CN103026458A - 微透镜曝光装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种隔开规定间隔固定有微透镜阵列和掩模的微透镜曝光装置,该微透镜曝光装置能够容易且高精度将微透镜阵列与曝光用基板之间的间隙调整到微透镜的对准焦点位置。曝光用的激光通过微透镜阵列3的微透镜3a而被照射在抗蚀剂膜2上。来自显微镜10的光通过掩模4的Cr膜5的孔5b中,在微透镜3b中透射而照射在抗蚀剂膜2上。通过使用显微镜10观察在该微透镜3b中透射的光是否在抗蚀剂膜2上对准焦点,从而能够判别由微透镜3a聚束于抗蚀剂膜2的曝光光的对准焦点。
Description
技术领域
本发明涉及使用了微透镜阵列(microlens array)的曝光装置。
背景技术
以往,使用了微透镜阵列的曝光装置作为激光退火(laser annealing)装置而使用,并且作为在抗蚀剂膜上对掩模图像进行投影曝光并利用之后的显影处理形成抗蚀剂图案的光刻用的曝光装置而使用,上述激光退火装置是对非晶硅膜照射激光,利用激光的热使非晶硅膜熔融、凝固,由此将非晶硅膜改性为多晶硅膜的装置(专利文献1)。
图6是表示以往的使用了微透镜阵列的投影曝光型的曝光装置的剖面图。在基板1上形成有抗蚀剂膜2,将该基板1输送至微透镜曝光装置的下方。在以往的微透镜曝光装置中,设置有将许多微透镜3a二维地配置而形成的微透镜阵列3,在该微透镜阵列3的上方配置有掩模4。微透镜阵列3由透明石英基板形成,在该微透镜阵列3的下表面加工有微透镜3a。掩模4是在透明基板的下表面接合Cr膜5而构成的,在该Cr膜5,在与各微透镜3a匹配的位置形成有激光通过的孔5a。该掩模4中的孔5a以外的部分被Cr膜5覆盖,成为阻止激光通过的遮光部分。该掩模4与微透镜阵列3以形成固定间隔的方式被固定构件6固定。微透镜阵列3和掩模4通过适当的驱动装置能够在光轴方向上移动,能够调整与基板1之间的距离。
在像这样构成的以往的微透镜曝光装置中,当将曝光用的激光照射在掩模4上时,通过了掩模4的孔5a的激光入射至微透镜阵列3的各微透镜3a,由各微透镜3a聚束于基板1上的抗蚀剂膜2。再有,在该孔5a形成有要投影的图案,在激光在孔5a中透射并照射至抗蚀剂膜2时,上述图案被投影于抗蚀剂膜2。
为了使通过了该微透镜3a的激光聚束于基板1的表面上的抗蚀剂膜2,需要使基板1与微透镜阵列3之间的间隙G与微透镜3a的焦点位置一致,并且需要管理该间隙G。在以往的投影曝光型曝光装置中,对掩模4的表面与基板1的表面之间的距离进行测定,并将其设定为规定值,由此管理间隙G。可是,由于形成有微透镜的石英基板的厚度根据制造条件而不同,所以在以往,实际情况是不进行基板1与微透镜3a之间的间隙G的管理。因此,在以往的曝光装置中,在将掩模4的表面与基板1的表面之间的距离设定为规定值之后,进行曝光、显影,将得到的图案利用显微镜进行观察,由此检查基板1上的抗蚀剂膜2是否处于微透镜3a的对准焦点位置,在基板1不处于微透镜3a的对准焦点位置的情况下,调整掩模4和微透镜阵列3的位置,再次实施曝光、显影、显微镜观察来确认对准焦点位置,通过这样的试行错误,进行聚焦调整。因此,在以往的曝光装置中,在间隙G的管理上花费较大功夫。
因此,在专利文献1中提出了以精度良好地对准焦点位置为目的的图像曝光装置。在该图像曝光装置中,在图像曝光用的微透镜之外设置有焦点位置检测用的微透镜,使来自光源的激光也在焦点位置检测用的微透镜中透射,使其成像在抗蚀剂膜上的成像位置。而且,利用摄像机对该像进行摄像,并在光轴方向上调整微透镜阵列的位置,以使摄像图像的焦点对准。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2007–3829。
发明内容
发明要解决的课题
可是,在上述的以往技术中,在如图6所示那样在微透镜阵列3的上方相对于微透镜阵列3以规定的间隔配置有掩模4的曝光装置中,不调整微透镜阵列3与基板1之间的间隔。即,在图6所示的以往的曝光装置中,不能应用上述专利文献1的间隙G的调整方法。换言之,在专利文献1的曝光装置中,由于不存在掩模4,所以能够直接检测微透镜阵列表面的位置,因此在调整该微透镜阵列与基板表面之间的间隙方面没有困难。
本发明是鉴于这样的问题而完成的,其目的在于,提供一种隔开规定间隔固定有微透镜阵列和掩模的微透镜曝光装置,该微透镜曝光装置能够容易且高精度将微透镜阵列与曝光用基板之间的间隙调整到微透镜的对准焦点位置。
