JPH09148306A - ウエハの微細加工法およびそれに用いる装置 - Google Patents
ウエハの微細加工法およびそれに用いる装置Info
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- JPH09148306A JPH09148306A JP30275095A JP30275095A JPH09148306A JP H09148306 A JPH09148306 A JP H09148306A JP 30275095 A JP30275095 A JP 30275095A JP 30275095 A JP30275095 A JP 30275095A JP H09148306 A JPH09148306 A JP H09148306A
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- gas
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Abstract
(57)【要約】
【課題】溶融蒸発物の再付着が生じず、しかも単一工程
で高精度の加工を施すことのできる、優れたウエハの微
細加工法およびそれに用いる装置を提供する。 【解決手段】ウエハ１２表面にエッチングガスを供給す
るとともに、ウエハ１２表面の溝加工予定部の一個所に
レーザ照射もしくは光子照射を行い、上記エッチングガ
スのガス成分を上記照射部において励起し、上記ウエハ
１２の構成成分と上記励起されたガス成分とを化学反応
させて揮発除去することによりウエハ１２表面に凹部を
形成し、その状態で上記照射部を溝加工予定部に沿って
相対的に移動させることにより溝加工予定部に溝を形成
するようにした。
で高精度の加工を施すことのできる、優れたウエハの微
細加工法およびそれに用いる装置を提供する。 【解決手段】ウエハ１２表面にエッチングガスを供給す
るとともに、ウエハ１２表面の溝加工予定部の一個所に
レーザ照射もしくは光子照射を行い、上記エッチングガ
スのガス成分を上記照射部において励起し、上記ウエハ
１２の構成成分と上記励起されたガス成分とを化学反応
させて揮発除去することによりウエハ１２表面に凹部を
形成し、その状態で上記照射部を溝加工予定部に沿って
相対的に移動させることにより溝加工予定部に溝を形成
するようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハの微細加工
法およびそれに用いる装置に関するものである。
法およびそれに用いる装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、ウエハ表面に大規模集積回路
（ＬＳＩ）等の半導体デバイスを形成するために、ウエ
ハ表面に微細な溝加工を施すことが行われている。この
ような微細加工を施す方法としては、炭酸ガスレーザや
ＹＡＧレーザ等を用いウエハ表面を溶融し蒸発させて溝
を形成する方法や、ウエハ表面にレジストを塗布し、露
光後に所定の方法でエッチングすることにより溝形成す
る方法等が知られている。
（ＬＳＩ）等の半導体デバイスを形成するために、ウエ
ハ表面に微細な溝加工を施すことが行われている。この
ような微細加工を施す方法としては、炭酸ガスレーザや
ＹＡＧレーザ等を用いウエハ表面を溶融し蒸発させて溝
を形成する方法や、ウエハ表面にレジストを塗布し、露
光後に所定の方法でエッチングすることにより溝形成す
る方法等が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記レーザ等を用いる
方法は、ウエハ表面を溶融するため、溶融液が周囲に盛
り上がったり流れたりして加工精度が悪いという問題が
ある。また、溶融蒸発したウエハ成分が、ウエハ表面の
他の部分に付着して冷却固化して表面の平滑性を損なう
という問題もある。
