JPS62246889A - 鏡面部品の製造方法 - Google Patents
鏡面部品の製造方法Info
- Publication number
- JPS62246889A JPS62246889A JP61089984A JP8998486A JPS62246889A JP S62246889 A JPS62246889 A JP S62246889A JP 61089984 A JP61089984 A JP 61089984A JP 8998486 A JP8998486 A JP 8998486A JP S62246889 A JPS62246889 A JP S62246889A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mirror
- film
- substrate
- manufacturing
- finished
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical group [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 238000007873 sieving Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013518 transcription Methods 0.000 description 1
- 230000035897 transcription Effects 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、短波長の電磁波を反射させるための反射鏡な
どの鏡面部品の製造方法に関する。
どの鏡面部品の製造方法に関する。
（従来の技術）
近時、集積回路の集積度の増大にともない。
ますます微細なパターンが必要とされるようになった。
一般に、パターン情報キャリヤとしての電磁波は、波長
が短いほど、転写解像性能がすぐれている。そこで、可
視光や紫外線では容易に解像しえない微細な寸法を、Ｘ
線を使用して解像することが行われている。すなわち、
このＸ線転写は。
が短いほど、転写解像性能がすぐれている。そこで、可
視光や紫外線では容易に解像しえない微細な寸法を、Ｘ
線を使用して解像することが行われている。すなわち、
このＸ線転写は。
波長が０，４〜５ｎｍ＠度の軟Ｘ線を用いてマスクパタ
ーンを転写するものである。このＸ線源としては。
ーンを転写するものである。このＸ線源としては。
主として、高出力レーザビームで、 Ｆｅ 供） 、Ａ
ｊ（アルｌニウム）などの金属ターゲット焦点部を照射
することにより高強度の発散軟Ｘ線を得ることができる
レーザ励起プラズマ軟Ｘ線源がある。このＸ線源から放
出された発散Ｘ線は、特殊な反射鏡（たとえば放物面鏡
）にて反射させたのち、Ｘ線マスクに投射するようにな
っている。
ｊ（アルｌニウム）などの金属ターゲット焦点部を照射
することにより高強度の発散軟Ｘ線を得ることができる
レーザ励起プラズマ軟Ｘ線源がある。このＸ線源から放
出された発散Ｘ線は、特殊な反射鏡（たとえば放物面鏡
）にて反射させたのち、Ｘ線マスクに投射するようにな
っている。
このとき用いられる反射鏡は、第７図に示すように、黒
鉛基板（Ａ）上に炭化珪素（８ｉＣ）膜（Ｂ）をＣＶＤ
（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄａｐｏｓ口１
ｏｎ）により膜形成させたのち、ラッピング及びボリシ
ングにより表面粗さＩｎｍオーダで鏡面研磨したもので
ある。
鉛基板（Ａ）上に炭化珪素（８ｉＣ）膜（Ｂ）をＣＶＤ
（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄａｐｏｓ口１
ｏｎ）により膜形成させたのち、ラッピング及びボリシ
ングにより表面粗さＩｎｍオーダで鏡面研磨したもので
ある。
しかしながら、 ＣＶＤ法によるＳＩＣ膜（Ｂ）は、膜
形成過程中で、微細な気泡が生じる。そのため。
形成過程中で、微細な気泡が生じる。そのため。
気泡発生した凹部位にて、Ｘ線が所要方向に正反射され
ず乱反射を起し、反射率が低下してしまう不具合をもっ
ている。
ず乱反射を起し、反射率が低下してしまう不具合をもっ
ている。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は、上述した気泡部位における乱反射の生じるこ
とない例えば反射鏡などの鏡面部品の製造方法を提供す
ることを目的とする。
とない例えば反射鏡などの鏡面部品の製造方法を提供す
ることを目的とする。
