionsschicht aufgrund unterschiedlicher Einfallswinkel des auftreffenden Lichts Schichtdickenverläufe aufweisen kann. Die Einfallswinkel und die sich daraus ergebenden Schichtdickenverläufe können in verschiedenen Richtungen über der Schicht unterschiedlich sein. Somit ist die relative Schichtdickenänderung beziehungsweise der Dickenfaktor c auch für die Reflexionsschicht über der optisch wirksamen Oberfläche ungleich 1.Die Kurven 40 und 41 des Diagramms der 14 für einen als vertikalen Schichtdickenfaktor c bezeichneten Schichtdickenfaktor (Kurve 40) und einen als horizontalen Schichtdickenfaktor c bezeichneten Schichtdickenfaktor (Kurve 41) zeigen , dass sich unterschiedliche Verläufe des Dickenfaktors c in unterschiedlichen Richtungen über den Spiegel ergeben können. Die unterschiedlichen Schichtdickenverläufe über den Spiegel für die Reflexionsschicht 21 beziehungsweise deren Teilschichten kann in gleicher Weise durch die entsprechenden Beschichtungsverfahren erzielt werden, wie für die Absorberschicht.
In den Teilbildern a) und b) der 15 sind Diagramme zu sehen, die die Abhängigkeit der Reflektivität von der Rauigkeit der Grenzfläche zwischen Substrat und Bragg - Reflektor und die Abhängigkeit der Rauigkeit einer Oberfläche vom Materialabtrag durch lonenstrahlbearbeitung zeigen.
Die 16 zeigt den Ablauf des Herstellungsverfahrens für einen Intensitätsanpassungsfilter in einem Ablaufdiagramm. Das Bezugszeichen 50 bezeichnet den Start und bei Schritt 51 wird ein Intensitätsanpassungsfilter mit einer vorbestimmten Absorberschicht in ein entsprechendes Mess - Beleuchtungssystem eingesetzt. Im Schritt 52 wird eine entsprechende Messung wie beispielsweise eine EOS - Messung durchgeführt, wobei der Detektor gemäß Feld 60 in einem Fernfeld der Lichtquelle angeordnet ist. Mit Schritt 53 wird das Messergebnis mit einer Referenz verglichen, wobei die Referenzwerte dem Fernfeld der Referenzquelle gemäß Feld 61 entsprechen. Wird im Schritt 54 festgestellt, dass der gemessene Wert der Spezifikation entspricht, kann der Intensitätsanpassungsfilter entsprechend Verwendung finden und das Verfahren ist gemäß Feld 55 beendet.
Liegt der Intensitätsanpassungsfilter jedoch nicht innerhalb der Spezifikation, wird im Schritt 56 berechnet, wie die Dicke der Absorberschicht angepasst werden muss. In Schritt 57 wird der Intensitätsanpassungsfilter dem Mess - Beleuchtungssystem entnommen und im Schritt 58 wird die Dicke der Absorberschicht durch entsprechende Beschichtung oder durch Abtrag mittels IBF (Ion beam figuring) angepasst. Im Schritt 59 wird der so bearbeitete Intensitätsanpassungsfilter in das Mess - Beleuchtungssystem erneut eingebaut, um das weitere Verfahren mit dem Schritt 52 und nachfolgenden Schritten erneut zu durchlaufen. Die entsprechenden Schritte werden solange wiederholt, bis bei Schritt 54 entschieden wird, dass der Intensitätsanpassungsfilter innerhalb der Spezifikation liegt.
Obwohl die vorliegende Erfindung anhand der Ausführungsbeispiele detailliert beschrieben worden ist, ist für den Fachmann selbstverständlich, dass diese Erfindung nicht auf diese Ausführungsbeispiele beschränkt ist, sondern dass vielmehr Abwandlungen in der Weise möglich sind, dass einzelne Merkmale weggelassen oder andersartige Kombinationen von Merkmalen verwirklicht werden, solange der Schutzbereich der beigefügten Ansprüche nicht verlassen wird. Die vorliegende Offenbarung schließt sämtliche Kombinationen der vorgestellten Einzelmerkmale mit ein.