方法は、ウエハ表面を溶融するため、溶融液が周囲に盛
り上がったり流れたりして加工精度が悪いという問題が
ある。また、溶融蒸発したウエハ成分が、ウエハ表面の
他の部分に付着して冷却固化して表面の平滑性を損なう
という問題もある。
【０００４】また、レジスト塗布後にエッチングする方
法は、例えば図５〜図１０に示すように、ウエハ１の表
面にフォトレジスト（感光性有機高分子）２を塗布し
（図６）、そのうえに、予め所定の回路パターン（網部
Ｐで示す）が焼き付けられたフォトマスク３を密着させ
て感光させ（図７、感光した部分を斜線Ｑで示す）、現
像してレジスト２の未感光部分（現像液に溶解）を流去
し（図８）、ウエハ１表面にレジスト２によるパターン
を形成したのち、このレジスト２の膜をマスクとして、
プラズマによるドライエッチング等を行って溝４を形成
し（図９）、上記レジスト２の膜を剥離して洗浄するこ
とにより、回路パターンとなる部分の溝が形成されたウ
エハを得る（図１０）という多工程を必要とする。この
ため、生産効率が悪いという問題がある。しかも、ウエ
ハ１全面に塗布されたレジスト２を最終的に全部除去し
てしまうため、材料コストが高くつくとともに、廃液処
理あるいは再利用のためのコストがかかるという問題も
ある。
法は、例えば図５〜図１０に示すように、ウエハ１の表
面にフォトレジスト（感光性有機高分子）２を塗布し
（図６）、そのうえに、予め所定の回路パターン（網部
Ｐで示す）が焼き付けられたフォトマスク３を密着させ
て感光させ（図７、感光した部分を斜線Ｑで示す）、現
像してレジスト２の未感光部分（現像液に溶解）を流去
し（図８）、ウエハ１表面にレジスト２によるパターン
を形成したのち、このレジスト２の膜をマスクとして、
プラズマによるドライエッチング等を行って溝４を形成
し（図９）、上記レジスト２の膜を剥離して洗浄するこ
とにより、回路パターンとなる部分の溝が形成されたウ
エハを得る（図１０）という多工程を必要とする。この
ため、生産効率が悪いという問題がある。しかも、ウエ
ハ１全面に塗布されたレジスト２を最終的に全部除去し
てしまうため、材料コストが高くつくとともに、廃液処
理あるいは再利用のためのコストがかかるという問題も
ある。
【０００５】本発明は、このような事情に鑑みなされた
もので、ウエハに溝形成を施す微細加工において、溶融
蒸発物の再付着が生じず、しかも単一工程で高精度の加
工を施すことのできる、優れたウエハの微細加工法およ
びそれに用いる装置の提供をその目的とする。
もので、ウエハに溝形成を施す微細加工において、溶融
蒸発物の再付着が生じず、しかも単一工程で高精度の加
工を施すことのできる、優れたウエハの微細加工法およ
びそれに用いる装置の提供をその目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、ウエハ表面に微細な溝加工を施す方法で
あって、上記ウエハ表面にエッチングガスを供給すると
ともに、ウエハ表面の溝加工予定部の一個所にレーザ照
射もしくは光子照射を行い、上記エッチングガスのガス
成分を上記照射部において励起し、上記ウエハの構成成
分と上記励起されたガス成分とを化学反応させて揮発除
去することによりウエハ表面に凹部を形成し、その状態
で上記照射部を溝加工予定部に沿って相対的に移動させ
ることにより溝加工予定部に溝を形成するようにしたウ
エハの微細加工法を第１の要旨とする。
め、本発明は、ウエハ表面に微細な溝加工を施す方法で
あって、上記ウエハ表面にエッチングガスを供給すると
ともに、ウエハ表面の溝加工予定部の一個所にレーザ照
射もしくは光子照射を行い、上記エッチングガスのガス
成分を上記照射部において励起し、上記ウエハの構成成
分と上記励起されたガス成分とを化学反応させて揮発除
去することによりウエハ表面に凹部を形成し、その状態
で上記照射部を溝加工予定部に沿って相対的に移動させ
ることにより溝加工予定部に溝を形成するようにしたウ