用于解决课题的方案
本发明提供一种第一微透镜曝光装置,具有:微透镜阵列,一维或二维地配置有微透镜;掩模,在与各微透镜对应的位置设置有激光的透射孔;以及固定部,以规定的间隔固定所述微透镜阵列和所述掩模,所述微透镜曝光装置的特征在于,具有:检查用微透镜,设置于所述微透镜阵列,形状与所述微透镜相同;检查用孔,设置在所述掩模中的与所述检查用微透镜对应的位置;检查用光照射部,设置在所述掩模的上方,将使焦点位置与所述检查用孔对准的检查用光经由所述检查用孔和所述检查用微透镜照射至曝光对象的基板;以及显微镜,对所述基板处的所述检查用光的图像进行观察,所述微透镜曝光装置调整所述微透镜阵列和所述掩模在光轴上的位置,使得利用所述显微镜观察到的图像变为对准焦点。
在该情况下,也能够在所述检查用孔设置有检查用标记,利用所述显微镜对所述基板的图像和设置于所述检查用孔的所述检查用标记的图像进行观察,以两个图像变为对准焦点的方式,调整所述微透镜阵列和所述掩模在光轴上的位置。
本发明提供一种第二微透镜曝光装置,具有:微透镜阵列,一维或二维地配置有微透镜;掩模,在与各微透镜对应的位置设置有激光的透射孔;以及固定部,以规定的间隔固定所述微透镜阵列和所述掩模,所述微透镜曝光装置的特征在于,具有:检查用微透镜,设置于所述微透镜阵列,形状与所述微透镜相同;检查用孔,设置在所述掩模中的与所述检查用微透镜对应的位置;检查用光照射部,设置在所述掩模的上方,将使焦点位置与所述检查用孔对准的检查用光经由所述检查用孔和所述检查用微透镜照射至曝光对象的基板;以及光电传感器(photosensor),检测被所述基板反射的所述检查用光的光量,所述微透镜曝光装置调整所述微透镜阵列和所述掩模在光轴上的位置,使得用所述光电传感器检测出的光量为最大。
本发明提供一种第三微透镜曝光装置,具有:微透镜阵列,一维或二维地配置有微透镜;掩模,在与各微透镜对应的位置设置有激光的透射孔;以及固定部,以规定的间隔固定所述微透镜阵列和所述掩模,所述微透镜曝光装置的特征在于,具有:检查用微透镜,设置于所述微透镜阵列,形状与所述微透镜相同;检查用孔,设置在所述掩模中的与所述检查用微透镜对应的位置;检查用光照射部,对设置于曝光对象的图案照射平行光的检查用光,使透射了所述图案的图像入射至所述检查用微透镜;以及显微镜,对透射了所述图案的图像进行观察,所述微透镜曝光装置调整所述微透镜阵列和所述掩模在光轴上的位置,使得利用所述显微镜观察到的图像变为对准焦点。
在该情况下,也能够在所述检查用孔设置有检查用标记,利用所述显微镜对透射了所述图案的图像和透射了设置于所述检查用孔的所述检查用标记的图像进行观察,以两个图像变为对准焦点的方式,调整所述微透镜阵列和所述掩模在光轴上的位置。
本发明提供一种第四微透镜曝光装置,具有:微透镜阵列,一维或二维地配置有微透镜;掩模,在与各微透镜对应的位置设置有激光的透射孔;以及固定部,以规定的间隔固定所述微透镜阵列和所述掩模,所述微透镜曝光装置的特征在于,具有:检查用微透镜,设置于所述微透镜阵列,形状与所述微透镜相同;检查用孔,设置在所述掩模中的与所述检查用微透镜对应的位置;检查用光照射部,对设置于曝光对象的图案照射平行光的检查用光,使透射了所述图案的图像入射至所述检查用微透镜;以及光电传感器,对透射了所述图案的所述检查用光的光量进行检测,所述微透镜曝光装置调整所述微透镜阵列和所述掩模在光轴上的位置,使得用所述光电传感器检测出的光量为最大。
发明效果
根据本发明,将对准焦点于设置在掩模的检查用孔的检查用光经由检查用微透镜照射至曝光基板,调整所述微透镜阵列与所述基板的间隔,使得利用显微镜观察到的检查用光在基板上的图像对准焦点、或者使得利用光电传感器检测出的所述检查用光在所述基板处的反射光的光量为最大,因此能够极其容易且高精度地将所述微透镜的位置调节到对准焦点位置。
附图说明
图1是表示本发明第一实施方式的微透镜曝光装置的剖面图。
图2是表示本发明第二实施方式的微透镜曝光装置的剖面图。
图3是表示本发明第三实施方式的微透镜曝光装置的剖面图。
图4(a)、(b)是表示第一实施方式的变形例的图。
图5(a)、(b)是表示第三实施方式的变形例的图。
