JP2014225498A - 反射型マスクブランク及び反射型マスク - Google Patents
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Abstract
Description
近年、半導体デバイスの微細化に伴い、波長が13.5nm近傍のEUVを光源に用いたEUVリソグラフィが提案されている。EUVリソグラフィは光源波長が短く光吸収性が非常に高いため、真空中で行われる必要がある。またEUVの波長領域においては、ほとんどの物質の屈折率は1よりもわずかに小さい値である。このため、EUVリソグラフィにおいては従来から用いられてきた透過型の屈折光学系を使用することができず、反射光学系となる。従って、原版となるフォトマスク(以下、マスクと呼ぶ)も、従来の透過型のマスクは使用できないため、反射型のマスクとする必要がある。
このような反射型マスクの元となる反射型マスクブランクは、低熱膨張基板の上に、露光光源波長に対して高い反射率を示す多層反射層と、露光光源波長の吸収層とが順次形成されており、更に基板の裏面には露光機内における静電チャックのための裏面導電膜が形成されている。また、多層反射層と、吸収層の間に緩衝層を有する構造を持つEUVマスクもある。反射形マスクブランクから反射形マスクへ加工する際には、EBリソグラフィとエッチング技術とにより吸収層を部分的に除去し、緩衝層を有する構造の場合はこれも同じく除去し、吸収部と反射部とからなる回路パターンを形成する。このように作製された反射型マスクによって反射された光像が反射光学系を経て半導体基板上に転写される。
反射光学系を用いた露光方法では、マスク面に対して垂直方向から所定角度傾いた入射角(通常6°)で照射されるため、吸収層の膜厚が厚い場合、パターン自身の影が生じてしまい、この影となった部分における反射強度は、影になっていない部分よりも小さいため、コントラストが低下し、転写パターンには、エッジ部のぼやけや設計寸法からのずれが生じてしまう。これはシャドーイングと呼ばれ、反射マスクの原理的課題の一つである。
一方、反射型マスクを用いて半導体基板上に転写回路パターンを形成する際、一枚の半導体基板上には複数の回路パターンのチップが形成される。隣接するチップ間において、チップ外周部が重なる領域が存在する場合がある。これはウェハ1枚あたりに取れるチップを出来るだけ増加したいという生産性向上のために、チップを高密度に配置するためである。この場合、この領域については複数回(チップコーナー部が最大4回(自チップの露光+隣のチップの露光が3回))に渡り露光(多重露光)されることになる。この転写パターンのチップ外周部はマスク上でも外周部であり、通常、吸収層の部分である。しかしながら、上述したように吸収層上でのEUV光の反射率は、0.5〜2%程度あるために、多重露光によりチップ外周部が感光してしまう問題があった。このため、マスク上のチップ外周部に通常の吸収層よりもEUV光の遮光性の高い領域(以下、遮光枠と呼ぶ)を設ける必要性が出てきた。
射層を保護するための保護層と前記極端紫外線を吸収するための吸収層を備えてなり、前記基板が導電性を有する材料からなることを特徴とする反射型マスクブランクである。
以下、本発明に係る実施形態について、図面を参照しながら説明する。
まず、本発明の反射型マスクブランクのレイアウトについて説明する。図3は、本発明の反射型マスクブランク102の概略断面図である。図3に示す本発明の反射型マスクブランク102は、導電性基板6の表面に、多層反射層2、保護層3、吸収層4が順次形成されている。導電性基板6の裏面には裏面導電膜5が形成された構造となっている。保護層3と吸収層4の間には、緩衝層が有る場合もある。緩衝層は、吸収層4のマスクパターン修正時に、下地の保護層3にダメージを与えないために設けられる層である。また、裏面導電膜5は無くても構わない。
次に、本発明の反射型マスクブランク102の構成について説明する。図3の導電性基板6は、抵抗率が107Ω・cm以下の導電性があれば良い。そのため例えば、アルミニウム等の金属材料から成る材料の他に、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化スズ等の透明な金属酸化物、またはグラファイト等の導電性が高い炭素材料でも良い。基板自体に導電性を持たせる理由は、ドライエッチングやウェットエッチングといった反射型マスクへの加工工程の追加や変更をすることなく、反射型マスクの加工精度にも依存せず、新たに導電膜層を1層設けることで欠陥品質のリスクを負うこともなく、電気的な帯電(チャージアップ)の低減効果が安定して得られるためである。
