JPS614223A - 薄膜デバイスのビツトパタ−ン形成方法 - Google Patents
薄膜デバイスのビツトパタ−ン形成方法Info
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- JPS614223A JPS614223A JP12556784A JP12556784A JPS614223A JP S614223 A JPS614223 A JP S614223A JP 12556784 A JP12556784 A JP 12556784A JP 12556784 A JP12556784 A JP 12556784A JP S614223 A JPS614223 A JP S614223A
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- Japan
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- light
- glass substrate
- interference
- bit pattern
- substrate
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using incoherent light, UV to IR, e.g. lamps
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、光励起ＣＶＤ法による薄膜デバイスのピット
パタ：ン形成方法に関する。
パタ：ン形成方法に関する。
従来技術
従来、薄膜半導体デバイスの形成方法としてＣＶＤ法（
化学気相成長法）が知られている。その一つとして、光
エネルギーを利用して気体材料から薄膜を形成する光励
起ＣＶＤ法が最近注目されている。
化学気相成長法）が知られている。その一つとして、光
エネルギーを利用して気体材料から薄膜を形成する光励
起ＣＶＤ法が最近注目されている。
ここに、薄膜デバイス、例えばａ−８ｉ：Ｈ膜を光導電
材料に用いるａ−３上等倍光センサーでは、ａ−８ｉ：
Ｈ膜のビットパターンを所定ピッチで形成することが必
要となる。しかして、フォトリソグラフィ工程を用いる
ことなく、光励起ＣＶＤ法による薄膜形成時にその反応
室内でビットパターンも同時に形成する方法として次の
ようなものがある。
材料に用いるａ−３上等倍光センサーでは、ａ−８ｉ：
Ｈ膜のビットパターンを所定ピッチで形成することが必
要となる。しかして、フォトリソグラフィ工程を用いる
ことなく、光励起ＣＶＤ法による薄膜形成時にその反応
室内でビットパターンも同時に形成する方法として次の
ようなものがある。
第３図は、その−例を示すものである。まず、シリコン
等で作ったサセプタ１上にガラス基板２を置き、このサ
セプタ１側から反応室３外に配置した光源４によりガラ
ス基板２を３００〜２００℃程度に加熱する。そして、
ａ”Ｓｉ：Ｈ膜を堆積すべきこのガラス基板２上に所望
のビットパターンを形成してなるメタルマスク５を密着
させる。
等で作ったサセプタ１上にガラス基板２を置き、このサ
セプタ１側から反応室３外に配置した光源４によりガラ
ス基板２を３００〜２００℃程度に加熱する。そして、
ａ”Ｓｉ：Ｈ膜を堆積すべきこのガラス基板２上に所望
のビットパターンを形成してなるメタルマスク５を密着
させる。
しかして、反応室３内に原料ガスとして５ｉｚＨ６ガス
を流し、メタルマスク５を密着させたガラス基板２上面
から紫外単色光ＵＶ （Ａ ｒ Ｆレーザー光１９３ｎ
ｍあるいは低圧水銀灯２５３ｎｍ等）を照射する。これ
により、紫外単色光Ｕｖは５ｉ２Ｈ（ｌに吸収されてこ
のＳ’１ｚＨｏガスを分解させ、メタルマスク５を密着
させたガラス基板２上にａ −’Ｓ ｉ ：’Ｈ膜のビ
ットパターンが形成される。
を流し、メタルマスク５を密着させたガラス基板２上面
から紫外単色光ＵＶ （Ａ ｒ Ｆレーザー光１９３ｎ
ｍあるいは低圧水銀灯２５３ｎｍ等）を照射する。これ
により、紫外単色光Ｕｖは５ｉ２Ｈ（ｌに吸収されてこ
のＳ’１ｚＨｏガスを分解させ、メタルマスク５を密着
させたガラス基板２上にａ −’Ｓ ｉ ：’Ｈ膜のビ
ットパターンが形成される。
ところが、ビットパターンの精度がメタルマスク５の精
度で決まるため゛、精密なメタルマスクが必要となる。
度で決まるため゛、精密なメタルマスクが必要となる。
従って、近年におけるビットパターンの微細化や長尺化
に対応できないものである。
に対応できないものである。
一方、メタルマスクを用いることなく、基板上のビット
パターン形成部分にのみレーザー光を順次照射すること
により、ビットパターンを形成する方法もある。しかし
、このような走査方式によると時間がかかり、効率が悪
いものである。
パターン形成部分にのみレーザー光を順次照射すること
により、ビットパターンを形成する方法もある。しかし
、このような走査方式によると時間がかかり、効率が悪
いものである。
目的
本発明は、このような点に鑑みなされたもので、。
メタルマスクを用いることなく精度の高いビットパター
ンを効率よく形成することができる薄膜デバイスのビッ
トパターン形成方法を提供すること−を目的とする。
ンを効率よく形成することができる薄膜デバイスのビッ
トパターン形成方法を提供すること−を目的とする。
構成
本発明の一実施例を第１図及び第２図を参照して説明す
る。本実施例は、光励起ＣＶＤ法において用いられる紫
外単色光の干渉を利用するものである。
る。本実施例は、光励起ＣＶＤ法において用いられる紫
外単色光の干渉を利用するものである。
まず、第１図により原理を説明する。シリコン等により