图6是表示以往的微透镜曝光装置的剖面图。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的实施方式具体地进行说明。图1是表示本发明第一实施方式的微透镜曝光装置的示意图。在图1中,对与图3相同的结构元素标注相同的附图标记,省略其详细的说明。在本实施方式中,在微透镜阵列3中的端部的从由微透镜3a构成的曝光区域偏离的位置设置有检查用的微透镜3b,进而,在掩模4的Cr膜5中的与微透镜3b匹配的位置设置有比孔5a小的孔5b。在孔5a形成有要投影的图案,在激光在孔5a中透射并照射至抗蚀剂膜2时,上述图案被投影于抗蚀剂膜2。而且,在掩模4的上方,相对于掩模4和微透镜阵列3固定地设置有显微镜10。该显微镜10的焦点位置为掩模4的孔5b的位置,在透射了微透镜阵列3的微透镜3a的激光在基板1上的抗蚀剂膜2成像时,透射了微透镜3b的光也成像于基板1上的抗蚀剂膜2。因此,通过在抗蚀剂膜2设置标记(未图示),从而从显微镜10观察该标记,如果在显微镜10中观察到的标记的焦点对准,则抗蚀剂膜2在光轴上的位置处于显微镜10中的对准焦点位置。再有,在本实施方式中,微透镜阵列3和掩模4也通过适当的驱动装置能够在光轴方向上移动,也能够调整与基板1之间的距离,但是由于显微镜10相对于微透镜阵列3和掩模4固定地配置,所以来自显微镜10的光的焦点位置不从掩模4的Cr膜5的孔5b的位置变化。再有,显微镜10是入射型显微镜,来自光源的光从物镜变成平行光并照射在基板上(抗蚀剂膜2上),来自基板(抗蚀剂膜)的反射光通过微透镜3b在检查用孔5b聚焦,之后,从物镜中与射出光同轴地入射,观察该入射光。来自该物镜的入射光也能够利用摄像机等进行摄影。因此,在本实施方式中,入射型显微镜兼作检查用光的光源和图像观察用的显微镜。
在像这样构成的第一实施方式的微透镜曝光装置中,利用微透镜阵列3的微透镜3a对基板1上的抗蚀剂膜2进行曝光,但是此时,从显微镜10朝向检查用孔5b射出平行光的入射照明光,该入射照明光在Cr膜5的孔5b聚焦,通过该孔5b朝向微透镜阵列3照射,并利用微透镜3b成像于抗蚀剂膜2,该反射光通过微透镜3b在孔5b的位置成像,通过该孔5b入射至显微镜10。此时,在入射至显微镜10的来自抗蚀剂膜2的反射光在抗蚀剂膜2上为对准焦点的情况下,用显微镜10观察到的像也焦点对准。由此,透射了曝光区域的微透镜3a的激光也在抗蚀剂膜2上变为对准焦点。
因此,在用显微镜10观察到的抗蚀剂膜2的图像不是对准焦点图像的情况下,通过适当的驱动装置使微透镜阵列3和掩模4与显微镜10一起在光轴方向上移动,并利用显微镜10观察图像,找到该图像变为对准焦点的在光轴上的位置即可。由此,能够容易且高精度地将曝光装置的间隙G调整至规定的对准焦点位置。
再有,如图4(a)、(b)所示,也能够在检查用孔5b设置检查用标记22。在图4(b)的剖面图所示的曝光装置中,在检查用孔5b内形成有检查用标记22,并且在基板1的表面上的抗蚀剂膜2上设置有基板图案21。而且,入射照明光的平行光在透射了孔5b之后,被微透镜3b聚束,并聚焦于基板图案21。在该情况下,如图4(a)所示,基板图案21是设置在微透镜3b的视野区域20的中心的例如圆形的图案,检查用标记22在微透镜3b的视野区域20的外侧,形成为从视野区域20的中心向4个方向呈辐射状延伸的线段状。
而且,利用显微镜10同时观察基板1的抗蚀剂膜2上的图案21的图像和设置于检查用孔5b的检查用标记22的图像,以两个图像变为对准焦点的方式,调整微透镜阵列3和掩模4在光轴上的位置。由此,能够提高对准焦点的精度。在图1所示的实施方式中,在来自显微镜10的检查用光在孔5b聚焦那样的位置机械地固定有显微镜10和掩模4,但是在图4所示的变形例中, 虽然显微镜10和掩模4最终被固定,但是首先,对准检查用标记22的焦点,由此能够在调整了显微镜10和掩模4的位置关系之后,固定两者,之后,以焦点与基板上的基板图案21对准的方式,调整微透镜阵列3和掩模4与基板1的间隔。
再有,如上所述,形成在基板1上的抗蚀剂膜2的面的标记(图案21)例如是圆形点状标记,形成于掩模4的检查用孔5b的标记(检查用标记22)是呈辐射状延伸的线段状标记,但是显然,这些图案21和检查用标记22不限于上述形状。但是,形成于检查用孔5b的检查用标记22需要设置在从微透镜3b的视野区域20偏离的位置上。当检查用标记22位于微透镜3b的视野区域内时,将从显微镜10朝向微透镜3b照射的平行光的入射照明光遮光,照射在基板1的抗蚀剂膜2上的照明光的光量下降。
接着,针对本发明的第二实施方式进行说明。图2是表示本实施方式的剖面图。在本实施方式中,设置光电传感器11来代替第一实施方式的显微镜10。该光电传感器11也相对于微透镜阵列3和掩模4固定地设置,从光电传感器11朝向微透镜3b照射使焦点位置对准于孔5b的光。