Claims

Optisches Element für ein optisches System, welches mit Arbeitslicht im Wellenlängenspektrum des extrem ultravioletten Lichts oder weicher Röntgenstrahlung arbeitet, insbesondere ein optisches System für die EUV - Mikrolithographie, mit einer Absorberschicht (12) für EUV - oder weiche Röntgenstrahlung, die sich entlang einer optisch wirksamen Fläche erstreckt und eine Dicke aufweist, die quer zur optisch wirksamen Fläche definiert ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke der Absorberschicht über der optisch wirksamen Fläche variiert.
Optisches Element nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Absorberschicht (12) auf einem Substrat aufgebracht ist.
Optisches Element nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das optische Element ein Intensitätsanpassungsfilter ist, insbesondere ein Durchstrahlungsfilter.
Optisches Element nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Absorberschicht (12) mindestens eine Teilschicht aufweist, die eine reflexionsmindernde Wirkung für eine oder mehrere Wellenlängen des Arbeitslichts aufweist.
Optisches Element nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine reflexionsmindernde Schicht entlang der Schicht so unterschiedlich ausgebildet ist, dass die reflexionsmindernde Wirkung in Abhängigkeit vom lokalen Einfallswinkel des Arbeitslichts optimiert ist.
Optisches Element nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat als Spiegel (21) ausgebildet ist.
Optisches Element nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Absorberschicht (12) aus mehreren Teilschichten (22,23) zusammengesetzt ist, die sich insbesondere hinsichtlich der Absorptionswirkung unterscheiden, wobei vorzugsweise die Absorberteilschicht (23) oder Absorberteilschichten, die einer Einfallsseite einer zu filternden Strahlung zugewandt ist oder sind, eine geringere Absorption aufweisen als die Absorberteilschicht(en) (22) der der Einfallsseite der zu filternden Strahlung abgewandten Seite.
Optisches Element nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das optische Element eine Deckschicht (23) umfasst, die insbesondere Teil der Absorberschicht (12) ist.
Optisches Element nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Absorberschicht (12) ein oder mehrere Bestandteile aus der Gruppe aufweist, die Mo, Ru, Si, Si₃N₄, ZrN, SiC, B₄C und Ni umfasst.
Optisches Element nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat strukturiert ist oder eine Strukturierungsschicht (20) angeordnet ist, um als Diffusor zu wirken, wobei insbesondere eine Glättungsschicht in Kombination mit einer Strukturierung vorgesehen ist.
Optisches Element nach einem der Ansprüche 6 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass der Spiegel eine Reflexionsschicht (21) in Form eines Bragg - Reflektors aufweist.
Optisches Element nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass sich die Reflexionsschicht (21) entlang der optisch wirksamen Fläche erstreckt und über der optisch wirksamen Fläche an unterschiedliche Einfallswinkel -des Arbeitslichts angepasst ist.
Optisches Element nach einem der Ansprüche 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Reflexionsschicht (21) so ausgebildet ist, dass eine Bandbreite von Wellenlängen mit der Reflexionsschicht reflektiert werden kann, wobei die Bandbreite über der optisch wirksamen Fläche variiert.
Optisches Element nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Absorberschicht an mindestens einer einer Einfallsseite einer zu filternden Strahlung zugewandten Seite eine Mikrostruktur aufweist, wobei die charakteristische Höhe der Mikrostruktur größer oder gleich einem Viertel der Wellenlänge des Arbeitslichts ist, sodass Interferenzen mit einem stehenden Wellenfeld unterdrückt werden.
Optisches Element nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Absorberschicht an mindestens einer einer Einfallsseite einer zu filternden Strahlung zugewandten Seite eine definierte Rauheit aufweist, wobei die definierte Rauheit größer oder gleich einem Viertel der Wellenlänge des Arbeitslichts ist, sodass Interferenzen mit einem stehenden Wellenfeld unterdrückt werden.
