JPS5912403A - 局所的グレ−テイング作製方法 - Google Patents
局所的グレ−テイング作製方法Info
- Publication number
- JPS5912403A JPS5912403A JP12178282A JP12178282A JPS5912403A JP S5912403 A JPS5912403 A JP S5912403A JP 12178282 A JP12178282 A JP 12178282A JP 12178282 A JP12178282 A JP 12178282A JP S5912403 A JPS5912403 A JP S5912403A
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- Japan
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- film
- grating
- photoresist film
- forming
- substrate
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/18—Diffraction gratings
- G02B5/1847—Manufacturing methods
- G02B5/1857—Manufacturing methods using exposure or etching means, e.g. holography, photolithography, exposure to electron or ion beams
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、基板上の所望の部分だけに局所的にグレーテ
ィングを作製する局所的グレーティ゛ング作製方法に関
するものである。
ィングを作製する局所的グレーティ゛ング作製方法に関
するものである。
グレーティングは光導路と組み合わせることにより、光
分波器、光合波器および、ＤＦＢ或いはＤ Ｂ Ｒ４９
の半導体レーザ等と１〜で用いられている。
分波器、光合波器および、ＤＦＢ或いはＤ Ｂ Ｒ４９
の半導体レーザ等と１〜で用いられている。
−土だ、光集積回路の要素の一つとしてグレーティング
を用いる場合には、グレーティングの形成領域を限定し
、かつ正確な位置合わせを行うことが必四である。
を用いる場合には、グレーティングの形成領域を限定し
、かつ正確な位置合わせを行うことが必四である。
従来でｄｌ、基板にグレーティングを形成する方法とし
てｄｌ、基板上に形成されたフォトレジスト膜１−に、
レーザ光を用いた干渉露光法あるいは、電子ビーム描画
露光法等を用いてグレーティングを形成し、これをエツ
チングマスクとしてイオンビームエツチングあるいはプ
ラズマエツチングを用いて基板をエツチングして、レジ
スト膜上に形成されているグレーティングを基板に形成
する方法がある。
てｄｌ、基板上に形成されたフォトレジスト膜１−に、
レーザ光を用いた干渉露光法あるいは、電子ビーム描画
露光法等を用いてグレーティングを形成し、これをエツ
チングマスクとしてイオンビームエツチングあるいはプ
ラズマエツチングを用いて基板をエツチングして、レジ
スト膜上に形成されているグレーティングを基板に形成
する方法がある。
寸だ、局所的にグレーティングを形成する方法としては
、前記従来例において、干渉露光法では、フォトマスク
で不必要な部分を遮光して干渉露光する方法が、電子ビ
ーム描画露光法では、電子ビームを所望の形状に偏向さ
せる方法などがある。
、前記従来例において、干渉露光法では、フォトマスク
で不必要な部分を遮光して干渉露光する方法が、電子ビ
ーム描画露光法では、電子ビームを所望の形状に偏向さ
せる方法などがある。
しかし、前記干渉露光法においては、フォトマスクの窓
の周縁部による干渉により、フ（トレジスト膜上のグレ
ーティング周縁部分か乱ねるという欠点がある。寸だ、
前記電子ビーム描画露光θビＣは、基板上の位置を正確
に検索することが困Ｍ［ｔであるという欠点があった。
の周縁部による干渉により、フ（トレジスト膜上のグレ
ーティング周縁部分か乱ねるという欠点がある。寸だ、
前記電子ビーム描画露光θビＣは、基板上の位置を正確
に検索することが困Ｍ［ｔであるという欠点があった。
本発明は前記従来の欠点を除去するものであり、その局
所的グレーティング作製方法は、基板上に第゛１のフォ
トレジスト膜を形成し、この膜上に公知の技術を用いる
ことによりグレーティングを形成し、更にこのフォトレ
ジスト膜上にフォトレジストの分離用および現像の際の
ストッパーとして、透光性のある薄膜、例えば薄い金属
蒸着膜や誘電体蒸着膜などを形成し、この薄膜上に第２
のフォトレジスト膜を形成した後に、公知のフォトリン
グラフィ技術でグレーティングを形成する所望の部分の
第２のフォトレジスト膜を除去し、透光性のある薄膜お
よび第１のフォトレジスト膜よりなるグレーティグ部分
を露出させる。この様にして得られたものをエツチング
マスクとして、例えば、イオンビームエツチングやプラ
ズマエツチングなどで基板をエツチングすることにより
、第２の）處トレジスト膜に窓の開けられた部分の直下
の基破にのみ局所的にグレーティングを、任意の形状で
、位置精度良く、かつ容易に作製することを特徴とする