エハの微細加工法を第１の要旨とする。
【０００７】また、ウエハ表面に微細な溝加工を施す際
に用いられるウエハの微細加工装置であって、上記ウエ
ハ装着部と、上記装着部に装着されたウエハを同一平面
上でＸ−Ｙ方向に移動させるウエハ移動手段とを備えた
密閉式のチャンバーと、上記チャンバー内にエッチング
ガスを供給するエッチングガス供給手段と、上記チャン
バー内から排ガスを取り出すガス取り出し手段とを設
け、かつ上記装着されたウエハに対し、チャンバー外か
らレーザ照射もしくは光子照射を行うエッチングガス励
起手段を設けたウエハの微細加工装置を第２の要旨とす
る。
に用いられるウエハの微細加工装置であって、上記ウエ
ハ装着部と、上記装着部に装着されたウエハを同一平面
上でＸ−Ｙ方向に移動させるウエハ移動手段とを備えた
密閉式のチャンバーと、上記チャンバー内にエッチング
ガスを供給するエッチングガス供給手段と、上記チャン
バー内から排ガスを取り出すガス取り出し手段とを設
け、かつ上記装着されたウエハに対し、チャンバー外か
らレーザ照射もしくは光子照射を行うエッチングガス励
起手段を設けたウエハの微細加工装置を第２の要旨とす
る。
【０００８】つぎに、本発明の実施の形態を説明する。
【０００９】
【発明の実施の形態】まず、本発明が対象とするウエハ
としては、従来から、半導体デバイス製造に用いられて
いるウエハであればどのようなものであっても差し支え
はない。例えば、Ｓｉ，ＧａＡｓ，ＳｉＯ2 ，Ｓｉ3 Ｎ
4 ，Ａｌ2 Ｏ3 等の単結晶インゴットまたは多結晶イン
ゴットを所定厚みの円板あるいは角板に切断し鏡面仕上
げしたもの等があげられる。
としては、従来から、半導体デバイス製造に用いられて
いるウエハであればどのようなものであっても差し支え
はない。例えば、Ｓｉ，ＧａＡｓ，ＳｉＯ2 ，Ｓｉ3 Ｎ
4 ，Ａｌ2 Ｏ3 等の単結晶インゴットまたは多結晶イン
ゴットを所定厚みの円板あるいは角板に切断し鏡面仕上
げしたもの等があげられる。
【００１０】上記ウエハの微細加工に用いるエッチング
ガスとしては、上記ウエハの構成成分と反応して揮発性
物質を生成する物性を有するものが最適であり、このよ
うなガスとしては、ＮＦ3 ，ＣＣｌ2 Ｆ2 ，ＣＦ4 ，Ｃ
2 Ｆ6 ，Ｃ3 Ｆ8 ，ＣＨＦ3，ＣＣｌ4 ，ＳＦ6 ，ＣＣ
ｌ3 Ｆ，ＣｌＦ3 ，ＨＣｌ等があげられる。これらのガ
スは、単一で用いても２種以上の混合ガスとして用いて
もよい。
ガスとしては、上記ウエハの構成成分と反応して揮発性
物質を生成する物性を有するものが最適であり、このよ
うなガスとしては、ＮＦ3 ，ＣＣｌ2 Ｆ2 ，ＣＦ4 ，Ｃ
2 Ｆ6 ，Ｃ3 Ｆ8 ，ＣＨＦ3，ＣＣｌ4 ，ＳＦ6 ，ＣＣ
ｌ3 Ｆ，ＣｌＦ3 ，ＨＣｌ等があげられる。これらのガ
スは、単一で用いても２種以上の混合ガスとして用いて
もよい。
【００１１】また、上記レーザ照射では、発振波長が
０．１〜１０μｍの領域のレーザ光を用いるのが好適で
あり、このようなレーザ光を発振しうる発振源として
は、ＹＡＧ，Ａｒ等があげられる。そして、その出力は
通常１〜１００ｗ程度に設定される。また、上記光子照
射では、通常０．１〜１０ｋｗのＨｇ，Ｘｅ等を光源と
して用いるのが好適である。そして、これらの照射によ
り、ウエハ表面が３００〜６００℃に加熱されるよう設
定することが好ましい。すなわち、上記加熱が３００℃
未満ではエッチングガスに対する励起効果が不充分とな
り反応が進行しにくく、逆に上記加熱が６００℃を超え
ると、加工されるウエハの品質が熱によって変化するお
それがあるからである。
０．１〜１０μｍの領域のレーザ光を用いるのが好適で
あり、このようなレーザ光を発振しうる発振源として
は、ＹＡＧ，Ａｒ等があげられる。そして、その出力は
通常１〜１００ｗ程度に設定される。また、上記光子照
射では、通常０．１〜１０ｋｗのＨｇ，Ｘｅ等を光源と
して用いるのが好適である。そして、これらの照射によ
