JPS599924A - 局所的グレ−テイング作製方法 - Google Patents
局所的グレ−テイング作製方法Info
- Publication number
- JPS599924A JPS599924A JP11945482A JP11945482A JPS599924A JP S599924 A JPS599924 A JP S599924A JP 11945482 A JP11945482 A JP 11945482A JP 11945482 A JP11945482 A JP 11945482A JP S599924 A JPS599924 A JP S599924A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- grating
- substrate
- photoresist film
- forming
- gratings
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、基板上の所望の部分だけに局所的にグレーテ
ィングを作製する局所的グレーティング作製方法に関す
るものである。
ィングを作製する局所的グレーティング作製方法に関す
るものである。
グレーティングは光導波路と組み合わせることにより、
光分波器、光合波器およびＤＦＢあるいはＤＢＲ等の半
導体レーザ等に用いられている。
光分波器、光合波器およびＤＦＢあるいはＤＢＲ等の半
導体レーザ等に用いられている。
また、光集積回路の要素としてグレーティングを用いる
場合には、グレーティング形成領域を限定し、かつ正確
な位置合わせを行うことが必要である。
場合には、グレーティング形成領域を限定し、かつ正確
な位置合わせを行うことが必要である。
従来では、基板にグレーティングを形成する方法として
、レーザ光を用いた干渉露光法あるいは電子ビーム描画
露光法等を用いて、基板上に形成されたフォトレジスト
膜上にグレーティングを作製シ、これをエツチングマス
クとして、イオンビームエツチング、あるいはプラズマ
エツチング等を用いて基板のエツチングを行い、フォト
レジスト膜上に形成されているグレーティングを基板に
形成する方法がある。
、レーザ光を用いた干渉露光法あるいは電子ビーム描画
露光法等を用いて、基板上に形成されたフォトレジスト
膜上にグレーティングを作製シ、これをエツチングマス
クとして、イオンビームエツチング、あるいはプラズマ
エツチング等を用いて基板のエツチングを行い、フォト
レジスト膜上に形成されているグレーティングを基板に
形成する方法がある。
また、グレーティングを局所的に作製する方法としては
、前記従来例において、干渉露光法では、フォトレジス
ト上に配置した、フォトマスクで不必要な部分を遮光し
て干渉露光する方法が、亀子ビーム描画露光法では、電
子ビームを所望の形状りの窓の周縁部による干渉効果に
より、フォトレジスト膜上のグレーティング周縁部分が
乱れるという欠点がある。寸だ前記電子ビーム描画露光
法では、基板上の位置を正確に検索することか困難であ
るという欠点があった。
、前記従来例において、干渉露光法では、フォトレジス
ト上に配置した、フォトマスクで不必要な部分を遮光し
て干渉露光する方法が、亀子ビーム描画露光法では、電
子ビームを所望の形状りの窓の周縁部による干渉効果に
より、フォトレジスト膜上のグレーティング周縁部分が
乱れるという欠点がある。寸だ前記電子ビーム描画露光
法では、基板上の位置を正確に検索することか困難であ
るという欠点があった。
本発明は、前記従来の欠点を除去するものであ私その局
所的グレーティング作製方法は、基板上に第１のフォト
レジスト膜を形成し、この膜上に公知の技術を用いるこ
とにより、グレーティングを形成し、更にこのフォトレ
ジスト膜上に第２のフォトレジストを形成した後、公知
のフォトリングラフィ技術でグレーティング形成予定部
分直上の第２のフォトレジスト膜を除去し、その下のグ
レーティングの形成されている第１のフォトレジスト膜
を露出させる。この様にして得られたフォトレジスト膜
をエツチングマスクとして、基板にエツチング、例えば
、イオンビームエツチングあるいはプラズマエツチング
などを行って、基板の第２のフォトレジスト膜に窓の開
けられた部分の直下にのみ、第１のフォトレジスト膜に
形成されたグレーティングに従って、局所的にグレーテ
ィングを、任意の形状で精度良くかつ容易に作製するこ
とを特徴とするものである。
所的グレーティング作製方法は、基板上に第１のフォト
レジスト膜を形成し、この膜上に公知の技術を用いるこ