Optisches Element nach einem der Ansprüche 11 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Absorberschicht eine Schicht ist, die aus einem Material gefertigt ist, das zu dem Material der äußersten Schicht des Bragg - Reflektors gleich oder unterschiedlich ist, und zusätzlich zu der äußersten Schicht des Bragg - Reflektors auf dieser angeordnet ist, wobei die Dicke der äußersten Schicht des Bragg - Reflektors so gewählt ist, dass eine maximale Reflektivität des Bragg - Reflektors gegeben ist.
Spiegel, insbesondere für ein Beleuchtungssystem einer EUV - Projektionsbelichtungsanlage, mit einem Intensitätsanpassungsfilter, durch den die vom Spiegel reflektierte Intensität über der optisch wirksamen Fläche variiert, wobei der Spiegel als ein optisches Element nach einem der Ansprüche 6 bis 16 ausgebildet ist und/oder durch mindestens eine aufgeraute Fläche des Spiegels gebildet ist, deren Rauheit über der Fläche variiert.
Spiegel nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass der Spiegel einen Grundkörper und eine auf dem Grundkörper angeordnete Reflexionsschicht (21) in Form eines Bragg - Reflektors aufweist, wobei die Grenzfläche zwischen Grundkörper des Spiegels und Reflexionsschicht die aufgeraute Fläche ist und der Bragg - Reflektor unmittelbar auf der aufgerauten Fläche aufgebracht ist.
Beleuchtungssystem für eine EUV - Projektionsbelichtungsanlage mit einer Lichtquelle (1), einem Kollektorspiegel (5) und einem Feldfacettenspiegel (4) sowie mit einem Intensitätsanpassungsfilter (8,18), insbesondere einem Intensitätsanpassungsfilter, der als optisches Element nach einem der Ansprüche 1 bis 16 oder als Spiegel nach einem der Ansprüche 17 oder 18 ausgebildet ist, dadurch gekennzeichnet, dass der Intensitätsanpassungsfilter als Durchstrahlungsfilter (8) ausgebildet ist und im Strahlengang ausgehend von der Lichtquelle zwischen Lichtquelle und Kollektorspiegel oder nach dem Kollektorspiegel oder vor und in der Nähe des Feldfacettenspiegels angeordnet ist oder dass der Intensitätsanpassungsfilter (18) als optisches Element in Baueinheit mit einem Spiegel oder als Spiegel ausgebildet ist und im Strahlengang ausgehend von der Lichtquelle zwischen Lichtquelle und Kollektorspiegel oder nach dem Kollektorspiegel oder in Baueinheit (15) mit dem Kollektorspiegel angeordnet ist.
Verfahren zur Herstellung eines Intensitätsanpassungsfilters, vorzugsweise für die EUV - Mikrolithographie, insbesondere für einen Filter in Form eines optischen Elements nach einem der Ansprüche 1 bis 16, bei dem eine Absorberschicht (12) für EUV - Strahlung oder weiche Röntgenstrahlung, die sich entlang einer optisch wirksamen Fläche erstreckt und eine Dicke aufweist, die quer zur optisch wirksamen Fläche definiert ist, erzeugt wird, dadurch gekennzeichnet, dass eine über der optisch wirksamen Fläche unterschiedliche Dicke der Absorberschicht bestimmt wird und die unterschiedliche Dicke der Absorberschicht bei der Herstellung der Absorberschicht (12) eingestellt und/oder nach der Herstellung der Absorberschicht nachträglich angepasst wird.
Verfahren nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass eine Dickenverteilung der Absorberschicht (12) über der optisch wirksamen Oberfläche durch iterative Messungen und Vergleiche mit einer Referenz und/oder durch Berechnung ermittelt wird.
Verwendung eines Intensitätsanpassungsfilters, insbesondere eines Intensitätsanpassungsfilters in Form eines optischen Elements nach einem der Ansprüche 1 bis 16, in einem Mess - Beleuchtungssystem, das mit Arbeitslicht im Wellenlängenspektrum des extrem ultravioletten Lichts oder weicher Röntgenstrahlung arbeitet, zur Anpassung der Intensität und/oder der Intensitätsverteilung -des Arbeitslichts an andere Beleuchtungssysteme.