り、ウエハ表面が３００〜６００℃に加熱されるよう設
定することが好ましい。すなわち、上記加熱が３００℃
未満ではエッチングガスに対する励起効果が不充分とな
り反応が進行しにくく、逆に上記加熱が６００℃を超え
ると、加工されるウエハの品質が熱によって変化するお
それがあるからである。
【００１２】なお、上記レーザ照射，光子照射に際して
は、これらがウエハ表面で拡散せず、溝加工予定部の、
限定されたごく狭い範囲を集中的に照射するよう、凸レ
ンズ等の集光手段を通すことが好ましい。そして、上記
レーザ照射もしくは光子照射により３００℃以上になる
ウエハ表面のスポット径が１〜１００μｍ程度になるよ
う設定することが好適である。
は、これらがウエハ表面で拡散せず、溝加工予定部の、
限定されたごく狭い範囲を集中的に照射するよう、凸レ
ンズ等の集光手段を通すことが好ましい。そして、上記
レーザ照射もしくは光子照射により３００℃以上になる
ウエハ表面のスポット径が１〜１００μｍ程度になるよ
う設定することが好適である。
【００１３】つぎに、実施例について説明する。
【００１４】
【実施例】図１は、本発明を、レーザ照射によって単結
晶シリコンウエハ表面に微細加工を施す方法に適用した
装置の一実施例を示している。この装置は、密閉式のチ
ャンバー１１内に、ウエハ１２を載置した状態で、Ｘ−
Ｙ方向の任意の位置に移動しうるＸ−Ｙステージ１３
と、これを支受する基台１４とが設けられている。
晶シリコンウエハ表面に微細加工を施す方法に適用した
装置の一実施例を示している。この装置は、密閉式のチ
ャンバー１１内に、ウエハ１２を載置した状態で、Ｘ−
Ｙ方向の任意の位置に移動しうるＸ−Ｙステージ１３
と、これを支受する基台１４とが設けられている。
【００１５】また、上記チャンバー１１の天井面には、
石英ガラスからなる透明な窓１５が設けられており、チ
ャンバー１１の外側に設けられたレーザ発振装置１６か
らのレーザ照射が、集光用の凸レンズ１７およびレーザ
光の進路を直角に屈折させる反射鏡１８を介して、上記
窓１５から入射してウエハ１２表面に到達するようにな
っている。
石英ガラスからなる透明な窓１５が設けられており、チ
ャンバー１１の外側に設けられたレーザ発振装置１６か
らのレーザ照射が、集光用の凸レンズ１７およびレーザ
光の進路を直角に屈折させる反射鏡１８を介して、上記
窓１５から入射してウエハ１２表面に到達するようにな
っている。
【００１６】さらに、上記チャンバー１１の上部には、
微細加工用のエッチングガスを導入するためのエッチン
グガス供給配管１９が接続され、チャンバー１１の底面
には、排ガス取り出し配管２０が接続されている。
微細加工用のエッチングガスを導入するためのエッチン
グガス供給配管１９が接続され、チャンバー１１の底面
には、排ガス取り出し配管２０が接続されている。
【００１７】なお、上記Ｘ−Ｙステージ１３上へのウエ
ハ１２の載置および微細加工が終了したウエハ１２の取
り出しは、チャンバー１１の側方に連結されているウエ
ハ装填・取り出し手段（図示せず）により自動的に行わ
れるようになっている。
ハ１２の載置および微細加工が終了したウエハ１２の取
り出しは、チャンバー１１の側方に連結されているウエ
ハ装填・取り出し手段（図示せず）により自動的に行わ
れるようになっている。
【００１８】上記装置を用い、例えばつぎのようにして
ウエハ１２の表面に、溝形成の微細加工を行うことがで
きる。すなわち、まずＳｉ単結晶からなるウエハ１２を
Ｘ−Ｙステージ１３上に載置する。つぎに、排ガス取り
出し配管２０から真空引きを行い、チャンバー１１内を
１０-3Ｔｏｒｒ程度の真空にしたのち、エッチングガス
供給配管１９から、ＮＦ3 ガスを導入する。
ウエハ１２の表面に、溝形成の微細加工を行うことがで
きる。すなわち、まずＳｉ単結晶からなるウエハ１２を
Ｘ−Ｙステージ１３上に載置する。つぎに、排ガス取り
出し配管２０から真空引きを行い、チャンバー１１内を
