JP2007003829A - 画像露光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 マイクロレンズアレイを透過した光を直接被露光面上に露光する画像露光装置において、精度良く焦点位置を合わせることができる画像露光装置を提供する。
【解決手段】 画像露光装置は、空間光変調素子の各画素部からの光をそれぞれ集光するマイクロレンズ５５ａがアレイ状に配されたマイクロレンズアレイ５５を含み前記空間光変調素子により変調された光による像をマイクロレンズ５５ａによって直接感光材料１５０上に結像する結像光学系と、を備えている。マイクロレンズアレイ５５は、画像露光用のマイクロレンズ５５ａと焦点位置検出用のマイクロレンズ５５ｂとが一体形成され、光源３０８Ａからのレーザ光Ｌはマイクロレンズ５５ｂを透過して感光材料１５０上の結像位置Ｐに結像される。その像はカメラ３０８Ｄによって撮像され、この撮像された画像のピントが合うようにマイクロレンズアレイ５５の位置を光軸方向に調整する。
【選択図】 図１７

Description

本発明は、画像露光装置に係り、特に、空間光変調素子で変調された光をマイクロレンズアレイを含む結像光学系に通し、この光による像を感光材料上に結像させて該感光材料を露光する画像露光装置に関する。

従来、空間光変調素子で変調された光を結像光学系に通し、この光による像を所定の感光材料上に結像して該感光材料を露光する画像露光装置が公知となっている。この種の画像露光装置は、基本的に、照射された光を各々制御信号に応じて変調する多数の画素部が２次元状に配列されてなる空間光変調素子と、この空間光変調素子に光を照射する光源と、前記空間光変調素子により変調された光による像を感光材料上に結像する結像光学系とを備えてなるものである。

この種の画像露光装置において、上記空間光変調素子としては、例えばＬＣＤ（液晶表示素子）やＤＭＤ（デジタル・マイクロミラー・デバイス）等が好適に用いられ得る。なお上記のＤＭＤは、制御信号に応じて反射面の角度を変化させる多数の矩形のマイクロミラーが、シリコン等の半導体基板上に２次元状に配列されてなるミラーデバイスである。

上述のような画像露光装置においては、感光材料に投影する画像を拡大したいという要求が伴うことも多く、その場合には、結像光学系として拡大結像光学系が用いられる。そのようにする際、空間光変調素子を経た光をただ拡大結像光学系に通しただけでは、空間光変調素子の各画素部からの光束が拡大して、投影された画像において画素サイズが大きくなり、画像の鮮鋭度が低下してしまう。

そこで、空間光変調素子で変調された光の光路に第１の結像光学系を配し、この結像光学系による結像面には、空間光変調素子の各画素部にそれぞれ対応するマイクロレンズがアレイ状に配されてなるマイクロレンズアレイを配置し、そしてこのマイクロレンズアレイを通過した光の光路には、変調された光による像を感光材料やスクリーン上に結像する第２の結像光学系を配置して、これら第１および第２の結像光学系によって像を拡大投影することが考えられている。この構成においては、感光材料やスクリーン上に投影される画像のサイズは拡大される一方、空間光変調素子の各画素部からの光はマイクロレンズアレイの各マイクロレンズによって集光されるので、投影画像における画素サイズ（スポットサイズ）は絞られて小さく保たれるので、画像の鮮鋭度も高く保つことができる。

なお特許文献１には、空間光変調素子としてＤＭＤを用い、それとマイクロレンズアレイとを組み合わせてなる画像露光装置の一例が示されている。

また、ＤＭＤ及びマイクロレンズアレイを組み合わせてなる画像露光装置において、露光精度を高めるために前記第２の結像光学系を省略し、マイクロレンズアレイを透過した光を直接感光材料等の被露光面に露光する装置も提案されている。
特開２００１−３０５６６３号公報

上記のような画像露光装置においてマイクロレンズの焦点位置が被露光面上となるようにオートフォーカス制御するには、マイクロレンズアレイの被露光面における集光状態を直接検出することができる光学系を備えたオートフォーカス機構をマイクロレンズアレイと被露光面との間に設ける方法もあるが、マイクロレンズアレイを透過した光を直接感光材料等の被露光面に露光する画像露光装置では、通常はマイクロレンズアレイと被露光面側との距離が微小であるため不可能である。

本発明は上記事実を考慮してなされたものであり、マイクロレンズアレイを透過した光を直接被露光面上に露光する画像露光装置において、精度良く焦点位置を合わせることができる画像露光装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために請求項１に記載の発明は、 照射された光を各々変調する多数の画素部が２次元状に配列されてなる空間光変調素子と、この空間光変調素子に光を照射する光源と、前記空間光変調素子の各画素部からの光をそれぞれ集光するマイクロレンズがアレイ状に配されてなるマイクロレンズアレイを含み、前記空間光変調素子により変調された光による像を前記マイクロレンズアレイによって直接被露光面上に結像する結像光学系と、を備えた画像露光装置において、前記マイクロレンズアレイの近傍に、前記マイクロレンズと前記被露光面との前記光の光軸方向における位置関係に関する情報を検出する検出手段と、前記検出手段による検出結果に基づいて、前記被露光面に対する前記マイクロレンズアレイの位置が予め定めた所定範囲内の位置となるように、前記マイクロレンズアレイの位置を前記光軸方向に調整する調整手段と、を備えたことを特徴とする。

空間変調素子は、光源から照射された光を各々変調する多数の画素部が２次元状に配列されてなり、結像光学系は、空間光変調素子の各画素部からの光をそれぞれ集光するマイクロレンズがアレイ状に配されてなるマイクロレンズアレイを含んで構成され、空間光変調素子により変調された光による像をマイクロレンズアレイによって直接被露光面上に結像する。なお、請求項６に記載したように、前記空間光変調素子が、前記画素部としての微小ミラーが２次元状に配列されてなるＤＭＤ（デジタル・マイクロミラー・デバイス）である構成とすることができる。

このような画像露光装置において、検出手段は、マイクロレンズアレイの近傍に、マイクロレンズと被露光面との光の光軸方向における位置関係に関する情報を検出する。

そして、検出手段による検出結果に基づいて、被露光面に対するマイクロレンズアレイの位置が予め定めた所定範囲内の位置となるように、マイクロレンズアレイの位置を光軸方向に調整する。なお、所定範囲は、例えばマイクロレンズの焦点深度の範囲である。