作ったサセプタ１上にガラス基板２を置き、このガラス
基板２を光源４により３００〜２００℃程度に加熱する
。そして、反応室３内に原料ガスとして５ｉｚＨｅガス
を流す。なお、Ｈｅを希釈ガス、Ｎ２をキャリアガスと
して用いることもある。そこで、光励起ＣＶＤ法に基づ
き、５ｉｚＨｅガスの分解用として紫外単色光ＵＶを照
射する訳であるが、その照射方法に本発明の特徴がある
。即ち、ビームスプリッタにより二分割された紫外単色
光ＵＶ１．ＵＶ２ （Ａｒ Ｆレーザー光 １９３ｎ
ｍあるいは低圧水銀灯２５３ｎｍ等）を交叉角θでもっ
て二方向からガラス基板２に向けて照射するようにした
ものである。ここに、紫外単色光ＵＶＬ 、ＵＶ２の二
つの光路はガラス基板２面上で合致するように設定され
ているにのように、紫外単色光ＵＶｚ 、ＵＶ２を二方
向から導入して交叉させることに、より、波長をλとす
ると、２つの光線の干渉によりガラス基板２表面にλ／
ｓｉｎθ のピッチで明暗の干渉パターンが形成される
。この明暗のパターンのうち、明パターン部分ではその
光の照射によりガラス基板２表面上で５ｉ２Ｈａガスの
分解が起こり、予め適当な温度に加熱されているガラス
基板２の表面にａ−８ｉ：Ｈ膜の堆積が行なわれる。つ
まり、明パターン部分にのみ堆積してビットパターンと
なる。このようにして、メタルマスクを用いることなく
、ガラス基板２上に作られた光の干渉強度像に対応した
ａ−８ｉ：Ｈ膜のビットパターンが直接形成されること
になる。この方式によれば、レーザー光の走査方式に比
べても形成が速くて効率的である。又、二つの光線ＵＶ
１．ＵＶ２がガラス基板２表面上で集束するため、この
ガラス基板２上での５ｉｚＨｅガスの分解レー１−が最
も高く、光が導入される反応室３の導入窓壁でのＳ、ｉ
２ Ｈ６ガスの分解レートは低いため、光導入窓が堆
積物で曇ることも少ない。
作ったサセプタ１上にガラス基板２を置き、このガラス
基板２を光源４により３００〜２００℃程度に加熱する
。そして、反応室３内に原料ガスとして５ｉｚＨｅガス
を流す。なお、Ｈｅを希釈ガス、Ｎ２をキャリアガスと
して用いることもある。そこで、光励起ＣＶＤ法に基づ
き、５ｉｚＨｅガスの分解用として紫外単色光ＵＶを照
射する訳であるが、その照射方法に本発明の特徴がある
。即ち、ビームスプリッタにより二分割された紫外単色
光ＵＶ１．ＵＶ２ （Ａｒ Ｆレーザー光 １９３ｎ
ｍあるいは低圧水銀灯２５３ｎｍ等）を交叉角θでもっ
て二方向からガラス基板２に向けて照射するようにした
ものである。ここに、紫外単色光ＵＶＬ 、ＵＶ２の二
つの光路はガラス基板２面上で合致するように設定され
ているにのように、紫外単色光ＵＶｚ 、ＵＶ２を二方
向から導入して交叉させることに、より、波長をλとす
ると、２つの光線の干渉によりガラス基板２表面にλ／
ｓｉｎθ のピッチで明暗の干渉パターンが形成される
。この明暗のパターンのうち、明パターン部分ではその
光の照射によりガラス基板２表面上で５ｉ２Ｈａガスの
分解が起こり、予め適当な温度に加熱されているガラス
基板２の表面にａ−８ｉ：Ｈ膜の堆積が行なわれる。つ
まり、明パターン部分にのみ堆積してビットパターンと
なる。このようにして、メタルマスクを用いることなく
、ガラス基板２上に作られた光の干渉強度像に対応した
ａ−８ｉ：Ｈ膜のビットパターンが直接形成されること
になる。この方式によれば、レーザー光の走査方式に比
べても形成が速くて効率的である。又、二つの光線ＵＶ
１．ＵＶ２がガラス基板２表面上で集束するため、この
ガラス基板２上での５ｉｚＨｅガスの分解レー１−が最
も高く、光が導入される反応室３の導入窓壁でのＳ、ｉ
２ Ｈ６ガスの分解レートは低いため、光導入窓が堆
積物で曇ることも少ない。
ところで、実際の装置化にあっては、第２図に示すよう
に、レーザー光源等の光源６がら照射される紫人単色光
ＵＶをビームスプリッタフにより紫外単色光ＵＶ１ 、
ＵＶ２として二分割し、その一方の紫外単色光Ｕ Ｖ
１を反射鏡８を通すことにより、二光線ＵＶ１．ＵＶｚ
を二方向からガラス基板２に向けて照射することになる
。ここで、光の干渉による明暗のパターンのピッチはλ
／５ｉｎＯであるので、二光線Ｕ Ｖ １． 、 Ｕ
Ｖ ２の交叉角０を反射鏡８により調整することにより
、ガラス基板２上に所望のビットパターンに相当する明
暗のパターンが生ずるよう光を照射することができる。
に、レーザー光源等の光源６がら照射される紫人単色光
ＵＶをビームスプリッタフにより紫外単色光ＵＶ１ 、
ＵＶ２として二分割し、その一方の紫外単色光Ｕ Ｖ
１を反射鏡８を通すことにより、二光線ＵＶ１．ＵＶｚ
を二方向からガラス基板２に向けて照射することになる
。ここで、光の干渉による明暗のパターンのピッチはλ
／５ｉｎＯであるので、二光線Ｕ Ｖ １． 、 Ｕ
Ｖ ２の交叉角０を反射鏡８により調整することにより
、ガラス基板２上に所望のビットパターンに相当する明
暗のパターンが生ずるよう光を照射することができる。
なお、図面において第１図は光の干渉の原理を示すため
のものであり、第２図はより実際の装置的なものを示す
ため、交叉角の図示上の大きさは異なるが、交叉角θは
同じ意味で使用するものである。
のものであり、第２図はより実際の装置的なものを示す
ため、交叉角の図示上の大きさは異なるが、交叉角θは
同じ意味で使用するものである。
ところで、本実施例では、薄膜を形成すべき基板２の表
面側から紫外単色光を照射するようにしたが、基板が紫
外単色光を吸収しないものであれば、この基板の裏面側
から紫外車色光を二方向から照射し、基板表面にて合致
するように光路を設定してもよい。
面側から紫外単色光を照射するようにしたが、基板が紫