１０-3Ｔｏｒｒ程度の真空にしたのち、エッチングガス
供給配管１９から、ＮＦ3 ガスを導入する。
【００１９】そして、レーザ発振装置１６を作動させ、
図２に示すように、レーザ光Ｒを、ウエハ１２表面の溝
加工予定部（斜線部Ｓ）の一箇所に集光させる。このと
き、ウエハ１２表面の受光部のスポット径が１００μｍ
以下になるよう集光具合を調整するとともに、このスポ
ット径内において、ウエハ１２の表面温度が３００〜６
００℃となるようにする。この状態で、ウエハ１２表面
近傍においてＮＦ3 が励起され、ウエハ１２の構成成分
であるＳｉとＮＦ3 ガスが、下記のように反応してウエ
ハ１２表面の受光部が、図３に示すようにエッチングさ
れる。
図２に示すように、レーザ光Ｒを、ウエハ１２表面の溝
加工予定部（斜線部Ｓ）の一箇所に集光させる。このと
き、ウエハ１２表面の受光部のスポット径が１００μｍ
以下になるよう集光具合を調整するとともに、このスポ
ット径内において、ウエハ１２の表面温度が３００〜６
００℃となるようにする。この状態で、ウエハ１２表面
近傍においてＮＦ3 が励起され、ウエハ１２の構成成分
であるＳｉとＮＦ3 ガスが、下記のように反応してウエ
ハ１２表面の受光部が、図３に示すようにエッチングさ
れる。
【００２０】
【化１】４ＮＦ3 ＋ ３Ｓｉ → ３ＳｉＦ4 （揮発
性物質）＋２Ｎ2 （ガス）
性物質）＋２Ｎ2 （ガス）
【００２１】したがって、ウエハ１２を、Ｘ−Ｙステー
ジ１３ごとゆっくり矢印で示すように紙面左から右方向
に移動させていくと、レーザ光Ｒの照射部分が徐々に移
動しながら溝となって削れていき、最終的に、溝加工予
定部Ｓ全域がエッチング除去されて、目的とする微細加
工を行うことができる。微細加工が終了したウエハ１２
は、チャンバー１１外に取り出される。
ジ１３ごとゆっくり矢印で示すように紙面左から右方向
に移動させていくと、レーザ光Ｒの照射部分が徐々に移
動しながら溝となって削れていき、最終的に、溝加工予
定部Ｓ全域がエッチング除去されて、目的とする微細加
工を行うことができる。微細加工が終了したウエハ１２
は、チャンバー１１外に取り出される。
【００２２】この方法によれば、平行性に優れたレーザ
光を集光してスポット径を絞り（１〜１００μｍ程
度）、その範囲内でエッチングガス（ＮＦ3 ）を励起し
てウエハ１２の表面の、その部分だけを揮発除去させる
ことができるため、溝幅に応じたスポット径を設定し、
Ｘ−Ｙステージ１３の移動速度を調整するだけで、目的
とする形状どおりの溝加工を、優れた加工精度で行うこ
とができる。しかも、上記方法では、ウエハ１２表面を
溶融蒸発させるのではなく、ウエハ１２の構成成分を化
学反応により揮発物質として除去しているため、溶融蒸
発物のように再付着することがない。そして、レジスト
でマスクしてドライエッチングを行う場合のように多工
程を必要としないため、生産効率に優れているととも
に、レジストやフォトマスク等が不要なため、余分な材
料コスト，処理コストがかからず、コストの低減化を図
ることができる。なお、上記方法では、ウエハ１２の表
面を、レーザ光Ｒにより３００〜６００℃に加熱する
が、この程度の熱は、デバイス作製上問題にはならず、
ウエハ１２が熱的ダメージを受けることはない。
光を集光してスポット径を絞り（１〜１００μｍ程
度）、その範囲内でエッチングガス（ＮＦ3 ）を励起し
てウエハ１２の表面の、その部分だけを揮発除去させる
ことができるため、溝幅に応じたスポット径を設定し、
Ｘ−Ｙステージ１３の移動速度を調整するだけで、目的
とする形状どおりの溝加工を、優れた加工精度で行うこ
とができる。しかも、上記方法では、ウエハ１２表面を
溶融蒸発させるのではなく、ウエハ１２の構成成分を化
学反応により揮発物質として除去しているため、溶融蒸
発物のように再付着することがない。そして、レジスト
でマスクしてドライエッチングを行う場合のように多工
