JPH01157530A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH01157530A JPH01157530A JP31781187A JP31781187A JPH01157530A JP H01157530 A JPH01157530 A JP H01157530A JP 31781187 A JP31781187 A JP 31781187A JP 31781187 A JP31781187 A JP 31781187A JP H01157530 A JPH01157530 A JP H01157530A
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Landscapes
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体装置の製造方法に係り、特には大規模
集積回路装置における微細パターンの形成加工に関する
。
集積回路装置における微細パターンの形成加工に関する
。
（従来の技術）
第２図（ａ）〜（ｄ）は従来例における微細パターンの
形成の一例の説明に供する半導体装置の構造断面図であ
る。以下、これらの図を参照して従来例の製造方法によ
る微細パターンの形成にっいて説明すると、第２図（ａ
）に示すように、まず下地層である基板０１上にンリコ
ン酸化物である被加工膜０２を薄く均一に成膜し、その
被加工膜０２上にフォトレジスト層（感光性樹脂）０３
を形成する。次いで、第２図（ｂ）に示すようにデバイ
ス構成に必要なパターンをもったフォトマスクを用いて
そのフォトレジスト層０３を所望のパターンに露光する
。ここで、符号０４はその露光部分であり、０６はその
露光のためにフォトマスクを選択的に通過した光を示し
ている。この露光の後で現像処理を施すことで露光され
たフォトレジス）・層０３についてはこれを除去し、結
果として露光されなかったフォトレノスト層０３を残す
。こうして、第２図（Ｃ）に示すようなレノストパター
ン０５を形成する。そして、このレジストパターン０５
をエッチンクマスクとして反応性イオンエッヂングを行
うことで、フォトレノスト層０３を除去されることで露
出している被加工膜０２の部分がエツチングずろ結果、
第２図（ｄ）に示すような被加工膜０２の微細パターン
を形成する。
形成の一例の説明に供する半導体装置の構造断面図であ
る。以下、これらの図を参照して従来例の製造方法によ
る微細パターンの形成にっいて説明すると、第２図（ａ
）に示すように、まず下地層である基板０１上にンリコ
ン酸化物である被加工膜０２を薄く均一に成膜し、その
被加工膜０２上にフォトレジスト層（感光性樹脂）０３
を形成する。次いで、第２図（ｂ）に示すようにデバイ
ス構成に必要なパターンをもったフォトマスクを用いて
そのフォトレジスト層０３を所望のパターンに露光する
。ここで、符号０４はその露光部分であり、０６はその
露光のためにフォトマスクを選択的に通過した光を示し
ている。この露光の後で現像処理を施すことで露光され
たフォトレジス）・層０３についてはこれを除去し、結
果として露光されなかったフォトレノスト層０３を残す
。こうして、第２図（Ｃ）に示すようなレノストパター
ン０５を形成する。そして、このレジストパターン０５
をエッチンクマスクとして反応性イオンエッヂングを行
うことで、フォトレノスト層０３を除去されることで露
出している被加工膜０２の部分がエツチングずろ結果、
第２図（ｄ）に示すような被加工膜０２の微細パターン
を形成する。
（発明が解決しようとする問題点）
ところで、このような従来例による微細パターンの形成
では被加工膜０２上にフォトレジスト層０３を形成する
工程と、そのフォトレジスト層０３をフォトマスクを用
いて露光する工程と、露光・非露光のフォトレジスト層
０３を現像処理で選択的に除去する工程といった複雑な
レジストプロセスが必要であったから、半導体装置の製
造工程がその分だけ複雑化するのみならず製造工程数が
多いために必然的に欠陥も発生しやすく、しかも微細パ
ターンの寸法精度もでにくくなるという問題があった。
では被加工膜０２上にフォトレジスト層０３を形成する
工程と、そのフォトレジスト層０３をフォトマスクを用
いて露光する工程と、露光・非露光のフォトレジスト層
０３を現像処理で選択的に除去する工程といった複雑な
レジストプロセスが必要であったから、半導体装置の製
造工程がその分だけ複雑化するのみならず製造工程数が
多いために必然的に欠陥も発生しやすく、しかも微細パ
ターンの寸法精度もでにくくなるという問題があった。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、レジス
トプロセスをなくすことで製造工程を簡素化し、かつ、
これにより欠陥の発生を抑えるとともに寸法精度の向上
を図ることを目的としている。
トプロセスをなくすことで製造工程を簡素化し、かつ、
これにより欠陥の発生を抑えるとともに寸法精度の向上