ものである。
所的グレーティング作製方法は、基板上に第゛１のフォ
トレジスト膜を形成し、この膜上に公知の技術を用いる
ことによりグレーティングを形成し、更にこのフォトレ
ジスト膜上にフォトレジストの分離用および現像の際の
ストッパーとして、透光性のある薄膜、例えば薄い金属
蒸着膜や誘電体蒸着膜などを形成し、この薄膜上に第２
のフォトレジスト膜を形成した後に、公知のフォトリン
グラフィ技術でグレーティングを形成する所望の部分の
第２のフォトレジスト膜を除去し、透光性のある薄膜お
よび第１のフォトレジスト膜よりなるグレーティグ部分
を露出させる。この様にして得られたものをエツチング
マスクとして、例えば、イオンビームエツチングやプラ
ズマエツチングなどで基板をエツチングすることにより
、第２の）處トレジスト膜に窓の開けられた部分の直下
の基破にのみ局所的にグレーティングを、任意の形状で
、位置精度良く、かつ容易に作製することを特徴とする
ものである。
第１図に示すように、基板１上にフォトレジスト膜２を
形成する。さらに第２図に示す様に、フォトレジスト膜
２−１−に、干渉露光法寸たは電子ビーム描画露光法等
によりグレーティング３を形成するＯ 次に、第３図に示す様に、グレーティング３を形成した
フォトレジスト膜１２上に、透光性を有する薄膜４，例
えば、薄い金属蒸着膜や誘電体薄膜等を形成する。
形成する。さらに第２図に示す様に、フォトレジスト膜
２−１−に、干渉露光法寸たは電子ビーム描画露光法等
によりグレーティング３を形成するＯ 次に、第３図に示す様に、グレーティング３を形成した
フォトレジスト膜１２上に、透光性を有する薄膜４，例
えば、薄い金属蒸着膜や誘電体薄膜等を形成する。
ぞ［７て、第４図に示すごとく薄膜４上に第２のフォト
レジスト膜５を形成する。ここで薄膜４は、第１のフォ
トレジスト膜１２と第２のフォトレジスト膜とを分離す
るだめの作用をする。薄膜４を設けることにより、第２
のフォトレジスト膜１５の形成が容易となる。そして、
公知のフォトリングラフィ技術により、マスク合わせ、
露光現像を行った後第５図に示す様に、グレーティング
を形成する予定部分のみ、第２のフォトレジスト膜５を
除去して窓６の開いた第２のフォトレジスト膜１５を得
る。
レジスト膜５を形成する。ここで薄膜４は、第１のフォ
トレジスト膜１２と第２のフォトレジスト膜とを分離す
るだめの作用をする。薄膜４を設けることにより、第２
のフォトレジスト膜１５の形成が容易となる。そして、
公知のフォトリングラフィ技術により、マスク合わせ、
露光現像を行った後第５図に示す様に、グレーティング
を形成する予定部分のみ、第２のフォトレジスト膜５を
除去して窓６の開いた第２のフォトレジスト膜１５を得
る。
薄膜４により、前記第２のフォトレジスト膜のフォトプ
ロセスの現像工程において、第１のフォトレジスト膜が
影響を受けるのを防止し、第１のフォトレジスト膜上に
形成されているグレーティング形状を保存することが出
来る。現像後は、薄膜４がストッパーの役を為すだめに
、第２のフォトレジスト膜に開けられた窓６には、薄膜
４が露出し第１のフォトレジスト膜上に形成されたグレ
ーティング形状を呈する。捷だ、マスク合わせの際には
、基板上に形成されであるマスク合わせ用のアライメン
トキーを目視する必要から薄膜４は透光性を有していな
ければならない。
ロセスの現像工程において、第１のフォトレジスト膜が
影響を受けるのを防止し、第１のフォトレジスト膜上に
形成されているグレーティング形状を保存することが出
来る。現像後は、薄膜４がストッパーの役を為すだめに
、第２のフォトレジスト膜に開けられた窓６には、薄膜
４が露出し第１のフォトレジスト膜上に形成されたグレ
ーティング形状を呈する。捷だ、マスク合わせの際には
、基板上に形成されであるマスク合わせ用のアライメン
トキーを目視する必要から薄膜４は透光性を有していな
ければならない。
次に第６図に示す様に基板１上に形成された＼局所的に
グレーティング形状を有する薄膜をエツチングマスクと
して、エツチング、例えば、イオンビームエツチングや
プラズマエツチング等ヲ行うことにより第６図に示す様
に、基板１１上に第２のフォトレジスト膜１２に開けら
れた窓６の部分だけがエツチングされて、グレーティン
グ形状７を形成することができる。基板１１上のグレー
ティング７以外の部分は、第１のフォトレジスト膜１５
．薄膜４および第１のフォトレジスト膜１２がマスクと
して作用して、基板上に残存し、エツチングされない。
グレーティング形状を有する薄膜をエツチングマスクと
して、エツチング、例えば、イオンビームエツチングや
プラズマエツチング等ヲ行うことにより第６図に示す様
に、基板１１上に第２のフォトレジスト膜１２に開けら
れた窓６の部分だけがエツチングされて、グレーティン
グ形状７を形成することができる。基板１１上のグレー
ティング７以外の部分は、第１のフォトレジスト膜１５
．薄膜４および第１のフォトレジスト膜１２がマスクと
して作用して、基板上に残存し、エツチングされない。
最後に、第７図に示す様に、残存するレジスト薄膜等を
例えは、アセトン等の有機溶剤等に浸すことにより、除
去して、基板１上に、局所的に形成されたグレーティン
グ７を得る。
例えは、アセトン等の有機溶剤等に浸すことにより、除
去して、基板１上に、局所的に形成されたグレーティン
グ７を得る。