このように、マイクロレンズアレイの近傍に検出手段を設け、この検出手段の検出結果に基づいてマイクロレンズアレイの位置を調整するので、被露光面に対するマイクロレンズアレイの位置を精度良く調整することができる。

具体的には、例えば請求項２に記載したように、前記検出手段は、前記マイクロレンズアレイに一体形成された焦点位置検出用としての検出用マイクロレンズと、当該検出用マイクロレンズに光を照射する光源と、前記検出用マイクロレンズによって前記被露光面上に結像された像を撮像する撮像手段と、を含んで構成され、前記調整手段は、前記撮像手段により撮像された画像に基づいて、前記マイクロレンズアレイの位置を調整する構成とすることができる。

この場合、前記位置関係に関する情報は、撮像手段によって撮像された被露光面上に結像された像の画像である。調整手段は、この画像のピントが合うようにマイクロレンズアレイの位置を調整する。このように、実際に被露光面上に結像された像の画像のピントが合うようにするため、マイクロレンズアレイの位置を精度良く調整することができる。

また、請求項３に記載したように、前記検出手段は、前記被露光面との距離を検出する距離検出センサであり、前記マイクロレンズアレイを露光ヘッドに保持するための基板に設けられた構成としてもよい。なお、マイクロレンズアレイを露光ヘッドに保持するための基板としては、例えばブラケットを用いることができるが、これに限られるものではない。

この場合、調整手段は、検出した距離が、予め定めた所定範囲内となるか否かを判断する。所定範囲は、検出した距離がその範囲内であれば被露光面の位置がマイクロレンズの焦点深度の範囲となるような範囲である。そして、被露光面とマイクロレンズアレイとの距離が所定範囲内となるようにマイクロレンズアレイの位置を調整する。なお、距離検出センサは、距離そのものを検出するセンサでもよいし、予め定めた原点に対する変位を検出するセンサでもよい。

また、請求項４に記載したように、前記距離検出センサを複数備えると共に異なる位置に各々配置し、前記調整手段は、前記距離検出センサに対応した位置毎に前記マイクロレンズアレイの位置を調整するように構成してもよい。これにより、マイクロレンズアレイの姿勢を補正することができ、さらに精度良くマイクロレンズアレイの位置を調整することができる。

さらに、請求項５に記載したように、前記被露光面上の予め定めた危険凹凸を検出する危険凹凸検出センサを備え、前記危険凹凸を検出した場合に、前記被露光面に対する露光を禁止する禁止手段をさらに備えた構成としてもよい。これにより、安全に画像露光装置を動作させることができる。

本発明によれば、マイクロレンズアレイを透過した光を直接被露光面上に露光する画像露光装置において、精度良く焦点位置を合わせることができる、という効果を有する。

以下、図面を参照して本発明の実施形態に係る画像露光装置について説明する。

（画像露光装置の構成）
この画像露光装置は、図１に示すように、シート状の感光材料１５０を表面に吸着して保持する平板状の移動ステージ１５２を備えている。４本の脚部１５４に支持された厚い板状の設置台１５６の上面には、ステージ移動方向に沿って延びた２本のガイド１５８が設置されている。移動ステージ１５２は、その長手方向がステージ移動方向を向くように配置されると共に、ガイド１５８によって往復移動可能に支持されている。なお、この画像露光装置には、副走査手段としての移動ステージ１５２をガイド１５８に沿って駆動する後述のステージ駆動装置３０４（図１５参照）が設けられている。

設置台１５６の中央部には、移動ステージ１５２の移動経路を跨ぐようにコ字状のゲート１６０が設けられている。コ字状のゲート１６０の端部の各々は、設置台１５６の両側面に固定されている。このゲート１６０を挟んで一方の側にはスキャナ１６２が設けられ、他方の側には感光材料１５０の先端および後端を検知する複数（例えば２個）のセンサ１６４が設けられている。スキャナ１６２およびセンサ１６４はゲート１６０に各々取り付けられて、移動ステージ１５２の移動経路の上方に固定配置されている。なお、スキャナ１６２およびセンサ１６４は、これらを制御する図示しないコントローラに接続されている。

スキャナ１６２は、図２および図３（Ｂ）に示すように、ｍ行ｎ列（例えば３行５列）の略マトリックス状に配列された複数（例えば１４個）の露光ヘッド１６６を備えている。この例では、感光材料１５０の幅との関係で、３行目には４個の露光ヘッド１６６を配置してある。なお、ｍ行目のｎ列目に配列された個々の露光ヘッドを示す場合は、露光ヘッド１６６_mnと表記する。

露光ヘッド１６６による露光エリア１６８は、副走査方向を短辺とする矩形状である。従って、移動ステージ１５２の移動に伴い、感光材料１５０には露光ヘッド１６６毎に帯状の露光済み領域１７０が形成される。なお、ｍ行目のｎ列目に配列された個々の露光ヘッドによる露光エリアを示す場合は、露光エリア１６８_mnと表記する。

また、図３（Ａ）および（Ｂ）に示すように、帯状の露光済み領域１７０が副走査方向と直交する方向に隙間無く並ぶように、ライン状に配列された各行の露光ヘッドの各々は、配列方向に所定間隔（露光エリアの長辺の自然数倍、本例では２倍）ずらして配置されている。このため、１行目の露光エリア１６８₁₁と露光エリア１６８₁₂との間の露光できない部分は、２行目の露光エリア１６８₂₁と３行目の露光エリア１６８₃₁とにより露光することができる。

露光ヘッド１６６₁₁〜１６６_mnの各々は、図４および図５に示すように、入射された光ビームを画像データに応じて各画素毎に変調する空間光変調素子として、米国テキサス・インスツルメンツ社製のデジタル・マイクロミラー・デバイス（ＤＭＤ）５０を備えている。このＤＭＤ５０は、データ処理部とミラー駆動制御部とを備えた後述のコントローラ３０２（図１５参照）に接続されている。このコントローラ３０２のデータ処理部では、入力された画像データに基づいて、各露光ヘッド１６６毎にＤＭＤ５０の制御すべき領域内の各マイクロミラーを駆動制御する制御信号を生成する。なお、制御すべき領域については後述する。また、ミラー駆動制御部では、画像データ処理部で生成した制御信号に基づいて、各露光ヘッド１６６毎にＤＭＤ５０の各マイクロミラーの反射面の角度を制御する。なお、反射面の角度の制御については後述する。

