JP5704525B2 - マイクロレンズアレイを使用したスキャン露光装置 - Google Patents

マイクロレンズアレイを使用したスキャン露光装置 Download PDF

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Description

本発明は、マイクロレンズを2次元的に配列したマイクロレンズアレイによりマスクパターンを基板上に露光するマイクロレンズアレイを使用したスキャン露光装置に関する。
薄膜トランジスタ液晶基板及びカラーフィルタ基板等は、ガラス基板上に形成されたレジスト膜等を、数回、重ね合わせ露光して、所定のパターンを形成する。これらの被露光基板は、その膜形成過程で、延び縮みすることがあり、重ね合わせ露光の下層パターンが、製造条件(露光装置特性及び温度条件)により、設計上のピッチと異なってくることがある。このような重ね合わせ露光において、露光位置のピッチの変化が生じると、このピッチの変化は、露光装置側で倍率補正をして、吸収せざるを得なかった。即ち、被露光基板の寸法変動が生じた場合、ピッチがずれた分を、像の倍率を調整することにより、この像を変動後のピッチの基板上の所定位置の中央に配置する必要がある。
一方、近時、マイクロレンズを2次元的に配置したマイクロレンズアレイを使用したスキャン露光装置が提案されている(特許文献1)。このスキャン露光装置においては、複数個のマイクロレンズアレイを一方向に配列し、この配列方向に垂直の方向に基板及びマスクを、マイクロレンズアレイ及び露光光源に対して、相対的に移動させることにより、露光光がマスクをスキャンして、マスクの孔に形成された露光パターンを基板上に結像させる。
特開2007−3829
しかしながら、この従来のスキャン露光装置においては、以下に示す問題点がある。通常のレンズを組み合わせて使用した投影光学系を使用した露光装置においては、レンズの間隔を調整する等により、倍率を調整することは容易である。しかし、マイクロレンズの場合は、厚さが例えば4mmの板の中に、8個のレンズを光軸方向に配置することにより、正立等倍像を基板上に結像させるようにしたものであるので、倍率の調整ができない。よって、マイクロレンズアレイを使用したスキャン露光装置においては、被露光基板のピッチ変更に対応することができないという問題点がある。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、マイクロレンズアレイを使用した露光装置において、露光装置特性及び温度条件等の製造条件の変動に起因して、被露光基板の大きさの変動が生じても、マスクパターンの像を所定位置に合わせることができるマイクロレンズアレイを使用したスキャン露光装置を提供することを目的とする。
本発明に係るマイクロレンズアレイを使用したスキャン露光装置は、露光すべき基板の上方に配置され、マイクロレンズが2次元的に配置された複数個のマイクロレンズアレイと、このマイクロレンズアレイの上方に配置され所定の露光パターンが形成されたマスクと、このマスクに対して露光光を照射する露光光源と、前記マイクロレンズアレイと前記基板及び前記マスクとを相対的に一方向に移動させる移動装置とを有し、前記複数個のマイクロレンズアレイは、支持基板上に、前記一方向に垂直の方向に配置されており、各マイクロレンズアレイは、前記支持基板に対してその配置方向に関し被露光基板に平行の方向から傾斜することができるように支持されており、
前記マイクロレンズアレイの傾斜角度の調整は、前記被露光基板に既に形成されている下層パターンのトータルピッチを予め測定しておき、露光パターンのピッチをこの下層パターンのトータルピッチに合わせるように行うことを特徴とする。
又は、前記マイクロレンズアレイの傾斜角度の調整は、露光中に下層パターンと露光パターンとの位置ずれをカメラにより確認し、露光パターンをこの下層パターンに合わせるように行うこともできる。
また、前記マイクロレンズアレイは、その傾斜角度が、前記配置方向に関し徐々に大きくなるか、又は小さくなるように構成することができる。
更に、前記マイクロレンズアレイは、前記一方向に2列に配置され、各マイクロレンズアレイは前記支持基板上で千鳥に配置されていることが好ましい。但し、マイクロレンズアレイは、必ずしも千鳥に配置されている必要はない。
更にまた、例えば、前記マイクロレンズは、前記マスクの露光パターンの正立等倍像を前記基板上に投影する。