なお、実施例において、第７図に示す様に、残存するレ
ジスト薄膜等を除去することを述べたが、別に除去する
必要はない。
ジスト薄膜等を除去することを述べたが、別に除去する
必要はない。
以上のように本発明の方法によれば、位置精度良くかつ
容易に基板の所定部にグレーティングを形成できるもの
で工業上の利用価値が高い。
容易に基板の所定部にグレーティングを形成できるもの
で工業上の利用価値が高い。
第１図〜第７図は、本発明の局所的グレーティング作製
方法の工程説明図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・第１の７オトレジ
スト膜、３・・・・・・第１のフォトレジスト膜に形成
されたグレーティング、４・・・・・・レジスト膜分離
用薄膜、５・・・・・・第２の７オトレジスト膜、６・
・・・・第２のフォトレジスト膜に開けられた窓、７・
川・・エツチングにより基板上に形成された局所的グレ
ーティング、１１・・・・・・局所的グレーティングを
形成された基板、１２・・・・・・グレーティング３を
形成された第１の７オトレジスト膜、１５・・山・窓６
の開けられた第２のフォトレジスト膜。
方法の工程説明図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・第１の７オトレジ
スト膜、３・・・・・・第１のフォトレジスト膜に形成
されたグレーティング、４・・・・・・レジスト膜分離
用薄膜、５・・・・・・第２の７オトレジスト膜、６・
・・・・第２のフォトレジスト膜に開けられた窓、７・
川・・エツチングにより基板上に形成された局所的グレ
ーティング、１１・・・・・・局所的グレーティングを
形成された基板、１２・・・・・・グレーティング３を
形成された第１の７オトレジスト膜、１５・・山・窓６
の開けられた第２のフォトレジスト膜。
Claims (4)
- （１）基板上に第１の７オトレジスト膜を形成する工程
と、前記第１の７オトレジスト膜にグレーティングを形
成する工程と、グレーティングを形成した前記第１のレ
ジスト膜上に透光性を有する薄膜を形成する工程と、前
記薄膜上に第２のフォトレジスト膜を形成する工程と、
前記第２のフォトレジスト膜上に局所的に窓を開ける工
程と、前記第２の７オトレジスト膜と前記第２の７オト
レジスト膜の窓開は工程にて露出した前記薄膜とをエツ
チングマスクとして、前記基板をエツチングする工程と
を含むことを特徴とする局所的グレーティング作製方法
。 - （２）第１のフォトレジスト膜にグレーティングを形成
する工程に、レーザ光による干渉露光法を含むフォトリ
ングラフィ工程を用いたことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の局所的グレーテインク作製方法。 - （３）第１のフォトレジスト膜にグレーティングを形成
する工程に、電子ビーム描画露光法を含むフォトリング
ラフィ工程を用いたことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の局所的グレーティング作製方法。 - （４）透光性を”有する薄膜を形成する工程が、透光性
を有する金属薄膜を形成する工程であることを（５）透
光性を有する薄膜を形成する工程が、透光性を有する誘
電体薄膜を形成する工程であること
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12178282A JPS5912403A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | 局所的グレ−テイング作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12178282A JPS5912403A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | 局所的グレ−テイング作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5912403A true JPS5912403A (ja) | 1984-01-23 |
Family
ID=14819750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12178282A Pending JPS5912403A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | 局所的グレ−テイング作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5912403A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61172101A (ja) * | 1985-01-25 | 1986-08-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 回折格子の作成方法 |
| JPS6322208A (ja) * | 1986-07-12 | 1988-01-29 | Kazuyuki Kuribayashi | 温泉パイプの中刳り装置 |