ＤＭＤ５０の光入射側には、光ファイバの出射端部（発光点）が露光エリア１６８の長辺方向と対応する方向に沿って一列に配列されたレーザ出射部を備えたファイバアレイ光源６６、ファイバアレイ光源６６から出射されたレーザ光を補正してＤＭＤ上に集光させるレンズ系６７、このレンズ系６７を透過したレーザ光をＤＭＤ５０に向けて反射するミラー６９がこの順に配置されている。なお図４では、レンズ系６７を概略的に示してある。

上記レンズ系６７は、図５に詳しく示すように、ファイバアレイ光源６６から出射した照明光としてのレーザ光Ｂを集光する集光レンズ７１、この集光レンズ７１を通過した光の光路に挿入されたロッド状オプティカルインテグレータ（以下、ロッドインテグレータという）７２、およびこのロッドインテグレータ７２の前方つまりミラー６９側に配置された結像レンズ７４から構成されている。集光レンズ７１、ロッドインテグレータ７２および結像レンズ７４は、ファイバアレイ光源６６から出射したレーザ光を、平行光に近くかつビーム断面内強度が均一化された光束としてＤＭＤ５０に入射させる。このロッドインテグレータ７２の形状や作用については、後に詳しく説明する。

上記レンズ系６７から出射したレーザ光Ｂはミラー６９で反射し、ＴＩＲ（全反射）プリズム７０を介してＤＭＤ５０に照射される。なお図４では、このＴＩＲプリズム７０は省略してある。

またＤＭＤ５０の光反射側には、ＤＭＤ５０で反射されたレーザ光Ｂを、感光材料１５０上に結像する結像光学系５１が配置されている。この結像光学系５１は図４では概略的に示してあるが、図５に詳細を示すように、レンズ系５２，５４からなる結像光学系と、マイクロレンズアレイ５５と、から構成されている。

マイクロレンズアレイ５５は、ＤＭＤ５０の各画素に対応する多数のマイクロレンズ５５ａが２次元状に配列されてなると共に、詳細は後述するが、図１７に示すように焦点位置（焦点深度）検出用のマイクロレンズ５５ｂが一体形成されたものである。本例では、後述するようにＤＭＤ５０の１０２４個×７６８列のマイクロミラーのうち１０２４個×２５６列だけが駆動されるので、それに対応させてマイクロレンズ５５ａは１０２４個×２５６列配置されている。またマイクロレンズ５５ａの配置ピッチは縦方向、横方向とも４１μｍである。さらに、マイクロレンズ５５ａ、５５ｂは同一のものであり、一例として焦点距離が０．２３ｍｍ、ＮＡ（開口数）が０．０７である。

上記結像光学系は、ＤＭＤ５０による像を３倍に拡大してマイクロレンズアレイ５５上に結像する。マイクロレンズアレイ５５を経た像は、直接感光材料１５０上に結像、投影される。なお同図中において、感光材料１５０は矢印Ｆ方向に副走査送りされる。

ＤＭＤ５０は図６に示すように、ＳＲＡＭセル（メモリセル）６０上に、各々画素（ピクセル）を構成する多数（例えば１０２４個×７６８個）の微小ミラー（マイクロミラー）６２が格子状に配列されてなるミラーデバイスである。各ピクセルにおいて、最上部には支柱に支えられた矩形のマイクロミラー６２が設けられており、マイクロミラー６２の表面にはアルミニウム等の反射率の高い材料が蒸着されている。なお、マイクロミラー６２の反射率は９０％以上であり、その配列ピッチは縦方向、横方向とも一例として１３．７μｍである。また、マイクロミラー６２の直下には、ヒンジおよびヨークを含む支柱を介して通常の半導体メモリの製造ラインで製造されるシリコンゲートのＣＭＯＳのＳＲＡＭセル６０が配置されており、全体はモノリシックに構成されている。

ＤＭＤ５０のＳＲＡＭセル６０にデジタル信号が書き込まれると、支柱に支えられたマイクロミラー６２が、対角線を中心としてＤＭＤ５０が配置された基板側に対して±α度（例えば±１２度）の範囲で傾けられる。図７（Ａ）は、マイクロミラー６２がオン状態である＋α度に傾いた状態を示し、図７（Ｂ）は、マイクロミラー６２がオフ状態である−α度に傾いた状態を示す。したがって、画像信号に応じて、ＤＭＤ５０の各ピクセルにおけるマイクロミラー６２の傾きを、図６に示すように制御することによって、ＤＭＤ５０に入射したレーザ光Ｂはそれぞれのマイクロミラー６２の傾き方向へ反射される。

なお図６には、ＤＭＤ５０の一部を拡大し、マイクロミラー６２が＋α度又は−α度に制御されている状態の一例を示す。それぞれのマイクロミラー６２のオンオフ制御は、ＤＭＤ５０に接続された前記コントローラ３０２によって行われる。また、オフ状態のマイクロミラー６２で反射したレーザ光Ｂが進行する方向には、光吸収体（図示せず）が配置されている。

また、ＤＭＤ５０は、その短辺が副走査方向と所定角度θ（例えば、０．１°〜５°）を成すように僅かに傾斜させて配置するのが好ましい。図８（Ａ）はＤＭＤ５０を傾斜させない場合の各マイクロミラーによる反射光像（露光ビーム）５３の走査軌跡を示し、図８（Ｂ）はＤＭＤ５０を傾斜させた場合の露光ビーム５３の走査軌跡を示している。

ＤＭＤ５０には、長手方向にマイクロミラーが多数個（例えば１０２４個）配列されたマイクロミラー列が、短手方向に多数組（例えば７５６組）配列されているが、図８（Ｂ）に示すように、ＤＭＤ５０を傾斜させることにより、各マイクロミラーによる露光ビーム５３の走査軌跡（走査線）のピッチＰ₁が、ＤＭＤ５０を傾斜させない場合の走査線のピッチＰ₂より狭くなり、解像度を大幅に向上させることができる。一方、ＤＭＤ５０の傾斜角は微小であるので、ＤＭＤ５０を傾斜させた場合の走査幅Ｗ₂と、ＤＭＤ５０を傾斜させない場合の走査幅Ｗ₁とは略同一である。