〔発明の構成〕
（問題点を解決するための手段と作用）黒鉛基板上にＣ
ＶＤにより８ｉＣ膜を膜形成させたのち、５ｉＣｉをレ
ーザ光ζこより照射して一部を溶融させ、さらに溶融後
固化したＳｉＣ膜を鏡面加工するようにして、微細な気
泡等の欠陥のない表面状態が均質な反射率の高い反射鏡
などの鏡面部品を得るようにしたものである。
ＶＤにより８ｉＣ膜を膜形成させたのち、５ｉＣｉをレ
ーザ光ζこより照射して一部を溶融させ、さらに溶融後
固化したＳｉＣ膜を鏡面加工するようにして、微細な気
泡等の欠陥のない表面状態が均質な反射率の高い反射鏡
などの鏡面部品を得るようにしたものである。
（実施例）
以下１本発明の一実施例を図面を参照して詳述する。
この実施例の面部品の製造方法は、黒鉛により基板（１
）を製造する工程（第１図参照）と、基板（１）上ｌこ
ＣＶＤによりＳｉＣ膜（２）を形成する工程（第２図参
照）と、 ＳｉＣ膜（２）に例えばＣＯｔレーザ装置か
らレーザ光（３）を照射しＳｌＣ膜（２）の表面部を溶
融固化させガラス状の非晶質部（４）を形成する工程（
第３図参照）と、非晶質部（４）をラッピングにより粗
研磨する工程と、粗研磨工程後にボリシングを行い非晶
質部（４）を表面粗さがｎｍオーダで鏡面仕上げする工
程（＠４図参照）とからなっている。しかして、 １９
１ｃ膜（２）の形成は、基板（１）を水平に並べておき
、上から反応ガスを導入し、基板（１）上における表面
反応を利用してｆ９ｉｃＭ（２）を形成するものである
。このＳＩＣ膜（２）の膜厚分布を均一にするためには
、基板（１１表面に均一に反応ガスを輸送すること。
）を製造する工程（第１図参照）と、基板（１）上ｌこ
ＣＶＤによりＳｉＣ膜（２）を形成する工程（第２図参
照）と、 ＳｉＣ膜（２）に例えばＣＯｔレーザ装置か
らレーザ光（３）を照射しＳｌＣ膜（２）の表面部を溶
融固化させガラス状の非晶質部（４）を形成する工程（
第３図参照）と、非晶質部（４）をラッピングにより粗
研磨する工程と、粗研磨工程後にボリシングを行い非晶
質部（４）を表面粗さがｎｍオーダで鏡面仕上げする工
程（＠４図参照）とからなっている。しかして、 １９
１ｃ膜（２）の形成は、基板（１）を水平に並べておき
、上から反応ガスを導入し、基板（１）上における表面
反応を利用してｆ９ｉｃＭ（２）を形成するものである
。このＳＩＣ膜（２）の膜厚分布を均一にするためには
、基板（１１表面に均一に反応ガスを輸送すること。
基板（１）の温度を均一に制御する必要がある。このよ
うにして形成されたＳｉＣｇ（２）中には、化学反応過
程中に生じた気泡（５）・・・が内部欠陥として内包さ
れている（第５図参照）。これらの気泡（５）・・・は
。
うにして形成されたＳｉＣｇ（２）中には、化学反応過
程中に生じた気泡（５）・・・が内部欠陥として内包さ
れている（第５図参照）。これらの気泡（５）・・・は
。
反射率低下の原因となるので好ましくないが１次工程で
レーザ光（３）を照射すると、 ＳｉＣ膜（２）の表面
部は溶融し、溶融部位中の気泡（５）・・・は、外部に
逸出する。したがって、第６図に示すように、非晶質部
（４）中には、気泡（５）・・・は存在していない。し
かして、次工程において、ラッピング及びポリシングに
より鏡面仕上げしても、＠１面（６）に、気泡（５）・
・・が露呈することがなく、完全な平滑面を得ることが
できる。
レーザ光（３）を照射すると、 ＳｉＣ膜（２）の表面
部は溶融し、溶融部位中の気泡（５）・・・は、外部に
逸出する。したがって、第６図に示すように、非晶質部
（４）中には、気泡（５）・・・は存在していない。し
かして、次工程において、ラッピング及びポリシングに
より鏡面仕上げしても、＠１面（６）に、気泡（５）・
・・が露呈することがなく、完全な平滑面を得ることが
できる。
以上のように、この実施例においてはＣＶＤ法によりＳ
ｉ膜を形成したのち、レーザ光を照射して気泡（５）・
・・を包含しない均質な非晶質部（４）を形成するよう
にしているので鏡面研磨後において欠陥のない完全な鏡
面を形成することができる。よって。
ｉ膜を形成したのち、レーザ光を照射して気泡（５）・
・・を包含しない均質な非晶質部（４）を形成するよう
にしているので鏡面研磨後において欠陥のない完全な鏡
面を形成することができる。よって。
短波長の電磁波、とくにＸ線の反射効率がよくなる。
なお１本発明は、上記実施例のようにＣＶＤによる膜形
成の場合に限ることなく、真空蒸着法、スるいはイオブ
レーティング法などによる膜形成にも適用できる。また
、基板及び膜の材種についても、黒鉛、 ＳｔＣに限定
されることはない。たとえば、膜材として窒化珪素（Ｓ
ｉｓＮａ）、また、基板として珪素（Ｓｉ）などがある