接着,针对本实施方式的工作进行说明。来自光电传感器11的光在孔5b聚焦之后,放大并入射至微透镜3b,进而被微透镜3b聚束,照射至基板1上的抗蚀剂膜2上。被该抗蚀剂膜2反射的光经由微透镜3b和孔5b由光电传感器11检测其光量。此时,在该光在抗蚀剂膜2上为对准焦点的情况下,其反射光在孔5b聚焦之后,入射至光电传感器11。因此,其检测光量较多。与此相对地,在入射至抗蚀剂膜2的光在抗蚀剂膜2上不是对准焦点的情况下,其反射光在孔5b不聚焦,而是为扩散了的状态,因此其一部分被孔5b周围的Cr膜5遮光,不入射至光电传感器11。因此,在该情况下,光电传感器11的检测光量下降。因此,在利用光电传感器11测定了反射光的光量的情况下,其检测光量变为最大时是透射了微透镜阵列3的微透镜3a、3b的光在抗蚀剂膜2上为对准焦点的状态。因此,如果以光电传感器11的检测光量变为最大的方式调整微透镜阵列3和掩模4在光轴上的位置,则能够容易且高精度地将微透镜阵列3与基板1之间的间隙G调整为规定值。
接着,针对本发明的第三实施方式进行说明。图3是表示本实施方式的剖面图。在本实施方式中,使用透射型显微镜13来代替第一实施方式的入射型显微镜10。此外,基板12是透明基板,并且在抗蚀剂膜2中的要聚焦的位置形成有图案14。而且,从该透明基板12的下表面朝向图案14照射平行光。
图案14具有圆形或条纹花样等形状,从透明基板12的下表面照射的平行光通过该图案14,利用微透镜3b使图案14的像成像在孔5b的位置。
接着,针对像这样构成的微透镜曝光装置的工作进行说明。当从透明基板12的下表面朝向图案14照射平行光时,透射了该图案14的光被微透镜3b聚束,并成像在孔5b的位置,进而,经由透射型显微镜13的物镜入射到透射型显微镜13内。通过对入射至该透射型显微镜13的图案14的像进行观察,从而判别间隙G是否处于规定的焦点位置。即,在间隙G是微透镜3b的焦点距离的情况下,图案14的像由微透镜3b对准焦点于孔5b的位置。于是,入射至透射型显微镜13的物镜的图案透射光通过透射型显微镜13的目镜观察为对准焦点,或成像于摄像机的CCD(电荷耦合元件)。可是,当间隙G不是规定的焦点距离时,透射了图案14的光不通过微透镜3b在孔5b对准焦点,在透射型显微镜13中观察为焦点未对准的图像。这样,利用透射型显微镜13观察抗蚀剂膜2上的图案14,调整间隙G,由此能够以微透镜3a的焦点位置位于抗蚀剂膜2上的方式调节该间隙G。
图5(a)、(b)与图4同样地,在透明基板12上的抗蚀剂膜2上设置有基板图案21,并且,进而在检查用孔5b内设置有检查用标记23,该图5(a)、(b)是图3的第三实施方式的变形例。但是,在本变形例的情况下,在微透镜3b的视野区域20内还设置有检查用孔5b内的检查用标记23。基板图案21例如是配置在微透镜3b的视野区域20的中心的圆形图案,检查用标记23例如是以基板图案21为中心向4个方向呈辐射状延伸的线段状图案。
在本变形例中,从透明基板12的下表面侧照射的平行光的透射照明光被基板12上的抗蚀剂膜2上的基板图案21遮光地入射至微透镜3b,图案21的像被微透镜3b聚束并在检查用孔5b变为对准焦点。而且,该图案21的像经由物镜入射至透射型显微镜13,利用近摄镜头进行观察、或者被摄像机摄影。另一方面,处于微透镜3b的视野区域内的检查用标记23也被照射透射照明光,检查用标记23的像也入射至透射型显微镜13。
而且,在本变形例中,也利用显微镜10同时观察基板1的抗蚀剂膜2上的图案21的图像和设置于检查用孔5b的检查用标记22的图像,以两个图像变为对准焦点的方式,调整微透镜阵列3和掩模4在光轴上的位置。由此,能够提高对准焦点精度。再有,在本变形例的情况下,利用从基板1的背面照射的透射照明,判断基板图案21和检查用掩模23的像是否为对准焦点,因此检查用掩模23能够形成在微透镜3b的视野区域内。
