JP5311757B2 - 反射光学素子、露光装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
k1λ0/4<k2λ0/4<…kiλ0/4…<knλ0/4 …(1)
を満足するとよい。ただし、kmin≦k1<k2<…ki…<kn≦kmax、1≦i≦n、n≧2、knは正の数、iは正の整数である。
12 誘電体多層膜
a 低屈折率層
b 高屈折率層
100 露光装置
110 照明装置
112 光源
114 照明光学系
120 投影光学系
140 アライメント機構
141 アライメント光源
144 検出器
RT レチクル
GS 被処理体
AM1、AM2 アライメントマーク
PR フォトレジスト
Claims (10)
- 光源からの露光光を用いてレチクルからの光を被処理体に投影する投影光学系に用いられる反射光学素子であって、
基板と、
前記基板上に積層された誘電体多層膜とを有し、
前記誘電体多層膜は、前記基板側から順に、
互いに屈折率が異なる2以上の誘電体層が第1の光学膜厚換算周期長で4層以上積層されて構成された第1の積層群と、
互いに屈折率が異なる2以上の誘電体層が前記第1の光学膜厚換算周期長より長い第2の光学膜厚換算周期長で4層以上積層されて構成された第2の積層群とを含み、
前記露光光の波長を含む第1波長範囲内であって前記反射光学素子に入射する光の設計中心波長をλ 0 とし、k min 、k max を定数とし、
前記反射光学素子に入射し、前記レチクルと前記被処理体との位置合わせのために用いられるアライメント光であって波長が前記第1波長範囲とは異なり前記設計中心波長λ 0 より大きい光の第2波長範囲を2k min λ 0 /4以上2k max λ 0 /4以下とすると、k min は2より大きく、
前記第1の積層群および前記第2の積層群の光学膜厚換算周期長はk min λ 0 /4以上k max λ 0 /4以下であり、
前記誘電体多層膜は、前記第1の積層群および前記第2の積層群より前記基板側に、互いに屈折率が異なる2以上の誘電体層が2×λ 0 /4より小さい光学膜厚換算周期長で4層以上積層されて構成された積層群を含むことを特徴とする反射光学素子。 - 前記誘電体多層膜は、前記基板側から順に、
光学膜厚換算周期長が2×λ 0 /4より小さい前記積層群であって、
互いに屈折率が異なる2以上の誘電体層が4層以上積層されて構成された、第3の光学膜厚換算周期長を有する第3の積層群と、
互いに屈折率が異なる2以上の誘電体層が4層以上積層されて構成された、前記第3の光学膜厚換算周期長より長い第4の光学膜厚換算周期長を有する第4の積層群とを含むことを特徴とする請求項1に記載の反射光学素子。 - 前記4層以上の各誘電体層は、λ0/4の整数倍とは異なる光学膜厚を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の反射光学素子。
- 前記誘電体多層膜は、それぞれ前記第1及び第2の積層群の関係を有する積層群の組を複数含み、
前記複数組の積層群を構成する積層群であって光学膜厚換算周期長がkminλ0/4以上kmaxλ0/4以下である複数の特定積層群は以下の条件を満足することを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の反射光学素子。
前記特定積層群の光学膜厚換算周期長は、基板側の特定積層群から順に、
k1λ0/4<k2λ0/4<…kiλ0/4…<knλ0/4
ただし、kmin≦k1<k2<…ki…<kn≦kmax、1≦i≦n、n≧2、knは正の数、iは正の整数である。 - 前記第2波長範囲における前記反射光学素子の反射率は、前記露光光の波長を含む第1波長範囲における前記反射光学素子の反射率よりも小さいことを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項に記載の反射光学素子。
- 前記第2波長範囲において、前記反射光学素子によって反射されたS偏光反射成分およびP偏光反射成分との間に平坦な位相差特性があることを特徴とする請求項1乃至5の何れか1項に記載の反射光学素子。
- 露光光を、請求項1乃至6の何れか1項に記載の反射光学素子を含む投影光学系を介して被処理体に照射することにより、該被処理体を露光することを特徴とする露光装置。
- 光源からの露光光でレチクルを照明する照明光学系と、
前記レチクルからの光を前記被処理体に投影する前記投影光学系と、
前記レチクルと前記被処理体との位置を合わせるアライメント機構とを有し、
前記アライメント機構に使用されるアライメント光の波長範囲は前記第2波長範囲であり、前記アライメント光が前記反射光学素子に入射することを特徴とする請求項7に記載の露光装置。 - 前記アライメント光がS偏光成分およびP偏光成分として前記反射光学素子に入射することを特徴とする請求項8に記載の露光装置。
- 請求項7乃至9の何れか1項に記載の露光装置を用いて被処理体を露光する工程と、
露光された前記被処理体を現像する工程とを有することを特徴とするデバイス製造方法。
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