図3の多層反射層2は、EUV光に対して60%程度の反射率を達成できるように設計されている。多層反射層2としてはMoとSiの多層膜が使われるが、その理由はそれらがEUV光に対する吸収(消衰係数)が小さく、且つMoとSiのEUV光の波長領域での屈折率差が大きいために、MoとSiの界面での反射率を高く出来るためである。多層反射層2を保護するための保護層3としてRuを用いる場合は、吸収層4の加工におけるエッチングストッパーとしての役割やマスク洗浄時の薬液に対する保護層としての役割を果たしている。保護層3としてSiを用いる場合は、吸収層4との間に、緩衝層が挿入される場合がある。緩衝層は、吸収層4のエッチング加工時やパターン修正時に、緩衝層の下に隣接する多層反射層2の最上層であるSi層を保護するために設けられており、通常クロムの窒素化合物で構成されている。
図3の吸収層4は、EUVに対して吸収率の高いタンタルの窒素化合物で構成される。他の材料として、タンタルホウ素窒化物、タンタルシリサイド、タンタルや、それらの酸化物でも良い。
図3の裏面導電膜5は、一般には窒化クロムで構成されているが、導電性があれば良いので、金属材料からなる材料であれば良い。また、裏面導電膜5を有するかたちで記載したが、裏面導電膜5を有さない反射型マスクブランク及び反射型マスクとしても良い。
次に、本発明の反射型マスクの構成について説明する。図4(a)は、本発明の遮光枠11を有する反射型マスクの構造の概略平面図と、図4(b)は図4(a)の破線A−A’に沿った概略断面図である。図4(b)に示すように、本発明の反射型マスク103は、吸収層4が加工されたイメージフィールド(メインパターン領域)10と、そのイメージフィールド(メインパターン領域)10の周辺部において溝状に吸収層4と保護層3と多層反射層2(緩衝層がある場合は緩衝層も)がエッチング除去された遮光枠11を有する。
本発明の反射型マスクの遮光枠の形成方法について説明する。イメージフィールド(メインパターン領域)にパターンが形成された反射型マスクあるいは後にパターンが形成される予定の反射型マスクブランクに対して、フォトリソグラフィもしくは電子線リソグラフィによって、イメージフィールドの周辺部に枠状にレジストパターンの開口部を形成する。次に、フッ素系もしくは塩素系ガス(あるいはその両方)を用いたドライエッチングによって、レジストパターンの開口部の吸収層4とまたは吸収層4と保護層3の両方を除去する。次いで、多層反射層2を、フッ素系ガスもしくは塩素系ガスもしくはその両方を用いたドライエッチングか、アルカリ性溶液あるは酸性溶液を用いたウェットエッチングによって、多層反射層2を除去する。
なるように設計されたMoとSiの40ペアの多層反射層2を、その上に2.5nm厚のRuの保護層3を、更にその上に70nm厚のタンタルシリサイドからなる吸収層4を、スパッタリングにより順次形成した。このようにして、本発明の反射型マスクブランク(図5(a)参照)を作製した。
2 多層反射層
3 保護層
4 吸収層
5 裏面導電膜
6 導電性基板
9 レジスト
10 イメージフィールド(メインパターン領域)
11 遮光枠
12 遮光枠の外
29 i線レジスト
100 従来の反射型マスク(遮光枠無し)
101 従来の反射型マスク(遮光枠有り)
102 本発明の反射型マスクブランク
103 本発明の反射型マスク
201 反射型マスクブランク
211 メインパターン領域に回路パターンが形成された段階の反射型マスク
Claims (5)
- 極端紫外線を光源とするEUVリソグラフィに使用される反射型マスクの製造に用いられる反射型マスクブランクであって、支持体である基板と前記極端紫外線を反射するための多層反射層と前記多層反射層を保護するための保護層と前記極端紫外線を吸収するための吸収層を備えてなり、前記基板が導電性を有する材料からなることを特徴とする反射型マスクブランク。
- 前記材料が、金属からなることを特徴とする請求項1に記載の反射型マスクブランク。
- 前記材料が、透明な金属酸化物からなることを特徴とする請求項1に記載の反射型マスクブランク。
- 前記材料が、導電性が高い炭素材料からなることを特徴とする請求項1に記載の反射型マスクブランク。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の反射型マスクブランクを使用して作製した反射型マスクであって、前記基板に形成されたイメージフィールドの周辺部において溝状に前記吸収層と前記保護層と前記多層反射層までがエッチング除去されることで遮光枠が形成されてなることを特徴とする反射型マスク。
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