また、異なるマイクロミラー列により同じ走査線上が重ねて露光（多重露光）されることになる。このように、多重露光されることで、露光位置の微少量をコントロールすることができ、高精細な露光を実現することができる。また、主走査方向に配列された複数の露光ヘッドの間のつなぎ目を微少量の露光位置制御により段差無くつなぐことができる。

なお、ＤＭＤ５０を傾斜させる代わりに、各マイクロミラー列を副走査方向と直交する方向に所定間隔ずらして千鳥状に配置しても、同様の効果を得ることができる。

ファイバアレイ光源６６は図９（Ａ）に示すように、複数（例えば１４個）のレーザモジュール６４を備えており、各レーザモジュール６４には、マルチモード光ファイバ３０の一端が結合されている。マルチモード光ファイバ３０の他端には、コア径がマルチモード光ファイバ３０と同一で且つクラッド径がマルチモード光ファイバ３０より小さい光ファイバ３１が結合されている。図９（Ｂ）に詳しく示すように、光ファイバ３１のマルチモード光ファイバ３０と反対側の端部は副走査方向と直交する主走査方向に沿って７個並べられ、それが２列に配列されてレーザ出射部６８が構成されている。

光ファイバ３１の端部で構成されるレーザ出射部６８は、図９（Ｂ）に示すように、表面が平坦な２枚の支持板６５に挟み込まれて固定されている。また、光ファイバ３１の光出射端面には、その保護のために、ガラス等の透明な保護板が配置されるのが望ましい。光ファイバ３１の光出射端面は、光密度が高いため集塵し易く劣化し易いが、上述のような保護板を配置することにより、端面への塵埃の付着を防止し、また劣化を遅らせることができる。

本例では図１０に示すように、クラッド径が大きいマルチモード光ファイバ３０のレーザ光出射側の先端部分に、長さ１〜３０ｃｍ程度のクラッド径が小さい光ファイバ３１が同軸的に結合されている。それらのマルチモード光ファイバ３０，光ファイバ３１は、それぞれのコア軸が一致する状態で光ファイバ３１の入射端面をマルチモード光ファイバ３０の出射端面に融着することにより結合されている。上述した通り、光ファイバ３１のコア３１ａの径は、マルチモード光ファイバ３０のコア３０ａの径と同じ大きさである。

マルチモード光ファイバ３０および光ファイバ３１としては、ステップインデックス型光ファイバ、グレーテッドインデックス型光ファイバ、および複合型光ファイバの何れも適用可能である。例えば、三菱電線工業株式会社製のステップインデックス型光ファイバを用いることができる。本例において、マルチモード光ファイバ３０および光ファイバ３１はステップインデックス型光ファイバであり、マルチモード光ファイバ３０は、クラッド径＝１２５μｍ、コア径＝５０μｍ、ＮＡ＝０．２、入射端面コートの透過率＝９９．５％以上であり、光ファイバ３１は、クラッド径＝６０μｍ、コア径＝５０μｍ、ＮＡ＝０．２である。

ただし、光ファイバ３１のクラッド径は６０μｍには限定されない。従来のファイバ光源に使用されている多くの光ファイバのクラッド径は１２５μｍであるが、クラッド径が小さくなるほど焦点深度がより深くなるので、マルチモード光ファイバのクラッド径は８０μｍ以下が好ましく、６０μｍ以下がより好ましい。一方、シングルモード光ファイバの場合、コア径は少なくとも３〜４μｍ必要であることから、光ファイバ３１のクラッド径は１０μｍ以上が好ましい。また、マルチモード光ファイバ３０のコア径と光ファイバ３１のコア径を一致させることが、結合効率の点から好ましい。

なお本発明においては、上述のようにクラッド径が互いに異なる２つのマルチモード光ファイバ、光ファイバ３１を融着（いわゆる異径融着）して用いることは必ずしも必要ではなく、クラッド径が一定の光ファイバ（例えば図９（Ａ）の例ならばマルチモード光ファイバ３０）を複数本そのままバンドル状に束ねてファイバアレイ光源を構成してもよい。

レーザモジュール６４は、図１１に示す合波レーザ光源（ファイバ光源）によって構成されている。この合波レーザ光源は、ヒートブロック１０上に配列固定された複数（例えば７個）のチップ状の横マルチモード又はシングルモードのＧａＮ系半導体レーザＬＤ１，ＬＤ２，ＬＤ３，ＬＤ４，ＬＤ５，ＬＤ６，およびＬＤ７と、ＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７の各々に対応して設けられたコリメータレンズ１１，１２，１３，１４，１５，１６および１７と、１つの集光レンズ２０と、１本のマルチモード光ファイバ３０とから構成されている。なお、半導体レーザの個数は７個に限定されるものではなく、その他の個数が採用されてもよい。また、上述のような７個のコリメータレンズ１１〜１７に代えて、それらのレンズが一体化されてなるコリメータレンズアレイを用いることもできる。

ＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７は、発振波長がほぼ共通（例えば、４０５ｎｍ）であり、最大出力も総てほぼ共通（例えばマルチモードレーザでは１００ｍＷ、シングルモードレーザでは５０ｍＷ程度）である。なお、ＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７の各出力は、最大出力以下で、互いに異なっていても構わない。また、ＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７としては、３５０ｎｍ〜４５０ｎｍの波長範囲において、上記４０５ｎｍ以外の波長で発振するレーザを用いてもよい。

上記の合波レーザ光源は、図１２および図１３に示すように、他の光学要素と共に、上方が開口した箱状のパッケージ４０内に収納されている。パッケージ４０は、その開口を閉じるように作成されたパッケージ蓋４１を備えており、脱気処理後に封止ガスを導入し、パッケージ４０の開口をパッケージ蓋４１で閉じることにより、それらによって形成される閉空間（封止空間）内に上記合波レーザ光源が気密封止されている。

パッケージ４０の底面にはベース板４２が固定されており、このベース板４２の上面には、前記ヒートブロック１０と、集光レンズ２０を保持する集光レンズホルダー４５と、マルチモード光ファイバ３０の入射端部を保持するファイバホルダー４６とが取り付けられている。マルチモード光ファイバ３０の出射端部は、パッケージ４０の壁面に形成された開口からパッケージ外に引き出されている。