。さらに、上記実施例においては、鏡面部品は、軟ＸＰ
Ｍ反射用のものを例示しているが、 ＳｉＣ膜を用いる
レンズ金型などに適用してもよい。この場合、良好な光
学的特性のレンズを得ることができる。
成の場合に限ることなく、真空蒸着法、スるいはイオブ
レーティング法などによる膜形成にも適用できる。また
、基板及び膜の材種についても、黒鉛、 ＳｔＣに限定
されることはない。たとえば、膜材として窒化珪素（Ｓ
ｉｓＮａ）、また、基板として珪素（Ｓｉ）などがある
。さらに、上記実施例においては、鏡面部品は、軟ＸＰ
Ｍ反射用のものを例示しているが、 ＳｉＣ膜を用いる
レンズ金型などに適用してもよい。この場合、良好な光
学的特性のレンズを得ることができる。
本発明の鏡面部品の製造方法によれば、鏡面が形成され
る膜にレーザ光をあらかじめ照射して内部に存在してい
る気泡を外部に逸出させるようにしているので、研磨加
工により欠陥のない一様な鏡面部品を得ることができる
。
る膜にレーザ光をあらかじめ照射して内部に存在してい
る気泡を外部に逸出させるようにしているので、研磨加
工により欠陥のない一様な鏡面部品を得ることができる
。
第１図ないし第６図は本発明の一実施例の鏡面部品の製
造方法の説明図、第７図は従来技術の説明図である。 （１）二基 板、 （２） ： ＳｉＣ膜。 （３）：レーザ光、 （６） ：鏡 面。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男 第２ＶＩＡ １１４ 図 第６閃
造方法の説明図、第７図は従来技術の説明図である。 （１）二基 板、 （２） ： ＳｉＣ膜。 （３）：レーザ光、 （６） ：鏡 面。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男 第２ＶＩＡ １１４ 図 第６閃
Claims (3)
- （１）基板上に膜を形成する工程と、上記基板に形成さ
れた膜にレーザ光を照射し上記膜表面を溶融させ微細気
孔を除去する工程と、上記レーザ光が照射された膜表面
を研磨して鏡面を形成する工程とからなる鏡面部品の製
造方法。 - （２）膜はＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｕｒＤｅ
ｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により形成することを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の鏡面部品の製造方法。 - （３）基板は黒鉛かつ膜は炭化珪素又は窒化珪素である
ことを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の鏡面部品
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61089984A JPS62246889A (ja) | 1986-04-21 | 1986-04-21 | 鏡面部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61089984A JPS62246889A (ja) | 1986-04-21 | 1986-04-21 | 鏡面部品の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62246889A true JPS62246889A (ja) | 1987-10-28 |
Family
ID=13985919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61089984A Pending JPS62246889A (ja) | 1986-04-21 | 1986-04-21 | 鏡面部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62246889A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102306629A (zh) * | 2007-06-29 | 2012-01-04 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置的制造方法 |
| JP2014225498A (ja) * | 2013-05-15 | 2014-12-04 | 凸版印刷株式会社 | 反射型マスクブランク及び反射型マスク |
| JP2016204238A (ja) * | 2015-04-28 | 2016-12-08 | イビデン株式会社 | セラミック構造体およびセラミック構造体の製造方法 |
