CN109062001B - 一种掩膜版 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种掩膜版，涉及加工工艺技术领域。其中，所述掩膜版包括掩膜版盒，以及嵌套在掩膜版盒中的准直透镜组合板。其中，掩膜版盒包括对盒设置的掩膜图案板和第一准直透镜板，第一准直透镜板上的光线准直区域与掩膜图案板上的透光区域位置对应；准直透镜组合板上的光线准直区域可以大于掩膜图案板上的透光区域。在本发明实施例中，掩膜图案板上的透光区域与特定薄膜晶体管的图案对应，准直透镜组合板上的光线准直区域大于掩膜图案板上的透光区域，从而准直透镜组合板可以与不同掩膜图案的掩膜版盒嵌套组合，形成不同的掩膜版，进而能够对不同图案的薄膜晶体管的a‑Si进行区域化激光退火处理，提高了区域化激光退火掩膜版的通用性。

Description

一种掩膜版
技术领域
本发明涉及加工工艺技术领域，特别是涉及一种掩膜版。
背景技术
在薄膜晶体管的加工过程中，可以采用区域化激光退火技术形成p-Si(多晶硅)，具体地，首先可以通过激光器发出激光光束，进而该激光光束可以通过掩膜版，选择性地对薄膜晶体管沟道区域的a-Si(非晶硅)进行高位置精度的激光退火处理，使其晶化形成p-Si(多晶硅)，该技术又被成为PLAS(Partial Laser Anneal Silicon)或SLA(SelectiveLaser-Annealing)。
然而，目前的区域化激光退火掩膜版，通常是针对特定显示面板薄膜晶体管图案进行设计，因此难以适用于不同薄膜晶体管图案的加工，通用性较差。
发明内容
本发明提供一种掩膜版，以解决现有的区域化激光退火掩膜版通用性差的问题。
为了解决上述问题，本发明公开了一种掩膜版，包括掩膜版盒，以及嵌套在所述掩膜版盒中的准直透镜组合板；
所述掩膜版盒包括对盒设置的掩膜图案板和第一准直透镜板；所述第一准直透镜板上的光线准直区域与所述掩膜图案板上的透光区域位置对应；
所述准直透镜组合板上的光线准直区域大于所述掩膜图案板上的透光区域。
可选地，所述准直透镜组合板包括层叠设置的至少两个第二准直透镜板，每个所述第二准直透镜板均包括阵列排布的多个第一菲涅尔透镜区域。
可选地，所述第一菲涅尔透镜区域的入光面为平面，所述第一菲涅尔透镜区域的出光面形成有多个同心圆环型突起部。
可选地，所述第一准直透镜板包括多个第二菲涅尔透镜区域，所述多个第二菲涅尔透镜区域与所述掩膜图案板上的透光区域位置对应。
可选地，所述第二菲涅尔透镜区域的入光面为平面，所述第二菲涅尔透镜区域的出光面形成有多个同心圆环型突起部。
可选地，所述同心圆环型突起部的宽度r满足下述公式(1)；
r＝H/tanα (1)
在上述公式(1)中，所述H为所述同心圆环型突起部的高度，所述α为所述同心圆环型突起部的出光面与入光面之间的夹角。
可选地，所述第一菲涅尔透镜区域的直径大于或等于2微米，且小于或等于6微米。
可选地，所述第一准直透镜板的材料包括玻璃、树脂或塑料。
可选地，所述第二准直透镜板的材料包括玻璃、树脂或塑料。
可选地，所述掩膜图案板包括石英衬底，以及形成在所述石英衬底上的金属铬阻光层。
与现有技术相比，本发明包括以下优点：
在本发明实施例中，掩膜版可以包括掩膜版盒，以及嵌套在掩膜版盒中的准直透镜组合板。其中，掩膜版盒包括对盒设置的掩膜图案板和第一准直透镜板，第一准直透镜板上的光线准直区域与掩膜图案板上的透光区域位置对应；准直透镜组合板上的光线准直区域可以大于掩膜图案板上的透光区域。在本发明实施例中，掩膜图案板上的透光区域与特定薄膜晶体管的图案对应，准直透镜组合板上的光线准直区域大于掩膜图案板上的透光区域，从而准直透镜组合板可以与不同掩膜图案的掩膜版盒进行嵌套组合，形成不同的掩膜版，进而能够对不同图案的薄膜晶体管的a-Si进行区域化激光退火处理，从而提高了区域化激光退火掩膜版的通用性。
附图说明
图1示出了本发明实施例一的一种掩膜版的截面示意图；
图2示出了本发明实施例一的一种菲涅尔透镜区域的截面示意图；
图3示出了本发明实施例一的一种将准直透镜组合板嵌套在掩膜版盒中的示意图。
附图标记说明：
10-掩膜版盒，11-掩膜图案板，12-第一准直透镜板，121-第二菲涅尔透镜区域，20-准直透镜组合板，21-第二准直透镜板，211-第一菲涅尔透镜区域。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
实施例一
参照图1，示出了本发明实施例一的一种掩膜版的截面示意图。参照图1，该掩膜版包括掩膜版盒10，以及嵌套在掩膜版盒10中的准直透镜组合板20。