また、ヒートブロック１０の側面にはコリメータレンズホルダー４４が取り付けられており、そこにコリメータレンズ１１〜１７が保持されている。パッケージ４０の横壁面には開口が形成され、この開口を通してＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７に駆動電流を供給する配線４７がパッケージ外に引き出されている。

なお、図１３においては、図の煩雑化を避けるために、複数のＧａＮ系半導体レーザのうちＧａＮ系半導体レーザＬＤ７にのみ番号を付し、複数のコリメータレンズのうちコリメータレンズ１７にのみ番号を付している。

図１４は、上記コリメータレンズ１１〜１７の取り付け部分の正面形状を示すものである。

コリメータレンズ１１〜１７の各々は、非球面を備えた円形レンズの光軸を含む領域を平行な平面で細長く切り取った形状に形成されている。この細長形状のコリメータレンズは、例えば、樹脂又は光学ガラスをモールド成形することによって形成することができる。コリメータレンズ１１〜１７は、長さ方向がＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７の発光点の配列方向（図１４の左右方向）と直交するように、上記発光点の配列方向に密接配置されている。

一方ＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７としては、発光幅が２μｍの活性層を備え、活性層と平行な方向、直角な方向の拡がり角が各々例えば１０°、３０°の状態で各々レーザ光Ｂ１〜Ｂ７を発するレーザが用いられている。これらＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７は、活性層と平行な方向に発光点が１列に並ぶように配設されている。

したがって、各発光点から発せられたレーザ光Ｂ１〜Ｂ７は、上述のように細長形状の各コリメータレンズ１１〜１７に対して、拡がり角度が大きい方向が長さ方向と一致し、拡がり角度が小さい方向が幅方向（長さ方向と直交する方向）と一致する状態で入射することになる。つまり、各コリメータレンズ１１〜１７の幅が１．１ｍｍ、長さが４．６ｍｍであり、それらに入射するレーザ光Ｂ１〜Ｂ７の水平方向、垂直方向のビーム径は各々０．９ｍｍ、２．６ｍｍである。また、コリメータレンズ１１〜１７の各々は、焦点距離ｆ₁＝３ｍｍ、ＮＡ＝０．６、レンズ配置ピッチ＝１．２５ｍｍである。

集光レンズ２０は、非球面を備えた円形レンズの光軸を含む領域を平行な平面で細長く切り取って、コリメータレンズ１１〜１７の配列方向、つまり水平方向に長く、それと直角な方向に短い形状に形成されている。この集光レンズ２０は、焦点距離ｆ₂＝２３ｍｍ、ＮＡ＝０．２である。この集光レンズ２０も、例えば樹脂又は光学ガラスをモールド成形することにより形成される。

次に図１５を参照して、本例の画像露光装置における電気的な構成について説明する。
ここに示されるように全体制御部３００には変調回路３０１が接続され、該変調回路３０１にはＤＭＤ５０を制御するコントローラ３０２が接続されている。また全体制御部３００には、レーザモジュール６４を駆動するＬＤ駆動回路３０３が接続されている。さらにこの全体制御部３００には、前記移動ステージ１５２を駆動するステージ駆動装置３０４、ＭＬＡ駆動装置３０７、及び検出装置３０８が接続されている。

なお、ＭＬＡ駆動装置３０７及び検出装置３０８は、マイクロレンズアレイ５５毎、即ち、露光ヘッド１６６毎に設けられる。

ＭＬＡ駆動装置３０７は、全体制御部３００の指示により、光軸方向、すなわち図１７に示す矢印Ｋ方向に、露光ヘッド１６６内に設けられたマイクロレンズアレイ５５を駆動する。

ＭＬＡ駆動装置３０７は、例えばピエゾ素子及びこれを駆動する駆動装置を含んで構成することができるが、マイクロレンズアレイ５５を光軸方向に駆動することができるものであればこれに限られるものではない。

検出装置３０８は、図１７に示すように、光源３０８Ａ、レンズ系３０８Ｂ、ハーフミラー３０８Ｃ、及びカメラ３０８Ｄを含んで構成されている。

光源３０８Ａは、感光材料１５０が感光する波長以外の波長のレーザ光を出射する光源である。例えば感光材料の感度波長が４０５ｎｍであった場合、光源３０８Ａとしては、例えば波長が６５０ｎｍのレーザ光源を用いることができる。

図７に示すように、光源３０８Ａから出射されたレーザ光Ｌは、レンズ系３０８Ｂ及びハーフミラー３０８Ｃを透過して焦点位置検出用のマイクロレンズ５５ｂに入射し、このマイクロレンズ５５ｂによって感光材料１５０上に結像される。

なお、マイクロレンズ５５ｂが設けられる位置は、各マイクロレンズ５５ａのピントのずれが許容範囲となるような位置、すなわち、なるべくマイクロレンズ５５ａに近い位置が好ましい。

レンズ系３０８Ｂは、焦点位置検出用のマイクロレンズ５５ｂに入射するレーザ光Ｌが、画像露光用のマイクロレンズ５５ａに入射するレーザ光と略同一となるように構成されたレンズ系である。これにより、マイクロレンズ５５ａによって感光材料１５０上に結像された像とマイクロレンズ５５ｂによって感光材料１５０上に結像された像とが略同一となり、精度良く焦点位置の検出を行うことが可能となる。

なお、焦点位置検出用のマイクロレンズ、光源、及びレンズ系を別個独立に設けるのではなく、マイクロレンズ５５ａの一部及びレーザ出射部６８の一部の光ファイバ３１を焦点位置検出用にすると共に、ＤＭＤ５０の一部のマイクロミラーを焦点位置検出用に割り当てても良い。

マイクロレンズ５５ｂによって感光材料１５０上の図１７に示す結像位置Ｐに結像された像は、反射してマイクロレンズ５５ｂを再び透過して、ハーフミラー３０８Ｃによってカメラ３０８Ｄの方向に反射される。