再有,在图3所示的实施方式中,代替利用透射型显微镜13进行的图像对准焦点的观察,而与图2所示的实施方式同样地,也能够利用光电传感器来测定检测光量以判定间隙G是否与微透镜3a的焦点距离一致。从透明基板12的下表面照射平行光,利用微透镜3b使透射了图案14的光聚束,将在孔5b中透射了的光引导至光电传感器11(参照图2),利用光电传感器11测定是否取得最大光量,由此能够判别间隙G是否处于规定的焦点位置。如果间隙G是规定的焦点距离并且来自微透镜3a的激光在抗蚀剂膜2上对准焦点,则从透明基板12的下表面照射至图案14并透射图案14的光利用微透镜3b在孔5b聚焦并在较小的孔5b中通过,其大部分光量被光电传感器11检测,但是在间隙G从焦点位置偏离的情况下,透射了图案14的光不通过微透镜3b在孔5b变为对准焦点,而是扩大到孔5b周围的Cr膜5的部分,在较小的孔5b中通过的光的光量下降。因此,利用光电传感器11测定光量,使掩模4和微透镜阵列5在光轴方向上移动,其检测光量变为最大的状态是间隙G与微透镜3a的焦点距离一致并且由微透镜3a聚束的激光在抗蚀剂膜2上变为对准焦点。
上述各实施方式是关于在抗蚀剂膜上对规定的图案进行曝光的曝光装置的实施方式,但是本发明也能应用于如下那样的退火装置,即,利用激光对非晶硅膜进行曝光并退火,由此形成低温多晶硅膜。
产业上的可利用性
本发明对在使用了微透镜阵列的曝光装置中高精度地将微透镜阵列与曝光用基板之间的间隙调整到微透镜的对准焦点位置的聚焦调整的容易化有显著贡献。
附图标记的说明:
1:基板;
2:抗蚀剂膜;
3:微透镜阵列;
4:掩模;
5:Cr膜;
5a、5b:孔;
6:固定构件;
10:显微镜(入射型);
11:光电传感器;
12:透明基板;
13:透射型显微镜;
14:图案;
21:图案;
22、23:检查用标记。
Claims (6)
1.一种微透镜曝光装置,具有:微透镜阵列,一维或二维地配置有微透镜;掩模,在与各微透镜对应的位置设置有激光的透射孔;以及固定部,以规定的间隔固定所述微透镜阵列和所述掩模,所述微透镜曝光装置的特征在于,具有:检查用微透镜,设置于所述微透镜阵列,形状与所述微透镜相同;检查用孔,设置在所述掩模中的与所述检查用微透镜对应的位置;检查用光照射部,设置在所述掩模的上方,将使焦点位置与所述检查用孔对准的检查用光经由所述检查用孔和所述检查用微透镜照射至曝光对象的基板;以及显微镜,对所述基板处的所述检查用光的图像进行观察,所述微透镜曝光装置调整所述微透镜阵列和所述掩模在光轴上的位置,使得利用所述显微镜观察到的图像变为对准焦点。
2.根据权利要求1所述的微透镜曝光装置,其特征在于,在所述检查用孔设置有检查用标记,利用所述显微镜对所述基板的图像和设置于所述检查用孔的所述检查用标记的图像进行观察,以两个图像变为对准焦点的方式,调整所述微透镜阵列和所述掩模在光轴上的位置。
3.一种微透镜曝光装置,具有:微透镜阵列,一维或二维地配置有微透镜;掩模,在与各微透镜对应的位置设置有激光的透射孔;以及固定部,以规定的间隔固定所述微透镜阵列和所述掩模,所述微透镜曝光装置的特征在于,具有:检查用微透镜,设置于所述微透镜阵列,形状与所述微透镜相同;检查用孔,设置在所述掩模中的与所述检查用微透镜对应的位置;检查用光照射部,设置在所述掩模的上方,将使焦点位置与所述检查用孔对准的检查用光经由所述检查用孔和所述检查用微透镜照射至曝光对象的基板;以及光电传感器,检测被所述基板反射的所述检查用光的光量,所述微透镜曝光装置调整所述微透镜阵列和所述掩模在光轴上的位置,使得用所述光电传感器检测出的光量为最大。
4.一种微透镜曝光装置,具有:微透镜阵列,一维或二维地配置有微透镜;掩模,在与各微透镜对应的位置设置有激光的透射孔;以及固定部,以规定的间隔固定所述微透镜阵列和所述掩模,所述微透镜曝光装置的特征在于,具有:检查用微透镜,设置于所述微透镜阵列,形状与所述微透镜相同;检查用孔,设置在所述掩模中的与所述检查用微透镜对应的位置;检查用光照射部,对设置于曝光对象的图案照射平行光的检查用光,使透射了所述图案的图像入射至所述检查用微透镜;以及显微镜,对透射了所述图案的图像进行观察,所述微透镜曝光装置调整所述微透镜阵列和所述掩模在光轴上的位置,使得利用所述显微镜观察到的图像变为对准焦点。
5.根据权利要求4所述的微透镜曝光装置,其特征在于,在所述检查用孔设置有检查用标记,利用所述显微镜对透射了所述图案的图像和透射了设置于所述检查用孔的所述检查用标记的图像进行观察,以两个图像变为对准焦点的方式,调整所述微透镜阵列和所述掩模在光轴上的位置。