本発明に係る他のマイクロレンズを使用したスキャン露光装置は、露光すべき基板の上方に配置され、マイクロレンズが2次元的に配置された複数個のマイクロレンズアレイと、このマイクロレンズアレイの上方に配置され所定の露光パターンが形成されたマスクと、このマスクに対して露光光を照射する露光光源と、前記マイクロレンズアレイと前記基板及び前記マスクとを相対的に一方向に移動させる移動装置とを有し、前記複数個のマイクロレンズアレイは、支持基板上に、前記一方向に垂直の方向に配置されており、各マイクロレンズアレイは、前記支持基板に対してその配置方向に関し被露光基板に平行の方向から傾斜することができるように支持されており、
前記マイクロレンズアレイの傾斜角度の調整は、前記基板の大きさの変動にも拘わらず、マスクパターンの像が前記基板上の所定位置に一致して重ね合わせ露光されるように行うことを特徴とする。
本件発明によれば、マイクロレンズアレイを使用した露光装置において、複数のマイクロレンズアレイの傾斜角度を相互に異ならせることにより、マイクロレンズを透過した正立等倍率の像の倍率を擬似的に容易に変更することができ、重ね合わせ露光における露光位置の寸法精度を向上させることができる。
本発明の実施形態に係る露光装置の1個のマイクロレンズアレイの部分を示す縦断面図である。 このマイクロレンズアレイが複数個配列されている状態を示す斜視図である。 マイクロレンズを示す図である。 (a)、(b)はその絞りを示す図である。 マイクロレンズアレイの露光領域を示す図である。 マイクロレンズアレイ同士の関係を示す図である。
以下、本発明の実施形態について、添付の図面を参照して具体的に説明する。図1は、本発明の実施形態に係る露光装置の1個のマイクロレンズアレイの部分を示す縦断面図、図2はこのマイクロレンズアレイが複数個配列されている状態を示す斜視図、図3はマイクロレンズを示す図、図4(a)、(b)はその絞りを示す図、図5はマイクロレンズアレイの露光領域を示す図、図6はマイクロレンズアレイ同士の関係を示す図である。
ガラス基板等の被露光基板1の上方に、マイクロレンズ2aが2次元的に配置されて構成されたマイクロレンズアレイ2が配置され、更に、このマイクロレンズアレイ2の上にマスク3が配置され、マスク3の上方に露光光源4が配置されている。マスク3は透明基板3aの下面にCr膜3bからなる遮光膜が形成されていて、露光光はこのCr膜3bに形成された孔を透過してマイクロレンズアレイ2により基板上に収束する。本実施形態においては、例えば、マイクロレンズアレイ2及び露光光源4が固定されていて、基板1及びマスク3が同期して矢印5方向に移動することにより、露光光源4からの露光光がマスク3を透過して基板1上を矢印5方向にスキャンされる。この基板1及びマスク3の移動は、適宜の移動装置の駆動源により駆動される。なお、基板1及びマスク3を固定して、マイクロレンズアレイ2及び露光光源4を移動させることとしてもよい。
図2に示すように、マイクロレンズアレイ2は、支持基板6に、スキャン方向5に垂直の方向に例えば4個ずつ2列に配置されており、これらのマイクロレンズアレイ2は、スキャン方向5にみて、前段の4個のマイクロレンズアレイ2の相互間に、後段の4個のマイクロレンズアレイ2のうち3個が夫々配置され、2列のマイクロレンズアレイ2が千鳥に配列されている。これにより、2列のマイクロレンズアレイ2により、基板1におけるスキャン方向5に垂直の方向の露光領域の全域が露光される。
各マイクロレンズアレイ2の各マイクロレンズ2aは、4枚8レンズ構成であり、4枚のマイクロレンズアレイ2−1,2−2,2−3,2−4が積層された構造を有する。各マイクロレンズアレイ2−1等は2個のレンズから構成されている。これにより、露光光はマイクロレンズアレイ2−2とマイクロレンズアレイ2−3との間で一旦収束し、更にマイクロレンズアレイ2−4の下方の基板上で結像する。そして、マイクロレンズアレイ2−2とマイクロレンズアレイ2−3との間に6角視野絞り12が配置され、マイクロレンズアレイ2−3とマイクロレンズアレイ2−4との間に開口絞り11が配置されている。これらの6角視野絞り12及び開口絞り11はマイクロレンズ2a毎に設けられており、各マイクロレンズ2aについて基板上の露光領域を6角に整形している。6角視野絞り12は、例えば、図4(a)に示すように、マイクロレンズ2aのレンズ視野領域10の中に6角形状の開口として形成され、開口絞り11は、図4(b)に示すように、マイクロレンズ2aのレンズ視野領域10の中に円形の開口として形成されている。6角視野絞り12は例えば図4(a)に示す寸法(mm)を有する。