| JPH0274916A (ja) * | 1988-09-12 | 1990-03-14 | Agency Of Ind Science & Technol | Ｃｏ２レーザ光走査用ホログラムの製造方法 |
| EP1417517A1 (en) * | 2001-05-08 | 2004-05-12 | Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation | An optical device and methods of manufacture |
| US9176266B2 (en) | 2009-12-04 | 2015-11-03 | Giesecke & Devrient Gmbh | Security element, value document comprising such a security element and method for producing such a security element |
| US9297941B2 (en) | 2011-07-21 | 2016-03-29 | Giesecke & Deverient Gmbh | Optically variable element, in particular security element |
| US9827802B2 (en) | 2009-12-04 | 2017-11-28 | Giesecke+Devrient Currency Technology Gmbh | Security element, value document comprising such a security element, and method for producing such a security element |
-
1982
- 1982-07-12 JP JP12178282A patent/JPS5912403A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61172101A (ja) * | 1985-01-25 | 1986-08-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 回折格子の作成方法 |
| JPS6322208A (ja) * | 1986-07-12 | 1988-01-29 | Kazuyuki Kuribayashi | 温泉パイプの中刳り装置 |
| JPH0274916A (ja) * | 1988-09-12 | 1990-03-14 | Agency Of Ind Science & Technol | Ｃｏ２レーザ光走査用ホログラムの製造方法 |
| JPH0664256B2 (ja) * | 1988-09-12 | 1994-08-22 | 工業技術院長 | Ｃｏ２レーザ光走査用ホログラムの製造方法 |
| EP1417517A1 (en) * | 2001-05-08 | 2004-05-12 | Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation | An optical device and methods of manufacture |
| EP1417517A4 (en) * | 2001-05-08 | 2008-06-04 | Commw Scient Ind Res Org | OPTICAL DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING |
| US9176266B2 (en) | 2009-12-04 | 2015-11-03 | Giesecke & Devrient Gmbh | Security element, value document comprising such a security element and method for producing such a security element |
| US9827802B2 (en) | 2009-12-04 | 2017-11-28 | Giesecke+Devrient Currency Technology Gmbh | Security element, value document comprising such a security element, and method for producing such a security element |
| US10525758B2 (en) | 2009-12-04 | 2020-01-07 | Giesecke+Devrient Currency Technology Gmbh | Security element, value document comprising such a security element, and method for producing such a security element |
| US9297941B2 (en) | 2011-07-21 | 2016-03-29 | Giesecke & Deverient Gmbh | Optically variable element, in particular security element |
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