とにより、グレーティングを形成し、更にこのフォトレ
ジスト膜上に第２のフォトレジストを形成した後、公知
のフォトリングラフィ技術でグレーティング形成予定部
分直上の第２のフォトレジスト膜を除去し、その下のグ
レーティングの形成されている第１のフォトレジスト膜
を露出させる。この様にして得られたフォトレジスト膜
をエツチングマスクとして、基板にエツチング、例えば
、イオンビームエツチングあるいはプラズマエツチング
などを行って、基板の第２のフォトレジスト膜に窓の開
けられた部分の直下にのみ、第１のフォトレジスト膜に
形成されたグレーティングに従って、局所的にグレーテ
ィングを、任意の形状で精度良くかつ容易に作製するこ
とを特徴とするものである。
以下本発明の実施例について詳細に説明する。
第１図〜第６図は、本発明による実施例の工程説明図で
ある。
ある。
まず第１図に示す様に、基板１上に第１のフォトレジス
ト膜２を形成する。これに、例えばレーザ光による干渉
露光法あるいは電子ビーム描画法等を用いてグレーティ
ング３を形成する（第２図）。
ト膜２を形成する。これに、例えばレーザ光による干渉
露光法あるいは電子ビーム描画法等を用いてグレーティ
ング３を形成する（第２図）。
次にグレーティングを形成した第１０フＡトレジスト膜
１２上に、第２の７オトレジスト膜４を形成する（第３
図）。
１２上に、第２の７オトレジスト膜４を形成する（第３
図）。
次に第４図に示す様に、公知のフォトリングラフィ技術
で、グレーティングを形成する予定の直上の第２のフォ
トレジスト膜４を除去して、窓５の開いた第２のフォト
レジスト膜１４を得る。この際に、第１のフォトレジス
ト膜１２がネガレジストである場合には、第２のフォト
レジスト膜４が、ポジ型あるいはネガ型にかかわりなく
、第１のフォトレジスト膜のグレーティング３の窓５に
露出している部分の形状は、第２図に示した形状を保っ
ている。また、第１のフォトレジスト膜４がポジレジス
トである場合には、第２のフォトレジスト膜４がネガ型
のときには、前記と同様な結果を得るが、第２のフォト
レジスト膜４がポジ型の場合には、窓６に露出している
部分の第１のフォトレジスト膜１２のグレーティング形
状は多少変化を受けるが、支障ない程度である。
で、グレーティングを形成する予定の直上の第２のフォ
トレジスト膜４を除去して、窓５の開いた第２のフォト
レジスト膜１４を得る。この際に、第１のフォトレジス
ト膜１２がネガレジストである場合には、第２のフォト
レジスト膜４が、ポジ型あるいはネガ型にかかわりなく
、第１のフォトレジスト膜のグレーティング３の窓５に
露出している部分の形状は、第２図に示した形状を保っ
ている。また、第１のフォトレジスト膜４がポジレジス
トである場合には、第２のフォトレジスト膜４がネガ型
のときには、前記と同様な結果を得るが、第２のフォト
レジスト膜４がポジ型の場合には、窓６に露出している
部分の第１のフォトレジスト膜１２のグレーティング形
状は多少変化を受けるが、支障ない程度である。
゛つぎに、第５図に示す様に、前記レジスト膜をエツチ
ングマスクとして基板１のエツチング、例えば、イオン
ビームエツチングあるいはプラズマエツチング等を行い
、窓５の直下部分にのみフォトレジスト膜１２のグレー
ティング形状に従ったグレーティング６を形成した基板
１１を得る。
ングマスクとして基板１のエツチング、例えば、イオン
ビームエツチングあるいはプラズマエツチング等を行い
、窓５の直下部分にのみフォトレジスト膜１２のグレー
ティング形状に従ったグレーティング６を形成した基板
１１を得る。
最後に、基板１１上に残存するレジスト膜を、例えばア
セトン等の有機溶剤等で除去して、第６図のごとく、基
板１１に、局所的にグレーティング６を形成したものを
得る。
セトン等の有機溶剤等で除去して、第６図のごとく、基
板１１に、局所的にグレーティング６を形成したものを
得る。
なお、実施例において、第６図に示す様に、残存するレ
ジスト膜を除去することを述べたが、さしつかえなけれ
ばこれを除去する必要はない。
ジスト膜を除去することを述べたが、さしつかえなけれ
ばこれを除去する必要はない。
以上説明したように本発明の方法によれば、基板の所定
部分に正確にかつ簡単な工程でグレーティングを形成で
きるもので、その利用価値は高い。
部分に正確にかつ簡単な工程でグレーティングを形成で
きるもので、その利用価値は高い。
第１図〜第６図は、本発明の実施例による局所的グレー
ティング作製方法の工程を説明するための図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・第１０フＡトレジ