を図ることを目的としている。
（問題点を解決するための手段）
本発明は前記目的を達成するために、下地層である基板
上に形成された被加工膜に光励起直接酸化により選択的
に酸化物パターンを形成する工程と、前記酸化物パター
ンをマスクにして反応性イオンエツチングを行う工程と
を含むことを特徴としている。
上に形成された被加工膜に光励起直接酸化により選択的
に酸化物パターンを形成する工程と、前記酸化物パター
ンをマスクにして反応性イオンエツチングを行う工程と
を含むことを特徴としている。
（作用）
光励起直接酸化により被加工膜に酸化物パターンを直接
形成するからエキシマレーザなどの波長の短い紫外線の
採用が可能となる結果、微細パターンの形成を容易にで
きる。また、その酸化物パターンをエツチングマスクに
して反応性イオンエツチングを行うから上記の酸化物パ
ターンは単にそのエツチングのマスクに使用するだけと
なり、その結果、微細パターンの寸法精度が向上する。
形成するからエキシマレーザなどの波長の短い紫外線の
採用が可能となる結果、微細パターンの形成を容易にで
きる。また、その酸化物パターンをエツチングマスクに
して反応性イオンエツチングを行うから上記の酸化物パ
ターンは単にそのエツチングのマスクに使用するだけと
なり、その結果、微細パターンの寸法精度が向上する。
（実施例）
以下、本発明の実施例を第１図（ａ）（ｂ）を参照して
詳細に説明する。まず、例えばパターン形成層となるシ
リコンの被加工膜２を表面に形成された下地層である基
板１を２００℃の比較的低温に保持して、酸素を酸化ガ
スとして導入する。
詳細に説明する。まず、例えばパターン形成層となるシ
リコンの被加工膜２を表面に形成された下地層である基
板１を２００℃の比較的低温に保持して、酸素を酸化ガ
スとして導入する。
次に、黒い不透明な部分と透明な部分とを用いて一３＝
所望のパターンに形成されたガラスでできたフォトマス
クを位置合わせして被加工膜２上に配置し、そのフォト
マスクを介して光励起直接酸化用の光源として微細加工
に適した波長の短いＫｒＦエキシマレーザを１０．１の
縮小光学系を用いてその被加工膜２の上から照射するこ
とで、被加工膜２上にそのフォトマスクのパターンを投
影する。これにより、第１図（ａ）に示すように、光照
射を受けた被加工膜２の表面部分を、励起および局所的
な温度上昇により直接に酸化する。第１図（ａ）の符号
３で示されている黒の部分はその直接酸化により形成さ
れたシリコンの酸化膜であり、４はレーザ光である。
クを位置合わせして被加工膜２上に配置し、そのフォト
マスクを介して光励起直接酸化用の光源として微細加工
に適した波長の短いＫｒＦエキシマレーザを１０．１の
縮小光学系を用いてその被加工膜２の上から照射するこ
とで、被加工膜２上にそのフォトマスクのパターンを投
影する。これにより、第１図（ａ）に示すように、光照
射を受けた被加工膜２の表面部分を、励起および局所的
な温度上昇により直接に酸化する。第１図（ａ）の符号
３で示されている黒の部分はその直接酸化により形成さ
れたシリコンの酸化膜であり、４はレーザ光である。
そして、この酸化膜３をイオンエツチングマスクとして
塩素系のガスによる反応性イオンエツチングを施す。こ
のようにして、被加工膜２における酸化膜３を除く部分
をエツチングして所望の微細パターンを形成する。
塩素系のガスによる反応性イオンエツチングを施す。こ
のようにして、被加工膜２における酸化膜３を除く部分
をエツチングして所望の微細パターンを形成する。
本実施例では被加工膜２をＫｒＦ−エキシマレーザの波
長（約２４９０オングストローム）の近くまでの２００
０オングストロームの深さまで酸化させることで、エツ
チングマスクとして十分な厚さの酸化膜３を形成して、
例えば線幅が１０μｍのパターンを±０．０１５μｍの
精度で形成してその寸法精度を向上させている。 また
、レジストプロセスを不要にすることでその製造工程数
が従来のｌ／３の２工程で済むために製造工程が簡素化
するとともに、各製造工程が全ドライプロセスであるこ
とから、欠陥の発生も著しく抑えられ、しかもプロセス
に起因すると考えられるパターンの欠けや残りは、従来
例では例えば６インチのウェハ内で２０個程度有ったの
が、本実施例のそれでは１〜２個という１桁以上に改善
された。
長（約２４９０オングストローム）の近くまでの２００
０オングストロームの深さまで酸化させることで、エツ
チングマスクとして十分な厚さの酸化膜３を形成して、
例えば線幅が１０μｍのパターンを±０．０１５μｍの
精度で形成してその寸法精度を向上させている。 また
、レジストプロセスを不要にすることでその製造工程数
が従来のｌ／３の２工程で済むために製造工程が簡素化
するとともに、各製造工程が全ドライプロセスであるこ
とから、欠陥の発生も著しく抑えられ、しかもプロセス
に起因すると考えられるパターンの欠けや残りは、従来
例では例えば６インチのウェハ内で２０個程度有ったの
が、本実施例のそれでは１〜２個という１桁以上に改善