其中，掩膜版盒10包括对盒设置的掩膜图案板11和第一准直透镜板12，第一准直透镜板12上的光线准直区域与掩膜图案板11上的透光区域位置对应，也即是第一准直透镜板12上的光线准直区域在掩膜图案板11上的正投影，可以覆盖掩膜图案板11上的透光区域，进而从掩膜图案板11上的透光区域入射的激光，可以全部照射至第一准直透镜板12上的光线准直区域，从而第一准直透镜板12上的光线准直区域可以对激光进行准直，进而可以利用准直后的激光对薄膜晶体管沟道区域的a-Si进行退火处理。
另外，准直透镜组合板20上的光线准直区域大于掩膜图案板11上的透光区域，也即是准直透镜组合板20上的光线准直区域在掩膜图案板11上的正投影，至少可以覆盖掩膜图案板11上的透光区域，进而从掩膜图案板11上的透光区域入射的激光，可以全部照射至准直透镜组合板20上的光线准直区域，从而准直透镜组合板20上的光线准直区域，以及第一准直透镜板12上的光线准直区域，可以对激光进行准直，进而准直后的激光从第一准直透镜板12上的光线准直区域出射后，可以照射至薄膜晶体管沟道区域的a-Si，并对a-Si进行激光退火处理。
具体地，参照图1，准直透镜组合板20可以包括层叠设置的至少两个第二准直透镜板21，图1中仅以准直透镜组合板20包括层叠设置的两个第二准直透镜板21为例进行说明。其中，每个第二准直透镜板21均包括阵列排布的多个第一菲涅尔透镜区域211，第二准直透镜板21上形成有第一菲涅尔透镜区域211的区域即为第二准直透镜板21上的光线准直区域，每个第一菲涅尔透镜区域211均可以对激光进行准直。其中，第一菲涅尔透镜区域211可以为圆形区域，每个第一菲涅尔透镜区域211相当于一个菲涅尔透镜。在本发明实施例中，第一菲涅尔透镜区域211的入光面可以为平面，第一菲涅尔透镜区域211的出光面形成有多个同心圆环型突起部。
进一步地，参照图1，第一准直透镜板12包括多个第二菲涅尔透镜区域121，其中，多个第二菲涅尔透镜区域121与掩膜图案板11上的透光区域位置对应，也即第一准直透镜板12上形成有第二菲涅尔透镜区域121的区域即为第一准直透镜板12上的光线准直区域，每个第二菲涅尔透镜区域121均可以对激光进行准直。其中，第二菲涅尔透镜区域121可以为圆形区域，每个第二菲涅尔透镜区域121也相当于一个菲涅尔透镜。与第一菲涅尔透镜区域211类似，第二菲涅尔透镜区域121的入光面可以为平面，第二菲涅尔透镜区域的出光面形成有多个同心圆环型突起部。
对于一般的凸透镜，光的折射通常发生在凸透镜与介质的交界面，也即凸透镜的曲面，而通常的凸透镜镜片较厚，光在凸透镜中直线传播的部分会造成光线能量衰减，而参照图2，菲涅尔透镜区域中的同心圆环型突起部，以及中心突起部可以保留发生折射的曲面，并减少很多直线传播的部分，相当于将凸透镜的连续曲面塌陷为不连续的曲面，但仍能保留曲面的折射效果，因此，本发明实施例中的第一菲涅尔透镜区域211，以及第二菲涅尔透镜区域121，能够在达到与凸透镜相同准直效果的同时，能够提高混光效果，并且减小透镜区域的厚度，从而减小退火激光的能量损失，有利于提高激光退火的效率。另外，在实际应用中，可以通过调整第一菲涅尔透镜区域突起部的出光面角度或曲率，从而改变第二准直透镜板的数量，本发明实施例对此不作具体限定。
在实际应用中，第二菲涅尔透镜区域121的直径可以等于或略大于掩膜图案板11上的透光区域的外径，第一准直透镜板12上未形成第二菲涅尔透镜区域121的区域可以为平面镜区域。第一准直透镜板12上第二菲涅尔透镜区域121的图案可以与掩膜图案板11上透光区域的图案位置对应，从而掩膜版盒10可以适用于加工特定图案的薄膜晶体管。
另外，第一菲涅尔透镜区域211可以阵列排布，从而能够保证激光通过不同掩膜图案板的透光区域后，均可以照射到准直透镜组合板20上的光线准直区域，从而准直透镜组合板20可以适用于加工不同图案的薄膜晶体管。当然，在实际应用中，不同的掩膜图案板可能存在位置相同的不透光区域，因此，可以无需在多数掩膜图案板中公共的不透光区域形成第一菲涅尔透镜区域211，从而可以提高掩膜版的加工效率。在实际应用中，第一菲涅尔透镜区域211的直径可以大于或等于2微米，且小于或等于6微米。
在本发明实施例中，由于准直透镜组合板20可以适用于加工不同图案的薄膜晶体管，掩膜版盒10可以适用于加工特定图案的薄膜晶体管，因此，在对不同图案的薄膜晶体管进行a-Si退火处理时，准直透镜组合板可以进行重复利用，而只需更换掩膜版盒即可，从而能够提高区域化激光退火掩膜版的通用性。
进一步地，参照图2，对于第一菲涅尔透镜区域211或者第二菲涅尔透镜区域121中的任一同心圆环型突起部，该同心圆环型突起部的宽度r满足下述公式(1)；