カメラ３０８Ｄは、ＣＣＤ等の撮像素子を含んで構成され、入射した結像位置Ｐの像を撮影する。撮影画像の画像データは、全体制御部３００に出力される。

全体制御部３００では、カメラ３０８Ｄによって撮影された画像に基づいて、オートフォーカス制御を行う。すなわち、カメラ３０８Ｄによって撮影された画像に基づいて、ピントが合っているか否かを判断し、ピントが合っていない場合には、ピントが合うようにＭＬＡ駆動装置３０７に指示してマイクロレンズアレイ５５を光軸方向に移動させる。なお、オートフォーカス制御としては、例えば公知のコントラスト検出方式等を用いてピントが合っているか否かの判断をすることができる。

（画像露光装置の動作）
次に、上記画像露光装置の動作について説明する。スキャナ１６２の各露光ヘッド１６６において、ファイバアレイ光源６６の合波レーザ光源を構成するＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７（図１１参照）の各々から発散光状態で出射したレーザ光Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４，Ｂ５，Ｂ６，およびＢ７の各々は、対応するコリメータレンズ１１〜１７によって平行光化される。平行光化されたレーザ光Ｂ１〜Ｂ７は、集光レンズ２０によって集光され、マルチモード光ファイバ３０のコア３０ａの入射端面上で収束する。

本例では、コリメータレンズ１１〜１７および集光レンズ２０によって集光光学系が構成され、その集光光学系とマルチモード光ファイバ３０とによって合波光学系が構成されている。すなわち、集光レンズ２０によって上述のように集光されたレーザ光Ｂ１〜Ｂ７が、このマルチモード光ファイバ３０のコア３０ａに入射して光ファイバ内を伝搬し、１本のレーザ光Ｂに合波されてマルチモード光ファイバ３０の出射端部に結合された光ファイバ３１から出射する。

各レーザモジュールにおいて、レーザ光Ｂ１〜Ｂ７のマルチモード光ファイバ３０への結合効率が０．９で、ＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜ＬＤ７の各出力が５０ｍＷの場合には、アレイ状に配列された光ファイバ３１の各々について、出力３１５ｍＷ（＝５０ｍＷ×０．９×７）の合波レーザ光Ｂを得ることができる。したがって、１４本の光ファイバ３１全体では、４．４Ｗ（＝０．３１５Ｗ×１４）の出力のレーザ光Ｂが得られる。

画像露光に際しては、図１５に示す変調回路３０１から露光パターンに応じた画像データがＤＭＤ５０のコントローラ３０２に入力され、そのフレームメモリに一旦記憶される。この画像データは、画像を構成する各画素の濃度を２値（ドットの記録の有無）で表したデータである。

感光材料１５０を表面に吸着した移動ステージ１５２は、図１５に示すステージ駆動装置３０４により、ガイド１５８に沿ってゲート１６０の上流側から下流側に一定速度で移動される。移動ステージ１５２がゲート１６０下を通過する際に、ゲート１６０に取り付けられたセンサ１６４により感光材料１５０の先端が検出されると、フレームメモリに記憶された画像データが複数ライン分ずつ順次読み出され、データ処理部で読み出された画像データに基づいて各露光ヘッド１６６毎に制御信号が生成される。そして、ミラー駆動制御部により、生成された制御信号に基づいて各露光ヘッド１６６毎にＤＭＤ５０のマイクロミラーの各々がオンオフ制御される。なお本例の場合、１画素部となる上記マイクロミラーのサイズは１３．７μｍ×１３．７μｍである。

ファイバアレイ光源６６からＤＭＤ５０にレーザ光Ｂが照射されると、ＤＭＤ５０のマイクロミラーがオン状態のときに反射されたレーザ光は、結像光学系５１により感光材料１５０上に結像される。このようにして、ファイバアレイ光源６６から出射されたレーザ光が画素毎にオンオフされて、感光材料１５０がＤＭＤ５０の使用画素数と略同数の画素単位（露光エリア１６８）で露光される。また、感光材料１５０が移動ステージ１５２と共に一定速度で移動されることにより、感光材料１５０がスキャナ１６２によりステージ移動方向と反対の方向に副走査され、各露光ヘッド１６６毎に帯状の露光済み領域１７０が形成される。

なお本例では、図１６（Ａ）および（Ｂ）に示すように、ＤＭＤ５０には、主走査方向にマイクロミラーが１０２４個配列されたマイクロミラー列が副走査方向に７６８組配列されているが、本例では、コントローラ３０２により一部のマイクロミラー列（例えば、１０２４個×２５６列）だけが駆動するように制御がなされる。

この場合、図１６（Ａ）に示すようにＤＭＤ５０の中央部に配置されたマイクロミラー列を使用してもよく、図１６（Ｂ）に示すように、ＤＭＤ５０の端部に配置されたマイクロミラー列を使用してもよい。また、一部のマイクロミラーに欠陥が発生した場合は、欠陥が発生していないマイクロミラー列を使用するなど、状況に応じて使用するマイクロミラー列を適宜変更してもよい。

ＤＭＤ５０のデータ処理速度には限界があり、使用する画素数に比例して１ライン当りの変調速度が決定されるので、一部のマイクロミラー列だけを使用することで１ライン当りの変調速度が速くなる。一方、連続的に露光ヘッドを露光面に対して相対移動させる露光方式の場合には、副走査方向の画素を全部使用する必要はない。

スキャナ１６２による感光材料１５０の副走査が終了し、センサ１６４で感光材料１５０の後端が検出されると、移動ステージ１５２は、ステージ駆動装置３０４により、ガイド１５８に沿ってゲート１６０の最上流側にある原点に復帰し、再度、ガイド１５８に沿ってゲート１６０の上流側から下流側に一定速度で移動される。

次に、図５に示したファイバアレイ光源６６、集光レンズ７１、ロッドインテグレータ７２、結像レンズ７４、ミラー６９およびＴＩＲプリズム７０から構成されてＤＭＤ５０に照明光としてのレーザ光Ｂを照射する照明光学系について説明する。ロッドインテグレータ７２は例えば四角柱状に形成された透光性ロッドであり、その内部をレーザ光Ｂが全反射しながら進行するうちに、該レーザ光Ｂのビーム断面内強度分布が均一化される。なお、ロッドインテグレータ７２の入射端面、出射端面には反射防止膜がコートされて、透過率が高められている。以上のようにして、照明光であるレーザ光Ｂのビーム断面内強度分布を高度に均一化できれば、照明光強度の不均一を無くして、高精細な画像を感光材料１５０に露光可能となる。