そして、各マイクロレンズアレイ2において、マイクロレンズ2aは図5に示すように配置されている。即ち、マイクロレンズ2aは、スキャン方向5について、順次、若干横方向にずれて配置されている。6角視野絞り12は、中央の矩形部分12aと、そのスキャン方向5に見て両側の三角形部分12b、12cとに分かれる。そして、図5に示すように、スキャン方向5に関し、1列目の6角視野絞り12の右側の三角形部分12cが、2列目の6角視野絞り12の左側の三角形部分12bと重なり、1列目の6角絞り12の左側の三角形部分12bが、3列目の6角視野絞り12の右側の三角形部分12cと重なるように、これらのマイクロレンズ2aが配置されている。このようにして、スキャン方向5に関し、3列のマイクロレンズ2aが1セットとなって配置される。つまり、4列目のマイクロレンズ2aは、スキャン方向5に垂直の方向に関し、1列目のマイクロレンズ2aと同一位置に配置される。このとき、6角視野絞り12の形状寸法が、図4に示す寸法を有する場合は、図5に示すように、6角形の各角部をスキャン方向5に結ぶ線分(破線)は0.03mmの等間隔となる。そうすると、三角形部分12bの面積と三角形部分12cの面積とを加算すると、中央の矩形部分12の面積と同一になる。このため、基板1が3列のマイクロレンズ2aのスキャンを受けると、このスキャン方向5に垂直の方向に関し、その全域で均一な光量の露光を受けたことになる。従って、各マイクロレンズアレイ2は、スキャン方向5に関し、3の整数倍の列のマイクロレンズ2aが配置されている。
そして、図2に示すように、各マイクロレンズアレイ2は、支持基板6に支持されているが、マイクロレンズアレイ2は支持基板6に対し、スキャン方向5に垂直の方向に傾斜することができるように支持されている。
図6に示すように、各列4枚の合計8枚のマイクロレンズアレイ2は、スキャン方向に垂直の方向に対し、任意の傾斜角度で傾斜することができる。このようなマイクロレンズアレイ2の傾斜駆動は、ピエゾ圧電素子により行うことができる。即ち、ピエゾ圧電素子に電圧を印加すると、その印加電圧に応じてピエゾ圧電素子が変形するので、これを利用してマイクロレンズアレイ2の角度を変更させることができる。なお、図6は図2の前段のマイクロレンズアレイ2と後段のマイクロレンズアレイ2とを交互に示したものであり、スキャン方向5について、前段及び後段のマイクロレンズアレイ2を見たものである。従って、図6は図の半分のマイクロレンズアレイ2を示している。
次に、上述のごとく構成された本実施形態の露光装置の動作について説明する。図1乃至図3に示すように、露光光源4から露光光がマスク3を介してマイクロレンズアレイ2に入射すると、倒立等倍の像が6角視野絞り12に結像する。そして、この6角視野絞り12により、各マイクロレンズ2aを透過する露光光が、図4(a)に示す6角形に整形され、図5に示すように、基板1上に正立等倍像として、投影される。
そして、図2に示すように、8枚のマイクロレンズアレイ2により、基板1のスキャン方向5に垂直の方向の全露光領域が均一光量で露光される。そして、基板1及びマスク3を、スキャン方向5に、マイクロレンズアレイ2に対して走査すると、基板1の全面の露光領域が均一光量で露光される。これにより、マスク3に形成されたマスクパターンが基板1上に結像する。
このとき、薄膜トランジスタ液晶基板及びカラーフィルタ基板等のガラス基板に、製造過程で寸法の変化が生じた場合に、重ね露光における露光パターンが下層パターンに対してずれてしまう。そこで,図6に示すように、仮に、被露光基板1の大きさが大きくなった場合、マイクロレンズアレイ2を隣接するマイクロレンズアレイ2に対して傾斜させる。そうすると、図6に示す最も右側のマイクロレンズアレイ2は被露光基板1に平行であり、露光光がマイクロレンズアレイ2に垂直に入射するが、その左隣のマイクロレンズアレイ2は、右端のマイクロレンズアレイ2に対して若干(数度の1/1000程度)傾斜する。そうすると、このマイクロレンズアレイ2を透過した露光光は、基板1に対して垂直方向から若干傾斜した方向に入射する。このようにして、右のマイクロレンズアレイ2に対して左隣のマイクロレンズアレイ2をより大きく傾斜させていくことにより、最も左側のマイクロレンズアレイ2は垂直方向に対し最も大きく傾斜し、露光光は基板1に対して垂直方向から最も大きく傾斜して入射する。