6.一种微透镜曝光装置,具有:微透镜阵列,一维或二维地配置有微透镜;掩模,在与各微透镜对应的位置设置有激光的透射孔;以及固定部,以规定的间隔固定所述微透镜阵列和所述掩模,所述微透镜曝光装置的特征在于,具有:检查用微透镜,设置于所述微透镜阵列,形状与所述微透镜相同;检查用孔,设置在所述掩模中的与所述检查用微透镜对应的位置;检查用光照射部,对设置于曝光对象的图案照射平行光的检查用光,使透射了所述图案的图像入射至所述检查用微透镜;以及光电传感器,对透射了所述图案的所述检查用光的光量进行检测,所述微透镜曝光装置调整所述微透镜阵列和所述掩模在光轴上的位置,使得用所述光电传感器检测出的光量为最大。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107843966A (zh) * | 2016-09-18 | 2018-03-27 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 用于装配微透镜阵列组件的方法和系统 |
CN108886568A (zh) * | 2016-03-30 | 2018-11-23 | 株式会社尼康 | 光学装置 |
CN109062001A (zh) * | 2018-08-27 | 2018-12-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜版 |
CN109491206A (zh) * | 2017-09-13 | 2019-03-19 | 创王光电股份有限公司 | 形成元件的方法 |
CN110036256A (zh) * | 2016-12-12 | 2019-07-19 | 国立研究开发法人产业技术综合研究所 | 标记器和标记器的制造方法 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5376379B2 (ja) * | 2010-08-30 | 2013-12-25 | 株式会社ブイ・テクノロジー | マイクロレンズアレイを使用した露光装置及び光学部材 |
FR3014212B1 (fr) | 2013-12-04 | 2017-05-26 | Fogale Nanotech | Dispositif et procede de positionnement de masque de photolithographie par methode optique sans contact |
CN104865801B (zh) * | 2015-06-01 | 2017-03-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 曝光装置 |
CN108027129B (zh) * | 2015-08-28 | 2020-05-15 | 赫普塔冈微光有限公司 | 用于平移光的照明模块 |
JP7082927B2 (ja) * | 2018-08-27 | 2022-06-09 | 株式会社Screenホールディングス | 露光装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH088164A (ja) * | 1994-06-21 | 1996-01-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体写真製版装置 |
CN1379284A (zh) * | 2001-03-29 | 2002-11-13 | 大日本印刷株式会社 | 图案形成体的制造方法以及用于其中的光掩膜 |
JP2007003829A (ja) * | 2005-06-23 | 2007-01-11 | Fujifilm Holdings Corp | 画像露光装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH697814B1 (de) * | 2001-01-26 | 2009-02-27 | Tecan Trading Ag | Optisches System und Verfahren zum Anregen und Messen von Fluoreszenz an oder in mit Fluoreszenzfarbstoffen behandelten Proben. |
US4767171A (en) * | 1986-03-27 | 1988-08-30 | Siemens Aktiengesellschaft | Transmission and reception module for a bidirectional communication network |