また、上記の画像露光動作中に、全体制御部３００では、カメラ３０８Ｄによって撮影された画像に基づいて、オートフォーカス制御を行う。すなわち、画像露光動作中に光源３０８Ａからレーザ光Ｌを出射させて感光材料１５０上に結像させる。このとき、前述したように、レーザ光Ｌの波長はレーザ光Ｂの波長と異なり、感光材料１５０が感光しない波長であるため、レーザ光Ｌを感光材料１５０上に照射しても特に問題はない。

そして、レーザ光Ｌによって感光材料１５０の結像位置Ｐに結像された像は、カメラ３０８Ｄによって撮影され、全体制御部３００では、カメラ３０８Ｄによって撮影された画像に基づいて、ピントが合っているか否かを判断する。すなわち、光軸方向における感光材料１５０の位置が遠すぎてピントが合っていない場合には、マイクロレンズアレイ５５を感光材料１５０に近づけるように光軸方向に移動させ、光軸方向における感光材料１５０の位置が近すぎてピントが合っていない場合には、マイクロレンズアレイ５５を感光材料１５０から遠ざけるように光軸方向に移動させる。

このように、マイクロレンズアレイ５５に一体形成されたマイクロレンズ５５ｂによって実際に感光材料１５０上に結像される像を撮影してピントを合わせるので、精度良くピントを合わせることができる。また、画像露光中にリアルタイムでピントを合わせるので、常にピントが合った状態で画像を露光することができ、露光精度を高めることができる。また、焦点位置検出用のマイクロレンズ５５ｂをマイクロレンズアレイ５５に一体形成した構成としたので、感光材料１５０とマイクロレンズアレイ５５との距離が微小であっても精度良くピントを合わせることができる。

なお、焦点位置検出用のマイクロレンズアレイ５５ｂをマイクロレンズアレイ５５と一体形成するのではなく、マイクロレンズアレイ５５を露光ヘッド１６６に保持するための基板上であってマイクロレンズアレイ５５の近傍に設けた構成としてもよい。

また、上記では、カメラ３０８Ｄによって実際に感光材料１５０上に結像される像を撮影してピントを合わせる場合について説明したが、これに限らず、感光材料１５０との距離を検出し、この検出した距離に基づいてマイクロレンズアレイ５５の位置を光軸方向に調整してピントを合わせるようにしてもよい。

例えば、図１８に示すように、検出装置３０８に代えて、マイクロレンズアレイ５５の近傍に感光材料１５０との距離ｄを検出する検出センサ３１０を設ける。そして、全体制御部３００において、検出センサ３１０によって検出した距離ｄが予め定めた所定範囲内か否かを判断する。なお、所定範囲は、距離ｄがその範囲内であれば感光材料１５０がマイクロレンズ５５ａの焦点深度の範囲となる範囲である。そして、全体制御部３００は、距離ｄが所定範囲内でない場合には、所定範囲内となるようにマイクロレンズアレイ５５を光軸方向に移動させる。これにより、ピントを合わせることができる。

なお、検出センサ３１０としては、例えば公知の近接センサやレーザ変位計、静電容量センサ等の微小な距離を計測するのに適したセンサを用いることができる。

近接センサは、磁界や電界の変化を利用し、被測定物（感光材料１５０）までの距離を非接触で検出することができるセンサである。レーザ変位計は、レーザ光を被測定物に照射し、反射したレーザ光に基づき距離を検出することができるセンサである。なお、レーザ変位計の場合は、感光材料１５０が感光しない波長のレーザ光を出射するものを用いる。静電容量センサは、プローブと被測定物とが静電容量を形成し、距離の変化により静電容量が変化することを用いて被測定物までの距離を検出するセンサである。静電容量センサを用いた場合、所定領域の平均値として距離が検出されるため、被測定物に凹凸がある場合でも微小な変位を安定して高精度で測定することができる。

このように検出センサ３１０を用いた場合、マイクロレンズアレイ５５と感光材料１５０との距離を直接測定するのではないため、あまりマイクロレンズアレイ５５と離れた位置で感光材料１５０との距離を検出したのでは、精度良くピントを合わせることができない場合もある。従って、検出センサ３１０の位置は、検出センサ３１０によって検出される感光材料１５０との距離と、実際のマイクロレンズアレイ５５と感光材料１５０との距離との差がある場合でも、各マイクロレンズ５５ａのピントのずれが許容範囲となるような位置、すなわち、なるべくマイクロレンズアレイ５５に近いことが好ましい。

具体的には、例えば図１９に示すように、マイクロレンズアレイ５５を円筒形状の露光ヘッド１６６内に保持するためのブラケット３１２に検出センサ３１０を設ける。この場合の検出センサ３１０の位置としては、図１９に示すように、マイクロレンズアレイ５５の長手方向の両端部からの距離が略同一となる位置に設けることが好ましい。これにより、例えばマイクロレンズアレイ５５の長手方向の片方の端部側に検出センサ３１０を設けた場合と比較して、各マイクロレンズ５５ａ間におけるピント合わせの精度のずれを小さくすることができる。

なお、ＭＬＡ駆動装置３０７は、マイクロレンズアレイ５５及び検出センサ３１０が設けられたブラケット３１２自体を光軸方向に移動させる構成としてもよいし、ブラケット３１２にマイクロレンズアレイ５５を保持しつつマイクロレンズアレイ５５のみを光軸方向に移動させる構成としてもよい。また、検出センサ３１０は必ずしもブラケット３１２上に設ける必要はなく、ブラケット３１２の上方に設けてもよい。この場合、ブラケット３１２上の検出センサ３１０に対応した位置に検出用の検出孔を設け、この検出孔を介して感光材料１５０との距離を検出すればよい。

また、複数の検出センサ３１０を設け、各検出センサ３１０が設けられた各位置の距離を測定して、マイクロレンズアレイ５５の姿勢を調整するようにしてもよい。

例えば図２０に示すように、２つの検出センサ３１０Ｒ、３１０Ｌをマイクロレンズアレイ５５の両端部側に設ける。この場合、ＭＬＡ駆動装置３０７は、マイクロレンズアレイ５５の両端部を独立して光軸方向に駆動させることができる構成とする。そして、全体制御部３００は、各検出センサ３１０Ｒ、３１０Ｌによって検出された距離に基づいて、各マイクロレンズ５５ａのピントが合うように、マイクロレンズアレイ５５の両端部を光軸方向に駆動する。これにより、各マイクロレンズ５５ａのピントが合うようにマイクロレンズアレイ５５の傾きを補正することができる。なお、３個以上の検出センサ３１０を設けて、さらに細かくマイクロレンズアレイ５５の姿勢を制御できるように構成してもよい。