これにより、各マイクロレンズアレイ2から基板1上に投影されたマスク3のマスクパターン(図中、□で示す)は、各マイクロレンズアレイ2についてaの領域に投影される。この場合に、露光光の傾斜角度は各マイクロレンズアレイ2について異なるが、露光領域aは、傾斜角度自体が極めて小さいものであるから、各マイクロレンズアレイ2について実質的に同寸である。しかし、隣接するマイクロレンズアレイ2間の間隔b1,b2,b3は、各マイクロレンズアレイ2が基板1に水平の場合の間隔に比して、大きい。このため、マスク3を透過したときの露光光の透過領域は、基板1上において広がり、実質的にレンズ倍率が増大した効果が得られる。これにより、各マスクパターンの像を、伸びた基板の所定の露光領域の中央に結像させることができ、基板の寸法の変動がなかった場合と同様に、所定の露光領域の中央に結像させることができる。
ガラス基板1のスキャン方向5に垂直の方向の寸法が1mであり、各マイクロレンズアレイ2の寸法が60mmである場合、基板1の全領域を露光するためには、17枚のマイクロレンズアレイ2が必要である。このような大きさの基板1において、製造条件(露光装置特性及び温度条件)により、設計値から6μm程度、伸びたり、縮んだりする。このため、マイクロレンズアレイ2を順次少しずつ傾斜させていくことにより、各マイクロレンズアレイが水平の場合に比して、各マイクロレンズアレイ2間の間隔を0.375(6/16=0.375)μmだけ増加させることによって、投影露光の露光領域の倍率を擬似的に上げることができ、基板1の寸法の変動を吸収することができる。このように、隣接するマイクロレンズアレイ2に対して0.375μmだけ間隔を修正すれば良いので、この程度の間隔変更であれば、マイクロレンズアレイ2を傾斜させる角度は極めて小さくて足りる。
このようにして、マイクロレンズアレイを使用した露光装置において、その投影像の倍率を容易に変更することができ、重ね合わせ露光における寸法精度を向上させることができる。
なお、各マイクロレンズアレイは、前記支持基板に対してその配置方向に関し被露光基板に平行の方向から傾斜することができるように、例えば、圧電素子を介して、支持基板に支持されており、このマイクロレンズアレイの傾斜角度は、上記実施形態では、前記配置方向に関し、徐々に大きくなるように設定されたが、このマイクロレンズアレイの傾斜角度は、逆に徐々に小さくなるように設定してもよい。この場合は、被露光基板の大きさが縮小した場合に、マイクロレンズアレイからの露光光の位置大きさ変動後の基板に合わせることができる。
また、上述のようにして、本発明によれば、重ね合わせ露光において、基板の寸法の変動が生じても、その露光位置を下層の露光パターンに高精度で合わせることができるようになるが、具体的には、予め下層パターンのトータルピッチを測定しておき、露光パターンのピッチをこのトータルピッチに合わせるように、各マイクロレンズの傾斜角度を調整し、パターン投影位置を微調整することとしてもよいし、また、下層パターンのピッチは予め測定せず、露光装置内で、露光中に下層パターンと露光パターンとの位置ずれをカメラにより確認し、その結果に基づいて、各マイクロレンズの傾斜角度の調整をリアルタイムに行ってもよい。なお、トータルピッチとは、スキャン方向5に垂直の方向における両端部のパターン間の距離である。
また、露光光は、パルスレーザ光又は水銀ランプ等の連続光等、種々のものを使用することができる。
1:基板
2:マイクロレンズアレイ
2a:マイクロレンズ
2−1〜2−4:(構成)マイクロレンズアレイ
3:マスク
3a:透明基板
3b:Cr膜
4:露光光源
5:スキャン方向
6:支持基板
11:開口絞り
12:6角視野絞り
12a:矩形部分
12b、12c:三角形部分

Claims (6)

  1. 露光すべき基板の上方に配置され、マイクロレンズが2次元的に配置された複数個のマイクロレンズアレイと、このマイクロレンズアレイの上方に配置され所定の露光パターンが形成されたマスクと、このマスクに対して露光光を照射する露光光源と、前記マイクロレンズアレイと前記基板及び前記マスクとを相対的に一方向に移動させる移動装置とを有し、前記複数個のマイクロレンズアレイは、支持基板上に、前記一方向に垂直の方向に配置されており、各マイクロレンズアレイは、前記支持基板に対してその配置方向に関し被露光基板に平行の方向から傾斜することができるように支持されており、