された。
なお、上述の実施例では光励起直接酸化用の光源として
エキシマレーザを用いたが、エキシマレーザの代わりに
、重水素ランプ、水銀ランプ、またはシンクロトロン軌
道放射光などをその光源として用いてもよい。また、被
加工膜２の素材としてはシリコンを用いたが、これの代
わりに、アルミ、モリブデン、タングステン、またはタ
ンクルなどを被加工膜の素材として用いてもよい。
エキシマレーザを用いたが、エキシマレーザの代わりに
、重水素ランプ、水銀ランプ、またはシンクロトロン軌
道放射光などをその光源として用いてもよい。また、被
加工膜２の素材としてはシリコンを用いたが、これの代
わりに、アルミ、モリブデン、タングステン、またはタ
ンクルなどを被加工膜の素材として用いてもよい。
（効果）
以」二説明したことから明らかなように本発明によれば
、光励起直接酸化により被加工膜」二に酸化物パターン
を直接形成するからエキツマレーザなどの波長の短い紫
外線の採用が可能となる結果、微細パターンの形成を容
易にできる。また、その酸化物パターンをエツチングマ
スクにして反応性イオンエソヂングを行うから光励起直
接酸化によるパターンは単にそのエツチングマスクに使
用するだけとなるので、パターンの寸法精度を向上させ
ることができる。
、光励起直接酸化により被加工膜」二に酸化物パターン
を直接形成するからエキツマレーザなどの波長の短い紫
外線の採用が可能となる結果、微細パターンの形成を容
易にできる。また、その酸化物パターンをエツチングマ
スクにして反応性イオンエソヂングを行うから光励起直
接酸化によるパターンは単にそのエツチングマスクに使
用するだけとなるので、パターンの寸法精度を向上させ
ることができる。
その結果、本発明ではレジストプロセスをなくすことで
製造工程を簡素化することができ、また、これにより欠
陥の発生を抑えるとともに寸法精度を向」ニさせること
が可能となった。
製造工程を簡素化することができ、また、これにより欠
陥の発生を抑えるとともに寸法精度を向」ニさせること
が可能となった。
第１図は本発明の一実施例における微細パターンの形成
の一例の説明に供する半導体装置の構造断面図である。 第２図は第１図に対応する従来例の構造断面図である。 １ ・基板、２ 被加工膜、３・酸化膜。 なお、各図中、同一符号は同一ないしは相当部分を示す
。
の一例の説明に供する半導体装置の構造断面図である。 第２図は第１図に対応する従来例の構造断面図である。 １ ・基板、２ 被加工膜、３・酸化膜。 なお、各図中、同一符号は同一ないしは相当部分を示す
。
Claims (1)
- （１）下地層である基板上に形成された被加工膜に光励
起直接酸化により選択的に酸化物パターンを形成する工
程と、 前記酸化物パターンをマスクにして反応性イオンエッチ
ングを行う工程とを含むことを特徴とする半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31781187A JPH01157530A (ja) | 1987-12-14 | 1987-12-14 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31781187A JPH01157530A (ja) | 1987-12-14 | 1987-12-14 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01157530A true JPH01157530A (ja) | 1989-06-20 |
Family
ID=18092306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31781187A Pending JPH01157530A (ja) | 1987-12-14 | 1987-12-14 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01157530A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113921626A (zh) * | 2021-09-30 | 2022-01-11 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种背接触电池的制作方法 |
-
1987
- 1987-12-14 JP JP31781187A patent/JPH01157530A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113921626A (zh) * | 2021-09-30 | 2022-01-11 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种背接触电池的制作方法 |
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