スト膜、３・・・・・・第１のフォトレジスト膜に形成
されたグレーティング、４・・・・・・第２のフォトレ
ジスト膜、５・・・・・・第２のフォトレジスト膜に開
けられた窓、６・・・・・・エツチングによシ基板上に
形成された局所的グレーティング、１１・・・・・・局
所的グレーティングを形成された基板、１２・・・・・
・グレーティング３を形成された第１のフォトレジスト
膜、１４・・・・・・窓５の開けられた第２の７オトレ
ジスト膜。
ティング作製方法の工程を説明するための図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・第１０フＡトレジ
スト膜、３・・・・・・第１のフォトレジスト膜に形成
されたグレーティング、４・・・・・・第２のフォトレ
ジスト膜、５・・・・・・第２のフォトレジスト膜に開
けられた窓、６・・・・・・エツチングによシ基板上に
形成された局所的グレーティング、１１・・・・・・局
所的グレーティングを形成された基板、１２・・・・・
・グレーティング３を形成された第１のフォトレジスト
膜、１４・・・・・・窓５の開けられた第２の７オトレ
ジスト膜。
Claims (1)
- 基板上に第１のフォトレジスト膜を形成する工程と、前
記第１の７オトレジスト膜にグレーティングを形成する
工程と、前記グレーティングを形成した第１の７オドレ
ジスト膜上に、第２の７オトレジスト膜を形成する工程
と、前記第２の７オトレジスト膜を局所的に除去して、
同第２のフォト膜の窓あけ工程にて露出されたグレーテ
ィングを形成した前記第１の７オトレジスト膜とをエツ
チングマスクとして、前記基板をエツチングする工程と
を含むこ吉を特徴とする局所的グレーティング作製方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11945482A JPS599924A (ja) | 1982-07-08 | 1982-07-08 | 局所的グレ−テイング作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11945482A JPS599924A (ja) | 1982-07-08 | 1982-07-08 | 局所的グレ−テイング作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS599924A true JPS599924A (ja) | 1984-01-19 |
Family
ID=14761772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11945482A Pending JPS599924A (ja) | 1982-07-08 | 1982-07-08 | 局所的グレ−テイング作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS599924A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS614223A (ja) * | 1984-06-19 | 1986-01-10 | Ricoh Co Ltd | 薄膜デバイスのビツトパタ−ン形成方法 |
| JP2008530612A (ja) * | 2005-02-09 | 2008-08-07 | スティッチング ダッチ ポリマー インスティテュート | 高分子の凹凸構造の作成方法 |
-
1982
- 1982-07-08 JP JP11945482A patent/JPS599924A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS614223A (ja) * | 1984-06-19 | 1986-01-10 | Ricoh Co Ltd | 薄膜デバイスのビツトパタ−ン形成方法 |
| JP2008530612A (ja) * | 2005-02-09 | 2008-08-07 | スティッチング ダッチ ポリマー インスティテュート | 高分子の凹凸構造の作成方法 |
| US8927178B2 (en) * | 2005-02-09 | 2015-01-06 | Stichting Dutch Polymer Institute | Process for preparing a polymeric relief structure |
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