    前記マイクロレンズアレイの傾斜角度の調整は、前記被露光基板に既に形成されている下層パターンのトータルピッチを予め測定しておき、露光パターンのピッチをこの下層パターンのトータルピッチに合わせるように行うことを特徴とするマイクロレンズアレイを使用したスキャン露光装置。
  2. 露光すべき基板の上方に配置され、マイクロレンズが2次元的に配置された複数個のマイクロレンズアレイと、このマイクロレンズアレイの上方に配置され所定の露光パターンが形成されたマスクと、このマスクに対して露光光を照射する露光光源と、前記マイクロレンズアレイと前記基板及び前記マスクとを相対的に一方向に移動させる移動装置とを有し、前記複数個のマイクロレンズアレイは、支持基板上に、前記一方向に垂直の方向に配置されており、各マイクロレンズアレイは、前記支持基板に対してその配置方向に関し被露光基板に平行の方向から傾斜することができるように支持されており、
    前記マイクロレンズアレイの傾斜角度の調整は、露光中に下層パターンと露光パターンとの位置ずれをカメラにより確認し、露光パターンをこの下層パターンに合わせるように行うことを特徴とするマイクロレンズアレイを使用したスキャン露光装置。
  3. 露光すべき基板の上方に配置され、マイクロレンズが2次元的に配置された複数個のマイクロレンズアレイと、このマイクロレンズアレイの上方に配置され所定の露光パターンが形成されたマスクと、このマスクに対して露光光を照射する露光光源と、前記マイクロレンズアレイと前記基板及び前記マスクとを相対的に一方向に移動させる移動装置とを有し、前記複数個のマイクロレンズアレイは、支持基板上に、前記一方向に垂直の方向に配置されており、各マイクロレンズアレイは、前記支持基板に対してその配置方向に関し被露光基板に平行の方向から傾斜することができるように支持されており、
    前記マイクロレンズアレイの傾斜角度の調整は、前記基板の大きさの変動にも拘わらず、マスクパターンの像が前記基板上の所定位置に一致して重ね合わせ露光されるように行うことを特徴とするマイクロレンズアレイを使用したスキャン露光装置。
  4. 前記マイクロレンズアレイは、その傾斜角度が、前記配置方向に関し徐々に大きくなるか、又は小さくなっていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のマイクロレンズアレイを使用したスキャン露光装置。
  5. 前記マイクロレンズアレイは、前記一方向に2列に配置され、各マイクロレンズアレイは前記支持基板上で千鳥に配置されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のマイクロレンズアレイを使用したスキャン露光装置。
  6. 前記マイクロレンズは、前記マスクの露光パターンの正立等倍像を前記基板上に投影することを特徴とする請求項1乃至のいずれか1項に記載のマイクロレンズアレイを使用したスキャン露光装置。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5853343B2 (ja) * 2011-07-29 2016-02-09 株式会社ブイ・テクノロジー マイクロレンズアレイを使用したスキャン露光装置
JP6286813B2 (ja) * 2012-03-26 2018-03-07 株式会社ニコン 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP6150043B2 (ja) * 2012-03-29 2017-06-21 株式会社ブイ・テクノロジー 露光装置
KR102096989B1 (ko) 2013-11-04 2020-04-03 현대모비스 주식회사 차량의 요크유격보상장치
CN106292188B (zh) * 2015-05-24 2019-01-18 上海微电子装备(集团)股份有限公司 曝光装置
CN104865801B (zh) * 2015-06-01 2017-03-01 京东方科技集团股份有限公司 曝光装置
KR102129706B1 (ko) * 2019-08-13 2020-07-03 주식회사 옵토전자 마이크로 광학소자 및 이를 포함하는 광전자 모듈
KR102129701B1 (ko) * 2020-02-06 2020-07-03 주식회사 옵토전자 무회전 스캐닝을 위한 마이크로 광학소자 시스템