程を必要としないため、生産効率に優れているととも
に、レジストやフォトマスク等が不要なため、余分な材
料コスト，処理コストがかからず、コストの低減化を図
ることができる。なお、上記方法では、ウエハ１２の表
面を、レーザ光Ｒにより３００〜６００℃に加熱する
が、この程度の熱は、デバイス作製上問題にはならず、
ウエハ１２が熱的ダメージを受けることはない。
【００２３】なお、上記実施例では、エッチングガスの
励起を、レーザ照射のみによって行っているが、励起を
より短時間で行うために、チャンバー１１内に導入され
たエッチングガス自体の加熱を併せて行うようにしても
よい。上記加熱方法は、適宜に設定されるが、例えば図
４に示すように、エッチングガス供給配管１９の下流端
１９ａを、レーザ光の受光部近傍まで延ばし、この下流
端部の周囲にヒータのコイル２１を巻回して、この部分
を通過するエッチングガスを高温に加熱し、その状態で
ウエハ１２の表面に吹き付けるようにすることが好適で
ある。エッチングガスの加熱温度は、レーザ光による加
熱と同様、３００〜６００℃程度に設定することが好ま
しい。
励起を、レーザ照射のみによって行っているが、励起を
より短時間で行うために、チャンバー１１内に導入され
たエッチングガス自体の加熱を併せて行うようにしても
よい。上記加熱方法は、適宜に設定されるが、例えば図
４に示すように、エッチングガス供給配管１９の下流端
１９ａを、レーザ光の受光部近傍まで延ばし、この下流
端部の周囲にヒータのコイル２１を巻回して、この部分
を通過するエッチングガスを高温に加熱し、その状態で
ウエハ１２の表面に吹き付けるようにすることが好適で
ある。エッチングガスの加熱温度は、レーザ光による加
熱と同様、３００〜６００℃程度に設定することが好ま
しい。
【００２４】また、加工すべき溝形状が、同一パターン
を複数繰り返すものである場合には、レーザ発振装置１
６を一台ではなく、一つのチャンバー１１に対し複数
台、異なる配置で設け、複数のレーザ光をウエハ１２に
同時に照射することにより、同一パターンの溝加工を同
時に行うようにして、加工効率を向上させることができ
る。
を複数繰り返すものである場合には、レーザ発振装置１
６を一台ではなく、一つのチャンバー１１に対し複数
台、異なる配置で設け、複数のレーザ光をウエハ１２に
同時に照射することにより、同一パターンの溝加工を同
時に行うようにして、加工効率を向上させることができ
る。
【００２５】もちろん、これらの実施例において、レー
ザ発振装置１６に代えてＨｇランプ等の発光装置を用
い、エッチングガスの励起を光子照射によって行うよう
にしても差し支えはない。
ザ発振装置１６に代えてＨｇランプ等の発光装置を用
い、エッチングガスの励起を光子照射によって行うよう
にしても差し支えはない。
【００２６】
【発明の効果】以上のように、本発明は、エッチングガ
スをレーザ照射もしくは光子照射により励起してガス成
分とウエハ構成成分との間に化学反応を生起させ、それ
によってウエハ表面の溝加工予定部を揮発除去させて溝
形成を施すようにしたものである。したがって、本発明
の方法によれば、レーザ照射もしくは光子照射の受光部
を小面積に絞り（スポット径１〜１００μｍ程度）、そ
の範囲内のみのウエハ表面部分を揮発除去させることが
できるため、目的とする形状どおりの溝加工を、優れた
加工精度で行うことができる。しかも、上記方法は、ウ
エハ表面を溶融蒸発させる場合と異なり、ウエハ構成成
分を化学反応により揮発物質として除去しているため、
再付着することがない。そして、レジストでマスクして
ドライエッチングを行う場合のように多工程を必要とし
ないため、生産効率に優れているとともに、レジストや
フォトマスクが不要なため、余分な材料コスト，処理コ
ストがかからず、コストの低減化を図ることができる。
また、本発明の装置によれば、上記方法を効率よく実施
することができる。
スをレーザ照射もしくは光子照射により励起してガス成