| JP2016204237A (ja) * | 2015-04-28 | 2016-12-08 | イビデン株式会社 | セラミック構造体およびセラミック構造体の製造方法 |
| JP2016204737A (ja) * | 2015-04-28 | 2016-12-08 | イビデン株式会社 | セラミック構造体およびセラミック構造体の製造方法 |
-
1986
- 1986-04-21 JP JP61089984A patent/JPS62246889A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102306629A (zh) * | 2007-06-29 | 2012-01-04 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置的制造方法 |
| JP2014225498A (ja) * | 2013-05-15 | 2014-12-04 | 凸版印刷株式会社 | 反射型マスクブランク及び反射型マスク |
| JP2016204238A (ja) * | 2015-04-28 | 2016-12-08 | イビデン株式会社 | セラミック構造体およびセラミック構造体の製造方法 |
| JP2016204237A (ja) * | 2015-04-28 | 2016-12-08 | イビデン株式会社 | セラミック構造体およびセラミック構造体の製造方法 |
| JP2016204737A (ja) * | 2015-04-28 | 2016-12-08 | イビデン株式会社 | セラミック構造体およびセラミック構造体の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2527890B2 (ja) | マスク、その製造方法及びタ―ゲット基板をレ―ザ処理する方法 | |
| JPS59115530A (ja) | 裏面がゲツタ−リング作用を有する半導体ウエフアの製造方法 | |
| JP2003505876A5 (ja) | ||
| JP2008027992A (ja) | Ｅｕｖｌマスク用基板の製造方法及びその基板を用いたｅｕｖｌマスクの製造方法 | |
| JP2003528463A (ja) | 逐次的横方向結晶化法による処理中及び処理後のシリコンフィルムの表面平坦化法 | |
| Koronkevich et al. | Fabrication of diffractive optical elements by direct laser-writing with circular scanning | |
| US7335461B2 (en) | Method of structuring of a subtrate | |
| JPS62246889A (ja) | 鏡面部品の製造方法 | |
| US6756158B2 (en) | Thermal generation of mask pattern | |
| JPS62230B2 (ja) | ||
| JPH09253879A (ja) | レーザビームによる脆性基板の割断方法及び装置 | |
| EP3465778B1 (en) | Method for performing delamination of a polymer film | |
| US20040021843A1 (en) | Method for producing an optical element from a quartz substrate | |
| JP3065760B2 (ja) | 光ｃｖｄ装置 | |
| JPH0566552A (ja) | レチクル | |
| JP3130977B2 (ja) | 薄膜形成方法および装置 | |
| JPH0823601B2 (ja) | 回折格子の作製方法 | |
| JP2712447B2 (ja) | 露光用マスク | |
| JPH0530594B2 (ja) | ||
| KR100532989B1 (ko) | 레이저다이오드의반사체제조방법 | |
| JPH02211617A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04346214A (ja) | Ｘ線露光用マスクおよびその製造法 | |
| JP4122802B2 (ja) | スタンパ製造方法、原盤処理装置 | |
| JPH09148306A (ja) | ウエハの微細加工法およびそれに用いる装置 | |
| JPS59186328A (ja) | エツチング方法 |