KR102129703B1 (ko) * 2020-02-06 2020-07-03 주식회사 옵토전자 회절 방식을 이용한 마이크로 광학소자 시스템
KR102129702B1 (ko) * 2020-02-06 2020-07-03 주식회사 옵토전자 마이크로 광학소자 시스템 제조 방법
KR102439662B1 (ko) * 2020-08-11 2022-09-05 주식회사 나무가 무작위 패턴을 가지는 마이크로 렌즈 어레이 및 그 제조방법
CN113379652B (zh) * 2021-08-11 2021-10-22 深圳市先地图像科技有限公司 一种激光成像用的线形图像修正方法、系统及相关设备

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09244255A (ja) * 1996-03-13 1997-09-19 Nikon Corp 液晶用露光装置
JP2004287082A (ja) 2003-03-20 2004-10-14 Tadahiro Omi マスク描画装置
WO2005022263A2 (en) * 2003-08-27 2005-03-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Control circuit and method for forming optical images
US7081947B2 (en) 2004-02-27 2006-07-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20050243295A1 (en) 2004-04-30 2005-11-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing
JP4237727B2 (ja) * 2004-04-30 2009-03-11 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
US7274029B2 (en) * 2004-12-28 2007-09-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7756660B2 (en) 2004-12-28 2010-07-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2007003829A (ja) * 2005-06-23 2007-01-11 Fujifilm Holdings Corp 画像露光装置
JP2007258638A (ja) * 2006-03-27 2007-10-04 Sony Corp 液侵露光方法および液侵露光装置
JP2008116606A (ja) * 2006-11-02 2008-05-22 Nikon Corp マイクロレンズの製造方法
EP1950594A1 (de) * 2007-01-17 2008-07-30 Carl Zeiss SMT AG Abbildende Optik, Projektionsbelichtunsanlage für die Mikrolithographie mit einer derartigen abbildenden Optik, Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils mit einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage, durch das Herstellungsverfahren gefertigtes mikrostrukturiertes Bauelement sowie Verwendung einer derartigen abbildenden Optik
JP2008292916A (ja) * 2007-05-28 2008-12-04 Fujifilm Corp 画像露光装置及びマイクロレンズユニット並びにその製造方法
JP5294488B2 (ja) * 2009-12-03 2013-09-18 株式会社ブイ・テクノロジー 露光装置

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