分とウエハ構成成分との間に化学反応を生起させ、それ
によってウエハ表面の溝加工予定部を揮発除去させて溝
形成を施すようにしたものである。したがって、本発明
の方法によれば、レーザ照射もしくは光子照射の受光部
を小面積に絞り（スポット径１〜１００μｍ程度）、そ
の範囲内のみのウエハ表面部分を揮発除去させることが
できるため、目的とする形状どおりの溝加工を、優れた
加工精度で行うことができる。しかも、上記方法は、ウ
エハ表面を溶融蒸発させる場合と異なり、ウエハ構成成
分を化学反応により揮発物質として除去しているため、
再付着することがない。そして、レジストでマスクして
ドライエッチングを行う場合のように多工程を必要とし
ないため、生産効率に優れているとともに、レジストや
フォトマスクが不要なため、余分な材料コスト，処理コ
ストがかからず、コストの低減化を図ることができる。
また、本発明の装置によれば、上記方法を効率よく実施
することができる。
【図１】本発明の一実施例の装置を示す構成図である。
【図２】上記装置による溝加工の動作説明図である。
【図３】上記装置による溝加工の動作説明図である。
【図４】本発明の他の実施例の装置を示す構成図であ
る。
る。
【図５】従来の溝加工の一例の工程説明図である。
【図６】従来の溝加工の一例の工程説明図である。
【図７】従来の溝加工の一例の工程説明図である。
【図８】従来の溝加工の一例の工程説明図である。
【図９】従来の溝加工の一例の工程説明図である。
【図１０】従来の溝加工の一例の工程説明図である。
１１ チャンバー １２ ウエハ １３ Ｘ−Ｙステージ １６ レーザ発振装置 １９ エッチングガス供給配管 ２０ 排ガス取り出し配管
Claims (5)
- 【請求項１】 ウエハ表面に微細な溝加工を施す方法で
あって、上記ウエハ表面にエッチングガスを供給すると
ともに、ウエハ表面の溝加工予定部の一個所にレーザ照
射もしくは光子照射を行い、上記エッチングガスのガス
成分を上記照射部において励起し、上記ウエハの構成成
分と上記励起されたガス成分とを化学反応させて揮発除
去することによりウエハ表面に凹部を形成し、その状態
で上記照射部を溝加工予定部に沿って相対的に移動させ
ることにより溝加工予定部に溝を形成するようにしたこ
とを特徴とするウエハの微細加工法。 - 【請求項２】 上記エッチングガスが、ＮＦ3 ，ＣＣｌ
2 Ｆ2 ，ＣＦ4 ，Ｃ 2 Ｆ6 ，Ｃ3 Ｆ8 ，ＣＨＦ3 ，ＣＣ
ｌ4 ，ＳＦ6 ，ＣＣｌ3 Ｆ，ＣｌＦ3 およびＨＣｌから
なる群から選ばれた少なくとも一つの成分からなる請求
項１記載のウエハの微細加工法。 - 【請求項３】 上記エッチングガスを供給する際、エッ
チングガス自体を高温加熱してウエハ表面の溝加工予定
部に吹き付けるようにした請求項１または２に記載のウ
エハの微細加工法。 - 【請求項４】 ウエハ表面に微細な溝加工を施す際に用
いられるウエハの微細加工装置であって、上記ウエハ装
着部と、上記装着部に装着されたウエハを同一平面上で
Ｘ−Ｙ方向に移動させるウエハ移動手段とを備えた密閉
式のチャンバーと、上記チャンバー内にエッチングガス
を供給するエッチングガス供給手段と、上記チャンバー
内から排ガスを取り出すガス取り出し手段とを設け、か
つ上記装着されたウエハに対し、チャンバー外からレー
ザ照射もしくは光子照射を行うエッチングガス励起手段
を設けたことを特徴とするウエハの微細加工装置。 - 【請求項５】 上記エッチングガス供給手段の下流端
が、装着されたウエハの、レーザ照射もしくは光子照射
を受ける部分近傍まで延びており、その下流端部に加熱
手段が設けられている請求項４に記載のウエハの微細加
工装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30275095A JPH09148306A (ja) | 1995-11-21 | 1995-11-21 | ウエハの微細加工法およびそれに用いる装置 |