r＝H/tanα (1)
在上述公式(1)中，H为该同心圆环型突起部的高度，α为该同心圆环型突起部的出光面与入光面之间的夹角。通过调整同心圆环型突起部的高度H，可以改变同心圆环型突起部的宽度r，进而改变每个菲涅尔透镜区域中同心圆环型突起部的圈数。
在实际应用中，第一菲涅尔透镜区域211，以及第二菲涅尔透镜区域121，均可以通过刻蚀等工艺，对一整块高透过率的板材进行加工得到。另外，可以通过对盒工艺，将掩膜图案板11与第一准直透镜板12进行对盒，并将第一准直透镜板12与掩膜图案板11边缘粘接，从而获得掩膜版盒10。参照图3，获得掩膜版盒10之后，可以将准直透镜组合板20嵌套在掩膜版盒10中，并可以通过对准设备进行对准，对准之后，可以通过螺丝等将准直透镜组合板20的边框与掩膜版盒10连接固定，从而可以获得用于区域化激光退火的掩膜版。
另外，在实际制备时，第一准直透镜板12的材料可以包括透明度高、且对激光能量耐受的玻璃、树脂或塑料。同样地，第二准直透镜板21的材料也可以包括透明度高、且对激光能量耐受的玻璃、树脂或塑料。掩膜图案板11可以包括石英衬底，以及形成在石英衬底上的金属铬阻光层，其中，石英衬底上形成有金属铬阻光层的区域，即为掩膜图案板11上的不透光区域。
在本发明实施例中，掩膜版可以包括掩膜版盒，以及嵌套在掩膜版盒中的准直透镜组合板。其中，掩膜版盒包括对盒设置的掩膜图案板和第一准直透镜板，第一准直透镜板上的光线准直区域与掩膜图案板上的透光区域位置对应；准直透镜组合板上的光线准直区域可以大于掩膜图案板上的透光区域。在本发明实施例中，掩膜图案板上的透光区域与特定薄膜晶体管的图案对应，准直透镜组合板上的光线准直区域大于掩膜图案板上的透光区域，从而准直透镜组合板可以与不同掩膜图案的掩膜版盒进行嵌套组合，形成不同的掩膜版，进而能够对不同图案的薄膜晶体管的a-Si进行区域化激光退火处理，从而提高了区域化激光退火掩膜版的通用性。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上对本发明所提供的一种掩膜版，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (9)

1.一种掩膜版，其特征在于，包括掩膜版盒，以及嵌套在所述掩膜版盒中的准直透镜组合板；
所述掩膜版盒包括对盒设置的掩膜图案板和第一准直透镜板；所述第一准直透镜板上的光线准直区域与所述掩膜图案板上的透光区域位置对应；
所述准直透镜组合板上的光线准直区域在所述掩膜图案板上的正投影，至少覆盖所述掩膜图案板上的透光区域；
所述准直透镜组合板包括层叠设置的至少两个第二准直透镜板，每个所述第二准直透镜板均包括阵列排布的多个第一菲涅尔透镜区域。
2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第一菲涅尔透镜区域的入光面为平面，所述第一菲涅尔透镜区域的出光面形成有多个同心圆环型突起部。
3.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第一准直透镜板包括多个第二菲涅尔透镜区域，所述多个第二菲涅尔透镜区域与所述掩膜图案板上的透光区域位置对应。
4.根据权利要求3所述的掩膜版，其特征在于，所述第二菲涅尔透镜区域的入光面为平面，所述第二菲涅尔透镜区域的出光面形成有多个同心圆环型突起部。
5.根据权利要求2或4所述的掩膜版，其特征在于，所述同心圆环型突起部的宽度r满足下述公式(1)；
r＝H/tanα (1)
在上述公式(1)中，所述H为所述同心圆环型突起部的高度，所述α为所述同心圆环型突起部的出光面与入光面之间的夹角。
6.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第一菲涅尔透镜区域的直径大于或等于2微米，且小于或等于6微米。
7.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第一准直透镜板的材料包括玻璃、树脂。
8.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第二准直透镜板的材料包括玻璃、树脂。
9.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜图案板包括石英衬底，以及形成在所述石英衬底上的金属铬阻光层。
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