JPH0243511A (ja) * | 1988-08-04 | 1990-02-14 | Fuji Electric Co Ltd | イメージセンサ対の光学系との位置合わせ方法 |
JPH0320733A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-29 | Matsushita Electron Corp | ホトマスク |
JP3555230B2 (ja) | 1994-05-18 | 2004-08-18 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
JP2002006208A (ja) * | 2000-06-23 | 2002-01-09 | Asahi Optical Co Ltd | 自動焦点検出機構を備えたデジタルスチルカメラ |
JP2009302400A (ja) | 2008-06-16 | 2009-12-24 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP5381029B2 (ja) | 2008-11-10 | 2014-01-08 | ウシオ電機株式会社 | 露光装置 |
KR101941323B1 (ko) * | 2011-08-10 | 2019-01-22 | 브이 테크놀로지 씨오. 엘티디 | 노광 장치용 얼라인먼트 장치 및 얼라인먼트 마크 |
-
2010
- 2010-08-06 JP JP2010177873A patent/JP5424267B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH088164A (ja) * | 1994-06-21 | 1996-01-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体写真製版装置 |
CN1379284A (zh) * | 2001-03-29 | 2002-11-13 | 大日本印刷株式会社 | 图案形成体的制造方法以及用于其中的光掩膜 |
JP2007003829A (ja) * | 2005-06-23 | 2007-01-11 | Fujifilm Holdings Corp | 画像露光装置 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108886568A (zh) * | 2016-03-30 | 2018-11-23 | 株式会社尼康 | 光学装置 |
CN107843966A (zh) * | 2016-09-18 | 2018-03-27 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 用于装配微透镜阵列组件的方法和系统 |
CN110036256A (zh) * | 2016-12-12 | 2019-07-19 | 国立研究开发法人产业技术综合研究所 | 标记器和标记器的制造方法 |
CN110036256B (zh) * | 2016-12-12 | 2020-10-27 | 国立研究开发法人产业技术综合研究所 | 标记器和标记器的制造方法 |
US11391565B2 (en) | 2016-12-12 | 2022-07-19 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Marker and marker manufacturing method |
CN109491206A (zh) * | 2017-09-13 | 2019-03-19 | 创王光电股份有限公司 | 形成元件的方法 |
CN109062001A (zh) * | 2018-08-27 | 2018-12-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜版 |
CN109062001B (zh) * | 2018-08-27 | 2022-04-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜版 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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