| TW085114112A TW350095B (en) | 1995-11-21 | 1996-11-18 | Cutting method and apparatus for semiconductor materials |
| KR1019960055494A KR970030443A (ko) | 1995-11-21 | 1996-11-20 | 반도체재료의 가공방법 및 그 장치 |
| DE69626360T DE69626360T2 (de) | 1995-11-21 | 1996-11-21 | Verfahren zur Bearbeitung eines Halbleiterkristallblocks |
| EP96308435A EP0776031B1 (en) | 1995-11-21 | 1996-11-21 | A method for processing a semiconductor crystal ingot |
| US08/755,762 US5912186A (en) | 1995-11-21 | 1996-11-21 | Method for processing semiconductor material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30275095A JPH09148306A (ja) | 1995-11-21 | 1995-11-21 | ウエハの微細加工法およびそれに用いる装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09148306A true JPH09148306A (ja) | 1997-06-06 |
Family
ID=17912706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30275095A Pending JPH09148306A (ja) | 1995-11-21 | 1995-11-21 | ウエハの微細加工法およびそれに用いる装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09148306A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014133933A (ja) * | 2013-01-11 | 2014-07-24 | Dainippon Printing Co Ltd | 積層マスクおよび積層マスクの製造方法 |
| JP2016514364A (ja) * | 2013-02-26 | 2016-05-19 | ソイテックＳｏｉｔｅｃ | 構造を処理するためのプロセス |
| JP2017147296A (ja) * | 2016-02-16 | 2017-08-24 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
-
1995
- 1995-11-21 JP JP30275095A patent/JPH09148306A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014133933A (ja) * | 2013-01-11 | 2014-07-24 | Dainippon Printing Co Ltd | 積層マスクおよび積層マスクの製造方法 |
| JP2016514364A (ja) * | 2013-02-26 | 2016-05-19 | ソイテックＳｏｉｔｅｃ | 構造を処理するためのプロセス |
| JP2017147296A (ja) * | 2016-02-16 | 2017-08-24 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20021210 |