また、図２１に示すように、移動ステージ１５２のステージ移動方向上流側に危険凹凸を検出するためのセンサ３１４を設け、全体制御部３００において、センサ３１４によって感光材料１５０上の危険凹凸が検出された場合には、移動ステージ１５２の移動を停止させて画像の露光を中止するように構成してもよい。この場合、危険凹凸とは、ピント合わせの制御を行った場合にマイクロレンズアレイ５５の光軸方向における予め定めた移動範囲を越え、感光材料１５０とマイクロレンズアレイ５５とが接触する可能性のある凹凸をいう。なお、センサ３１４は、例えば高精度のファイバーセンサ等で構成する。このように、予め危険凹凸を検出することにより、安全に画像露光装置を動作させることができる。

なお、本実施形態では、マイクロレンズアレイ５５の近傍に検出センサ３１０を設ける形態として、露光ヘッド１６６内のマイクロレンズアレイ５５を保持する基板に検出センサ３１０を設けた場合について説明したが、これに限らず、露光ヘッド１６６の外側、例えば露光ヘッド１６６の外周部に取り付けた構成としてもよい。

本発明の一実施形態である画像露光装置の外観を示す斜視図である。 図１の画像露光装置のスキャナの構成を示す斜視図である。 （Ａ）は感光材料に形成される露光済み領域を示す平面図、（Ｂ）は各露光ヘッドによる露光エリアの配列を示す図である。 図１の画像露光装置の露光ヘッドの概略構成を示す斜視図である。 上記露光ヘッドの断面図である。 デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）の構成を示す部分拡大図である。 （Ａ）および（Ｂ）はＤＭＤの動作を説明するための説明図である。 （Ａ）および（Ｂ）は、ＤＭＤを傾斜配置しない場合と傾斜配置する場合とで、露光ビームの配置および走査線を比較して示す平面図である。 （Ａ）はファイバアレイ光源の構成を示す斜視図、（Ｂ）はファイバアレイ光源のレーザ出射部における発光点の配列を示す正面図である。 マルチモード光ファイバの構成を示す図である。 合波レーザ光源の構成を示す平面図である。 レーザモジュールの構成を示す平面図である。 図１２に示すレーザモジュールの構成を示す側面図である。 図１２に示すレーザモジュールの構成を示す部分正面図である。 上記画像露光装置の電気的構成を示すブロック図である。 （Ａ）および（Ｂ）は、ＤＭＤの使用領域の例を示す図である。 検出装置、マイクロレンズアレイ、及びＭＬＡ駆動装置を示す図である。 感光材料との距離を検出する検出センサとマイクロレンズアレイを示す図である。 マイクロレンズアレイ及び検出センサが設けられた基板の平面図である。 マイクロレンズアレイ及び複数の検出センサが設けられた基板の平面図である。 危険凹凸用のセンサが設けられた構成を示す図である。

符号の説明

３０ マルチモード光ファイバ
３１ 光ファイバ
５０ デジタル・マイクロミラー・デバイス（ＤＭＤ）
５１ 結像光学系
５５ マイクロレンズアレイ
５５ａ マイクロレンズ
５５ｂ マイクロレンズ
１５０ 感光材料
１６２ スキャナ
１６６ 露光ヘッド
３００ 全体制御部
３０４ ステージ駆動装置
３０７ ＭＬＡ駆動装置
３０８ 検出装置
３０８Ａ 光源
３０８Ｄ カメラ
３０８Ｃ ハーフミラー
３０８Ｂ レンズ系
３１０ 検出センサ
３１２ 基板
３１４ センサ

Claims (6)

1. 照射された光を各々変調する多数の画素部が２次元状に配列されてなる空間光変調素子と、
   この空間光変調素子に光を照射する光源と、
   前記空間光変調素子の各画素部からの光をそれぞれ集光するマイクロレンズがアレイ状に配されてなるマイクロレンズアレイを含み、前記空間光変調素子により変調された光による像を前記マイクロレンズアレイによって直接被露光面上に結像する結像光学系と、
   を備えた画像露光装置において、
   前記マイクロレンズアレイの近傍に設けられ、前記マイクロレンズと前記被露光面との前記光の光軸方向における位置関係に関する情報を検出する検出手段と、
   前記検出手段による検出結果に基づいて、前記被露光面に対する前記マイクロレンズアレイの位置が予め定めた所定範囲内の位置となるように、前記マイクロレンズアレイの位置を前記光軸方向に調整する調整手段と、
   を備えたことを特徴とする画像露光装置。
2. 前記検出手段は、前記マイクロレンズアレイに一体形成された焦点位置検出用としての検出用マイクロレンズと、当該検出用マイクロレンズに光を照射する光源と、前記検出用マイクロレンズによって前記被露光面上に結像された像を撮像する撮像手段と、を含んで構成され、
   前記調整手段は、前記撮像手段により撮像された画像に基づいて、前記マイクロレンズアレイの位置を調整することを特徴とする請求項１記載の画像露光装置。
3. 前記検出手段は、前記被露光面との距離を検出する距離検出センサであり、前記マイクロレンズアレイを露光ヘッドに保持するための基板に設けられたことを特徴とする請求項１記載の画像露光装置。
4. 前記距離検出センサを複数備えると共に異なる位置に各々配置し、前記調整手段は、前記距離検出センサに対応した位置毎に前記マイクロレンズアレイの位置を調整することを特徴とする請求項３記載の画像露光装置。
5. 前記被露光面上の予め定めた危険凹凸を検出する危険凹凸検出センサを備え、前記危険凹凸を検出した場合に、前記被露光面に対する露光を禁止する禁止手段をさらに備えたことを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか１項に記載の画像露光装置。
6. 前記空間光変調素子が、前記画素部としての微小ミラーが２次元状に配列されてなるＤＭＤ（デジタル・マイクロミラー・デバイス）であることを特徴とする請求項１乃至請求項５の何れか１項に記載の画像露光装置。

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