外単色光を吸収しないものであれば、この基板の裏面側
から紫外車色光を二方向から照射し、基板表面にて合致
するように光路を設定してもよい。
効果
本発明は、上述したように、光励起ＣＶＤ法における原
料ガス分解用の紫外単色光を二分割して二方向から導入
して基板面上で所定角度にて合致させるようにしたので
、光の干渉による明暗のパターンに基づき堆積物のビッ
トパターンを直接形成することができ、よって、メタル
マスクを用いることなく精度のよいビットパターンを効
率よく形成することができるものである。
料ガス分解用の紫外単色光を二分割して二方向から導入
して基板面上で所定角度にて合致させるようにしたので
、光の干渉による明暗のパターンに基づき堆積物のビッ
トパターンを直接形成することができ、よって、メタル
マスクを用いることなく精度のよいビットパターンを効
率よく形成することができるものである。
第１図は本発明の一実施例の原理を示す概略正面図、第
２図はその交叉角の設定等を示す概略正面図、第３図は
従来方式を示す概略正面図である。 ２・・・基板、３・・・反応室、７・・・ビームスプリ
ッタあ」 図 ３．３図 ＪＪＪ −篤Ｚ回
２図はその交叉角の設定等を示す概略正面図、第３図は
従来方式を示す概略正面図である。 ２・・・基板、３・・・反応室、７・・・ビームスプリ
ッタあ」 図 ３．３図 ＪＪＪ −篤Ｚ回
Claims (1)
- 原料ガスを分解するための紫外単色光をビームスプリッ
タで分割し反応室内に二方向から導入して薄膜を堆積す
べき基板面上で合致するようにその光路を設定し、この
二方向からの紫外単色光の干渉の結果生ずる明暗のパタ
ーンによりビットパターンを形成することを特徴とする
光励起ＣＶＤ法による薄膜デバイスのビットパターン形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59125567A JPH0628235B2 (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 薄膜デバイスのビツトパタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59125567A JPH0628235B2 (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 薄膜デバイスのビツトパタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS614223A true JPS614223A (ja) | 1986-01-10 |
| JPH0628235B2 JPH0628235B2 (ja) | 1994-04-13 |
Family
ID=14913385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59125567A Expired - Lifetime JPH0628235B2 (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 薄膜デバイスのビツトパタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0628235B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5951774A (en) * | 1995-01-27 | 1999-09-14 | Nec Corporation | Cold-wall operated vapor-phase growth system |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS599924A (ja) * | 1982-07-08 | 1984-01-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 局所的グレ−テイング作製方法 |
| JPS6065588A (ja) * | 1983-09-21 | 1985-04-15 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体レ−ザの製造方法 |
-
1984
- 1984-06-19 JP JP59125567A patent/JPH0628235B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS599924A (ja) * | 1982-07-08 | 1984-01-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 局所的グレ−テイング作製方法 |
| JPS6065588A (ja) * | 1983-09-21 | 1985-04-15 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体レ−ザの製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5951774A (en) * | 1995-01-27 | 1999-09-14 | Nec Corporation | Cold-wall operated vapor-phase growth system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0628235B2 (ja) | 1994-04-13 |
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